JP2562385B2 - 近接スイッチ用非線形発振回路 - Google Patents

近接スイッチ用非線形発振回路

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JP2562385B2
JP2562385B2 JP3100602A JP10060291A JP2562385B2 JP 2562385 B2 JP2562385 B2 JP 2562385B2 JP 3100602 A JP3100602 A JP 3100602A JP 10060291 A JP10060291 A JP 10060291A JP 2562385 B2 JP2562385 B2 JP 2562385B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は近接スイッチ用非線形
発振回路に係り、とくにその検出動作の改良に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】一般に、高周波発振形の近接スイッチは
彼検出物体を確実に検出するために、その設置時にその
スイッチの検出面と検出物体との間の距離を適正に調
整する必要がある。
【0003】従来、その調整はゲージ等を用いて行なっ
ているがスイッチ自身に最適な距離表示がされないため
にその調整作業が煩雑であった。
【0004】この調整作業を簡素化するためには図
示すように発振振幅がスイッチと被検出物体との距離に
応じて連続的に変化するような、いわゆる軟発振特性を
有する必要がある。このような特性であれば、任意の距
離における発振レベルを検出ることによって、被検出
物体と近接スイッチとの距離が広い範囲にわたって適切
であるか否かを判定表示することが可能となる。これに
対して従来の近接スイッチの発振回路の特性は、スイッ
チの動作点付近において急激に発振振幅が変化るる硬発
振特性であるため、例えば、物体が近接スイッチの至近
距離にあるときには完全に発振が停止してしまう。この
ため発振レベルを監視していても、スイッチの動作点付
近のごく狭い範囲でしか距離の判別が行えない。また近
接スイッチの取り付けに当たり被検出物体が検出コイル
から遠ざかり過ぎたときもその判 断ができないという問
題がある。
【0005】従来の技術においては図6に示すように、
動作点を100%としたとき、ある範囲たとえば10%
〜90%を適正距離として表示しようとする場合コイル
によっては損失が10%の距離において100%の距離
の10倍以上になるものがあり、図に示すように10
0%の距離において発振振幅を適正値Vに調整しても1
0%の距離では発振が停止し、検出不能となることがあ
る。これは発振回路がコイル損失の大きな変化に対応し
きれないことにより起こるのが原因である。 このため、
近接スイッチの取り付けに当たり、被検出物体と近接ス
イッチとを互いに近づけた状態で、この近接スイッチを
設置する必要があるにもかかわらず、被検出物体を近接
スイッチからかなり離間させた状態で固定しなければな
らない場合がある。また近接スイッチ間のばらつきゆえ
に、逆に被検出物体を近接スイッチに極端に近づけた状
態で設置した場合には、近接スイッチのオン・オフのあ
るいは実際の使用状態において、被検出物体が近接スイ
ッチに衝突する事故が発生する恐れがある。 また被検出
物体が近接スイッチから離れ過ぎると、被検出物体が近
接スイッチの感応面側を通過してもこの近接スイッチが
動作しない恐れがある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
技術においてはスイッチ毎のばらつきのため、至近距離
において発振が停止し、これがため近接スイッチのオン
どきの設定点を適切に選定できなかったり、また被検出
物体が検出コイルから離れ過ぎたときもその判断ができ
ないなどの問題点があった。
【0007】この発明はこのような問題点に鑑み、近接
スイッチの設置に当たり、被検出物体が近接スイッチに
対して、至近距離にあっても、また離れ過ぎた場合にも
それぞれの設定点を適切に選定できることを目的とす
