JP2511202B2 - 光学装置 - Google Patents
光学装置Info
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- JP2511202B2 JP2511202B2 JP3097659A JP9765991A JP2511202B2 JP 2511202 B2 JP2511202 B2 JP 2511202B2 JP 3097659 A JP3097659 A JP 3097659A JP 9765991 A JP9765991 A JP 9765991A JP 2511202 B2 JP2511202 B2 JP 2511202B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beam splitter
- light
- recording medium
- optical
- polarized light
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁性膜を記録媒体とし、
レーザ光等の光ビームを記録媒体に照射することにより
情報の記録、再生、消去を行う光記憶装置に関するもの
であり、特にその光学装置に関する。
レーザ光等の光ビームを記録媒体に照射することにより
情報の記録、再生、消去を行う光記憶装置に関するもの
であり、特にその光学装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、光記憶装置は高密度化、大容量化
及び高速アクセス化が可能なメモリ装置として広く研究
されている。このうち記録媒体に微細なピット列を形成
し、該ピット部における光ビームの回折現象を利用して
光再生する装置、あるいは、記録媒体に屈折率の異なる
領域をピット状に形成し、その反射率あるいは透過率の
差を利用して光再生する装置について一部実用化が図ら
れている。
及び高速アクセス化が可能なメモリ装置として広く研究
されている。このうち記録媒体に微細なピット列を形成
し、該ピット部における光ビームの回折現象を利用して
光再生する装置、あるいは、記録媒体に屈折率の異なる
領域をピット状に形成し、その反射率あるいは透過率の
差を利用して光再生する装置について一部実用化が図ら
れている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記装
置は再生専用あるいは情報の追加記録が可能であるとい
う機能をもつに留どまっており、メモリ装置の一大特徴
たるべき消去機能を持たないという問題がある。
置は再生専用あるいは情報の追加記録が可能であるとい
う機能をもつに留どまっており、メモリ装置の一大特徴
たるべき消去機能を持たないという問題がある。
【0004】また、光記憶装置のうち磁性体を記録媒体
とする光磁気記憶装置は記録、再生、消去の3機能を持
ち有用な光記憶装置となりうるものであるが、この光磁
気記憶装置では再生光学系が他の光記憶装置に比べて複
雑なこと及び光再生信号の品質が悪いことのなどの問題
があり、このためにその実用化が遅れているという問題
がある。
とする光磁気記憶装置は記録、再生、消去の3機能を持
ち有用な光記憶装置となりうるものであるが、この光磁
気記憶装置では再生光学系が他の光記憶装置に比べて複
雑なこと及び光再生信号の品質が悪いことのなどの問題
があり、このためにその実用化が遅れているという問題
がある。
【0005】そこで、本発明は上述の問題点に鑑み、光
磁気記憶装置の再生光学系に不可欠なビームスプリッタ
の偏光特性を利用して再生信号の品質向上を図ることを
目的とするものである。
磁気記憶装置の再生光学系に不可欠なビームスプリッタ
