JP2549229B2 - デイジタルクロツク信号波形整形回路 - Google Patents

デイジタルクロツク信号波形整形回路

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JP2549229B2
JP2549229B2 JP4155875A JP15587592A JP2549229B2 JP 2549229 B2 JP2549229 B2 JP 2549229B2 JP 4155875 A JP4155875 A JP 4155875A JP 15587592 A JP15587592 A JP 15587592A JP 2549229 B2 JP2549229 B2 JP 2549229B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はデイジタルクロツク信号
波形整形回路に関し、特に集積半導体チツプのタイミン
グ回路又はクロツク回路について、可変デユーテイサイ
クルを有する外部クロツク信号から所望の波形の内部ク
ロツク信号を発生させるデイジタルネツトワークに適用
して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】集積回路チツプへのオシレータの入力は
一般的にデユーテイサイクルの分解能が低いため、例え
ば、所定のクロツクサイクルにおいて、クロツク信号が
「高」レベル状態(デユーテイ期間Ton)から低レベ
ル状態(デユーテイ期間Toff)に立ち下がる際の立
下り時点が変動する。商用オシレータはデユーテイ比5
0/50のクロツク信号に対してTon/Toffデユ
ーテイ比が30/70ないし70/30の変動をするお
それがある。従来、この変動を除去するため、マイクロ
プロセツサクロツク発生回路は入力クロツクの周波数を
分周することにより要求されたクロツク波形を供給す
る。例えば、入力クロツク信号の周期は一定であると考
えられるので、入力クロツク信号の周波数を1/2に分
周することによつて対称なクロツク信号を得ることがで
きる。しかしながらこの対称なクロツク信号を得るた
め、結果の周波数は入力クロツク信号の周波数の1/2
に低減される。マイクロプロセツサの性能を高めるため
周波数を高くすればするほど、システムに2倍の周波数
の外部クロツクを提供しかつ分配することはさらに困難
になる。例えば従来の波形整形技術を用いる場合、チツ
プを100〔MHz〕のオシレータによつて駆動するこ
とにより、対称クロツク信号を用いて50〔MHz〕で
動作させる。この周波数を2倍にする必要性は、集積回
路の周波数を増大させようとする場合に、回路コスト及
び性能特性に逆効果を生じさせ得る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】信号処理の異なる手法
は、1989年10月2〜4日開催の「カスタム集積回
路会議」発行、「1486プロセツサの高性能回路」1
88頁〜192頁に記載されている。この波形整形手法
は1倍周波数のクロツク入力回路を用いることにより、
上述の2倍周波数信号分周技術のタイミング条件を緩和
するようにしている。上述の手法において1倍周波数の
回路クロツク信号のデユーテイサイクル(又はTon
offデユーテイ比)は入力クロツク信号のデユーテ
イサイクルによつて決まる。当該プロセツサのクロツク
発生回路の性能はレギユレータ回路を使用することによ
つて維持され、これにより入力クロツクのパルス幅とは
関係なく内部クロツクのデユーテイサイクルを調整す
る。このクロツクレギユレータは1倍周波数のクロツク
信号を得るために電流ミラートランジスタ及び重なり検
出回路を用いており、この電流ミラートランジスタ及び
重なり検出回路が共に温度及び電圧のような処理パラメ
ータの影響を受け易い充電コンデンサを含む問題があ
る。さらにこの1倍周波数のクロツク発生回路は限定さ
れた周波数範囲内だけでしか動作できない問題がある。
入力周波数がなんらかの原因で大きく変動すれば、回路
は動作できなくなる。
【0004】かくして例えば、入力クロツク信号から1
倍周波数の対称クロツク信号を発生させることができる
プロセス独立型デイジタルクロツク波形整形は可変する
on/Toffデユーテイ比をもつようにすることが
本質的に必要である。
【0005】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、ほぼ一定の周期及び可変のTon
/Toffデユーテイ比サイクルを有する入力クロツク
信号を受けると共に、入力クロツク信号に応答するよう
なプリセツトTon/Toffデユーテイ比サイクルを
有するクロツク信号を出力するデイジタルクロツク信号
波形整形回路において、入力クロツク信号を受けるよう
に結合される入力端を有し、直列に接続された複数の遅
延段を含み、各遅延段は、入力クロツク信号が当該遅延
段を伝播した時、それぞれ対応する遅延信号を出力する
遅延回路と、遅延回路の遅延出力の1つをそれぞれ受け
かつ当該遅延出力に応答してパルス信号を出力するよう
に結合され、各パルス信号は入力クロツク信号の周期よ
り十分に小さい持続期間を有し、パルス信号を順次出力
する複数のパルス発生回路と、プリセツトTon/T
offデユーテイ比サイクルを有するクロツク信号を発