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明における近接ス
イッチ用非線形発振回路は、スイッチに対する被検出物
体の近接によりQ値が変化するインダクタンスを含むL
C共振回路と、このLC共振回路の発生電圧を受け、こ
のの発生電圧をこの発生電圧に応じた電流に変換すると
ともに、主としてLC共振回路のQ値があらかじめ設定
した値よりも大きいときの増幅作用を利用する大振幅用
増幅器と、LC共振回路の発生電圧が正または負のいず
れかのときにのみ所定の電流を発生するとともに、主と
してLC共振回路のQ値があらかじめ設定した値よりも
小さいときの増幅作用を利用する小振幅用の増幅器と、
大振幅用増幅器と小振幅用の増幅器の出力電流の和をL
C共振回路に正帰還する帰還回路と、LC共振回路の発
生電圧を直流電圧に変換する検波・積分回路と、この検
波・積分回路の出力を受け、この出力電圧が所定のレベ
ルに達したときに、小振幅用の増幅器の出力電流を抑圧
する出力制限回路とを備えたものである。
【0009】
【作用】大振幅用の増幅器によって発振振幅に比例した
電流を帰還するのでコイル損失少ない領域において、
コイル損失の減少により発振振幅を増大させるように働
く。物体が接近スイッチの至近距離にあるコイル損失の
大きい領域においては、小振幅用の増幅器によって発振
を持続させることができる。しかしコイル損失の小さい
分野においては、その役割を大振幅用に譲る必要がある
ため、発振振幅があるレベルを越えたときに、振幅制限
回路によって小振幅用増幅器の振幅率を低下させる。
【0010】
【実施例】以下、図によってこの発明の一実施例を説明
する。図1はこの発明における近接スイッチ用非線形発
振回路の概要を示す構成図、図2はこの発明における近
接スイッチ用非線形発振回路の実施例を示す回路図、図
3は図2における小振幅用の増幅器の電圧・電流と離間
距離との関係を示す特性図、図4は図2のおける回路の
発振振幅と離間距離との関係を示す特性図であ る。
【0011】図1において、符号1は共振回路、2は大
振幅用の増幅器、3は小振幅用の増幅器、4は検波・積
分回路、5は振幅制限回路、6はバイアス回路である。
【0012】図2において、共振回路1は検出コイルL
1とコンデンサC1とから構成されている。定電流源1
1、トランジスタQ1,Q2によりバイアス回路6が構
成される。このバイアス回路はダイオードD1に直流を
流すことにより検出コイルL1、コンデンサC1に発生
する電圧のレベルシフトを行なう。トランジスタQ3,
Q4,Q5,抵抗R1によって大振幅用の増幅器2が形
成される。この増幅器は主として発振振幅の大きい領域
で作用する。またトランジスタQ3は発振波の正の半サ
イクルのみコレクタ電流が流れ、トランジスタQ4、Q
5のカレントミラーを通じて検出コイルL1、コンデン
サC1に正帰還の電流を流す。帰還電流の大きさは抵抗
R1によって調整する。そしてトランジスタQ6,Q
7,Q8,Q9,電流源12により小振幅用の増幅器3
が形成される。この小振幅用の増幅器3は出力として定
電流源を有する一種のコンパレータである。なおこの小
振幅用の増幅器3は主として発振振幅が小さい領域にお
いてその作用を利用する、またトランジスタQ6とQ7
はエミッタ結合され、電流源12、トランジスタQ8,
Q9によってバイアス電流が供給される。さらにトラン
ジスタQ10,Q11,Q12、抵抗R2,R3,コン
デンサC2によって検波・積分回路が構成される。トラ
ンジスタQ13,Q14,Q15,Q16,Q17,Q
18、定電流源I4によって振幅制限回路5が形成され
る。なおトランジスタQ19,Q20によって小振幅用
増幅器3のバイアス電流を制限する電流制限回路が形成
される。そしてこの回路はトランジスタQ18のコレク
タ電流により駆動される。
【0013】 上記構成における回路の動作について説
する。すなわち、バイアス回路6の定電流源I1によっ
てトランジスタQ1に電流が流れ、この電流はトランジ
スタQ2にミラーされる。これによってダイオードD1
を通して検出コイルL1とコンデンサC1で構成される
LC共振回路に電流が流れる。LC共振回路の片側端子