の偏光特性を利用して再生信号の品質向上を図ることを
目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は垂直磁気異方性を有する磁性薄膜を記録
媒体とし、該記録媒体へのレーザビーム照射により情報
の記録、再生を行う反射型磁気光学記憶装置の光学装置
において、レーザビーム光路中にビームスプリッタを配
し、該ビームスプリッタのP偏光に対するエネルギー透
過率をTP、エネルギー反射率をRP、S偏光に対するエ
ネルギー透過率をTS、エネルギー反射率をRSとし、前
記記録媒体でのカー回転角をθKとしたとき、前記ビー
ムスプリッタのプリズム斜面に1>TP>0.5であ
り、かつ、1>RS>0.5であるとともに、
めに、本発明は垂直磁気異方性を有する磁性薄膜を記録
媒体とし、該記録媒体へのレーザビーム照射により情報
の記録、再生を行う反射型磁気光学記憶装置の光学装置
において、レーザビーム光路中にビームスプリッタを配
し、該ビームスプリッタのP偏光に対するエネルギー透
過率をTP、エネルギー反射率をRP、S偏光に対するエ
ネルギー透過率をTS、エネルギー反射率をRSとし、前
記記録媒体でのカー回転角をθKとしたとき、前記ビー
ムスプリッタのプリズム斜面に1>TP>0.5であ
り、かつ、1>RS>0.5であるとともに、
【0007】
【数2】
【0008】の値がRP、θKの積(RP×θK)よりも実
質的に減じることがないようにRP、RSが設定されてな
る誘電体薄膜の多層コートを施してなることを特徴とす
る光学装置である。
質的に減じることがないようにRP、RSが設定されてな
る誘電体薄膜の多層コートを施してなることを特徴とす
る光学装置である。
【0009】
【作用】レーザ光源1から射出したレーザ光はビームス
プリッタ2を介して記録媒体3に照射され、その反射光
が再びビームスプリッタ2を介して検光子4で検波され
受光素子5で受光される。このビームスプリッタ2のプ
リズム斜面には特定の条件設定がなされた誘電体薄膜の
多層コートが施されておりカー回転角の増大とともに記
録媒体の磁化状態に応じた再生光の強度変化が得られ
る。
プリッタ2を介して記録媒体3に照射され、その反射光
が再びビームスプリッタ2を介して検光子4で検波され
受光素子5で受光される。このビームスプリッタ2のプ
リズム斜面には特定の条件設定がなされた誘電体薄膜の
多層コートが施されておりカー回転角の増大とともに記
録媒体の磁化状態に応じた再生光の強度変化が得られ
る。
【0010】
【実施例】以下、本発明に係る光学装置の一実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【0011】図1は本発明に係る光学装置の一実施例の
基本構成図、図2はその情報光の偏光状態を示す説明図
である。図1において符号1はレーザ光源、2はビーム
スプリッタ、3は磁気記録された記録媒体、4は前記記
録媒体から反射された情報光を検波する検光子、5は受
光素子である。前記ビームスプリッタ2はそのプリズム
斜面に誘電体薄膜が多層コートされており、その結果、
光学特性はTP(P偏光のエネルギー透過率)=0.
7、RP(P偏光のエネルギー反射率)=0.3、T
S(S偏光のエネルギー透過率)=0.01、RS(S偏
光のエネルギー反射率)=0.99の偏光特性を備え
る。
基本構成図、図2はその情報光の偏光状態を示す説明図
である。図1において符号1はレーザ光源、2はビーム
スプリッタ、3は磁気記録された記録媒体、4は前記記
録媒体から反射された情報光を検波する検光子、5は受
光素子である。前記ビームスプリッタ2はそのプリズム
斜面に誘電体薄膜が多層コートされており、その結果、
光学特性はTP(P偏光のエネルギー透過率)=0.
7、RP(P偏光のエネルギー反射率)=0.3、T
S(S偏光のエネルギー透過率)=0.01、RS(S偏
光のエネルギー反射率)=0.99の偏光特性を備え
る。
【0012】図2に示す直線偏光Iのレーザビームがレ
ーザ光源1より射出されビームスプリッタ2に入射され
る。該ビームスプリッタ2を通過するレーザビームはP
波のみであり、ビームスプリッタ2の光学特性により偏
光状態は保存されてエネルギーのみTP倍となり図2の
偏光Tとなる。該偏光Tが記録媒体3を照射すると、そ
の反射光は照射点の磁化状態に応じて磁気光学効果によ
り偏光振動面の回転を受ける。
ーザ光源1より射出されビームスプリッタ2に入射され
る。該ビームスプリッタ2を通過するレーザビームはP
波のみであり、ビームスプリッタ2の光学特性により偏
光状態は保存されてエネルギーのみTP倍となり図2の
偏光Tとなる。該偏光Tが記録媒体3を照射すると、そ
の反射光は照射点の磁化状態に応じて磁気光学効果によ
り偏光振動面の回転を受ける。
【0013】すなわち、図2に示すように入射偏光Tに
対して記録媒体3の磁化方向に応じてそれぞれカー回転
角θKだけ振動面が回転した偏光R+、R-となる。な
お、同図中R+、R-は記録媒体3の反射率が1以下であ
ることを考慮して記した。この反射レーザ光R+、R-は
再びビームスプリッタ2に入射する。前述のようにビー
ムスプリッタ2の反射特性はRS>RPであるので、受光
系側に反射されるレーザ光の偏光はそれぞれ図2の
R+’、R-’となりその偏光振動面の回転角はθK’に
なり見掛けのカー回転角が増大される。従って検光子4
の透過軸を図2のAのように設定すると受光素子5にお
いて記録媒体3の磁化状態に応じた信号が得られること
になる。
対して記録媒体3の磁化方向に応じてそれぞれカー回転
角θKだけ振動面が回転した偏光R+、R-となる。な
お、同図中R+、R-は記録媒体3の反射率が1以下であ
ることを考慮して記した。この反射レーザ光R+、R-は
再びビームスプリッタ2に入射する。前述のようにビー
ムスプリッタ2の反射特性はRS>RPであるので、受光
系側に反射されるレーザ光の偏光はそれぞれ図2の
R+’、R-’となりその偏光振動面の回転角はθK’に
なり見掛けのカー回転角が増大される。従って検光子4
の透過軸を図2のAのように設定すると受光素子5にお
いて記録媒体3の磁化状態に応じた信号が得られること
になる。
【0014】以上の説明によって理解されるように、ビ
ームスプリッタ2のプリズム斜面に誘電体薄膜を多層コ
ートし、前述のようにTP、RP、TS、RSを設定する
と、見掛けのカー回転角θK’を大幅に増大させること
ができる。この場合、少なくとも1>TP>0.5かつ
1>RS>0.5であれば見掛けのカー回転角θK’の増
加の効果を得ることができる。
ームスプリッタ2のプリズム斜面に誘電体薄膜を多層コ
ートし、前述のようにTP、RP、TS、RSを設定する
と、見掛けのカー回転角θK’を大幅に増大させること
ができる。この場合、少なくとも1>TP>0.5かつ
1>RS>0.5であれば見掛けのカー回転角θK’の増
加の効果を得ることができる。
【0015】なお、光磁気再生のS/N(shot noise、
ショットノイズ)を決める要素として
ショットノイズ)を決める要素として
【0016】
【数3】
【0017】が一般に用いられる。ここでPは検光子に
より検波される再生光の光量である。カー回転角θKは
一般に微少角であることを考慮すると上の値は近似的に
より検波される再生光の光量である。カー回転角θKは
一般に微少角であることを考慮すると上の値は近似的に
【0018】
【数4】
【0019】となる。したがって、この値を減じないよ
うなRP、RSを設定すれば好ましい特整が得られる。
うなRP、RSを設定すれば好ましい特整が得られる。
【0020】以上はビームスプリッタ2からの反射光を
受光系に導く型の光学装置を例に示したが、図3に示す
ように、レーザ光源1からビームスプリッタ2に入射す
る偏光をS偏光とし記録媒体3からの反射光のビームス
プリッタ2の透過光を受光系に導く型の光学装置であっ
ても本発明は適用し得るものである。
受光系に導く型の光学装置を例に示したが、図3に示す
ように、レーザ光源1からビームスプリッタ2に入射す
る偏光をS偏光とし記録媒体3からの反射光のビームス
プリッタ2の透過光を受光系に導く型の光学装置であっ
ても本発明は適用し得るものである。
【0021】図4は本発明に係る光学装置のさらに他の
実施例を説明するための図であり、情報光の偏光状態を
示す説明図である。光学系の基本構成は図1と同様であ
る。ただし、レーザ光源1からはP偏光の方位から若干
回転した方向に振動する直線偏光IOがビームスプリッ
タ2に入射される。ビームスプリッタ2の光学特性は前
述した値と同一であり、TP>TSの光学特性により入射
偏光IOとは若干方位の異なる偏光TOが出射する。該偏
光TOが記憶媒体3を照射するとその反射光は前述のよ
うに磁化状態に応じてカー回転角だけ振動面の回転した
RO +あるいはRO -となる。
実施例を説明するための図であり、情報光の偏光状態を
示す説明図である。光学系の基本構成は図1と同様であ
る。ただし、レーザ光源1からはP偏光の方位から若干
回転した方向に振動する直線偏光IOがビームスプリッ
タ2に入射される。ビームスプリッタ2の光学特性は前
述した値と同一であり、TP>TSの光学特性により入射
偏光IOとは若干方位の異なる偏光TOが出射する。該偏
光TOが記憶媒体3を照射するとその反射光は前述のよ
うに磁化状態に応じてカー回転角だけ振動面の回転した
RO +あるいはRO -となる。
【0022】次に、この反射光RO +、RO -は再びビーム
スプリッタ2に入射され、ビームスプリッタ2の反射特
性がRS>RPであるので受光系側に反射される光の偏光
は若干の振幅差をもったRO +’、RO -’となる。したが
って、見掛けのカー回転角の増大を得、さらに、同図で
RO +はRO -よりP偏光に近く、かつ、RS>RPであるの
で再生光の強度変化をも得て、再生がさらに容易にな
る。
スプリッタ2に入射され、ビームスプリッタ2の反射特
性がRS>RPであるので受光系側に反射される光の偏光
は若干の振幅差をもったRO +’、RO -’となる。したが
って、見掛けのカー回転角の増大を得、さらに、同図で
RO +はRO -よりP偏光に近く、かつ、RS>RPであるの
で再生光の強度変化をも得て、再生がさらに容易にな
る。
【0023】なお、記録媒体3のカー回転角が十分大き
く、かつ、ビームスプリッタ2のRPが十分小さい場合
は再生光の強度変化が非常に大きくなるため検光子4を
省略することも可能である。上記再生光の強度変化の効
果は再生光の一方の偏光方位がP軸に一致する場合に顕
著であることは図4から容易に理解される。
く、かつ、ビームスプリッタ2のRPが十分小さい場合
は再生光の強度変化が非常に大きくなるため検光子4を
省略することも可能である。上記再生光の強度変化の効
果は再生光の一方の偏光方位がP軸に一致する場合に顕
著であることは図4から容易に理解される。
【0024】上述した図4に示す実施例は図1の光学装
置によって説明したが、図3の光学装置によっても実現
可能である。すなわち、この場合はレーザ光源1からビ
ームスプリッタ2に入射する偏光の方位はS偏光の方位
から若干回転した方位にすればよい。
置によって説明したが、図3の光学装置によっても実現
可能である。すなわち、この場合はレーザ光源1からビ
ームスプリッタ2に入射する偏光の方位はS偏光の方位
から若干回転した方位にすればよい。
【0025】なお、以上の説明では総て直線偏光を仮定
したが、実際には、ビームは媒体あるいはビームスプリ
ッタによって偏光解消が生ずるので十分な効果が得られ
ない場合があるが、そのような場合には図1、図3の構
成に加えてレーザ光源1とビームスプリッタ2の間、あ
るいは、記録媒体3とビームスプリッタ2の間に波長板
を挿入して改善することができる。
したが、実際には、ビームは媒体あるいはビームスプリ
ッタによって偏光解消が生ずるので十分な効果が得られ
ない場合があるが、そのような場合には図1、図3の構
成に加えてレーザ光源1とビームスプリッタ2の間、あ
るいは、記録媒体3とビームスプリッタ2の間に波長板
を挿入して改善することができる。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように本発明によればビー
ムスプリッタの光学特性を所定の値に設定することによ
って見掛けのカー回転角を大幅に増加させることがで
き、光再生信号の品質を向上させることができるもので
ある。また、記録媒体の記録部分もしくは無記録部分に
て反射された再生光の偏光方位がP偏光もしくはS偏光
の近傍か、もしくは、同一となるように入射レーザビー
ム偏光方位を設定することにより、カー回転角の増加と
ともに記録媒体の磁化状態に応じた再生光の強度変化が
得られるという利点を得るものである。
ムスプリッタの光学特性を所定の値に設定することによ
って見掛けのカー回転角を大幅に増加させることがで
き、光再生信号の品質を向上させることができるもので
ある。また、記録媒体の記録部分もしくは無記録部分に
て反射された再生光の偏光方位がP偏光もしくはS偏光
の近傍か、もしくは、同一となるように入射レーザビー
ム偏光方位を設定することにより、カー回転角の増加と
ともに記録媒体の磁化状態に応じた再生光の強度変化が
得られるという利点を得るものである。
【図1】本発明に係る光学装置の一実施例の構成図であ
る。
る。
【図2】本発明に係る光学装置の一実施例における情報
光の偏光状態を説明する説明図である。
光の偏光状態を説明する説明図である。
【図3】本発明に係る光学装置の他の実施例の構成図で
ある。
ある。
【図4】本発明に係る光学装置のさらに他の実施例にお
ける情報光の偏光状態を説明する説明図である。
ける情報光の偏光状態を説明する説明図である。
1 レーザ光源 2 ビームスプリッタ 3 記録媒体 4 検光子 5 受光素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山岡 秀嘉 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャー プ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−44241(JP,A) 特開 昭57−111843(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】垂直磁気異方性を有する磁性薄膜を記録媒
体とし、該記録媒体へのレーザビーム照射により情報の
記録、再生を行う反射型磁気光学記憶装置の光学装置に
おいて、 レーザビーム光路中にビームスプリッタを配し、 該ビームスプリッタのP偏光に対するエネルギー透過率
をTP、エネルギー反射率をRP、S偏光に対するエネル
ギー透過率をTS、エネルギー反射率をRSとし、前記記
録媒体でのカー回転角をθKとしたとき、前記ビームス
プリッタのプリズム斜面に1>TP>0.5であり、か
つ、1>RS>0.5であるとともに、 【数1】 の値がRP、θKの積(RP×θK)よりも実質的に減じる
ことがないようにRP、RSが設定されてなる誘電体薄膜
の多層コートを施してなることを特徴とする光学装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3097659A JP2511202B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3097659A JP2511202B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 光学装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP664582A Division JPS58122633A (ja) | 1981-10-29 | 1982-01-18 | 光学装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04228136A JPH04228136A (ja) | 1992-08-18 |
JP2511202B2 true JP2511202B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=14198193
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3097659A Expired - Lifetime JP2511202B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 光学装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2511202B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6798337B2 (en) | 2000-04-03 | 2004-09-28 | Nissan Motor Co., Ltd. | Vehicular electronic key system |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3704934A (en) * | 1971-08-16 | 1972-12-05 | Union Carbide Corp | Laser polarizing beam splitter |
JPS5238942A (en) * | 1975-09-23 | 1977-03-25 | Nippon Shinku Kogaku Kk | Polarizer prism |
JPS5424008A (en) * | 1977-07-26 | 1979-02-23 | Fujitsu Ltd | Magnetic recording and photo reproducing system |
JPS5744241A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetooptic reproducer |
JPS57111843A (en) * | 1980-12-27 | 1982-07-12 | Canon Inc | Vertical magnetic reading optical system |
JPS58122633A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-21 | Sharp Corp | 光学装置 |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP3097659A patent/JP2511202B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6798337B2 (en) | 2000-04-03 | 2004-09-28 | Nissan Motor Co., Ltd. | Vehicular electronic key system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04228136A (ja) | 1992-08-18 |
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