JP2528740B2 - ハイブリッド板内蔵コネクタ - Google Patents
ハイブリッド板内蔵コネクタInfo
- Publication number
- JP2528740B2 JP2528740B2 JP2413751A JP41375190A JP2528740B2 JP 2528740 B2 JP2528740 B2 JP 2528740B2 JP 2413751 A JP2413751 A JP 2413751A JP 41375190 A JP41375190 A JP 41375190A JP 2528740 B2 JP2528740 B2 JP 2528740B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- hybrid
- heat
- casing
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Details Of Connecting Devices For Male And Female Coupling (AREA)
- Connector Housings Or Holding Contact Members (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はハイブリッド板内蔵のコ
ネクタ、殊にハイブリッド板に搭載すべき半導体部品の
冷却構造に関する。
ネクタ、殊にハイブリッド板に搭載すべき半導体部品の
冷却構造に関する。
【０００２】
【従来技術】特公表平２ー５０３４９号に代表される従
来例はハイブリッド板に搭載した半導体部品及び多数の
インピーダンス整合抵抗の発熱をコンタクトを介して放
出する構造を採っており、上記先例はコンタクトの折曲
基部をハイブリッド板の表面に沿い添設し上記熱放出を
促進せんとしている。
来例はハイブリッド板に搭載した半導体部品及び多数の
インピーダンス整合抵抗の発熱をコンタクトを介して放
出する構造を採っており、上記先例はコンタクトの折曲
基部をハイブリッド板の表面に沿い添設し上記熱放出を
促進せんとしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】上記のように従来の
ハイブリッド板内蔵のコネクタにおいては、半導体部品
及び抵抗の発熱によりハイブリッド板全体が加熱され、
このハイブリッド板の熱をハイブリッド板の端子に接続
するコンタクトを介してのみ放熱する構造である。
ハイブリッド板内蔵のコネクタにおいては、半導体部品
及び抵抗の発熱によりハイブリッド板全体が加熱され、
このハイブリッド板の熱をハイブリッド板の端子に接続
するコンタクトを介してのみ放熱する構造である。
【０００４】従って半導体部品の発熱がハイブリッド板
全体に伝導し他の抵抗等の特性に悪影響を及ぼすこと、
更に半導体部品自身の発熱及び抵抗の発熱が半導体部品
の特性の外乱要因となることを有効に防止できず、又ハ
イブリッド板の端子に接続するコンタクトのみに熱放出
を依存する形式では熱放出に限度があり、半導体部品の
発熱を速やかに取り除くことが困難である。
全体に伝導し他の抵抗等の特性に悪影響を及ぼすこと、
更に半導体部品自身の発熱及び抵抗の発熱が半導体部品
の特性の外乱要因となることを有効に防止できず、又ハ
イブリッド板の端子に接続するコンタクトのみに熱放出
を依存する形式では熱放出に限度があり、半導体部品の
発熱を速やかに取り除くことが困難である。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】本発明はハイブリッド
板内蔵コネクタにおける上記問題点を解決し、上記半導
体部品及び抵抗の熱放出を適正に行なって同コネクタの
信頼性を確保するものであり、その手段として上記発熱
を生ずる半導体部品を搭載したハイブリッド板を内蔵す
るケーシング内に弾性板から成る熱伝導板を設けて、そ
の基端をケーシングの後部に一体に取付けると共に、先
端を上記ハイブリッド板の後縁に弾力的に加圧接触さ
せ、その接触位置を上記半導体部品搭載面直下付近のハ
イブリッド板後縁部表面に設定し、ケーシングを半導体
部品の放熱手段として有効に利用する構成としたもので
ある。
板内蔵コネクタにおける上記問題点を解決し、上記半導
体部品及び抵抗の熱放出を適正に行なって同コネクタの
信頼性を確保するものであり、その手段として上記発熱
を生ずる半導体部品を搭載したハイブリッド板を内蔵す
るケーシング内に弾性板から成る熱伝導板を設けて、そ
の基端をケーシングの後部に一体に取付けると共に、先
端を上記ハイブリッド板の後縁に弾力的に加圧接触さ
せ、その接触位置を上記半導体部品搭載面直下付近のハ
イブリッド板後縁部表面に設定し、ケーシングを半導体
部品の放熱手段として有効に利用する構成としたもので
ある。
【０００６】
【作用】上記構成によりハイブリッド板上の半導体部品
の発熱はその直下付近において加圧接触する熱伝導板に
直ちに吸収されてケーシングに吸収分散される。ケーシ
ングは広面積の外表面を有しており半導体部品の発熱は
熱伝導板を介してケーシングに吸収分散されて放熱され
半導体部品の冷却が促進される。又熱伝導板を弾性板に
て形成しハイブリッド板の後端部表面に弾力的に加圧接
触せしめることにより、ハイブリッド板のガタを吸収し
てコンタクトとの接触を安定にすることができることに
加え、熱伝伝導板を上記半導体部品直下付近のハイブリ
ッド板後縁部表面に良好に密着させ熱吸収目的を有効に
達成できる。
の発熱はその直下付近において加圧接触する熱伝導板に
直ちに吸収されてケーシングに吸収分散される。ケーシ
ングは広面積の外表面を有しており半導体部品の発熱は
熱伝導板を介してケーシングに吸収分散されて放熱され
半導体部品の冷却が促進される。又熱伝導板を弾性板に
て形成しハイブリッド板の後端部表面に弾力的に加圧接
触せしめることにより、ハイブリッド板のガタを吸収し
てコンタクトとの接触を安定にすることができることに
加え、熱伝伝導板を上記半導体部品直下付近のハイブリ
ッド板後縁部表面に良好に密着させ熱吸収目的を有効に
達成できる。
【０００７】他方ハイブリッド板に接続のコンタクトは
ハイブリッド板が有するインピーダンス整合抵抗及び半
導体部品の制御抵抗等の放熱を担い、相補して抵抗と半
導体部品の放熱を速やかに促すことができ、両者の熱に
よる特性変化を有効に防止し高信頼のハイブリッド板内
臓コネクタを提供できる。
ハイブリッド板が有するインピーダンス整合抵抗及び半
導体部品の制御抵抗等の放熱を担い、相補して抵抗と半
導体部品の放熱を速やかに促すことができ、両者の熱に
よる特性変化を有効に防止し高信頼のハイブリッド板内
臓コネクタを提供できる。
【０００８】
【実施例】ケーシング１は作動時発熱を生ずる半導体部
品９を搭載したハイブリッド板４を内蔵し、その前方開
口部内に多数のコンタクト２を植装したブロック３を保
持する。コンタクト２は一端を外方へ突出して他のコネ
クタとの接続に供され、他端をケーシング内に突出して
上記ハイブリッド板の前縁部に並設した端子５（導電パ
ッド）と接触させ、該接触部をハンダ付けし固着する。
品９を搭載したハイブリッド板４を内蔵し、その前方開
口部内に多数のコンタクト２を植装したブロック３を保
持する。コンタクト２は一端を外方へ突出して他のコネ
クタとの接続に供され、他端をケーシング内に突出して
上記ハイブリッド板の前縁部に並設した端子５（導電パ
ッド）と接触させ、該接触部をハンダ付けし固着する。
【０００９】ケーシング１は金属製でありハイブリッド
板４の表面と対向する面が嵌脱可能な蓋６によって形成
されており、該ケーシング１の前面開口部を除いた全体
を同ケーシングと略同形の絶縁物から成る保護カバー７
内に収納している。
板４の表面と対向する面が嵌脱可能な蓋６によって形成
されており、該ケーシング１の前面開口部を除いた全体
を同ケーシングと略同形の絶縁物から成る保護カバー７
内に収納している。
【００１０】本発明はこの保護カバー７の存在を必須と
しない。上記ケーシング１内にはケーシングの後方、即
ち、ハイブリッド板４の後方に熱伝導板収容スペース１
０を形成し、該収容スペース１０に熱伝導板８を設け、
該熱伝導板８の基端をケーシング形成壁に一体に取付
け、同先端を上記ハイブリッド板４に接触させ、この接
触位置を上記半導体部品９の搭載面付近、適例として同
搭載面直下のハイブリッド板表面とする。上記熱伝導板
８は第１図，第２図に示すように、板バネにて形成し、
その基端の座板８ａをケーシング形成壁の内面に定着し
て螺子や鋲等の止具１１にて一体に取付け、該座板８ａ
から延設した熱伝導片８ｂの先端を上記半導体部品直下
のハイブリッド板表面に弾力的に加圧接触する。
しない。上記ケーシング１内にはケーシングの後方、即
ち、ハイブリッド板４の後方に熱伝導板収容スペース１
０を形成し、該収容スペース１０に熱伝導板８を設け、
該熱伝導板８の基端をケーシング形成壁に一体に取付
け、同先端を上記ハイブリッド板４に接触させ、この接
触位置を上記半導体部品９の搭載面付近、適例として同
搭載面直下のハイブリッド板表面とする。上記熱伝導板
８は第１図，第２図に示すように、板バネにて形成し、
その基端の座板８ａをケーシング形成壁の内面に定着し
て螺子や鋲等の止具１１にて一体に取付け、該座板８ａ
から延設した熱伝導片８ｂの先端を上記半導体部品直下
のハイブリッド板表面に弾力的に加圧接触する。
【００１１】又他例として第３図に示すように、上記熱
伝導板８に半導体部品の側部に沿い延ばされてハイブリ
ッド板４の上部表面に加圧接触する板バネから成る熱伝
導片８ｂと、同半導体部品直下の下部表面と加圧接触す
る板バネから成る熱伝導片８ｃとを具備させ、両熱伝導
片８ｂ，８ｃにてハイブリッド板４の後縁部を挟持しつ
つ熱吸収を行なうようにする。
伝導板８に半導体部品の側部に沿い延ばされてハイブリ
ッド板４の上部表面に加圧接触する板バネから成る熱伝
導片８ｂと、同半導体部品直下の下部表面と加圧接触す
る板バネから成る熱伝導片８ｃとを具備させ、両熱伝導
片８ｂ，８ｃにてハイブリッド板４の後縁部を挟持しつ
つ熱吸収を行なうようにする。
【００１２】又他例として第４図，第５図に示すよう
に、熱伝導板収容スペース１０にケーシング１と一体成
形せる熱伝導板８を設けることができる。熱伝導板８は
熱伝導板収容スペース１０内のケーシング形成壁を内方
へ突出等して形成した支持壁１２からハイブリッド板４
に向け延出するように一体成形し、その先端面をハイブ
リッド板の下部表面、即ち半導体部品９の搭載面直下の
対向面に接触させ、該熱伝導板８を介してケーシング１
への熱伝導と放熱を行なうようにする。
に、熱伝導板収容スペース１０にケーシング１と一体成
形せる熱伝導板８を設けることができる。熱伝導板８は
熱伝導板収容スペース１０内のケーシング形成壁を内方
へ突出等して形成した支持壁１２からハイブリッド板４
に向け延出するように一体成形し、その先端面をハイブ
リッド板の下部表面、即ち半導体部品９の搭載面直下の
対向面に接触させ、該熱伝導板８を介してケーシング１
への熱伝導と放熱を行なうようにする。
【００１３】上記何れの実施例においても、上記接触位
置においてハイブリッド板４の後縁部を支荷することが
できる。ハイブリッド板４はその前縁部を前記コンタク
ト２にて支持され、同後縁部を上記の如く熱伝導板８に
て支持され、両縁部を支持してケーシング１内に横架す
る。ハイブリッド板４はその左右側縁部をケーシング１
内の左右側縁部に設けた溝１３内に係入して支えると共
に、上記前後縁をコンタクト２と熱伝導板８にて支え
る。
置においてハイブリッド板４の後縁部を支荷することが
できる。ハイブリッド板４はその前縁部を前記コンタク
ト２にて支持され、同後縁部を上記の如く熱伝導板８に
て支持され、両縁部を支持してケーシング１内に横架す
る。ハイブリッド板４はその左右側縁部をケーシング１
内の左右側縁部に設けた溝１３内に係入して支えると共
に、上記前後縁をコンタクト２と熱伝導板８にて支え
る。
【００１４】而して上記熱伝導板８は半導体部品９を搭
載せるハイブリッド板４とケーシング１とを熱的に連絡
し、半導体部品の発熱は直下に接する熱伝導板８を介し
てケーシング１に伝導され、広面積のケーシング全域に
拡散して放熱される。ケーシング１は放熱性の良好な金
属製、例えば亜鉛合金等の金属鋳造品で形成するが、合
成樹脂製とすることを妨げない。
載せるハイブリッド板４とケーシング１とを熱的に連絡
し、半導体部品の発熱は直下に接する熱伝導板８を介し
てケーシング１に伝導され、広面積のケーシング全域に
拡散して放熱される。ケーシング１は放熱性の良好な金
属製、例えば亜鉛合金等の金属鋳造品で形成するが、合
成樹脂製とすることを妨げない。
【００１５】上記ハイブリッド板４は上記半導体部品９
の制御抵抗或いは出力端に配された多数のインピーダン
ス整合抵抗１４を有し、又コンデンサ１５を搭載してい
る。これらの抵抗１４はハイブリッド板４の上面又は下
面に印刷等にて密着されており、その外表面をハイブリ
ッド板表面を覆う絶縁層にて保護されており、上記熱伝
導板８の先端を該絶縁層表面に密接させる。
の制御抵抗或いは出力端に配された多数のインピーダン
ス整合抵抗１４を有し、又コンデンサ１５を搭載してい
る。これらの抵抗１４はハイブリッド板４の上面又は下
面に印刷等にて密着されており、その外表面をハイブリ
ッド板表面を覆う絶縁層にて保護されており、上記熱伝
導板８の先端を該絶縁層表面に密接させる。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば半導体部品の発熱は半導
体部品直下付近のハイブリッド板の後縁部表面に弾力的
に加圧接触する上記熱伝導板によって直接的に吸収さ
れ、該熱伝導板を介してケーシングに吸収拡散されて、
半導体部品の発熱がハイブリッド板に伝わり他の抵抗等
の特性に悪影響を及ぼすことがなく、又自からの発熱は
熱伝導板に直接的に吸収されてケーシングに伝導され拡
散されてケーシング外表面から良好に放熱され、この結
果半導体部品が自からの発熱又は抵抗の発熱で特性変化
を来すことが良好に防止される。他方コンタクトはハイ
ブリッド板の前縁に加圧接触して抵抗の発熱を放熱する
作用のみを担い、ハイブリッド板の放熱、冷却が従来に
増し促進される。よってハイブリッド板内蔵コネクタに
おける熱による特性劣化の問題を有効に防止し、高信頼
のコネクタを提供できる。又ハイブリッド板は前縁をコ
ンタクトで、後縁を熱伝導板で支持され安定に内蔵でき
る。又熱伝導板を弾性板で形成してハイブリッド板表面
に加圧接触させることにより熱伝導を良好に促すことが
できると共に、ハイブリッド板のガタを吸収してコンタ
クトとの接触を安定に保持することができる。
体部品直下付近のハイブリッド板の後縁部表面に弾力的
に加圧接触する上記熱伝導板によって直接的に吸収さ
れ、該熱伝導板を介してケーシングに吸収拡散されて、
半導体部品の発熱がハイブリッド板に伝わり他の抵抗等
の特性に悪影響を及ぼすことがなく、又自からの発熱は
熱伝導板に直接的に吸収されてケーシングに伝導され拡
散されてケーシング外表面から良好に放熱され、この結
果半導体部品が自からの発熱又は抵抗の発熱で特性変化
を来すことが良好に防止される。他方コンタクトはハイ
ブリッド板の前縁に加圧接触して抵抗の発熱を放熱する
作用のみを担い、ハイブリッド板の放熱、冷却が従来に
増し促進される。よってハイブリッド板内蔵コネクタに
おける熱による特性劣化の問題を有効に防止し、高信頼
のコネクタを提供できる。又ハイブリッド板は前縁をコ
ンタクトで、後縁を熱伝導板で支持され安定に内蔵でき
る。又熱伝導板を弾性板で形成してハイブリッド板表面
に加圧接触させることにより熱伝導を良好に促すことが
できると共に、ハイブリッド板のガタを吸収してコンタ
クトとの接触を安定に保持することができる。
【図１】ハイブリッド板内蔵コネクタの内部を開示する
平面視せる断面図である。
平面視せる断面図である。
【図２】ハイブリッド板内蔵コネクタの内部を開示する
側面視せる図１Ａ−Ａ線断面図である。
側面視せる図１Ａ−Ａ線断面図である。
【図３】他例を示すハイブリッド板内蔵コネクタの内部
を開示する側面視せる断面図である。
を開示する側面視せる断面図である。
【図４】図３におけるハイブリッド板内蔵コネクタの内
部を開示する平面視せる断面図である。
部を開示する平面視せる断面図である。
【図５】ハイブリッド板内蔵コネクタの内部を開示する
図４Ｂ−Ｂ線断面図である。
図４Ｂ−Ｂ線断面図である。
１ ケーシング ２ コンタクト ４ ハイブリッド板 ８ 熱伝導板 ９ 半導体部品
Claims (1)
- 【請求項１】ケーシングの前部に他のコネクタと接続す
べく配置された多数のコンタクトを備え、ケーシング内
に発熱性の半導体部品を搭載したハイブリッド板を内蔵
し、該ハイブリッド板をその前端において上記コンタク
トに加圧接触させると共に、その左右側縁部をケーシン
グに保持させたコネクタにおいて、上該ケーシング内の
後部に熱伝導板を設け、該熱伝導板を弾性板にて形成
し、該熱伝導板の基端をケーシングに一体に取付け、同
先端を上記半導体部品の搭載面直下付近のハイブリッド
板後縁部表面に弾力的に加圧接触させたことを特徴とす
るハイブリッド板内蔵コネクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2413751A JP2528740B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | ハイブリッド板内蔵コネクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2413751A JP2528740B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | ハイブリッド板内蔵コネクタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151011A JPH06151011A (ja) | 1994-05-31 |
| JP2528740B2 true JP2528740B2 (ja) | 1996-08-28 |
Family
ID=18522323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2413751A Expired - Lifetime JP2528740B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | ハイブリッド板内蔵コネクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2528740B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101290214B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2013-08-23 | 엘지전자 주식회사 | 열전도부재가 구비된 암수 커넥터 및 이들을 갖는 두 개의기판 간 열전도 구조를 갖는 이동단말기 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4406950B2 (ja) | 1999-02-23 | 2010-02-03 | パナソニック電工株式会社 | コネクタレセプタクル |
| WO2002017053A1 (fr) * | 1999-02-23 | 2002-02-28 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Embase de connecteur |
| JP2000349481A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-12-15 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | コンピューター冷却装置、コンピューター、及びコンピューターアッセンブリ |
| JP4266372B2 (ja) | 2005-06-01 | 2009-05-20 | 日本航空電子工業株式会社 | コネクタ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5831713B2 (ja) * | 1981-09-30 | 1983-07-07 | 富士通株式会社 | 電子装置収容架の放熱用コネクタ |
| JP2904280B2 (ja) * | 1988-10-27 | 1999-06-14 | マツダ株式会社 | 金属基板を有する集積回路のコネクタ構造 |
-
1990
- 1990-12-25 JP JP2413751A patent/JP2528740B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101290214B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2013-08-23 | 엘지전자 주식회사 | 열전도부재가 구비된 암수 커넥터 및 이들을 갖는 두 개의기판 간 열전도 구조를 갖는 이동단말기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06151011A (ja) | 1994-05-31 |
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