JP2518575B2 - 半導体チップ封止方法 - Google Patents
半導体チップ封止方法Info
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- JP2518575B2 JP2518575B2 JP3284525A JP28452591A JP2518575B2 JP 2518575 B2 JP2518575 B2 JP 2518575B2 JP 3284525 A JP3284525 A JP 3284525A JP 28452591 A JP28452591 A JP 28452591A JP 2518575 B2 JP2518575 B2 JP 2518575B2
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- Japan
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- semiconductor chip
- resin
- bonding
- bridge
- bonding wires
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップを樹脂で封
止（モールド）する半導体チップ封止方法に関する。
止（モールド）する半導体チップ封止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より半導体チップの封止手段の１つ
として樹脂でモールドする方法が用いられている。図
４、図５は樹脂モールドされた半導体チップを模式的に
表わした横方断面図、一部平面図である。
として樹脂でモールドする方法が用いられている。図
４、図５は樹脂モールドされた半導体チップを模式的に
表わした横方断面図、一部平面図である。
【０００３】内部に図示しない多数の回路素子が形成さ
れるとともにボンディングパッド１２が形成された半導
体チップ１０の近傍に多数のリード１４が配設され、各
ボンディングパッド１２と各リード１４が各ボンディン
グワイヤ１６で接続され、その後この半導体チップ１０
を囲うように配置された型内に樹脂２０が流し込まれて
モールドされる。これにより、半導体チップ１０及びボ
ンディングワイヤ１６は密封されて保護され、リード１
４のみがこの樹脂モールド２０から突出し、外部回路と
接続される。
れるとともにボンディングパッド１２が形成された半導
体チップ１０の近傍に多数のリード１４が配設され、各
ボンディングパッド１２と各リード１４が各ボンディン
グワイヤ１６で接続され、その後この半導体チップ１０
を囲うように配置された型内に樹脂２０が流し込まれて
モールドされる。これにより、半導体チップ１０及びボ
ンディングワイヤ１６は密封されて保護され、リード１
４のみがこの樹脂モールド２０から突出し、外部回路と
接続される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年半導体回路がます
ます微細化し、狭い面積の半導体チップ内に極めて多数
の回路素子が形成されてきている。このため、外部回路
との信号の授受もますます多数必要とされ外部回路との
信号の授受のためのボンディングパッドも狭い場所にま
すます多数配列されるようになってきており、ボンディ
ングパッド１２の配列ピッチは、例えば１３０〜１４０
μｍ程度となってきている。
ます微細化し、狭い面積の半導体チップ内に極めて多数
の回路素子が形成されてきている。このため、外部回路
との信号の授受もますます多数必要とされ外部回路との
信号の授受のためのボンディングパッドも狭い場所にま
すます多数配列されるようになってきており、ボンディ
ングパッド１２の配列ピッチは、例えば１３０〜１４０
μｍ程度となってきている。
【０００５】一方、リード１４は、このボンディングパ
ッド１２と同等には細かいピッチで配列することはでき
ず、例えば２３０〜２５０μｍが実用上の限度である。
このため、ボンディングパッド１２、リード１４が多数
配列されると、図５に示すような端の部分においてボン
ディングパッド１２の配列ピッチよりもリード１４の配
列ピッチが大きい分、リード１４が外側に食み出し、し
たがって特に端部のボンディングパッド１２とリード１
４とを結ぶボンディングワイヤ１６の長さが長くなって
しまうことになる。このため、樹脂を流し込んでモール
ドする際に、樹脂の粘性でボンディングワイヤ１６が横
に移動し、図５の丸Ａ内のように互いに隣接したりボン
ディングワイヤ１６どおしが接近し、これらが接触した
ままモールドされてしまうことがあり、このモールドの
ために不良品が発生するという問題がある。この問題
は、回路素子の微細化、ＬＳＩの巨大化に伴いますます
顕著になってきている。
ッド１２と同等には細かいピッチで配列することはでき
ず、例えば２３０〜２５０μｍが実用上の限度である。
このため、ボンディングパッド１２、リード１４が多数
配列されると、図５に示すような端の部分においてボン
ディングパッド１２の配列ピッチよりもリード１４の配
列ピッチが大きい分、リード１４が外側に食み出し、し
たがって特に端部のボンディングパッド１２とリード１
４とを結ぶボンディングワイヤ１６の長さが長くなって
しまうことになる。このため、樹脂を流し込んでモール
ドする際に、樹脂の粘性でボンディングワイヤ１６が横
に移動し、図５の丸Ａ内のように互いに隣接したりボン
ディングワイヤ１６どおしが接近し、これらが接触した
ままモールドされてしまうことがあり、このモールドの
ために不良品が発生するという問題がある。この問題
は、回路素子の微細化、ＬＳＩの巨大化に伴いますます
顕著になってきている。
【０００６】本発明は、上記問題を解決し、樹脂モール
ドの工程で互いに隣接するボンディングワイヤが接触す
ることを防止する半導体チップ封止方法を提供すること
を目的とする。
ドの工程で互いに隣接するボンディングワイヤが接触す
ることを防止する半導体チップ封止方法を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の半導体チップ封止方法は、半導体チップ上に
多数配列されたボンディングパッドと、該半導体チップ
に隣接して多数配列されたリードフレームとの間をそれ
ぞれボンディングワイヤで接続し、絶縁樹脂によりこれ
ら複数のボンディングワイヤにまたがるブリッジを形成
し、その後前記半導体チップを樹脂で封止することを特
徴とするものである。
の本発明の半導体チップ封止方法は、半導体チップ上に
多数配列されたボンディングパッドと、該半導体チップ
に隣接して多数配列されたリードフレームとの間をそれ
ぞれボンディングワイヤで接続し、絶縁樹脂によりこれ
ら複数のボンディングワイヤにまたがるブリッジを形成
し、その後前記半導体チップを樹脂で封止することを特
徴とするものである。
【０００８】ここで上記ブリッジを形成するための樹脂
は、本発明においては特定の樹脂に限定されるものでは
ないが、例えばポリイミドやエポキシ系の樹脂が用いら
れる。
は、本発明においては特定の樹脂に限定されるものでは
ないが、例えばポリイミドやエポキシ系の樹脂が用いら
れる。
【０００９】
【作用】上記本発明の半導体チップ封止方法は、ボンデ
ィングワイヤで接続した後絶縁樹脂により複数のボンデ
ィングワイヤにまたがるブリッジを形成し、その後樹脂
モールドするようにしたため、このブリッジにより隣接
するボンディングワイヤどおしの間隔が保持され、した
がって、隣接するボンディングワイヤどおしの接触は確
実に防止される。
ィングワイヤで接続した後絶縁樹脂により複数のボンデ
ィングワイヤにまたがるブリッジを形成し、その後樹脂
モールドするようにしたため、このブリッジにより隣接
するボンディングワイヤどおしの間隔が保持され、した
がって、隣接するボンディングワイヤどおしの接触は確
実に防止される。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１、図２はボンディング後樹脂モールド前のボンディン
グワイヤに樹脂ブリッジを形成する各例を示した図、図
３は樹脂ブリッジが形成された状態を示した図である。
これらの図においては、図４、図５に示す各要素と同一
の要素には図４、図５において付した番号と同一の番号
を付し重複説明は省略する。
１、図２はボンディング後樹脂モールド前のボンディン
グワイヤに樹脂ブリッジを形成する各例を示した図、図
３は樹脂ブリッジが形成された状態を示した図である。
これらの図においては、図４、図５に示す各要素と同一
の要素には図４、図５において付した番号と同一の番号
を付し重複説明は省略する。
【００１１】図１は、ボンディングワイヤ１６の頂点近
傍をポリイミド液２０ａに漬けた状態を表わした図であ
り、ポリイミド液２０ａの粘度を予め調整しておくこと
により、ボンディングワイヤ１６を液２０ａから引上げ
た後に図３に示すようにブリッジ２０ｂが形成される。
また図２は、ノズル２２によりポリイミド液２０ａがボ
ンディングワイヤ１６に滴下されている状態を表わした
図であり、これによっても図３に示すようにブリッジ２
０ｂが形成される。
傍をポリイミド液２０ａに漬けた状態を表わした図であ
り、ポリイミド液２０ａの粘度を予め調整しておくこと
により、ボンディングワイヤ１６を液２０ａから引上げ
た後に図３に示すようにブリッジ２０ｂが形成される。
また図２は、ノズル２２によりポリイミド液２０ａがボ
ンディングワイヤ１６に滴下されている状態を表わした
図であり、これによっても図３に示すようにブリッジ２
０ｂが形成される。
【００１２】このようなブリッジ２０ｂが形成された後
樹脂が型内に流し込まれて半導体チップ１０の全体が樹
脂モールドされるが、この際にはブリッジ２０ｂにより
ボンディングワイヤ１２どおしの間隔は常に保持されて
いるため、ボンディングワイヤどおしの接触を確実に防
止することができる。なお、例えばボンディングワイヤ
１６の表面にポリイミド液２０ａは付着されるが互いに
隣接するボンディングワイヤ１６の間にブリッジ２０ｂ
が形成されない程度にポリイミド液２０ａの粘度を下げ
た場合、ボンディングワイヤ１６どおしの電気的な接触
はかなり防止されるが、ボンディングワイヤ１６はかな
り細い線であり可撓性を有するため、その一部分にポリ
イミド液２０ａが付着していても他の部分同士が接触す
ることが考えられ、したがって、本発明のようにブリッ
ッジ２０ｂを形成することが好ましい。ただし、本発明
においても一列に配列された多数本のボンディングワイ
ヤ１６の全てに跨がるブリッジ２０ｂが確実に形成され
る必要はなく、ところどころそのブリッジ２０ｂが跡切
れていてもよい。
樹脂が型内に流し込まれて半導体チップ１０の全体が樹
脂モールドされるが、この際にはブリッジ２０ｂにより
ボンディングワイヤ１２どおしの間隔は常に保持されて
