JP2512108B2 - クリ―ム半田 - Google Patents
クリ―ム半田Info
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- JP2512108B2 JP2512108B2 JP26992488A JP26992488A JP2512108B2 JP 2512108 B2 JP2512108 B2 JP 2512108B2 JP 26992488 A JP26992488 A JP 26992488A JP 26992488 A JP26992488 A JP 26992488A JP 2512108 B2 JP2512108 B2 JP 2512108B2
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- Japan
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- cream
- component
- melting
- eutectic
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Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はコンピュータ等の情報機器や、ビデオ、オー
ディオ機器の半導体集積回路（以下ICと呼ぶ）の実装に
用いられるクリーム半田に関するものである。
ディオ機器の半導体集積回路（以下ICと呼ぶ）の実装に
用いられるクリーム半田に関するものである。
従来の技術 一般に半導体集積回路の実装においては、プリント基
板の上にクリーム半田をスクリーン印刷又はディスペン
サで塗布し、その上にICをのせ、赤外線等のリフロー炉
に入れ、クリーム半田を融かしていた。クリーム半田は
Sn:Pbの比率が63:37重量比の共晶半田のため183℃以上
で融け、半田の流れもよく、部品に対し濡れ速度が速か
った。
板の上にクリーム半田をスクリーン印刷又はディスペン
サで塗布し、その上にICをのせ、赤外線等のリフロー炉
に入れ、クリーム半田を融かしていた。クリーム半田は
Sn:Pbの比率が63:37重量比の共晶半田のため183℃以上
で融け、半田の流れもよく、部品に対し濡れ速度が速か
った。
発明が解決しようとする課題 しかしクリーム半田が融けると、共晶半田のため急激
に融け、濡れ速度が速いため、ICリードに沿って半田が
上がる。するとプリント基板上の銅箔パターンにある半
田がリードの方に上がり、リードと銅箔パターン間に隙
間が発生しオープン不良となることがあった。
に融け、濡れ速度が速いため、ICリードに沿って半田が
上がる。するとプリント基板上の銅箔パターンにある半
田がリードの方に上がり、リードと銅箔パターン間に隙
間が発生しオープン不良となることがあった。
本発明はこの種の欠陥を除去したクリーム半田を提供
することを目的とするものである。
することを目的とするものである。
課題を解決するための手段 本発明は共晶でない成分の半田を添加し、濡れ速度を
抑えたクリーム半田を構成するものである。
抑えたクリーム半田を構成するものである。
実施例 一般に半田成分のPb100％やSn:Pbの重量比率10:90迄
の半田は263〜327℃で融け、またSn:PbのSnの増やした
半田、即ちSn:Pb重量比率14〜17:86〜83は200〜232℃で
融けることが知られている。また183℃からそれらの温
度の間では固融状態であり、流動性は悪い。リフロー温
度を230℃前後にすると、Snの多い成分の半田が先に融
け、そこにPbの多い半田が固相拡散して融けるため、融
ける速度を共晶半田よりわずかに遅くすることができ、
ICリードへの上がりを防止できる。
の半田は263〜327℃で融け、またSn:PbのSnの増やした
半田、即ちSn:Pb重量比率14〜17:86〜83は200〜232℃で
融けることが知られている。また183℃からそれらの温
度の間では固融状態であり、流動性は悪い。リフロー温
度を230℃前後にすると、Snの多い成分の半田が先に融
け、そこにPbの多い半田が固相拡散して融けるため、融
ける速度を共晶半田よりわずかに遅くすることができ、
ICリードへの上がりを防止できる。
ここでクリーム半田の粒子成分を２種類用意する。ま
ず一つの半田成分は、Sn:Pbを7wt％:93wt％で溶融範囲2
88〜308℃非共晶、もう一方の半田成分をSn:Agを96.5wt
％:3.5wt％で溶融温度221℃共晶とする。そして、２種
類の半田が完全に融けた時、Sn:Pb共晶点の溶融温度（1
83〜184℃）付近になるように、２種類を配合する。そ
して溶剤、フラックス、粘結剤を加え、混練機を用いて
混練し、クリーム半田を作成する。このクリーム半田を
プリント基板の銅箔の上にスクリーン印刷又はディスペ
ンサーにて塗布し、この上にフラットパッケージタイプ
のICをのせ、赤外線やベーパーのリフロー炉にいれる。
ず一つの半田成分は、Sn:Pbを7wt％:93wt％で溶融範囲2
88〜308℃非共晶、もう一方の半田成分をSn:Agを96.5wt
％:3.5wt％で溶融温度221℃共晶とする。そして、２種
類の半田が完全に融けた時、Sn:Pb共晶点の溶融温度（1
83〜184℃）付近になるように、２種類を配合する。そ
して溶剤、フラックス、粘結剤を加え、混練機を用いて
混練し、クリーム半田を作成する。このクリーム半田を
プリント基板の銅箔の上にスクリーン印刷又はディスペ
ンサーにて塗布し、この上にフラットパッケージタイプ
のICをのせ、赤外線やベーパーのリフロー炉にいれる。
Sn:Agが96.5wt％:3.5wt％の半田成分（以下半田成分
Ａ）は、溶融温度221℃で溶融し、Sn:Pbが7wt％:93wt％
の半田成分（以下半田成分Ｂ）は、溶融範囲288〜308℃
で溶融する。そして実験の結果、半田成分Ａと半田成分
Ｂの混合比率を61wt％:39wt％とすると、２種類の半田
が完全に融けたとき、その組成比率はSn61.6、Ag2.1、P
b36.3と成り、溶融範囲を178〜190℃にすることができ
た。また、半田成分Ａと半田成分Ｂの混合比率を70wt
％:30wt％とすると、溶融範囲は178〜200℃となり、半
田成分Ａと半田成分Ｂの混合比率を55wt％:45wt％とす
ると、溶融範囲は178〜200℃となった。
Ａ）は、溶融温度221℃で溶融し、Sn:Pbが7wt％:93wt％
の半田成分（以下半田成分Ｂ）は、溶融範囲288〜308℃
で溶融する。そして実験の結果、半田成分Ａと半田成分
Ｂの混合比率を61wt％:39wt％とすると、２種類の半田
が完全に融けたとき、その組成比率はSn61.6、Ag2.1、P
