JP2559137B2 - 光メモリ装置 - Google Patents
光メモリ装置Info
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- optical memory
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- memory device
- memory element
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光メモリ素子に対して情報の記録、再生、
または消去を行うことのできる光メモリ装置に関するも
のである。
または消去を行うことのできる光メモリ装置に関するも
のである。
半導体レーザ等の光により情報の記録、再生、または
消去を可能とする光メモリ素子は、携帯性に優れた高密
度大容量メモリ媒体として注目されている。特に、記録
媒体に磁性膜を使用する光磁気メモリは、書き換え可能
な光メモリ素子のうちで最も実用化の進んでいるもので
ある。光磁気ディスクは、透明基板上に垂直磁気異方性
のある磁性膜からなる記録膜を形成してなるものであ
り、磁化の向きの違いで情報を記録する。そして、光磁
気メモリを用いる光メモリ装置は、レーザ光で上記の記
録膜を昇温させた状態で外部磁界を印加し若しくは磁性
膜自身の反磁界により磁化状態を変化させて情報の記録
・消去を行う一方、上記記録膜に入射したレーザ光が反
射するとき、光の振動面が磁化の方向に従って回転する
ことを利用して情報の読み出しを行うようになってい
る。
消去を可能とする光メモリ素子は、携帯性に優れた高密
度大容量メモリ媒体として注目されている。特に、記録
媒体に磁性膜を使用する光磁気メモリは、書き換え可能
な光メモリ素子のうちで最も実用化の進んでいるもので
ある。光磁気ディスクは、透明基板上に垂直磁気異方性
のある磁性膜からなる記録膜を形成してなるものであ
り、磁化の向きの違いで情報を記録する。そして、光磁
気メモリを用いる光メモリ装置は、レーザ光で上記の記
録膜を昇温させた状態で外部磁界を印加し若しくは磁性
膜自身の反磁界により磁化状態を変化させて情報の記録
・消去を行う一方、上記記録膜に入射したレーザ光が反
射するとき、光の振動面が磁化の方向に従って回転する
ことを利用して情報の読み出しを行うようになってい
る。
ところで、光メモリ装置においては、光ディスクの未
記録部分に新たに情報を記録したとき、情報が正しく記
録されているか否かのチェックを行う必要がある。しか
し、従来の光メモリ装置では、かかるチェックを、上記
の記録が終了した後において、光ディスクが回転して記
録部分が再び光ヘッドの位置に巡り回ってきたときに情
報を再生することにより行っている。
記録部分に新たに情報を記録したとき、情報が正しく記
録されているか否かのチェックを行う必要がある。しか
し、従来の光メモリ装置では、かかるチェックを、上記
の記録が終了した後において、光ディスクが回転して記
録部分が再び光ヘッドの位置に巡り回ってきたときに情
報を再生することにより行っている。
また、記録済の部分に異なる情報を再記録する場合
は、情報を消去（磁化方向をイニシャル方向に揃える）
した後において光ディスクが回転して消去部分が光ヘッ
ドの位置に巡り回ってきたときに情報を記録し、更に光
ディスクが回転して再び記録部分が光ヘッドの位置に巡
り回ってきたときに記録部分を再生して情報の正否を確
認することが必要である。すなわち、前者の場合では少
なくとも１回の回転待ち時間が必要となり、後者では少
なくとも２回の回転待ち時間が必要となり、情報の記録
およびこれに伴うチェックに要する時間が大幅に増加す
るという問題を招来していた。
は、情報を消去（磁化方向をイニシャル方向に揃える）
した後において光ディスクが回転して消去部分が光ヘッ
ドの位置に巡り回ってきたときに情報を記録し、更に光
ディスクが回転して再び記録部分が光ヘッドの位置に巡
り回ってきたときに記録部分を再生して情報の正否を確
認することが必要である。すなわち、前者の場合では少
なくとも１回の回転待ち時間が必要となり、後者では少
なくとも２回の回転待ち時間が必要となり、情報の記録
およびこれに伴うチェックに要する時間が大幅に増加す
るという問題を招来していた。
請求項１記載の光メモリ装置は、上記の課題を解決す
るために、光メモリ素子の一単位の記録部分に対応する
反射光に基づいて該記録部分の記録状態を検出する手段
と、記録状態の検出結果に応じて記録状態を変更する手
段と、記録状態変更後の記録部分に対応する反射光に基
づいて上記記録部分の記録状態を確認する手段とを有
し、これら各手段は、光ビームが上記記録部分を通過す
る間に順に動作することを特徴としている。
るために、光メモリ素子の一単位の記録部分に対応する
反射光に基づいて該記録部分の記録状態を検出する手段
