JP2514240B2 - サ―マルヘッド - Google Patents
サ―マルヘッドInfo
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- JP2514240B2 JP2514240B2 JP63263324A JP26332488A JP2514240B2 JP 2514240 B2 JP2514240 B2 JP 2514240B2 JP 63263324 A JP63263324 A JP 63263324A JP 26332488 A JP26332488 A JP 26332488A JP 2514240 B2 JP2514240 B2 JP 2514240B2
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- JP
- Japan
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- layer
- protective layer
- thermal head
- heating resistor
- alumina
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、酸化ルテニウム系の薄膜抵抗体を用いたサ
ーマルヘツドに関するものである。
ーマルヘツドに関するものである。
従来の技術 一般に、熱印字記録装置の形式としては、感熱紙を用
いるもの、インクリボンを用いて普通紙にインクを熱転
写するもの、昇華性染料を用いてインク蒸気により記録
するものなど種々の形式のものが存する。このような熱
印字記録装置において、高密度化、カラー化、多重記録
化、階調記録化等が進んでいる。
いるもの、インクリボンを用いて普通紙にインクを熱転
写するもの、昇華性染料を用いてインク蒸気により記録
するものなど種々の形式のものが存する。このような熱
印字記録装置において、高密度化、カラー化、多重記録
化、階調記録化等が進んでいる。
このような高機能化を達成するためには、サーマルヘ
ツドの高速化が必要となる。このサーマルヘツドの高速
化のためには、ヘツドの発熱抵抗体への通電時間を短く
して印加電力を増大し、ヘツド温度を高温にしなければ
ならない。このような要請に応えるものとしては、耐酸
化性、耐熱性を有する酸化ルテニウム系の薄膜抵抗体が
あり、高温における高速駆動の可能性を有している。
ツドの高速化が必要となる。このサーマルヘツドの高速
化のためには、ヘツドの発熱抵抗体への通電時間を短く
して印加電力を増大し、ヘツド温度を高温にしなければ
ならない。このような要請に応えるものとしては、耐酸
化性、耐熱性を有する酸化ルテニウム系の薄膜抵抗体が
あり、高温における高速駆動の可能性を有している。
ここで、酸化ルテニウム系の薄膜抵抗体を用いた従来
のサーマルヘツドの構造を第６図に基づいて説明する。
まず、アルミナ基板１の表面にガラスグレーズ層２が形
成され、このガラスグレーズ層２の上に発熱抵抗体層３
が形成されている。この発熱抵抗体層３の上にAl・Si層
４及びAl層５の２層構造よりなる電極層６が形成され、
この電極層６の上にはAl2O3層７とSiC層８の複合保護層
９が積層されている。
のサーマルヘツドの構造を第６図に基づいて説明する。
まず、アルミナ基板１の表面にガラスグレーズ層２が形
成され、このガラスグレーズ層２の上に発熱抵抗体層３
が形成されている。この発熱抵抗体層３の上にAl・Si層
４及びAl層５の２層構造よりなる電極層６が形成され、
この電極層６の上にはAl2O3層７とSiC層８の複合保護層
９が積層されている。
発明が解決しようとする課題 複合保護層９の第１層であるAl2O3層７は、酸化ルテ
