JP2571315B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2571315B2 JP2571315B2 JP3036363A JP3636391A JP2571315B2 JP 2571315 B2 JP2571315 B2 JP 2571315B2 JP 3036363 A JP3036363 A JP 3036363A JP 3636391 A JP3636391 A JP 3636391A JP 2571315 B2 JP2571315 B2 JP 2571315B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- circuit chip
- chip
- carrier tape
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ボンディング用テー
プへの集積回路チップの装着が行なわれる半導体装置の
製造方法に関する。
プへの集積回路チップの装着が行なわれる半導体装置の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩの代表的なパッケージ形態
の１つにテープキャリア方式（以下、ＴＡＢともいう）
があり、キャリア用テープ上に順次集積回路チップの装
着が行われる。
の１つにテープキャリア方式（以下、ＴＡＢともいう）
があり、キャリア用テープ上に順次集積回路チップの装
着が行われる。
【０００３】図４は、集積回路チップがボンディングさ
れる前の従来のボンディング用テープの斜視図であり、
図５は、集積回路チップがボンディングされた後の従来
のボンディング用テープの斜視図であり、図６は、図５
のＡ−Ａ線断面図である。
れる前の従来のボンディング用テープの斜視図であり、
図５は、集積回路チップがボンディングされた後の従来
のボンディング用テープの斜視図であり、図６は、図５
のＡ−Ａ線断面図である。
【０００４】図４に示されるボンディングに用られるキ
ャリア用テープ（１）には、ガラス繊維入りのエポキ
シ、ポリエチレン、ポリイミド等の可撓性を有する絶縁
材料が用いられている。このキャリア用テープ（１）上
には、例えば銅のような導体材料からなるリード（２）
が複数形成されている。このリード（２）は、図６に示
されるように、集積回路チップ（３）がボンディングさ
れる内側部分であるインナリード部（２ａ）と、外部回
路に接続される外側部分であるアウタリード部（２ｂ）
とで構成されている。そして、図４に示されるように、
集積回路チップ（３）の突起電極（４）は、リード
（２）にボンディングされる。
ャリア用テープ（１）には、ガラス繊維入りのエポキ
シ、ポリエチレン、ポリイミド等の可撓性を有する絶縁
材料が用いられている。このキャリア用テープ（１）上
には、例えば銅のような導体材料からなるリード（２）
が複数形成されている。このリード（２）は、図６に示
されるように、集積回路チップ（３）がボンディングさ
れる内側部分であるインナリード部（２ａ）と、外部回
路に接続される外側部分であるアウタリード部（２ｂ）
とで構成されている。そして、図４に示されるように、
集積回路チップ（３）の突起電極（４）は、リード
（２）にボンディングされる。
【０００５】図５及び図６は、上記集積回路チップ
（３）がキャリア用テープ（１）にボンディングされた
後の状態を示すものである。
（３）がキャリア用テープ（１）にボンディングされた
後の状態を示すものである。
【０００６】上記集積回路チップ（３）を装着するキャ
リア用テープ（１）には、図６に示すようにデバイスホ
ール（５）が形成されている。そして、上記アウタリー
ド部（２ｂ）に外部電極がボンディングできるようにキ
ャリア用テープ（１）には、アウタリードホール（６）
が開けられている。また、キャリア用テープ（１）の両
側には、キャリア用テープ（１）を一定のインデックス
で送るためのスプロケットホール（７）が開けられてい
る。サポートテープ部（８）は、リード（２）を支持固
定するものである。
リア用テープ（１）には、図６に示すようにデバイスホ
ール（５）が形成されている。そして、上記アウタリー
ド部（２ｂ）に外部電極がボンディングできるようにキ
ャリア用テープ（１）には、アウタリードホール（６）
が開けられている。また、キャリア用テープ（１）の両
側には、キャリア用テープ（１）を一定のインデックス
で送るためのスプロケットホール（７）が開けられてい
る。サポートテープ部（８）は、リード（２）を支持固
定するものである。
【０００７】次に、上記集積回路チップ（３）を基板に
固定する際の工程を説明する。
固定する際の工程を説明する。
【０００８】まず、図５に示すようなキャリア用テープ
（１）に装着した集積回路チップ（３）は、リード
