JP2530881Y2 - 半導体装置のリードフレーム - Google Patents
半導体装置のリードフレームInfo
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- JP2530881Y2 JP2530881Y2 JP11689990U JP11689990U JP2530881Y2 JP 2530881 Y2 JP2530881 Y2 JP 2530881Y2 JP 11689990 U JP11689990 U JP 11689990U JP 11689990 U JP11689990 U JP 11689990U JP 2530881 Y2 JP2530881 Y2 JP 2530881Y2
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- Japan
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- solder
- lead
- semiconductor device
- leads
- lead frame
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この考案は、IC（半導体集積回路）等の半導体装置の
リードフレームに関する。
リードフレームに関する。
「従来の技術」 ICなどの半導体装置の実装において、信頼性が高く、
コストのかからない実装方法が望まれている。しかし、
近年の半導体集積回路の大規模化に応じ、それを搭載す
るICパッケージの多ピン化および狭ピッチ化が加速して
いるために、これに対応した精密半田付け技術の進歩が
伴わない状況が生じてきている。
コストのかからない実装方法が望まれている。しかし、
近年の半導体集積回路の大規模化に応じ、それを搭載す
るICパッケージの多ピン化および狭ピッチ化が加速して
いるために、これに対応した精密半田付け技術の進歩が
伴わない状況が生じてきている。
即ち、多ピンおよび狭ピッチ化されたICの端子を半田
付けするに際し、微細な半田付け部に一定量の半田を安
定的に供給することが極めて困難であるために、従来、
これらのICに対し、手付け作業に負っているところが大
きいのが現状である。
付けするに際し、微細な半田付け部に一定量の半田を安
定的に供給することが極めて困難であるために、従来、
これらのICに対し、手付け作業に負っているところが大
きいのが現状である。
ところが手付け作業では、微細な部分に半田を供給す
る場合、供給する半田量が一定しない問題がある。この
ため、供給する半田量が少ない場合は、接合部の強度不
足を来し、また、半田量が過多の場合は、隣接する端子
どうしが半田のブリッジによって接合されて短絡してし
まう不具合を生じていた。
る場合、供給する半田量が一定しない問題がある。この
ため、供給する半田量が少ない場合は、接合部の強度不
足を来し、また、半田量が過多の場合は、隣接する端子
どうしが半田のブリッジによって接合されて短絡してし
まう不具合を生じていた。
そこで、この種の半導体装置の基板への実装方法とし
て、予め半導体装置の端子、例えば、ICのリードに半田
メッキを施しておき、基板の回路への接合の際に、接合
部分に半田を外部から供給して接合する方法がとられて
いる。
て、予め半導体装置の端子、例えば、ICのリードに半田
メッキを施しておき、基板の回路への接合の際に、接合
部分に半田を外部から供給して接合する方法がとられて
いる。
ここで、半導体装置の端子に施されている半田メッキ
は、外部から供給される半田との濡れ性を良好にする目
的で設けられたもので、数μｍ程度の厚さで形成され
る。しかし、この程度の厚さの半田メッキのみでは、接
合強度が不足するので、不足となる半田を以下に説明す
る方法で外部から供給して接合作業を行っていた。
は、外部から供給される半田との濡れ性を良好にする目
的で設けられたもので、数μｍ程度の厚さで形成され
る。しかし、この程度の厚さの半田メッキのみでは、接
合強度が不足するので、不足となる半田を以下に説明す
る方法で外部から供給して接合作業を行っていた。
半田の供給方法には、糸半田を用いる方法、端子が接
合される基板のパッドに予めスクリーン印刷などによっ
て半田ペーストを塗布しておく方法、ディスペンサーに
よって基板のパッドに半田ペーストを塗布する方法、溶
融半田槽に基板を浸漬する方法などがある。
合される基板のパッドに予めスクリーン印刷などによっ
て半田ペーストを塗布しておく方法、ディスペンサーに
よって基板のパッドに半田ペーストを塗布する方法、溶
融半田槽に基板を浸漬する方法などがある。
しかし、QFP（Quad Flat Package）などの多ピンで、
リードの間隔が狭い本体部を有するIC、例えば、リード
間隔が0.65mm以下のICなどでは、供給半田量が僅かでも
過剰であると、リフロー（溶融）後にリード間の半田に
