JP2544438Y2 - チップ型温度可変固定減衰器 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本考案はチップ型温度可変固定減
衰器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】携帯型の通信機器の普及で小型化並びに
高性能化の要求がなされ、通信機器などには高性能のＣ
aＡs系の半導体素子を使用した増幅器が使用されてい
る。この半導体素子は、使用する周囲温度で出力が変わ
る性格を持ち、これを補正し機器を小型化し安定化する
温度可変減衰器が開発されている。

【０００３】しかしながら、従来の温度可変減衰器は、
一般には温度センサーを使用し数から十数点の電子部品
を用いて温度補償回路を形成し、半導体素子の温度特性
を補償し更に固定減衰機能を果たすか、入力電流を補償
する回路を形成し使用している。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このような方法では、数多くの部品を使用する為に、装
着する基板に占める割合も大きく複雑な回路設計を余儀
なくされ、軽量化,小型化を進めて省力化を図るには難
しく、そのため現状において使用部品数の減少が要求さ
れている。

【０００５】本考案は、このような現状に鑑み、温度補
償を行う温度可変減衰器を只一つの部品で構成し、容易
に基板に表面実装できる実用性に秀れたチップ型温度可
変固定減衰器を提供することを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】添付図面を参照して本考
案の要旨を説明する。

【０００７】方形基板１の表面に異なる性質を持つ二種
類の第１抵抗体2Aと第２抵抗体2Bとを互いに絶縁状態に
被膜形成し、この方形基板１の一側に第１電極3Aを形成
し、この他側の一端部に第２電極3B,他端部に第３電極3
Cを形成し、この第１電極3Aと第２電極3B,第１電極3Aと
第３電極3C並びに第２電極3Bと第３電極3Cとを、第１抵
抗体2A若しくは第２抵抗体2Bに接触させて電気的に接続
し、第２電極3Bと第１電極3Aとを入力端とし、第３電極
3Cと第１電極3Aとを出力端とするπ型若しくはＴ型など
の減衰回路を構成し、この第１抵抗体2Aを温度上昇に伴
い抵抗値が増大する温度正特性を有する抵抗膜とし、第
２抵抗体2Bを逆に温度上昇に伴い抵抗値が減少する温度
負特性を有する抵抗膜として前記減衰回路を温度補償回
路に構成し、この第１抵抗体2A,第２抵抗体2Bの被膜表
面上に保護コート４を被覆したことを特徴とするチップ
型温度可変固定減衰器に係るものである。

【０００８】方形基板１の表面に異なる性質を持つ二種
類の第１抵抗体2Aと第２抵抗体2Bとを互いに絶縁状態に
被膜形成し、この方形基板１の一側に第１電極3Aを形成
し、この他側の一端部に第２電極3B,他端部に第３電極3
Cを形成し、この第１電極3Aと第２電極3B及び第１電極3
Aと第３電極3Cとを夫々第１抵抗体2Aに接触させて電気
的に接続し、第２電極3Bと第３電極3Cとを第２抵抗体2B
に接触させて電気的に接続し、第２電極3Bと第１電極3A
とを入力端とし、第３電極3Cと第１電極3Aとを出力端と
するπ型減衰回路を構成し、この第１抵抗体2Aを温度上
昇に伴い抵抗値が増大する温度正特性を有する抵抗膜と
して前記π型減衰回路を温度補償回路に構成し、第２抵
抗体2Bを逆に温度上昇に伴い抵抗値が減少する温度負特
性を有する抵抗膜とし、この第１抵抗体2A,第２抵抗体2
Bの被膜表面上に保護コート４を被覆したことを特徴と
するチップ型温度可変固定減衰器に係るものである。

【０００９】請求項１記載又は請求項２記載の考案にお
いて、第１抵抗体2Aを温度正特性ではなく温度負特性を
有する抵抗膜とし、第２抵抗体2Bを温度負特性ではなく
温度正特性を有する抵抗膜としたことを特徴とするチッ
プ型温度可変固定減衰器に係るものである。

【００１０】正負逆の温度特性を有する電極間の第１抵
抗体2Aの抵抗温度係数と電極間の第２抵抗体2Bの抵抗温
度係数との絶対値を略等しく設定したことを特徴とする
請求項１又は請求項２又は請求項３記載のチップ型温度
可変固定減衰器に係るものである。

【００１１】

【作用】いずれの側を入力端とするか出力端とするかは
適宜変更できるが(入力,出力の表現は説明上の区別であ
って、機能上の差違はないとも言える)、例えば第２電
極3Bと第１電極3Aとを入力端,第３電極3Cと第１電極3A
とを出力端とすると、本装置は図３に示すようにπ型の
温度補償回路となる。

【００１２】入出力のインピーダンスは第１抵抗体2Aの
抵抗値により左右し、入出力間の抵抗は第２抵抗体2Bの
抵抗値により左右するため、例えば請求項１若しくは請
求項２記載の考案では第１抵抗体2Aは温度正特性を有
し、第２抵抗体2Bは温度負特性を有するため、アッティ
ネータとしてのマイナスゲイン(−Ａt)は、図４に示す
に温度上昇に伴って減少することとなる(アンプとして
の利得(Ａt)は温度上昇に伴なって上昇する。図４では
縦軸に−dbとって図示しているので、グラフはマイナス
ゲインとして下降している。)。

【００１３】また、逆に請求項３記載の考案のように第
１抵抗体2A,第２抵抗体2Bの温度特性を反対に設定すれ
ば、図４に示す点線のように利得(Ａt)の温度特性は逆
となり、温度上昇に伴なってマイナスゲイン(−Ａt)は
上昇する。

【００１４】従って、図４の実線で示すように利得の温
度特性が正特性を示す請求項１又は請求項２記載の考案
に係るチップ型温度可変固定減衰器(本器)を、図５に示
すようにアンプ５に接続すると次のように作用する。

【００１５】アンプ５は前述のように例えば高性能のＣ
aＡs系の半導体素子が使用されているとすると、図５に
示すようにその利得Ｇ'は温度上昇に伴なって減少す
る。

【００１６】一方、本器の利得Ａtは、図４で説明した
ように温度上昇に伴なって上昇する(図４では縦軸を−d
Ｂにとっているが、図５では＋dＢにとっているため、
Ａtのグラフは上昇する。)。

【００１７】従って、トータルゲインＧは、図５に示す
ようにこの本器の利得Ａtの温度負特性によって補償さ
れ、温度変化によって変動しない利得(トータルゲイン)
Ｇを得ることができるようになる。

【００１８】また、同様にして仮にアンプの温度特性が
正特性の場合には、温度負特性を有する請求項３記載の
本器を接続することで補償でき、トータルゲインＧが温
度変化に対して同様に変動しないように安定化できるこ
ととなる。

【００１９】尚、本装置は方形基板１上に減衰回路が構
成され、例えば請求項２記載の考案のように各電極3A,3
B,3Cを抵抗体2A,2Bで接続すれば、図３に示すようなπ
型減衰回路が構成される。

【００２０】このようなπ型減衰回路においては、入力
から出力に伝わる電力量電力量の減衰量を減衰器の減衰
量として表され、出力側に目的とするインピーダンスの
回路を接続したときに入力側で測定した抵抗値が減衰器
を接続したインピーダンスとなるが、入力から見たイン
ピーダンスは減衰器の接続有無に係わらず出力のインピ
ーダンスと同じになることが理想でこの値が減衰器を接
続したことにより変化すると回路に反射が起こり特性を
悪くする。従って、減衰器は出力のインピーダンスが入
力から見たインピーダンスと等しくなるように設計され
る(例えば出力が５０Ωの場合、減衰器を接続して入力
から見たときに５０Ωになるようにする。)。

【００２１】また、温度可変減衰器の特性としては図３
の第２抵抗体2Bの変化だけでも減衰量変化を得ることは
可能であるが、第２抵抗体2Bだけが変化すると抵抗バラ
ンスが崩れ回路インピーダンスが変化する。例えば第２
抵抗体2Bの温度特性が負であると温度上昇に伴い減衰量
の低下と共にインピーダンスの低下が同時に起こる。こ
れを回避するためには、第１抵抗体2Aの抵抗値を上げる
ための正の温度特性を有する第１抵抗体2Aが必要とな
る。また、インピーダンスの変化は動作時の減衰量を変
動させることになるため、目的の温度変化に対する減衰
量変化が得られにくくなる。従って、正負逆の温度特性
を有する電極間の第１抵抗体2Aの抵抗温度係数と電極間
の第２抵抗体2Bの抵抗温度係数の絶対値を略等しく設定
したとすれば、温度変化によるインピーダンス変化を小
さく押さえることが可能となり、減衰量だけが温度に依
存する特性が達成される。また、インピーダンス変化を
押さえることにより、使用時のインピーダンス不平衡に
よる減衰量変動も押さえることが可能となり、目的の減
衰量変化を得やすくなる。

【００２２】

【実施例】本実施例は、請求項２記載の考案に属するπ
型温度補償回路に構成されるもので、以下の手順により
作成する。

【００２３】(1)熱伝導性、機械強度にすぐれたセラミ
ック製の方形基板１の上面に温度正特性の第１抵抗体2A
を多層金属薄膜として蒸着する。

【００２４】(2)更に電極を形成する銅を主体とする多
元合金を全面に蒸着する。

【００２５】(3)この銅主体膜を電極に使用するため、
不必要な部品をエッチングにより取り除く。

【００２６】(4)(3)のエッチングにより露出した金属薄
膜の第１抵抗体2Aをエッチングにより所定の減衰量,特
性インピーダンスを持ったパターン形状に形成する。

【００２７】(5)(4)を洗浄し特殊雰囲気炉で乾燥,枯化
する。

【００２８】(6)あらかじめ調合された合金インクを使
用して(5)の上に所定の減衰量,特性インピーダンスをも
った形状にマスクを使用し印刷した後、特殊雰囲気炉で
比較的低温度で焼成して温度負特性の第２抵抗体2Bを形
成し、更にレーザにより特殊トリミング補正を行って、
例えば本実施例のようなπ型やその他これと等価的に作
用するＴ形やＨ形などの減衰器に形成する。

【００２９】(7)露出した後薄膜の第１,第２抵抗体2A,2
Bの表面に耐湿性に富み、高温,高絶縁性に優れた保護コ
ート４を被覆する。

【００３０】(8)以上のように形成した方形基板１を例
えば角板チップ抵抗器の基準規格となる形状にカッティ
ングし自動機に装着できるようにする。

【００３１】(9)このカッティング端面の所定の位置に
銅主体合金を上面と側面と下面にまたがるようにして蒸
着して第１電極3A,第２電極3B,第３電極3Cを形成する。
(10)第１電極3A,第２電極3B,第３電極3Cの表面に表面実
装が確実となるように半田を被覆する。

【００３２】

【考案の効果】本考案は、上述のように構成したから、
極めて小型で製作が容易であり、量産性に適したチップ
型温度可変減衰器となり、しかもチップ抵抗器の表面実
装技術を利用して極めて簡単に表面実装することがで
き、実施例のように上面と側面と下面にまたがるコ状に
電極に形成することができ、そのため信頼性が高まり、
また表裏の区別なく実装することが可能な実用性に極め
て優れ、周囲温度に関係なく安定した出力を可能な温度
可変固定減衰器となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施例の概略構成斜視図である。

【図２】本実施例の概略構成平面図である。

【図３】本実施例の等価回路図である。

【図４】本実施例のマイナスゲインを示す特性グラフで
ある。

【図５】本実施例の利得の温度補償を示す作動説明用の
特性グラフである。

【符号の説明】

１ 方形基板 ４ 保護コート 2A 第１抵抗体 2B 第２抵抗体 3A 第１電極 3B 第２電極 3C 第３電極

フロントページの続き (72)考案者 中尾 正人 長野県上伊那郡箕輪町大字中箕輪12229 番地 新星電子株式会社内

Claims (4)

(57)【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 方形基板の表面に異なる性質を持つ二種
   類の第１抵抗体と第２抵抗体とを互いに絶縁状態に被膜
   形成し、この方形基板の一側に第１電極を形成し、この
   他側の一端部に第２電極,他端部に第３電極を形成し、
   この第１電極と第２電極,第１電極と第３電極並びに第
   ２電極と第３電極とを、第１抵抗体若しくは第２抵抗体
   に接触させて電気的に接続し、第２電極と第１電極とを
   入力端とし、第３電極と第１電極とを出力端とするπ型
   若しくはＴ型などの減衰回路を構成し、この第１抵抗体
   を温度上昇に伴い抵抗値が増大する温度正特性を有する
   抵抗膜とし、第２抵抗体を逆に温度上昇に伴い抵抗値が
   減少する温度負特性を有する抵抗膜として前記減衰回路
   を温度補償回路に構成し、この第１抵抗体,第２抵抗体
   の被膜表面上に保護コートを被覆したことを特徴とする
   チップ型温度可変固定減衰器。
2. 【請求項２】 方形基板の表面に異なる性質を持つ二種
   類の第１抵抗体と第２抵抗体とを互いに絶縁状態に被膜
   形成し、この方形基板の一側に第１電極を形成し、この
   他側の一端部に第２電極,他端部に第３電極を形成し、
   この第１電極と第２電極及び第１電極と第３電極とを夫
   々第１抵抗体に接触させて電気的に接続し、第２電極と
   第３電極とを第２抵抗体に接触させて電気的に接続し、
   第２電極と第１電極とを入力端とし、第３電極と第１電
   極とを出力端とするπ型減衰回路を構成し、この第１抵
   抗体を温度上昇に伴い抵抗値が増大する温度正特性を有
   する抵抗膜として前記π型減衰回路を温度補償回路に構
   成し、第２抵抗体を逆に温度上昇に伴い抵抗値が減少す
   る温度負特性を有する抵抗膜とし、この第１抵抗体,第
   ２抵抗体の被膜表面上に保護コートを被覆したことを特
   徴とするチップ型温度可変固定減衰器。
3. 【請求項３】 請求項１記載又は請求項２記載の考案に
   おいて、第１抵抗体を温度正特性ではなく温度負特性を
   有する抵抗膜とし、第２抵抗体を温度負特性ではなく温
   度正特性を有する抵抗膜としたことを特徴とするチップ
   型温度可変固定減衰器。
4. 【請求項４】 正負逆の温度特性を有する電極間の第１
   抵抗体の抵抗温度係数と電極間の第２抵抗体の抵抗温度
   係数との絶対値を略等しく設定したことを特徴とする請
   求項１又は請求項２又は請求項３記載のチップ型温度可
   変固定減衰器。