生し、セツト入力端が複数のパルス発生回路から順次出
力されるパルス信号のうち第1のパルス信号を受けるよ
うに結合されることにより、クロツク信号の出力開始に
応動して第1のパルス信号を受けるセツトリセツト出力
ラツチ回路と、入力クロツク信号及び複数のパルス発生
回路から出力されるパルス信号を入力信号として受ける
ように結合され、リセツト信号を発生してセツトリセツ
ト出力ラツチ回路のリセツト入力端に出力するリセツト
論理回路を含み、リセツト信号は出力クロツク信号につ
いてプリセツトTon/Toffデユーテイ比サイクル
の時間を合せるリセツト論理回路とを設けるようにす
る。
【0006】
【作用】本発明は、ほぼ一定の周期並びに可変のTon
及びToffデユーテイ期間サイクルを有する入力クロ
ツク信号からプリセツトTon及びToffデユーテイ
期間サイクルを有する内部クロツク信号を発生する回路
を有する。この回路は入力クロツク信号の周期の開始に
対応するセツトパルスを発生させる発生手段を含む。こ
のセツトパルスは所望の内部クロツク信号を出力するセ
ツト及びリセツト出力ラツチ回路のセツト入力端に与え
られる。当該出力ラツチ回路は内部クロツク信号周期の
出力を開始することによつてセツトパルスの入力に応答
する。またデイジタル発生手段は入力クロツク信号の周
期を用いてリセツトパルスを発生するために提供され
る。出力ラツチ回路のリセツト入力端への出力であるリ
セツトパルスは当該ラツチ回路をリセツトするためにタ
イミングを定められ、これによつて内部クロツク信号の
周期当たりのプリセツトTon及びToffデユーテイ
期間を発生する。必要であればこの発生した内部クロツ
ク信号の周波数は入力クロツク信号の周波数と等しくす
ることができる。さらに内部クロツク信号の所望のT
on及びToffデユーテイ比がほぼ「1」に等しいか
又は「1」以外になるようにこのラツチ回路は構成され
得る。
【0007】さらに特定の実施例において本発明は、ほ
ぼ一定の周期及び可変のTon及びToffデユーテイ
比サイクルを有する入力クロツク信号を受け、この入力
クロツク信号に応答して所望のTon及びToffデユ
ーテイ比サイクルを有するクロツク信号を出力するデイ
ジタルクロツク信号波形整形回路を含む。このデイジタ
ルクロツク信号波形整形回路は当該入力クロツク信号を
受けるために結合された入力端及び複数の出力端を有す
る遅延回路を含む。この遅延回路は複数の直列に接続さ
れた遅延段を含み、各遅延段は入力クロツク信号が当該
遅延回路を介して到来するとき対応する遅延信号を出力
する。複数のパルス発生回路が結合されることにより、
当該遅延回路の遅延信号を受け、この遅延信号に応答し
て短い持続期間のパルス信号を出力するようになされて
いる。出力ラツチ回路は周期当たりの所望のTon及び
offデユーテイ比のクロツク信号を発生する。この
出力ラツチ回路のセツト入力端は複数のパルス発生回路
のうちの第1のパルス発生回路からパルス信号出力を受
ける。リセツト論理回路は複数のパルス発生回路及び出
力ラツチ回路を適時にリセツトする当該出力ラツチ回路
のリセツト入力端間に結合される。この論理回路は複数
のパルス発生回路からのパルス信号出力を入力として受
ける。リセツト信号は当該論理回路からの出力であり、
出力されたクロツク信号に対してプリセツトTon及び
offデユーテイ比サイクルを発生するようにタイミ
ングが定められている。また多数の回路のエンハンスメ
ントが請求項に記述される。
【0008】要約すると本発明は対称クロツク信号出力
又は非対称クロツク信号出力を発生するように構成され
得るクロツク信号波形整形回路を含む。当該クロツク信
号波形整形回路からのクロツク出力はパルス発生回路に
おいて使用される回路の数を調整することによつて非常
に厳密な公差に構成され得る。クロツク発生回路はすべ
てデイジタル回路であり、アナログ構成部又は外部構成
部を全く必要としない独立したプロセスである。好適な
実施例においてはパルス発生回路はTon及びToff
デユーテイ期間サイクルの公差が非常に大きい1倍周波
数の外部クロツクを受け、Ton及びToffデユーテ
イ期間サイクルと等しい同一の周波数の内部クロツクを
発生することができる。パルス発生回路は広範囲で動作
する機能を有することにより、所定の周波数より高い周
波数及び当該所定の周波数より低い周波数においても動
作することができる。
【0009】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
【0010】図1〜図6において同一の符号は同一又は
同様の構成部分を表す。
【0011】図1は本発明によるデイジタルクロツク信
号波形整形ネツトワーク10の一実施例を示す。周波数
がほぼ一定でかつ周期ごとに可変のTonデユーテイ期
間(「高」レベル状態の期間)及びToffデユーテイ
期間(「低」レベル状態の期間)を有するデユーテイサ
イクルの外部クロツクが遅延マクロ回路12の入力端に
与えられる。遅延マクロ回路12は複数の順次遅延信号
をパルス発生回路14へのライン13に出力する。各遅
延信号は前に出力された遅延信号から遅延段の遅延量だ
け遅延され、複数のパルス発生回路14のうちの1つの
単独パルス発生回路に与えられる。各パルス発生回路は
受けた遅延信号に応答してパルス信号を出力する。ライ
