JP2533535B2 - 光ディスク装置 - Google Patents
光ディスク装置Info
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- JP2533535B2 JP2533535B2 JP10640787A JP10640787A JP2533535B2 JP 2533535 B2 JP2533535 B2 JP 2533535B2 JP 10640787 A JP10640787 A JP 10640787A JP 10640787 A JP10640787 A JP 10640787A JP 2533535 B2 JP2533535 B2 JP 2533535B2
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- optical disk
- disk device
- signal
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、光出力を強度変調できる半導体レーザ駆
動回路を用いた光デイスク装置に関し、特に大出力状態
が所定時間以上継続したときに自動的に半導体レーザ及
び光ディスク等を保護する光ディスク装置に関するもの
である。
動回路を用いた光デイスク装置に関し、特に大出力状態
が所定時間以上継続したときに自動的に半導体レーザ及
び光ディスク等を保護する光ディスク装置に関するもの
である。
［従来の技術］ 一般に、情報の記録再生を行う光ディスク装置、情報
の送信を行う光通信装置、情報の印字を行うレーザプリ
ンタ等には、光源として半導体レーザ即ちレーザダイオ
ードが用いられている。この種の装置においては、ディ
ジタル論理値を有する変調信号に従ってレーザダイオー
ドの光出力を例えば強弱の２段階に変調し、情報の有無
を表している。
の送信を行う光通信装置、情報の印字を行うレーザプリ
ンタ等には、光源として半導体レーザ即ちレーザダイオ
ードが用いられている。この種の装置においては、ディ
ジタル論理値を有する変調信号に従ってレーザダイオー
ドの光出力を例えば強弱の２段階に変調し、情報の有無
を表している。
第６図は、例えば特開昭54−90982号公報に記載され
た、従来の光デイスク装置要部を示すブロック図であ
る。図において、（１）は小出力電流i1を供給する小出
力電流供給回路、（２）は大出力電流i2を供給する大出
力電流供給回路、（３）は大出力電流i2を選択的に有効
にするスイッチ、（４）は各電流供給回路（１）及び
（２）からの駆動電流iLが供給されるレーザダイオード
である。（５）はディジタル論理値「１」又は「０」を
有する変調信号Ｄが入力される入力端子であり、変調信
号Ｄはスイッチ（３）を開閉している。
た、従来の光デイスク装置要部を示すブロック図であ
る。図において、（１）は小出力電流i1を供給する小出
力電流供給回路、（２）は大出力電流i2を供給する大出
力電流供給回路、（３）は大出力電流i2を選択的に有効
にするスイッチ、（４）は各電流供給回路（１）及び
（２）からの駆動電流iLが供給されるレーザダイオード
である。（５）はディジタル論理値「１」又は「０」を
有する変調信号Ｄが入力される入力端子であり、変調信
号Ｄはスイッチ（３）を開閉している。
次に、第７図の波形図を参照しながら、第６図に示し
た従来の光デイスク装置の動作について説明する。
た従来の光デイスク装置の動作について説明する。
スイッチ（３）は、変調信号Ｄが「１」のときに閉成
し、変調信号Ｄが「０」のとき開放するので、変調信号
Ｄが「０」から「１」になると、レーザダイオード
（４）に供給される駆動電流iLは、小出力電流i1から小
出力電流i1及び大出力電流i2との和電流i1＋i2に増大す
る。即ち、レーザダイオード（４）から出射される光出
力PLは、第７図に示すように、変調信号Ｄに応じて小出
力P1及び大出力P2の２段階に強度変調される。
し、変調信号Ｄが「０」のとき開放するので、変調信号
Ｄが「０」から「１」になると、レーザダイオード
（４）に供給される駆動電流iLは、小出力電流i1から小
出力電流i1及び大出力電流i2との和電流i1＋i2に増大す
る。即ち、レーザダイオード（４）から出射される光出
力PLは、第７図に示すように、変調信号Ｄに応じて小出
力P1及び大出力P2の２段階に強度変調される。
従って、変調信号Ｄが「１」の間は、光出力PLも大出
力P2のまま継続されることになる。
力P2のまま継続されることになる。
［発明が解決しようとする問題点］ 従来の光デイスク装置は以上のように、変調信号Ｄが
大出力駆動状態「１」を続けても、その継続時間に関係
なくレーザダイオード（４）は大出力P2を発光し続ける
ので、故障などにより変調信号Ｄが異常に長時間に亘っ
て「１」の論理値を継続した場合、次のような問題点が