（２）とともにアウタリードホール（６）の部分でキャ
リア用テープ（１）を打ち抜いて取り出される。その
後、打ち抜いた集積回路チップ（３）は、図示省略の基
板上に載置され、そのアウタリード部（２ｂ）を基板上
の電極にボンディング又はハンダ付け等により電気的接
続が行なわれる。そして、最後に集積回路チップ（３）
を保護するために、エポキシ樹脂等の樹脂部材を基板上
に充填することによって、集積回路チップ（３）の表面
及びその周辺をコートしている。
（１）に装着した集積回路チップ（３）は、リード
（２）とともにアウタリードホール（６）の部分でキャ
リア用テープ（１）を打ち抜いて取り出される。その
後、打ち抜いた集積回路チップ（３）は、図示省略の基
板上に載置され、そのアウタリード部（２ｂ）を基板上
の電極にボンディング又はハンダ付け等により電気的接
続が行なわれる。そして、最後に集積回路チップ（３）
を保護するために、エポキシ樹脂等の樹脂部材を基板上
に充填することによって、集積回路チップ（３）の表面
及びその周辺をコートしている。
【０００９】また、上記以外の方法としては、信頼性の
高い半導体装置を効率良く生産するため、集積回路チッ
プ（３）を基板上に載置する前にトランスファー成形法
にて予め集積回路チップ（３）が樹脂等により封止され
る。そして、パッケージ化された集積回路チップは、リ
ード（２）と共にアウタリードホール（６）の部分でキ
ャリア用テープ（１）を打ち抜いて取り出され、基板上
に載置される。その基板上に載置されたパッケージのア
ウタリード部（２ｂ）と基板上の電極とは、ボンディン
グ又はハンダ付け等により電気的に接続される。
高い半導体装置を効率良く生産するため、集積回路チッ
プ（３）を基板上に載置する前にトランスファー成形法
にて予め集積回路チップ（３）が樹脂等により封止され
る。そして、パッケージ化された集積回路チップは、リ
ード（２）と共にアウタリードホール（６）の部分でキ
ャリア用テープ（１）を打ち抜いて取り出され、基板上
に載置される。その基板上に載置されたパッケージのア
ウタリード部（２ｂ）と基板上の電極とは、ボンディン
グ又はハンダ付け等により電気的に接続される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の半導体装置の製造方法は、いずれの場合も集積回路チ
ップを保護するために、樹脂等によってパッケージング
化が行われている。ところが、例えば図７に示されるよ
うに、封止樹脂（１０）を注入する際の樹脂の流圧によ
って集積回路チップ（３）がキャリア用テープ（１）と
の相対関係で変位し、集積回路チップ（３）のエッジ部
（３ａ）とインナリード部（２ａ）とが接触して短絡が
生じるという問題があった。
の半導体装置の製造方法は、いずれの場合も集積回路チ
ップを保護するために、樹脂等によってパッケージング
化が行われている。ところが、例えば図７に示されるよ
うに、封止樹脂（１０）を注入する際の樹脂の流圧によ
って集積回路チップ（３）がキャリア用テープ（１）と
の相対関係で変位し、集積回路チップ（３）のエッジ部
（３ａ）とインナリード部（２ａ）とが接触して短絡が
生じるという問題があった。
【００１１】本発明は、上記のような問題を解消するこ
とを課題としてなされたもので、集積回路チップを封止
する際の封止樹脂の注入状態にかかわらず、常に集積回
路チップとキャリア用テープとを適正な位置関係に保持
してパッケージ化することにより、集積回路チップのエ
ッジ部とインナリード部とが接触して短絡することを妨
げる半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
とを課題としてなされたもので、集積回路チップを封止
する際の封止樹脂の注入状態にかかわらず、常に集積回
路チップとキャリア用テープとを適正な位置関係に保持
してパッケージ化することにより、集積回路チップのエ
ッジ部とインナリード部とが接触して短絡することを妨
げる半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体装置の製造方法は、キャリア用テー
プに開けられたデバイスホールに集積回路チップを納さ
めて、集積回路チップの突起電極と前記キャリア用テー
プに形成されデバイスホールに引出されたリードとを接
合する集積回路チップ収納工程と、前記集積回路チップ
のエッジ付近で、このエッジ付近とデバイスホールに引
出されたリードとの間に半硬化樹脂チップを配設して集
積回路チップとキャリア用テープとの相対位置を仮りに
固定する仮止め工程と、前記集積回路チップと前記リー
ドとの周りに封止樹脂を注入した後、封止樹脂を硬化
し、前記集積回路チップ、リード及び半硬化樹脂チップ
を一体的に封止するパッケージング工程と、を有するこ
とを特徴とする。
に、本発明の半導体装置の製造方法は、キャリア用テー