ン15に出力されるパルス信号は比較ラツチ回路16の
入力端に与えられる。第1のパルス発生回路14Aはラ
イン17のバツフア回路、例えば直列に接続された2つ
のインバータ18を介して比較ラツチ回路16に第1の
パルス信号を出力する。さらに以下に詳述するように遅
延マクロ回路12、パルス発生回路14及び比較ラツチ
回路16が関連動作することにより、デイジタルクロツ
ク信号波形整形ネツトワーク10に入力された外部クロ
ツク信号入力の周波数(又は周期)を連続的に判断す
る。
【0012】さらにデイジタルクロツク信号波形整形ネ
ツトワーク10はセツトリセツト出力ラツチ回路20を
含み、このセツトリセツト出力ラツチ回路20は所望の
内部クロツク信号を発生するように制御されている。セ
ツトリセツト出力ラツチ回路20はまず、ライン19に
最初に発生したパルス信号出力をパルス発生回路14か
らセツトリセツト出力ラツチ回路20のセツト入力端
「S」にセツトする。セツトリセツト出力ラツチ回路2
0のリセツト入力端「R」は論理マクロ回路22及びこ
の論理マクロ回路22に結合されたリセツトネツトワー
ク24によつて発生されたリセツト制御信号をライン2
1を介して受ける。論理マクロ回路22は比較ラツチ回
路16の第1のラツチ回路を分離して、反復するパルス
信号を識別する機能をもつ。この分離されたラツチ回路
からの信号により、リセツト信号を出力ラツチ回路20
のリセツト入力端「R」に転送することができる。例え
ば有用な実施例においてリセツトネツトワーク24は外
部クロツク周期(以下に述べるような)の中間点に対応
するリセツト信号を発生するように構成され得、これに
よつて出力ラツチ回路20において対称クロツク信号を
発生する。必要であればバツフア回路26を出力ラツチ
回路20の出力端に接続して出力ラツチ回路20の負荷
を低減するようにしてもよい。
【0013】デイジタルクロツク信号波形整形ネツトワ
ーク10の各主要な回路について図2〜図6を参照して
さらに詳述する。
【0014】図2は外部クロツクの周波数を継続的に監
視する遅延マクロ回路12、パルス発生回路14及び比
較ラツチ回路16の一実施例を示す。遅延マクロ回路1
2は複数の直列に接続された遅延段30を含み、各遅延
段は例えば2つのインバータ32を含む(当業者は他の
遅延回路を用いることもできることを理解できるであろ
う)。各遅延段の第1のインバータの出力端は各遅延段
の第2のインバータの入力端に接続されている。各遅延
段が関連動作することにより、そこから遅延信号の出力
を順次発生する。出力された各遅延信号は遅延マクロ回
路12において対応する遅延量だけ遅延された外部クロ
ツク信号を含み、その後この遅延信号が出力される。第
1の遅延段と共に、第(N)の遅延段、第(N−1)の
遅延段、第(N−2)の遅延段及び第(N−3)の遅延
段の複数の遅延段について説明する。一般に遅延段の遅
延時間を低下させたり、遅延段30の数を増加させるこ
とは、この遅延段に対応する次の回路と共にデイジタル
クロツク信号波形整形ネツトワーク10からの出力波形
の分解能を改善することになる。このことは、入力クロ
ツク周波数が例えば1〔MHz〕又はそれ以下のような
比較的低い周波数の場合、特に正しい。
【0015】遅延ラインの遅延段からの遅延クロツク信
号出力は、複数のパルス発生回路を含むパルス発生回路
14に入力される。デイジタルクロツク信号波形整形ネ
ツトワーク10の各遅延段には1つのパルス発生回路が
あるのが好ましい。図示の実施例において各パルス発生
回路は2入力NANDゲート34を含み、この2入力N
ANDゲート34は遅延マクロ回路12の対応する遅延
段の入力端に結合された第1の入力端及び遅延マクロ回
路12の例えば1個半分の遅延段に結合された第2の入
力端を有する。2入力NANDゲート34の2つの入力
端に与えられるクロツク信号間の遅延量はNANDゲー
ト34から出力されたパルス信号の幅を決定する。しか
しながらこの実施例においては、信号を出力する条件を
定義するために、奇数個の遅延インバータ分だけオフセ
ツトした2つの入力信号をもつ必要がある。2入力NA
NDゲート34の各出力はインバータ36を通過する。
例えば図3は外部クロツクの波形及びパルス発生回路1
4から出力されたパルスの一例を示す。すなわち第
(0)遅延段、第(15)遅延段、第(30)遅延段、
第(45)遅延段及び第(60)遅延段に対応するパル
ス信号が示されている(この図では外部クロツクが第
(60)遅延段目のタイミングで反復する場合を考えて
いる)。図2のように2入力NANDゲート34及びイ
ンバータ36からの信号はそれに結合した比較ラツチ回
路16に与えられる。
【0016】また比較ラツチ回路16への接続(図1)
は図2に詳細に示されている。ここで、比較ラツチ回路
16は複数の比較ラツチ回路段を含み、図には第(N−
3)比較ラツチ回路段から第(N)比較ラツチ回路段ま
でを示している。実際には比較ラツチ回路段の段数はパ
ルス発生回路段の段数以下でもよい(しかしながら遅延
マクロ回路12における遅延段の段数と等しいのが好ま
しい)。これは、比較ラツチ回路の機能が遅延マクロ回
路12への外部クロツク信号の完了周期に対応するパル
ス信号を識別するからである。例えば遅延マクロ回路1
2に遅延段が66段あり、かつパルス発生回路14にパ
ルス発生回路段が66段ある場合、一般に外部クロツク
信号は最初の遅延段数以内(例えば10段の遅延段以
内)では反復しないと考えられるので66段以下の段数
の比較ラツチ回路段を用いてもよい。デイジタルクロツ
ク信号波形整形ネツトワーク10は特定のクロツク信号
の周波数又はクロツク信号の特定の範囲の周波数に調整
するように構成される。Tonデユーテイ期間とT
offデユーテイ期間との間の切換え精度は、例えば外
部クロツク信号が66段の遅延段のうち第40番目の遅
延段で反復する場合と比較して、外部クロツク信号が第
10番目の遅延段又はそれ以下の遅延段で反復する場合
には明白に精度が低下する。従つて後述するように信号
の一致についての検査は遅延段14A(これは最初の比
較ラツチ回路段40を含む)において開始されるものと
する。
【0017】図示の実施例において、各比較ラツチ回路
段40は3つの入力端を有する。すなわち第N番目の比
較ラツチ回路段40は、対応するパルス発生回路段から
のパルス信号出力を受けるA入力端(図4について後述
する比較ラツチ回路段40において、この信号は対応す
る2入力NANDゲート34の出力端から直接に与えら
れる)と、パルス発生回路14A(図1)からの最初の
パルス信号出力を受ける入力端Bと、第(N−3)番目
のパルス信号を受けるリセツト入力端である入力端Cと
を有する。第1のパルス発生回路段14A(図1、図
2)の2入力NANDゲート34からのパルス信号は、
ダブル反転バツフア回路37を通過した後、すべての比
較ラツチ回路段40の入力端Bに与えられる。
【0018】図4は比較ラツチ回路段40の好適な実施
例を示す。比較ラツチ回路段40はその中に対角線が描
かれている長方形で示されたPチヤネル電界効果トラン
ジスタ(PFET)及びこれに隣接して描かれている制
御素子すなわちゲート電極と、対角線のない長方形で示
されたNチヤネル電界効果トランジスタ(NFET)及
びこれに隣接して描かれている制御素子すなわちゲート
電極とをもつ相補型金属酸化物半導体(CMOS)を含
む。
【0019】この比較ラツチ回路段40はダイナミツク
ラツチ回路を含み、例えば1〔MHz〕又はそれ以上の
周波数に最適である。第1のPFET Tのソース
「S」は回路電源電圧VDDに接続され、そのドレイン
「D」は第2のPFET Tのソース「S」に接続さ
れている。PFET Tはパルス発生回路14Aから
出力され、かつ比較ラツチ回路段40の入力端Bに受け
た第1のパルス信号によつてゲート「G」をゲートされ
る。またこの第1のパルス信号は例えば比較ラツチ回路
段40のライン41を通つて複数の比較ラツチ回路段の
うちの次に隣接した比較ラツチ回路段40(図2参照)
に与えられる。PFET Tのドレイン「D」はコン
デンサ「C」の第1の端子に接続され、その第2の端子
は接地接続される。PFET Tは対応するパルス発
生回路段からの入力端Aに与えられたパルス信号出力に
よつてゲート「G」をゲートされる。かくしてコンデン
サ「C」を充電するために入力端A及び入力端Bにおい
て受けたパルス信号はPFETを同時にそれぞれ作動状
態にする。この状態は外部クロツク信号が反復開始時
(例えば図3の(0)遅延段と(60)遅延段とにおけ
るパルス信号を比較)だけに生ずる。外部クロツク信号
の反復開始時、パルス信号A及びパルス信号B間の遅延
段数は外部クロツク信号の周期(周波数)で表される。
入力端A及びBにおけるパルス信号がオーバーラツプし
ないときコンデンサ「C」は充電されないままの状態で
ある
【0020】ネツトワークが初期状態を経過した後、少
なくとも1つの比較ラツチ回路段がセツトされることに
よりコンデンサ「C」が充電されると、外部クロツク信
号が反復されたことを示す。この状態において、次のク
ロツク周期が到来する前にセツト状態にあるラツチ回路
をリセツトする必要がある。特に入力端Aに次の対応す
るパルス信号が到来する前にコンデンサ「C」は放電さ
れなければならない。リセツトは比較ラツチ回路段40
においてコンデンサ「C」と並列に結合されたNFET
によつてなされる。NFET Tのドレイン
「D」はコンデンサ「C」の第1の端子に接続され、そ
のソース「S」は接地接続される。図示の実施例におい
て第(N−3)番目のパルス発生回路段からのパルス信
号はN番目の比較ラツチ回路段に送出され、比較ラツチ
回路段40の入力端Cを介してNFET Tのゲート
「G」に与えられる。このパルス信号は、「高」レベル
の時コンデンサを放電するように動作することにより、
比較ラツチ回路段40の入力端Aにその次の対応するパ
ルス信号(すなわちNパルス発生回路段からの)が到来
する前に、クリアされる。
【0021】ここで、第N番目の比較ラツチ回路段をク
リアするために第(N−3)番目のパルス信号以外のパ
ルス信号を入力端Cに与えるようにしても良い。当該異
なるパルス信号が第N番目の比較ラツチ回路段からかな
り離れて発生することにより、第1に当該異なるパルス
信号が第N/2段目の信号と干渉したり(Ton及びT
offデユーテイ期間が互いに等しいクロツク信号出力
が望ましいものと考えた場合)、第2に一致が予めネツ
トワークの第N段目に置かれたと仮定した場合、入力ク
ロツク周期が変化しても(例えば第(N+1)番目又は
第(N−1)番目に変化しても)、異なるパルス信号は
新しい一致段の選択には干渉したりしない限り、この異
なるパルス信号を選択しても同じように良好に機能し得
る。コンデンサ「C」の両端の電圧は論理マクロ回路2
2(図1)への比較ラツチ回路段40の出力を含む。外
部クロツク信号の周波数に依存する場合、当業者は図4
のダイナミツクラツチ回路をスタテイツクラツチ回路と
置き換えることが望ましいことを理解できる。
【0022】図5は諭理マクロ回路22がすべての比較
ラツチ回路段出力(すなわち図2の「ZD」ライン)を
監視し、セツトされた第1の比較ラツチ回路段だけをリ
セツトネツトワーク24にゲートする。例えば遅延マク
ロ回路が66段の遅延段を含み、遅延段への外部クロツ
ク信号入力が20段の遅延段を通過した後反復される場
合、第20番目の遅延段、第40番目の遅延段及び第6
0番目の遅延段がセツトされる。論理マクロ回路22は
第20番目の遅延段だけが論理マクロの出力端、すなわ
ちリセツトネツトワーク24にゲートされるように構成
される。論理マクロ回路22への入力端における各ゼロ
検出「ZD」回路50は例えば対応する比較ラツチ回路
段(図2及び図4)から8つの出力信号(すなわち各比
較ラツチ回路段40の出力端におけるコンデンサ「C」
の両端の値)を受けるように構成される。
【0023】上述のように遅延ラインの遅延期間は好適
には外部クロツク信号が最初の遅延段数以内、例えば最
初の10段以内で反復しないように好適に選択される。
従つてこれらの遅延段に対応する比較ラツチ回路段は省
略され得、ゼロ出力検出(又はさらに正確には非ゼロ出
力検出)が図5に示すように第11番目の比較ラツチ回
路段から開始される。ゼロ検出回路50からの出力信号
はそれぞれ反転され、受けた比較ラツチ回路段信号の1
つが論理レベル「1」になるときはいつでもゼロ検出回
路50の出力端に論理レベル「1」が得られ、上述のよ
うにこれは対応する段のパルス信号及び第1のパルス発
生回路14Aのパルス信号(図2)間の信号の一致を意
味する。
【0024】第11番目〜第18番目の比較ラツチ回路
段40からの信号を受けるゼロ検出「ZD」回路50は
リセツトネツトワーク24(破線で示す)のうち、第1
1番目〜第18番目の比較ラツチ回路段40のために特
別に構成された第1組目のネツトワーク段25に直接与
えられる(このことはまた8つの比較ラツチ回路段40
内では2つ以上の信号の一致が生じないと仮定してい
る。これはこれらの段間の適正な遅延を選択することに
よつて保証されている)。また第11番目〜第18番目
の比較ラツチ回路段40からの信号を受けるゼロ検出回
路50からの出力は複数のNOR回路52、54、5
6、58、60及び62に結合されている。NOR回路
52、54、56、58、60及び62の出力はそれぞ
れ対応する第19番目〜第26番目、第27番目〜第3
4番目、第35番目〜第42番目、第43番目〜第50
番目、第51番目〜第58番目及び第59番目〜第66
番目のリセツトネツトワーク段25に接続されている
(後述のように各リセツトネツトワーク段25は8つの
比較ラツチ回路段40からのパルス信号を任意に受けて
処理する。これによりラツチ回路20のリセツト入力に
おける容量負荷が低減される)。
【0025】他の動作例として第2のゼロ検出回路50
は第19番目〜第26番目の比較ラツチ回路段からの信
号を受け、その入力がなにもラツチされない場合には論
理レベル「0」出力を出力する。この諭理レベル「0」
出力はインバータ51を通過した後、対応するNORゲ
ートすなわちNORゲート52の入力端に与えられる。
かくしてNORゲート52への入力は論理レベル「1」
になるので、この出力の論理レベルは「0」であり、第
19番目〜第26番目の比較ラツチ回路段40に対する
第19番目〜第26番目のリセツトネツトワーク段25
はデイスエーブル状態のままである。逆に第19番目〜
第26番目の比較ラツチ回路段40内のラツチ回路がセ
ツトされると、対応するゼロ検出回路50の出力は諭理
レベル「1」出力となる。この論理レベル「1」出力は
反転され、論理レベル「0」がNORゲート52の双方
の入力端に現れ、その結果NORゲート52から論理レ
ベル「1」出力が出力される。またこのことは第19番
目〜第26番目の比較ラツチ回路段50のラツチ回路が
全くセツトされないことを意味している。第1のゼロ検
出回路50から論理レベル「1」の出力が得られると、
NORゲート52、54、56、58、60及び62が
デイスイネーブル状態にされる。また第19番目〜第2
6番目の比較ラツチ回路段40に対するゼロ検出回路5
0の出力はNORゲート56、58、60及び62に入
力される。NORゲート56、58、60及び62は、
第19番目〜第26番目の比較ラツチ回路段40のうち
の少なくとも1つの倍数番目(すなわち第32番目〜第
52番目、第57番目〜第78番目)の比較ラツチ回路
段40に対応するゼロ検出回路50の出力を受けるの
で、これを阻止するゲート信号として第19番目〜第2
6番目の比較ラツチ回路段40に対応するゼロ検出回路
50の出力を受ける。かくして第19番目〜第26番目
の比較ラツチ回路段50に対するゼロ検出回路50から
の論理レベル「1」出力はNORゲート56、58、6
0及び62の動作を介して、続いてセツトされている倍
