JPH068501A - サーマルプリントヘッド - Google Patents
サーマルプリントヘッドInfo
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- JPH068501A JPH068501A JP16750392A JP16750392A JPH068501A JP H068501 A JPH068501 A JP H068501A JP 16750392 A JP16750392 A JP 16750392A JP 16750392 A JP16750392 A JP 16750392A JP H068501 A JPH068501 A JP H068501A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- sialon
- titanium nitride
- layer
- heating resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発熱部を保護膜で覆うように構成したサーマ
ルプリントヘッドにおいて、その耐久性の向上を図ると
共に、印字むらを低減する。 【構成】 発熱部を覆う保護膜１５を、下層における比
較的薄い厚さの第１保護膜１５ａと、上層における比較
的厚い厚さの第２保護膜１５ｂとの二層に構成し、前記
第１保護膜１５ａをシリコン酸化物にて形成し、前記第
２保護膜１５ｂをサイアロンに対して窒化チタンを適宜
添加して成る窒化チタンサイアロンにて形成する。
ルプリントヘッドにおいて、その耐久性の向上を図ると
共に、印字むらを低減する。 【構成】 発熱部を覆う保護膜１５を、下層における比
較的薄い厚さの第１保護膜１５ａと、上層における比較
的厚い厚さの第２保護膜１５ｂとの二層に構成し、前記
第１保護膜１５ａをシリコン酸化物にて形成し、前記第
２保護膜１５ｂをサイアロンに対して窒化チタンを適宜
添加して成る窒化チタンサイアロンにて形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ等におけ
る印字ヘッドとして使用されるサーマルプリントヘッド
の改良に関するものである。
る印字ヘッドとして使用されるサーマルプリントヘッド
の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、薄膜型のサーマルプリントヘッ
ドは、図７に示すように、セラミック製のヘッド基板１
の上面に、ガラス製のグレーズ層２をヘッド基板１の長
手方向に延びるように形成すると共に、例えば、Ｔａ−
ＳｉＯ2 等から成る発熱抵抗体層３を形成し、更に、こ
の発熱抵抗体層３の上面に、当該発熱抵抗体層３を前記
グレーズ層２に沿って部分的に発熱するためのアルミ等
から成る多数本の給電用導体膜４を形成したのち、これ
らの全体の表面を、保護膜５にて覆うように構成してい
る。
ドは、図７に示すように、セラミック製のヘッド基板１
の上面に、ガラス製のグレーズ層２をヘッド基板１の長
手方向に延びるように形成すると共に、例えば、Ｔａ−
ＳｉＯ2 等から成る発熱抵抗体層３を形成し、更に、こ
の発熱抵抗体層３の上面に、当該発熱抵抗体層３を前記
グレーズ層２に沿って部分的に発熱するためのアルミ等
から成る多数本の給電用導体膜４を形成したのち、これ
らの全体の表面を、保護膜５にて覆うように構成してい
る。
【０００３】ところで、前記保護膜５には、当該保護膜
５に対して記録紙がプラテン等によって押圧されながら
擦り付けられることにより、高い耐磨耗性と、給電用導
体膜４及び発熱抵抗体層３に対して高い電気絶縁性とを
有することが要求される。そこで、先行技術としての特
開平２−２３８９５６号公報は、前記の保護膜５の材料
として、高い耐磨耗性と高い電気絶縁性とを有するＳｉ
−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサイアロンを使用す
ることを提案している。
５に対して記録紙がプラテン等によって押圧されながら
擦り付けられることにより、高い耐磨耗性と、給電用導
体膜４及び発熱抵抗体層３に対して高い電気絶縁性とを
有することが要求される。そこで、先行技術としての特
開平２−２３８９５６号公報は、前記の保護膜５の材料
として、高い耐磨耗性と高い電気絶縁性とを有するＳｉ
−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサイアロンを使用す
ることを提案している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記した先行
