JP2522177B2 - 過入力防止回路 - Google Patents
過入力防止回路Info
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- JP2522177B2 JP2522177B2 JP5204733A JP20473393A JP2522177B2 JP 2522177 B2 JP2522177 B2 JP 2522177B2 JP 5204733 A JP5204733 A JP 5204733A JP 20473393 A JP20473393 A JP 20473393A JP 2522177 B2 JP2522177 B2 JP 2522177B2
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- Japan
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- microstrip line
- superconducting
- circuit element
- power
- superconducting microstrip
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐電力の低い高周波
（ＲＦ）回路素子への過大入力を防止する過入力防止回
路に関する。
（ＲＦ）回路素子への過大入力を防止する過入力防止回
路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の過入力防止回路は、例えば図３に
示すように、増幅器２１により増幅した高周波信号をＲ
Ｆ回路素子２４へ供給する回路において、増幅器２１の
入力段にスイッチ２３を設け、２２（電力検出回路・ス
イッチ制御回路）により増幅器２１の出力電力を検出
し、その電力レベルが閾値以上のときスイッチ２３を開
成して、許容電力レベルの低いＲＦ回路素子２４の破壊
等を防止するように構成される。
示すように、増幅器２１により増幅した高周波信号をＲ
Ｆ回路素子２４へ供給する回路において、増幅器２１の
入力段にスイッチ２３を設け、２２（電力検出回路・ス
イッチ制御回路）により増幅器２１の出力電力を検出
し、その電力レベルが閾値以上のときスイッチ２３を開
成して、許容電力レベルの低いＲＦ回路素子２４の破壊
等を防止するように構成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の過入力
防止回路では、電力検出回路やスイッチ制御回路、それ
らの電源回路等が必要となるので、回路規模が大型化
し、また重量も増加し、電力消費があるだけでなく、部
品点数が多いことから信頼性が低くなるという問題があ
る。
防止回路では、電力検出回路やスイッチ制御回路、それ
らの電源回路等が必要となるので、回路規模が大型化
し、また重量も増加し、電力消費があるだけでなく、部
品点数が多いことから信頼性が低くなるという問題があ
る。
【０００４】本発明は、このような従来の問題に鑑みな
されたもので、その目的は、小型軽量で、かつ電力消費
がなく、信頼性を高め得る過入力防止回路を提供するこ
とにある。
されたもので、その目的は、小型軽量で、かつ電力消費
がなく、信頼性を高め得る過入力防止回路を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明の過入力防止回路は次の如き構成を有する。即
ち、本発明の過入力防止回路は、常時は高周波回路素子
と接点構造を介して接続され、前記高周波回路素子に入
力する高周波電力が臨界磁界をもたらす電力値以下の場
合は超電導状態をとり、また臨界磁界をもたらす電力値
以上の場合は常電導状態をとる超電導マイクロストリッ
プ線路と； 前記超電導マイクロストリップ線路と対向
して接近離反可能に配置されると共に、常時接近する方
向に付勢される磁性体と； 前記磁性体と連動するとと
もに前記接点構造を構成し、前記超電導マイクロストリ
ップ線路に入力する前記高周波電力が臨界磁界をもたら
す電力値以上となって常電導状態となり前記磁性体が前
記マイクロストリップ線路から離反する向きへ移動した
とき超電導マイクロストリップ線路と高周波回路素子間
を閉成する接極板と； を備えたことを特徴とするもの
である。
本発明の過入力防止回路は次の如き構成を有する。即
ち、本発明の過入力防止回路は、常時は高周波回路素子
と接点構造を介して接続され、前記高周波回路素子に入
力する高周波電力が臨界磁界をもたらす電力値以下の場
合は超電導状態をとり、また臨界磁界をもたらす電力値
以上の場合は常電導状態をとる超電導マイクロストリッ
プ線路と； 前記超電導マイクロストリップ線路と対向
して接近離反可能に配置されると共に、常時接近する方
向に付勢される磁性体と； 前記磁性体と連動するとと
もに前記接点構造を構成し、前記超電導マイクロストリ
ップ線路に入力する前記高周波電力が臨界磁界をもたら
す電力値以上となって常電導状態となり前記磁性体が前
記マイクロストリップ線路から離反する向きへ移動した
とき超電導マイクロストリップ線路と高周波回路素子間
を閉成する接極板と； を備えたことを特徴とするもの
である。
【０００６】
【作用】次に前記の如く構成される本発明の過入力防止
回路の作用を説明する。超電導マイクロストリップ線路
は、臨界磁界と呼ぶ超電導状態から常電導状態状に遷移
する磁界をもたらすある電力値以下の高周波電力に対し
ては超電導状態に保たれて完全反磁性を示すマイスナー
効果を発生し、磁性体を超電導マイクロストリップ線路
から離反する向きへ移動付勢し、その結果超電導マイク
ロストリップ線路と高周波回路素子間とを閉成する接極
板が接点回路を閉成し、超電導マイクロストリップ線路
に供給された通常値の高周波電力は高周波回路素子に供
給される。
回路の作用を説明する。超電導マイクロストリップ線路
は、臨界磁界と呼ぶ超電導状態から常電導状態状に遷移
する磁界をもたらすある電力値以下の高周波電力に対し
ては超電導状態に保たれて完全反磁性を示すマイスナー
効果を発生し、磁性体を超電導マイクロストリップ線路
から離反する向きへ移動付勢し、その結果超電導マイク
ロストリップ線路と高周波回路素子間とを閉成する接極
板が接点回路を閉成し、超電導マイクロストリップ線路
に供給された通常値の高周波電力は高周波回路素子に供
給される。
【０００７】一方、超電導マイクロストリップ線路は、
臨界磁界を超える磁界をもたらすある電力値以上の高周
波電力に対しては常電導状態となり、磁性体はマイスナ
ー効果の消滅により超電導マイクロストリップ線路へ向
かう方向に移動付勢され、その結果接極板が接点回路を
開成し、超電導マイクロストリップ線路に供給されたあ
る電力値以上の過大高周波電力は高周波回路素子に供給
されるのが阻止される。
臨界磁界を超える磁界をもたらすある電力値以上の高周
波電力に対しては常電導状態となり、磁性体はマイスナ
ー効果の消滅により超電導マイクロストリップ線路へ向
かう方向に移動付勢され、その結果接極板が接点回路を
開成し、超電導マイクロストリップ線路に供給されたあ
る電力値以上の過大高周波電力は高周波回路素子に供給
されるのが阻止される。
【０００８】ここに、磁性体と接極板を連動して付勢す
る手段は簡単な機構で構成できるので、小型軽量化が可
能である。また特別の電源は不要であるので、電力の消
費はない。更に構成が簡素であるので、信頼性は従来の
回路よりも一段と向上させ得る。
る手段は簡単な機構で構成できるので、小型軽量化が可
能である。また特別の電源は不要であるので、電力の消
費はない。更に構成が簡素であるので、信頼性は従来の
回路よりも一段と向上させ得る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は、本発明の第１の実施例に係る過入力防止
回路を示す。図１において、１は超電導マイクロストリ
ップ線路であり、この超電導マイクロストリップ線路１
は基板２の片面に形成される。図示例では、基板２は線
路形成面を上にして水平配置される。
する。図１は、本発明の第１の実施例に係る過入力防止
回路を示す。図１において、１は超電導マイクロストリ
ップ線路であり、この超電導マイクロストリップ線路１
は基板２の片面に形成される。図示例では、基板２は線
路形成面を上にして水平配置される。
【００１０】基板２の上方に在る筐体９は、基板２の配
置面に平行な一側壁であるが、この筐体９には８と８′
の２個の導体棒をある間隔を置いて、かつ、それぞれの
先端をその側面から下方に適宜長さ突出させて配置して
ある。図示省略したが、導体棒８は超電導マイクロスト
リップ線路１に接続され、導体棒８′は高周波回路素子
に接続されている。なお、この２つの導体棒は同軸線路
の中心導体を用いることができる。
置面に平行な一側壁であるが、この筐体９には８と８′
の２個の導体棒をある間隔を置いて、かつ、それぞれの
先端をその側面から下方に適宜長さ突出させて配置して
ある。図示省略したが、導体棒８は超電導マイクロスト
リップ線路１に接続され、導体棒８′は高周波回路素子
に接続されている。なお、この２つの導体棒は同軸線路
の中心導体を用いることができる。
【００１１】基板２と筐体９との間にはガイド板７が基
板２の配置面にほぼ平行して配置され、このガイド板７
にはホルダ４が上下動自在に支持される。
板２の配置面にほぼ平行して配置され、このガイド板７
にはホルダ４が上下動自在に支持される。
【００１２】具体的にはホルダ４は、例えばボルト状の
もので、水平部を上向きして棒部がガイド板７に上下動
自在に支持される。従って、棒部の下端面が超電導マイ
クロストリップ線路１と対向し、水平部の上側面が筐体
９に対向するが、棒部の下端面には磁性体３が貼着さ
れ、水平部の上側面には接極板５が貼着されている。
もので、水平部を上向きして棒部がガイド板７に上下動
自在に支持される。従って、棒部の下端面が超電導マイ
クロストリップ線路１と対向し、水平部の上側面が筐体
９に対向するが、棒部の下端面には磁性体３が貼着さ
れ、水平部の上側面には接極板５が貼着されている。
【００１３】そして、水平部とガイド板７との間にばね
６が設けられ、このばね６によりホルダ４は常時下向き
に付勢されているが、上動したとき水平部上側面の接極
板５が筐体９に配置した８と８′の２つの導体棒それぞ
れの先端に接触して両者を短絡し、下動したとき棒部下
端面が超電導マイクロストリップ線路１に接触する範囲
で上下動できるようになっている。
６が設けられ、このばね６によりホルダ４は常時下向き
に付勢されているが、上動したとき水平部上側面の接極
板５が筐体９に配置した８と８′の２つの導体棒それぞ
れの先端に接触して両者を短絡し、下動したとき棒部下
端面が超電導マイクロストリップ線路１に接触する範囲
で上下動できるようになっている。
【００１４】以上の構成において、超電導マイクロスト
リップ線路１は、臨界磁界を与えるある電力値以下の高
周波電力に対しては超電導状態にあり、マイスナー効果
を発生して完全反磁性を示し、磁性体３を超電導マイク
ロストリップ線路１から離反する向きへ移動付勢する。
リップ線路１は、臨界磁界を与えるある電力値以下の高
周波電力に対しては超電導状態にあり、マイスナー効果
を発生して完全反磁性を示し、磁性体３を超電導マイク
ロストリップ線路１から離反する向きへ移動付勢する。
【００１５】その結果、図１（ａ）に示すように、ホル
ダ４がばね６の下向き付勢力に抗して上動し、接極板５
が２つの導体棒（８、８′）の先端に当接して接点回路
を閉成し、超電導マイクロストリップ線路１に供給され
た通常値の高周波電力は高周波回路素子に供給される。
ダ４がばね６の下向き付勢力に抗して上動し、接極板５
が２つの導体棒（８、８′）の先端に当接して接点回路
を閉成し、超電導マイクロストリップ線路１に供給され
た通常値の高周波電力は高周波回路素子に供給される。
【００１６】一方、超電導マイクロストリップ線路１
は、臨界磁界を与えるある電力値以上の高周波電力が印
加されると超電導状態が破られて常電導状態となり、マ
イスナー効果は消滅し磁性体３に作用していた力が消失
する。
は、臨界磁界を与えるある電力値以上の高周波電力が印
加されると超電導状態が破られて常電導状態となり、マ
イスナー効果は消滅し磁性体３に作用していた力が消失
する。
【００１７】その結果、図１（ｂ）に示すように、ホル
ダ４がばね６の下向き付勢力により下動し、接極板５が
２つの導体棒（８、８′）から離反して接点回路を開成
し、超電導マイクロストリップ線路１に供給されたある
電力値以上の過大高周波電力が高周波回路素子に供給さ
れるのを阻止する。
ダ４がばね６の下向き付勢力により下動し、接極板５が
２つの導体棒（８、８′）から離反して接点回路を開成
し、超電導マイクロストリップ線路１に供給されたある
電力値以上の過大高周波電力が高周波回路素子に供給さ
れるのを阻止する。
【００１８】次に、図２は本発明の第２の実施例に係る
過入力防止回路を示す。この第２実施例は、２つの導体
棒（８、８′）が基板２の横方向（図示例では左方）に
在る筐体９′に配置される場合の構成例である。
過入力防止回路を示す。この第２実施例は、２つの導体
棒（８、８′）が基板２の横方向（図示例では左方）に
在る筐体９′に配置される場合の構成例である。
【００１９】図２において、基板２の上方に在る筐体１
２は、基板２の配置面にほぼ平行な一側壁であるが、基
板２と筐体１２との間の筐体側面には軸受１１が立設さ
れ、この軸受１１にはアーム１０が回転可能に支持され
る。
２は、基板２の配置面にほぼ平行な一側壁であるが、基
板２と筐体１２との間の筐体側面には軸受１１が立設さ
れ、この軸受１１にはアーム１０が回転可能に支持され
る。
【００２０】アーム１０は、棒部材の両端を同一方向に
ほぼ直角に折り曲げて略コ字状に形成したもので、直角
に折り曲げた両垂直部を下向きにして水平部を軸受１１
に支持させ、一方の垂直部（図中右方）端面が超電導マ
イクロストリップ線路１に対向し、他方の垂直部（図中
左方）端面が２つの導体棒（８、８′）の先端面に対向
するようにしてある。従って、一方の垂直部端面には磁
性体３が貼着され、他方の垂直部端面には接極板５が貼
着される。
ほぼ直角に折り曲げて略コ字状に形成したもので、直角
に折り曲げた両垂直部を下向きにして水平部を軸受１１
に支持させ、一方の垂直部（図中右方）端面が超電導マ
イクロストリップ線路１に対向し、他方の垂直部（図中
左方）端面が２つの導体棒（８、８′）の先端面に対向
するようにしてある。従って、一方の垂直部端面には磁
性体３が貼着され、他方の垂直部端面には接極板５が貼
着される。
【００２１】そして、ばね６′が水平部の一端（図中左
方）と筐体１２との間に設けられ、水平部の一端は常時
上向きに付勢されている。つまり、アーム１０は常時時
計回り方向への回転力を受け、磁性体３は超電導マイク
ロストリップ線路１に向かう方向へ付勢され、接極板５
は２つの導体棒（８、８′）から離反する方向へ付勢さ
れているのである。
方）と筐体１２との間に設けられ、水平部の一端は常時
上向きに付勢されている。つまり、アーム１０は常時時
計回り方向への回転力を受け、磁性体３は超電導マイク
ロストリップ線路１に向かう方向へ付勢され、接極板５
は２つの導体棒（８、８′）から離反する方向へ付勢さ
れているのである。
【００２２】この第２実施例においても第１実施例と同
様の作用効果が得られることは明らかである。
様の作用効果が得られることは明らかである。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の過入力防
止回路では、超電導状態にあるマイクロストリップ線路
に印加する高周波電力がある電力値以上となると超電導
状態が破れ常電導状態となりマイスナー効果が消滅する
事実に着目し、超電導状態では接点回路が閉成し、常電
導状態では接点回路が開成するようにしてある。従っ
て、磁性体と接極板を連動して付勢する手段は簡単な機
構で構成できるので、小型軽量化が可能である。また特
別の電源は不要であるので、電力の消費はない。更に構
成が簡素であるので、信頼性は従来の回路よりも一段と
向上させ得る等の効果がある。
止回路では、超電導状態にあるマイクロストリップ線路
に印加する高周波電力がある電力値以上となると超電導
状態が破れ常電導状態となりマイスナー効果が消滅する
事実に着目し、超電導状態では接点回路が閉成し、常電
導状態では接点回路が開成するようにしてある。従っ
て、磁性体と接極板を連動して付勢する手段は簡単な機
構で構成できるので、小型軽量化が可能である。また特
別の電源は不要であるので、電力の消費はない。更に構
成が簡素であるので、信頼性は従来の回路よりも一段と
向上させ得る等の効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例に係る過入力防止回路の
構成及び動作を示し、（ａ）は閉動作時の状態図、
（ｂ）は開動作時の状態図である。
構成及び動作を示し、（ａ）は閉動作時の状態図、
（ｂ）は開動作時の状態図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係る過入力防止回路の
構成及び動作を示し、（ａ）は閉動作時の状態図、
（ｂ）は開動作時の状態図である。
構成及び動作を示し、（ａ）は閉動作時の状態図、
（ｂ）は開動作時の状態図である。
【図３】従来の過入力防止回路の構成ブロック図であ
る。
る。
１ 超電導マイクロストリップ線路 ２ 基板 ３ 磁性体 ４ ホルダ ５ 接極板 ６，６′ ばね ７ ガイド板 ８，８′ 導体棒 ９，９′，１２ 筐体 １０ アーム １１ 軸受
Claims (1)
- 【請求項１】 常時は高周波回路素子と接点構造を介し
て接続され、前記高周波回路素子に入力する高周波電力
が臨界磁界をもたらす電力値以下の場合は超電導状態を
とり、また臨界磁界をもたらす電力値以上の場合は常電
導状態をとる超電導マイクロストリップ線路と； 前記
超電導マイクロストリップ線路と対向して接近離反可能
に配置されると共に、常時接近する方向に付勢される磁
性体と； 前記磁性体と連動するとともに前記接点構造
を構成し、前記超電導マイクロストリップ線路に入力す
る前記高周波電力が臨界磁界をもたらす電力値以上とな
って常電導状態となり前記磁性体が前記マイクロストリ
ップ線路から離反する向きへ移動したとき超電導マイク
ロストリップ線路と高周波回路素子間を閉成する接極板
と； を備えたことを特徴とする過入力防止回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5204733A JP2522177B2 (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | 過入力防止回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5204733A JP2522177B2 (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | 過入力防止回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745168A JPH0745168A (ja) | 1995-02-14 |
| JP2522177B2 true JP2522177B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=16495419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5204733A Expired - Lifetime JP2522177B2 (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | 過入力防止回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2522177B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104241175A (zh) * | 2013-06-24 | 2014-12-24 | 马悦 | 一种半导体器件衬底装载装置 |
| CN111261980B (zh) * | 2018-11-30 | 2021-06-01 | 华为技术有限公司 | 开关组件和天线设备 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6410537A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Switching device |
| JPH01119142U (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-11 |
-
1993
- 1993-07-27 JP JP5204733A patent/JP2522177B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0745168A (ja) | 1995-02-14 |
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