JP2556376Y2 - 赤外線受光装置 - Google Patents
赤外線受光装置Info
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- JP2556376Y2 JP2556376Y2 JP1990080929U JP8092990U JP2556376Y2 JP 2556376 Y2 JP2556376 Y2 JP 2556376Y2 JP 1990080929 U JP1990080929 U JP 1990080929U JP 8092990 U JP8092990 U JP 8092990U JP 2556376 Y2 JP2556376 Y2 JP 2556376Y2
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- circuit
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- chip
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この考案は、家電機器等の赤外線リモートコントロー
ル回路に使用する赤外線受光装置に関するものである。
ル回路に使用する赤外線受光装置に関するものである。
［従来の技術］ 従来の赤外線リモートコントロール回路用の赤外線受
光装置の一例を別紙添付図面の第４図に従って説明す
る。同図に示す（１）は回路基板であり、該回路基板
（１）上面に受光素子であるPINホトダイオードチツプ
（２）、受信回路用ICチツプ（３）、シールド板（４）
が配設されている。前記PINホトダイオードチツプ
（２）並びにICチツプ（３）は、回路基板（１）上に印
刷された銀パラジウムの回路パタン（図示せず）を介し
て接続され、前記回路基板（１）の裏面に配設したコン
デンサ等の他の部品とともに受光回路を構成する。
光装置の一例を別紙添付図面の第４図に従って説明す
る。同図に示す（１）は回路基板であり、該回路基板
（１）上面に受光素子であるPINホトダイオードチツプ
（２）、受信回路用ICチツプ（３）、シールド板（４）
が配設されている。前記PINホトダイオードチツプ
（２）並びにICチツプ（３）は、回路基板（１）上に印
刷された銀パラジウムの回路パタン（図示せず）を介し
て接続され、前記回路基板（１）の裏面に配設したコン
デンサ等の他の部品とともに受光回路を構成する。
前記PINホトダイオードチツプ（２）並びにICチツプ
（３）は透明樹脂（５）（５）をコーテイングして保護
し、回路基板（１）をステム（６）に載設してキヤツプ
（７）を前記ステム（６）に電気溶接等の方法で接着し
てキヤンシールしている。又、（８）（９）（10）は端
子ピンである。
（３）は透明樹脂（５）（５）をコーテイングして保護
し、回路基板（１）をステム（６）に載設してキヤツプ
（７）を前記ステム（６）に電気溶接等の方法で接着し
てキヤンシールしている。又、（８）（９）（10）は端
子ピンである。
前記キヤツプ（７）は開口部（11）が開穿され、キヤ
ツプ（７）の内側にガラス（２）を接着して前記開口部
（11）を封止している。前記ガラス（12）の裏面には赤
外線透過フイルタ（図示せず）を貼着し、ガラス（12）
の直下に位置するPINホトダイオードチツプ（２）へ赤
外線信号を入射させるように形成されている。
ツプ（７）の内側にガラス（２）を接着して前記開口部
（11）を封止している。前記ガラス（12）の裏面には赤
外線透過フイルタ（図示せず）を貼着し、ガラス（12）
の直下に位置するPINホトダイオードチツプ（２）へ赤
外線信号を入射させるように形成されている。
［考案が解決しようとする課題］ 前述した従来の赤外線受光装置はキヤツプにて赤外線
透過フイルタを保持するためキヤンシール構造となつて
おり部品点数が多く、且つ、全高も高く、高コスト並び
に占有容積が大きいという問題がある。
透過フイルタを保持するためキヤンシール構造となつて
おり部品点数が多く、且つ、全高も高く、高コスト並び
に占有容積が大きいという問題がある。
そこで、部品点数を可及的に低減して低コスト且つ小
形化した赤外線受光装置を提供するために解決すべき課
題が生じてくるのであり、本考案は該課題を解決するこ
とを目的とする。
形化した赤外線受光装置を提供するために解決すべき課
題が生じてくるのであり、本考案は該課題を解決するこ
とを目的とする。
［課題を解決するための手段］ この考案は、上記目的を達成するために提案せられた
ものであり、回路基板の表面に赤外線透過フィルタ特性
を有する樹脂にて被覆された受光素子を設け、裏面に樹
脂にて被覆された受信回路用ICチップを含む受信回路素
子を設けた赤外線受光装置に於て、前記回路基板の表面
に設けられた受光素子は該回路基板の表面中央に配設さ
れ、更に、該受光素子の周囲であって、且つ、該回路基
板の表面には、該回路基板の裏面に設けられている回路
パターンに対向するようにアースパターンが配設されて
成る赤外線受光装置を提供せんとするものである。
ものであり、回路基板の表面に赤外線透過フィルタ特性
を有する樹脂にて被覆された受光素子を設け、裏面に樹
脂にて被覆された受信回路用ICチップを含む受信回路素
子を設けた赤外線受光装置に於て、前記回路基板の表面
に設けられた受光素子は該回路基板の表面中央に配設さ
れ、更に、該受光素子の周囲であって、且つ、該回路基
板の表面には、該回路基板の裏面に設けられている回路
パターンに対向するようにアースパターンが配設されて
成る赤外線受光装置を提供せんとするものである。
［作用］ 回路基板の表面中央に配設されている受光素子の周囲
であって、且つ、該回路基板の表面には、該回路基板の
裏面に設けられている回路パターンに対向するようにア
ースパターンが配設されるので、該アースパターンは受
光素子の廻りに広い面積で設けられることができ、そし
て、該アースパターンによって該受光素子と他の回路と
のシールド効果が発揮せられることになり、シールド板
等が不要となる。
であって、且つ、該回路基板の表面には、該回路基板の
裏面に設けられている回路パターンに対向するようにア
ースパターンが配設されるので、該アースパターンは受
光素子の廻りに広い面積で設けられることができ、そし
て、該アースパターンによって該受光素子と他の回路と
のシールド効果が発揮せられることになり、シールド板
等が不要となる。
［実施例］ 以下、この考案の一実施例を別紙添付図面の第１図乃
至第３図に従って詳述する。第１図は赤外線受光装置
（21）の正面を示し、セラミツク製の回路基板（22）の
中央部位に、受光素子としてPINホトダイオードチツプ
（23）をダイボンデイングしてある。前記PINホトダイ
オードチツプ（23）の周囲にはアースパターン（24）を
配設し、前記アースパターン（24）とPINホトダイオー
ドチツプ（23）はボンデイングワイヤ（25）にて接続さ
れている。又、（26）（27）（28）は接続端子ピンであ
り、（26）は電源端子、（27）は出力端子、（28）はア
ース端子である。
至第３図に従って詳述する。第１図は赤外線受光装置
（21）の正面を示し、セラミツク製の回路基板（22）の
中央部位に、受光素子としてPINホトダイオードチツプ
（23）をダイボンデイングしてある。前記PINホトダイ
オードチツプ（23）の周囲にはアースパターン（24）を
配設し、前記アースパターン（24）とPINホトダイオー
ドチツプ（23）はボンデイングワイヤ（25）にて接続さ
れている。又、（26）（27）（28）は接続端子ピンであ
り、（26）は電源端子、（27）は出力端子、（28）はア
ース端子である。
前記PINホトダイオードチツプ（23）並びにボンデイ
ングワイヤ（25）は、赤外線透過フイルタ特性を有する
可視光線吸収材を添加したエポキシ系樹脂（29）をポツ
テイングして被覆している。
ングワイヤ（25）は、赤外線透過フイルタ特性を有する
可視光線吸収材を添加したエポキシ系樹脂（29）をポツ
テイングして被覆している。
第２図は、前記赤外線受光装置（21）の背面図であ
る。同図に示すように、回路基板（22）の中央部位に受
信回路用ICチツプ（30）を配設し、該ICチツプ（30）と
周囲の回路パターン（31）とにボンデイングワイヤ（3
2）（32）…を接続して所定の配設をし、エポキシ系樹
脂（33）をポツテイングしてボンデイングワイヤ（32）
（32）…並びにICチツプ（30）を保護している。又、表
裏両面のパターン（24）（31）は銅を使用し、回路基板
（22）はセラミツク製であるので、該回路基板（22）を
キヤンシールしなくとも、銀パラジウムの回路パターン
とは異なり、マイグレーシヨン等の劣化を生ずる虞れは
ない。そして、第１図に示したように、アースパターン
（24）の面積を可及的に拡大し、裏面の回路パターン
（31）に対向させているので、前記アースパターン（2
4）がPINホトダイオードチツプ（23）と他の回路とのシ
ールド効果を発揮し、従来使用されていたシールド板等
の電磁的遮蔽手段は不要になる。尚、（34）（34）は印
刷抵抗、（35）（35）（35）はチツプコンデンサであ
る。
る。同図に示すように、回路基板（22）の中央部位に受
信回路用ICチツプ（30）を配設し、該ICチツプ（30）と
周囲の回路パターン（31）とにボンデイングワイヤ（3
2）（32）…を接続して所定の配設をし、エポキシ系樹
脂（33）をポツテイングしてボンデイングワイヤ（32）
（32）…並びにICチツプ（30）を保護している。又、表
裏両面のパターン（24）（31）は銅を使用し、回路基板
（22）はセラミツク製であるので、該回路基板（22）を
キヤンシールしなくとも、銀パラジウムの回路パターン
とは異なり、マイグレーシヨン等の劣化を生ずる虞れは
ない。そして、第１図に示したように、アースパターン
（24）の面積を可及的に拡大し、裏面の回路パターン
（31）に対向させているので、前記アースパターン（2
4）がPINホトダイオードチツプ（23）と他の回路とのシ
ールド効果を発揮し、従来使用されていたシールド板等
の電磁的遮蔽手段は不要になる。尚、（34）（34）は印
刷抵抗、（35）（35）（35）はチツプコンデンサであ
る。
前記PINホトダイオードチツプ（23）にポツテイング
したエポキシ系樹脂（29）は、第３図に示すように表面
張力によつて凸レンズ状の盛上がり、防湿並びにボンデ
イングワイヤ保護、及び赤外線透過フイルタとしての作
用とともに集光レンズとして作用し、前記PINホトダイ
オードチツプの実効感度が向上する。
したエポキシ系樹脂（29）は、第３図に示すように表面
張力によつて凸レンズ状の盛上がり、防湿並びにボンデ
イングワイヤ保護、及び赤外線透過フイルタとしての作
用とともに集光レンズとして作用し、前記PINホトダイ
オードチツプの実効感度が向上する。
尚、この考案は、この考案の精神を逸脱しない限り種
々の改変を試すことができ、そして、この考案が該改変
せられたものに及ぶことは当然である。
々の改変を試すことができ、そして、この考案が該改変
せられたものに及ぶことは当然である。
［考案の効果］ この考案は、上記一実施例に詳述したように、赤外線
透過フィルタ特性を有する樹脂にて被覆されている受光
素子は回路基板の表面中央に配設され、更に、該受光素
子の周囲であって、且つ、該回路基板の表面には、該回
路基板の裏面に設けられている回路パターンに対向する
ようにアースパターンが配設されるので、該アースパタ
ーンは該回路基板の表面に広い面積を有して設けられる
ことができ、斯くして、該アースパターンによって該受
光素子と他の回路とのシールド効果が発揮せらるので、
従来使用されていたシールド板等の電磁的遮断手段が不
要となり、コストダウンに寄与することができる。
透過フィルタ特性を有する樹脂にて被覆されている受光
素子は回路基板の表面中央に配設され、更に、該受光素
子の周囲であって、且つ、該回路基板の表面には、該回
路基板の裏面に設けられている回路パターンに対向する
ようにアースパターンが配設されるので、該アースパタ
ーンは該回路基板の表面に広い面積を有して設けられる
ことができ、斯くして、該アースパターンによって該受
光素子と他の回路とのシールド効果が発揮せらるので、
従来使用されていたシールド板等の電磁的遮断手段が不
要となり、コストダウンに寄与することができる。
第１図乃至第３図は本考案の一実施例を示し、第１図は
赤外線受光装置の正面図、第２図は同背面図、第３図は
同一部切欠側面図であり、第４図は従来例を示す赤外線
受光装置の分解斜視図である。 （21）……赤外線受光装置、（22）……回路基板 （23）……PINホトダイオードチツプ （29）……エポキシ系樹脂 （30）……受信回路用ICチツプ
赤外線受光装置の正面図、第２図は同背面図、第３図は
同一部切欠側面図であり、第４図は従来例を示す赤外線
受光装置の分解斜視図である。 （21）……赤外線受光装置、（22）……回路基板 （23）……PINホトダイオードチツプ （29）……エポキシ系樹脂 （30）……受信回路用ICチツプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−281559（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−42390（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−61077（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−170575（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−117872（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−10573（ＪＰ，Ｕ) 実開 平３−13758（ＪＰ，Ｕ) 実開 平４−32544（ＪＰ，Ｕ) 実開 平１−153791（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】回路基板の表面に赤外線透過フィルタ特性
を有する樹脂にて被覆された受光素子を設け、裏面に樹
脂にて被覆された受信回路用ICチップを含む受信回路素
子を設けた赤外線受光装置に於て、前記回路基板の表面
に設けられた受光素子は該回路基板の表面中央に配設さ
れ、更に、該受光素子の周囲であって、且つ、該回路基
板の表面には、該回路基板の裏面に設けられている回路
パターンに対向するようにアースパターンが配設されて
成る赤外線受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990080929U JP2556376Y2 (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 赤外線受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990080929U JP2556376Y2 (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 赤外線受光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0438066U JPH0438066U (ja) | 1992-03-31 |
| JP2556376Y2 true JP2556376Y2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=31626410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990080929U Expired - Lifetime JP2556376Y2 (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 赤外線受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2556376Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6310573U (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-23 | ||
| JPH0432544U (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-17 | ||
| JP3013758U (ja) * | 1995-01-19 | 1995-07-18 | ゼネラルパッカー株式会社 | 真空包装装置 |
-
1990
- 1990-07-30 JP JP1990080929U patent/JP2556376Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0438066U (ja) | 1992-03-31 |
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