と、記録状態の検出結果に応じて記録状態を変更する手
段と、記録状態変更後の記録部分に対応する反射光に基
づいて上記記録部分の記録状態を確認する手段とを有
し、これら各手段は、光ビームが上記記録部分を通過す
る間に順に動作することを特徴としている。
請求項２記載の光メモリ装置は、上記の課題を解決す
るために、請求項１記載の光メモリ装置において、光メ
モリ素子は、情報の記録部分に形成された記録膜が互い
に分離された状態で形成されていることを特徴としてい
る。
るために、請求項１記載の光メモリ装置において、光メ
モリ素子は、情報の記録部分に形成された記録膜が互い
に分離された状態で形成されていることを特徴としてい
る。
請求項３記載の光メモリ装置は、上記課題を解決する
ために、情報の記録部分に形成された記録膜が互いに分
離された状態で形成されてている光メモリ素子を用い、
光メモリ素子の一単位の記録部分の記録状態を変更する
手段と、記録状態変更後の記録部分に対応する反射光に
基づいて上記記録部分の記録状態を確認する手段とを有
し、これら各手段は、光ビームが上記記録部分を通過す
る間に順に動作することを特徴としている。
ために、情報の記録部分に形成された記録膜が互いに分
離された状態で形成されてている光メモリ素子を用い、
光メモリ素子の一単位の記録部分の記録状態を変更する
手段と、記録状態変更後の記録部分に対応する反射光に
基づいて上記記録部分の記録状態を確認する手段とを有
し、これら各手段は、光ビームが上記記録部分を通過す
る間に順に動作することを特徴としている。
請求項１の構成によれば、光ビームが光メモリ素子の
一単位の記録部分を通過する間に、該記録部分における
記録状態の検出、変更、確認を行うことができる。
一単位の記録部分を通過する間に、該記録部分における
記録状態の検出、変更、確認を行うことができる。
即ち、情報の記録（消去）およびそのチェックを、光
ビームが光メモリ素子の一単位の記録部分を通過する間
に行ってしまうので、回転待ち時間が不要になり、情報
の記録（消去）に関連して必要となる時間、即ち、記録
（消去）とこれに伴うチェックに要する時間のトータル
時間を大幅に短縮することができる。
ビームが光メモリ素子の一単位の記録部分を通過する間
に行ってしまうので、回転待ち時間が不要になり、情報
の記録（消去）に関連して必要となる時間、即ち、記録
（消去）とこれに伴うチェックに要する時間のトータル
時間を大幅に短縮することができる。
また、記録部分の記録状態が、希望している記録状態
か否かが予め検知できるので、希望していた記録状態と
同じであればその記録部分に対する記録変更動作を省く
ことができる。これによっても、情報の記録（消去）に
関連して必要となる時間、即ち、記録（消去）とこれに
伴うチェックに要する時間のトータル時間を大幅に短縮
することができる。
か否かが予め検知できるので、希望していた記録状態と
同じであればその記録部分に対する記録変更動作を省く
ことができる。これによっても、情報の記録（消去）に
関連して必要となる時間、即ち、記録（消去）とこれに
伴うチェックに要する時間のトータル時間を大幅に短縮
することができる。
請求項２の構成によれば、請求項１の作用に加えて、
光メモリ素子が情報の記録部分に形成された記録膜が互
いに分離された状態で形成されていることで、記録膜は
互いに熱的に孤立し、クロストーク等の問題を解消する
ことができる。即ち、熱的に孤立された記録膜（孤立部
分）に記録を行う際、この孤立部分の中心から若干外れ
た位置に記録レーザ出力の中心値がずれたとしても、孤
立部分内での温度分布には差は殆ど生じずに昇温され、
一方、その孤立部分以外の部分との間では温度に大きく
差が生じるので、孤立部分においてのみ磁化反転がなさ
れ、孤立部分からはみ出して磁化反転が生じるといった
事態が回避され、クロストーク等の問題を解消すること
ができる。
光メモリ素子が情報の記録部分に形成された記録膜が互
いに分離された状態で形成されていることで、記録膜は
互いに熱的に孤立し、クロストーク等の問題を解消する
ことができる。即ち、熱的に孤立された記録膜（孤立部
分）に記録を行う際、この孤立部分の中心から若干外れ
た位置に記録レーザ出力の中心値がずれたとしても、孤
立部分内での温度分布には差は殆ど生じずに昇温され、
一方、その孤立部分以外の部分との間では温度に大きく
差が生じるので、孤立部分においてのみ磁化反転がなさ
れ、孤立部分からはみ出して磁化反転が生じるといった
事態が回避され、クロストーク等の問題を解消すること
ができる。
請求項３の構成によれば、情報の記録部分に形成され
た記録膜が互いに分離された状態で形成されている光メ
モリ素子を用いることで、光ビームの出力が若干ずれて
も隣接する記録部分に影響を与えないようになる。
た記録膜が互いに分離された状態で形成されている光メ
モリ素子を用いることで、光ビームの出力が若干ずれて
も隣接する記録部分に影響を与えないようになる。
