JP2560606B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JP2560606B2 JP2560606B2 JP12764993A JP12764993A JP2560606B2 JP 2560606 B2 JP2560606 B2 JP 2560606B2 JP 12764993 A JP12764993 A JP 12764993A JP 12764993 A JP12764993 A JP 12764993A JP 2560606 B2 JP2560606 B2 JP 2560606B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関し、特
にＴＦＴ方式の液晶パネルの製造工程中における静電気
による破壊を防止した液晶表示装置に関する。
にＴＦＴ方式の液晶パネルの製造工程中における静電気
による破壊を防止した液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶パネルの製造工程中、絶縁膜の堆積
工程、ラビング処理工程、搬送工程等で静電気が発生
し、ＴＦＴに悪影響を及ぼす。そこで、製造工程中はパ
ネル上の配線を短絡しておくことが必要である。
工程、ラビング処理工程、搬送工程等で静電気が発生
し、ＴＦＴに悪影響を及ぼす。そこで、製造工程中はパ
ネル上の配線を短絡しておくことが必要である。
【０００３】従来のＴＦＴ方式の液晶パネルはパネル外
周で配線を短絡しておき、ラビング処理後にパネル外周
の短絡部分を切断したり、特開平２−６１６１８号公報
に記載されているようにシリコンによって直接結線され
ている構造となっていた。
周で配線を短絡しておき、ラビング処理後にパネル外周
の短絡部分を切断したり、特開平２−６１６１８号公報
に記載されているようにシリコンによって直接結線され
ている構造となっていた。
【０００４】特開平２−６１６１８号公報によれば、液
晶パネルと外部素子との接続部分の構造は、接続端子間
をシリコンで接続しているため、シリコン膜のフォトコ
ン作用で液晶パネルの製造工程中は光が照射されていれ
ば、隣あう接続端子間の電気抵抗は〜１０-7Ω・ｃｍと
なり静電気が発生してもガラス基板内の層間絶縁膜やゲ
ート絶縁膜の絶縁破壊は発生しにくい。
晶パネルと外部素子との接続部分の構造は、接続端子間
をシリコンで接続しているため、シリコン膜のフォトコ
ン作用で液晶パネルの製造工程中は光が照射されていれ
ば、隣あう接続端子間の電気抵抗は〜１０-7Ω・ｃｍと
なり静電気が発生してもガラス基板内の層間絶縁膜やゲ
ート絶縁膜の絶縁破壊は発生しにくい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の液晶表示装
置は、製造後に外部素子を接続した後であってもガラス
基板の表側（膜面側）及び裏側（ガラス面側）からシリ
コン膜に光が当たってしまうので、信号電圧や走査電圧
のリークを防ぐため最終的には短絡配線をエッチングに
より除去しなければならず、製造工程が増加するという
問題点があった。
置は、製造後に外部素子を接続した後であってもガラス
基板の表側（膜面側）及び裏側（ガラス面側）からシリ
コン膜に光が当たってしまうので、信号電圧や走査電圧
のリークを防ぐため最終的には短絡配線をエッチングに
より除去しなければならず、製造工程が増加するという
問題点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、ガラス基板内の液晶表示部の外周囲に設けられた電
圧が印可される複数の端子部同志が半導体層によって接
続されており、かつ前記半導体層の一部の直下には絶縁
膜を介して電気的に独立した遮光膜が形成されており、
さらに前記独立した遮光膜上の半導体層の上部は遮光
体、或いは前記端子部に接続される半導体チップにより
被覆されている構造を有している。
は、ガラス基板内の液晶表示部の外周囲に設けられた電
圧が印可される複数の端子部同志が半導体層によって接
続されており、かつ前記半導体層の一部の直下には絶縁
膜を介して電気的に独立した遮光膜が形成されており、
さらに前記独立した遮光膜上の半導体層の上部は遮光
体、或いは前記端子部に接続される半導体チップにより
被覆されている構造を有している。
【０００７】
【実施例】次に本発明の製法及び構造について図面を用
いて説明する。
いて説明する。
【０００８】図１〜図３は、本発明の製造工程の一実施
例を示す平面図であり、図４は本発明による製造工程後
の一実施例を示す上面図であり、図５は、その平面図で
ある。
例を示す平面図であり、図４は本発明による製造工程後
の一実施例を示す上面図であり、図５は、その平面図で
ある。
【０００９】図１は、ガラス基板１にマトリクス・アレ
イの下層配線形成と同一の工程によりマトリクス・アレ
イ表示部につながる引き出し配線２と、遮光膜４をＣｒ
膜で形成したところである。ここで遮光膜４は、製品完