ニウム系の薄膜抵抗体とは反応しない材料であるが、耐
熱性やじん性が比較的低い。このため、高速印字などの
ために急熱急冷を繰り返すと、この部分にクラツクが発
生し、複合保護層９に層間剥離が生じたり、抵抗値の増
大からヘツドの破壊が生じがちである。ここで、例え
ば、第１層であるAl2O3層７を薄く形成すれば、このク
ラツクは発生しにくいことが知られている。しかし、第
２層のSiC層８は半導体であり、第１層が薄いと、複合
保護層９の絶縁性が低くなり、電極層６から感熱紙にリ
ーク電流が流れる恐れがある。特に、券売機やバーコー
ドプリンタ等に使用されている感熱紙には、上記リーク
電流に反応し、SiC層８に電界腐食を生じさせるものが
存している。このため、一部機器などでSiC層８の損耗
が著しく、サーマルヘツドの寿命が短くなつている。
ニウム系の薄膜抵抗体とは反応しない材料であるが、耐
熱性やじん性が比較的低い。このため、高速印字などの
ために急熱急冷を繰り返すと、この部分にクラツクが発
生し、複合保護層９に層間剥離が生じたり、抵抗値の増
大からヘツドの破壊が生じがちである。ここで、例え
ば、第１層であるAl2O3層７を薄く形成すれば、このク
ラツクは発生しにくいことが知られている。しかし、第
２層のSiC層８は半導体であり、第１層が薄いと、複合
保護層９の絶縁性が低くなり、電極層６から感熱紙にリ
ーク電流が流れる恐れがある。特に、券売機やバーコー
ドプリンタ等に使用されている感熱紙には、上記リーク
電流に反応し、SiC層８に電界腐食を生じさせるものが
存している。このため、一部機器などでSiC層８の損耗
が著しく、サーマルヘツドの寿命が短くなつている。
課題を解決するための手段 基板上に発熱抵抗体層と電極層と保護層とを順次積層
して形成したサーマルヘツドにおいて、酸化ルテニウム
を第一の主成分とする薄膜酸化物により前記発熱抵抗体
層を形成し、アルミナと酸化硅素との混合膜を第１層と
し炭化硅素を第２層とした複合保護層により前記保護層
を形成し、この保護層を二層以上積層するとともに表面
に近づくにしたがつて炭化硅素による第２層を厚くし
た。
して形成したサーマルヘツドにおいて、酸化ルテニウム
を第一の主成分とする薄膜酸化物により前記発熱抵抗体
層を形成し、アルミナと酸化硅素との混合膜を第１層と
し炭化硅素を第２層とした複合保護層により前記保護層
を形成し、この保護層を二層以上積層するとともに表面
に近づくにしたがつて炭化硅素による第２層を厚くし
た。
また、基板上に発熱抵抗体層と電極層と保護層とを順
次積層して形成したサーマルヘツドにおいて、酸化ルテ
ニウムを第一の主成分とする薄膜酸化物により前記発熱
抵抗体層を形成し、アルミナと酸化硅素との厚さ２μｍ
以上の混合膜による第１層と炭化硅素を第２層とした複
合保護層により前記保護層を形成した。
次積層して形成したサーマルヘツドにおいて、酸化ルテ
ニウムを第一の主成分とする薄膜酸化物により前記発熱
抵抗体層を形成し、アルミナと酸化硅素との厚さ２μｍ
以上の混合膜による第１層と炭化硅素を第２層とした複
合保護層により前記保護層を形成した。
作用 保護層の第１層のアルミナと酸化硅素の混合膜は耐熱
性、じん性に優れており、酸化ルテニウム系の発熱抵抗
体とも反応しないので、ヘツドにクラツクが入るような
ことがなく、アルミナと酸化硅素との混合膜を第１層と
し炭化硅素を第２層とした複合保護層を二層以上積層し
たことにより、熱応力を分散させ、熱歪みを緩和させる
ことができ、しかも、最上部に炭化硅素の層を設けるこ
とにより、耐摩耗性に優れたものとなり、かつ、複合保
護層の、アルミナと酸化硅素との混合膜による第１層を
