JP2519886Y2 - 論理回路 - Google Patents

論理回路

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JP2519886Y2
JP2519886Y2 JP1987062028U JP6202887U JP2519886Y2 JP 2519886 Y2 JP2519886 Y2 JP 2519886Y2 JP 1987062028 U JP1987062028 U JP 1987062028U JP 6202887 U JP6202887 U JP 6202887U JP 2519886 Y2 JP2519886 Y2 JP 2519886Y2
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JP
Japan
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voltage
power supply
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inverter
input
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JP1987062028U
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Inventor
共治 丸本
良明 末永
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ローム 株式会社
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、電源電圧を越える入力電圧の検出を可能
にしたCMOS(Complementary Metal Oxside Semiconduct
or)などで構成される論理回路に関する。
〔従来の技術〕
従来、CMOS回路を用いたディジタルICでは、たとえ
ば、インバータのスレッショルド電圧が、動作上、電源
電圧以下になるので、電源電圧を越える入力電圧を識別
することは不可能である。
〔考案が解決しようとする問題点〕
ところが、ディジタルICでは、たとえば、マイクロコ
ンピュータを構成した場合に、そのテストピンに対して
電源電圧VDDを越える入力電圧VINを加えて動作テストを
行うなどの入力電圧を越えて特別な動作を行う場合があ
る。
そこで、この考案は、電源電圧を越える入力電圧の検
出を可能にした論理回路を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この考案の論理回路は、第1図に例示するように、CM
OS回路からなる論理回路であつて、 入力電圧を受け、その入力電圧の反転出力を得るイン
バータと、 このインバータの入力側に設置され、電源電圧を供給
する電源ラインと接地点との間に、Nチャネル電界効果
トランジスタおよび抵抗からなる直列回路を接続して前
記トランジスタのゲートに前記入力電圧を受けるととも
に、前記入力電圧に対する前記インバータの見掛け上の
スレッショルド電圧を電源電圧以上に設定する電圧変換
回路と、 を備えて、電源電圧以上のレベルを持った入力電圧が
到来したとき、前記インバータからそれを表す出力が得
られるようにしたことを特徴とする論理回路。
〔作用〕
本考案に従えば、Nチャネル電界効果トランジスタお
よび抵抗からなる電圧変換回路を設け、前記トランジス
タのゲートへの入力電圧に対する対するインバータの見
掛け上のスレッショルド電圧を電源電圧以上に設定する
ことができるので、インバータ2自身のスレッショルド
電圧が電源電圧以下であっても、電源電圧を越える入力
電圧を検出することができる。
〔実施例〕
第1図は、この考案の論理回路の実施例を示す。
インバータ2は、ディジタルICの内部にCMOS回路で構
成されたものであり、電源電圧VDDに対してスレッショ
ルド電圧Vthは、Vth<VDDの関係を持つ。一般的にはVth
=VDD/2に設定される。
このインバータ2の入力部に、インバータ2に加えら
れる電源電圧VDDを越える入力電圧VINをインバータ2で
検出可能な低い電圧VNに変換する電圧変換回路4を設置
する。この電圧変換回路4は、たとえば、nチャネル電
界効果トランジスタ6を電源側に、抵抗8を接地側に置
いて直列に接続したものである。
そこで、電圧変換回路4の電圧変換比率をKとする
と、電圧VNは、 VN=VIN/K(VIN) …(1) になる。このような関係をスレッショルド電圧Vthにつ
いて見ると、入力端子10に加えられる入力電圧VIN側か
ら見た見掛け上のスレッショルド電圧Vth′は、 Vth′=K(VIN)・Vth …(2) となり、抵抗値Rを入力電圧がVDDのときのトランジス
タ6の導通抵抗より大きくし、インバータ2の入力スレ
ッショルドをVDD/2より大きく設定すれば、見掛け上の
スレッショルド電圧Vth′は電源電圧VDDを越える値(V
th′>VDD)に設定されることになる。
すなわち、入力端子10に、第2図のaに示すように、
電源電圧VDDを越える入力電圧VINが加えられると、その
