JP2567897B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JP2567897B2 JP2567897B2 JP63033101A JP3310188A JP2567897B2 JP 2567897 B2 JP2567897 B2 JP 2567897B2 JP 63033101 A JP63033101 A JP 63033101A JP 3310188 A JP3310188 A JP 3310188A JP 2567897 B2 JP2567897 B2 JP 2567897B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonance
- frequency
- output
- semiconductor laser
- cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 光通信に用いられるコヒーレントな光を発生する半導
体レーザ装置に関し、 波長が安定したレーザ光を発生することを目的とし、 半導体レーザと、原子発振器と、該レーザの出力光に
よりポンピングを受ける共鳴セルと、該原子発振器の出
力を位相変調し且つ該共鳴セルの遷移周波数に変換して
該共鳴セルの共鳴パターンを狭くする周波数合成部と、
該共鳴セルの2倍波出力を検出して該検出値が最大とな
るように該半導体レーザを制御する検出部と、で構成す
る。
体レーザ装置に関し、 波長が安定したレーザ光を発生することを目的とし、 半導体レーザと、原子発振器と、該レーザの出力光に
よりポンピングを受ける共鳴セルと、該原子発振器の出
力を位相変調し且つ該共鳴セルの遷移周波数に変換して
該共鳴セルの共鳴パターンを狭くする周波数合成部と、
該共鳴セルの2倍波出力を検出して該検出値が最大とな
るように該半導体レーザを制御する検出部と、で構成す
る。
本発明は、半導体レーザ装置に関し、特に光通信に用
いられるコヒーレントな光を発生する半導体レーザ装置
に関するものである。
いられるコヒーレントな光を発生する半導体レーザ装置
に関するものである。
通信分野においては、益々光通信が盛んになって来て
いるが、これは、光通信が大容量通信を可能にするため
である。
いるが、これは、光通信が大容量通信を可能にするため
である。
ところが、現在まで光通信の光源としては、コヒーレ
ント光が実現していないために光通信の性能の一部を活
用しているに過ぎない。
ント光が実現していないために光通信の性能の一部を活
用しているに過ぎない。
このため、研究所、大学、メーカー等では、光通信の
光源用として半導体レーザの波長安定化について種々開
発が進められている。
光源用として半導体レーザの波長安定化について種々開
発が進められている。
第5図は従来の半導体レーザ装置の一例を示したもの
で、この装置では、起動装置(図示せず)により起動さ
れた半導体レーザ1は、ハーフミラー11を介して光変調
器12に入力する。この光変調器12は低周波発振器13から
の低周波信号によって入力レーザ光を位相変調して吸収
セル14に送る。この吸収セル14は例えばアンモニアで構
成したもので、レーザ光の波長を吸収し、その他の波長
を通過させるので、この吸収セル14から出力される光は
第6図の特性曲線Aに示すように、レーザ光の波長付近
で最小となる。吸収セル14の出力は光検出器15で検出さ
れ、発振器13の低周波出力の基本波成分と位相比較器16
で位相比較される。この位相比較器16の出力は第7図に
示すようになり、この位相比較器16の出力がゼロ電圧に
なるようにレーザ1を電流制御する。
で、この装置では、起動装置(図示せず)により起動さ
れた半導体レーザ1は、ハーフミラー11を介して光変調
器12に入力する。この光変調器12は低周波発振器13から
の低周波信号によって入力レーザ光を位相変調して吸収
セル14に送る。この吸収セル14は例えばアンモニアで構
成したもので、レーザ光の波長を吸収し、その他の波長
を通過させるので、この吸収セル14から出力される光は
第6図の特性曲線Aに示すように、レーザ光の波長付近
で最小となる。吸収セル14の出力は光検出器15で検出さ
れ、発振器13の低周波出力の基本波成分と位相比較器16
で位相比較される。この位相比較器16の出力は第7図に
示すようになり、この位相比較器16の出力がゼロ電圧に
なるようにレーザ1を電流制御する。
このようにしてレーザ光の波長の安定化を図ってい
る。
る。
このような従来の半導体レーザ装置では、吸収セルを
用いていたために、第6図に示す特性曲線が示すスペク
トル幅、即ち共鳴パターンのQ(選択度)が大きいため
に、発振器13の低周波信号の2倍波の出力が正確に検出
できず、光検出出力と低周波出力(基本波成分)とを位
相比較する必要がある。このため、レーザ光の波長の安
定性が悪いという課題があった。