厚さ２μｍ以上と厚く形成したことにより、絶縁性が高
い第１層のアルミナと酸化硅素との混合膜が厚いため、
この保護層の絶縁性が良好であり、電極層から第２層の
炭化硅素を介して感熱紙等までながれるリーク電流が生
じることがなく、それでいて、第１層のアルミナと酸化
硅素との混合膜は、耐熱性とじん性とに優れているた
め、これを厚く形成しても、サーマルヘツドにクラツク
が入ることもない。
性、じん性に優れており、酸化ルテニウム系の発熱抵抗
体とも反応しないので、ヘツドにクラツクが入るような
ことがなく、アルミナと酸化硅素との混合膜を第１層と
し炭化硅素を第２層とした複合保護層を二層以上積層し
たことにより、熱応力を分散させ、熱歪みを緩和させる
ことができ、しかも、最上部に炭化硅素の層を設けるこ
とにより、耐摩耗性に優れたものとなり、かつ、複合保
護層の、アルミナと酸化硅素との混合膜による第１層を
厚さ２μｍ以上と厚く形成したことにより、絶縁性が高
い第１層のアルミナと酸化硅素との混合膜が厚いため、
この保護層の絶縁性が良好であり、電極層から第２層の
炭化硅素を介して感熱紙等までながれるリーク電流が生
じることがなく、それでいて、第１層のアルミナと酸化
硅素との混合膜は、耐熱性とじん性とに優れているた
め、これを厚く形成しても、サーマルヘツドにクラツク
が入ることもない。
実施例 まず、請求項１記載の発明の一実施例を第１図ないし
第３図に基づいて説明する。まず、Al2O3等のセラミツ
ク基板10上にグレーズ層11が形成され、このグレーズ層
11を洗浄してその上に酸化ルテニウム系（RuO2）の薄膜
抵抗体による発熱抵抗体層12が形成されている。この発
熱抵抗体層12の上には、Al・Siによるリード電極13とAl
によるリード層14しとの２層構造の電極層15が積層さ
れ、この電極層15の上に保護層16が形成されている。
第３図に基づいて説明する。まず、Al2O3等のセラミツ
ク基板10上にグレーズ層11が形成され、このグレーズ層
11を洗浄してその上に酸化ルテニウム系（RuO2）の薄膜
抵抗体による発熱抵抗体層12が形成されている。この発
熱抵抗体層12の上には、Al・Siによるリード電極13とAl
によるリード層14しとの２層構造の電極層15が積層さ
れ、この電極層15の上に保護層16が形成されている。
この保護層16は、アルミナと酸化硅素の混合膜（Al2O
3・SiO2）による第１層17と炭化硅素（SiC）による第２
層18とを積層した複合保護層19を、ここでは二層重ねて
形成したものである。そして、各第１層17は表面に近づ
くにしたがつて薄くなり、各第２層18は表面に近づくに
したがつて厚くなるものである。
3・SiO2）による第１層17と炭化硅素（SiC）による第２
層18とを積層した複合保護層19を、ここでは二層重ねて
形成したものである。そして、各第１層17は表面に近づ
くにしたがつて薄くなり、各第２層18は表面に近づくに
したがつて厚くなるものである。
また、酸化ルテニウム系（RuO2）の薄膜抵抗体による
発熱抵抗体層12は、RuO2の他に多種の添加成分を加えて
もよい。RuO2は単独の場合に比べＭ（Ca,Sr,Baから選ば
れた少なくとも一種）の酸化物と併用することにより耐
熱性が増す。実質的にM/Ru＝１であれば、CaRuO3、SrRu
O3、BaRuO3等の安定な構造となる。しかし、多少比率が
ずれても問題はないが、Ｍの酸化物がM/Ruの比率で0.6
より小さくなると析出するRuO2の影響で耐湿性が劣化
し、２より大きいM/Ruの比率となると、抵抗値が高くな
つて負の抵抗温度係数を有するようになり、また、M/Ru
の比率で４以上では絶縁体に近くなる。したがつて、M/
Ruは0.6〜2.0の範囲であることが望ましい。
