JP2555409B2 - 真空遮断器用接点並びにその製造方法及び真空遮断器 - Google Patents
真空遮断器用接点並びにその製造方法及び真空遮断器Info
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- JP2555409B2 JP2555409B2 JP63074146A JP7414688A JP2555409B2 JP 2555409 B2 JP2555409 B2 JP 2555409B2 JP 63074146 A JP63074146 A JP 63074146A JP 7414688 A JP7414688 A JP 7414688A JP 2555409 B2 JP2555409 B2 JP 2555409B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高耐電圧性及び耐溶着性に優れた真空遮断
器用接点並びにその製造方法及び真空遮断器に関する。
器用接点並びにその製造方法及び真空遮断器に関する。
真空遮断器用電極接点としては、従来から種々の材料
が開発されてきている。主な材料として、代表されるも
のにはCuをベースとした溶解合金（Cu−Pb,Cu−Bi,Cu−
Co−BiPbなど）、あるいは特開昭54−73284号のような
粉末冶金的に作られるWC−Agや特公昭45−35101号に開
示されるようなCr−Cu系溶浸合金が知られている。
が開発されてきている。主な材料として、代表されるも
のにはCuをベースとした溶解合金（Cu−Pb,Cu−Bi,Cu−
Co−BiPbなど）、あるいは特開昭54−73284号のような
粉末冶金的に作られるWC−Agや特公昭45−35101号に開
示されるようなCr−Cu系溶浸合金が知られている。
以上の背景で、最近、真空遮断器は益々高電圧化、大
電流遮断の要望が高まりつつあり、現在は後者のCr−Cu
系、あるいはその改良材が非常に多く提案されつつあ
る。特にこのCr−Cu材は原料が安く、製造法も簡単であ
るところから需要も伸びている。
電流遮断の要望が高まりつつあり、現在は後者のCr−Cu
系、あるいはその改良材が非常に多く提案されつつあ
る。特にこのCr−Cu材は原料が安く、製造法も簡単であ
るところから需要も伸びている。
ところが、近年になり原子力や核融合などの大出力発
電設備が普及されるようになってから、更に大容量の電
源遮断器が必要となってきている。従来であると、高電
圧用としてはガス遮断器が使われていたが、将来は小型
で大電流遮断が可能で、しかも無騒音、メンテナンスフ
リーな真空遮断器が適用されると考えられる。このため
には上記したような従来の電極接点材料では耐電圧及び
耐溶着特性の点で限界が出始めている。
電設備が普及されるようになってから、更に大容量の電
源遮断器が必要となってきている。従来であると、高電
圧用としてはガス遮断器が使われていたが、将来は小型
で大電流遮断が可能で、しかも無騒音、メンテナンスフ
リーな真空遮断器が適用されると考えられる。このため
には上記したような従来の電極接点材料では耐電圧及び
耐溶着特性の点で限界が出始めている。
現在、具体的に提案されている高耐電圧材料には、粉
末冶金的に作られるCr−Cu−セラミックス系として種々
の材料が開示されている。例えば、特開昭61−148726
号、同61−253730号、同51−116981号、同59−58723
号、同60−131723号、同60−197840号、同52−120371
号、同55−143731号、同60−89020号及び同60−180026
号などは耐溶着性、あるいはセラミックス粉末の種類に
よっては裁断サージを低くできるなど、比較的有望な材
料とみられる。しかし、上記材料はいずれもCuを含んだ
ものから成るため、耐電圧に限界がある。つまり、Cr−
Cu−セラミックス系の材料はCr−Cu系に対し幾分かの改
良は望めるものの、Cuが含まれている限りは、Cu分量に
支配された耐電圧特性になってしまっていた。
末冶金的に作られるCr−Cu−セラミックス系として種々
の材料が開示されている。例えば、特開昭61−148726
号、同61−253730号、同51−116981号、同59−58723
号、同60−131723号、同60−197840号、同52−120371
号、同55−143731号、同60−89020号及び同60−180026
号などは耐溶着性、あるいはセラミックス粉末の種類に
よっては裁断サージを低くできるなど、比較的有望な材
料とみられる。しかし、上記材料はいずれもCuを含んだ
ものから成るため、耐電圧に限界がある。つまり、Cr−
Cu−セラミックス系の材料はCr−Cu系に対し幾分かの改
良は望めるものの、Cuが含まれている限りは、Cu分量に
支配された耐電圧特性になってしまっていた。
従来の電極材料では、耐溶着性を持たせるために、そ
れ自身が脆く剥離しやすいCrを分散させ、または骨格と
していた。しかし、大電流遮断を繰り返すと、それでも
電接面の溶着は避けられなかった。これを強制剥離させ
ると電接部の面荒れが進行し電界集中の原因となる無数
の突起物が形成され、この結果、徐々に耐電圧を劣化さ
せてしまう傾向にあった。
れ自身が脆く剥離しやすいCrを分散させ、または骨格と
していた。しかし、大電流遮断を繰り返すと、それでも
電接面の溶着は避けられなかった。これを強制剥離させ
ると電接部の面荒れが進行し電界集中の原因となる無数
の突起物が形成され、この結果、徐々に耐電圧を劣化さ
せてしまう傾向にあった。
また、Cr−Cu系に各種セラミックスを含む材料が開示
されているが、たしかにセラミックスを僅かでも添加さ
れたものは耐溶着性は向上する傾向にある。しかし、従
来材料は必ず、多かれ少なかれ、Cuが含まれたものであ
った。このCuは融点がそれほど高くないため、繰返しの
遮断アーク熱によって面荒れを助長するものであった。
従って、Cuを含む限りは、既述の如く、Cu自体も耐電圧
が良くないことからして、より高耐電圧、大電流化を図
る上では限界にきていた。
されているが、たしかにセラミックスを僅かでも添加さ
れたものは耐溶着性は向上する傾向にある。しかし、従
来材料は必ず、多かれ少なかれ、Cuが含まれたものであ
った。このCuは融点がそれほど高くないため、繰返しの
遮断アーク熱によって面荒れを助長するものであった。
従って、Cuを含む限りは、既述の如く、Cu自体も耐電圧
が良くないことからして、より高耐電圧、大電流化を図
る上では限界にきていた。
一方、単にセラミックスを含有させれば良いというも
のではない。すなわち、真空遮断器にあっては常に大電
流を通電したり、その遮断を繰返している。このため、
電接部分の導電性は常に良好なものでなければ接触抵抗
が増大し、発熱の原因となり、これも面荒れのおおきな
要因となってしまうからである。
のではない。すなわち、真空遮断器にあっては常に大電
流を通電したり、その遮断を繰返している。このため、
電接部分の導電性は常に良好なものでなければ接触抵抗
が増大し、発熱の原因となり、これも面荒れのおおきな
要因となってしまうからである。
本発明の目的は、上記したような従来材料の耐溶着性
を改善し、それと同時に優れた耐電圧性と電流遮断性能
を発揮させることができる真空遮断器用接点を提供する
ことにある。また、そのような接点の製造方法及び真空
遮断器を提供することを目的としている。
を改善し、それと同時に優れた耐電圧性と電流遮断性能
を発揮させることができる真空遮断器用接点を提供する
ことにある。また、そのような接点の製造方法及び真空
遮断器を提供することを目的としている。
上記目的を達成するため、本発明に係る真空遮断器用
接点は、銅より融点の高い金属間化合物と導電性セラミ
ックスから成るものである。そして、真空遮断器は前記
接点を備えたものである。導電性のセラミックスの量は
１〜20重量％の範囲とするのがよい。また、導電性セラ
ミックスとしてはTi,Zr,Mo又はＷのボライド、カーバイ
ド、ナイトライド又はシリサイドが挙げられ、金属間化
合物としてはNiAl又はNi3Alが挙げられる。すなわち、N
iAl−TiB2,NiAl−TiN,NiAl−TiC等の複合材料である。
接点は、銅より融点の高い金属間化合物と導電性セラミ
ックスから成るものである。そして、真空遮断器は前記
接点を備えたものである。導電性のセラミックスの量は
１〜20重量％の範囲とするのがよい。また、導電性セラ
ミックスとしてはTi,Zr,Mo又はＷのボライド、カーバイ
ド、ナイトライド又はシリサイドが挙げられ、金属間化
合物としてはNiAl又はNi3Alが挙げられる。すなわち、N
iAl−TiB2,NiAl−TiN,NiAl−TiC等の複合材料である。
前記金属間化合物を具体的に示すと、NiAl,Ni3Alの他
に、Ni2Al3,FeAl,FeAl2,Fe2Al5,FeAl3,CoAl,Co2Al5,Cr5
Al8,Cr4Al3,CrAl3等がある。これらの融点は、いずれも
CuやAgより高くMo,W,Ta等よりも低いものであり、これ
らを一種又は二種以上混合させて用いる。また、前記導
電性セラミックスを具体的に示すと、TiB2,ZrB2,HfB2,V
B2,NbB2,TaB2,CrB2,MoB2,W2B,TiN,ZrN,HfN,VN,NbN,TaN,
Cr2N,Mo2N,WN,TiSi2,ZrSi2,HfSi2,VSi2,NbSi2,TaSi2,Cr
Si2,MoSi2,WSi,TiC,ZrC,HfC,NbC,TaC,Cr3C2,Mo2C,WCの
いずれか一種以上よりなるものである。
に、Ni2Al3,FeAl,FeAl2,Fe2Al5,FeAl3,CoAl,Co2Al5,Cr5
Al8,Cr4Al3,CrAl3等がある。これらの融点は、いずれも
CuやAgより高くMo,W,Ta等よりも低いものであり、これ
らを一種又は二種以上混合させて用いる。また、前記導
電性セラミックスを具体的に示すと、TiB2,ZrB2,HfB2,V
B2,NbB2,TaB2,CrB2,MoB2,W2B,TiN,ZrN,HfN,VN,NbN,TaN,
Cr2N,Mo2N,WN,TiSi2,ZrSi2,HfSi2,VSi2,NbSi2,TaSi2,Cr
Si2,MoSi2,WSi,TiC,ZrC,HfC,NbC,TaC,Cr3C2,Mo2C,WCの
いずれか一種以上よりなるものである。
真空遮断器用接点の製造方法としては、金属間化合物
及び導電性セラミックスの粉末を混合して成形した後、
焼結し、次いで減圧して脱ガスする工程よりなり、前記
各工程のいずれか一種以上の工程を経た後、熱間静水圧
加圧（HIP）、冷間静水圧加圧（CIP）、又はホットプレ
ス（HP）等の加圧処理をして高密度化する工程を含む製
造方法がある。
及び導電性セラミックスの粉末を混合して成形した後、
焼結し、次いで減圧して脱ガスする工程よりなり、前記
各工程のいずれか一種以上の工程を経た後、熱間静水圧
加圧（HIP）、冷間静水圧加圧（CIP）、又はホットプレ
ス（HP）等の加圧処理をして高密度化する工程を含む製
造方法がある。
複合材において、NiAlのような金属間化合物は、とく
に優れた良導電性を有し、しかも高融点物質であり、16
00℃台の高い融点を持つ。したがって、耐熱性が良好
で、従来のCuやAgベース材に比べアーク熱によって接点
表層の溶融が少なく、溶着も起こりにくい。また、NiAl
化合物は電気抵抗も低く、導電率に換算すると約15〜20
IACS％（100IACS％は電気抵抗値に換算すると1.7×10-6
Ω・cm）を有し、接点材料としてそのままでも利用でき
るものである。
に優れた良導電性を有し、しかも高融点物質であり、16
00℃台の高い融点を持つ。したがって、耐熱性が良好
で、従来のCuやAgベース材に比べアーク熱によって接点
表層の溶融が少なく、溶着も起こりにくい。また、NiAl
化合物は電気抵抗も低く、導電率に換算すると約15〜20
IACS％（100IACS％は電気抵抗値に換算すると1.7×10-6
Ω・cm）を有し、接点材料としてそのままでも利用でき
るものである。
更に、NiAl等の金属間化合物の粒子の周囲に分散され
た各種導電性セラミックスは、それ自身が導体であっ
て、なおかつNiAlなどの金属間化合物よりも高い融点を
有している。このため、アーク熱による接点溶着を防ぐ
ことができるばかりでなく、電接面の荒れを少なくし、
常に滑らかな面を維持させることができる。従って、電
界集中の原因となる突起物の発生も少ないため耐電圧性
が高く、安定している。
た各種導電性セラミックスは、それ自身が導体であっ
て、なおかつNiAlなどの金属間化合物よりも高い融点を
有している。このため、アーク熱による接点溶着を防ぐ
ことができるばかりでなく、電接面の荒れを少なくし、
常に滑らかな面を維持させることができる。従って、電
界集中の原因となる突起物の発生も少ないため耐電圧性
が高く、安定している。
また、接点材料をなす構成物質がいずれも導電性を有
し、W,Mo,Ta程に熱電子放射性が大きくないので絶縁回
復性が良く、大電流遮断性能も優れるという大きなメリ
ットも有する。
し、W,Mo,Ta程に熱電子放射性が大きくないので絶縁回
復性が良く、大電流遮断性能も優れるという大きなメリ
ットも有する。
なお、ボライドやナイトライドそれ自体は仕事関係の
低い物質であるので、これらの導電性セラミックスを重
量比で約10％とすると、熱電子放射が多くなり遮断性能
はその分だけ低下する。ただし、この現象と合わせて裁
断サージも下がる傾向にあるので、導電性セラミックス
の含有量を適量選ぶことによって、種々のVCB（真空遮
断器）の電極特性を発揮させることができる。つまり、
通常は高耐電圧・大電流と、低サージ化は互いに相反す
る性質を持つことが知られているように、従来は両者の
特性を同時に高度に満足させるような電極材はなかっ
た。ところが、本発明材によれば、高融点金属間化合物
と導電性セラミックス量比を適宜選ぶことによって広範
囲の電極特性を引き出すことができることになる。
低い物質であるので、これらの導電性セラミックスを重
量比で約10％とすると、熱電子放射が多くなり遮断性能
はその分だけ低下する。ただし、この現象と合わせて裁
断サージも下がる傾向にあるので、導電性セラミックス
の含有量を適量選ぶことによって、種々のVCB（真空遮
断器）の電極特性を発揮させることができる。つまり、
通常は高耐電圧・大電流と、低サージ化は互いに相反す
る性質を持つことが知られているように、従来は両者の
特性を同時に高度に満足させるような電極材はなかっ
た。ところが、本発明材によれば、高融点金属間化合物
と導電性セラミックス量比を適宜選ぶことによって広範
囲の電極特性を引き出すことができることになる。
以上を纏めてみると、VCB電極としては、導電性セラ
ミックスが１〜10重量％のもので高耐電圧・耐溶着性を
発揮し、10〜20重量％で低サージ性を発揮するものであ
る。従って、導電性セラミックスの含有量は１〜20重量
％の範囲とする。
ミックスが１〜10重量％のもので高耐電圧・耐溶着性を
発揮し、10〜20重量％で低サージ性を発揮するものであ
る。従って、導電性セラミックスの含有量は１〜20重量
％の範囲とする。
次に、本発明に係り真空遮断器用接点の製造方法は、
HIP処理等の加圧処理工程を含むため、金属間化合物及
び導電性セラミックスとも共有結合性の物質であること
から、通常の金属粉末のような自己焼結性に乏しい物質
に対しても、高密度化し得る。
HIP処理等の加圧処理工程を含むため、金属間化合物及
び導電性セラミックスとも共有結合性の物質であること
から、通常の金属粉末のような自己焼結性に乏しい物質
に対しても、高密度化し得る。
以下本発明の実施例を示す。
実施例１ 高周波真空溶解したNiAl合金（化合物組成;Ni−31.5w
t％Al）を粉砕し、−200meshの粉末を得た。第１図に示
す工程により、このNiAl粉とTiB2粉を自動乳鉢を用いて
30分混合し、次に、この混合粉末を油圧プレスを用いて
直径50mm、厚さ30mmの寸法に金型成形した。次いでこの
成形体を若干還元性を持たせるために（Ar＋4vol％H2）
の混合ガス雰囲気中で1400℃で１時間の仮焼結を行なっ
た。更にこの成形体を軟鋼性をカプセルに温度300℃、
圧力10-2〜10-3torrで脱気しながら減圧封入し、このカ
プセルを温度1400℃、圧力2000kg/cm2の条件下でHIP処
理した。この結果、上記仮焼結体はカプセル毎、強制圧
縮され、理論密度に対し98〜99％の緻密な複合材料が得
られた。
t％Al）を粉砕し、−200meshの粉末を得た。第１図に示
す工程により、このNiAl粉とTiB2粉を自動乳鉢を用いて
30分混合し、次に、この混合粉末を油圧プレスを用いて
直径50mm、厚さ30mmの寸法に金型成形した。次いでこの
成形体を若干還元性を持たせるために（Ar＋4vol％H2）
の混合ガス雰囲気中で1400℃で１時間の仮焼結を行なっ
た。更にこの成形体を軟鋼性をカプセルに温度300℃、
圧力10-2〜10-3torrで脱気しながら減圧封入し、このカ
プセルを温度1400℃、圧力2000kg/cm2の条件下でHIP処
理した。この結果、上記仮焼結体はカプセル毎、強制圧
縮され、理論密度に対し98〜99％の緻密な複合材料が得
られた。
次に、このHIP処理材の軟鋼性カプセルを皮むきし、
放電加工機を用いて直径20mm（球R30付）、厚さ5mmの一
対の電極接点を採取した。
放電加工機を用いて直径20mm（球R30付）、厚さ5mmの一
対の電極接点を採取した。
各種電極接点の遮断特性試験方法としては、第２図に
示す真空バルブを用いた。この真空バルブは、筒状のセ
ラミックス製の絶縁ケース１とステンレス製の端子板2,
3とによって容器が構成され、その内部は10-6〜10-8tor
r台の高真空に保たれている。この容器内部には１対の
電極、すなわち固定電極４と、ベローズ６を介して動け
るようにした可動電極５が設けられている。さらに円筒
状のシールド７は前記電極4,5を囲むように設けられ、
このシールド７は、電極構成部材が遮断アークにより蒸
発、飛散した場合、それらが絶縁ケース１の内壁に付着
することを防止する役目を持つ。電極4,5はCu製の補助
電極板8,9に銀ロー付けされている。10,11はホルダー、
12はベローズシールド、13は排気管を示す。つまり、本
実施例の電極接点は直径20mm、厚さ5mmのチップ状接点
として用いられている。
示す真空バルブを用いた。この真空バルブは、筒状のセ
ラミックス製の絶縁ケース１とステンレス製の端子板2,
3とによって容器が構成され、その内部は10-6〜10-8tor
r台の高真空に保たれている。この容器内部には１対の
電極、すなわち固定電極４と、ベローズ６を介して動け
るようにした可動電極５が設けられている。さらに円筒
状のシールド７は前記電極4,5を囲むように設けられ、
このシールド７は、電極構成部材が遮断アークにより蒸
発、飛散した場合、それらが絶縁ケース１の内壁に付着
することを防止する役目を持つ。電極4,5はCu製の補助
電極板8,9に銀ロー付けされている。10,11はホルダー、
12はベローズシールド、13は排気管を示す。つまり、本
実施例の電極接点は直径20mm、厚さ5mmのチップ状接点
として用いられている。
各種電気的性能試験において、耐電圧試験方法として
は、交流300Aを10回遮断後、インパルス電圧を5kVステ
ップで増加しながら印加し、極間が絶縁破壊に至る放電
電圧値を測定することである。遮断性能試験は、直径20
mmの電極において、交流電流を500Aステップで増加しな
がら遮断し、遮断が不能となる限界電流値を求めること
である。更に、裁断電流試験は、交流２〜8Aの小電流を
遮断した場合に発生する裁断電流を100回測定し、その
最大値と平均値を求めるようにした。第１表は以上の接
点を用いて上記VCB電極特性を測定した結果である。
は、交流300Aを10回遮断後、インパルス電圧を5kVステ
ップで増加しながら印加し、極間が絶縁破壊に至る放電
電圧値を測定することである。遮断性能試験は、直径20
mmの電極において、交流電流を500Aステップで増加しな
がら遮断し、遮断が不能となる限界電流値を求めること
である。更に、裁断電流試験は、交流２〜8Aの小電流を
遮断した場合に発生する裁断電流を100回測定し、その
最大値と平均値を求めるようにした。第１表は以上の接
点を用いて上記VCB電極特性を測定した結果である。
実施例１では、主に、NiAl化合物粉末とTiの各種導電
性粉末（ポライド、ナイトライド、シリサイド、カーバ
イド）との複合材料を取り上げた。
性粉末（ポライド、ナイトライド、シリサイド、カーバ
イド）との複合材料を取り上げた。
表中に従来材料との比較としてCr−Co−BiPb、Cr−Cu
合金を挙げているが、本発明材はとくに耐電圧性が優れ
ていることがわかる。すなわち、［NiAl−導電性セラミ
ックス］複合材料はいずれも耐電圧が100kV以上を有
し、これはCu−Co−BiPb溶解合金に対し２〜2.5倍、Cr
−Cu溶浸合金に対しても約３割増しの高耐電圧性を持つ
ことが判明した。
合金を挙げているが、本発明材はとくに耐電圧性が優れ
ていることがわかる。すなわち、［NiAl−導電性セラミ
ックス］複合材料はいずれも耐電圧が100kV以上を有
し、これはCu−Co−BiPb溶解合金に対し２〜2.5倍、Cr
−Cu溶浸合金に対しても約３割増しの高耐電圧性を持つ
ことが判明した。
尚、耐電圧はNiAlに１〜5wt％の導電性セラミックス
が入っても効果はあるが、おおよそ10wt％で最大を示
し、それ以上の量では逆に下がる傾向にある。ただし、
10〜20wt％のセラミックスが入ると裁断電流特性が改善
され、約１〜2Aの低サージ特性が得られている。また、
電流遮断性能を見ると、いずれとも８〜10KAの範囲にあ
り、この値も従来のCu−Co−BiPbやCr−Cu合金に比べて
も全く遜色ない高い遮断能力を有していると言える。
が入っても効果はあるが、おおよそ10wt％で最大を示
し、それ以上の量では逆に下がる傾向にある。ただし、
10〜20wt％のセラミックスが入ると裁断電流特性が改善
され、約１〜2Aの低サージ特性が得られている。また、
電流遮断性能を見ると、いずれとも８〜10KAの範囲にあ
り、この値も従来のCu−Co−BiPbやCr−Cu合金に比べて
も全く遜色ない高い遮断能力を有していると言える。
実施例２ 第２表は他のNiとAlの化合物であるNi3AlにTiボライ
ド、Tiナイトライドを複合化したものや、NiAl化合物と
他の導電性セラミックスであるMo,W,Zrなどのボライ
ド、ナイトライド、シリサイド、カーバイドとの各種複
合材料を検討した結果である。試験方法は、実施例１と
同様である。
ド、Tiナイトライドを複合化したものや、NiAl化合物と
他の導電性セラミックスであるMo,W,Zrなどのボライ
ド、ナイトライド、シリサイド、カーバイドとの各種複
合材料を検討した結果である。試験方法は、実施例１と
同様である。
表から明らかなように、いずれも実施例１と同様な傾
向を持ち、優れた耐電圧性、高遮断能力があり、また導
電性セラミックス量が増えると低サージ性も発揮するこ
とが分かった。
向を持ち、優れた耐電圧性、高遮断能力があり、また導
電性セラミックス量が増えると低サージ性も発揮するこ
とが分かった。
以上、本発明によれば、従来の電極接点に比べて耐電
圧特性が向上し、更に大電流遮断性能、耐溶着性能のい
ずれも優れた真空遮断器用接点を得ることが出来る。ま
た、導電性セラミックスを20重量％近く含ませることに
よって低サージタイプの接点を得ることも出来る。
圧特性が向上し、更に大電流遮断性能、耐溶着性能のい
ずれも優れた真空遮断器用接点を得ることが出来る。ま
た、導電性セラミックスを20重量％近く含ませることに
よって低サージタイプの接点を得ることも出来る。
本発明に係る製造方法によれば、自己焼結性に乏しい
セラミックス等を原料としても、容易に高密度化させて
接点を得ることができる。
セラミックス等を原料としても、容易に高密度化させて
接点を得ることができる。
更に、本発明に係る真空遮断器は、上記接点を備えて
いるため、信頼性が向上し、高電圧化、大電流遮断の要
請に応えることができる。
いるため、信頼性が向上し、高電圧化、大電流遮断の要
請に応えることができる。
第１図は本発明の電極接点の製造方法の工程図、第２図
は本発明の真空遮断器用真空バルブの断面構成図を示
す。 ４……固定電極（接点）、５……可動電極（接点）。
は本発明の真空遮断器用真空バルブの断面構成図を示
す。 ４……固定電極（接点）、５……可動電極（接点）。
Claims (5)
- 【請求項１】銅より融点の高い金属間化合物と導電性セ
ラミックスから成ることを特徴とする真空遮断器用接
点。 - 【請求項２】導電性セラミックスが１〜20重量％で、残
りが金属間化合物及び不可避的不純物である請求項１記
載の真空遮断器用接点。 - 【請求項３】導電性セラミックスがTi,Zr,Mo又はＷのボ
ライド、カーバイド、ナイトライド又はシリサイドであ
り、金属間化合物はNiAl又はNi3Alである請求項２記載
の真空遮断器用接点。 - 【請求項４】金属間化合物及び導電性セラミックスの粉
末を混合して成形した後、焼結し、次いで減圧して脱ガ
スする工程よりなり、前記各工程のいずれか一種以上の
工程を経た後、加圧処理して高密度化する工程を含むこ
とを特徴とする真空遮断器用接点の製造方法。 - 【請求項５】請求項１記載の真空遮断器用接点を備えた
真空遮断器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074146A JP2555409B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 真空遮断器用接点並びにその製造方法及び真空遮断器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074146A JP2555409B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 真空遮断器用接点並びにその製造方法及び真空遮断器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01246733A JPH01246733A (ja) | 1989-10-02 |
| JP2555409B2 true JP2555409B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=13538736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63074146A Expired - Lifetime JP2555409B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 真空遮断器用接点並びにその製造方法及び真空遮断器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555409B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110330266A (zh) * | 2019-07-16 | 2019-10-15 | 湖南省美程陶瓷科技有限公司 | 新能源动力电池继电器陶瓷材料及其制备方法 |
-
1988
- 1988-03-28 JP JP63074146A patent/JP2555409B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110330266A (zh) * | 2019-07-16 | 2019-10-15 | 湖南省美程陶瓷科技有限公司 | 新能源动力电池继电器陶瓷材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01246733A (ja) | 1989-10-02 |
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