JP2570185Y2 - 基板接続構造 - Google Patents
基板接続構造Info
- Publication number
- JP2570185Y2 JP2570185Y2 JP1992033175U JP3317592U JP2570185Y2 JP 2570185 Y2 JP2570185 Y2 JP 2570185Y2 JP 1992033175 U JP1992033175 U JP 1992033175U JP 3317592 U JP3317592 U JP 3317592U JP 2570185 Y2 JP2570185 Y2 JP 2570185Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- connection structure
- conductive film
- conductor pattern
- anisotropic conductive
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Combinations Of Printed Boards (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、例えば2 つの基板に設
けられたそれぞれの導体パターンなどを異方性導電膜を
用いて接続する基板接続構造に関する。
けられたそれぞれの導体パターンなどを異方性導電膜を
用いて接続する基板接続構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、異方性導電膜を用いた基板接
続構造はよく知られている。
続構造はよく知られている。
【０００３】近年、基板に形成される導体パターンは狭
ピッチ化の傾向にあり、異方性導電膜を用いた基板接続
構造においても高密度化への対応が急務となっている。
ピッチ化の傾向にあり、異方性導電膜を用いた基板接続
構造においても高密度化への対応が急務となっている。
【０００４】ここで、図３を参照して従来の異方性導電
膜を用いた基板接続構造について説明する。
膜を用いた基板接続構造について説明する。
【０００５】同図において、３１はフレキシブル配線基
板、３２はガラス・エポキシ基板（以下ガラエポ基板と
称す）である。互いの基板３１、３２には、それぞれ対
応して接続用の導体パターン３３ａ、３３ｂ、３４ａ、
３４ｂが形成されている。なお、隣り合う導体パター
ン、例えば導体パターン３３ａと導体パターン３３ｂと
の間隔をW とする。これらの導体パターン３３ａ、３３
ｂ、３４ａ、３４ｂは、異方性導電膜３５により接着お
よび接続されている。なお、互いの基板３１、３２間に
は、例えば導体パターン３３ａ、３４ａなどが挟まれて
いるため、最低でも約70μｍの隙間t が生じている。
板、３２はガラス・エポキシ基板（以下ガラエポ基板と
称す）である。互いの基板３１、３２には、それぞれ対
応して接続用の導体パターン３３ａ、３３ｂ、３４ａ、
３４ｂが形成されている。なお、隣り合う導体パター
ン、例えば導体パターン３３ａと導体パターン３３ｂと
の間隔をW とする。これらの導体パターン３３ａ、３３
ｂ、３４ａ、３４ｂは、異方性導電膜３５により接着お
よび接続されている。なお、互いの基板３１、３２間に
は、例えば導体パターン３３ａ、３４ａなどが挟まれて
いるため、最低でも約70μｍの隙間t が生じている。
【０００６】この基板接続構造の場合、2 つの基板３
１、３２の導体パターン間には、通常、厚さ約35μｍ程
度の異方性導電膜３５が配置され、互いの基板３１、３
２が加熱加圧されることにより、異方性導電膜３５は溶
融して基板間の隙間に充填される。このときに、異方性
導電膜３５の中に分散配置されている導電粒子が導体パ
ターン３３ａ、３３ｂと導体パターン３４ａ、３４ｂと
の間に残りその面が電気的に接続される。この場合、1
mmあたりに形成できる導体パターン数は5 本（0.2mm ピ
ッチ）である。
１、３２の導体パターン間には、通常、厚さ約35μｍ程
度の異方性導電膜３５が配置され、互いの基板３１、３
２が加熱加圧されることにより、異方性導電膜３５は溶
融して基板間の隙間に充填される。このときに、異方性
導電膜３５の中に分散配置されている導電粒子が導体パ
ターン３３ａ、３３ｂと導体パターン３４ａ、３４ｂと
の間に残りその面が電気的に接続される。この場合、1
mmあたりに形成できる導体パターン数は5 本（0.2mm ピ
ッチ）である。
【０００７】ところで、図４に示すように、導体パター
ンを狭ピッチ化、例えば1 mmあたり10本（0.1mm ピッ
チ）とした場合、それぞれ隣り合う導体パターン間、例
えば導体パターン４１ａ、４１ｂ間の間隔は1/2Wになる
が、基板間の隙間t は導体パターン自体の厚みであるた
めに約70μｍと変わらない。したがって、この隙間t に
合わせて通常と同じ膜厚（約35μｍ）の異方性導電膜３
５を用いる必要がある。この状態で対向する基板間に異
方性導電膜３５を挟み加熱加圧すると、流れ出た導電粒
子は狭くされた隙間1/2Wに密集しその密度が高くなるた
め絶縁性が低下する。最悪の場合、隣り合う導体パター
ン間で絶縁不良を招くことにもなる。
ンを狭ピッチ化、例えば1 mmあたり10本（0.1mm ピッ
チ）とした場合、それぞれ隣り合う導体パターン間、例
えば導体パターン４１ａ、４１ｂ間の間隔は1/2Wになる
が、基板間の隙間t は導体パターン自体の厚みであるた
めに約70μｍと変わらない。したがって、この隙間t に
合わせて通常と同じ膜厚（約35μｍ）の異方性導電膜３
５を用いる必要がある。この状態で対向する基板間に異
方性導電膜３５を挟み加熱加圧すると、流れ出た導電粒
子は狭くされた隙間1/2Wに密集しその密度が高くなるた
め絶縁性が低下する。最悪の場合、隣り合う導体パター
ン間で絶縁不良を招くことにもなる。
【０００８】
【考案が解決しようとする課題】このように上述した従
来の基板接続構造では、導体パターンを狭ピッチ化する
と、異方性導電膜内の導電粒子が狭い隙間1/2Wに密集し
て隣り合う導体パターン間の絶縁性が低下するという問
題があった。
来の基板接続構造では、導体パターンを狭ピッチ化する
と、異方性導電膜内の導電粒子が狭い隙間1/2Wに密集し
て隣り合う導体パターン間の絶縁性が低下するという問
題があった。
【０００９】本考案はこのような課題を解決するために
なされたもので、導体パターンの狭ピッチ化に対応して
異方性導電膜を用いた基板間接続ができる基板接続構造
を提供することを目的としている。
なされたもので、導体パターンの狭ピッチ化に対応して
異方性導電膜を用いた基板間接続ができる基板接続構造
を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本考案の基板接続構造は
上記した目的を達成するために、ガラスエポキシ樹脂基
板に複数形成した第１の導体パターンと、フィルム状の
基板に前記第１の導体パターンと対応させて形成した第
２の導体パターンとを対向させて加熱加圧することによ
り対応する第１、第２の導体パターンを電気的に接続し
てなる基板接続構造において、前記ガラスエポキシ樹脂
基板および前記フィルム状の基板の少なくとも一方の導
体パターン間に形成され、前記加熱加圧により他方の導
体パターン間に入り込む突出部と、前記ガラスエポキシ
樹脂基板および前記フィルム状の基板間に介挿され、前
記加熱加圧により互いの基板間と前記突出部とに生じた
隙間をなくすように充填された熱可塑性異方性導電膜と
を具備している。
上記した目的を達成するために、ガラスエポキシ樹脂基
板に複数形成した第１の導体パターンと、フィルム状の
基板に前記第１の導体パターンと対応させて形成した第
２の導体パターンとを対向させて加熱加圧することによ
り対応する第１、第２の導体パターンを電気的に接続し
てなる基板接続構造において、前記ガラスエポキシ樹脂
基板および前記フィルム状の基板の少なくとも一方の導
体パターン間に形成され、前記加熱加圧により他方の導
体パターン間に入り込む突出部と、前記ガラスエポキシ
樹脂基板および前記フィルム状の基板間に介挿され、前
記加熱加圧により互いの基板間と前記突出部とに生じた
隙間をなくすように充填された熱可塑性異方性導電膜と
を具備している。
【００１１】
【作用】本考案では、ガラスエポキシ樹脂基板とフィル
ム状の基板とを、互いの導体パターンを対向させ、熱可
塑性異方性導電膜を介して加熱加圧することにより、い
ずれかの基板に形成した突出部が導体パターン間に入り
込み、しかも熱可塑性異方性導電膜が溶けて互いの間の
隙間をなくすように充填されるので、互いの基板および
導体パターンどうしが強固に接続されて接続強度を向上
することができる。
ム状の基板とを、互いの導体パターンを対向させ、熱可
塑性異方性導電膜を介して加熱加圧することにより、い
ずれかの基板に形成した突出部が導体パターン間に入り
込み、しかも熱可塑性異方性導電膜が溶けて互いの間の
隙間をなくすように充填されるので、互いの基板および
導体パターンどうしが強固に接続されて接続強度を向上
することができる。
【００１２】これにより、膜厚の薄い異方性導電膜を用
いて基板間接続が行えるようになり、狭ピッチ化した導
体パターン間の導電粒子密度を低密度に維持できるよう
になる。
いて基板間接続が行えるようになり、狭ピッチ化した導
体パターン間の導電粒子密度を低密度に維持できるよう
になる。
【００１３】
【実施例】以下、本考案の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
【００１４】図１は本考案に係る一実施例の基板接続構
造を示す図である。
造を示す図である。
【００１５】同図において、１は第１の基板としてのフ
レキシブル配線基板である。このフレキシブル配線基板
１には、複数の導体パターン２が高さ約35μｍで形成さ
れている。
レキシブル配線基板である。このフレキシブル配線基板
１には、複数の導体パターン２が高さ約35μｍで形成さ
れている。
【００１６】このフレキシブル配線基板１には、ガラス
・エポキシ基板（以下ガラエポ基板と称す）３が対向配
置されている。このガラエポ基板３には、導体パターン
２に対応する導体パターン４が高さ約35μｍで形成され
ている。つまり、互いの基板間隔t は、約70μｍほどに
なる。また、このガラエポ基板３の導体パターン４の各
間隔は、従来（図３に示した間隔W ）と比較してほぼ半
分の間隔1/2Wで形成されている。この導体パターン４の
間隔1/2Wには、導体パターン２の間に嵌入する突出部５
が形成されている。この突出部５は導体パターン４の高
さ1/2tよりも高く、かつ導体パターン２と導体パターン
４とを合わせた高さt よりも低く形成されている。この
ガラエポ基板３とフレキシブル配線基板１とは、導体パ
ターン２に突出部５が嵌入した部分（導体パターン４の
上面よりも上の隙間部分）に熱可塑性の異方性導電膜６
が充填されて接着されている。また、互いの基板の導体
パターン２、４は、その対向面間で異方性導電膜６の中
に分散配置されていた微細な導電粒子により電気的に接
続されている。
・エポキシ基板（以下ガラエポ基板と称す）３が対向配
置されている。このガラエポ基板３には、導体パターン
２に対応する導体パターン４が高さ約35μｍで形成され
ている。つまり、互いの基板間隔t は、約70μｍほどに
なる。また、このガラエポ基板３の導体パターン４の各
間隔は、従来（図３に示した間隔W ）と比較してほぼ半
分の間隔1/2Wで形成されている。この導体パターン４の
間隔1/2Wには、導体パターン２の間に嵌入する突出部５
が形成されている。この突出部５は導体パターン４の高
さ1/2tよりも高く、かつ導体パターン２と導体パターン
４とを合わせた高さt よりも低く形成されている。この
ガラエポ基板３とフレキシブル配線基板１とは、導体パ
ターン２に突出部５が嵌入した部分（導体パターン４の
上面よりも上の隙間部分）に熱可塑性の異方性導電膜６
が充填されて接着されている。また、互いの基板の導体
パターン２、４は、その対向面間で異方性導電膜６の中
に分散配置されていた微細な導電粒子により電気的に接
続されている。
【００１７】次に、図２を参照してこの基板接続構造の
基板接続過程について説明する。
基板接続過程について説明する。
【００１８】同図に示すように、この基板接続構造で
は、まず、フレキシブル配線基板１とガラエポ基板３と
を互いの導体パターン２、４が対応するように異方性導
電膜６を介して対向させ、続いて、フレキシブル配線基
板１およびガラエポ基板３を加熱加圧（矢印ａの方向）
することにより、異方性導電膜６が溶融し、図１に示す
ように、異方性導電膜６は、フレキシブル配線基板１と
ガラエポ基板３との隙間に充填される。その後、冷却に
伴って異方性導電膜６が硬化し互いの基板は接着され
る。このとき、対応する導体パターン２、４の対向面
に、異方性導電膜５の微細な導電粒子が残存するので、
それぞれ対応する導体パターン２、４が電気的に接続さ
れる。
は、まず、フレキシブル配線基板１とガラエポ基板３と
を互いの導体パターン２、４が対応するように異方性導
電膜６を介して対向させ、続いて、フレキシブル配線基
板１およびガラエポ基板３を加熱加圧（矢印ａの方向）
することにより、異方性導電膜６が溶融し、図１に示す
ように、異方性導電膜６は、フレキシブル配線基板１と
ガラエポ基板３との隙間に充填される。その後、冷却に
伴って異方性導電膜６が硬化し互いの基板は接着され
る。このとき、対応する導体パターン２、４の対向面
に、異方性導電膜５の微細な導電粒子が残存するので、
それぞれ対応する導体パターン２、４が電気的に接続さ
れる。
【００１９】一方、導体パターン間に溶融充填された異
方性導電膜６は、膜厚が薄い分、充填量も少なく、異方
性導電膜６の中に存在する導電粒子の密度も従来の0.2m
m ピッチのときとほぼ変わらなくなり、隣り合う導体パ
ターン間の絶縁性は維持される。
方性導電膜６は、膜厚が薄い分、充填量も少なく、異方
性導電膜６の中に存在する導電粒子の密度も従来の0.2m
m ピッチのときとほぼ変わらなくなり、隣り合う導体パ
ターン間の絶縁性は維持される。
【００２０】このように本実施例の基板接続構造によれ
ば、導体パターン４間に、導体パターン２に嵌入する突
出部５を形成すると共に膜厚の薄い（約20μｍ）異方性
導電膜６を用いることにより、隣り合う導体パターン間
の導電粒子密度を高くすることなく（絶縁性が維持され
た状態で）基板間接続を行うことができる。
ば、導体パターン４間に、導体パターン２に嵌入する突
出部５を形成すると共に膜厚の薄い（約20μｍ）異方性
導電膜６を用いることにより、隣り合う導体パターン間
の導電粒子密度を高くすることなく（絶縁性が維持され
た状態で）基板間接続を行うことができる。
【００２１】この結果、1 mmあたり10本の導体パターン
４を形成するような導体パターンの狭ピッチ化に異方性
導電膜を用いた基板接続構造を対応させることができる
ようになる。
４を形成するような導体パターンの狭ピッチ化に異方性
導電膜を用いた基板接続構造を対応させることができる
ようになる。
【００２２】なお、本実施例では、ガラエポ基板側に突
出部を設けたが、フレキシブル配線基板側でもよいこと
は言うまでもない。また、この突出部は、基板に取り付
けるようにして形成してもよく、厚みのある基板を母材
として切削加工により形成してもよい。さらに、本実施
例では、フレキシブル配線基板とガラエポ基板との接続
について説明したが、本考案は、この他、フレキシブル
配線基板とＴＡＢ、ガラエポ基板とＴＡＢなどさまざま
な組み合わせにも用いることができる。
出部を設けたが、フレキシブル配線基板側でもよいこと
は言うまでもない。また、この突出部は、基板に取り付
けるようにして形成してもよく、厚みのある基板を母材
として切削加工により形成してもよい。さらに、本実施
例では、フレキシブル配線基板とガラエポ基板との接続
について説明したが、本考案は、この他、フレキシブル
配線基板とＴＡＢ、ガラエポ基板とＴＡＢなどさまざま
な組み合わせにも用いることができる。
【００２３】
【考案の効果】以上説明したように本考案の基板接続構
造によれば、ガラスエポキシ樹脂基板とフィルム状の基
板とを、互いの導体パターンを対向させ、熱可塑性異方
性導電膜を介して加熱加圧することにより、突出部が導
体パターン間に入り込み、しかも熱可塑性異方性導電膜
が溶けて互いの隙間に充填されるので、互いの基板およ
び導体パターンどうしが強固に接続されて接続強度を向
上することができる。
造によれば、ガラスエポキシ樹脂基板とフィルム状の基
板とを、互いの導体パターンを対向させ、熱可塑性異方
性導電膜を介して加熱加圧することにより、突出部が導
体パターン間に入り込み、しかも熱可塑性異方性導電膜
が溶けて互いの隙間に充填されるので、互いの基板およ
び導体パターンどうしが強固に接続されて接続強度を向
上することができる。
【００２４】この結果、導体パターンの狭ピッチ化に異
方性導電膜を用いた基板接続構造を対応させることがで
きるようになる。
方性導電膜を用いた基板接続構造を対応させることがで
きるようになる。
【図１】本考案に係る一実施例の基板接続構造を示す断
面図である。
面図である。
【図２】この実施例おける基板接続過程を示す図であ
る。
る。
【図３】従来の基板接続構造を示す図である。
【図４】従来の基板接続構造において導体パターンを狭
ピッチ化した図である。
ピッチ化した図である。
１…フレキシブル配線基板、２、４…導体パターン、３
…ガラス・エポキシ基板、５…突出部、６…異方性導電
膜。
…ガラス・エポキシ基板、５…突出部、６…異方性導電
膜。
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラスエポキシ樹脂基板に複数形成した
第１の導体パターンと、フィルム状の基板に前記第１の
導体パターンと対応させて形成した第２の導体パターン
とを対向させて加熱加圧することにより対応する第１、
第２の導体パターンを電気的に接続してなる基板接続構
造において、 前記ガラスエポキシ樹脂基板および前記フィルム状の基
板の少なくとも一方の導体パターン間に形成され、前記
加熱加圧により他方の導体パターン間に入り込む突出部
と、 前記ガラスエポキシ樹脂基板および前記フィルム状の基
板間に介挿され、前記加熱加圧により互いの基板間と前
記突出部とに生じた隙間をなくすように充填された熱可
塑性異方性導電膜とを具備したことを特徴とする基板接
続構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992033175U JP2570185Y2 (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 基板接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992033175U JP2570185Y2 (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 基板接続構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0593071U JPH0593071U (ja) | 1993-12-17 |
| JP2570185Y2 true JP2570185Y2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=12379188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992033175U Expired - Lifetime JP2570185Y2 (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 基板接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2570185Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11186684A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Ricoh Co Ltd | ヒートシール接続物およびヒートシール接続方法 |
| JP2006012992A (ja) * | 2004-06-23 | 2006-01-12 | Sharp Corp | 回路基板の電極接続構造 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5593294A (en) * | 1979-01-05 | 1980-07-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Reflow soldering method |
-
1992
- 1992-05-20 JP JP1992033175U patent/JP2570185Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0593071U (ja) | 1993-12-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980106 |