技術に使用するサイアロンは、耐酸化性及び耐磨耗性に
優れているものの、その熱膨張率及び熱伝導率は、前記
発熱抵抗体層３、給電用導体膜４及びグレーズ層２を構
成する材料における熱膨張率及び熱伝導率よりも低いこ
とにより、このサイアロン製の保護膜５と、発熱抵抗体
層３、給電用導体膜４及びグリーズ層２との間における
熱膨張率の差が大きいから、発熱・印字と冷却とを繰り
返している間に、前記熱膨張率の大きい差によって、保
護膜５に熱歪みによる亀裂が発生し、発熱抵抗体層３及
び給電用導体膜４の破壊が多発すると言う問題を招来す
るばかりか、サイアロンの保護膜における熱伝導率が低
いことにより、発熱抵抗体層における発熱に不均一化、
ひいては、印字むらが発生すると言う問題もあった。
技術に使用するサイアロンは、耐酸化性及び耐磨耗性に
優れているものの、その熱膨張率及び熱伝導率は、前記
発熱抵抗体層３、給電用導体膜４及びグレーズ層２を構
成する材料における熱膨張率及び熱伝導率よりも低いこ
とにより、このサイアロン製の保護膜５と、発熱抵抗体
層３、給電用導体膜４及びグリーズ層２との間における
熱膨張率の差が大きいから、発熱・印字と冷却とを繰り
返している間に、前記熱膨張率の大きい差によって、保
護膜５に熱歪みによる亀裂が発生し、発熱抵抗体層３及
び給電用導体膜４の破壊が多発すると言う問題を招来す
るばかりか、サイアロンの保護膜における熱伝導率が低
いことにより、発熱抵抗体層における発熱に不均一化、
ひいては、印字むらが発生すると言う問題もあった。
【０００５】本発明は、前記サイアロンに対して窒化チ
タンを添加することにより、その熱膨張率及び熱伝導率
を高くすることができる点に着目して、このことを利用
して、前記の問題を解消することを技術的課題とするも
のである。
タンを添加することにより、その熱膨張率及び熱伝導率
を高くすることができる点に着目して、このことを利用
して、前記の問題を解消することを技術的課題とするも
のである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、ヘッド基板の上面に、グレーズ層、発
熱抵抗体層及び複数本の給電用導体膜を形成し、更に、
これらの全体を覆う保護膜を形成して成るサーマルプリ
ントヘッドにおいて、前記保護膜を、下層における比較
的薄い厚さの第１保護膜と、上層における比較的厚い厚
さの第２保護膜との二層に構成し、前記第１保護膜をシ
リコン酸化物にて形成する一方、前記第２保護膜を、Ｓ
ｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサイアロンに対し
て窒化チタンを適宜添加して成る窒化チタンサイアロン
にて形成すると言う構成にした。
るため本発明は、ヘッド基板の上面に、グレーズ層、発
熱抵抗体層及び複数本の給電用導体膜を形成し、更に、
これらの全体を覆う保護膜を形成して成るサーマルプリ
ントヘッドにおいて、前記保護膜を、下層における比較
的薄い厚さの第１保護膜と、上層における比較的厚い厚
さの第２保護膜との二層に構成し、前記第１保護膜をシ
リコン酸化物にて形成する一方、前記第２保護膜を、Ｓ
ｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサイアロンに対し
て窒化チタンを適宜添加して成る窒化チタンサイアロン
にて形成すると言う構成にした。
【０００７】
【作 用】図５は、前記したＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の
化合物から成るサイアロンに対して、窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ）を適宜添加した窒化チタンサイアロンにおける熱伝
導率を、各種の窒化チタン含有量について測定した場合
の図である。また、図６は、同じく前記Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ
−Ｎ系の化合物から成るサイアロンに対して、窒化チタ
ン（ＴｉＮ）を適宜添加した窒化チタンサイアロンにお
ける熱膨張率を、各種の窒化チタン含有量について測定
した場合の図である。
化合物から成るサイアロンに対して、窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ）を適宜添加した窒化チタンサイアロンにおける熱伝
導率を、各種の窒化チタン含有量について測定した場合
の図である。また、図６は、同じく前記Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ
−Ｎ系の化合物から成るサイアロンに対して、窒化チタ
ン（ＴｉＮ）を適宜添加した窒化チタンサイアロンにお
ける熱膨張率を、各種の窒化チタン含有量について測定
した場合の図である。
【０００８】これらの図より明らかなように、サイアロ
ンに窒化チタンを適宜添加したことにより、この窒化チ
タンサイアロンにおける熱伝導率及び熱膨張率は、窒化
チタンの含有量に比例して高くなるのであり、しかも、
この窒化チタンサイアロンにおける硬さは、窒化チタン
の添加によっては殆ど変化することがなく、前記Ｓｉ−
Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサイアロンと同等程度
の耐磨耗性を有するのであった。しかし、その反面、前
記窒化チタンサイアロンは、窒化チタンの添加によって
電気抵抗率が逆に急激に低くなって、電気絶縁性が大幅
に低下するのであった。
ンに窒化チタンを適宜添加したことにより、この窒化チ
タンサイアロンにおける熱伝導率及び熱膨張率は、窒化
チタンの含有量に比例して高くなるのであり、しかも、
この窒化チタンサイアロンにおける硬さは、窒化チタン
の添加によっては殆ど変化することがなく、前記Ｓｉ−
Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサイアロンと同等程度
の耐磨耗性を有するのであった。しかし、その反面、前
記窒化チタンサイアロンは、窒化チタンの添加によって
電気抵抗率が逆に急激に低くなって、電気絶縁性が大幅
に低下するのであった。
【０００９】そこで、本発明においては、保護膜を、下
層における比較的薄い厚さの第１保護膜と、上層におけ
る比較的厚い厚さの第２保護膜との二層に構成し、前記
第１保護膜をシリコン酸化物にて形成する一方、前記第
２保護膜を、窒化チタンを適宜添加して成る窒化チタン
サイアロンにて形成すると言う構成にしたのである。す
なわち、シリコン酸化物は、高い電気絶縁性を有するか
ら、このシリコン酸化物にて第１保護膜を形成すること
により、第２保護膜を、電気絶縁性の低い窒化チタンサ
イアロンにて形成しても、これら各保護膜より下層の給
電用導体膜及び発熱抵抗体層に対して高い電気絶縁性を
確保することができる。
層における比較的薄い厚さの第１保護膜と、上層におけ
る比較的厚い厚さの第２保護膜との二層に構成し、前記
第１保護膜をシリコン酸化物にて形成する一方、前記第
２保護膜を、窒化チタンを適宜添加して成る窒化チタン
サイアロンにて形成すると言う構成にしたのである。す
なわち、シリコン酸化物は、高い電気絶縁性を有するか
ら、このシリコン酸化物にて第１保護膜を形成すること
により、第２保護膜を、電気絶縁性の低い窒化チタンサ
イアロンにて形成しても、これら各保護膜より下層の給
電用導体膜及び発熱抵抗体層に対して高い電気絶縁性を
確保することができる。
【００１０】これに加えて、前記シリコン酸化物製の第
１保護膜における厚さを薄くし、その上層の第１保護膜
を、前記したように高い熱伝導率及び熱膨張率を有する
窒化チタンサイアロンにて形成して、その厚さを厚くし
たことにより、保護膜の全体としての熱伝導率及び熱膨
張率を、当該保護膜を先行技術のようにサイアロン製に
する場合により、高くすることができ、その結果、給電
用導体膜及び発熱抵抗体層を覆う保護膜の全体に対し
て、硬い性質と、高い電気絶縁性とを確保した状態のも
とで、高い熱伝導率と、高い熱膨張率とを付与すること
ができるのである。
１保護膜における厚さを薄くし、その上層の第１保護膜
を、前記したように高い熱伝導率及び熱膨張率を有する
窒化チタンサイアロンにて形成して、その厚さを厚くし
たことにより、保護膜の全体としての熱伝導率及び熱膨
張率を、当該保護膜を先行技術のようにサイアロン製に
する場合により、高くすることができ、その結果、給電
用導体膜及び発熱抵抗体層を覆う保護膜の全体に対し
て、硬い性質と、高い電気絶縁性とを確保した状態のも
とで、高い熱伝導率と、高い熱膨張率とを付与すること
ができるのである。
【００１１】
【発明の効果】従って、本発明によると、 ．保護膜の全体における熱膨張率を、これよりも下層
における給電用導体膜、発熱抵抗体層及びグレーズ層に
おける熱膨張率に近付けて、その間における熱膨張率の
差を小さくすることができるから、熱歪みに起因して給
電用導体膜及び発熱抵抗体層に破壊が発生することを確
実に低減できる。 ．保護膜の全体における熱伝導率を高くすることがで
きて、発熱抵抗体層における発熱を均一化を図ることが