よるブリッジが発生し、また、少しでも不足すると、接
合強度の不足が生じるために、適正な量の半田を供給す
ることが極めて困難であった。
リードの間隔が狭い本体部を有するIC、例えば、リード
間隔が0.65mm以下のICなどでは、供給半田量が僅かでも
過剰であると、リフロー（溶融）後にリード間の半田に
よるブリッジが発生し、また、少しでも不足すると、接
合強度の不足が生じるために、適正な量の半田を供給す
ることが極めて困難であった。
そこで、本願出願人は以下説明するように、ICのリー
ドに厚膜半田メッキを施すことにより適量な半田をリー
ドに付着させる方法を提案するに至った。
ドに厚膜半田メッキを施すことにより適量な半田をリー
ドに付着させる方法を提案するに至った。
第５図はQFPなどに多ピンパッケージICの多数のリー
ド６に電気半田メッキを施すための治具１および電気半
田メッキ方法を示すものである。この治具１は黄銅など
の金属からなる４角形状の上枠３と非導電体の下枠２と
図示しない複数のネジとから構成されている。
ド６に電気半田メッキを施すための治具１および電気半
田メッキ方法を示すものである。この治具１は黄銅など
の金属からなる４角形状の上枠３と非導電体の下枠２と
図示しない複数のネジとから構成されている。
そして、図示のように下枠２と上枠３との間にQFPな
どの多ピンパッケージICの本体部５のリード6,6,…を挾
み、ネジで固定したのち、この治具１を半田メッキ浴Ａ
に浸漬し、リード6,6,…の大部分が半田メッキ浴Ａ中に
浸されるように配置し、治具１を陰極に、半田インゴッ
ト７を陽極として電気メッキすることによって行なわれ
る。このような電気メッキでは、メッキ後のQFPのリー
ドのメッキ厚は、全て同一になる。
どの多ピンパッケージICの本体部５のリード6,6,…を挾
み、ネジで固定したのち、この治具１を半田メッキ浴Ａ
に浸漬し、リード6,6,…の大部分が半田メッキ浴Ａ中に
浸されるように配置し、治具１を陰極に、半田インゴッ
ト７を陽極として電気メッキすることによって行なわれ
る。このような電気メッキでは、メッキ後のQFPのリー
ドのメッキ厚は、全て同一になる。
「発明が解決しようとする課題」 ところで、上述したようにして半田メッキを行ったQF
Pのリフロー後の半田メッキ厚と剥離強度との関係およ
び半田メッキ厚とブリッジ発生率との関係は、例えば、
128ピン、リードピッチ0.8mmの場合には第６図および第
７図に示すようになる。すなわち、ブリッジを必ず避け
ることができ、かつ、一定以上の剥離強度を確保できる
半田メッキ厚の範囲は、上記リードピッチ、基板のパッ
ド面積の場合には、少なくとも50μｍ以上で、かつ80μ
ｍ以下となり、必ずしも広くない。このため、従来の電
気メッキでは、しばしば上記範囲を外れる場合が生じ、
メッキ厚が薄い場合には、十分な実装強度が確保できな
いという問題が生じ、メッキ厚が厚い場合には、リード
間にブリッジが発生するという問題が生じた。
Pのリフロー後の半田メッキ厚と剥離強度との関係およ
び半田メッキ厚とブリッジ発生率との関係は、例えば、
128ピン、リードピッチ0.8mmの場合には第６図および第
７図に示すようになる。すなわち、ブリッジを必ず避け
ることができ、かつ、一定以上の剥離強度を確保できる
半田メッキ厚の範囲は、上記リードピッチ、基板のパッ
ド面積の場合には、少なくとも50μｍ以上で、かつ80μ
ｍ以下となり、必ずしも広くない。このため、従来の電
気メッキでは、しばしば上記範囲を外れる場合が生じ、
メッキ厚が薄い場合には、十分な実装強度が確保できな
いという問題が生じ、メッキ厚が厚い場合には、リード
間にブリッジが発生するという問題が生じた。
しかし、実際には、QFPの端部におけるリードが十分
な実装強度を有すれば、他の部分のリードの剥離強度が
多少、低下しても実用上の信頼性は充分に得られる。
な実装強度を有すれば、他の部分のリードの剥離強度が
多少、低下しても実用上の信頼性は充分に得られる。
この考案は上述した事情に鑑みてなされたものであ
り、QFPの端部におけるリードに対しては充分な実装強
度を確保できる厚さの半田メッキ層を有し、かつ、他の
部分のリードに対しては、半田ブリッジが発生しない程
度の半田メッキ層を有する半導体装置のリードフレーム
を提供することを目的とする。
り、QFPの端部におけるリードに対しては充分な実装強
度を確保できる厚さの半田メッキ層を有し、かつ、他の
部分のリードに対しては、半田ブリッジが発生しない程
度の半田メッキ層を有する半導体装置のリードフレーム
を提供することを目的とする。
「課題を解決するための手段」 この考案は、各リードにメッキされている半田を溶融
することによって実装可能な多角形の半導体装置のリー
ドフレームにおいて、前記半導体装置の各辺の端部に位
置するリードにメッキされる半田の厚みが対応する辺の
その他のリードの半田の厚みより大きいことを特徴とし
ている。
することによって実装可能な多角形の半導体装置のリー