用いていたために、第6図に示す特性曲線が示すスペク
トル幅、即ち共鳴パターンのQ(選択度)が大きいため
に、発振器13の低周波信号の2倍波の出力が正確に検出
できず、光検出出力と低周波出力(基本波成分)とを位
相比較する必要がある。このため、レーザ光の波長の安
定性が悪いという課題があった。
従って、本発明の目的は、波長が安定したコヒーレン
トなレーザ光を発生することのできる半導体レーザ装置
を実現することである。
トなレーザ光を発生することのできる半導体レーザ装置
を実現することである。
第1図は上記の目的を達成するための本発明の半導体
レーザ装置を概念的に示した図で、1は半導体レーザ、
2は原子発振器、3はレーザ1の出力光によりポンピン
グを受ける共鳴セル、4は原子発振器2の出力を位相変
調し且つ共振セル3の遷移周波数に変換して共鳴セル3
の共鳴パターンを狭くする周波数合成部、5は共鳴セル
3の2倍波成分出力を検出して該検出値が最大となるよ
うに半導体レーザ1を制御する検出部である。
レーザ装置を概念的に示した図で、1は半導体レーザ、
2は原子発振器、3はレーザ1の出力光によりポンピン
グを受ける共鳴セル、4は原子発振器2の出力を位相変
調し且つ共振セル3の遷移周波数に変換して共鳴セル3
の共鳴パターンを狭くする周波数合成部、5は共鳴セル
3の2倍波成分出力を検出して該検出値が最大となるよ
うに半導体レーザ1を制御する検出部である。
第1図に示す本発明の半導体レーザ装置においては、
出力周波数の安定した原子発振器2から出力されたマイ
クロ波は周波数合成部4で位相変調された後、更に共鳴
セル3の遷移周波数に相当する周波数に変換されて共鳴
セル3に与えられる。これにより共鳴セル3の共鳴パタ
ーン(Q)は先鋭なものとなり、入力光の吸収選択度が
大きくなる。
出力周波数の安定した原子発振器2から出力されたマイ
クロ波は周波数合成部4で位相変調された後、更に共鳴
セル3の遷移周波数に相当する周波数に変換されて共鳴
セル3に与えられる。これにより共鳴セル3の共鳴パタ
ーン(Q)は先鋭なものとなり、入力光の吸収選択度が
大きくなる。
ここで、レーザ光がレーザ1より共鳴セル3に入力さ
れると共鳴セル3はポンピング作用によりエネルギーレ
ベルが上がるとともにレーザ光を吸収する。その結果、
検出部5の入力は、共鳴セル3の遷移周波数を中心とし
て大きくなる。
れると共鳴セル3はポンピング作用によりエネルギーレ
ベルが上がるとともにレーザ光を吸収する。その結果、
検出部5の入力は、共鳴セル3の遷移周波数を中心とし
て大きくなる。
この場合、第2図に示すように、共鳴パターンはレー
ザ光の波長(周波数)をパラメータとしており、共鳴パ
ターンの吸収選択度を示す値Bはレーザ光の波長が共鳴
セル3内の原子の共鳴周波数に一致した時に最大とな
り、従って位相変調信号の2倍波成分出力も最大とな
る。そして、レーザ光の波長がずれてその共鳴周波数と
の差が大きくなればなる程、共鳴セル3からの2倍波は
小さくなる。
ザ光の波長(周波数)をパラメータとしており、共鳴パ
ターンの吸収選択度を示す値Bはレーザ光の波長が共鳴
セル3内の原子の共鳴周波数に一致した時に最大とな
り、従って位相変調信号の2倍波成分出力も最大とな
る。そして、レーザ光の波長がずれてその共鳴周波数と
の差が大きくなればなる程、共鳴セル3からの2倍波は
小さくなる。
従って、検出部5では共鳴セル3からの2倍波を検出
し且つその検出値が、第3図に示すように最大となるよ
うにレーザ1を制御する。
し且つその検出値が、第3図に示すように最大となるよ
うにレーザ1を制御する。
これにより、レーザ光の波長は共鳴セル3の共鳴周波
数に一致する。
数に一致する。
以下、本願発明に係る半導体レーザ装置の実施例を説
明する。
明する。
第4図は、第1図の半導体レーザ装置の一実施例を示
したもので、この実施例では、第1図に示した周波数合
成部4は、低周波発振器41と、原子発振器2のマイクロ
波出力を低周波発振器41から出力される低周波信号によ
り位相変調する変調器42と、この変調器42の出力を共鳴
セル3の遷移(共鳴)周波数まで高める周波数変換器43
と、で構成されている。また、検出部5は共鳴セルの光
出力を電気信号に変換する光検出器51と、この光検出器
51の出力のうち2倍波成分のみを抽出してそのピーク値
を検出するピーク検出器52とで構成されている。
したもので、この実施例では、第1図に示した周波数合
成部4は、低周波発振器41と、原子発振器2のマイクロ
波出力を低周波発振器41から出力される低周波信号によ
り位相変調する変調器42と、この変調器42の出力を共鳴
セル3の遷移(共鳴)周波数まで高める周波数変換器43
と、で構成されている。また、検出部5は共鳴セルの光
出力を電気信号に変換する光検出器51と、この光検出器
51の出力のうち2倍波成分のみを抽出してそのピーク値
を検出するピーク検出器52とで構成されている。
次に上記の実施例の動作を説明する。
例えば、ルピジウムを用いた原子発振器2の場合、そ
のマイクロ波周波数は5〜10MHz程度であり、これを変
調器42で低周波による位相変調をかけた後、周波数変調
器43で共鳴セル3の超微細構造の遷移周波数に近い6.3G
Hz程度の高い周波数に変換して共鳴セル3に与える。
のマイクロ波周波数は5〜10MHz程度であり、これを変
調器42で低周波による位相変調をかけた後、周波数変調
器43で共鳴セル3の超微細構造の遷移周波数に近い6.3G
Hz程度の高い周波数に変換して共鳴セル3に与える。
これにより、共鳴セル3の共鳴パターンのQは大きく
なるので、従来ではそのQが小さかったために、2倍波
成分のみに着目した制御ができなかったが、本発明では
これが可能になる。
なるので、従来ではそのQが小さかったために、2倍波
成分のみに着目した制御ができなかったが、本発明では
これが可能になる。
即ち、レーザ1からのレーザ光は共鳴セル3に入力さ
れると、そのエネルギーは、ポンピングを起こすことに
より吸収されて共鳴セル3からのレーザ光出力は小さく
なるが、第2図に示したように、レーザ光の波長が共鳴
周波数に近づけば近づく程、共鳴セル3の出力は小さく
なり、その遷移周波数に一致したとき光検出器51の入力
は最小となる。そして、この時、発振器41の低周波信号
による揺らぎに起因してピーク値検出器52で検出される
2倍波成分は、第2図に示すように遷移周波数を中心と
する特性曲線の傾きが最大となるために、レーザ光の波
長と遷移周波数とが一致しない時に比べて最大となる。
れると、そのエネルギーは、ポンピングを起こすことに
より吸収されて共鳴セル3からのレーザ光出力は小さく
なるが、第2図に示したように、レーザ光の波長が共鳴
周波数に近づけば近づく程、共鳴セル3の出力は小さく
なり、その遷移周波数に一致したとき光検出器51の入力
は最小となる。そして、この時、発振器41の低周波信号
による揺らぎに起因してピーク値検出器52で検出される
2倍波成分は、第2図に示すように遷移周波数を中心と
する特性曲線の傾きが最大となるために、レーザ光の波
長と遷移周波数とが一致しない時に比べて最大となる。
従って、ピーク値検出器52では絶えず2倍波成分を検
出し、これが最大となるようにレーザ1に帰還して、レ
ーザ光と共鳴セル3の共鳴周波数とが一致するように制
御している。
出し、これが最大となるようにレーザ1に帰還して、レ
ーザ光と共鳴セル3の共鳴周波数とが一致するように制
御している。
以上のように、本発明の半導体レーザ装置によれば、
周波数の安定した原子発振器を用い、この出力マイクロ
波を位相変調し且つ共鳴セルの遷移周波数まで高めて共
鳴セルの共鳴パターンを狭くし、レーザ光を共鳴セルで
ポンピングした時の光出力の2倍波成分のみ検出してレ
ーザ光の周波数を制御するように構成したので、共鳴パ
ターンの先鋭化によりレーザ光の周波数をより正確に制
御することができ、安定した波長のレーザ光を発生する
ことができる。
周波数の安定した原子発振器を用い、この出力マイクロ
波を位相変調し且つ共鳴セルの遷移周波数まで高めて共
鳴セルの共鳴パターンを狭くし、レーザ光を共鳴セルで
ポンピングした時の光出力の2倍波成分のみ検出してレ
ーザ光の周波数を制御するように構成したので、共鳴パ
ターンの先鋭化によりレーザ光の周波数をより正確に制
御することができ、安定した波長のレーザ光を発生する
ことができる。
第1図は本発明に係る半導体レーザ装置の原理ブロック
図、 第2図及び第3図は本発明の原理を説明するためのグラ
フ図、 第4図は本発明に係る半導体レーザ装置の一実施例を示
すブロック図、 第5図は従来の半導体レーザ装置の一例を示した図、 第6図は従来の半導体レーザ装置の吸収セル出力と位相
変調波との関係を示すグラフ図、 第7図は従来の半導体レーザ装置の位相比較動作を示す
グラフ図、である。 第1図において、 1……レーザ、 2……原子発振器、 3……共鳴セル、 4……周波数合成部、 5……検出部。 尚、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
図、 第2図及び第3図は本発明の原理を説明するためのグラ
フ図、 第4図は本発明に係る半導体レーザ装置の一実施例を示
すブロック図、 第5図は従来の半導体レーザ装置の一例を示した図、 第6図は従来の半導体レーザ装置の吸収セル出力と位相
変調波との関係を示すグラフ図、 第7図は従来の半導体レーザ装置の位相比較動作を示す
グラフ図、である。 第1図において、 1……レーザ、 2……原子発振器、 3……共鳴セル、 4……周波数合成部、 5……検出部。 尚、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−252984(JP,A) 特開 昭63−95736(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】半導体レーザ(1)と、原子発振器(2)
と、該レーザ(1)の出力光によりポンピングを受ける
共鳴セル(3)と、該原子発振器(2)の出力を位相変
調し且つ該共鳴セル(3)の遷移周波数に変換して該共
鳴セル(3)の共鳴パターンを狭くする周波数合成部
(4)と、該共鳴セル(3)の2倍波成分出力を検出し
て該検出値が最大となるように該半導体レーザ(1)を
制御する検出部(5)と、を備えたことを特徴とする半
導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63033101A JP2567897B2 (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63033101A JP2567897B2 (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01207984A JPH01207984A (ja) | 1989-08-21 |
JP2567897B2 true JP2567897B2 (ja) | 1996-12-25 |
Family
ID=12377274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63033101A Expired - Lifetime JP2567897B2 (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2567897B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4983350B2 (ja) * | 2007-04-04 | 2012-07-25 | セイコーエプソン株式会社 | ルビジウム原子発振器 |
JP5381400B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2014-01-08 | セイコーエプソン株式会社 | 量子干渉装置、原子発振器、および磁気センサー |
-
1988
- 1988-02-16 JP JP63033101A patent/JP2567897B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01207984A (ja) | 1989-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5777773A (en) | Optical frequency control system and method | |
EP0411131B1 (en) | Wavelength stabilized source of light | |
US3593189A (en) | Frequency stabilization system | |
JP2942619B2 (ja) | 高調波発生装置 | |
US5544183A (en) | Variable wavelength light source | |
US5751193A (en) | Rubidium atomic oscillator with laser diode wavelength adjustment | |
JP2011523787A (ja) | 自己混合干渉に基づく原子周波数取得装置 | |
JP2567897B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
US5440207A (en) | Reference light source device using laser | |
JPH0263321A (ja) | 周波数標準器 | |
JP2995854B2 (ja) | 半導体レーザ発振器 | |
JPH0748661B2 (ja) | ガスセル形原子発振器 | |
JP2555660B2 (ja) | 周波数標準器 | |
JP2007088538A (ja) | ルビジウム原子発振器 | |
JP2520740B2 (ja) | 波長可変安定化光源 | |
JP2638243B2 (ja) | レーザ装置 | |
JPH083071Y2 (ja) | 周波数標準器 | |
JPH0216784A (ja) | 光周波数標準装置 | |
JP3018615B2 (ja) | 周波数安定化レ―ザ光源 | |
JPH0258426A (ja) | 周波数標準器 | |
US6104734A (en) | Solid state laser apparatus | |
JPH05275788A (ja) | 周波数安定化半導体レーザ装置 | |
JPH0756516Y2 (ja) | 周波数標準器 | |
JPS631117A (ja) | 原子発振器 | |
JPH02125482A (ja) | レーザ周波数安定化装置 |