できるから、印字むらの発生を大幅に低減できる。 ．保護膜のうち表面側における第１保護膜を、サイア
ロンよりも電気抵抗率が低くて導電性の高い性質を有す
る窒化チタンサイアロン製にしたことにより、この保護
膜に静電気が、帯電しにくくすることができて、給電用
導体膜及び発熱抵抗体層の静電気による破壊を確実に低
減できるから、前記において述べた熱歪みに起因して
の給電用導体膜及び発熱抵抗体層の破壊を確実に低減で
きることと相俟って、サーマルプリントヘッドにおける
耐久性を大幅に向上できる。と言う効果を有する。
における給電用導体膜、発熱抵抗体層及びグレーズ層に
おける熱膨張率に近付けて、その間における熱膨張率の
差を小さくすることができるから、熱歪みに起因して給
電用導体膜及び発熱抵抗体層に破壊が発生することを確
実に低減できる。 ．保護膜の全体における熱伝導率を高くすることがで
きて、発熱抵抗体層における発熱を均一化を図ることが
できるから、印字むらの発生を大幅に低減できる。 ．保護膜のうち表面側における第１保護膜を、サイア
ロンよりも電気抵抗率が低くて導電性の高い性質を有す
る窒化チタンサイアロン製にしたことにより、この保護
膜に静電気が、帯電しにくくすることができて、給電用
導体膜及び発熱抵抗体層の静電気による破壊を確実に低
減できるから、前記において述べた熱歪みに起因して
の給電用導体膜及び発熱抵抗体層の破壊を確実に低減で
きることと相俟って、サーマルプリントヘッドにおける
耐久性を大幅に向上できる。と言う効果を有する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を、その製造方法と一
緒に、図１〜図４の図面について説明する。図１及び図
２は、セラミック製のヘッド基板１１の上面に、ガラス
製のグレーズ層１２をヘッド基板１１の長手方向に延び
るように形成すると共に、例えば、Ｔａ−ＳｉＯ2 等か
ら成る発熱抵抗体層１３を形成し、更に、この発熱抵抗
体層１３の上面に、当該発熱抵抗体層１３を前記グレー
ズ層１２に沿って部分的に発熱するためのアルミ等から
成る多数本の給電用導体膜１４を形成したものを示すも
のである。
緒に、図１〜図４の図面について説明する。図１及び図
２は、セラミック製のヘッド基板１１の上面に、ガラス
製のグレーズ層１２をヘッド基板１１の長手方向に延び
るように形成すると共に、例えば、Ｔａ−ＳｉＯ2 等か
ら成る発熱抵抗体層１３を形成し、更に、この発熱抵抗
体層１３の上面に、当該発熱抵抗体層１３を前記グレー
ズ層１２に沿って部分的に発熱するためのアルミ等から
成る多数本の給電用導体膜１４を形成したものを示すも
のである。
【００１３】このようにして、上面にグレーズ層１２、
発熱抵抗体層１３及び給電用導体膜１４を形成したヘッ
ド基板１１の全体を、高真空度に保持したスパッタリン
グ容器内に入れて、当該ヘッド基板１１の上面における
上方に、シリコン酸化物のターゲットを配設して、この
ターゲットと前記ヘッド基板１１との間にターゲット電
圧を印加すると言うスパッタリングを行うことにより、
図３に示すように、厚さ１ミクロンのシリコン酸化物に
よる第１保護膜１５ａを形成する。
発熱抵抗体層１３及び給電用導体膜１４を形成したヘッ
ド基板１１の全体を、高真空度に保持したスパッタリン
グ容器内に入れて、当該ヘッド基板１１の上面における
上方に、シリコン酸化物のターゲットを配設して、この
ターゲットと前記ヘッド基板１１との間にターゲット電
圧を印加すると言うスパッタリングを行うことにより、
図３に示すように、厚さ１ミクロンのシリコン酸化物に
よる第１保護膜１５ａを形成する。
【００１４】次いで、前記第１保護膜１５ａを形成した
ヘッド基板１１を、再び、高真空度に保持したスパッタ
リング容器内に入れて、当該ヘッド基板１１の上面にお
ける上方に、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物であるサイ
アロンと窒化チタン（ＴｉＮ）とを適宜比率で混合した
のち焼結して成る窒化チタン−サイアロンの焼結ターゲ
ットを配設して、この焼結ターゲットと前記ヘッド基板
１１との間にターゲット電圧を印加すると言うスパッタ
リングを行うことにより、図４に示すように、５０Ｗｔ
％の窒化チタンを含む窒化チタンサイアロン製の第２保
護膜１５ｂを、その厚さを６ミクロンにして形成して、
この第２保護膜１５ｂと、前記第１保護膜１５ａとの両
方によって、保護膜１５の全体を形成するのである。
ヘッド基板１１を、再び、高真空度に保持したスパッタ
リング容器内に入れて、当該ヘッド基板１１の上面にお