あった。
大出力駆動状態「１」を続けても、その継続時間に関係
なくレーザダイオード（４）は大出力P2を発光し続ける
ので、故障などにより変調信号Ｄが異常に長時間に亘っ
て「１」の論理値を継続した場合、次のような問題点が
あった。
１）レーザダイオード（４）を大出力P2で長時間連続し
て発光させると特性及び寿命の劣化を招く。
て発光させると特性及び寿命の劣化を招く。
２）この種の半導体レーザ駆動回路が組込まれる光デイ
スク装置の特性上、光出力PLが大出力P2のときに光ディ
スク上に情報が記録されるので、既に記録された情報を
破壊する等の致命的な誤動作を招く。
スク装置の特性上、光出力PLが大出力P2のときに光ディ
スク上に情報が記録されるので、既に記録された情報を
破壊する等の致命的な誤動作を招く。
この発明は上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、変調信号が異常な長時間に亘って「１」の
論理値をとっても、レーザダイオード及び光ディスクな
どの劣化を生じさせない光デイスク装置を得ることを目
的とする。
れたもので、変調信号が異常な長時間に亘って「１」の
論理値をとっても、レーザダイオード及び光ディスクな
どの劣化を生じさせない光デイスク装置を得ることを目
的とする。
［問題点を解決するための手段］ この発明に係る光デイスク装置は、変調信号の論理値
が半導体レーザの大出力駆動時の値を継続する継続時間
を測定し、継続時間が所定時間以上連続した場合に異常
信号を発生する異常検知回路と、異常信号に基づいて半
導体レーザの大出力での駆動を制限する保護手段とを設
けたものである。
が半導体レーザの大出力駆動時の値を継続する継続時間
を測定し、継続時間が所定時間以上連続した場合に異常
信号を発生する異常検知回路と、異常信号に基づいて半
導体レーザの大出力での駆動を制限する保護手段とを設
けたものである。
［作用］ この発明においては、レーザダイオードが所定時間以
上継続して大出力で発光した場合は、レーザダイオード
の光出力を小出力又は消灯状態に切換える。
上継続して大出力で発光した場合は、レーザダイオード
の光出力を小出力又は消灯状態に切換える。
［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第
１図はこの発明の一実施例要部を示すブロック図であ
り、（１）〜（５）、i1、i2、iL、PL及びＤは前述と同
様のものである。
１図はこの発明の一実施例要部を示すブロック図であ
り、（１）〜（５）、i1、i2、iL、PL及びＤは前述と同
様のものである。
（６）は変調信号Ｄが入力される異常検知回路であ
り、変調信号Ｄが「１」の論理値を異常に長時間継続し
たときに異常信号Ｅ（＝「１」）を出力するようになっ
ている。
り、変調信号Ｄが「１」の論理値を異常に長時間継続し
たときに異常信号Ｅ（＝「１」）を出力するようになっ
ている。
（７）は入力端子（５）とスイッチ（３）との間に挿
入されたマスク回路であり、異常信号Ｅの否定論理と変
調信号Ｄとの論理積からなる論理信号DEを出力してお
り、異常信号Ｅの発生時にレーザダイオード（４）の大
出力P2による駆動を停止する保護手段を構成している。
入されたマスク回路であり、異常信号Ｅの否定論理と変
調信号Ｄとの論理積からなる論理信号DEを出力してお
り、異常信号Ｅの発生時にレーザダイオード（４）の大
出力P2による駆動を停止する保護手段を構成している。
第２図は異常検知回路（６）及びマスク回路（７）の
構成を示す回路図である。
構成を示す回路図である。
図において、（８）は一端が接地された容量値Ｃのコ
ンデンサ、（９）は入力端子（５）とコンデンサ（８）
の他端との間に接続された抵抗値R9の抵抗器、（10）は
抵抗器（９）に並列接続された抵抗値R10の抵抗器、（1
1）は抵抗器（10）に直列接続されたダイオードであ
る。
ンデンサ、（９）は入力端子（５）とコンデンサ（８）
の他端との間に接続された抵抗値R9の抵抗器、（10）は
抵抗器（９）に並列接続された抵抗値R10の抵抗器、（1
1）は抵抗器（10）に直列接続されたダイオードであ
る。
ここで、抵抗値R9は抵抗値R10より十分大きく、コン
デンサ（８）及び抵抗器（９）は一次遅れ時定数がCR9
の充電時定数回路（12）を構成し、コンデンサ（８）、
抵抗器（10）及びダイオード（11）は一次遅れ時定数が
CR10（＜CR9）の放電時定数回路を構成している。
デンサ（８）及び抵抗器（９）は一次遅れ時定数がCR9
の充電時定数回路（12）を構成し、コンデンサ（８）、
抵抗器（10）及びダイオード（11）は一次遅れ時定数が
CR10（＜CR9）の放電時定数回路を構成している。
（12）は基準電圧V12を発生する定電圧源、（13）は
充電時定数回路及び放電時定数回路の接続点の比較端子
電圧V8と基準電圧V12とを比較するコンパレータであ
る。
充電時定数回路及び放電時定数回路の接続点の比較端子
電圧V8と基準電圧V12とを比較するコンパレータであ
る。
（14）は異常信号Ｅを反転するインバータ回路、（1
5）は異常信号Ｅの否定論理と変調信号Ｄとの論理積を
とるアンド回路である。
5）は異常信号Ｅの否定論理と変調信号Ｄとの論理積を
とるアンド回路である。
次に、第３図の波形図を参照しながら、第１図及び第
２図に示したこの発明の一実施例の動作について説明す
る。
２図に示したこの発明の一実施例の動作について説明す
る。
比較端子電圧V8は、変調信号Ｄが「１」の間はコンデ
ンサ（８）の充電により時定数CR9に従って上昇し、変
調信号Ｄが「０」の間はコンデンサ（８）の放電により
時定数CR10に従って下降する。
ンサ（８）の充電により時定数CR9に従って上昇し、変
調信号Ｄが「０」の間はコンデンサ（８）の放電により
時定数CR10に従って下降する。
従って、変調信号Ｄが正常状態であれば、比較端子電
圧V8が基準電圧V12に到達せず、コンパレータ（13）の
出力が常に「０」となり、異常信号Ｅは出力されない。
このとき、異常信号Ｅの否定論理が「１」となり、アン
ド回路（15）からは変調信号Ｄがそのまま論理信号DEと
して出力される。そして、レーザダイオード（４）の光
出力PLは、変調信号Ｄに従って小出力P1及び大出力P2の
２段階で強度変調される。
圧V8が基準電圧V12に到達せず、コンパレータ（13）の
出力が常に「０」となり、異常信号Ｅは出力されない。
このとき、異常信号Ｅの否定論理が「１」となり、アン
ド回路（15）からは変調信号Ｄがそのまま論理信号DEと
して出力される。そして、レーザダイオード（４）の光
出力PLは、変調信号Ｄに従って小出力P1及び大出力P2の
２段階で強度変調される。
一方、故障などにより変調信号Ｄが異常となり、論理
値「１」の状態が所定時間Ｔ以上継続すると、比較端子
電圧V8は時定数CR9に従って上昇し続け、基準電圧V12に
到達する。このときの所定時間Ｔは、定電圧源（12）の
基準電圧V12によって任意に設定されている。
値「１」の状態が所定時間Ｔ以上継続すると、比較端子
電圧V8は時定数CR9に従って上昇し続け、基準電圧V12に
到達する。このときの所定時間Ｔは、定電圧源（12）の
基準電圧V12によって任意に設定されている。
比較端子電圧V8が基準電圧V12に到達すると、コンパ
レータ（13）の出力が「１」となり、異常検知回路
（６）から異常信号Ｅが発生する。この異常信号Ｅは、
外部回路（図示せず）に入力されて異常発生の表示に用
いられると共に、マスク回路（７）に入力される。そし
て、インバータ回路（14）により反転されて「０」とな
り、アンド回路（15）を遮断して論理信号DEを「０」に
する。
レータ（13）の出力が「１」となり、異常検知回路
（６）から異常信号Ｅが発生する。この異常信号Ｅは、
外部回路（図示せず）に入力されて異常発生の表示に用
いられると共に、マスク回路（７）に入力される。そし
て、インバータ回路（14）により反転されて「０」とな
り、アンド回路（15）を遮断して論理信号DEを「０」に
する。
この結果、スイッチ（３）が開放されて大電流i2がレ
ーザダイオード（４）に供給されなくなり、光出力P
Lは、小電流i1による小出力P1に切換えられる。従っ
て、変調信号Ｄが「１」の状態が所定時間Ｔだけ経過し
た時点で、レーザダイオード（４）の大出力P2による駆
動は停止する。
ーザダイオード（４）に供給されなくなり、光出力P
Lは、小電流i1による小出力P1に切換えられる。従っ
て、変調信号Ｄが「１」の状態が所定時間Ｔだけ経過し
た時点で、レーザダイオード（４）の大出力P2による駆
動は停止する。
一般に、半導体レーザによって光デイスク上に情報を
記録する光ディスク装置において、変調信号Ｄが連続的
に「１」となるような方式は採用されていないので、変
調信号Ｄが「１」となる期間に所定時間Ｔに基づく上限
を設けても何ら支障はない。
記録する光ディスク装置において、変調信号Ｄが連続的
に「１」となるような方式は採用されていないので、変
調信号Ｄが「１」となる期間に所定時間Ｔに基づく上限
を設けても何ら支障はない。
尚、上記実施例では、保護手段としてマスク回路
（７）を用い、異常信号Ｅの発生時に大電流i2の供給を
禁止するようにしたが、異常信号Ｅによりレーザダイオ
ード（４）の両端を短絡し、レーザダイオード（４）を
消灯するようにしてもよい。
（７）を用い、異常信号Ｅの発生時に大電流i2の供給を
禁止するようにしたが、異常信号Ｅによりレーザダイオ
ード（４）の両端を短絡し、レーザダイオード（４）を
消灯するようにしてもよい。
第４図は、保護手段として短絡回路を用いた場合の一
例を示すブロック図である。図において、（16）は短絡
回路を構成するエミッタ接地のトランジスタであり、レ
ーザダイオード（４）に供給される駆動電流iLがコレク
タに入力され、異常信号Ｅがベースに入力されている。
例を示すブロック図である。図において、（16）は短絡
回路を構成するエミッタ接地のトランジスタであり、レ
ーザダイオード（４）に供給される駆動電流iLがコレク
タに入力され、異常信号Ｅがベースに入力されている。
第４図の構成によれば、異常検知回路（６）から異常
信号Ｅが発生すると、トランジスタ（16）がオンとな
り、駆動電流iLが短絡電流i16となって流れるため、第
５図に示すように光出力PLが「０」となり、レーザダイ
オード（４）は消灯する。
信号Ｅが発生すると、トランジスタ（16）がオンとな
り、駆動電流iLが短絡電流i16となって流れるため、第
５図に示すように光出力PLが「０」となり、レーザダイ
オード（４）は消灯する。
［発明の効果］ 以上のようにこの発明によれば、「０」又は「１」の
２値のディジタル論理値を有する変調信号に従って光出
力が強度変調される半導体レーザを備え、半導体レーザ
によって光デイスク上に情報の記録を行う光デイスク装
置において、変調信号の論理値が半導体レーザの大出力
駆動時の値を継続する継続時間を測定し、継続時間が所
定時間以上連続した場合に異常信号を発生する異常検知
回路と、異常信号に基づいて半導体レーザの大出力での
駆動を制限する保護手段とを設け、所定時間連続して大
出力で駆動された時点で、レーザダイオードの光出力を
小出力又は消灯状態に切換えるようにしたので、変調信
号に異常が発生してもレーザダイオード及び光ディスク
等の寿命を損なうことなく、信頼性の高い光デイスク装
置が得られる効果がある。
２値のディジタル論理値を有する変調信号に従って光出
力が強度変調される半導体レーザを備え、半導体レーザ
によって光デイスク上に情報の記録を行う光デイスク装
置において、変調信号の論理値が半導体レーザの大出力
駆動時の値を継続する継続時間を測定し、継続時間が所
定時間以上連続した場合に異常信号を発生する異常検知
回路と、異常信号に基づいて半導体レーザの大出力での
駆動を制限する保護手段とを設け、所定時間連続して大
出力で駆動された時点で、レーザダイオードの光出力を
小出力又は消灯状態に切換えるようにしたので、変調信
号に異常が発生してもレーザダイオード及び光ディスク
等の寿命を損なうことなく、信頼性の高い光デイスク装
置が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例要部を示すブロック図、第
２図は第１図内の要部を示す回路図、第３図は第１図の
動作を説明するための波形図、第４図はこの発明の他の
実施例を示すブロック図、第５図は第４図の動作を説明
するための波形図、第６図は従来の光デイスク装置要部
を示すブロック図、第７図は第６図の動作を説明するた
めの波形図である。 （４）……レーザダイオード （６）……異常検知回路、（７）……マスク回路 （８）……コンデンサ、（９）、（10）……抵抗器 （12）……定電圧源、（13）……コンパレータ （14）……インバータ回路、（15）……アンド回路 （16）……トランジスタ、Ｄ……変調信号 Ｅ……異常信号、PL……光出力 P2……大出力、iL……駆動電流 V12……基準電圧、Ｔ……所定時間 尚、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
２図は第１図内の要部を示す回路図、第３図は第１図の
動作を説明するための波形図、第４図はこの発明の他の
実施例を示すブロック図、第５図は第４図の動作を説明
するための波形図、第６図は従来の光デイスク装置要部
を示すブロック図、第７図は第６図の動作を説明するた
めの波形図である。 （４）……レーザダイオード （６）……異常検知回路、（７）……マスク回路 （８）……コンデンサ、（９）、（10）……抵抗器 （12）……定電圧源、（13）……コンパレータ （14）……インバータ回路、（15）……アンド回路 （16）……トランジスタ、Ｄ……変調信号 Ｅ……異常信号、PL……光出力 P2……大出力、iL……駆動電流 V12……基準電圧、Ｔ……所定時間 尚、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (6)
- 【請求項１】「０」又は「１」の２値のディジタル論理
値を有する変調信号に従って光出力が強度変調される半
導体レーザを備え、前記半導体レーザによって光デイス
ク上に情報の記録を行う光デイスク装置において、 前記変調信号の論理値が前記半導体レーザの大出力駆動
時の値を継続する継続時間を測定し、前記継続時間が所
定時間以上連続した場合に異常信号を発生する異常検知
回路と、 前記異常信号に基づいて前記半導体レーザの大出力での
駆動を制限する保護手段とを備えたことを特徴とする光
デイスク装置。 - 【請求項２】前記異常検知回路は、 前記変調信号により充放電される充電時定数回路及び放
電時定数回路と、 基準電圧を発生する定電圧源と、 前記充電時定数回路及び前記放電時定数回路の接続点の
比較端子電圧と前記基準電圧とを比較するコンパレータ
と からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光デイスク装置。 - 【請求項３】前記保護手段は、大出力駆動用の変調信号
を遮断するマスク回路であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項又は第２項記載の光デイスク装置。 - 【請求項４】前記マスク回路は、前記異常信号を反転す
るインバータ回路と、このインバータ回路の出力信号と
前記異常信号とが入力されるアンド回路とからなること
を特徴とする特許請求の範囲第３項記載の光デイスク装
置。 - 【請求項５】前記保護手段は、前記半導体レーザの両端
を短絡する短絡回路であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項又は第２項記載の光デイスク装置。 - 【請求項６】前記短絡回路は、前記半導体レーザに供給
される駆動電流がコレクタに入力され、前記異常信号が
ベースに入力されるエミッタ接地のトランジスタである
ことを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の光デイス
ク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10640787A JP2533535B2 (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 光ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10640787A JP2533535B2 (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 光ディスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63273375A JPS63273375A (ja) | 1988-11-10 |
| JP2533535B2 true JP2533535B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=14432824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10640787A Expired - Fee Related JP2533535B2 (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 光ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2533535B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2546080B2 (ja) * | 1991-05-10 | 1996-10-23 | 富士通株式会社 | 半導体レーザー制御装置 |
| KR100464403B1 (ko) * | 2001-07-20 | 2005-01-03 | 삼성전자주식회사 | 광디스크 기록/재생 장치의 이상 상태 검출 장치 |
| JP2010080621A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Seiko Epson Corp | 光源装置、映像表示装置および発光素子の駆動方法 |
| US9748734B1 (en) * | 2016-07-06 | 2017-08-29 | Raytheon Company | Apparatus and method for driving laser diode arrays with high-power pulsed currents using low-side linear drive with laser diode array protection and power efficiency monitoring and adjustment |
-
1987
- 1987-05-01 JP JP10640787A patent/JP2533535B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63273375A (ja) | 1988-11-10 |
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