発熱抵抗体層12は、RuO2の他に多種の添加成分を加えて
もよい。RuO2は単独の場合に比べＭ（Ca,Sr,Baから選ば
れた少なくとも一種）の酸化物と併用することにより耐
熱性が増す。実質的にM/Ru＝１であれば、CaRuO3、SrRu
O3、BaRuO3等の安定な構造となる。しかし、多少比率が
ずれても問題はないが、Ｍの酸化物がM/Ruの比率で0.6
より小さくなると析出するRuO2の影響で耐湿性が劣化
し、２より大きいM/Ruの比率となると、抵抗値が高くな
つて負の抵抗温度係数を有するようになり、また、M/Ru
の比率で４以上では絶縁体に近くなる。したがつて、M/
Ruは0.6〜2.0の範囲であることが望ましい。
しかして、前述の各層の作成は、次のようにして行な
われる。まず、発熱抵抗体層12は、MRuO3（M:Ca,Sr,B
a）をターゲツトとし、RFスパツタリングにより800Å成
膜した。
われる。まず、発熱抵抗体層12は、MRuO3（M:Ca,Sr,B
a）をターゲツトとし、RFスパツタリングにより800Å成
膜した。
ついで、Al・Siによるリード電極13とAlによるリード
層14とを連続スパツタリングにより各々5000Å成膜し
た。その後、フオトエツチングによりパターニングを行
なつた。
層14とを連続スパツタリングにより各々5000Å成膜し
た。その後、フオトエツチングによりパターニングを行
なつた。
さらに、保護層16としてアルミナと酸化硅素の混合膜
（Al2O3・SiO2）による第１層17を２μｍ、炭化硅素（S
iC）による第２層18を5000Å、アルミナと酸化硅素の混
合膜（Al2O3・SiO2）による第１層17を5000Å、炭化硅
素（SiC）による第２層18を２μｍの厚さで、RFスパツ
タリングにより順次形成した。
（Al2O3・SiO2）による第１層17を２μｍ、炭化硅素（S
iC）による第２層18を5000Å、アルミナと酸化硅素の混
合膜（Al2O3・SiO2）による第１層17を5000Å、炭化硅
素（SiC）による第２層18を２μｍの厚さで、RFスパツ
タリングにより順次形成した。
このようにして形成したヘツドと、Al2O3の保護層７
を用いた従来のヘツドとを、ステツプストレス試験を行
つて抵抗変化率や破壊電力、印字濃度を測定した結果を
第２図に示す。
を用いた従来のヘツドとを、ステツプストレス試験を行
つて抵抗変化率や破壊電力、印字濃度を測定した結果を
第２図に示す。
試験条件は、パルス幅0.95msec、パルス周期2.6msec
の繰返電圧を5000パルス印加し、印加電力を増加させて
いつた。発熱体形状は、115×220μｍである。このよう
な条件において、濃度が飽和するには、0.6W/dotの電力
が必要であり、濃度の立上りと云う点では、保護層とし
てアルミナと酸化硅素の混合膜を用いたものとAl2O3を
用いたものとの差異はみられない。しかし、破壊電力を
比べると、従来のヘツドでは、1.5W/dotであるのに対し
て、本実施例によるものは、1.7W/dotと伸びており、よ
り高速印字に対応できることが分かる。
の繰返電圧を5000パルス印加し、印加電力を増加させて
いつた。発熱体形状は、115×220μｍである。このよう
な条件において、濃度が飽和するには、0.6W/dotの電力
が必要であり、濃度の立上りと云う点では、保護層とし
てアルミナと酸化硅素の混合膜を用いたものとAl2O3を
用いたものとの差異はみられない。しかし、破壊電力を
比べると、従来のヘツドでは、1.5W/dotであるのに対し
て、本実施例によるものは、1.7W/dotと伸びており、よ
り高速印字に対応できることが分かる。
ついで、長時間の安定性を調べるために、パルス幅0.