ける上方に、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物であるサイ
アロンと窒化チタン（ＴｉＮ）とを適宜比率で混合した
のち焼結して成る窒化チタン−サイアロンの焼結ターゲ
ットを配設して、この焼結ターゲットと前記ヘッド基板
１１との間にターゲット電圧を印加すると言うスパッタ
リングを行うことにより、図４に示すように、５０Ｗｔ
％の窒化チタンを含む窒化チタンサイアロン製の第２保
護膜１５ｂを、その厚さを６ミクロンにして形成して、
この第２保護膜１５ｂと、前記第１保護膜１５ａとの両
方によって、保護膜１５の全体を形成するのである。
【００１５】なお、前記保護膜１５のうち窒化チタンサ
イアロン製の第２保護膜１５ｂは、焼結ターゲットを使
用することに代えて、サイアロンのターゲットと、窒化
チタンのターゲットとの二つのターゲットを使用してス
パッタリングを行うことによって形成するようにしても
良いのである。このように、保護膜１５を、第１保護膜
１５ａと、第２保護膜１５ｂとで構成するおいて、第１
保護膜１５ａを高い電気絶縁性を有するシリコン酸化物
にて形成したことにより、この第１保護膜１５ａよりも
上層の第２保護膜１５ｂを、電気絶縁性の低い窒化チタ
ンサイアロンにて形成しても、これら各保護膜１５より
下層の給電用導体膜４及び発熱抵抗体層３に対して高い
電気絶縁性を確保することができる。
イアロン製の第２保護膜１５ｂは、焼結ターゲットを使
用することに代えて、サイアロンのターゲットと、窒化
チタンのターゲットとの二つのターゲットを使用してス
パッタリングを行うことによって形成するようにしても
良いのである。このように、保護膜１５を、第１保護膜
１５ａと、第２保護膜１５ｂとで構成するおいて、第１
保護膜１５ａを高い電気絶縁性を有するシリコン酸化物
にて形成したことにより、この第１保護膜１５ａよりも
上層の第２保護膜１５ｂを、電気絶縁性の低い窒化チタ
ンサイアロンにて形成しても、これら各保護膜１５より
下層の給電用導体膜４及び発熱抵抗体層３に対して高い
電気絶縁性を確保することができる。
【００１６】一方、前記シリコン酸化物製の第１保護膜
１５ａにおける厚さを１ミクロンと言うように薄くし、
その上層の第１保護膜１５ｂを、前記したように高い熱
伝導率及び熱膨張率を有する窒化チタンサイアロンにて
形成して、その厚さを６ミクロンと言うように厚くした
ことにより、保護膜１５の全体としての熱伝導率及び熱
膨張率を高くすることができ、その結果、給電用導体膜
４及び発熱抵抗体層３を覆う保護膜１５の全体に対し
て、硬い性質と、高い電気絶縁性とを確保した状態のも
とで、高い熱伝導率と、高い熱膨張率とを付与すること
ができるのである。
１５ａにおける厚さを１ミクロンと言うように薄くし、
その上層の第１保護膜１５ｂを、前記したように高い熱
伝導率及び熱膨張率を有する窒化チタンサイアロンにて
形成して、その厚さを６ミクロンと言うように厚くした
ことにより、保護膜１５の全体としての熱伝導率及び熱
膨張率を高くすることができ、その結果、給電用導体膜
４及び発熱抵抗体層３を覆う保護膜１５の全体に対し
て、硬い性質と、高い電気絶縁性とを確保した状態のも
とで、高い熱伝導率と、高い熱膨張率とを付与すること
ができるのである。
【００１７】そして、前記した実施例において製造した
サーマルプリントヘッドについて、そのステップストレ
ステストを行ったところ、その耐電圧特性を、前記先行
技術のように保護膜をサイアロンにした場合よりも約
１．３倍にアップすることができるのであり、且つ、耐
パルス性をも向上できるのであった。なお、前記保護膜
１５のうちシリコン酸化物製の第１保護膜１５ａおける
厚さは、保護膜１５の全体としての熱伝導率及び熱膨張
率を高くすることのために出来るだけ薄くすることが必
要であるが、電気絶縁性を確保することの意味から０．
１〜４．０ミクロンにするのが好ましい。また、窒化チ
タンサイアロン製の第２保護膜１５ｂにおける厚さは、
前記第１保護膜１５ａにおける厚さの約３〜３０倍にす
ることが好ましい。
サーマルプリントヘッドについて、そのステップストレ
ステストを行ったところ、その耐電圧特性を、前記先行
技術のように保護膜をサイアロンにした場合よりも約
１．３倍にアップすることができるのであり、且つ、耐
パルス性をも向上できるのであった。なお、前記保護膜
１５のうちシリコン酸化物製の第１保護膜１５ａおける
厚さは、保護膜１５の全体としての熱伝導率及び熱膨張
率を高くすることのために出来るだけ薄くすることが必
要であるが、電気絶縁性を確保することの意味から０．
