JP2553713B2 - 液晶制御回路および液晶パネルの駆動方法 - Google Patents

液晶制御回路および液晶パネルの駆動方法

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JP2553713B2
JP2553713B2 JP1264401A JP26440189A JP2553713B2 JP 2553713 B2 JP2553713 B2 JP 2553713B2 JP 1264401 A JP1264401 A JP 1264401A JP 26440189 A JP26440189 A JP 26440189A JP 2553713 B2 JP2553713 B2 JP 2553713B2
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は液晶パネル、特にアクティブマトリックス型
液晶パネルの液晶制御回路および駆動方法に関するもの
である。
従来の技術 アクティブマトリックス型液晶パネルは大容量,高解
像度表示が可能なため研究開発が盛んである。しかしア
クティブマトリックス型液晶パネルは1画素ごとにスイ
ッチング素子を形成する必要があるため、欠陥が発生し
やすく製造歩留まりが問題である。しかしながら、近年
では前記問題点は徐徐に克服されつつあり、液晶パネル
の表示画面の大型化方向に向いつつある。このように大
型化になるにつれ、液晶特有の応答速度の遅さなどの問
題から、CRTの画像表示に比較して画像品位が劣るとい
うことが課題にされつつある。
以下、従来の液晶制御回路および液晶パネルの駆動方
法について説明する。まず、最初にアクティブマトリッ
クス型液晶パネルについて説明する。第5図はアクティ
ブマトリックス型液晶パネルの構成図である。第5図に
おいてG1,G2,G3,G4はゲート信号線、S1,S2,S3,S4はソー
ス信号線、T11,T12,T13,T14,T21,T22,T23,T24,T31,T32,
T33,T34,T41,T42,T43,T44はスイッチング素子としての
薄膜トランジスタ(以後、TFTと呼ぶ)、113はゲート信
号線G1,G2,G3,G4にTFTをオン状態にする電圧(以後、オ
ン電圧と呼ぶ)または、オフ状態にする電圧(以後、オ
フ電圧と呼ぶ)を印加するためのIC(以後、ゲートドラ
イブICと呼ぶ)、112はソース線号線S1,S2,S3,S4に画素
P11,P12,P13,P14,P21,P22,P23,P24,P31,P32,P33,P34
印加する電圧を出力するIC(以後、ソースドライブICと
呼ぶ)である。なお、画素P11〜P34はそれぞれ液晶を保
持しており、前記液晶はソースドライブIC112の電圧に
より透過率が変化し、光を変調する。なお、第5図にお
いて、画素数は非常に少なく描いたが、通常数万画素以
上形成される。液晶パネルの動作としては、ゲートドラ
イブIC113はゲート信号線G1からGm(ただし、mはゲー
ト信号線数)に対し順次オン電圧を印加する。それと同
期してソースドライブIC112をソース信号線S1〜Sn(た
だし、nはソース信号線数)にそれぞれの画素に印加す
る電圧を出力する。したがって、各画素には液晶を所定
の透過量にする電圧が印加され保持される。前記電圧は
次の周期で各TFTが再びオン状態となるまで保持され
る。前記電圧により各画素の液晶の透過量が変化し、各
画素を透過あるいは反射する光が変調される。なお、す
べての画素に電圧が印加され再び次の電圧が印加される
までの周期を1フレームと呼ぶ。また1フレームは2フ
ィールドで構成される。通常、テレビ画像の場合1/30秒
で一画面が書きかわるため1/30秒が1フレーム時間であ
る。また、倍速で各画素に電圧を書き込む場合は、1/60
秒が1フレーム時間となる。本明細書では、倍速で各画
素に書き込む駆動方法を例にあげて説明する。つまり、
1フレームを1/60秒とし、1フィールド=1フレームと
して説明する。
以下、従来の液晶制御回路について説明する。第6図
は従来の液晶制御回路のブロック図である。第6図にお
いて、601はビデオ信号を増幅するアンプ、110は正極性
と負極性のビデオ信号を作る位相分割回路、111はフィ
ールドごとに極性が反転した交流ビデオ信号を出力する
出力切り換え回路、113はソースドライブICおよびゲー
トドライブIC114の周期および制御を行うためのドライ
バ制御回路、115は液晶パネルである。
以下、従来の液晶回路の動作について第6図を用いて
説明する まず、ビデオ信号はアンプ601によりビデオ出力振幅
が液晶の電気光学特性に対応するように利得調整が行わ
れる。次に、利得調整されたビデオ信号は位相分割回路
にはいり、前記回路により正極性と負極性の2つのビデ
オ信号が作られる。次に前記2つのビデオ信号は出力切
り換え回路111にはいり、前記回路はフィールドごとに
極性を反転したビデオ信号を出力する。このようにフィ
ールドごとに極性を反転させるのは、液晶に交流電圧が
印加されるようにして液晶の劣化を防止するためであ
る。次に出力切り換え回路111からのビデオ信号はソー
スドライブIC112に入力され、ソースドライブIC112はド
ライバ制御回路113からの制御信号により、ビデオ信号
のレベルシフト、A/D変換などの処理を行ない、ゲート
ドライブIC114と同期を取って、液晶パネル115のソース
信号線に所定電圧を出力する。
以下、従来の液晶パネルの駆動方法について説明す
る。第7図(a)は、従来の液晶パネルの駆動方法の説
明図である。第7図(a)において、Fx(ただし、xは
整数)はフィールド番号、DX(ただし、xは整数)はソ
ース信号線に印加する電圧に相当するデータ(以後、電
圧データと呼ぶ)、VX(ただし、xは整数)は前記電圧
データにより作られ、ソースドライブIC112からソース
信号線に出力される印加電圧、TX(ただし、xは整数)
は画素に前記電圧が印加されることにより液晶の透過率
が変化し、前記電圧に対応する状態になったときの光の
透過率である。本明細書では説明を容易にするために添
字xが大きいほどフィールドFXは先のフィールドである
こと、電圧データDXは値が大きいこと、印加電圧VXは電
圧が高いこと、透過量TXは透過率が高いことを示すもの
とする。なお、第7図(a)の印加電圧VXは理解を容易
にするために絶対値であらわしたが、液晶は交流駆動す
る必要があるため、第7図(b)で示すように1フィー
ルドごとにコモン電圧を中心に正および負極性の電圧を
印加している。以上のことは以下の図面に対しても同様
である。以下、1つの画素に注目して説明する。
今、フィールドF4で注目している画素(以後、単に画
素と呼ぶ)への電圧データがD1からD5に変化したとす
る。するとソースIC112は電圧V5をソース信号線に出力
し、前記電圧はゲートドライブIC114と同期がとられ画
素に入力される。しかしながら、フィールドF4では、前
記電圧V5が印加されても前記電圧V5に相当する所望値の
透過率T5にならず、通常2〜3フィールド以上遅れて所
望値のT5になる。これは液晶の立ちあがり速度つまり電
圧を印加してから所望値の透過率になるまでの応答時間
に1フィールド時間以上要するためである。なお、液晶
の立ちあがりとはTN液晶の場合、液晶に電圧が印加さ
れ、液晶分子のネジレがほどけた状態になることを、逆
に液晶の立ちさがりとはネジレがもとにもどる状態とな
ることを言う。この液晶のネジレの状態が光の透過量に
関係し、本明細書では印加電圧が高くなるほど液晶のネ
ジレがほどけ透過率が高くなるものとする。以上のよう
に従来の液晶パネルの駆動方法ではビデオ信号の輝度信
号に相当する電圧をそのまま印加していた。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、従来の液晶制御回路およびその駆動方
法では、液晶の立ちあがり速度が遅い、つまり電圧を印
加してから所定の透過量になる時間が2〜3フィールド
時間以上要するための画像の尾ひきがあらわれる。この
画像の尾ひきとは画素に印加している電圧に対して液晶
の透過率の変化が追従しないために表示画面が変化した
際、映像の輪郭部分などに影のような表示が現われるこ
とをいう。この現象は一定以上の速さで映像の動きがあ
るとき出現し、画像品位を著しく悪化させる。
液晶の応答時間は第3図に示すようにほぼ液晶への印
加電圧の2乗に反比例する。第3図より印加電圧が低い
時は液晶の応答時間が長いことがわかる。したがって、
応答時間を改善するためには所定の透過率に対応する電
圧よりも高い電圧を印加して液晶の立ちあがり時間を速
くすればよい。
一方、電圧印加状態の変化は映像の動きがあるところ
に発生する。今、一画素のみに注目して、印加する電圧
を補正し液晶の応答時間改善を行なうと、ノイズなどに
より単発的に発生した前記印加電圧に相当するデータに
まで補正をかけることになってしまう。
本発明は以上の課題を解決するためになされたもの
で、大画面,高解像度の画像表示に対応できる液晶制御
回路および液晶パネルの駆動方法を提供するものであ
る。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するため、本発明の第1の液晶制御回
路では、第1のフレームにおいて、液晶パネルの各画素
へ印加する電圧に相当する画素データを記憶する第1の
記憶手段と、 前記第1のフレームの次の第2のフレームにおいて、前
記液晶パネルの画素へ印加する電圧に相当する画素デー
タを記憶する第2の記憶手段と、 前記第1の記憶手段の任意の第1の画素データおよび前
記第1の画素データ近傍の画素データとを重みづけして
算出した第1の結果データと、 前記第1の画素データに対応する、前記第2の記憶手段
の第2の画素データおよび前記第2の画素データ近傍の
画素データとを重みづけして算出した第2の結果データ
とを求め、 かつ、前記第1の結果データと前記第2の結果データ
との大きさの差である差データを求めるデータ処理手段
と、 前記データ処理手段が求めた差データが所定範囲を満た
す時、前記第1の画素データに対応する画素に印加する
電圧と第2の画素データに対応する画素へ印加する電圧
との差が大きくなるように、前記第2の画素に印加する
電圧を変更する補正手段とを具備するものであり、 本発明の第2の液晶制御回路では、第1のフレームに
おいて、液晶パネルの各画素へ印加する電圧に相当する
画素データを記憶する第1の記憶手段と、 前記第1のフレームの次の第2のフレームにおいて、
前記液晶パネルの画素へ印加する電圧に相当する画素デ
ータを記憶する第2の記憶手段と、 前記第1の画素データおよび前記第1の画素データ近
傍の画素データとを重みづけして算出した第1の結果デ
ータと、 前記第1の記憶手段の任意の第1の画素データに対応
する、前記第2の記憶手段の第2の画素データおよび前
記第2の画素データ近傍の画素データとを重みづけして
算出した第2の結果データとを求め、 かつ、前記第1の結果データと前記2の結果データと
の大きさの差である差データを求めるデータ処理手段
と、 少なくとも前記第1の画素データが補正されたものか
否かもしくは補正する必要が高かったが補正しなかった
事を示す補正情報を記録する補正データ記憶手段と、 前記データ処理手段が求めた差データが所定範囲を満
し、かつ、前記第1の画素データについての補正情報が
補正されたものでない時、前記第1の画素データに対応
する画素へ印加する電圧と第2の画素データに対応する
画素へ印加する電圧との差が大きくなるように、前記第
2の画素に印加する電圧を変更する補正手段とを具備す
るものである。
また、本発明の液晶パネル駆動方法は、第1のフレー
ムの第1の画素に印加する電圧に相当する第1の画素デ
ータおよび前記第1の画素位置を中心として所定範囲内
の画素データを重みづけ処理した第1の結果データと、 前記第1のフレームの次の第2のフレームにおいて、
前記第1の画素位置に対応する第2の画素に印加する電
圧に相当する第2の画素データおよび前記第2の画素位
置を中心として所定範囲内の画素データを重みづけ処理
した第2の結果データとを求め、 前記第1の結果データと第2の結果データとの差が所
定範囲を満たす時に、前記第1の画素データに対応する
画素に印加する電圧と第2の画素データに対応する画素
に印加する電圧との差が大きくなるように、前記第2の
画素に印加する電圧を変更するものである。
作用 本発明は上記構成により、映像の動きは比較的広い領
域で起こることに着目して、注目している前記画素の近
傍の画素の動きを考慮して補正の有無,補正量を定め
る。
実施例 以下、図面を参照しながら本発明の液晶制御回路およ
び液晶パネルの駆動方法について説明する。まず、本発
明の液晶制御回路の一実施例について説明する。第1図
は本発明の液晶制御回路のブロック図である。ただし、
説明に不要な部分は省略している。このことは以下の図
面に対しても同様である。第1図において、101はA/D変
換器103への入力電圧範囲を規定するためのゲインコン
トロール回路、102,109はローパスフィルタ、107はフィ
ールドメモリ、105はフィールドメモリ107に格納された
データを演算し、データの平均値,データ間の大きさの
差およびデータの補正などを処理するデジタル信号処理
手段、106はデジタル信号処理手段105が参照する補正デ
ータなどが格納されたROMテーブル、104は3ライン以上
の水平方向のデータを格納するラインメモリ、108はD/A
変換器、110は正極性と負極性のビデオ信号を作る位相
分割回路、111はフィールドごとに極性が反転した交流
ビデオ信号を出力する出力切り換え回路、113はソース
ドライブIC112およびゲートドライブCI114の同期および
制御を行なうためのドライバ制御回路である。
以下、第1図を参照しながら本発明の液晶制御回路の
一実施例について説明する。まずビデオ信号はゲインコ
ントロール回路101によりA/D変換の入力信号範囲に合う
ように利得調整が行なわれる。次に前記信号はローパス
フィルタ102を通り不必要な高周波成分が除去されたの
ちA/D変換器103でA/D変化される。前記A/D変換された液
晶への印加電圧に相当するデジタルデータ(以後、電圧
データと呼ぶ)は複数ライン、つまり表示画面の水平方
向のドット数をnとするとnX(ライン数分の電圧デー
タ)がラインメモリ104に格納される。前記ラインメモ
リの電圧データはデジタル信号処理手段105によりフィ
ールドメモリ107の電圧データと比較され、補正が必要
な場合は補正される。以上の処理が終了すると前記デー
タは順次フィールドメモリ107に転送される。前記フィ
ールドメモリ107に転送された電圧データは同様にデジ
タル信号処理手段105によりラインメモリ104の電圧デー
タと比較処理される。次にフィールドメモリ107の電圧
データはD/A変換器108に転送されアナログ信号となりロ
ーパスフィルタ109により不要な周波数成分が除去され
た後、位相分割回路110にはいる。以下の処理は従来の
液晶制御回路とほぼ同様であるので省略する。以上が本
実施例における液晶制御回路の概略の動作である。以
下、さらに詳しくその動作について述べる。まず、フィ
ールドメモリ107は有効走査線数mおよび有効ドット数
n分に対応するm×nの容量を持つ。また各メモリのデ
ータ長は必要な階調表現に必要な長さとそれに加えて前
記データがどのような補正が行なわれたかを示すための
ビット長を有する。なお、このビット長、つまりデータ
域を補正ビットと呼ぶ。一方、ラインメモリの容量はmX
(処理に必要なライン数L、ここでは仮にL=4とす
る)を有し、データ長はフィールドメモリのデータ長と
同じ長さに設定される。今、フィールドメモリの1フィ
ールドに対応する電圧データはすでに補正がされている
ものとする。仮にこのフィールドメモリに格納されてい
るデータは、フィールド番号2の電圧データが格納され
ているとする。また、ラインメモリには次のフィールド
番号3のデータが格納されているものとする。電圧デー
タの処理は3×3あるいは5×5のように注目画素を中
心に複数画素について行なっていく。ここでは3×3の
処理とする。たとえば、ライン番号が1〜3でドット番
号が1〜3の処理のつぎはライン番号1〜3でドット番
号2〜4,……,ライン番号1〜3でドット番号n−2〜
n,ライン番号2〜4でドット番号1〜3,……というよう
に行なっていく。また、処理が終了したライン番号、た
とえばライン番号2〜4の処理を行ない始めた時はフィ
ールドメモリ107のライン番号1のデータはD/A変換器10
8に転送される。同時にライン番号1にはラインメモリ1
04からのデータが順次転送される。以上のように電圧デ
ータの処理を行ない第1図に示すように、今ライン番号
4〜6でドット番号4〜6の処理を行なっているとす
る。この時ラインメモリ104には少なくともフィールド
番号3のライン番号4〜6のデータが格納されている。
デジタル信号処理手段105は、まず、フィールドメモリ1
07の注目画素を中心に3×3ドットのデータを加算す
る。その時必要に応じて注目画素からの位置に対応して
重み付けが付けられ加算される。また、ラインメモリ10
4の同一ライン番号4〜6の同一ドット位置の3×3ド
ットのデータを加算する。フィールドメモリのデータに
画素位置に対応して重み付けが付けられた場合は同様の
重み付けが付けられる。また同時に前記フィールドメモ
リの各前記電圧データ補正ビットの内容により重み付け
が付けられる。なお、この補正ビットが示す内容には以
下のようになっている。
(1) 電圧データがすでに補正された電圧データであ
ることを示す場合。
(2) 電圧データの補正が全く必要でなかったことを
示す場合。
(3) 電圧データを補正する必要が高かったが補正は
行わなかった電圧データを示す場合。
また、これらの意味は、(1)については画素に印加
する電圧の変化が大きく、また比較的低電圧である場合
で、液晶の応答性がかなり遅いこと、つまり目標透過率
からかなりずれると予測されるため、立ちあがり時間の
改善のために電圧データ補正を行なったもの、(2)に
ついては短時間的にみて静止画像で画素への印加電圧の
変化がほとんどない場合で全く電圧データの補正が必要
でないもの、(3)については(1)と(2)との中間
であり、印加電圧の変化による画素の液晶の応答性が遅
いが目標透過率からのずれが小さいと予測されるため電
圧データの補正を行なわなかったものである。なお
(3)については複数フィールドにわたり前記状態が続
くとデータ処理での加算時の重み付けが高くなり(1)
のように電圧データは補正される。また通常(2)の場
合は補正ビット記入領域には何も記入されないようにな
っている。以上の(1)乃至(3)の各場合について重
み付けの値が定められており処理される。以上のように
重み付けが付けられフィールドメモリおよびラインメモ
リの電圧データはそれぞれ加算される。求められた2つ
の演算結果はROMテーブル106に転送される。ROMテーブ
ル106は転送されてきた2つの電圧データの値から
(1)〜(3)の種別および補正データの値を読みだ
し、デジタル信号処理手段105に送る。デジタル信号処
理手段105は(1),(3)の場合はその旨を現在処理
中のラインメモリ104の注目画素位置の電圧データの補
正ビット記入領域の補正ビットを変化させ、さらに
(1)または(3)の場合で補正が必要なときは前記デ
ータ域に補正データを書き込む。以上の処理を順次フィ
ールドメモリのすべての電圧デーあに対して行なってい
く。また、処理の終了したアドレスから電圧データはD/
A変換器108に転送され、次のフィールド番号3の電圧デ
ータがラインメモリ104から入力されるから、フィール
ド番号2のフィールドメモリ107の電圧データの処理を
終了した時にはフィールドメモリ107の電圧データはフ
ィールド番号3の電圧データが入力されていることにな
る。同様に今度はフィールドメモリ107に格納されたフ
ィールド番号3の電圧データとラインメモリ104のフィ
ールド番号4の電圧データ間の処理を行なう。以上のよ
うにして電圧データつまり液晶に印加される電圧は補正
される。
なお、前述の本発明の液晶制御回路において3×3ド
ットで処理するとしたがこれに限定するものではなく、
5×5ドットでも同様の効果が得られることは言うまで
もなく、また、ノイズなどの影響が比較的少なくデータ
が安定している場合は注目画素のみの1ドット対1ドッ
トで処理を行なってもよいことは言うまでもない。
また、第1図においてフィールドメモリ107に対して
1つのデジタル信号処理手段105としたがこれに限定す
るものではなく、たとえばデジタル信号処理手段105の
処理に時間がかかる場合などは、フィールドメモリ107
などを複数のブロックに分割し、各分割したブロックご
とにそれぞれディタル信号処理手段105などを設け、並
列に処理を行なってもよいことは言うまでもない。ま
た、通常の駆動方式ではフレームメモリを用いる必要が
あるが、フィールドメモリでもよい。これは映像信号の
場合は近接画素へ印加する電圧はきわめて似ているため
注目画素の位置がフィールドメモリの注目画素の位置と
1ラインずれていても電圧データはほとんど同じである
ためである。したがって、フレームメモリをフィールド
メモリに置きかえることができ、この場合メモリ容量を
1/2にできる。
以下、図面を参照しながら本発明の液晶パネルの駆動
方法の一実施例について説明する。第2図は本発明の液
晶パネルの駆動方法の説明図である。なお本発明の液晶
パネルの駆動方法は本発明の液晶制御回路を用いて行な
う。第2図では補正前の電圧データがフィールド番号F5
でD1からD5に変化している場合を示している。なお、電
圧データD1によりソースドライブIC112よりソース信号
線に出力される電圧をV1、また前記電圧V1の印加により
得られる液晶の透過率をT1とする。なお添字の大きさは
説明を容易にするために付加したものであり、電圧など
の物理的大きさを定量的にあらわすものではない。この
ことは以下の説明でも同様である。同じく電圧データD1
により出力される電圧をV5、透過率をT5とする。第2図
で示すように、電圧V1,V5で示す電圧が比較的小さく、
つまりコモン電圧に近く、かつV5−V1>0なる関係が成
り立ち、液晶の立ちあがり速度を遅く所定の透過率まで
変化するのに長時間を要する。たとえば一例としてTN液
晶を反射モードで用い、かつ印加電圧を液晶が光を透過
させない最大電圧値(以後、黒レベル電圧と呼ぶ)を2.
0V、液晶が最大量の光を透過させる最小の電圧値(以
後、白レベル電圧と呼ぶ)を3.5Vの液晶パネルにおい
て、印加電圧V1を2.0V、変化した電圧V5を2.5Vとすると
所定の透過率になる時間は約70〜100msecである。した
がって、応答に要する時間は2フィールド以上となり画
像の尾ひきが発生する。この応答時間はV5が大きくなる
ほど小さくなり、2フィールド内の30msec以内に応答す
るようになる。このように電圧V5が所定値より小さい時
は電圧V5を印加するフィールドで所定値よりも高い電圧
が印加されるように電圧データを補正する。ただし、こ
の補正するか否かまた、補正する電圧データの大きさは
フィールド番号F3の現在注目している画素とその近傍の
画素の印加電圧に相当するデータおよびフィールド番号
F4の前記複数画素のデータをデジタル信号処理手段105
が処理することにより決定される。この時、各電圧デー
タに重み付けが付けられ処理されることは、言うまでも
なく、また補正を行なったときは前記データが補正を行
なったことを記録することも言うまでもない。これはフ
ィールド番号F4の注目画素の電圧データが特異的に異常
である場合、その影響を除去するためであり、また視覚
的に適正な画像の動画処理を行なうためである。
以上のように第2図ではデジタル信号処理手段105に
よりデータ補正をフィールド番号F4で行なうことが決定
され、またデータがD5からD7に補正される。そのためフ
ィールド番号F4で印加電圧V7が出力され液晶の立ち上が
り速度が改善される。以上の処理はすべての画素につい
て行なわれる。
以下、図面を参照しながら本発明の液晶パネルの駆動
方法の第2の実施例について説明する。第4図(a),
(b),(c)は本発明の液晶パネルの駆動方法の第2
の実施例の説明図である。第4図(a)てはフィールド
番号F4で電圧データがD10からD15に、第7図(b)では
フィールド番号F4で電圧データがD5ら第4図(a)と同
様にD15に変化している。しかし、液晶の透過量は第4
図(a)の場合はフィールド番号F4で所定値の透過量の
T15になっているが、第4図(b)ではフィールド番号F
4内の時間では所定値の透過量T15となっていない。これ
は液晶の応答性は目標透過量が同一でも、現在印加され
ている電圧と前記目標透過量になるための印加電圧の電
圧との電位差により変化に要する時間が異なるためであ
る。たとえば、先に例としてとりあげた液晶パネルの仕
様では、印加電圧が2Vから3Vに変化したときには所定の
透過量になるまで40〜50msecを要するが、2.5Vから3Vに
変化するときは20〜30msecで応答する。そこで、本発明
の液晶パネルの駆動方法の第2の実施例では第4図
(c)で示すように、ROMテーブル106などから補正デー
タD17を求め、フィールド番号F4のデータをD15からD17
に補正する。このような電圧の変化の差による液晶の応
答速度の差についてもデジタル信号処理手段105は考慮
して補正の可否を判定処理する。なお、この場合も注目
画素と前記画素の近傍の画素の電圧データを考慮して補
正および補正の可否を判定する。なお、実際の液晶パネ
ルの駆動方法では本発明の第1の実施例と第2の実施例
を組みあわせて実施する。
発明の効果 以上の説明で明らかなように、本発明の液晶制御回路
および液晶パネルの駆動方法を用いることにより、液晶
の立ちあがり特性つまり目標透過量にするための応答時
間を短縮することができる。したがって、画像の尾ひき
が表われることがなく、良好な映像が得られる。このこ
とは液晶パネルの画面が大型化,高解像度になるにつれ
著しい効果としてあらわれる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の液晶制御回路のブロック図、第2図,
第4図(a),(b),(c)は本発明の液晶パネルの
駆動方法の説明図、第3図は液晶の電圧対応答速度を示
すグラフ図、第5図はアクティブマトリックス型液晶パ
ネルの構成図、第6図は従来の液晶制御回路のブロック
図、第7図(a),(b)は従来の液晶パネルの駆動方
法の説明図である。 101……ゲインコントロール回路、102,109……ローパス
フィルタ、103……A/D変換器、104……ラインメモリ、1
05……デジタル信号処理手段、106……ROMテーブル、10
7……フィールドメモリ、108……D/A変換器、110……位
相分割回路、111……出力切り換え回路、112……ソース
ドライブIC、113……ドライバ制御回路、114……ゲート
ドライブIC、115……液晶パネル、601……アンプ。

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1のフレームにおいて、液晶パネルの各
    画素へ印加する電圧に相当する画素データを記憶する第
    1の記憶手段と、 前記第1のフレームの次の第2のフレームにおいて、前
    記液晶パネルの画素へ印加する電圧に相当する画素デー
    タを記憶する第2の記憶手段と、 前記第1の記憶手段の任意の第1の画素データおよび前
    記第1の画素データ近傍の画素データとを重みづけして
    算出した第1の結果データと、 前記第1の画素データに対応する、前記第2の記憶手段
    の第2の画素データおよび前記第2の画素データ近傍の
    画素データとを重みづけして算出した第2の結果データ
    とを求め、 かつ、前記第1の結果データと前記2の結果データとの
    大きさの差である差データを求めるデータ処理手段と、 前記データ処理手段が求めた差データが所定範囲を満た
    す時、前記第1の画素データに対応する画素に印加する
    電圧と第2の画素データに対応する画素へ印加する電圧
    との差が大きくなるように、前記第2の画素に印加する
    電圧を変更する補正手段とを具備する液晶制御回路。
  2. 【請求項2】第1のフレームにおいて、液晶パネルの各
    画素へ印加する電圧に相当する画素データを記憶する第
    1の記憶手段と、 前記第1のフレームの次の第2のフレームにおいて、前
    記液晶パネルの画素へ印加する電圧に相当する画素デー
    タを記憶する第2の記憶手段と、 前記第1の画素データおよび前記第1の画素データ近傍
    の画素データとを重みづけして算出した第1の結果デー
    タと、 前記第1の記憶手段の任意の第1の画素データに対応す
    る、前記第2の記憶手段の第2の画素データおよび前記
    第2の画素データ近傍の画素データとを重みづけして算
    出した第2の結果データとを求め、 かつ、前記第1の結果データと前記2の結果データとの
    大きさの差である差データを求めるデータ処理手段と、 少なくとも前記第1の画素データが補正されたものか否
    かもしくは補正する必要が高かったが補正しなかった事
    を示す補正情報を記録する補正データ記憶手段と、 前記データ処理手段が求めた差データが所定範囲を満
    し、かつ、前記第1の画素データについての補正情報が
    補正されたものでない時、前記第1の画素データに対応
    する画素へ印加する電圧と第2の画素データ対応する画
    素へ印加する電圧との差が大きくなるように、前記第2
    の画素に印加する電圧を変更する補正手段とを具備する
    液晶制御回路。
  3. 【請求項3】第1のフレームの第1の画素に印加する電
    圧に相当する第1の画素データおよび前記第1の画素位
    置を中心として所定範囲内の画素データを重みづけ処理
    した第1の結果データと、 前記第1のフレームの次の第2のフレームにおいて、前
    記第1の画素位置に対応する第2の画素に印加する電圧
    に相当する第2の画素データおよび前記第2の画素位置
    を中心として所定範囲内の画素データを重みづけ処理し
    た第2の結果データとを求め、 前記第1の結果データと第2の結果データとの差が所定
    範囲を満たす時に、前記第1の画素データに対応する画
    素に印加する電圧と第2の画素データに対応する画素に
    印加する電圧との差が大きくなるように、前記第2の画
    素に印加する電圧を変更することを特徴とする液晶パネ
    ルの駆動方法。
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