数番目の比較ラツチ回路に対応するリセツトネツトワー
ク段25をデイスイネーブル状態にする。
【0026】かくして上述の論理回路は最初にセツトさ
れた比較ラツチ回路だけを分離するように動作すること
により、入力された外部クロツク信号の反復を表す。ま
た当業者は、同一の回路及び処理概念によつて残りのゼ
ロ検出回路50及び対応するNORゲートを用いること
を理解できるであろう。
【0027】リセツトネツトワーク段25は互いにほと
んど同一であり、従つてただ1つのリセツトネツトワー
ク段25だけを以下に詳述する。例えば第11番目〜第
18番目の比較ラツチ回路段40に対応するリセツトネ
ツトワーク段25の一実施例を図6に示す。図示のよう
に第1のNFET Tは論理マクロ回路の第1のゼロ
検出回路50(図5)からの出力によつてゲート「G」
を制御される。NFETTのドレイン「D」は出力ラ
ツチ回路20のリセツト入力端「R」に接続され、その
ソース「S」は並列に接続されたNFET対に含まれた
8つの第1のNFETのドレイン「D」に結合されてい
る。並列NFET対のうち第1のNFETの各ソース
「S」は第2のNFETのドレイン「D」に結合されて
いる。並列NFET対の第2のNFETの各ソース
「S」は接地に結合されている。各NFET対の第2の
NFETはゲート「G」に第11番目〜第18番目の比
較ラツチ回路段40のラツチ出力の1つの出力を受け
る。各NFET対の第1のNFETはそのゲート「G」
に各対の第2のNFETに受けたラツチ出力を送出した
比較ラツチ回路段40と予め組み合された関係にある遅
延段からパルス信号を受ける。例えば第2のNFETを
ゲートする比較ラツチ回路段40が第N番目である場
合、Ton及びToffデユーテイ期間が等しい出力ク
ロツク信号を発生するために第1のNFETをゲートす
るパルス信号は第N/2番目の遅延段から出力されなけ
ればならず、この場合Nは第1番目〜第18番目の比較
ラツチ回路段の段番号のうちの1つと等しい。第N/2
番目のパルス信号はデイジタルクロツク信号波形整形ネ
ツトワーク10を介して次の外部クロツク信号が到来し
たときにネツトワーク25に与えられる。
【0028】かくして第1のNFET対の第1のNFE
Tは第5D番目の遅延段からのパルス信号によつて駆動
される。ここで、Dは遅延段1段分の遅延時間の半分の
遅延時間であることを示す。図2に示すように、パルス
発生回路14からのパルス信号出力は遅延段1段分の1
/2の遅延量だけさらに遅延される信号を発生するため
に用いられる。この構成はかかる遅延出力……(N−
6)D、(N−5)D……は、図2に示すように、適正
な遅延量をもつ2つのインバータ41を直列に接続し、
当該インバータ41への入力端を……第(N−6)番
目、第(N−5)番目……の遅延段の対応するパルス発
生回路14の出力端に結合することによつて容易に実現
される。かくして、図6に示すように、第11番目の比
較ラツチ回路段40からの比較ラツチ回路出力が第5D
番目の遅延段からのパルス信号と結合される。同様に第
12番目の比較ラツチ回路段40からのラツチ出力が第
6番目の遅延段からのパルス信号と結合され、第13番
目の比較ラツチ回路段40からのラツチ出力が第6D番
目の遅延段からのパルス信号と結合され、第14番目の
比較ラツチ回路段40からのラツチ出力が第7番目の遅
延段からのパルス信号と結合され、第15番目の比較ラ
ツチ回路段40からのラツチ出力が第7D番目の遅延段
からのパルス信号と結合され、第16番目の比較ラツチ
回路段40からのラツチ出力が第8番目の遅延段からの
パルス信号と結合され、第17番目の比較ラツチ回路段
40からのラツチ出力が第8D番目の遅延段からのパル
ス信号と結合され、第18番目の比較ラツチ回路段40
からのラツチ出力が第9番目の遅延段からのパルス信号
と結合される。リセツトネツトワーク24の残りの各リ
セツトネツトワーク段25は同様に構成される。しかし
ながら当業者は、リセツトネツトワーク24の機能を達
成するために種々の構成を用いてもよいことを容易に理
解できるであろう。例えば出力ラツチ回路20のリセツ
ト入力端Rにおける容量負荷を低減する必要がある場合
には異なる段数をグループ化しても良い。
【0029】上述のようにリセツトネツトワーク24は
出力ラツチ回路20をリセツトする。リセツトネツトワ
ークの周囲の制御論理はチエーン内の反復パルスの位置
次第でラツチ回路の1グループだけをイネーブル状態に
する。例えばN段からのパルス信号が入力クロツク信号
と一致する場合、入力信号の周期は単位遅延段の遅延量
のN倍となる。従つて第N番目の比較ラツチ回路40が
セツトされ、当該ラツチ出力が、次回に第N/2番目の
遅延段から、出力ラツチ回路20のリセツト端にリセツ
トパルス信号を通過させる。第N番目の比較ラツチ回路
段40はその後第(N−3)番目の遅延段からのパルス
信号によつてリセツトされ、これにより入力クロツク信
号のその後のリセツトパルスの発生動作を得ることがで
きるようにする。
【0030】非対称出力信号が必要な場合、すなわち出
力ラツチ回路20のリセツトをクロツク周期の中央点以
外の点で生じさせたい場合、各第N番目のパルス信号は
異なる比例信号、例えば第N/3番目の遅延段又は第N
/4番目の遅延段からのパルス信号と結合される。この
ように、パルス信号は遅延段の遅延量の割合で出力クロ
ツクを偏移するように選択される。
【0031】図5において入力クロツク信号の周波数が
予想した周波数より低い場合又はインバータの遅延が予
想よりも速い場合、信号の一致は得られない。この場合
最後の段の後の次の段が反復され、出力ラツチ回路20
のリセツト入力が第(NMAX+1)/2番目の遅延段
からのパルス信号をゲートするようになされている。こ
の機能はグループ化された各制御論理段(すなわち第1
のゼロ検出回路50並びにNORゲート52、54、5
6、58、60及び62)からゼロ検出回路70の入力
端に出力を送出することによつて達成される。すべての
ゼロ検出回路50の出力は反転されずにゼロ検出回路7
0に与えられることにより、当該入力のすべてが論理
「0」レベルであるときはいつでも論理レベル「1」の
信号を出力する状態になる。この状態にあるときは、リ
セツトネツトワーク段25はどれもイネーブルされな
い。
【0032】ゼロ検出回路70の出力は直列に接続され
た2つのNFET T10及びT11の第1のNFET
10のゲート「G」に与えられる。NFET T
10のソース「S」は接地に接続され、ドレイン「D」
はNFET T11のソース「S」に接続される。NF
ET T11はパルス発生回路段(NMAX=66段と
仮定する)の34番目のパルス発生回路段からのパルス
信号出力をそのゲート「G」において受け、ドレイン
「D」は出力ラツチ回路20のリセツト入力端に結合さ
れる。かくして入力信号の反復が全く生じないとき、ゼ
ロ検出回路70はNFET T10を動作させることに
よりその後第34番目の遅延段からパルス信号が発生し
た時、当該パルス信号によつて出力ラツチ回路20をリ
セツトさせる。信号の一致がない場合この技術を用いて
もTON期間はTOFF時間より短くなることが分か
る。しかしながらこれらの条件の下においては当該チツ
プを適正に動作させるのに十分な速度であるので、この
ことが重要であるとは考えられていない。デイジタルク
ロツク信号波形整形ネツトワーク10を介する遅延は入
力される外部クロツク信号の予想された周波数に基づい
て選択される。
【0033】上述の通り本発明をその最適な実施例に基
づいて図示、説明したが、本発明の精神及び範囲から脱
することなく詳細構成の双方について種々の変更を加え
てもよい。
【0034】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、プロセス
が独立し、かつ対称クロツク信号出力又は非対称クロツ
ク信号出力のいずれかを発生するように構成され得るク
ロツク信号波形整形ネツトワークを提供する。さらにデ
イジタルクロツク信号波形整形ネツトワークからのクロ
ツク出力の誤差を、パルス発生回路に用いられるパルス
発生回路段の数を調整することによつて非常に小さくで
きる。このクロツク発生回路はすべてデイジタル回路に
よつて構成され、アナログ構成部又は外部構成部を全く
必要としない。好適な実施例においてこのパルス発生回
路はTON及びTOFFデユーテイサイクル期間の誤差
が非常に大きい1倍周波数の外部クロツクを受けて、当
該TON及びTOFFデユーテイサイクル期間と等しく
かつ同一の周波数の内部クロツクを発生することができ
る。このパルス発生回路は広範囲で動作できる能力を有
し、所期の周波数より一段と高い周波数及び一段と低い
周波数でも動作できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明によるデイジタルクロツク信号波
形整形ネツトワークの一実施例を示すブロツク図であ
る。
【図2】図2は図1の実施例の遅延マクロ回路、パルス
発生回路及び比較ラツチ回路を詳細に示したブロツク図
である。
【図3】図3は入力外部クロツク信号を図2のパルス発
生回路から発生したパルス信号出力と比較したタイミン
グ図を示す。
【図4】図4は図2の比較ラツチ回路段の一実施例を示
す接続図である。
【図5】図5は図1の論理マクロ回路及びリセツトネツ
トワーク回路の一実施例を示すブロツク図である。
【図6】図5のリセツトネツトワーク段の一実施例を示
すブロツク図である。
【符号の説明】
10……デイジタルクロツク信号波形整形ネツトワー
ク、12……遅延マクロ回路、13、15、17、1
9、21、41……ライン、14……パルス発生回路、
14A……第1のパルス発生回路、16……比較ラツチ
回路、18、32、36、51……インバータ、20…
…セツトリセツト出力ラツチ回路、22……論理マクロ
回路、24……リセツトネツトワーク、25……リセツ
トネツトワーク段、26……バツフア回路、30……遅
延段、34……2入力NANDゲート、40……第1の
比較ラツチ回路段、50、70……ゼロ検出「ZD」回
路、52、54、56、58、60、62……NOR回
路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ブルース・アラン・カウフマン アメリカ合衆国、ベルモント州05465、 ジエリコウ、パツカード・ロード 16ビ ー番地

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ほぼ一定の周期及び可変のT on /T
    off デユーテイ比サイクルを有する入力クロツク信号
    を受けると共に、上記入力クロツク信号に応答するよう
    なプリセツトT on /T off デユーテイ比サイクルを
    有するクロツク信号を出力するデイジタルクロツク信号
    波形整形回路において、 上記入力クロツク信号を受けるように結合される入力端
    を有し、直列に接続された複数の遅延段を含み、上記各
    遅延段は、上記入力クロツク信号が当該遅延段を伝播し
    た時、それぞれ対応する遅延信号を出力する遅延回路
    と、 上記遅延回路の遅延出力の1つをそれぞれ受けかつ当該
    遅延出力に応答してパルス信号を出力するように結合さ
    れ、上記各パルス信号は上記入力クロツク信号の周期よ
    り十分に小さい持続期間を有し、上記パルス信号を順次
    出力する複数のパルス発生回路と、 上記プリセツトT on /T off デユーテイ比サイクル
    を有する上記クロツク信号を発生し、セツト入力端が上
    記複数のパルス発生回路から順次出力される上記パルス
    信号のうち第1のパルス信号を受けるように結合される
    ことによりクロツク信号の出力開始に応動して上記第1
    のパルス信号を受けるセツトリセツト出力ラツチ回路
    と、 上記入力クロツク信号及び上記複数のパルス発生回路か
    ら出力される上記パルス信号を入力信号として受けるよ
    うに結合され、リセツト信号を発生して上記セツトリセ
    ツト出力ラツチ回路のリセツト入力端に出力するリセツ
    ト論理回路を含み、上記リセツト信号は上記出力クロツ
    ク信号について上記プリセツトT on /T off デユー
    テイ比サイクルの時間を合せるリセツト論理回路と を具
    えることを特徴とするデイジタルクロツク信号波形整形
    回路。
  2. 【請求項2】上記プリセツトT on /T off デユーテ
    イ比サイクルをもつ上記出力クロツク信号の周波数は上
    記入力クロツク信号の周波数と等しい ことを特徴とする
    請求項1に記載のデイジタルクロツク信号波形整形回
    路。
  3. 【請求項3】上記出力されたクロツク信号のデユーテイ
    サイクルのT on 期間及びT off 期間が互いに等しい
    ことを特徴とする請求項2に記載のデイジタルクロツク
    信号波形整形回路。
  4. 【請求項4】上記出力されたクロツク信号のデユーテイ
    サイクルのT on 期間及びT off 期間が互いに異なる
    ことを特徴とする請求項2に記載のデイジタルクロツク
    信号波形整形回路。
  5. 【請求項5】上記出力されたクロツク信号の周波数が上
    記入力クロツク信号の倍数である ことを特徴とする請求
    項1に記載のデイジタルクロツク信号波形整形回路。
  6. 【請求項6】上記遅延回路は複数の縦続接続されたイン
    バータを含み、上記各インバータの出力端はインバータ
    の縦続接続されたインバータの列内の次のインバータの
    入力端に接続されている ことを特徴とする請求項1に記
    載のデイジタルクロツク信号波形整形回路。
  7. 【請求項7】上記遅延回路の上記各遅延段は第1のイン
    バータ及び第2のインバータを含み、上記第1のインバ
    ータの出力は上記第2のインバータの入力端に接続され
    ている ことを特徴とする請求項6に記載のデイジタルク
    ロツク信号波形整形回路。
  8. 【請求項8】上記各パルス発生回路は2つの入力NAN
    Dゲートを含み、上記NANDゲートの入力端は異なる
    遅延回路の遅延段から遅延信号を受けるように接続さ
    れ、上記受けた遅延信号間の時間遅れは上記パルス発生
    回路のパルス信号出力の期間を定義する ことを特徴とす
    る請求項1に記載のデイジタルクロツク信号波形整形回
    路。
  9. 【請求項9】上記リセツト論理回路は上記発生されたパ
    ルス信号を入力クロツク信号と比較して当該パルス信号
    の発生時点において入力クロツク信号を繰り返す ことを
    特徴とする請求項1に記載のデイジタルクロツク信号波
    形整形回路。
  10. 【請求項10】上記リセツト論理回路は制御論理回路を
    含み、上記制御論理回路は上記入力クロツク信号の繰返
    しを表わすようにセツトされた比較ラツチ回路を分離す
    る手段を含む ことを特徴とする請求項9に記載のデイシ
    ダルクロツク信号波形整形回路。
  11. 【請求項11】上記リセツト論理回路は、上記リセツト
    信号を上記セツトリセツトラツチ回路に出力することに
    より、上記分離された比較ラツチ回路の出力信号を用い
    て上記所望のT on /T off デユーテイ比サイクルを
    発生するリセツト回路を含む ことを特徴とする請求項1
    0に記載のデイジタルクロツク信号波形整形回路。
JP4155875A 1991-06-24 1992-05-23 デイジタルクロツク信号波形整形回路 Expired - Lifetime JP2549229B2 (ja)

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