プに開けられたデバイスホールに集積回路チップを納さ
めて、集積回路チップの突起電極と前記キャリア用テー
プに形成されデバイスホールに引出されたリードとを接
合する集積回路チップ収納工程と、前記集積回路チップ
のエッジ付近で、このエッジ付近とデバイスホールに引
出されたリードとの間に半硬化樹脂チップを配設して集
積回路チップとキャリア用テープとの相対位置を仮りに
固定する仮止め工程と、前記集積回路チップと前記リー
ドとの周りに封止樹脂を注入した後、封止樹脂を硬化
し、前記集積回路チップ、リード及び半硬化樹脂チップ
を一体的に封止するパッケージング工程と、を有するこ
とを特徴とする。
【００１３】
【作用】上記構成によれば、キャリア用テープに集積回
路チップを収納して突起電極とリードとの接続を行い、
半硬化樹脂チップを集積回路チップのエッジ付近とキャ
リア用テープとの間に配設して両者の位置関係を保持す
るように仮止めし、その後封止樹脂を注入して半硬化樹
脂チップと共に完全硬化させて集積回路チップを一体的
にパッケージングする。このため、本発明では、封止樹
脂の注入の際に集積回路チップに流圧が加わっても変位
し難くなり、さらに、集積回路チップのエッジ部とリー
ドとの間に絶縁体である半硬化樹脂チップが介在される
ので、集積回路チップのエッジ部とリードとが接触して
短絡することのない信頼性の高い半導体装置が得られる
ようになる。
路チップを収納して突起電極とリードとの接続を行い、
半硬化樹脂チップを集積回路チップのエッジ付近とキャ
リア用テープとの間に配設して両者の位置関係を保持す
るように仮止めし、その後封止樹脂を注入して半硬化樹
脂チップと共に完全硬化させて集積回路チップを一体的
にパッケージングする。このため、本発明では、封止樹
脂の注入の際に集積回路チップに流圧が加わっても変位
し難くなり、さらに、集積回路チップのエッジ部とリー
ドとの間に絶縁体である半硬化樹脂チップが介在される
ので、集積回路チップのエッジ部とリードとが接触して
短絡することのない信頼性の高い半導体装置が得られる
ようになる。
【００１４】
【実施例】以下に、図面を参照しながら、本発明に係る
半導体装置の製造方法の好適な実施例を説明する。
半導体装置の製造方法の好適な実施例を説明する。
【００１５】実施例１ 図１は本発明に係る半導体装置の一実施例を示す平面図
である。図１に示されるように、本実施例の半導体装置
の製造方法には、テープキャリア方式（ＴＡＢ）が用い
られている。そして、ガラス繊維入りのエポキシ、ポリ
エチレン、ポリイミド等の可撓性を有する絶縁材料から
なるキャリア用テープ（１）上には、銅のような導体材
料からなるリード（２）が配置されており、このリード
（２）は、その位置によって、インナリード部（２ａ）
とアウタリード部（２ｂ）とに分けられる。
である。図１に示されるように、本実施例の半導体装置
の製造方法には、テープキャリア方式（ＴＡＢ）が用い
られている。そして、ガラス繊維入りのエポキシ、ポリ
エチレン、ポリイミド等の可撓性を有する絶縁材料から
なるキャリア用テープ（１）上には、銅のような導体材
料からなるリード（２）が配置されており、このリード
（２）は、その位置によって、インナリード部（２ａ）
とアウタリード部（２ｂ）とに分けられる。
【００１６】集積回路チップ（３）上に設けられた突起
電極（４）は、上記キャリア用テープ（１）に形成され
たデバイスホール（５）に集積回路チップ（３）を収納
することによって、上記インナリード部（２ａ）とボン
ディングされて電気的に接続される。また、上記アウタ
リード部（２ｂ）は、後述する外部回路の基板と接続さ
れる。
電極（４）は、上記キャリア用テープ（１）に形成され
たデバイスホール（５）に集積回路チップ（３）を収納
することによって、上記インナリード部（２ａ）とボン
ディングされて電気的に接続される。また、上記アウタ
リード部（２ｂ）は、後述する外部回路の基板と接続さ
れる。
【００１７】そして、アウタリードホール（６）の部分
でキャリア用テープ（１）が打ち抜かれて集積回路チッ
プ（３）が取り出され、この集積回路チップ（３）を保
護するために封止樹脂の注入工程により、パッケージン
グが行われる。
でキャリア用テープ（１）が打ち抜かれて集積回路チッ
プ（３）が取り出され、この集積回路チップ（３）を保
護するために封止樹脂の注入工程により、パッケージン
グが行われる。
【００１８】本実施例１における特徴的なことは、上記
したように集積回路チップ（３）をキャリア用テープ
（１）のデバイスホール（５）に収納し、インナリード
部（２ａ）と集積回路チップ（３）の突起電極（４）と
をボンディングした状態で、集積回路チップ（３）のエ
ッジ付近とキャリア用テープ（１）との間に半硬化樹脂
チップ（９）を配設して、両者を仮固定する工程がある