本発明の一実施例を第１図ないし第４図に基づいて説
明すれば、以下の通りである。
明すれば、以下の通りである。
本発明に係る光メモリ装置においては、情報の記録を
可能とする部分が一記録単位（ビット）毎に互いに孤立
状態で形成されている光メモリ素子が用いられる。例え
ば、第３図（ａ）（ｂ）に示すように、ガラスなどの透
明基板１の一方の面に、記録ビットと同じ大きさを有し
且つ一定深さを有するピット２…が形成されるととも
に、上記一方の面上に垂直磁気異方性の磁性膜を含む記
録膜３…が形成されてなる光磁気メモリ素子４が用いら
れる。すなわち、かかる構成において、記録ビット部分
となるピット２…上の記録膜３…は、それ以外の部分で
ある非ピット部分との間で分離されている。
可能とする部分が一記録単位（ビット）毎に互いに孤立
状態で形成されている光メモリ素子が用いられる。例え
ば、第３図（ａ）（ｂ）に示すように、ガラスなどの透
明基板１の一方の面に、記録ビットと同じ大きさを有し
且つ一定深さを有するピット２…が形成されるととも
に、上記一方の面上に垂直磁気異方性の磁性膜を含む記
録膜３…が形成されてなる光磁気メモリ素子４が用いら
れる。すなわち、かかる構成において、記録ビット部分
となるピット２…上の記録膜３…は、それ以外の部分で
ある非ピット部分との間で分離されている。
一方、光メモリ装置は、第４図に示すように、レーザ
光を光磁気メモリ素子４に導くための第１光学系17を構
成する半導体レーザ11、コリメータレンズ12、整形プリ
ズム13、ビームスプリッタ14、ミラー15、および対物レ
ンズ16と、光磁気メモリ素子４にて反射された反射光を
検出して情報の再生を行う第２光学系24を構成するビー
ムスプリッタ18、1/2波長板19、集光レンズ20、偏光ビ
ームスプリッタ21、およびPINフォトダイオード22・23
と、光磁気メモリ素子４にて反射された反射光を検出し
てフォーカス並びにトラッキングサーボに供するための
第３光学系28を構成する集光レンズ25、シリンドリカル
レンズ26、およびサーボ用PINフォトダイオード27とを
備えて構成される。
光を光磁気メモリ素子４に導くための第１光学系17を構
成する半導体レーザ11、コリメータレンズ12、整形プリ
ズム13、ビームスプリッタ14、ミラー15、および対物レ
ンズ16と、光磁気メモリ素子４にて反射された反射光を
検出して情報の再生を行う第２光学系24を構成するビー
ムスプリッタ18、1/2波長板19、集光レンズ20、偏光ビ
ームスプリッタ21、およびPINフォトダイオード22・23
と、光磁気メモリ素子４にて反射された反射光を検出し
てフォーカス並びにトラッキングサーボに供するための
第３光学系28を構成する集光レンズ25、シリンドリカル
レンズ26、およびサーボ用PINフォトダイオード27とを
備えて構成される。
前記のPINフォトダイオード22・23の出力の差を検出
することにより光磁気信号の再生が行われるようになっ
ている。例えば、記録膜３…の磁化方向に対応した反射
光の偏光方位（偏光面の回転方向）の変化を互いに異な
る２方向に設けられた光通過軸に対する各々の成分によ
る光強度の差によって検出するようになっている。ま
た、PINフォトダイオード22・23の出力の和を検出する
ことによりピット２…の存在を検出できるようになって
いる。例えば、ピット２…と非ピット部との高低差によ
って生じる光の回折によりピット２…での反射光のトー
タル的な光強度が変化するのを利用するようになってい
る。そして、前記の半導体レーザ11からは、第１図
（ａ）に示すように、光出力がパルス駆動され、且つ、
同図に示す光磁気メモリ素子４との関係で示すように、
一つのピット２に対して３つのパルスが対応するように
レーザ光の照射が行われるようになっている。即ち、図
において、正方向（イニシャル方向）に磁化された記録
膜3aを有するピット2aに対してはパルスa,b,cが対応
し、反対方向に磁化された記録膜3bを有するピット2bに
対してはパルスd,e,fが対応している。
することにより光磁気信号の再生が行われるようになっ
ている。例えば、記録膜３…の磁化方向に対応した反射
光の偏光方位（偏光面の回転方向）の変化を互いに異な
る２方向に設けられた光通過軸に対する各々の成分によ
る光強度の差によって検出するようになっている。ま
た、PINフォトダイオード22・23の出力の和を検出する
ことによりピット２…の存在を検出できるようになって
いる。例えば、ピット２…と非ピット部との高低差によ
って生じる光の回折によりピット２…での反射光のトー
タル的な光強度が変化するのを利用するようになってい
る。そして、前記の半導体レーザ11からは、第１図
（ａ）に示すように、光出力がパルス駆動され、且つ、
同図に示す光磁気メモリ素子４との関係で示すように、
一つのピット２に対して３つのパルスが対応するように
レーザ光の照射が行われるようになっている。即ち、図
において、正方向（イニシャル方向）に磁化された記録
膜3aを有するピット2aに対してはパルスa,b,cが対応
し、反対方向に磁化された記録膜3bを有するピット2bに
対してはパルスd,e,fが対応している。
上記の構成によれば、パルス駆動された照射レーザ光
に対応するPINフォトダイオード22・23の和出力におい
て、同図（ｂ）に示すように、前記パルスa,b,c,d,e,f
に対応するパルスa1,b1,c1,d1,e1,f1は、幾分出力の小
さいものとして検出され、これによってピット２…の存
在が検出されることになる。一方、パルス駆動された照
射レーザ光に対応するPINフォトダイオード22・23の差
出力において、同図（ｃ）に示すように、前記パルスa,
b,c,に対応するパルスa2,b2,c2は、更に幾分出力の小さ
いものとして検出され、他方、パルスd,e,fに対応する
パルスd2,e2,f2は正負の逆転したものとして検出され
る。即ち、ピット信号と光磁気信号とは互いに独立して
取り出すことができるとともに、光磁気信号であるa2,b
2,c2とd2,e2,f2とは互いに区別できることになり、これ
によって光磁気メモリ素子４に対する情報再生が可能と
なる。
に対応するPINフォトダイオード22・23の和出力におい
て、同図（ｂ）に示すように、前記パルスa,b,c,d,e,f
に対応するパルスa1,b1,c1,d1,e1,f1は、幾分出力の小
さいものとして検出され、これによってピット２…の存
在が検出されることになる。一方、パルス駆動された照
射レーザ光に対応するPINフォトダイオード22・23の差
出力において、同図（ｃ）に示すように、前記パルスa,
b,c,に対応するパルスa2,b2,c2は、更に幾分出力の小さ
いものとして検出され、他方、パルスd,e,fに対応する
パルスd2,e2,f2は正負の逆転したものとして検出され
る。即ち、ピット信号と光磁気信号とは互いに独立して
取り出すことができるとともに、光磁気信号であるa2,b
2,c2とd2,e2,f2とは互いに区別できることになり、これ
によって光磁気メモリ素子４に対する情報再生が可能と
なる。
光磁気メモリ素子４に情報を記録し、若しくは消去す
る場合においては、記録または消去しようとするピット
２上の記録膜３の記録状態を逐一確認した上で記録する
か消去するかを決めることになる。このとき、前記のパ
ルスa,dが用いられることになる。第２図の場合で説明
すると、同図（ａ）に示すピット2cに対応する３つのパ
ルスａ′,b′,c′（照射されたレーザ光のパルスであ
る）のうちのパルスａ′に対応するパルスa2′〔同図
（ｃ）に示す〕が用いられる。
る場合においては、記録または消去しようとするピット
２上の記録膜３の記録状態を逐一確認した上で記録する
か消去するかを決めることになる。このとき、前記のパ
ルスa,dが用いられることになる。第２図の場合で説明
すると、同図（ａ）に示すピット2cに対応する３つのパ
ルスａ′,b′,c′（照射されたレーザ光のパルスであ
る）のうちのパルスａ′に対応するパルスa2′〔同図
（ｃ）に示す〕が用いられる。
ピット2cが図のように消去状態であれば、パルスa2′
は他のパルスと同様に正側に立ち上がる。このパルス
a2′でピット2c上の記録膜３の記録状態が調べられ、そ
の結果が希望していた状態と異なっていれば、後続のパ
ルスｂ′〔第２図（ｃ）ではb2′が対応している〕の出
力を強め、ピット2c上の記録膜３の温度を上昇させ、保
磁力を低下させて磁化反転を行わせる。これによりこの
場合においては記録が行われたことになる。そして、こ
の記録状態の確認は、後続のパルスｃ′（出力はパルス
ａ′と同じ）により行われる。即ち、上記の場合であれ
ば、パルスｃ′に対応するパルスc2′は負側に立ち下が
り、記録状態であることが確認され、このようにして、
パルスc2′の方向により意図した磁化状態になっている
か否かの確認が行われる。
は他のパルスと同様に正側に立ち上がる。このパルス
a2′でピット2c上の記録膜３の記録状態が調べられ、そ
の結果が希望していた状態と異なっていれば、後続のパ
ルスｂ′〔第２図（ｃ）ではb2′が対応している〕の出
力を強め、ピット2c上の記録膜３の温度を上昇させ、保
磁力を低下させて磁化反転を行わせる。これによりこの
場合においては記録が行われたことになる。そして、こ
の記録状態の確認は、後続のパルスｃ′（出力はパルス
ａ′と同じ）により行われる。即ち、上記の場合であれ
ば、パルスｃ′に対応するパルスc2′は負側に立ち下が
り、記録状態であることが確認され、このようにして、
パルスc2′の方向により意図した磁化状態になっている
か否かの確認が行われる。
よって、上記パルスａは、記録膜３の記録状態を検出
する手段となり、また、上記パルスｂは、記録状態の検
出結果に応じて該記録膜３の記録状態を変更する手段と
なり、さらに、上記パルスｃは、記録状態変更後の記録
膜３の記録状態を確認する手段となる。
する手段となり、また、上記パルスｂは、記録状態の検
出結果に応じて該記録膜３の記録状態を変更する手段と
なり、さらに、上記パルスｃは、記録状態変更後の記録
膜３の記録状態を確認する手段となる。
このように、情報の記録（消去）およびそのチェック
を、光ビームが一つの孤立部分（記録膜３）を通過する
間に行ってしまうので、回転待ち時間が不要になり、情
報の記録（消去）に関連して必要となる時間、即ち、記
録（消去）とこれに伴うチェックに要する時間のトータ
ル時間を大幅に短縮することができる。
を、光ビームが一つの孤立部分（記録膜３）を通過する
間に行ってしまうので、回転待ち時間が不要になり、情
報の記録（消去）に関連して必要となる時間、即ち、記
録（消去）とこれに伴うチェックに要する時間のトータ
ル時間を大幅に短縮することができる。
なお、上記パルスa2′でピット2c上の記録膜３の記録
状態が調べられ、その結果が希望していた状態と同じで
あれば、後続のパルスｂ′はパルスａ′と同じ強さであ
ればよい。即ち、本実施例では、磁化状態をパルスa2′
で調べることにより、希望している磁化状態か否かが予
め検知できるので、希望していた状態と同じであればそ
のピット２の記録膜３に対する記録動作を省くことがで
きる。
状態が調べられ、その結果が希望していた状態と同じで
あれば、後続のパルスｂ′はパルスａ′と同じ強さであ
ればよい。即ち、本実施例では、磁化状態をパルスa2′
で調べることにより、希望している磁化状態か否かが予
め検知できるので、希望していた状態と同じであればそ
のピット２の記録膜３に対する記録動作を省くことがで
きる。
このように、本発明の光メモリ装置は、光ビームが光
磁気メモリ素子４の一単位の記録部分であるピット２に
対応する記録膜３を通過する間に、該記録膜３に対応す
る反射光に基づいて上記記録膜３の記録状態を検出し、
記録状態の検出結果に応じて記録状態を変更し、記録状
態変更後の記録膜３に対応する反射光に基づいて上記記
録膜３の記録状態を確認するが、このために、上述のご
とくレーザ光をパルス駆動することは必ずしも必要ない
ものであり、例えば、ピット２上を光ビームが通過する
間においてのみ光ビームの出力が変調されるようになっ
ていてもよいものである。ただ、上述のごとくパルス駆
動することで、磁化状態を調べるパルス、磁化状態を反
転させるパルス、磁化状態を確認するパルスの区別が容
易になるという利点がある。また、パルス数は各ビット
２に対応して３つである必要はなく、３つ以上であって
もよい。例えば、パルス数を５とすることにより、光ビ
ームが一つのピット２を通過する間に、磁化調査→磁化
反転→磁化確認→磁化反転→磁化確認を行うことが可能
となる。これによれば、１度目の磁化確認において意図
した磁化状態になっていないと確認された場合に次動作
の磁化反転により所望の磁化状態に変更させることがで
きる。また、第１図（ａ）において、同図光磁気メモリ
素子４との関係で示すように、パルスの立ち上がり部分
がピット２のエッジに位置しているが、これについても
限定されるものではない。さらに、上記の実施例では、
ピット２をPINフォトダイオード22・23の和信号により
検出できるので、この和信号に同期させて前述の磁化調
査・磁化反転・磁化確認用のパルスを決定するようにし
てもよいものである。
磁気メモリ素子４の一単位の記録部分であるピット２に
対応する記録膜３を通過する間に、該記録膜３に対応す
る反射光に基づいて上記記録膜３の記録状態を検出し、
記録状態の検出結果に応じて記録状態を変更し、記録状
態変更後の記録膜３に対応する反射光に基づいて上記記
録膜３の記録状態を確認するが、このために、上述のご
とくレーザ光をパルス駆動することは必ずしも必要ない
ものであり、例えば、ピット２上を光ビームが通過する
間においてのみ光ビームの出力が変調されるようになっ
ていてもよいものである。ただ、上述のごとくパルス駆
動することで、磁化状態を調べるパルス、磁化状態を反
転させるパルス、磁化状態を確認するパルスの区別が容
易になるという利点がある。また、パルス数は各ビット
２に対応して３つである必要はなく、３つ以上であって
もよい。例えば、パルス数を５とすることにより、光ビ
ームが一つのピット２を通過する間に、磁化調査→磁化
反転→磁化確認→磁化反転→磁化確認を行うことが可能
となる。これによれば、１度目の磁化確認において意図
した磁化状態になっていないと確認された場合に次動作
の磁化反転により所望の磁化状態に変更させることがで
きる。また、第１図（ａ）において、同図光磁気メモリ
素子４との関係で示すように、パルスの立ち上がり部分
がピット２のエッジに位置しているが、これについても
限定されるものではない。さらに、上記の実施例では、
ピット２をPINフォトダイオード22・23の和信号により
検出できるので、この和信号に同期させて前述の磁化調
査・磁化反転・磁化確認用のパルスを決定するようにし
てもよいものである。
ところで、本発明の光メモリ装置は、光メモリ素子と
して、情報の記録を可能とする部分が一記録単位（ビッ
ト）毎に互いに孤立状態で形成されている光メモリ素子
を用いており、これによっても大きな効果を得ている。
即ち、孤立部分（本実施例でいえばピット２上の記録膜
３）に記録を行う際、この孤立部分の中心から若干外れ
た位置に記録レーザ出力の中心値がずれたとしても、孤
立部分内での温度分布には差は殆ど生じずに昇温され、
一方、その孤立部分以外の部分との間では温度に大きく
差が生じるので、孤立部分においてのみ磁化反転がなさ
れ、孤立部分からはみ出して磁化反転が生じるといった
事態が回避され、クロストーク等の問題を解消すること
ができる。なお、情報の記録である磁化反転について
は、記録膜自身の反磁界により磁化を反転させてもよい
し、共振コイルによる外部磁界により磁化反転させても
よく、反転のメカニズムについては問わないものであ
る。即ち、いわゆる光変調方式、磁界変調方式の何れに
おいても適用できるものである。
して、情報の記録を可能とする部分が一記録単位（ビッ
ト）毎に互いに孤立状態で形成されている光メモリ素子
を用いており、これによっても大きな効果を得ている。
即ち、孤立部分（本実施例でいえばピット２上の記録膜
３）に記録を行う際、この孤立部分の中心から若干外れ
た位置に記録レーザ出力の中心値がずれたとしても、孤
立部分内での温度分布には差は殆ど生じずに昇温され、
一方、その孤立部分以外の部分との間では温度に大きく
差が生じるので、孤立部分においてのみ磁化反転がなさ
れ、孤立部分からはみ出して磁化反転が生じるといった
事態が回避され、クロストーク等の問題を解消すること
ができる。なお、情報の記録である磁化反転について
は、記録膜自身の反磁界により磁化を反転させてもよい
し、共振コイルによる外部磁界により磁化反転させても
よく、反転のメカニズムについては問わないものであ
る。即ち、いわゆる光変調方式、磁界変調方式の何れに
おいても適用できるものである。
また、本実施例では、光メモリ素子として光磁気メモ
リ素子４を挙げたが、これに限るものではなく、温度の
状態により記録状態の変更が可能であり、且つ光の状態
（光量や偏光）変化により、記録状態が再生される記録
膜を用いたものであればよい。
リ素子４を挙げたが、これに限るものではなく、温度の
状態により記録状態の変更が可能であり、且つ光の状態
（光量や偏光）変化により、記録状態が再生される記録
膜を用いたものであればよい。
請求項１記載の発明に係る光メモリ装置は、以上のよ
うに、光メモリ素子の一単位の記録部分に対応する反射
光に基づいて該記録部分の記録状態を検出する手段と、
記録状態の検出結果に応じて記録状態を変更する手段
と、記録状態変更後の記録部分に対応する反射光に基づ
いて上記記録部分の記録状態を確認する手段とを有し、
これら各手段は、光ビームが上記記録部分を通過する間
に順に動作する構成である。
うに、光メモリ素子の一単位の記録部分に対応する反射
光に基づいて該記録部分の記録状態を検出する手段と、
記録状態の検出結果に応じて記録状態を変更する手段
と、記録状態変更後の記録部分に対応する反射光に基づ
いて上記記録部分の記録状態を確認する手段とを有し、
これら各手段は、光ビームが上記記録部分を通過する間
に順に動作する構成である。
これにより、回転待ち時間が不要になり、情報の記録
（消去）に関連して必要となる時間、即ち、記録（消
去）とこれに伴うチェックに要する時間のトータル時間
を大幅に短縮することができるという効果を奏する。
（消去）に関連して必要となる時間、即ち、記録（消
去）とこれに伴うチェックに要する時間のトータル時間
を大幅に短縮することができるという効果を奏する。
請求項２記載の発明に係る光メモリ装置は、以上のよ
うに、請求項１の光メモリ装置において、光メモリ素子
は、情報の記録部分に形成された記録膜が互いに分離さ
れた状態で形成されている構成である。
うに、請求項１の光メモリ装置において、光メモリ素子
は、情報の記録部分に形成された記録膜が互いに分離さ
れた状態で形成されている構成である。
これにより、請求項１の効果に加えて、光メモリ素子
が情報の記録部分に形成された記録膜が互いに分離され
た状態で形成されていることで、記録膜は互いに熱的に
孤立し、クロストーク等の問題を解消することができる
という効果を奏する。
が情報の記録部分に形成された記録膜が互いに分離され
た状態で形成されていることで、記録膜は互いに熱的に
孤立し、クロストーク等の問題を解消することができる
という効果を奏する。
請求項３記載の発明に係る光メモリ装置は、以上のよ
うに、情報の記録部分に形成された記録膜が互いに分離
された状態で形成されてている光メモリ素子を用い、光
メモリ素子の一単位の記録部分の記録状態を変更する手
段と、記録状態変更後の記録部分に対応する反射光に基
づいて上記記録部分の記録状態を確認する手段とを有
し、これら各手段は、光ビームが上記記録部分を通過す
る間に順に動作する構成である。
うに、情報の記録部分に形成された記録膜が互いに分離
された状態で形成されてている光メモリ素子を用い、光
メモリ素子の一単位の記録部分の記録状態を変更する手
段と、記録状態変更後の記録部分に対応する反射光に基
づいて上記記録部分の記録状態を確認する手段とを有
し、これら各手段は、光ビームが上記記録部分を通過す
る間に順に動作する構成である。
これにより、情報の記録部分に形成された記録膜が互
いに分離された状態で形成されている光メモリ素子を用
いることで、光ビームの出力が若干ずれても隣接する記
録部分に影響を与えないという効果を奏する。
いに分離された状態で形成されている光メモリ素子を用
いることで、光ビームの出力が若干ずれても隣接する記
録部分に影響を与えないという効果を奏する。
第１図ないし第４図は本発明の一実施例を示すものであ
って、第１図（ａ）は照射されたレーザ光の出力を示す
タイムチャート、およびこのタイムチャートとの関係で
示された光磁気メモリ素子の断面図、同図（ｂ）は２つ
のPINフォトダイオードの出力の和信号を示すタイムチ
ャート、同図（ｃ）は２つのPINフォトダイオードの出
力の差信号を示すタイムチャート、第２図（ａ）は光磁
気メモリ素子の断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）との関
係で示された照射レーザ光出力を示すタイムチャート、
同図（ｃ）は２つのPINフォトダイオードの出力の差信
号を示すタイムチャート、第３図（ａ）は光磁気メモリ
素子の平面図、同図（ｂ）はそのＸ−Ｘ矢視断面図、第
４図は光メモリ装置の光学系を示す概略構成図である。 ２はピット、３は記録膜（ピット２内の記録膜３は孤立
部分）、４は光磁気メモリ素子（光メモリ素子）、11は
半導体レーザ、22・23はPINフォトダイオードである。
って、第１図（ａ）は照射されたレーザ光の出力を示す
タイムチャート、およびこのタイムチャートとの関係で
示された光磁気メモリ素子の断面図、同図（ｂ）は２つ
のPINフォトダイオードの出力の和信号を示すタイムチ
ャート、同図（ｃ）は２つのPINフォトダイオードの出
力の差信号を示すタイムチャート、第２図（ａ）は光磁
気メモリ素子の断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）との関
係で示された照射レーザ光出力を示すタイムチャート、
同図（ｃ）は２つのPINフォトダイオードの出力の差信
号を示すタイムチャート、第３図（ａ）は光磁気メモリ
素子の平面図、同図（ｂ）はそのＸ−Ｘ矢視断面図、第
４図は光メモリ装置の光学系を示す概略構成図である。 ２はピット、３は記録膜（ピット２内の記録膜３は孤立
部分）、４は光磁気メモリ素子（光メモリ素子）、11は
半導体レーザ、22・23はPINフォトダイオードである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片山 博之 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 広兼 順司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−253537（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−140443（ＪＰ，Ｕ)
Claims (3)
- 【請求項１】光メモリ素子の一単位の記録部分に対応す
る反射光に基づいて該記録部分の記録状態を検出する手
段と、記録状態の検出結果に応じて記録状態を変更する
手段と、記録状態変更後の記録部分に対応する反射光に
基づいて上記記録部分の記録状態を確認する手段とを有
し、これら各手段は、光ビームが上記記録部分を通過す
る間に順に動作することを特徴とする光メモリ装置。 - 【請求項２】上記光メモリ素子は、情報の記録部分に形
成された記録膜が互いに分離された状態で形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の光メモリ装置。 - 【請求項３】情報の記録部分に形成された記録膜が互い
に分離された状態で形成されている光メモリ素子を用
い、光メモリ素子の一単位の記録部分の記録状態を変更
する手段と、記録状態変更後の記録部分に対応する反射
光に基づいて上記記録部分の記録状態を確認する手段と
を有し、これら各手段は、光ビームが上記記録部分を通
過する間に順に動作することを特徴とする光メモリ装
置。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63330955A JP2559137B2 (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 光メモリ装置 |
| US07/394,750 US5170390A (en) | 1988-08-22 | 1989-08-16 | Optical recording element and driving system |
| CA000608722A CA1333093C (en) | 1988-08-22 | 1989-08-18 | Optical recording element and driving system |
| EP94200630A EP0603171B1 (en) | 1988-08-22 | 1989-08-22 | Apparatus and method for recording information on an optical recording medium |
| EP89308499A EP0356201B1 (en) | 1988-08-22 | 1989-08-22 | Optical recording element and driving system |
| DE68919455T DE68919455T2 (de) | 1988-08-22 | 1989-08-22 | Optischer Aufzeichnungsträger und Antriebssystem. |
| KR1019890011951A KR920010000B1 (ko) | 1988-08-22 | 1989-08-22 | 광 메모리소자 |
| DE68929228T DE68929228T2 (de) | 1988-08-22 | 1989-08-22 | Vorrichtung und Verfahren zur Aufzeichnung von Information auf einem optischen Aufzeichnungsträger |
| US07/821,361 US5335220A (en) | 1988-08-22 | 1992-01-16 | Optical recording element and driving system |
| KR1019920015623A KR920010018B1 (ko) | 1988-08-22 | 1992-08-29 | 광메모리 소자의 구동장치 |
| US08/219,253 US5459711A (en) | 1988-08-22 | 1994-03-29 | Optical recording element and driving system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63330955A JP2559137B2 (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 光メモリ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02177022A JPH02177022A (ja) | 1990-07-10 |
| JP2559137B2 true JP2559137B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=18238268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63330955A Expired - Lifetime JP2559137B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-12-27 | 光メモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2559137B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61140443U (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-30 | ||
| JPS63253537A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-20 | Sony Corp | １ビ−ムレ−ザ記録装置 |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP63330955A patent/JP2559137B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02177022A (ja) | 1990-07-10 |
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