b36.3と成り、溶融範囲を178〜190℃にすることができ
た。また、半田成分Ａと半田成分Ｂの混合比率を70wt
％:30wt％とすると、溶融範囲は178〜200℃となり、半
田成分Ａと半田成分Ｂの混合比率を55wt％:45wt％とす
ると、溶融範囲は178〜200℃となった。
以下、半田成分Ａと半田成分Ｂの混合比率を61wt％:3
9wt％としたクリーム半田をICの実装に用いた場合につ
いて説明する。
9wt％としたクリーム半田をICの実装に用いた場合につ
いて説明する。
リフロー炉の温度は230℃前後であり、まずSnの多い
半田成分Ａが融けだし、もう一方のPbの多い半田成分Ｂ
は融けず固融状態である。このため半田の濡れ速度が抑
えられ、ICリードへの半田の上がりが抑えられる。そし
て、両方の半田成分が完全に溶融するのは、上述の実験
結果より約190℃であり、共晶点半田の融点より10℃程
度高い温度に設定でき、良好な半田付けが実現できる。
半田成分Ａが融けだし、もう一方のPbの多い半田成分Ｂ
は融けず固融状態である。このため半田の濡れ速度が抑
えられ、ICリードへの半田の上がりが抑えられる。そし
て、両方の半田成分が完全に溶融するのは、上述の実験
結果より約190℃であり、共晶点半田の融点より10℃程
度高い温度に設定でき、良好な半田付けが実現できる。
発明の効果 クリーム半田の粒子成分を２種類にして、一方を高融
点にすることより、共晶半田一成分のように一度に液状
にならず、液状とザラ目状とが混在した状態を経るため
液状の半田の流動性を抑えることができ、ICリードへの
半田扱い上がりによるICリードと銅箔のオープン不良が
防がれ、その効果は大きい。また、銀電極を用いた厚膜
回路やチップ部品の電極に銀電極を用いたものに対して
は、銀が入っているため、銀食われ現象による接続不良
や、オープン不良を防止することができる。
点にすることより、共晶半田一成分のように一度に液状
にならず、液状とザラ目状とが混在した状態を経るため
液状の半田の流動性を抑えることができ、ICリードへの
半田扱い上がりによるICリードと銅箔のオープン不良が
防がれ、その効果は大きい。また、銀電極を用いた厚膜
回路やチップ部品の電極に銀電極を用いたものに対して
は、銀が入っているため、銀食われ現象による接続不良
や、オープン不良を防止することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森口 士良 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 宮崎 光人 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 松本 壽夫 大阪府堺市築港浜寺西町７番21号 石川 金属株式会社内 (72)発明者 村岡 直樹 大阪府堺市築港浜寺西町７番21号 石川 金属株式会社内 (72)発明者 桝田 敏行 大阪府堺市築港浜寺西町７番21号 石川 金属株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】少なくとも１つがリフロー温度より高い温
度で溶融する特性を有する２種以上の合金粒子が混合さ
れて構成され、前記混合された合金粒子が共晶点半田の
融点より10℃程度高い温度で溶融することを特徴とする
クリーム半田。 - 【請求項２】合金粒子の少なくとも１つは銀を含む合金
から成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
クリーム半田。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26992488A JP2512108B2 (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | クリ―ム半田 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26992488A JP2512108B2 (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | クリ―ム半田 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02117794A JPH02117794A (ja) | 1990-05-02 |
| JP2512108B2 true JP2512108B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=17479100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26992488A Expired - Fee Related JP2512108B2 (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | クリ―ム半田 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2512108B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5074920A (en) * | 1990-09-24 | 1991-12-24 | Mobil Solar Energy Corporation | Photovoltaic cells with improved thermal stability |
| JPH05185278A (ja) * | 1991-11-07 | 1993-07-27 | Senju Metal Ind Co Ltd | クリームはんだ |
| JPH07276076A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | クリームはんだ |
| JPH0899189A (ja) * | 1994-08-02 | 1996-04-16 | Showa Denko Kk | クリームはんだ |
| KR0179709B1 (ko) * | 1994-08-02 | 1999-04-15 | 마꼬또 무라따 | 볼 그리드 어레이용 땜납 페이스트 및 이를 이용한 볼 그리드 어레이 |
-
1988
- 1988-10-26 JP JP26992488A patent/JP2512108B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02117794A (ja) | 1990-05-02 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |