JPH0258426A - 周波数標準器 - Google Patents
周波数標準器Info
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- JPH0258426A JPH0258426A JP20964988A JP20964988A JPH0258426A JP H0258426 A JPH0258426 A JP H0258426A JP 20964988 A JP20964988 A JP 20964988A JP 20964988 A JP20964988 A JP 20964988A JP H0258426 A JPH0258426 A JP H0258426A
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- semiconductor laser
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Links
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Landscapes
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、標準物質の超微細スペクトル遷移を利用し
た周波数標準器に関し、特に構成が簡単な周波数標準器
に関するものである。
た周波数標準器に関し、特に構成が簡単な周波数標準器
に関するものである。
〈従来技術〉
高安定な周波数出力を発生する周波数標準器として原子
の超微細スペクトル遷移を利用したものが知られている
。第6図にこの様な周波数標準器の一例を示す、第6図
において、ルビジウムランプ1の光はRb87が封入さ
れている共鳴セル2に照射される。この共鳴セル2の透
過光は光検出器3で検出され、その検出出力は信号増幅
器4で増幅されて同期検波器5に入力される。一方、電
圧制御水晶発振器6の出力は周波数合成器7に入力され
その周波数が逓倍されるとともに、低周波発振器8の出
力により位相変調される0周波数合成器7の出力はバラ
クタダイオード9を介して共鳴セル2を取囲む空胴共振
器10に入力され、共鳴セル2に電磁波が照射される。
の超微細スペクトル遷移を利用したものが知られている
。第6図にこの様な周波数標準器の一例を示す、第6図
において、ルビジウムランプ1の光はRb87が封入さ
れている共鳴セル2に照射される。この共鳴セル2の透
過光は光検出器3で検出され、その検出出力は信号増幅
器4で増幅されて同期検波器5に入力される。一方、電
圧制御水晶発振器6の出力は周波数合成器7に入力され
その周波数が逓倍されるとともに、低周波発振器8の出
力により位相変調される0周波数合成器7の出力はバラ
クタダイオード9を介して共鳴セル2を取囲む空胴共振
器10に入力され、共鳴セル2に電磁波が照射される。
同期検′dll!f5は低周波発振器8の出力で動作さ
れ、その出力は積分器11で積分されて電圧制御水晶発
振器6に入力される。この電圧制御水晶発振器6の出力
は周波数Is比出力して取出される。ルビジウムラング
1は駆動部12で駆動される。
れ、その出力は積分器11で積分されて電圧制御水晶発
振器6に入力される。この電圧制御水晶発振器6の出力
は周波数Is比出力して取出される。ルビジウムラング
1は駆動部12で駆動される。
次にこの周波数標準器の動作を第7図に基づいて説明す
る。第7図はRb87のエネルギー単位であり、その基
底状態5SはF=1とF=2の2つの超微細準位に分か
れている。ルビジウムランプ1の光を吸収すると、Rb
87はF=1の準位から52の励起準位に励起され、そ
こから等確率でF=1とF=2の単位におちる。F=1
の準位におちたRb87はルビジウムラング1の光によ
り再度励起準位5Pに励起される。この様にしてF=1
の準位にあるRb87は次第に少なくなりF=2の単位
にあるRb87が増加する。この様な状態において、空
胴共振器10にF=1とF=2のエネルギー差である6
、8GHzの電磁波を与えると、F=2の準位にあった
Rb87は誘導放出によりF−1の単位に落ち、共鳴セ
ル2による光の吸収が強くなる。共鳴セル2の透過光を
光検出器3で検出し、この透過光の強度が最小すなわち
吸収光が最大になるように電圧制御水晶発振器6を制御
すると、この電圧制御水晶発振器6の出力周波数はRb
87の超微細準位で規制されるので高安定になる。なお
、周波数合成器7における逓倍率を例えば約1360と
すれば、5 M Hzの周波数出力が得られる。
る。第7図はRb87のエネルギー単位であり、その基
底状態5SはF=1とF=2の2つの超微細準位に分か
れている。ルビジウムランプ1の光を吸収すると、Rb
87はF=1の準位から52の励起準位に励起され、そ
こから等確率でF=1とF=2の単位におちる。F=1
の準位におちたRb87はルビジウムラング1の光によ
り再度励起準位5Pに励起される。この様にしてF=1
の準位にあるRb87は次第に少なくなりF=2の単位
にあるRb87が増加する。この様な状態において、空
胴共振器10にF=1とF=2のエネルギー差である6
、8GHzの電磁波を与えると、F=2の準位にあった
Rb87は誘導放出によりF−1の単位に落ち、共鳴セ
ル2による光の吸収が強くなる。共鳴セル2の透過光を
光検出器3で検出し、この透過光の強度が最小すなわち
吸収光が最大になるように電圧制御水晶発振器6を制御
すると、この電圧制御水晶発振器6の出力周波数はRb
87の超微細準位で規制されるので高安定になる。なお
、周波数合成器7における逓倍率を例えば約1360と
すれば、5 M Hzの周波数出力が得られる。
第8図に他の周波数標準器の構成を示す。この例は光源
として半導体レーザを用いたものである。
として半導体レーザを用いたものである。
第8図において、半導体レーザ13の出力光はハーフミ
ラ−14で2つに分けられ、それぞれRb87共鳴セル
15およびRb 87吸収セル16に入射される。Rb
87吸収セル16の透過光は光検出器17で検出され、
その検出出力は周波数制御手段18に入力される1周波
数制御手段18・は半導体レーザ13の出力光の周波数
がRb87の吸収線と一致するようにその周波数を制御
する a b 87共鳴セル15の透過光は光検出器1
9で検出され周波数制御手段20に入力される1周波数
制御手段20は光検出器19が検出する先の強度が最小
になるように水晶発振器21の出力周波数を制御する。
ラ−14で2つに分けられ、それぞれRb87共鳴セル
15およびRb 87吸収セル16に入射される。Rb
87吸収セル16の透過光は光検出器17で検出され、
その検出出力は周波数制御手段18に入力される1周波
数制御手段18・は半導体レーザ13の出力光の周波数
がRb87の吸収線と一致するようにその周波数を制御
する a b 87共鳴セル15の透過光は光検出器1
9で検出され周波数制御手段20に入力される1周波数
制御手段20は光検出器19が検出する先の強度が最小
になるように水晶発振器21の出力周波数を制御する。
水晶発振器21の出力は標準周波数として取出されると
共に周波数逓倍手段22でその周波数が逓倍され、Rb
87共鳴セル15を取囲む空胴共振器23に入力される
。動作原理は第6図と同じなので説明を省略する。
共に周波数逓倍手段22でその周波数が逓倍され、Rb
87共鳴セル15を取囲む空胴共振器23に入力される
。動作原理は第6図と同じなので説明を省略する。
〈発明が解決すべき課題〉
しかしながら、この様な周波数標準器には次のような問
題点がある。第6図の周波数M重器はルビジウムラン1
1を励起するために大きなパワーが必要であり、またラ
ンプの寿命が短いという欠点があった。さらに、ルビジ
ウムランプ1の出力光のスペクトル幅が広いので、短期
安定性、周波p1.確度の点で第8図のレーザ励起方式
に比べて劣るという欠点があった。
題点がある。第6図の周波数M重器はルビジウムラン1
1を励起するために大きなパワーが必要であり、またラ
ンプの寿命が短いという欠点があった。さらに、ルビジ
ウムランプ1の出力光のスペクトル幅が広いので、短期
安定性、周波p1.確度の点で第8図のレーザ励起方式
に比べて劣るという欠点があった。
第8図の周波数標準器は光源として半導体レザを用いて
いるので寿命か長く、また半導体レザの出力光のスペク
トル幅は狭いので短期安定性、周波数確度共優れている
。しかしながらr−tb87のセルを2つ必要とするの
で、構成が複雑になり、また装置が大きくなるという欠
点があった。
いるので寿命か長く、また半導体レザの出力光のスペク
トル幅は狭いので短期安定性、周波数確度共優れている
。しかしながらr−tb87のセルを2つ必要とするの
で、構成が複雑になり、また装置が大きくなるという欠
点があった。
〈発明の目的〉
この発明の目的は、小型化が可能な周波数標準器を提供
することにある。
することにある。
く課題を解決するための手段〉
前記問題点を解決するために本発明では、所定の周波数
の光を特定の吸収スペクトルを有する標準物質を封入し
た吸収セルに照射し、またこの吸収セルに電磁波を与え
てこのa準物質に超微細スペクトル遷移を生じさせ、こ
の超ff141[1スペクトル遷移に基づいて標準周波
数を発生させる周波数標重器において、半導体レーザの
出力光を第1の変調手段によって第1の周波数で変調し
、この半導体レーザの出力光を内部に特定の吸収スペク
トルを有する標′4物質を封入した吸収セルに照射する
。
の光を特定の吸収スペクトルを有する標準物質を封入し
た吸収セルに照射し、またこの吸収セルに電磁波を与え
てこのa準物質に超微細スペクトル遷移を生じさせ、こ
の超ff141[1スペクトル遷移に基づいて標準周波
数を発生させる周波数標重器において、半導体レーザの
出力光を第1の変調手段によって第1の周波数で変調し
、この半導体レーザの出力光を内部に特定の吸収スペク
トルを有する標′4物質を封入した吸収セルに照射する
。
この吸収セルには電磁波発生手段により電磁波を与える
。この電磁波は発振器の出力を第2の変調手段により第
1の周波数とは異なる第2の周波数で変調し、この変調
した出力を逓t8シて伶る。また前記吸収セルの標準物
質が発する蛍光の強度を光検出器で検出し、この光検出
器の出力を第1の増幅手段で前記第1の周波数に関連す
る周波数で同期検波し、その出力に基づいて前記半導体
レーザの出力光の周波数を周波数安定化手段で安定化し
、また前記光検出器の出力を第2の増幅手段で前記第2
の周波数に関連する周波数で同期検波し、この出力に基
ついて前記発振器の出力周波数を周波数制御手段で制御
するようにしたものである。
。この電磁波は発振器の出力を第2の変調手段により第
1の周波数とは異なる第2の周波数で変調し、この変調
した出力を逓t8シて伶る。また前記吸収セルの標準物
質が発する蛍光の強度を光検出器で検出し、この光検出
器の出力を第1の増幅手段で前記第1の周波数に関連す
る周波数で同期検波し、その出力に基づいて前記半導体
レーザの出力光の周波数を周波数安定化手段で安定化し
、また前記光検出器の出力を第2の増幅手段で前記第2
の周波数に関連する周波数で同期検波し、この出力に基
ついて前記発振器の出力周波数を周波数制御手段で制御
するようにしたものである。
〈実施例〉
第1図に本発明に係る周波数標準器の一実施例を示す、
第1図において、30は半導体レーザであり、その出力
光は吸収セル31に入射される。
第1図において、30は半導体レーザであり、その出力
光は吸収セル31に入射される。
吸収セル3Iには特定の周波数の光を吸収する標準物質
、例えばRb87が封入されている。32は吸収セル3
1の側面に対向して設けられた光検出器であり、吸収セ
ル31の標準物質が発する蛍光の強度を電気信号に変換
する。33は前置増幅器であり、光検出器32の出力を
増幅する。34は前置増幅器33の出力を入力して同期
検波する第1の増幅手段を構成する第1のロックインア
ンプである。35はPID¥Ii御部であり、第1のロ
ックインアンプ34の出力が入力される。36は加算器
であり、発振器37の出力及びPIE)制御部35の出
力が入力される。この発振器37の出力はまた第1のロ
ックインアンプ34に参照信号として入力される0発振
器37と加算336で第1の変調手段を構成し、p x
r>制御部35、加算器36で周波数安定化手段を構
成している。38は前置増幅器33の出力を入力して同
期検波する第2の増幅手段を構成する第2のロックイン
アンプである。3つはPID制御部であり、第2のロッ
クインアンプ38の出力が入力される。40は水晶−Q
振器であり、例えば10MHzの信号を出力する。この
水晶発gA器40にはPID制御部39の出力が入力さ
れる。41は位相変調器であり、水晶発振器40の出力
が入力される。この位相変・調器41にはまた発振器4
2の出力が入力される。
、例えばRb87が封入されている。32は吸収セル3
1の側面に対向して設けられた光検出器であり、吸収セ
ル31の標準物質が発する蛍光の強度を電気信号に変換
する。33は前置増幅器であり、光検出器32の出力を
増幅する。34は前置増幅器33の出力を入力して同期
検波する第1の増幅手段を構成する第1のロックインア
ンプである。35はPID¥Ii御部であり、第1のロ
ックインアンプ34の出力が入力される。36は加算器
であり、発振器37の出力及びPIE)制御部35の出
力が入力される。この発振器37の出力はまた第1のロ
ックインアンプ34に参照信号として入力される0発振
器37と加算336で第1の変調手段を構成し、p x
r>制御部35、加算器36で周波数安定化手段を構
成している。38は前置増幅器33の出力を入力して同
期検波する第2の増幅手段を構成する第2のロックイン
アンプである。3つはPID制御部であり、第2のロッ
クインアンプ38の出力が入力される。40は水晶−Q
振器であり、例えば10MHzの信号を出力する。この
水晶発gA器40にはPID制御部39の出力が入力さ
れる。41は位相変調器であり、水晶発振器40の出力
が入力される。この位相変・調器41にはまた発振器4
2の出力が入力される。
この発振器42の出力はまた第2のロックインアンプ3
8にも入力される。43は周波数合成器であり、位相変
調器41の出力が入力される。44は空洞共振器であり
、吸収セル31を取り囲むように配置されている。この
空胴共振器44には周波数合成器43の出力が入力され
る6発振器42と位相変調器41で第2の変調手段を、
PII)制御部39で周波数制御手段を、周波数合成器
43と空胴共振器44で電磁波発生手段を構成する。
8にも入力される。43は周波数合成器であり、位相変
調器41の出力が入力される。44は空洞共振器であり
、吸収セル31を取り囲むように配置されている。この
空胴共振器44には周波数合成器43の出力が入力され
る6発振器42と位相変調器41で第2の変調手段を、
PII)制御部39で周波数制御手段を、周波数合成器
43と空胴共振器44で電磁波発生手段を構成する。
次に、この実施例の動作を説明する。加算器36には発
振器37の出力が入力され、この加算器36の出力で半
導体レーザ30の駆動電流が1li11御されるので、
半導体レーザ30の出力光周波数は発振器37の出力周
波数である周波数f11(例えば2kHz)で変調され
る。この半導体レーザ30の出力光は吸収セル31に入
射されてRb 87で吸収され、励起された原子が自然
放出して発する蛍光による拡散光強度が光検出器32に
より検出される。この光検出器32の出力は第1のロッ
クインアン134で周波数で工、で同期検波され、半導
体レーザ30の出力光の周波数変化信号のみが分離され
る。PID制御部35はこの第1のロックインアンプ3
4の出力が一定になるように加算器36を介して半導体
レーザ30の駆動電流を制御するので、半導体レーザ3
0の出力周波数は吸収セル31に封入されているR b
87の基底状態から5Pの励起状態に遷移させる光周
波数になるように制御される。一方、水晶発振器40の
出力は位相変調器41で周波数f12(例えば150
)[z )で変調され、周波数合成器43で6.8GH
zに逓倍されて空胴共振器44に加えられる。空胴共振
器44は吸収セル31に6.8GHzのtm波を照射す
る。この電磁波の周波数は周波数f工、で変調されてい
る。第7図において、基底状態5SのF=2の準位にあ
るRb87が誘導放出によりF=1の準位に落ちると、
吸収セル31による半導体レーザ30の出力光の吸収が
増加するので、励起された原子が自然放出して発する蛍
光の量が増す、この蛍光の強度は光検出器32で検出さ
れて第2のロックインアン138により周波数f12で
。
振器37の出力が入力され、この加算器36の出力で半
導体レーザ30の駆動電流が1li11御されるので、
半導体レーザ30の出力光周波数は発振器37の出力周
波数である周波数f11(例えば2kHz)で変調され
る。この半導体レーザ30の出力光は吸収セル31に入
射されてRb 87で吸収され、励起された原子が自然
放出して発する蛍光による拡散光強度が光検出器32に
より検出される。この光検出器32の出力は第1のロッ
クインアン134で周波数で工、で同期検波され、半導
体レーザ30の出力光の周波数変化信号のみが分離され
る。PID制御部35はこの第1のロックインアンプ3
4の出力が一定になるように加算器36を介して半導体
レーザ30の駆動電流を制御するので、半導体レーザ3
0の出力周波数は吸収セル31に封入されているR b
87の基底状態から5Pの励起状態に遷移させる光周
波数になるように制御される。一方、水晶発振器40の
出力は位相変調器41で周波数f12(例えば150
)[z )で変調され、周波数合成器43で6.8GH
zに逓倍されて空胴共振器44に加えられる。空胴共振
器44は吸収セル31に6.8GHzのtm波を照射す
る。この電磁波の周波数は周波数f工、で変調されてい
る。第7図において、基底状態5SのF=2の準位にあ
るRb87が誘導放出によりF=1の準位に落ちると、
吸収セル31による半導体レーザ30の出力光の吸収が
増加するので、励起された原子が自然放出して発する蛍
光の量が増す、この蛍光の強度は光検出器32で検出さ
れて第2のロックインアン138により周波数f12で
。
同期検波される。従って、第2のロックインアンプ38
の出力には空胴共振器44によって吸収セル31に照射
される電磁波に起因する透過光強度の変化分のみが分離
されて表われる。PID制御部39は光検出器32の出
力が最大、ずなわち空胴共振器44によって吸収セル3
1に照射される電磁波によるF=2からF=1への誘導
放出が最大になるように水晶発振器40の出力周波数を
制御する。すなわち、水晶発振器40の出力周波数はR
b87のF=2からF=1の準位のエネルギー差によっ
てロックされるので高安定になる。この実施例では周波
数f111とfn2を異ならせることにより、水晶発振
器40の出力周波数の変化と半導体レーザ30の出力光
の周波数変化の2つの情報を分離するようにしたもので
ある。
の出力には空胴共振器44によって吸収セル31に照射
される電磁波に起因する透過光強度の変化分のみが分離
されて表われる。PID制御部39は光検出器32の出
力が最大、ずなわち空胴共振器44によって吸収セル3
1に照射される電磁波によるF=2からF=1への誘導
放出が最大になるように水晶発振器40の出力周波数を
制御する。すなわち、水晶発振器40の出力周波数はR
b87のF=2からF=1の準位のエネルギー差によっ
てロックされるので高安定になる。この実施例では周波
数f111とfn2を異ならせることにより、水晶発振
器40の出力周波数の変化と半導体レーザ30の出力光
の周波数変化の2つの情報を分離するようにしたもので
ある。
第2図に他の実施例を示す、なお、第1図と同じ要素に
は同一符号を付し、説明を省略する。この実施例は半導
体レーザの出力光の周波数を変調する手段として音響光
学変調器を用いたものである。第2図において、45は
音響光学変調器であり、半導体レーザ30の出力光が入
射され、その出力光は吸収セル31に入射される。46
は発振器であり、周波数f。の信号を発振する。この信
号はスイッチ47を介して音響光学変調器45に印加さ
れる。スイッチ47は発振器37の出力によって駆動さ
れる。音響光学変調器45はスイッチ47がオンしてい
るときのみ半導体レーザ30の出力光の周波数をf、だ
けシフトする。従って、半導体レーザ30の出力光の周
波数は周波数f1で変調される。ここでは発振器371
発@器46および音響光学変調器45が第1の変調手段
を構成する。動作は第1図と同じなので、説明を省略す
る。このようにすると、半導体レーザ30の出力光の周
波数は変調されないので、光周波数標準として用いる事
も出来る。また、脅V光学変調器45の代わりに導波路
型位相変調器やバルク型電気光学素子を用いた位相変調
器を用いてもよい。
は同一符号を付し、説明を省略する。この実施例は半導
体レーザの出力光の周波数を変調する手段として音響光
学変調器を用いたものである。第2図において、45は
音響光学変調器であり、半導体レーザ30の出力光が入
射され、その出力光は吸収セル31に入射される。46
は発振器であり、周波数f。の信号を発振する。この信
号はスイッチ47を介して音響光学変調器45に印加さ
れる。スイッチ47は発振器37の出力によって駆動さ
れる。音響光学変調器45はスイッチ47がオンしてい
るときのみ半導体レーザ30の出力光の周波数をf、だ
けシフトする。従って、半導体レーザ30の出力光の周
波数は周波数f1で変調される。ここでは発振器371
発@器46および音響光学変調器45が第1の変調手段
を構成する。動作は第1図と同じなので、説明を省略す
る。このようにすると、半導体レーザ30の出力光の周
波数は変調されないので、光周波数標準として用いる事
も出来る。また、脅V光学変調器45の代わりに導波路
型位相変調器やバルク型電気光学素子を用いた位相変調
器を用いてもよい。
これには例えば縦型変調器、横型変調器、進行波形変調
器等がある。
器等がある。
なお、上記の各実施例では平面型の光検出器を使用して
いるが、これに限らず、例えば第4図の32aのような
円筒型の光検出器を用いれば、より多くの蛍光を受ける
ことができ、S /、Nが向上する。あるいは第5図の
ように吸収セルの側面をミラー45で取囲んで蛍光を光
検出器32に集めるようにしてもよい。
いるが、これに限らず、例えば第4図の32aのような
円筒型の光検出器を用いれば、より多くの蛍光を受ける
ことができ、S /、Nが向上する。あるいは第5図の
ように吸収セルの側面をミラー45で取囲んで蛍光を光
検出器32に集めるようにしてもよい。
また、上記の実施例では吸収セルの蛍光を検出しその出
力により半導体レーザと電磁波の周波数を共に制御して
いるが、吸収セルの透過光の検出手段を加え、その出力
により半導体レーザまたは電磁波の一方の周波数の制御
を行ってもよい、ただし、透過光を利用する場合は光検
出器の出力が最小となるように制御する。
力により半導体レーザと電磁波の周波数を共に制御して
いるが、吸収セルの透過光の検出手段を加え、その出力
により半導体レーザまたは電磁波の一方の周波数の制御
を行ってもよい、ただし、透過光を利用する場合は光検
出器の出力が最小となるように制御する。
また、上記の各実施例ではF=2とF=1の準位の誘導
放出を利用したが、電磁波の吸収による光−マイクロ波
2重共鳴信号を用いるようにしてらよい、これを第3図
を用いて説明する。基底状態5SのF=2の準位のRb
87は半導体レーザ30の出力光を吸収して5Pの励起
状態に遷移し、等確率で58のF=1とF=2の準位に
落ちる。
放出を利用したが、電磁波の吸収による光−マイクロ波
2重共鳴信号を用いるようにしてらよい、これを第3図
を用いて説明する。基底状態5SのF=2の準位のRb
87は半導体レーザ30の出力光を吸収して5Pの励起
状態に遷移し、等確率で58のF=1とF=2の準位に
落ちる。
ここで電磁波を吸収セル31に照射してF=1の準位か
らF=2の準位に遷移させるようにする。
らF=2の準位に遷移させるようにする。
構成は第1図及び第2図と同じなので、詳細説明は省略
する。
する。
また、この実施例では吸収セル31に封入する物質とし
てRb を用いたが、このほか)ib85Cs
を用いてもよい6Rb85の場合は照射する電磁波は3
GHz、Cs133の場合は9.2GHzになる。
てRb を用いたが、このほか)ib85Cs
を用いてもよい6Rb85の場合は照射する電磁波は3
GHz、Cs133の場合は9.2GHzになる。
また、電磁波を吸収セルに照射する手段として、空胴共
振器の他に一般のアンテナ等電磁波が出力出来るもので
あれば任意のものが使用出来る。
振器の他に一般のアンテナ等電磁波が出力出来るもので
あれば任意のものが使用出来る。
また、半導体レーザの出力光の周波数を変化させる手段
としてその温度を制御するようにしてもよい。
としてその温度を制御するようにしてもよい。
さらに、第1のロックインアンプ34、第2のロックイ
ンアンプ38に発振器37.42の出力である周波数f
f の信号を入力するように11・ 12 したが、その整数倍の周波数を用いるようにしてもよい
。
ンアンプ38に発振器37.42の出力である周波数f
f の信号を入力するように11・ 12 したが、その整数倍の周波数を用いるようにしてもよい
。
〈発明の効果〉
以上実施例に基づいて具体的に説明したように、この発
明に係る周波数標準器では吸収セルの拡散光を検出して
いるので、吸収に関与した光の厘のみを検出することが
でき、透過光を検出する場合に比べてS/N比が向上し
、周波数安定度が向トする。
明に係る周波数標準器では吸収セルの拡散光を検出して
いるので、吸収に関与した光の厘のみを検出することが
でき、透過光を検出する場合に比べてS/N比が向上し
、周波数安定度が向トする。
また、この発明では吸収セルを1つとして、半導体レー
ザの出力光及び吸収セルに照射する電磁波を異なる周波
数で変調して分離するようにした。
ザの出力光及び吸収セルに照射する電磁波を異なる周波
数で変調して分離するようにした。
その為、光源を半導体レーザとした事により、ルビジウ
ムランプを使用するものに比べてスペクトル幅が狭くな
るので短期安定性、周波数確度が向上し、また寿命を長
くする事が出来る。また1つの吸収セルを用い、電磁波
を吸収セルに照射して、電磁波及び半導体レーザの出力
光の周波数を異なる周波数で変調してこれらの信号を分
離するようにした為、大幅に小型化、簡略化が可能にな
る。
ムランプを使用するものに比べてスペクトル幅が狭くな
るので短期安定性、周波数確度が向上し、また寿命を長
くする事が出来る。また1つの吸収セルを用い、電磁波
を吸収セルに照射して、電磁波及び半導体レーザの出力
光の周波数を異なる周波数で変調してこれらの信号を分
離するようにした為、大幅に小型化、簡略化が可能にな
る。
また、吸収セルに照射する光の周波数が変化すると共鳴
周波数がシフトして周波数確度が若干低下するという欠
点はあるが、吸収セルを1つにすることが出来るので大
幅に小型化、簡略化が可能になり、特に2次標準器とし
て用いると効果が大きいという特徴がある。
周波数がシフトして周波数確度が若干低下するという欠
点はあるが、吸収セルを1つにすることが出来るので大
幅に小型化、簡略化が可能になり、特に2次標準器とし
て用いると効果が大きいという特徴がある。
第1図は本発明に係る周波数標準器の一実施例を示すブ
ロック図、第2図は他の実施例を示すブロック図、第3
図及び第7図は吸収特性を示す特性曲線図、第4図およ
び第5図は光検出器の変形例を示す部分斜視メ1、第6
図、第8図は従来の周波数標準器の構成を示すブロック
図である。 30・・・半導体レーザ、31・・・吸収セル、32・
・・光検出器、34・・・第1の増幅手段、35.39
・・・PID制御部、36・・・加算器、37,42.
46・・・発振器、38・・・第2の増幅手段、40・
・・水晶発振器、41・・・位相変調器、43・・・周
波数合成器、44・・・空胴共振器、45・・・音響光
学変調器、47第 3 図 ヒ:1 第 図 2a 第
ロック図、第2図は他の実施例を示すブロック図、第3
図及び第7図は吸収特性を示す特性曲線図、第4図およ
び第5図は光検出器の変形例を示す部分斜視メ1、第6
図、第8図は従来の周波数標準器の構成を示すブロック
図である。 30・・・半導体レーザ、31・・・吸収セル、32・
・・光検出器、34・・・第1の増幅手段、35.39
・・・PID制御部、36・・・加算器、37,42.
46・・・発振器、38・・・第2の増幅手段、40・
・・水晶発振器、41・・・位相変調器、43・・・周
波数合成器、44・・・空胴共振器、45・・・音響光
学変調器、47第 3 図 ヒ:1 第 図 2a 第
Claims (1)
- 所定の周波数の光を特定の吸収スペクトルを有する標準
物質を封入した吸収セルに照射し、またこの吸収セルに
電磁波を照射して前記標準物質の超微細スペクトル遷移
を生じさせ、この超微細スペクトル遷移に基づいて標準
周波数を発生させる周波数標準器において、半導体レー
ザと、この半導体レーザの出力光を第1の周波数で変調
する第1の変調手段と、前記半導体レーザの出力光が入
射されその内部に特定の吸収スペクトルを有する標準物
質を封入した吸収セルと、この吸収セルの標準物質が発
する蛍光を検出する光検出器と、発振器と、この発振器
の出力を第2の周波数で変調する第2の変調手段と、こ
の第2の変調手段の出力を逓倍して前記吸収セルに電磁
波を照射する電磁波発生手段と、前記光検出器の出力を
前記第1の周波数に関連する周波数で同期検波する第1
の増幅手段と、この第1の増幅手段の出力に基づいて前
記半導体レーザの出力光の周波数を安定化する周波数安
定化手段と、前記光検出器の出力を前記第2の周波数に
関連する周波数で同期検波する第2の増幅手段と、この
第2の増幅手段の出力に基づいて前記発振器の出力周波
数を制御する周波数制御手段とを備えたことを特徴とす
る周波数標準器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20964988A JPH0258426A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 周波数標準器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20964988A JPH0258426A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 周波数標準器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0258426A true JPH0258426A (ja) | 1990-02-27 |
Family
ID=16576298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20964988A Pending JPH0258426A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 周波数標準器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0258426A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7785319B2 (en) | 1999-07-26 | 2010-08-31 | Microtech Medical Technologies Ltd. | Method and apparatus for treating bodily tissues with medicinal substance |
JP2010232792A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Seiko Epson Corp | 原子発振器 |
US8108041B2 (en) | 1999-07-26 | 2012-01-31 | Zuli Holdings, Ltd. | Apparatus and method for treating body tissues with electricity or medicaments |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP20964988A patent/JPH0258426A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7785319B2 (en) | 1999-07-26 | 2010-08-31 | Microtech Medical Technologies Ltd. | Method and apparatus for treating bodily tissues with medicinal substance |
US8108041B2 (en) | 1999-07-26 | 2012-01-31 | Zuli Holdings, Ltd. | Apparatus and method for treating body tissues with electricity or medicaments |
US9289377B2 (en) | 1999-07-26 | 2016-03-22 | Microtech Medical Technologies Ltd. | Apparatus and method for treating body tissues with electricity or medicaments |
JP2010232792A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Seiko Epson Corp | 原子発振器 |
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