JP2516065Y2 - テープの反射マーカ検出装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この考案は、情報交換用等磁気テ
ープ等のテープの端部を示す反射マーカを検出する装置
の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】図３は従来の反射マーカ検出装置の要部
回路図である。従来の反射マーカ検出装置５１は、発光
ダイオード等の発光素子５２とフォトトランジスタ等の
受光素子５３とを組合せた反射型検出回路５４の検出出
力（受光出力）５４ａを、電圧比較器５５の入力端子５
５ａへ印加し、この検出出力５４ａの電圧と基準電圧入
力端子５５ｂに供給されるしきい値電圧ＶＴとを比較す
ることで、磁気テープＴの反射マーカＭを検出する構成
である。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】従来の反射マーカ検出
装置５１は、反射マーカＭを検出するためのしきい値Ｖ
Ｔが固定されているため、反射マーカＭの汚れや老化に
よってその反射率が低下し、受光素子５３の出力電圧５
４ａが低下すると、反射マーカＭを検出できない場合が
ある。

【０００４】また、磁気テープＴの劣化等によって、反
射マーカＭが設けられていない部分の反射率が大きくな
ると、受光素子５３の出力電圧５４ａが上昇し、誤検出
となる場合がある。また、発光素子５２ならびに受光素
子５３の特性ばらつきや、その特性の経時変化に伴っ
て、誤検出となる場合がある。

【０００５】この考案はこのような課題を解決するため
なされたもので、検出しきい値を可変することで反射マ
ーカを確実に検出できるようにした磁気テープの反射マ
ーカ検出装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
本考案に係るテープの反射マーカ検出装置は、テープ検
出時における受光素子の受光出力と反射マーカ検出時に
おける受光素子の受光出力とに基づいて検出しきい値を
設定するしきい値設定手段を設けるとともに、この検出
しきい値と受光素子の受光出力とを比較して反射マーカ
検出出力を発生する比較手段を備え、しきい値設定手段
は、テープ面検出時における受光素子の受光出力に基づ
いて暫定しきい値を設定し、受光素子の受光出力がこの
暫定しきい値を越えた時点で検出しきい値を再設定する
よう構成したことを特徴とする。

【０００７】

【作用】しきい値設定手段は、テープ検出時における受
光素子の検出出力ならびに反射マーカ検出時における受
光素子の検出出力に基づいて検出しきい値を設定するの
で、例えば両出力の中間レベルに検出しきい値を設定す
ることができる。よって、テープの劣化や反射マーカの
汚れ等に対して、その影響を除去するようにマーカ検出
しきい値が自動的に設定され、反射マーカの検出を効果
的に行なうことができる。

【０００８】また、テープ面検出時における受光素子の
検出出力に基づいて暫定しきい値を設定し、反射マーカ
検出時点で検出しきい値を再設定する構成とすることに
より、反射マーカ検出の確度をより向上させることがで
きる。

【０００９】

【実施例】以下、この考案の実施例を添付図面に基づい
て説明する。図１は本考案に関連するテープの反射マー
カ検出装置のブロック構成図である。この反射マーカ検
出装置１は、発光ダイオード等の発光素子２とフォトト
ランジスタ等の受光素子３とを組合せた反射式検出回路
４と、この反射式検出回路４の検出出力（以下受光出力
と記す）４ａを対応するデジタルデータへ変換するＡ／
Ｄ変換器５と、Ａ／Ｄ変換された受光データ５に対して
所定の処理を施す等して、テープ検出時におけるテープ
面受光データ６ａを記憶手段７へ記憶させる書込制御手
段６と、記憶手段７に記憶されたテープ面受光データ７
ａに基づいて反射マーカＭの検出しきい値に係るデジタ
ルデータ８ａを生成するしきい値設定手段８と、このデ
ジタルデータ８ａを対応する検出しきい値電圧ＶＴへ変
換するＤ／Ａ変換器９と、この検出しきい値電圧ＶＴと
受光出力４ａとを比較して、受光出力４ａが検出しきい
値電圧ＶＴを越えている間はマーカ検出出力ＤＥＴを発
生する比較手段１０からなる。この構成例において、比
較手段１０は電圧比較器で構成しており、１０ａは基準
電圧入力端子、１０ｂは比較電圧入力端子である。

【００１０】なお、この構成例では受光素子３をフォト
トランジスタで構成し、そのエミッタ側に電流−電圧変
換を行なうための負荷抵抗１１を設けて、受光量の増加
に比例して受光出力４ａが大きくなる構成としている
が、負荷抵抗１１をフォトトランジスタのコレクタ側へ
設けて、受光量と受光出力が逆比例となるよう構成して
もよい。また、電流−電圧変換部は演算増幅器等を用い
て、受光素子３の出力を増幅した受光出力４ａを得るよ
う構成してもよい。

【００１１】書込制御手段６は、受光データ５ａが、予
め設定した値以下の場合に、そのデータをテープ面受光
データ６ａとして記憶手段へ書込むよう構成している。

【００１２】なお、この書込制御手段６は、Ａ／Ｄ変換
器５からサンプリング周期毎に出力される受光データ５
ａの中から所定数のデータの平均値を算出し、その平均
値をテープ面受光データ６ａとして記憶手段７へ書込む
よう構成してもよい。

【００１３】また、磁気テープＴが装着されたことを知
らせる信号（図示しない）を書込制御手段６へ与え、こ
の信号に基づいてテープ面受光データ６ａを書込むよう
にしてもよい。

【００１４】しきい値設定手段８は、デジタル乗算回路
で構成している。なお、乗数を２のＮ乗倍に設定する場
合、しきい値設定手段８はシフトレジスタ等を用いて構
成してもよい。

【００１５】また、書込制御手段６ならびにしきい値設
定手段８は、マイクロプロセッサを用い、プログラム制
御によって構成してもよく、Ａ／Ｄ変換器、Ｄ／Ａ変換
器および、ＲＯＭ、ＲＡＭ等を内蔵した１チップマイク
ロプロセッサを用いて各回路部５〜９を構成してもよ
い。

【００１６】以上の構成であるから、記憶手段７にはテ
ープ面検出時の受光出力４ａにかかる受光データ６ａが
記憶され、しきい値設定手段８はその受光データ６ａに
所定の乗数を乗じたデータ８ａを出力する。よって、Ｄ
／Ａ変換器９から出力される検出しきい値電圧ＶＴは、
テープ面検出時における検出出力に対応して可変される
ので、磁気テープＴの劣化や発光・受光素子２，３の特
性変化等があっても、反射マーカＭを確実に検出するこ
とができる。

【００１７】なお、この構成例では受光素子３の受光出
力４ａとＤ／Ａ変換器９の出力である検出しきい値電圧
ＶＴを電圧比較器で構成した比較手段１０で比較する構
成について示したが、マグニチュードコンパレータを用
いて比較手段１０を構成し、Ａ／Ｄ変換器５の出力５ａ
と、しきい値設定手段８の出力８ａを比較して、反射マ
ーカＭの検出出力ＤＥＴを得る構成としてもよい。

【００１８】なお、この構成例では受光素子３の受光出
力４ａをＡ／Ｄ変換器５を介して対応するデジタルデー
タ５ａへ変換して処理する構成を示したが、サンプル・
ホールド回路を用いて受光素子３の受光出力４ａを保持
し、演算増幅器等を用いたアナログ乗算回路で検出しき
い値電圧ＶＴを発生させる構成としてもよい。

【００１９】図２は本考案に係るテープの反射マーカ検
出装置のブロック構成図である。この反射マーカ検出装
置２１は、マイクロプロセッサ（ＣＰＵ）と制御プログ
ラム等で構成した制御手段２２と、テープ受光データ記
憶手段２３と、反射マーカ受光データ記憶手段２４と、
暫定しきい値設定手段２５と、しきい値設定手段２６
と、データ切替手段２７とを備える。反射型検出回路
４、Ａ／Ｄ変換器５、Ｄ／Ａ変換器９および比較手段１
０の構成は図１に示したものと同じである。

【００２０】制御手段２２は、Ａ／Ｄ変換器５の出力で
ある受光データ５ａを入力として、テープ受光データ２
２ａおよび反射マーカ受光データ２２ｂを各記憶手段２
３，２４へそれぞれ記憶させるとともに、Ｄ／Ａ変換器
９へ与えるデータを切替えるデータ切替信号２２ｃを生
成するもので、具体的には以下の動作を行なうよう構成
している。

【００２１】この制御手段２２は、受光データ５ａが予
め設定した値以下の場合、または、図示しないテープ装
置からテープ装着に係る指令等がこの制御手段２２へ与
えられた時に、その時点の受光データ５ａまたは複数の
受光データの平均データをテープ受光データ記憶手段２
３へ書込む。

【００２２】暫定しきい値設定手段２５はデジタル乗算
回路等を備え、テープ受光データ記憶手段２３から読出
した記憶データ２３ａに所定の倍率を乗じた値のデータ
を暫定しきい値データ２５ａとして出力するよう構成し
ている。この暫定しきい値データ２５ａは、データ切替
手段２７の一方の入力端子２７ａへ供給するとともに、
制御手段２２へ供給している。

【００２３】制御手段２２は、テープ受光データ２２ａ
の書込み後は、暫定しきい値データ２５ａと受光出力５
ａとを比較し、受光データ５ａが暫定しきい値データ２
５ａより大きい場合は、その受光データ５ａを反射マー
カ受光データ記憶手段２４へ記憶させる。

【００２４】そして、しきい値設定手段２６は各記憶手
段２３，２４に記憶された各受光データに基づいて、例
えばそれらの中間の値をマーカ検出しきい値データ２６
ａとして出力する演算処理手段を備える。

【００２５】また、制御手段２２は、反射マーカ受光デ
ータ記憶手段２４へ反射マーカ受光データ２２ｂへ書込
んだ後所定時間経過した時点で、データ切替信号２２ｃ
の論理レベルを反転させて、Ｄ／Ａ変換器９へ供給する
データを暫定しきい値データ２５ａからしきい値データ
２６ａへ切替えるよう構成している。

【００２６】以上の構成であるから、比較手段１０の基
準入力端子１０ａには、まず暫定のしきい値電圧ＶＴＺ
が与えられ、次にテープ検出時の受光データと反射マー
カ検出時の受光データの双方のデータに基づいて決定さ
れたしきい値電圧ＶＴが供給されるので、テープの劣化
や反射マーカの汚れ等に対してその影響を除去して効果
的な反射マーカ検出を行なうことができる。

【００２７】なお、各しきい値設定手段２５，２６およ
びデータ切替手段２７は、その機能を制御手段２２を構
成するＣＰＵとその制御プログラムで実現してもよい。
また、電圧比較器１０を用いずに、Ａ／Ｄ変換後の受光
データ５ａとしきい値設定手段２６の出力であるしきい
値データ２６ａを比較して、マーカ検出出力ＤＥＴを発
生させる構成でもよい。

【００２８】また、制御手段２２は受光データ５ａを常
時監視してテープ面検出時の受光データに変化があった
場合は、テープ受光データ記憶手段２３内のテープ受光
データ２２ａを更新するとともに、反射マーカ検出毎に
反射マーカ受光データ記憶手段２４内の反射マーカ受光
データ２２ｂを更新する構成としてもよく、また、制御
手段２２は各データ２２ａ，２２ｂの更新に際して、前
回の記憶データと新しいデータとの平均値を記憶するよ
うにしてもよい。

【００２９】

【考案の効果】以上説明したように本考案に係るテープ
の反射マーカ検出装置は、テープ検出時における受光素
子の検出出力ならびに反射マーカ検出時における受光素
子の検出出力に基づいて検出しきい値を設定するしきい
値設定手段を備えたので、例えば両出力の中間レベル等
に検出しきい値を設定することができる。よって、テー
プの劣化や反射マーカの汚れ、ならびに、発光・受光素
子の特性変化等に等に対して、その影響を除去するよう
にマーカ検出しきい値が自動的に設定され、反射マーカ
の検出を効果的に行なうことができる。また、テープ面
検出時における受光素子の検出出力に基づいて暫定しき
い値を設定し、反射マーカ検出時点で検出しきい値を再
設定する構成とすることにより、反射マーカ検出の確度
をより向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案に関連するテープの反射マーカ検出装置
のブロック構成図

【図２】本考案に係るテープの反射マーカ検出装置のブ
ロック構成図

【図３】従来の反射マーカ検出装置の要部回路図

【符号の説明】 １，２１…テープの反射マーカ検出装置、２…発光素
子、３…受光素子、４…反射型検出回路、６…書込制御
手段、７…記憶手段、８，２６…しきい値設定手段、１
０…比較手段、２２…制御手段、２３…テープ受光デー
タ記憶手段、２４…反射マーカ受光データ記憶手段、２
５…暫定しきい値設定手段、２７…データ切替手段。

Claims (1)

(57)【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 テープの端部を示す反射マーカを、発光
   素子と受光素子とを備えた反射型検出回路を用いて検出
   するテープの反射マーカ検出装置において、テープ検出
   時における前記受光素子の受光出力と前記反射マーカ検
   出時における前記受光素子の受光出力とに基づいて検出
   しきい値を設定するしきい値設定手段を設けるととも
   に、 この検出しきい値と前記受光素子の受光出力とを比較し
   て反射マーカ検出出力を発生する比較手段を備え、 前記しきい値設定手段は、テープ面検出時における前記
   受光素子の受光出力に基づいて暫定しきい値を設定し、
   前記受光素子の受光出力がこの暫定しきい値を越えた時
   点で検出しきい値を再設定するよう構成した ことを特徴
   とするテープの反射マーカ検出装置。