ことである。
したように集積回路チップ（３）をキャリア用テープ
（１）のデバイスホール（５）に収納し、インナリード
部（２ａ）と集積回路チップ（３）の突起電極（４）と
をボンディングした状態で、集積回路チップ（３）のエ
ッジ付近とキャリア用テープ（１）との間に半硬化樹脂
チップ（９）を配設して、両者を仮固定する工程がある
ことである。
【００１９】すなわち、上記半硬化樹脂チップ（９）の
配設は、その後の工程において集積回路チップ（３）を
保護するために封止樹脂の注入が行われるが、樹脂の流
圧が集積回路チップ（３）に加わっても半硬化樹脂チッ
プ（９）が集積回路チップ（３）のエッジ付近をカバー
しながらキャリア用テープ（１）を支持しているため、
集積回路チップ（３）の変位による短絡を防止すること
ができる。
配設は、その後の工程において集積回路チップ（３）を
保護するために封止樹脂の注入が行われるが、樹脂の流
圧が集積回路チップ（３）に加わっても半硬化樹脂チッ
プ（９）が集積回路チップ（３）のエッジ付近をカバー
しながらキャリア用テープ（１）を支持しているため、
集積回路チップ（３）の変位による短絡を防止すること
ができる。
【００２０】上記半硬化樹脂チップ（９）は、ここでは
ポリイミド樹脂、メラミン樹脂あるいはフェノール樹脂
等の絶縁性を有する樹脂チップを使用しているため、封
止樹脂注入後の加熱によって集積回路チップ（３）と一
体化して硬化するので、信頼性の高い半導体装置とする
ことができる。
ポリイミド樹脂、メラミン樹脂あるいはフェノール樹脂
等の絶縁性を有する樹脂チップを使用しているため、封
止樹脂注入後の加熱によって集積回路チップ（３）と一
体化して硬化するので、信頼性の高い半導体装置とする
ことができる。
【００２１】次に、本実施例１の作用を図２に基づいて
説明する。
説明する。
【００２２】図２は、本発明の一実施例に係る封止され
た半導体装置の断面図である。図２に示されるように、
集積回路チップ（３）のエッジ上部とキャリア用テープ
（１）のインナリード部（２ａ）との間には半硬化樹脂
チップ（９）が配設されている。この半硬化樹脂チップ
（９）による仮止め工程は、集積回路チップ（３）とキ
ャリア用テープ（１）との位置関係を保持するためのも
のである。このため、集積回路チップ（３）は、封止樹
脂（１０）が注入されて樹脂の流圧が加わっても変位し
難く、また多少変位してもエッジ部分に半硬化樹脂チッ
プ（９）が設けられているので、リード（２）と集積回
路チップ（３）との接触を防止することができる。
た半導体装置の断面図である。図２に示されるように、
集積回路チップ（３）のエッジ上部とキャリア用テープ
（１）のインナリード部（２ａ）との間には半硬化樹脂
チップ（９）が配設されている。この半硬化樹脂チップ
（９）による仮止め工程は、集積回路チップ（３）とキ
ャリア用テープ（１）との位置関係を保持するためのも
のである。このため、集積回路チップ（３）は、封止樹
脂（１０）が注入されて樹脂の流圧が加わっても変位し
難く、また多少変位してもエッジ部分に半硬化樹脂チッ
プ（９）が設けられているので、リード（２）と集積回
路チップ（３）との接触を防止することができる。
【００２３】実施例２ 図３は、本発明の他の実施例に係る封止された半導体装
置の断面図である。図３の半導体装置は、実施例１の図
２の場合と比べて半硬化樹脂チップ（９）が集積回路チ
ップ（３）のエッジ部から側面部にかけて厚く配設され
ている。このため、実施例２における半硬化樹脂チップ
（９）は、集積回路チップ（３）とキャリア用テープ
（１）との間の姿勢保持力がさらに強くなると共に、仮
に集積回路チップ（３）が樹脂封止時に変形しても側面
に配設された半硬化樹脂チップ（９）が確実にガードし
て、リード（２）との接触を防止することができる。
置の断面図である。図３の半導体装置は、実施例１の図
２の場合と比べて半硬化樹脂チップ（９）が集積回路チ
ップ（３）のエッジ部から側面部にかけて厚く配設され
ている。このため、実施例２における半硬化樹脂チップ
（９）は、集積回路チップ（３）とキャリア用テープ
（１）との間の姿勢保持力がさらに強くなると共に、仮
に集積回路チップ（３）が樹脂封止時に変形しても側面
に配設された半硬化樹脂チップ（９）が確実にガードし
て、リード（２）との接触を防止することができる。
【００２４】以上述べたように、各実施例の半導体装置
の製造方法は、パッケージングのための封止樹脂の注入
前に集積回路チップのエッジ付近とキャリア用テープと
の間に半硬化樹脂チップを配設したため、封止樹脂の注
入による集積回路チップの変位やリードとの接触による
短絡が防止できると共に、封止樹脂の注入後は熱処理等
により半硬化樹脂チップを硬化させて一体化できるの
で、高い信頼性が得られる。
の製造方法は、パッケージングのための封止樹脂の注入
前に集積回路チップのエッジ付近とキャリア用テープと
の間に半硬化樹脂チップを配設したため、封止樹脂の注
入による集積回路チップの変位やリードとの接触による
短絡が防止できると共に、封止樹脂の注入後は熱処理等
により半硬化樹脂チップを硬化させて一体化できるの
で、高い信頼性が得られる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の製造方法によれば、テープボンディングのためのキ
ャリア用テープのリードに集積回路チップをボンディン
グし、集積回路チップのエッジ付近とリードとの間に半
硬化樹脂チップを設けたので、封止樹脂の注入に際して
も集積回路チップが変位し難く、集積回路チップとリー
ドとの接触による短絡が防止できるとともに、半硬化樹
脂チップは完全硬化させて隣接する部材と一体化するの
で信頼性の高い半導体装置の製造を行うことができる。
置の製造方法によれば、テープボンディングのためのキ
ャリア用テープのリードに集積回路チップをボンディン
グし、集積回路チップのエッジ付近とリードとの間に半
硬化樹脂チップを設けたので、封止樹脂の注入に際して
も集積回路チップが変位し難く、集積回路チップとリー
ドとの接触による短絡が防止できるとともに、半硬化樹
脂チップは完全硬化させて隣接する部材と一体化するの
で信頼性の高い半導体装置の製造を行うことができる。
【図１】本発明に係る半導体装置の一実施例を示す平面
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施例に係る封止された半導体装置
の断面図である。
の断面図である。
【図３】本発明の他の実施例に係る封止された半導体装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図４】集積回路チップがボンディングされる前の従来
のボンディング用テープ（キャリア用テープ）の斜視図
である。
のボンディング用テープ（キャリア用テープ）の斜視図
である。
【図５】集積回路チップがボンディングされた後の従来
のボンディング用テープ（キャリア用テープ）の斜視図
である。
のボンディング用テープ（キャリア用テープ）の斜視図
である。
【図６】図５のＡ−Ａ線断面図である。
【図７】従来例の問題を説明する半導体装置の断面図で
ある。
ある。
（１） キャリア用テープ （２） リード （３） 集積回路チップ （４） 突起電極 （５） デバイスホール （９） 半硬化樹脂チップ
Claims (1)
- 【請求項１】 キャリア用テープに開けられたデバイス
ホールに集積回路チップを納さめて、集積回路チップの
突起電極と前記キャリア用テープに形成されデバイスホ
ールに引出されたリードとを接合する集積回路チップ収
納工程と、 前記集積回路チップのエッジ付近で、このエッジ付近と
デバイスホールに引出されたリードとの間に半硬化樹脂
チップを配設して集積回路チップとキャリア用テープと
の相対位置を仮りに固定する仮止め工程と、 前記集積回路チップと前記リードとの周りに封止樹脂を
注入した後、封止樹脂を硬化し、前記集積回路チップ、
リード及び半硬化樹脂チップを一体的に封止するパッケ
ージング工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3036363A JP2571315B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3036363A JP2571315B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04274337A JPH04274337A (ja) | 1992-09-30 |
| JP2571315B2 true JP2571315B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=12467753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3036363A Expired - Fee Related JP2571315B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2571315B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0622845A3 (en) * | 1993-04-30 | 1995-03-29 | Hewlett Packard Co | Automatic tape assembly apparatus and method with beam lead isolation. |
-
1991
- 1991-03-01 JP JP3036363A patent/JP2571315B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04274337A (ja) | 1992-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7015579B2 (en) | Semiconductor device for fingerprint recognition | |
| US6995448B2 (en) | Semiconductor package including passive elements and method of manufacture | |
| KR100368698B1 (ko) | 반도체패키지와,그것을이용한반도체장치및그제조방법 | |
| KR100694739B1 (ko) | 다수의 전원/접지면을 갖는 볼 그리드 어레이 패키지 | |
| US20020172024A1 (en) | Method for encapsulating intermediate conductive elements connecting a semiconductor die to a substrate and semiconductor devices so packaged | |
| US20080111224A1 (en) | Multi stack package and method of fabricating the same | |
| JPH0750359A (ja) | 支持体から離脱可能なリードを有する半導体パッケージ | |
| GB2286084A (en) | Electronic package with thermally conductive support | |
| US6894229B1 (en) | Mechanically enhanced package and method of making same | |
| US6002171A (en) | Integrated heat spreader/stiffener assembly and method of assembly for semiconductor package | |
| KR100261877B1 (ko) | 표면장착 팩키지용 포스트를 갖고 있는 집적회로 장치 및 그 제조방법 | |
| US6903464B2 (en) | Semiconductor die package | |
| JP2571315B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0722454A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| US5982026A (en) | Inexpensive resin molded semiconductor device | |
| JP4376448B2 (ja) | プリント配線基板およびそれを用いたｉｃカード用モジュールならびにその製造方法 | |
| JP2001035886A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| CN108511412B (zh) | 一种引线框再分布结构及其制造方法 | |
| JP4038021B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2553665B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR19980027872A (ko) | 칩 카드 | |
| JP3173308B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| KR940006578B1 (ko) | 반도체 패케이지 및 그 제조방법 | |
| KR19990051002A (ko) | 적층형 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP2551243B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071024 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081024 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081024 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091024 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |