JP3724595B2 - 基板の接続構造 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は基板間の接続構造に関するものであり、例えば電気回路を形成した変形性のフィルム状基板とＩＣチップの接続に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＩＣチップと基板との接続には、少なくともどちらか一方の接続部に導電材料の突起（バンプ）を設け、バンプをはんだ等の低融点の材料とすることにより接合する方法（サーキットテクノロジ、８、１３６−１４３（１９９３）、（社）プリント回路学会誌）や導電性粒子を介して接触、光硬化性の接着剤で固定接続する方法が知られている（ＨＹＢＲＩＤＳ、８、３−８（１９９３）ハイブリットマイクロエレクトロニクス協会誌）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の接続構造ではバンプを形成するまたは電極上に導電粒子を配置する必要があり、バンプの形成や導電粒子の配置には手間がかかりコスト高の要因となっている。また、形成する多数のバンプの高さにばらつきがあることから接続方法が難しく信頼性に劣るという問題があった。本発明の目的は、バンプを形成することなく安価で信頼性の優れた接続手段を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は変形性を有する第１のフィルム状基板上に設けた加圧により変形する基板面より凸状の回路と、第２の基板上に設けた前記回路の幅より広く、かつ前記フィルム状基板の厚みより小さい絶縁層からなる開口部内の電極とが、第１の基板の回路と第２の基板の電極の少なくとも一部が前記開口部内で第１の基板の回路の変形によって接触するとともに、第１の基板と第２の基板が接着剤で固定してなる基板の接続構造に関する。
【０００５】
本発明に用いるフィルム状基板としては、例えばポリイミドやポリエチレンテレフタレート等の変形性を有する第１の基板上にＣｕ箔やＡｇ、Ｎｉ等を含む導電性ペースト類の回路を設けたものであり、これら回路の表面にはＳｎ、Ａｕ、はんだ等の表面層が形成されていてもよい。また、本発明の回路は基板面より凸状であることが電極との接触の点で好ましく、その高さは後述する第２の基板の絶縁層の高さよりも大きな１μｍ以上が好ましく、回路表面には凹凸があることから３μｍ以上がより好ましい。第２の基板としては、例えば半導体（以下ＩＣという）チップ類のシリコン、ガリウムヒ素等がある。これらＩＣチップは、例えばＡｌ等の電極上に後述する第１図で説明するように、酸化シリコン、ホウケイ酸ガラス、チッ化けい素、チッ化アルミニウム、チッ化ホウ素、ポリイミド、テフロン等の絶縁層が形成され、接続を要する電極部の絶縁層が開口部となっているものが一般的であり、厚みは１〜１０μｍ程度である。
【０００６】
本発明においては、この開口部を前記回路の幅よりも広く、かつ前記フィルム状基板の厚みより絶縁層の厚みを小さくすることが必要である。ここで第２の基板の絶縁層の厚みは第１の基板の回路の厚みより小さくすることが好ましい。この理由はフィルム状基板の変形が小さくても回路の変形により接触を可能にするためである。開口部内で回路と電極の少なくとも一部が接触した状態で両基板を接着剤で固定する。固定の方法は両基板間に接着剤を配置し、位置合わせ、圧力を加えながら加熱等をすることにより行う。この際、接着剤は液状もしくは加熱時に液状となることが必要である。さらに熱または光等で反応するエポキシ、アクリル樹脂等の反応性樹脂が好ましい。
【０００７】
【作用】
本発明によれば、変形性を有するフィルム状基板上に設けた回路が絶縁層に設けた開口部内に変形して入り込み導通が得られるので、特別な接続用の突起（バンプ等）を設けることなく基板間の電気的接続が可能である。また、機械的接続は接着剤により行っているので接着剤を変えることで種々の接続条件が選択できる。さらに回路の高さにばらつきがあってもフィルム基材の変形性を用いるので、多数の接続を一括して行える。以下に本発明の実施例を図に基づいて詳細に説明する。
【０００８】
【実施例】
【実施例１】
図１、２、３は本発明に関する基板間の接続図である。フィルム状基板とシリコンチップの接続に適用した場合を示す。図１は接続部の断面図であり、ポリイミドのフィルム１１上に表面にＳｎ層を有するＣｕの突起１２（高さｈｌ＝１５±２μｍ、幅Ｗ１＝４０μｍ）を複数設けたフィルム状基板１３と、シリコン基板２１上に形成したＳｉＯ２等の絶縁膜２３（厚さｈ２＝２μｍ、開口幅Ｗ２＝８０μｍ）で囲まれた複数のＡｌの電極２２を設けたシリコンチップ２４との間に接着剤３１を配置し、１８０℃、２０ｋｇｆ／ｃｍ２、２０秒の条件で加熱、加圧し固定する。Ｃｕ突起１２は線状であり、Ａｌ電極２２上の絶縁膜２３の開口部より長くても、図２に示すように変形してＡｌ電極２２に接触し基板間の電気的接続がなされる。Ｃｕ突起、Ａｌ電極、絶縁層は基板に電気回路を形成する際に同時に形成できるものであり、新規に工程を必要としない。また、フィルム状基板を用いフィルム状基板側から加圧することにより、Ｃｕ突起に高さのばらつきがあってもフィルムがクッションとして働き、各々の突起に均一に圧力が加わるため、一括して多数の接続を信頼性良く行うことができる。
【０００９】
【実施例２】
実施例１のＣｕの突起１２を形成する際、両面を粗化（Ｃｕ表面の突起粗さ；１〜５μｍ、密度５０００〜１００００個／ｍｍ２）した。この場合、Ｃｕ表面の粗化により形成された微小突起に圧力が集中するため、より確実な電気的接続が得られる。また、微小突起がＡｌ電極２２の酸化膜を破壊してさらに良好な接触が得られる。
【００１０】
【発明の効果】
以上、詳述したように、本発明は電気回路の形成された基板またはＩＣチップに特別の接続用の突起を設けることなく、簡便にＩＣチップを電機的、機械的に接続するものであり、安価で信頼性に優れた接続が可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例であるフィルム状基板とＩＣチップの接続状態を示す断面図である。
【図２】 図１のＡ−Ａ'断面を示す図である。
【図３】 図１をＢ方向より透視した時の接続部の状態を示す図である。
【符号の説明】
１１．ポリマーフィルム
１２．突起（回路）
１３．フィルム状基板
２１．シリコン基板
２２．Ａｌ電極
２３．絶縁膜
２４．ＩＣチップ
３１．接着剤
【産業上の利用分野】
本発明は基板間の接続構造に関するものであり、例えば電気回路を形成した変形性のフィルム状基板とＩＣチップの接続に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＩＣチップと基板との接続には、少なくともどちらか一方の接続部に導電材料の突起（バンプ）を設け、バンプをはんだ等の低融点の材料とすることにより接合する方法（サーキットテクノロジ、８、１３６−１４３（１９９３）、（社）プリント回路学会誌）や導電性粒子を介して接触、光硬化性の接着剤で固定接続する方法が知られている（ＨＹＢＲＩＤＳ、８、３−８（１９９３）ハイブリットマイクロエレクトロニクス協会誌）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の接続構造ではバンプを形成するまたは電極上に導電粒子を配置する必要があり、バンプの形成や導電粒子の配置には手間がかかりコスト高の要因となっている。また、形成する多数のバンプの高さにばらつきがあることから接続方法が難しく信頼性に劣るという問題があった。本発明の目的は、バンプを形成することなく安価で信頼性の優れた接続手段を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は変形性を有する第１のフィルム状基板上に設けた加圧により変形する基板面より凸状の回路と、第２の基板上に設けた前記回路の幅より広く、かつ前記フィルム状基板の厚みより小さい絶縁層からなる開口部内の電極とが、第１の基板の回路と第２の基板の電極の少なくとも一部が前記開口部内で第１の基板の回路の変形によって接触するとともに、第１の基板と第２の基板が接着剤で固定してなる基板の接続構造に関する。
【０００５】
本発明に用いるフィルム状基板としては、例えばポリイミドやポリエチレンテレフタレート等の変形性を有する第１の基板上にＣｕ箔やＡｇ、Ｎｉ等を含む導電性ペースト類の回路を設けたものであり、これら回路の表面にはＳｎ、Ａｕ、はんだ等の表面層が形成されていてもよい。また、本発明の回路は基板面より凸状であることが電極との接触の点で好ましく、その高さは後述する第２の基板の絶縁層の高さよりも大きな１μｍ以上が好ましく、回路表面には凹凸があることから３μｍ以上がより好ましい。第２の基板としては、例えば半導体（以下ＩＣという）チップ類のシリコン、ガリウムヒ素等がある。これらＩＣチップは、例えばＡｌ等の電極上に後述する第１図で説明するように、酸化シリコン、ホウケイ酸ガラス、チッ化けい素、チッ化アルミニウム、チッ化ホウ素、ポリイミド、テフロン等の絶縁層が形成され、接続を要する電極部の絶縁層が開口部となっているものが一般的であり、厚みは１〜１０μｍ程度である。
【０００６】
本発明においては、この開口部を前記回路の幅よりも広く、かつ前記フィルム状基板の厚みより絶縁層の厚みを小さくすることが必要である。ここで第２の基板の絶縁層の厚みは第１の基板の回路の厚みより小さくすることが好ましい。この理由はフィルム状基板の変形が小さくても回路の変形により接触を可能にするためである。開口部内で回路と電極の少なくとも一部が接触した状態で両基板を接着剤で固定する。固定の方法は両基板間に接着剤を配置し、位置合わせ、圧力を加えながら加熱等をすることにより行う。この際、接着剤は液状もしくは加熱時に液状となることが必要である。さらに熱または光等で反応するエポキシ、アクリル樹脂等の反応性樹脂が好ましい。
【０００７】
【作用】
本発明によれば、変形性を有するフィルム状基板上に設けた回路が絶縁層に設けた開口部内に変形して入り込み導通が得られるので、特別な接続用の突起（バンプ等）を設けることなく基板間の電気的接続が可能である。また、機械的接続は接着剤により行っているので接着剤を変えることで種々の接続条件が選択できる。さらに回路の高さにばらつきがあってもフィルム基材の変形性を用いるので、多数の接続を一括して行える。以下に本発明の実施例を図に基づいて詳細に説明する。
【０００８】
【実施例】
【実施例１】
図１、２、３は本発明に関する基板間の接続図である。フィルム状基板とシリコンチップの接続に適用した場合を示す。図１は接続部の断面図であり、ポリイミドのフィルム１１上に表面にＳｎ層を有するＣｕの突起１２（高さｈｌ＝１５±２μｍ、幅Ｗ１＝４０μｍ）を複数設けたフィルム状基板１３と、シリコン基板２１上に形成したＳｉＯ２等の絶縁膜２３（厚さｈ２＝２μｍ、開口幅Ｗ２＝８０μｍ）で囲まれた複数のＡｌの電極２２を設けたシリコンチップ２４との間に接着剤３１を配置し、１８０℃、２０ｋｇｆ／ｃｍ２、２０秒の条件で加熱、加圧し固定する。Ｃｕ突起１２は線状であり、Ａｌ電極２２上の絶縁膜２３の開口部より長くても、図２に示すように変形してＡｌ電極２２に接触し基板間の電気的接続がなされる。Ｃｕ突起、Ａｌ電極、絶縁層は基板に電気回路を形成する際に同時に形成できるものであり、新規に工程を必要としない。また、フィルム状基板を用いフィルム状基板側から加圧することにより、Ｃｕ突起に高さのばらつきがあってもフィルムがクッションとして働き、各々の突起に均一に圧力が加わるため、一括して多数の接続を信頼性良く行うことができる。
【０００９】
【実施例２】
実施例１のＣｕの突起１２を形成する際、両面を粗化（Ｃｕ表面の突起粗さ；１〜５μｍ、密度５０００〜１００００個／ｍｍ２）した。この場合、Ｃｕ表面の粗化により形成された微小突起に圧力が集中するため、より確実な電気的接続が得られる。また、微小突起がＡｌ電極２２の酸化膜を破壊してさらに良好な接触が得られる。
【００１０】
【発明の効果】
以上、詳述したように、本発明は電気回路の形成された基板またはＩＣチップに特別の接続用の突起を設けることなく、簡便にＩＣチップを電機的、機械的に接続するものであり、安価で信頼性に優れた接続が可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例であるフィルム状基板とＩＣチップの接続状態を示す断面図である。
【図２】 図１のＡ−Ａ'断面を示す図である。
【図３】 図１をＢ方向より透視した時の接続部の状態を示す図である。
【符号の説明】
１１．ポリマーフィルム
１２．突起（回路）
１３．フィルム状基板
２１．シリコン基板
２２．Ａｌ電極
２３．絶縁膜
２４．ＩＣチップ
３１．接着剤
Claims (3)
- 変形性を有する第１のフィルム状基板上に設けた加圧により変形する基板面より凸状の回路と、第２の基板上に設けた前記回路の幅より広く、かつ前記フィルム状基板の厚みより小さい絶縁層からなる開口部内の電極とが、第１の基板の回路と第２の基板の電極の少なくとも一部が前記開口部内で第１の基板の回路の変形によって接触するとともに、第１の基板と第２の基板が接着剤で固定してなることを特徴とする基板の接続構造。
- 第２の基板がＩＣチップ基板である請求項１記載の基板の接続構造。
- 変形性を有する第１のフィルム状基板上に設けた加圧により変形する回路の表面に微小突起を形成した請求項１または請求項２に記載の基板の接続構造。
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|---|---|---|---|
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24114694A JP3724595B2 (ja) | 1994-10-05 | 1994-10-05 | 基板の接続構造 |
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| JP2005196326A Division JP4216831B2 (ja) | 2005-07-05 | 2005-07-05 | 基板の接続構造 |
| JP2005196327A Division JP3977386B2 (ja) | 2005-07-05 | 2005-07-05 | 基板の接続構造 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08107258A JPH08107258A (ja) | 1996-04-23 |
| JP3724595B2 true JP3724595B2 (ja) | 2005-12-07 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24114694A Expired - Lifetime JP3724595B2 (ja) | 1994-10-05 | 1994-10-05 | 基板の接続構造 |
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|---|---|---|---|---|
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-
1994
- 1994-10-05 JP JP24114694A patent/JP3724595B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| JPH08107258A (ja) | 1996-04-23 |
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