が設置されているので、共振する電圧は0[V]を平均
値として発振する。LC共振回路の発生電圧が高いとき
は共振回路のQが高いときである。逆に発生電圧が低い
ときは共振回路のQが低いときである。0[V]を動作
点としている電圧がLC共振回路の両端電圧とすると、
ダイオードD1のアノード端子の電圧すなわちトランジ
スタQ2のコレクタ電位はダイオードD1の電圧分だけ
直流的に高い。すなわちレベルシフトされている。それ
に対してトランジスタQ6のベースはLC共振回路に直
接接続される。 そこで、LC共振回路のQが低く、その
共振振幅が低いとき、すなわち発生電圧が低いときに
は、トランジスQ3に流れる電流は比較的少ない。この
ためトランジスタQ4からトランジスタQ5にミラーさ
れる電流は少ない。したがってLC共振回路に帰還され
る電流は少ない。 一方小振幅用の増幅器3のトランジス
タQ6がオンするためにはLC共振回路の発振振幅が正
側にある必要がある。すなわちトランジスタQ6は発振
波の正の半サイクルでオンになる。またトランジスタQ
6のベース電位はトランジスタQ7のベース電位に対し
て高ければ、電流はトランジスタQ7に比し、トランジ
スタQ6の方により多く流れる。トランジスタQ6とト
ランジスタQ7に流れる電流の比を決めるのがトランジ
スタQ6とトランジスタQ7のベース電位差である。そ
してトランジスタQ6に流れる電流とトランジスタQ7
に流れる電流を加算すると定電流源I2の電流に等しく
なる。換言すれば、LC共振回路の発振波の発生電圧が
0V付近では正帰還のゲインは高いがトランジスタQ6
が定電流回路すなわち定電流源I2、トランジスタQ
8、Q9により駆動されているため発振振幅が大きくて
もトランジスタQ6のコレクタ電流は定電流源I2の電
流容量以上にはならない。 トランジスタQ6に電流が流
れると、トランジスタQ4に電流が流れ、同時にトラン
ジスタQ5にも流れるので、LC共振回路すなわち検出
コイルL1およびコンデンサC1に正の帰還電流が流れ
る。 なお、極端に微小電流でない限り、トランジスタQ
6、トランジスタQ7は実質的にスイッチング素子とし
て働く。 トランジスタQ6がオンすると定電流源I2か
らの電流のほとんどはこのトランジスタQ6に流れる。
このときトランジスタQ6に流れる電流はトランジスタ
Q3に流れる電流よりも多い。
【0014】 逆に被検出物体が検出コイルL1から離れ
て、LC共振回路のQすなわち振幅が大きくなると、ト
ランジスタQ3のコレクタ電流が増加する。これによっ
てトランジスタQ12のコレクタ電流が増加する。同時
にトランジスタQ10の電流が増え、この電流はトラン
ジスタQ11にミラーされ、これによってトランジスタ
Q11のコレクタ電流が増加する。このとき抵抗R2と
コンデンサC2によって構成される検波・積分回路の電
流も増加し、かつ抵抗R2とコンデンサC2により積分
される。 トランジスタQ14の電位すなわちI3による
電流I3×R4の値よりもトランジスタQ13のベース
電位が大きくなるとトランジスタQ13の電流が増加す
る。 トランジスタQ13の電流が増加すると、トランジ
スタQ13に流れた分だけトランジスタQ17とQ18
からなるミラー回路に電流が流れる。トランジスタQ1
9とQ20からなるミラー回路に電流源I2から電流が
流れる。このミラー回路に流れる電流とトランジスタQ
8およびQ9から成るミラー回路に流れる電流との和は
電流源I2からの電流に等しいので、したがってトラン
ジスタQ19とQ20からなるミラー回路に流れる電流
は電流源I2からトランジスタQ8およびQ9から成る
ミラー回路に流れる電流を差し引いた分である。トラン
ジスタQ8およびQ9から成るミラー回路に流れる電流
が減少することはトランジスタQ6からLC共振回路へ
の帰還電流の値が減少してくることである。
【0015】 被検出物体と検出コイルL1との離間距離
が小さく、このため検出コイルL1の損失が大きいとき
には小振幅用の増幅器3のバイアス電流すなわちトラン
ジスタQ9のコレクタ電流Ic9は図3に示すように一
定で、ほぼ12であるが、被検出物体が検出コイルL1
から離間するにしたがって発振振幅が増大し、その距離
が図3に示すd1を越えると振幅制限回路5の出力すな
わちトランジスタQ18のコレクタ電流が変化を始め、
トランジスタQ9のコレクタ電流Ic9が減少し始め
る。さらに被検出物体が検出コイルL1から離間するの
に伴いトランジスタQ9のコレクタ電流Ic9は減少を
け、発振振幅に対応した積分電圧はほぼ一定の値V1
に保たれる。なおV1は振幅制限回路5の基準電圧に等
しい。
【0016】 次に図4を参昭してスイッチと被検出物体
との距離および共振回路の発振振幅との関係について説
明する。 LC共振回路の発振振幅が微小振幅、すなわち
Qが小さいところから増大してくるとすでに述べたよう
に、その発振振幅も増えてくる。発振振幅はLC共振回
路のQと帰還電流によって決まる。LC共振回路のQが
さらに上昇し、やがて離間距離がd1に達すると、トラ
ンジスタQ6による帰還電電流が減少し、図3で説明し
たように、LC共振回路の発振振幅はほぼ一定となる。
これが図4のほぼ水平の部分である。この点は図2に示
す定電流源I3の電流と抵抗R4の積すなわちV1に等
しい。 さらにトランジスタQ6による帰還電電流が減少
し、離間距離d2に近づくと、トランジスタQ6による
帰還電流が大振幅用の増幅器2のトランジスタQ3によ
る帰還電流とほぼ等しくなる。 被検出物体と近接スイッ
チとの離間距離が増すと、トランジスタQ3によるLC
共振回路への帰還電流がトランジスタQ6による帰還電
電流よりも多くなり、距離d2において、発振振幅はV
2となり、またLC共振回路のQの上昇に伴い、その発
振振幅もふたたび増大し、距離d3において発振振幅は
V3に達する。 また図4の特性は次のようにして自由に
選ぶことができる。すなわち離間距離0における振幅V
0および離間距離0から距離d1付近までの発振振幅は
電流源12の設定により、また離間距離d1からd2
付近までの発振振幅は定電流源I3の電流容量と抵抗R
4により制御され、さらに離間距離d2から遠い距離に
おける発振振幅は抵抗R1の設定によりそれぞれ独立に
調整することが可能である。なお、V2も適正動作領域
を設定するために、抵抗R1の設定によりそれぞれ独立
に調整することが可能である。
【0017】 このように、被検出物体を近接スイッチに
近付けたときに、離間距離d1よりも近い位置における
近付きすぎを検出することができ、また近接スイッチの
動作距離dopを図4のd2とd3の間において、動作
距離より近い位置にもう一つの検出点を設けることによ
って離れすぎを検出することが可能で、適切な動作距離
を選定することができる。
【0018】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明における近
接スイッチ用非線形発振回路は共振回路とともに高周波
発振回路を構成する増幅器を大振幅用の増幅器と小振幅
用の増幅器の2つの増幅器により構成し、また発振振幅
レベルを検出する検波・積分回路と小振幅用増幅器の出
力を制限する振幅制限回路を有しているので、検出距離
が動作点の10〜20%以下の至近距離においても、ま
た被検出物体がスイッチから離れ過ぎた場合においても
その設定点を適切に選定でき、さらに被検出体と近接ス
イッチとの離間距離に対する損失特性が異なる種々のコ
イルに対応させることができ、これによって所望の検出
特性が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明における近接スイッチ用非線形発振回
路の概要を示す構成図である。
【図2】この発明における近接スイッチ用非線形発振回
路の実施例を示す回路図である。
【図3】図2における小振幅用の増幅器の電圧・電流と
離間距離との関係を示す特性図である。
【図4】図2における回路の発振振幅と離間距離との関
係を示す特性図である。
【図5】従来の発振回路の特性を示す特性図である。
【図6】従来の発振回路の動作を説明するための説明図
である。
【図7】従来の発振回路の特性を示す図5と同様の特性
図である。
【符号の説明】
LC共振回路 2 大振幅用増幅器 3 小振幅用増幅器 4 検波・積分回路 5 振幅制限回路 6 バイアス回路 11 定電流源 12 定電流源 13 定電流源 14 定電流源 L1 検出コイル C1 コンデンサ C2 コンデンサ Q1 トランジスタ Q2 トランジスタ Q3 トランジスタ Q4 トランジスタ Q5 トランジスタ Q6 トランジスタ Q7 トランジスタ Q8 トランジスタ Q9 トランジスタ Q10 トランジスタ Q11 トランジスタ Q12 トランジスタ Q13 トランジスタ Q14 トランジスタ Q15 トランジスタ Q16 トランジスタ Q17 トランジスタ Q18 トランジスタ Q19 トランジスタ Q20 トランジスタ D1 ダイオード R1 抵抗 R2 抵抗 R3 抵抗 R4 抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 慎一郎 神奈川県藤沢市川名1丁目12番2号 山 武ハネウエル株式会社藤沢工場内 (56)参考文献 特開 平1−120914(JP,A)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 スイッチに対して被検出物体の接近によ
    りQ値が変化するインダクタンスを含むLC共振回路
    と、このLC共振回路の発生電圧を受け、上記LC共振
    回路の発生電圧をこの発生電圧に応じた電流に変換する
    とともに、主として上記LC共振回路のQ値があらかじ
    め設定した値よりも大きいときの増幅作用を利用する大
    振幅用増幅器と、上記LC共振回路の発生電圧を受け、
    この発生電圧が正または負のいずれかのときにのみ所定
    の電流を発生するとともに、主として上記LC共振回路
    のQ値があらかじめ設定した値よりも小さいときの増幅
    作用を利用する小振幅用の増幅器と、上記大振幅用増幅
    器と上記小振幅用の増幅器の出力電流の和を上記LC共
    振回路に正帰還する帰還回路と、上記LC共振回路の発
    生電圧を受け、この発生電圧を直流電圧に変換する検波
    ・積分回路と、この検波・積分回路の出力を受け、この
    出力電圧が上記LC共振回路の増加する方向において、
    所定のレベルに達したときに、上記小振幅用の増幅器の
    出力電流を抑制する増幅制限回路とを備え、被検出物体
    が上記スイッチに対して近づき過ぎたとき、ないしは離
    れ過ぎたときに、上記LC共振回路の発生電圧を連続的
    に変化させる近接スイッチ用非線形発振回路。
  2. 【請求項2】 スイッチに対する被検出物体の近接によ
    りQ値が変化するインダクタンスを含むLC共振回路
    と、このLC共振回路の入力端に接続され、上記LC共
    振回路の発生電圧をレベルシフトするバイアス回路と、
    このレベルシフト回路の出力端に接続され、上記LC共
    振回路のQの広い範囲において上記LC共振回路の発生
    電圧を電流に変換し、上記LC共振回路のQが所定の値
    を越えて増加したときに、上記LC共振回路に大きい帰
    還電流を流す大振幅用増幅器と、上記LC共振回路の出
    力端に接続され、主として上記LC共振回路の発生電圧
    が所定の値より小さいときに、上記LC共振回路に帰還
    電流を流す小振幅用の増幅器と、上記バイアス回路の出
    力端に接続され、上記LC共振回路の発振振幅に応じた
    直流電圧を発生させる検波・積分回路、およびこの検波
    ・積分回路の出力端に接続され、上記検波・積分回路の
    出力電圧が上記LC共振回路の増加する方向 において、
    所定のレベルに達したときに、上記小振幅用の増幅器の
    出力電流を抑制し、上記LC共振回路の振幅をほぼ一定
    に制御する振幅制限回路とを備え、被検出物体が上記ス
    イッチに対して近づき過ぎたとき、ないしは離れ過ぎた
    ときに、上記振幅制限回路により上記LC共振回路の発
    生電圧を連続的に変化させる近接スイッチ用非線形発振
    回路。
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