１〜４．０ミクロンにするのが好ましい。また、窒化チ
タンサイアロン製の第２保護膜１５ｂにおける厚さは、
前記第１保護膜１５ａにおける厚さの約３〜３０倍にす
ることが好ましい。
【００１８】また、本発明は、前記実施例のように、薄
膜型サーマルプリントヘッドにおける保護膜に適用する
場合に限らず、例えば、実開昭６２−５０９４８号公報
及び実開平１−１５８１３６号公報等に記載されている
ような厚膜型サーマルプリントヘッドにおける保護膜に
対しても適用できることは勿論である。
膜型サーマルプリントヘッドにおける保護膜に適用する
場合に限らず、例えば、実開昭６２−５０９４８号公報
及び実開平１−１５８１３６号公報等に記載されている
ような厚膜型サーマルプリントヘッドにおける保護膜に
対しても適用できることは勿論である。
【図１】ヘッド基板の上面にグレーズ層及び発熱抵抗体
層並びに給電用導体膜を形成した状態の要部拡大断面図
である。
層並びに給電用導体膜を形成した状態の要部拡大断面図
である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】前記ヘッド基板の上面に第１保護膜を形成した
状態の要部拡大断面図である。
状態の要部拡大断面図である。
【図４】前記ヘッド基板の上面に第２保護膜を形成した
状態の要部拡大断面図である。
状態の要部拡大断面図である。
【図５】サイアロンに対する窒化チタンの含有量と熱伝
導率との関係を示す図である。
導率との関係を示す図である。
【図６】サイアロンに対する窒化チタンの含有量と熱膨
張率との関係を示す図である。
張率との関係を示す図である。
【図７】従来における薄膜型サーマルプリントヘッドの
要部拡大断面図である。
要部拡大断面図である。
１１ ヘッド基板 １２ グレーズ層 １３ 発熱抵抗体層 １４ 給電用導体膜 １５ 保護膜 １５ａ 第１保護膜 １５ｂ 第２保護膜
Claims (1)
- 【請求項１】ヘッド基板の上面に、グレーズ層、発熱抵
抗体層及び複数本の給電用導体膜を形成し、更に、これ
らの全体を覆う保護膜を形成して成るサーマルプリント
ヘッドにおいて、前記保護膜を、下層における比較的薄
い厚さの第１保護膜と、上層における比較的厚い厚さの
第２保護膜との二層に構成し、前記第１保護膜をシリコ
ン酸化物にて形成する一方、前記第２保護膜を、Ｓｉ−
Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の化合物から成るサイアロンに対して窒
化チタンを適宜添加して成る窒化チタンサイアロンにて
形成することを特徴とするサーマルプリントヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16750392A JP3107911B2 (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | サーマルプリントヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16750392A JP3107911B2 (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | サーマルプリントヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH068501A true JPH068501A (ja) | 1994-01-18 |
| JP3107911B2 JP3107911B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=15850896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16750392A Expired - Fee Related JP3107911B2 (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | サーマルプリントヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3107911B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1992
- 1992-06-25 JP JP16750392A patent/JP3107911B2/ja not_active Expired - Fee Related
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