成後にシリコン膜への図１中裏面からの遮光を目的とし
たものであり、Ｃｒ膜以外でも遮光性のものであれば何
でも良い。絶縁性の膜であれば、引き出し配線２と完全
に重ねて形成することができる。ただし、Ｃｒ膜で形成
すると製造工程の増加が無いという利点がある。
イの下層配線形成と同一の工程によりマトリクス・アレ
イ表示部につながる引き出し配線２と、遮光膜４をＣｒ
膜で形成したところである。ここで遮光膜４は、製品完
成後にシリコン膜への図１中裏面からの遮光を目的とし
たものであり、Ｃｒ膜以外でも遮光性のものであれば何
でも良い。絶縁性の膜であれば、引き出し配線２と完全
に重ねて形成することができる。ただし、Ｃｒ膜で形成
すると製造工程の増加が無いという利点がある。
【００１０】次にパネル中に多数存在する薄膜トランジ
スタの半導体層を形成する際に、同時に図２の様に、シ
リコン膜５を形成する。その後、図２中上面から照射す
れば、シリコン膜５は導電性を示すので引き出し配線は
短絡される。
スタの半導体層を形成する際に、同時に図２の様に、シ
リコン膜５を形成する。その後、図２中上面から照射す
れば、シリコン膜５は導電性を示すので引き出し配線は
短絡される。
【００１１】図３は製造工程終了後の平面図でありシリ
コン膜５の存在する領域上に半導体チップ８を搭載する
ことにより、図中上面からの入射光を遮光し、シリコン
膜５の抵抗値を高く保っている。ここで、半導体チップ
８とは、ドライバーであり、シフトレジスタ、ラッチ、
バッファメモリの回路のチップであり部品を増やすこと
なくシリコン膜の遮光の役目を果たすことができるもの
である。
コン膜５の存在する領域上に半導体チップ８を搭載する
ことにより、図中上面からの入射光を遮光し、シリコン
膜５の抵抗値を高く保っている。ここで、半導体チップ
８とは、ドライバーであり、シフトレジスタ、ラッチ、
バッファメモリの回路のチップであり部品を増やすこと
なくシリコン膜の遮光の役目を果たすことができるもの
である。
【００１２】しかし、半導体チップ８に限らず、シリコ
ン膜５を遮光するものであれば、不透明テープ，補持金
具，パネルケース等で代用することができる。特に、両
面からの遮光を不透明のテープ，保持金具，パネルケー
ス，塗料等で行う場合は、製造工程中は全ての工程にお
いて配線を短絡しておくことができ、しかも、製造後は
完全に遮光することができ、非常に容易である。
ン膜５を遮光するものであれば、不透明テープ，補持金
具，パネルケース等で代用することができる。特に、両
面からの遮光を不透明のテープ，保持金具，パネルケー
ス，塗料等で行う場合は、製造工程中は全ての工程にお
いて配線を短絡しておくことができ、しかも、製造後は
完全に遮光することができ、非常に容易である。
【００１３】図４に完成後の一実施例を示す。図５は図
４の拡大図である。ここではシリコン膜５は半導体チッ
プ８の下に存在している。半導体チップ８はハンダバン
プによりガラス基板１上の引き出し配線２に接続されて
いる。更に半導体チップ８は、外部引き出し用配線１２
とも接続されている。外部引き出し用配線１２は、フレ
キシブルプリントサーキット上の配線と異方性導電フィ
ルムによって圧着されている。
４の拡大図である。ここではシリコン膜５は半導体チッ
プ８の下に存在している。半導体チップ８はハンダバン
プによりガラス基板１上の引き出し配線２に接続されて
いる。更に半導体チップ８は、外部引き出し用配線１２
とも接続されている。外部引き出し用配線１２は、フレ
キシブルプリントサーキット上の配線と異方性導電フィ
ルムによって圧着されている。
【００１４】また、実施例１のように半導体チップを直
接液晶パネルに接続するＣＯＧ（チップ オン グラ
ス）構造でなくても、図３のシリコン膜５が不透明のテ
ープなどにより遮光されるのであれば、ＴＣＰ（テープ
キャリア パッケージ）などの構造としてもよい。Ｔ
ＣＰとは、テープ上にドライバーや信号回路を搭載した
もので、色付きのテープを用いることにより、テープに
よって遮光することができる。この場合、テープがチッ
プより大きいので、全ての配線をシリコン膜によって短
絡できるというメリットがある。
接液晶パネルに接続するＣＯＧ（チップ オン グラ
ス）構造でなくても、図３のシリコン膜５が不透明のテ
ープなどにより遮光されるのであれば、ＴＣＰ（テープ
キャリア パッケージ）などの構造としてもよい。Ｔ
ＣＰとは、テープ上にドライバーや信号回路を搭載した
もので、色付きのテープを用いることにより、テープに
よって遮光することができる。この場合、テープがチッ
プより大きいので、全ての配線をシリコン膜によって短
絡できるというメリットがある。
【００１５】更に、製造工程中は遮光せず、液晶パネル
製造後にテープ又は補持金具、パネルケース、塗料等で
遮光する方法がある。この場合、製造が容易でしかも製
造工程中は全ての工程で短絡しておくことができるとい
う利点がある。またシリコン膜による短絡以前の静電気
