JP2523054B2

JP2523054B2 - 液晶表示パネル

Info

Publication number: JP2523054B2
Application number: JP28252990A
Authority: JP
Inventors: 浩西尾; 謙池内
Original assignee: Sanyo Denki Co Ltd
Current assignee: Sanyo Denki Co Ltd
Priority date: 1990-10-19
Filing date: 1990-10-19
Publication date: 1996-08-07
Anticipated expiration: 2011-08-07
Also published as: JPH04156513A

Description

【発明の詳細な説明】（イ）産業上の利用分野本発明は、液晶表示パネルに関し、特に液晶プロジェ
クタ用に使用される液晶表示パネルに関するものであ
る。

（ロ）従来の技術近年、大画面表示化にともない、液晶プロジェクタな
るものが存在する。かかるプロジェクタは、光源より発
生した白色光はコンデンサレンズを介してダイクロイッ
クプリズムに入射されると、赤・緑・青に分けられ、各
色成分はその一部、例えば赤及び青が全反射ミラーに反
射されてから、それぞれ液晶表示パネルにより透過率変
化として変調され、さらに変調された赤・緑・青の各成
分はダイクロイックミラーによって合成され、投射レン
ズによりスクリーンに投影されるものである。

液晶表示パネルを用いた液晶プロジェクタとして特開
昭61−150487号公報があり、ここでの説明は省略する。

さて、上述の液晶プロジェクタにおいて、高画質を実
現するには各液晶表示パネルの画素数を多くする必要が
あり、例えば、縦480×横720のパネルを用いればNTSCフ
ルライン表示を行なうことができる。しかしながら、画
素数の増加にともない、TFT（薄膜トランジスタ）も増
加し、表示パネルの歩留りの低下が問題となっていた。

かかる問題を解決するために１画素電極に、例えば２
個のTFT素子を形成し、いづれか１個が不良になった場
合でも動作させる方法が一般的に採用されている。

（ハ）発明が解決しようとする課題しかしながら、上記したように１画素電極に２個のTF
T素子を設けたとしても、例えば、ゲート絶縁膜形成工
程中において、ゴミ等によりピンホールが形成され、例
えば、補助容量金属と画素電極のショートによる表示不
良あるいは、半導体層とソース電極及びドレイン電極と
のコンタクト不良に等によりTFT素子自体の不良により
２個のTFT素子が同時に不良する場合がある。

この場合、プロジェクタ用の液晶表示パネルは、ノー
マリホワイトモードによって表示されるので、TFT素子
が不良となった画素電極はスクリーン上で白点となって
表示されるため、スクリーン上の表示品位を著しく低下
させる問題があった。

また、このTFT素子不良が複数ヵ所に発生するとプロ
ジェクタ用の液晶表示パネルとして使用できなくなる問
題がある。

更に、この問題は画素数の増加にともなって多発する
恐れがあり、表示パネルの大型化を実現するにあたって
大きな障害となっていた。

（ニ）課題を解決するための手段本発明は上述した課題に鑑みて為されたものであり、
不良となったTFT素子のソース電極とゲート電極とをゲ
ート電極とソース電極との重畳領域上で接続して上述し
た課題を解決する。

（ホ）作用この様に本発明に依れば、不良となったTFT素子のソ
ース電極とゲート電極とを接続することにより、不良と
なったTFT素子を完全に再生することはできないもの
の、ゲートラインに印加される信号に基づいて不良TFT
素子を黒点に駆動させることができる。その結果、ノー
マリホワイトモードで使用するプロジェクタ用液晶表示
パネルでは不良TFT素子が発生した場合でも再生するこ
とができる。

（ヘ）実施例以下に第１図および第２図に示した実施例に基づいて
本発明を詳細に説明する。

第１図は本発明の表示パネルの１画素を示す要部拡大
図、第２図は第１図のＩ−Ｉ断面図であり、（１）はソ
ーダガラス又はホウケイ酸ガラス等の絶縁基板、（２）
はCr,Cr＋Au,Mo等を材料とするゲート電極、（３）は例
えばナイトライド製の絶縁保護膜、（４）はアモルファ
スシリコン,Te,ポリシリコン,Cdse等で構成された半導
体層、（５）は半導体層（４）表面を保護するパッシベ
ーション、（６），（７）はAl,Mo,ITOで形成されたド
レイン電極，ソース電極、（８）はドレイン電極
（６）、ソース電極（７）と半導体層（４）とをオーミ
ックコンタクトするためのN⁺a−Si、（９）はITO等を材
料にして形成された透明な表示電極、（10）は補助容量
電極を示している。

各表示電極（９）は図示しないカラーフィルタに対応
して配列されており、表示電極（９）の横列間にはゲー
ト電極（２）が、また縦列間にはドレイン電極（６）が
各表示電極（９）間を仕切る態様に形成され、両者の交
叉部分の一隅に前記ゲート電極（２）、絶縁保護膜
（３）、半導体層（４）、ドレイン電極（６）、ソース
電極（７）等にて構成される複数の薄膜トランジスタ
（11）が表示電極（９）との間を接続する態様で形成さ
れている。本実施例では２個の薄膜トランジスタ（11）
が隣接する様に形成されているが、これは、いずれか一
方の薄膜トランジスタ（11）が不良になった場合になっ
ても表示電極（９）を駆動するための予備用である。

しかしながら、複数の薄膜トランジスタ（11）を形成
したとしても、各々の薄膜トランジスタ（11）自体ある
いは表示電極（９）不良となった場合には、薄膜トラン
ジスタ（11）が複数個配置されていたとしても表示電極
（９）は動作しない。

製造工程中に一番不良が発生する工程は、基板（１）
上にゲート電極（２）および補助容量用電極（10）を形
成した後直後にゲート電極（２）、補助容量用電極（1
0）上にゴミ等が付着し、絶縁保護膜形成後にゴミ等が
取り除かれピンホールが形成され、ゲート電極（２）と
半導体層とのショートあるいは表示電極（９）と補助容
量用電極（10）とがショートする場合がある。また、半
導体層とドレイン電極（６）とソース電極（７）とがコ
ンタクト不良となったときは各々の薄膜トランジスタ
（11）が同時に不良となる場合がある。この場合におい
ては、画素が完全に不良となる。

本発明は、かかる問題により、不良となった薄膜トラ
ンジスタ（11）を完全再生には至らないもののある程度
の範囲で再生可能とする。

上記した薄膜トランジスタ（11）が形成された基板
（１）はカラーフィルタ、対向電極が形成された基板
（図示しない）と周知の方法により一体化され、その間
隔に液晶を注入してプロジェクタ用の表示パネルとして
完成される。

かかる、表示パネルは所定の検査が行われ、複数の薄
膜トランジスタ（11）の動作不良の有無がチェックされ
る。例えば、パターンジェネレータ等の装置を用いて薄
膜トランジスタ（11）に各種の映像信号を入力させる
と、例えば薄膜トランジスタ（11）が動作不良になった
とすると表示電極（９）ガ白点（あるいは黒点）となっ
て観測者に知らせる。

そこで、本発明では、ソース電極（７）とゲート電極
（２）の重畳する重畳領域で夫々の電極を接続し導通状
態とするところにある。即ち、ソース電極（７）とゲー
ト電極（２）とをレーザ光を用いてショートさせ、不良
になった表示電極（９）をON,OFFさせて周囲のコントラ
ストのバランスを図ることで再生させる。

即ち、表示パネルの上下に偏光板を配置させ、パター
ンジェネレータより黒（又は白）レベルの信号をパネル
に入力する。すると、不良になった薄膜トランジスタ
（11）は白（又は黒）点を表示する。次にYAGレーザ等
をセットした顕微鏡のステージ上に表示パネルを載置
し、対極基板側より透過光を照射させ、白（又は黒）点
を顕微鏡の視野内に入れる。さらに、表示電極（９）が
白（又は黒）となっている画素の薄膜トランジスタ（1
1）のソース電極（７）とゲート電極（２）とが重畳す
る領域にレーザ光を基板（１）面側から所定時間照射す
る。すると、ソース電極（７）が溶融するとともに絶縁
保護膜（３）に穴が形成され、その穴の壁面に溶融され
た一部の金属が流れ込みゲート電極（２）ト接続され
る。

また、ソース電極（７）とゲート電極（２）との接続
をより確実に行うために複数ヵ所にレーザ光を照射させ
ると効果的である。本実施例では、表示パネルが完成し
た後にレーザ光を用いて薄膜トランジスタを修正してい
るが未完成状態においても同様に修正することができ
る。即ち、薄膜トランジスタを形成した基板のソース電
極上からレーザ光を照射すれば同様にソース電極とゲー
ト電極とを接続することができる。しかし、この場合の
検査工程では、ドレインラインおよびゲートラインのラ
イン断線不良による検査は容易に行えるものの、個々の
薄膜トランジスタの良不良の判定は困難であり、現実的
には完成品によって行われる。

（ト）発明の効果以上に詳述した如く、本発明に依れば、不良となった
TFT素子のソース電極とゲート電極とをレーザ光を用い
て接続することにより、不良となったTFT素子を完全に
再生することはできないものの、ゲートラインに印加さ
れる信号に基づいて不良TFT素子を黒点に駆動させるこ
とができる。

その結果、ノーマリホワイトモードで使用するプロジ
ェクタ用液晶表示パネルでは不良TFT素子が発生した場
合でも再生することができる。

また、本発明では表示パネルの完成後に再生できるた
め、完成歩留りが著しく向上しその効果は大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の液晶表示パネルの要部拡大平面図、第
２図は第１図のＩ−Ｉ断面図である。（１）は絶縁基板、（２）はゲート電極、（３）は絶縁
保護膜、（４）は半導体層、（５）はパッシベーショ
ン、（６）はドレイン電極、（７）はソース電極、
（８）はN⁺a−Si、（９）は表示電極、（10）は補助容
量用電極である。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板上に行列配置された複数の透光性
導電酸化物膜からなる画素電極の夫々に半導体層を有す
る少なくとも１つ以上の薄膜トランジスタを対応させて
行列配置してなり、前記薄膜トランジスタのソース電極
を前記トランジスタに対応する前記画素電極に接続され
たアクティブ・マトリックス型の液晶表示パネルにおい
て、所定の前記薄膜トランジスタのソース電極と前記基板上
に形成されたゲート電極とを前記ゲート電極とソース電
極との重畳領域上で接続したことを特徴とする液晶表示
パネル。
【請求項２】前記接続はソース電極にレーザ光を照射せ
しめ、前記ソース電極の一部を溶融させることを特徴と
する請求項１記載の液晶表示パネル。
【請求項３】前記レーザ光を前記基板表面から照射する
ことを特徴とする請求項２記載の液晶表示パネル。
【請求項４】前記ソース電極はアルミニウム、前記ゲー
ト電極はクロムの金属で形成されたことを特徴とする請
求項１記載の液晶表示パネル。