入力電圧VINの値に応じてトランジスタ6の特性および
抵抗8の値によって定まる電流が流れる。第3図に示す
ように、トランジスタ6のドレイン・ソース間電圧VDS
に対するドレイン・ソース間電流IDSは、ゲート・ソー
ス間電圧VGS1、VGS2、VGS3(VGS3>VGS2>VGS1)に応じ
て特性X1、X2、X3のようになる。
そして、電流IDSが抵抗8に流れると、トランジスタ
6のソースと抵抗8との接続点には、抵抗8の抵抗値R
と電流IDSとの積によって電圧VNが発生する。この電圧V
Nは、第4図に示すように、抵抗値R1、R2(R1>R2)の
設定に応じて曲線A、Bのようになる。この結果、イン
バータ2のスレッショルド電圧Vthは、曲線A、Bに応
じて見掛け上のスレッショルド電圧Vth1、Vth2にシ
フトされたことになり、抵抗値R1、R2によって電源電圧
VDDより低いスレッショルド電圧Vth1、または、電源
電圧VDDより高いスレッショルド電圧Vth2に設定され
る。
そこで、インバータ2は、抵抗8によって設定された
任意のスレッショルド電圧Vth1、Vth2を越えるレベ
ルの入力電圧VINに応じて、出力端子12から第2図のb
に示す出力信号VOUTを発生するから、電源電圧VDDと同
等またはその値を越えるスレッショルド電圧Vth2が設
定されると、電源電圧VDDを越える入力電圧VINを検出し
て出力信号VOUTを取り出すことができ、電源電圧VDD
越える値の入力電圧VINを識別することができる。
そして、見掛け上のスレッショルド電圧 Vth1、Vth2は、トランジスタ6の形状などの電気的
な特性や抵抗8の大きさによって定量的に任意の値に設
定できるから、電源電圧VDDと等しい入力電圧VINや電源
電圧VDDを越える任意の入力電圧VINを極めて容易に検出
し、そのレベルを識別することができる。したがって、
第1図に示した論理回路を、たとえば、ディジタルICで
構成されるマイクロコンピュータのテストピンのインタ
フェイスとして、電源電圧VDDを越える入力電圧VINの識
別などに用いることができる。
〔考案の効果〕
以上説明したように、この考案によれば、CMOS回路か
らなる論理回路であって、入力電圧を受け、その入力電
圧の反転出力を得るインバータの入力電圧に対する見掛
け上のスレッショルド電圧を電圧変換回路によってイン
バータ側で利用可能な論理電圧に変換したので、電源電
圧を越える電圧を検出し、識別することができる。特
に、電圧変換回路はNチャネル電界効果トランジスタを
電源ライン側に接続しているので、ゲートへの入力電圧
が電源電圧を越えても該トランジスタを導通状態にする
ことが可能となる。
即ち、Nチャネル電界効果トランジスタの場合は、導
通/遮断状態の切換えは、Pチャネル電界効果トランジ
スタとは異なり、ゲート・ドレイン間の電圧によって決
まり、ソース・ゲート間、つまり電源ラインとゲート間
の電圧は何ら関係ないので、ゲートへの入力電圧が電源
電圧を越えても、該トランジスタは導通状態になり得る
ので、電源電圧を越える入力電圧を検出し、識別するこ
とが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の論理回路の実施例を示す回路図、第
2図は第1図に示した論理回路の動作波形を示す図、第
3図は第1図に示した論理回路におけるnチャネル電界
効果トランジスタの動作特性を示す図、第4図は入力電
圧の変換特性を示す図である。 2……インバータ 4……電圧変化回路 6……Nチャネル電界効果トランジスタ 8……抵抗

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】CMOS回路を含む論理回路において、 入力電圧を受け、その入力電圧の反転出力を得るインバ
    ータと、 このインバータの入力側に設置され、電源電圧を供給す
    る電源ラインと接地点との間に、Nチャネル電界効果ト
    ランジスタおよび抵抗からなる直列回路を接続して前記
    トランジスタのゲートに前記入力電圧を受けるととも
    に、前記入力電圧に対する前記インバータの見掛け上の
    スレッショルド電圧を電源電圧以上に設定する電圧変換
    回路と、 を備えて、電源電圧以上のレベルを持った入力電圧が到
    来したとき、前記インバータ回路からそれを表す出力が
    得られるようにしたことを特徴とする論理回路。
JP1987062028U 1987-04-23 1987-04-23 論理回路 Expired - Lifetime JP2519886Y2 (ja)

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JPS63171028U JPS63171028U (ja) 1988-11-08
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JPS5737132B2 (ja) * 1973-08-29 1982-08-07
JPS5120728U (ja) * 1974-07-31 1976-02-16

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