の発生が問題とならない場合は、配線短絡部の形成は不
要である。
製造後にテープ又は補持金具、パネルケース、塗料等で
遮光する方法がある。この場合、製造が容易でしかも製
造工程中は全ての工程で短絡しておくことができるとい
う利点がある。またシリコン膜による短絡以前の静電気
の発生が問題とならない場合は、配線短絡部の形成は不
要である。
【００１６】次に本発明の製造及び構造についての第２
の実施例を図面を用いて説明する。
の実施例を図面を用いて説明する。
【００１７】図６〜８は本発明による製造方法の第２の
実施例を示す平面図であり、図９（ａ）〜（ｃ）は図６
〜７のＡＢにおける断面図、図９（ｄ）は図８のＣＤに
おける断面図である。
実施例を示す平面図であり、図９（ａ）〜（ｃ）は図６
〜７のＡＢにおける断面図、図９（ｄ）は図８のＣＤに
おける断面図である。
【００１８】図６はガラス基板１にマトリクス・アレイ
の下層配線形成と同一の工程によりマトリクス・アレイ
表示部につながる引き出し配線２と配線短絡部３と遮光
膜４をＣｒ膜で形成したところである。配線短絡部３を
形成することにより、シリコン層で短絡する工程より前
の工程における静電破壊を防止することができる。
の下層配線形成と同一の工程によりマトリクス・アレイ
表示部につながる引き出し配線２と配線短絡部３と遮光
膜４をＣｒ膜で形成したところである。配線短絡部３を
形成することにより、シリコン層で短絡する工程より前
の工程における静電破壊を防止することができる。
【００１９】次にシリコン窒化膜などの絶縁膜２１を堆
積した後にシリコン膜５をパターニングし、上記絶縁膜
５に導通孔を設ける。
積した後にシリコン膜５をパターニングし、上記絶縁膜
５に導通孔を設ける。
【００２０】さらに、マトリクス・アレイの上層配線形
成と同一の工程によりＣｒ膜で端子部７を形成するとと
もに配線短絡部３を切断し、そしてマトリクス・アレイ
基板の液晶パネル化のための様々の製造工程を経た後に
バンプ構造の半導体チップ８をフェイス・ダウン方式で
圧着する。
成と同一の工程によりＣｒ膜で端子部７を形成するとと
もに配線短絡部３を切断し、そしてマトリクス・アレイ
基板の液晶パネル化のための様々の製造工程を経た後に
バンプ構造の半導体チップ８をフェイス・ダウン方式で
圧着する。
【００２１】これによって遮光膜４と半導体チップ８に
よって挟まれたシリコン膜５の遮光領域９はガラス基板
の表側（膜面側）からも裏側（ガラス面側）からも光の
当たらない構造となる（図３）。
よって挟まれたシリコン膜５の遮光領域９はガラス基板
の表側（膜面側）からも裏側（ガラス面側）からも光の
当たらない構造となる（図３）。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、従来の接
続端子同志を接続していた静電破壊防止用の半導体膜の
少なくとも一部を上下から遮光することにより、上記半
導体膜の抵抗（遮光時）を〜１０-9Ω・ｃｍとすること
ができ、この半導体膜により接続端子同志が短絡された
ままであっても、信号電圧や走査電圧のリークは実用上
問題のない程度に抑えることができるので、半導体膜に
よる接続端子同志の短絡をエッチング等により最終的に
解除する工程が不要になるという効果がある。
続端子同志を接続していた静電破壊防止用の半導体膜の
少なくとも一部を上下から遮光することにより、上記半
導体膜の抵抗（遮光時）を〜１０-9Ω・ｃｍとすること
ができ、この半導体膜により接続端子同志が短絡された
ままであっても、信号電圧や走査電圧のリークは実用上
問題のない程度に抑えることができるので、半導体膜に
よる接続端子同志の短絡をエッチング等により最終的に
解除する工程が不要になるという効果がある。
【図１】製造工程の一部（遮光膜形成工程）。
【図２】製造工程の一部（シリコン膜形成工程）。
【図３】製造工程の一部（端子部形成及び半導体チップ
実装工程）。
実装工程）。
【図４】本発明による実装終了後の実施例を示す上面
図。
図。
【図５】本発明による実装終了後の実施例を示す平面
図。
図。
【図６】本発明の第２の実施例を示す平面図。
【図７】本発明の第２の実施例を示す平面図。
【図８】 本発明の第２の実施例を示す平面図。
【図９】 （ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ図６，図
７，図８のＡＢにおける断面図であり、（ｄ）は図８の
ＣＤにおける断面図。
７，図８のＡＢにおける断面図であり、（ｄ）は図８の
ＣＤにおける断面図。
１ ガラス基板 ２ 引き出し配線 ３ 配線短絡部 ４ 遮光部 ５ シリコン膜 ６ 導通孔 ７ 端子部 ８ 半導体チップ ９ 遮光領域 １０ 開口部（端子部） １１ 短絡配線
Claims (4)
- 【請求項１】 二枚の透明電極基板間に液晶を挟持し、
その電極間の電圧によって光透過率を制御する液晶表示
素子において、前記透明基板上の配線端部が半導体層に
よって接続されており、かつ隣り合う前記配線端部の間
に延在する前記半導体層を横切るように前記半導体層の
上下両面が遮光されていることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項２】 ガラス基板内の液晶表示部の外周囲に設
けられた電圧が印加される複数の端子部同志が光が照射
されているときに抵抗値が低く、遮光した状態で抵抗値
を高く保つような半導体層によって接続されており、か
つ隣り合う前記端子部の間に延在する前記半導体層を横
切るように前記半導体層の一部の直下には絶縁膜を介し
て電気的に独立した遮光膜が形成されており、さらに前
記孤立した遮光膜上の前記半導体層の上部は遮光体，或
いは前記端子部に接続される半導体チップにより被覆さ
れていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 液晶パネルの製造工程中にパネル上の複
数の端子部を半導体層で短絡した状熊で製造する液晶表
示装置の製造方法において、前記半導体層が形成される
箇所であって、かつ隣り合う前記端子部の間で前記半導
体層を横切るべき箇所に遮光膜を形成する工程と、前記
半導体層として光が照射されているときに抵抗値が低
く、遮光した状態で抵抗値を高く保つような半導体層を
隣り合う端子部の間に延在させるとともに前記遮光膜上
を横切るように形成する工程と、前記半導体層上でかつ
前記遮光膜に対向する領域に遮光物を配置して前記半導
体層の抵抗値を高く保つ工程とを含む液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項４】 静電気が発生する工程を有する液晶パネ
ルの製造工程中にパネル上の複数の端子部を短絡した状
態で製造する液晶表示装置の製造方法において、前記短
絡手段として光が照射されているときに抵抗値が低く、
遮光した状態で抵抗値を高く保つような半導体層を隣り
合う端子部の間に延在させるように形成して、前記半導
体層を遮光せずにその抵抗値を低く保って前記端子部を
短絡する工程と、前記静電気が発生する工程の終了後に
前記半導体層を切断除去することなしに隣り合う前記配
線端部の間に延在する前記半導体層を横切るように前記
半導体層の上下両面を遮光して前記半導体層の抵抗直を
高く保つ工程とを 有する液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12764993A JP2560606B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12764993A JP2560606B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06337438A JPH06337438A (ja) | 1994-12-06 |
| JP2560606B2 true JP2560606B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=14965319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12764993A Expired - Fee Related JP2560606B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560606B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW500937B (en) * | 1999-07-13 | 2002-09-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Liquid crystal display |
| CN106970484B (zh) * | 2017-05-27 | 2020-09-15 | 成都天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH028817A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気装置の製造方法 |
| JPH0711641B2 (ja) * | 1988-08-25 | 1995-02-08 | 松下電器産業株式会社 | アクティブマトリックス基板 |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP12764993A patent/JP2560606B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06337438A (ja) | 1994-12-06 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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