ドフレームにおいて、前記半導体装置の各辺の端部に位
置するリードにメッキされる半田の厚みが対応する辺の
その他のリードの半田の厚みより大きいことを特徴とし
ている。
「作用」 上記構成によれば、端部にメッキされている他のリー
ドより多い半田が溶融して半導体を実装するので、端部
の剥離強度を上げることができるようになる。
ドより多い半田が溶融して半導体を実装するので、端部
の剥離強度を上げることができるようになる。
「実施例」 以下、図面を参照し、本考案の一実施例を説明する。
第１図はこの考案の一実施例による半導体装置のリー
ドフレームを製造するための半田メッキ装置の構成を示
す正断面図である。この図において、11はチタン材によ
る陰極であり、略直方体状をなすと共に、その上部は絶
縁材によるカバー10によって覆われ、その下部は半導体
装置の本体部５に対応した形状の凹部が形成されてい
る。この凹部の周囲のチタン材が本体部５の４辺に配列
したすべてのリード6,6,…に当接する。12はPEEK材等の
絶縁材による下受台であり、その上部は中央部が除去さ
れることにより、リード6,6,…の各基部に当接する塀状
部12a,12a,…が形成されている。また、下受台12はその
断面積が下部へ向う程小さくなるように、側部にテーパ
が形成されている。14は保持部材であり、下受台12のテ
ーパ部と当接するすり鉢状の凹部が形成されている。ま
た、保持部材14の周囲には陰極11と対峙する位置に陽極
13が設けられている。
ドフレームを製造するための半田メッキ装置の構成を示
す正断面図である。この図において、11はチタン材によ
る陰極であり、略直方体状をなすと共に、その上部は絶
縁材によるカバー10によって覆われ、その下部は半導体
装置の本体部５に対応した形状の凹部が形成されてい
る。この凹部の周囲のチタン材が本体部５の４辺に配列
したすべてのリード6,6,…に当接する。12はPEEK材等の
絶縁材による下受台であり、その上部は中央部が除去さ
れることにより、リード6,6,…の各基部に当接する塀状
部12a,12a,…が形成されている。また、下受台12はその
断面積が下部へ向う程小さくなるように、側部にテーパ
が形成されている。14は保持部材であり、下受台12のテ
ーパ部と当接するすり鉢状の凹部が形成されている。ま
た、保持部材14の周囲には陰極11と対峙する位置に陽極
13が設けられている。
この半田メッキ装置による半田メッキは次のようにし
て行われる。リードフォーミングの完了した半導体装置
は、下受台12に載せられ、その本体部５の４辺の各リー
ド6,6,…の基部が塀状部12a,12a,…によって下から支え
られる。次いで陰極11が半導体装置の上に載せられ、陰
極11の下面凹部の周囲のチタン材と下受台12の塀状部12
a,12a,…によってリード6,6,…が挟まれる。そして、半
導体装置および陰極11が載置された下受台12が保持部材
14のすり鉢状部に収納され、リード6,6,…と陽極13との
間隔ｄが数mm〜数10mmのうち好適な距離、例えば約5mm
になるように、カバー10および保持部材14が適度に挟み
つけられる。
て行われる。リードフォーミングの完了した半導体装置
は、下受台12に載せられ、その本体部５の４辺の各リー
ド6,6,…の基部が塀状部12a,12a,…によって下から支え
られる。次いで陰極11が半導体装置の上に載せられ、陰
極11の下面凹部の周囲のチタン材と下受台12の塀状部12
a,12a,…によってリード6,6,…が挟まれる。そして、半
導体装置および陰極11が載置された下受台12が保持部材
14のすり鉢状部に収納され、リード6,6,…と陽極13との
間隔ｄが数mm〜数10mmのうち好適な距離、例えば約5mm
になるように、カバー10および保持部材14が適度に挟み
つけられる。
このようにして半導体装置の装着が完了し、この半田メ
ッキ装置が半田メッキ液中に浸され、陰極11と陽極13に
電流が流される。
ッキ装置が半田メッキ液中に浸され、陰極11と陽極13に
電流が流される。
本実施例による半田メッキ装置によれば、電極の角部
には電界分布の集中が起るため、第３図に示すように、
QFPの４角のリード６には、他の部分と比較して半田メ
ッキ層が過剰に電析される。言換えると、各辺の端部、
すなわち本体部５の角部付近のリードのメッキ厚は厚く
なる。このため、角部近傍のリードの剥離強度（また
は、実装強度）は、第４図に示すように高くなる。な
お、リフロー時に４角のリード６にブリッジが生じない
ようにするために、基板のパターン形成の際には、上記
リード６の相手側の基板のパターンの面積を他に比べ大
きくする。
には電界分布の集中が起るため、第３図に示すように、
QFPの４角のリード６には、他の部分と比較して半田メ
ッキ層が過剰に電析される。言換えると、各辺の端部、
すなわち本体部５の角部付近のリードのメッキ厚は厚く
なる。このため、角部近傍のリードの剥離強度（また
は、実装強度）は、第４図に示すように高くなる。な