いるため、ボンディングワイヤどおしの接触を確実に防
止することができる。なお、例えばボンディングワイヤ
１６の表面にポリイミド液２０ａは付着されるが互いに
隣接するボンディングワイヤ１６の間にブリッジ２０ｂ
が形成されない程度にポリイミド液２０ａの粘度を下げ
た場合、ボンディングワイヤ１６どおしの電気的な接触
はかなり防止されるが、ボンディングワイヤ１６はかな
り細い線であり可撓性を有するため、その一部分にポリ
イミド液２０ａが付着していても他の部分同士が接触す
ることが考えられ、したがって、本発明のようにブリッ
ッジ２０ｂを形成することが好ましい。ただし、本発明
においても一列に配列された多数本のボンディングワイ
ヤ１６の全てに跨がるブリッジ２０ｂが確実に形成され
る必要はなく、ところどころそのブリッジ２０ｂが跡切
れていてもよい。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体チ
ップ封止方法は、絶縁樹脂により複数のボンディングワ
イヤに跨がるブリッジを形成した後樹脂モールドするも
のであるため、樹脂モールドの際にボンディングワイヤ
同士が接触してしまうことが確実に防止される。
ップ封止方法は、絶縁樹脂により複数のボンディングワ
イヤに跨がるブリッジを形成した後樹脂モールドするも
のであるため、樹脂モールドの際にボンディングワイヤ
同士が接触してしまうことが確実に防止される。
【図１】ボンディングワイヤ１６の頂点近傍をポリイミ
ド液２０ａに漬けた状態を表わした図である。
ド液２０ａに漬けた状態を表わした図である。
【図２】ノズル２２によりポリイミド液２０ａがボンデ
ィングワイヤ１６に滴下されている状態を表わした図で
ある。
ィングワイヤ１６に滴下されている状態を表わした図で
ある。
【図３】樹脂ブリッジが形成された状態を示した図であ
る。
る。
【図４】半導体チップを模式的に表わした横方断面図で
ある。
ある。
【図５】半導体チップを模式的に表わした一部平面図で
ある。
ある。
１０ 半導体チップ １２ ボンディングパッド １４ リード １６ ボンディングワイヤ ２０ 樹脂 ２０ｂ 樹脂のブリッジ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップ上に多数配列されたボンデ
ィングパッドと、該半導体チップに隣接して多数配列さ
れたリードフレームとの間をそれぞれボンディングワイ
ヤで接続し、絶縁樹脂によりこれら複数のボンディング
ワイヤにまたがるブリッジを形成し、その後前記半導体
チップを樹脂で封止することを特徴とする半導体チップ
封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3284525A JP2518575B2 (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 半導体チップ封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3284525A JP2518575B2 (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 半導体チップ封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121474A JPH05121474A (ja) | 1993-05-18 |
| JP2518575B2 true JP2518575B2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=17679610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3284525A Expired - Fee Related JP2518575B2 (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 半導体チップ封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2518575B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018100950A (ja) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5455745A (en) * | 1993-07-26 | 1995-10-03 | National Semiconductor Corporation | Coated bonding wires in high lead count packages |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP3284525A patent/JP2518575B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018100950A (ja) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05121474A (ja) | 1993-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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