95msec、パルス周期2.6msecの繰返しパルスを0.5W/dot
で連続的に印加した結果を第３図に示す。この結果から
も明らかなように、本実施例のものは、より長時間にわ
たつて抵抗変化率が安定している。
95msec、パルス周期2.6msecの繰返しパルスを0.5W/dot
で連続的に印加した結果を第３図に示す。この結果から
も明らかなように、本実施例のものは、より長時間にわ
たつて抵抗変化率が安定している。
つぎに、請求項２記載の発明の一実施例を第４図ない
し第５図に基づいて説明する。本実施例のサーマルヘツ
ドは、保護層16を一層とし、Al2O3・SiO2による第１層1
7を、厚さ２μｍと厚く形成したものである。そして、
保護層の違いによるサーマルヘツドの耐摩耗性の差を調
べるため、本実施例のサーマルヘツドと同構造で第１層
17を１μm,3μｍの厚さで形成した二種類の比較試験材
と、Al2O3層７とSiC層８との複合保護層９を用いた従来
のサーマルヘツドとを用意した。そこで、上記四種類の
サーマルヘツドで実行した50kmのランニングテストの結
果を第５図に示す。
し第５図に基づいて説明する。本実施例のサーマルヘツ
ドは、保護層16を一層とし、Al2O3・SiO2による第１層1
7を、厚さ２μｍと厚く形成したものである。そして、
保護層の違いによるサーマルヘツドの耐摩耗性の差を調
べるため、本実施例のサーマルヘツドと同構造で第１層
17を１μm,3μｍの厚さで形成した二種類の比較試験材
と、Al2O3層７とSiC層８との複合保護層９を用いた従来
のサーマルヘツドとを用意した。そこで、上記四種類の
サーマルヘツドで実行した50kmのランニングテストの結
果を第５図に示す。
試験条件としては、サーマルヘツドとプラテンとの圧
接力を900〜1000g/cm2、印加電力を0.5W/dot、感熱紙送
り速度を75m/secとし、感熱紙にはSiC層8,18と電気科学
反応を起こしやすいものを使用した。上述のような条件
において、50km走行後の印字部表面のSiC層8,18の摩耗
量は、従来のサーマルヘツドでは約１μｍ、一方、本実
施例のヘツドでは約0.5μｍとなつた。さらに、第１層1
7の厚さが１μｍの供試材の摩耗量は約0.7μｍ、厚さ３
μｍの供試材の摩耗量は約0.5μｍとなつた。すなわ
ち、Al2O3・SiO2による第１層17を厚く形成することに
より、複合保護層の耐摩耗性が高いサーマルヘツドを得
ることができることが分かる。しかも、Al2O3・SiO2に
よる第１層17の厚さが２μｍと３μｍのヘツドの耐摩耗
性が略同一であることから、上述のような条件下でなら
ば、Al2O3・SiO2による第１層17の厚さは２μｍが最適
値であることが予想される。つまり、ヘツドへの印加電
力、感熱紙の電気科学的反応の性質等に基づいて、アル
ミナ・酸化硅素（Al2O3・SiO2）の混合膜からなる第１
層17の厚さを決定することにより、絶縁性が高い保護層
16を求めることができ、電界腐食が生じにくく、極めて
耐摩耗性の高いサーマルヘツドが得られることが分か
る。
接力を900〜1000g/cm2、印加電力を0.5W/dot、感熱紙送
り速度を75m/secとし、感熱紙にはSiC層8,18と電気科学
反応を起こしやすいものを使用した。上述のような条件
において、50km走行後の印字部表面のSiC層8,18の摩耗
量は、従来のサーマルヘツドでは約１μｍ、一方、本実
施例のヘツドでは約0.5μｍとなつた。さらに、第１層1
7の厚さが１μｍの供試材の摩耗量は約0.7μｍ、厚さ３
μｍの供試材の摩耗量は約0.5μｍとなつた。すなわ
ち、Al2O3・SiO2による第１層17を厚く形成することに
より、複合保護層の耐摩耗性が高いサーマルヘツドを得
ることができることが分かる。しかも、Al2O3・SiO2に
よる第１層17の厚さが２μｍと３μｍのヘツドの耐摩耗
性が略同一であることから、上述のような条件下でなら
ば、Al2O3・SiO2による第１層17の厚さは２μｍが最適
値であることが予想される。つまり、ヘツドへの印加電
力、感熱紙の電気科学的反応の性質等に基づいて、アル
ミナ・酸化硅素（Al2O3・SiO2）の混合膜からなる第１
層17の厚さを決定することにより、絶縁性が高い保護層
16を求めることができ、電界腐食が生じにくく、極めて
耐摩耗性の高いサーマルヘツドが得られることが分か
る。
発明の効果 本発明は上述のように、基板上に発熱抵抗体層と電極
層と保護層とを順次積層して形成したサーマルヘツドに
おいて、酸化ルテニウムを第一の主成分とする薄膜酸化
物により前記発熱抵抗体層を形成し、アルミナと酸化硅
素との混合膜を第１層とし炭化硅素を第２層とした複合
保護層により前記保護層を形成し、この保護層を二層以
上積層するとともに表面に近づくにしたがつて炭化硅素
による第２層を厚くしたので、保護層の第１層のアルミ
ナと酸化硅素の混合膜は耐熱性、じん性に優れており、
酸化ルテニウム系の発熱抵抗体とも反応しないので、ヘ
ツドにクラツクが入るようなことがなく、アルミナと酸
化硅素との混合膜を第１層とし炭化硅素を第２層とした
複合保護層を二層以上積層したことにより、熱応力を分
散させ、熱歪みを緩和させることができ、しかも、最上
部に炭化硅素の層を設けることにより、耐摩耗性に優れ
たものとなり、また、基板上に発熱抵抗体層と電極層と
保護層とを順次積層して形成したサーマルヘツドにおい
て、酸化ルテニウムを第一の主成分とする薄膜酸化物に
より前記発熱抵抗体層を形成し、アルミナと酸化硅素と
の厚さ２μｍ以上の混合膜による第１層と炭化硅素を第
２層とした複合保護層により前記保護層を形成したの
で、この保護層の絶縁性が良好であり、電極層から第２
層の炭化硅素を介して感熱紙等までながれるリーク電流
が生じることがなく、それでいて、第１層のアルミナと
酸化硅素との混合膜は、耐熱性とじん性とに優れてお
り、これを厚く形成しても、サーマルヘツドにクラツク
が入ることもなく、これにより、サーマルヘツドを急熱
急冷することができて、サーマルプリンタの高速駆動が
可能であり、部品寿命が極めて長く高性能なサーマルプ
リンタを得ることができる等の効果を有するものであ
る。
層と保護層とを順次積層して形成したサーマルヘツドに
おいて、酸化ルテニウムを第一の主成分とする薄膜酸化
物により前記発熱抵抗体層を形成し、アルミナと酸化硅
素との混合膜を第１層とし炭化硅素を第２層とした複合
保護層により前記保護層を形成し、この保護層を二層以
上積層するとともに表面に近づくにしたがつて炭化硅素
による第２層を厚くしたので、保護層の第１層のアルミ
ナと酸化硅素の混合膜は耐熱性、じん性に優れており、
酸化ルテニウム系の発熱抵抗体とも反応しないので、ヘ
ツドにクラツクが入るようなことがなく、アルミナと酸
化硅素との混合膜を第１層とし炭化硅素を第２層とした
複合保護層を二層以上積層したことにより、熱応力を分
散させ、熱歪みを緩和させることができ、しかも、最上
部に炭化硅素の層を設けることにより、耐摩耗性に優れ
たものとなり、また、基板上に発熱抵抗体層と電極層と
保護層とを順次積層して形成したサーマルヘツドにおい
て、酸化ルテニウムを第一の主成分とする薄膜酸化物に
より前記発熱抵抗体層を形成し、アルミナと酸化硅素と
の厚さ２μｍ以上の混合膜による第１層と炭化硅素を第
２層とした複合保護層により前記保護層を形成したの
で、この保護層の絶縁性が良好であり、電極層から第２
層の炭化硅素を介して感熱紙等までながれるリーク電流
が生じることがなく、それでいて、第１層のアルミナと
酸化硅素との混合膜は、耐熱性とじん性とに優れてお
り、これを厚く形成しても、サーマルヘツドにクラツク
が入ることもなく、これにより、サーマルヘツドを急熱
急冷することができて、サーマルプリンタの高速駆動が
可能であり、部品寿命が極めて長く高性能なサーマルプ
リンタを得ることができる等の効果を有するものであ
る。
第１図は請求項１記載の発明の一実施例を示す縦断側面
図、第２図はステツプストレス試験の結果を示すグラ
フ、第３図は耐パルス試験の結果を示すグラフ、第４図
は請求項２記載の発明の一実施例を示す縦断側面図、第
５図は第１層の厚さが異なるヘツドによるランニングテ
ストの結果を示すグラフ、第６図は従来の一例を示す縦
断側面図である。 10…基板、12…発熱抵抗体層、15…電極層、16…保護
層、17…第１層、18…第２層、19…複合保護層
図、第２図はステツプストレス試験の結果を示すグラ
フ、第３図は耐パルス試験の結果を示すグラフ、第４図
は請求項２記載の発明の一実施例を示す縦断側面図、第
５図は第１層の厚さが異なるヘツドによるランニングテ
ストの結果を示すグラフ、第６図は従来の一例を示す縦
断側面図である。 10…基板、12…発熱抵抗体層、15…電極層、16…保護
層、17…第１層、18…第２層、19…複合保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 稲垣 積 静岡県三島市南町６番78号 東京電気株 式会社技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−297160（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−32672（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−139455（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に発熱抵抗体層と電極層と保護層と
を順次積層して形成したサーマルヘツドにおいて、酸化
ルテニウムを第一の主成分とする薄膜酸化物により前記
発熱抵抗体層を形成し、アルミナと酸化硅素との混合膜
を第１層とし炭化硅素を第２層とした複合保護層により
前記保護層を形成し、この保護層を二層以上積層すると
ともに表面に近づくにしたがつて炭化硅素による第２層
を厚くしたことを特徴とするサーマルヘツド。 - 【請求項２】基板上に発熱抵抗体層と電極層と保護層と
を順次積層して形成したサーマルヘツドにおいて、酸化
ルテニウムを第一の主成分とする薄膜酸化物により前記
発熱抵抗体層を形成し、アルミナと酸化硅素との厚さ２
μｍ以上の混合膜による第１層と炭化硅素を第２層とし
た複合保護層により前記保護層を形成したことを特徴と
するサーマルヘツド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP639888 | 1988-01-14 | ||
| JP63-6398 | 1988-01-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02536A JPH02536A (ja) | 1990-01-05 |
| JP2514240B2 true JP2514240B2 (ja) | 1996-07-10 |
Family
ID=11637264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63263324A Expired - Lifetime JP2514240B2 (ja) | 1988-01-14 | 1988-10-19 | サ―マルヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2514240B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2570815Y2 (ja) * | 1991-06-13 | 1998-05-13 | コーア株式会社 | 多連型チツプ抵抗器 |
| US5709610A (en) * | 1996-11-29 | 1998-01-20 | Ognjanovic; Zivota | Golf club/ball impact detection system |
| EP2320114B1 (en) | 2008-08-27 | 2017-05-03 | Eagle Industry Co., Ltd. | Solenoid valve |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5532672A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film type thermal head |
| JPS61139455A (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-26 | Nec Corp | サ−マルヘツド |
| JPS62297160A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-24 | Tokyo Electric Co Ltd | サ−マルヘツド |
-
1988
- 1988-10-19 JP JP63263324A patent/JP2514240B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02536A (ja) | 1990-01-05 |
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