お、リフロー時に４角のリード６にブリッジが生じない
ようにするために、基板のパターン形成の際には、上記
リード６の相手側の基板のパターンの面積を他に比べ大
きくする。
「考案の効果」 以上説明したように、この考案によれば、半導体装置
のリードフレームの端部に位置するリードに他のリード
より厚い半田メッキが施されているので、端部で剥離強
度を上げることができるようになり、実装時に半田ブリ
ッジを発生しにくく、かつ充分な剥離強度を有した半導
体装置を実現できる。
のリードフレームの端部に位置するリードに他のリード
より厚い半田メッキが施されているので、端部で剥離強
度を上げることができるようになり、実装時に半田ブリ
ッジを発生しにくく、かつ充分な剥離強度を有した半導
体装置を実現できる。
第１図はこの考案の一実施例による半導体装置のリード
フレームを製造するためのリードの半田メッキ装置の構
成を示す正断面図、第２図は同装置に半導体装置を載置
した状態を示す平面図、第３図は本実施例のリード（位
置）と半田メッキ厚との関係を説明する図、第４図は本
実施例のリード（位置）と剥離強度との関係を説明する
図、第５図は従来の半田メッキ治具を用いた半田メッキ
を説明する図、第６図はリードの半田メッキ厚と剥離強
度との関係を説明する図、第７図はリードの半田メッキ
厚とブリッジ発生率との関係を説明する図である。 ５……本体部、６……リード、11……陰極、13……陽
極。
フレームを製造するためのリードの半田メッキ装置の構
成を示す正断面図、第２図は同装置に半導体装置を載置
した状態を示す平面図、第３図は本実施例のリード（位
置）と半田メッキ厚との関係を説明する図、第４図は本
実施例のリード（位置）と剥離強度との関係を説明する
図、第５図は従来の半田メッキ治具を用いた半田メッキ
を説明する図、第６図はリードの半田メッキ厚と剥離強
度との関係を説明する図、第７図はリードの半田メッキ
厚とブリッジ発生率との関係を説明する図である。 ５……本体部、６……リード、11……陰極、13……陽
極。
フロントページの続き (72)考案者 太田 篤佳 静岡県浜松市中沢町10番１号 ヤマハ株 式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−278293（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−105456（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−131554（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】各リードにメッキされている半田を溶融す
ることによって実装可能な多角形の半導体装置のリード
フレームにおいて、前記半導体装置の各辺の端部に位置
するリードにメッキされる半田の厚みが対応する辺のそ
の他のリードの半田の厚みより大きいことを特徴とする
半導体装置のリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11689990U JP2530881Y2 (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | 半導体装置のリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11689990U JP2530881Y2 (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | 半導体装置のリードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0474452U JPH0474452U (ja) | 1992-06-30 |
| JP2530881Y2 true JP2530881Y2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=31864753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11689990U Expired - Fee Related JP2530881Y2 (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | 半導体装置のリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2530881Y2 (ja) |
-
1990
- 1990-11-07 JP JP11689990U patent/JP2530881Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0474452U (ja) | 1992-06-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |