JP2508968B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
S出力回路の改良に関する。
用いられる従来のMOS出力回路は、高電位たとえば5
Vの電源線VCCと接地電位の電源線VSSとの間に直列接
続されたNチャネルMOSトランジスタ(この場合、エ
ンハンスメント形)の出力トランジスタQ1、Q2より
なり、入力信号φ1、φ2と出力信号Dout との関係
は、次の表のごとくなる。 φ1 | φ2 | Dout −−−−−−−−−−−− ロ− | ロ− | HZ −−−−−−−−−−−− ロ− | ハイ | ロ− −−−−−−−−−−−− ハイ | ロ− | ハイ なお、φ1=φ2=ハイレベルは禁止される。ここで、
φ1=ロ−レベル、φ2=ハイレベルの状態でDout が
ロ−レベルのときに、出力信号Dout が外部からのノイ
ズにより負電位に下降すると、トランジスタQ1のゲ−
ト電位が相対的に上昇し、従って、出力トランジスタQ
1がオンとなる。この結果、これをNチャネルMOSト
ランジスタによるDRAMに適用した場合には、少数キ
ャリアが発生してメモリセルのデ−タを破壊することに
なる。
するためにNチャネルトランジスタQ3が出力トランジ
スタQ1のゲ−トと出力信号Dout の端子との間に設け
られている。つまり、出力信号Dout の電位が負電位と
なってトランジスタQ3のゲ−ト・ソ−ス間電圧が VSS−Vthn 但し、Vthn はトランジスタQ3のしきい値電圧、より
下降すると、トランジスタQ3がオンとなって入力信号
φ1の電位も低下するので出力トランジスタQ1のオン
を防止できる。
示すごとく、実際には、同一半導体チップ内に、複数の
出力回路a、b、…が存在しており、この結果、電源線
VSSの電位は特にデ−タの切替わりの際に大きく変動
し、たとえば、そのピ−ク値は2Vまで達することがあ
る。今、出力回路bにおける入力信号φ1bがハイレベ
ルからロ−レベルに切替わり、入力信号φ2bがロ−レ
ベルからハイレベルに切替わり、この結果、比較的大き
な電流iが電源線VSSのインピ−ダンスZを流れてノ−
ドa、bの各電位が一時的に上昇したとする。他方、同
時に、出力回路aの入力信号φ1aがロ−レベルからハ
イレベルに切替わり、入力信号φ2aがハイレベルから
ロ−レベルに切替わり、従って、出力信号D out aが上
昇しようとしている状態にあると、ノ−ドaの電位が一
時的に上昇しているのでトランジスタQ3aがオンとな
り、入力信号φ1aつまり出力トランジスタQ1aのゲ
−ト電位が低下して出力信号D out aの電位が正常にハ
イレベルとならずに誤動作を招くという課題がある。
が存在した場合に、これら相互間の干渉による誤動作を
防止したMOS出力回路を提供することにある。
めに本発明は、出力トランジスタQ1、Q2の接地電位
の電源線VSSと、出力トランジスタQ1のオン防止のた
めのトランジスタQ3のゲ−ト制御用の接地電位の電源
線VSSとを別々に設ける。
出力回路の動作による接地電位の上昇があっても、各ト
ランジスタQ3の接地電位は上昇しないので各出力回路
による干渉は少ない。
を示す回路図である。図1においては、2つの別々の接
地電位の電源線VSS1 、VSS2 が設けられている。ま
た、トランジスタQ3のゲ−ト・ソ−ス間には、トラン
ジスタQ3のゲ−ト破壊を防止するための電圧クランプ
素子Q4が設けられている。
導体装置を示す。つまり、接地電位の電源線VSS1 、V
SS2 は別個のパッドP1 、P2 を介して別個のピン
T1 、T2 に接続されており、図示のごとく、これらの
ピンP1 、P2 が外部で短絡して同一接地電位となって
いても、内部配線によるインピ−ダンスZ1 、Z2 及び
ボンディングワイヤによるインピ−ダンスZ1'、Z2'の
存在によって、出力トランジスタQ2a、Q2bの接地
電位の電源線VSS1 とトランジスタQ3a、Q3bの接
地電位の電源線VSS2 とはほとんど干渉しない。言い換
えると、ノ−ドbにおける接地電位が過渡的に上昇して
も、ノ−ドa’における接地電位はトランジスタQ3a
をオンさせる程には上昇しない。従って、複数の出力回
路a、b間では干渉による誤動作はない。
て、出力信号D out aの端子に正もしくは負の静電パル
スが印加されても、トランジスタQ3aのゲ−ト・ソ−
ス間に接続された電圧クランプ素子Q4aを介して電流
が流れるので、トランジスタQ3aのゲ−ト破壊を防止
できる。従って、電源線VSS1 、VSS2 を別々にするこ
とによる静電破壊耐圧が低下することはない。
クランプ素子Q4の構造例を図3、図4を参照して説明
する。なお、図3は平面図、図4は図3のIV−IV線
断面図である。まずP- 半導体基板1上に、電圧クラン
プ素子Q4用のフィ−ルド酸化膜2を形成し、また、ト
ランジスタQ3用のゲ−ト酸化膜を形成し、その上に、
ゲ−ト電極4を形成する。
1、5−2、5−3を形成する。この場合、不純物拡散
層5−1、5−2は電圧クランプ素子Q4の寄生バイポ
−ラトランジスタのためであり、不純物拡散層5−2、
5−3はトランジスタQ3内のソ−ス、ドレインのため
のものである。また、6は側壁絶縁層であって、トラン
ジスタQ3のソ−ス・ドレイン領域を浅いN- 層、深い
N+ 層で形成させることによって耐圧を増大させるLD
D(Lightly Doped Drain )構造をとっている。
散層5−1、5−2、5−3へのコンタクトホ−ル8を
形成し、その中にアルミニウム配線9による電極を形成
している。なお、上述の実施例においては、出力トラン
ジスタQ1、Q2、トランジスタQ3はNチャネルMO
Sトランジスタ(エンハンスメント型)であったが、本
発明はPチャネルトランジスタにも適用できる。この場
合には、電源線VCCを別々に設ける。
力信号の端子の負方向のノイズに対する耐性を強くする
トランジスタを構えた出力回路を複数配置した場合の相
互の干渉による誤動作を防止できる。さらに、静電破壊
耐圧の低下をも回避できる。
図である。
回路図である。
回路図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 正の高電位が印加される高電位電源手段
(VCC)と、 接地電位が印加される第1の接地電位電源手段
(VSS1 )と、 該第1の接地電位電源手段と所定インピ−ダンスによっ
て接続された第2の接地電位電源手段(VSS2 )と、 出力ノ−ド(Dout )と、 前記高電位電源手段と前記出力ノ−ドとの間に接続され
た第1のNチャネルMOSトランジスタ(Q1)と、 前記出力ノ−ドと前記第1の接地電位電源手段との間に
接続された第2のNチャネルMOSトランジスタ(Q
2)と、 前記第1のNチャネルMOSトランジスタのゲ−トと前
記出力ノ−ドとの間に接続され、前記第2の接地電位電
源手段によってゲ−ト電位が制御される第3のNチャネ
ルMOSトランジスタ(Q3)とを具備する半導体装
置。 - 【請求項2】 さらに、前記第2の接地電位電源手段と
前記出力ノ−ドとの間に接続された電圧クランプ素子
(Q4)を具備する請求項1に記載の半導体装置。 - 【請求項3】 前記電圧クランプ素子は寄生バイポ−ラ
トランジスタにより構成される請求項2に記載の半導体
装置。 - 【請求項4】 正の高電位が印加される第1の高電位電
源手段と、 該第1の高電位電源手段と所定インピ−ダンスによって
接続された第2の高電位電源手段と、 接地電位が印加される接地電位電源手段と、 出力ノ−ドと、 前記第1の高電位電源手段と前記出力ノ−ドとの間に接
続された第1のPチャネルMOSトランジスタと、 前記出力ノ−ドと前記接地電位電源手段との間に接続さ
れた第2のPチャネルMOSトランジスタと、 前記第1のPチャネルMOSトランジスタのゲ−トと前
記出力ノ−ドとの間に接続され、前記第2の高電位電源
手段によってゲ−ト電位が制御される第3のPチャネル
MOSトランジスタとを具備する半導体装置。 - 【請求項5】 さらに、前記第2の高電位電源手段と前
記出力ノ−ドとの間に接続された電圧クランプ素子を具
備する請求項4に記載の半導体装置。 - 【請求項6】 前記電圧クランプ素子は寄生バイポ−ラ
トランジスタにより構成される請求項5に記載の半導体
装置。 - 【請求項7】 前記寄生バイポーラトランジスタは、 P型の半導体基板(1)と、 該半導体基板上に形成されたフィールド酸化膜(2)
と、 前記半導体基板内に該フィールド酸化膜によって分離さ
れて形成されたN型の2つの不純物拡散層(5−1、5
−2)と を具備し、前記半導体基板をベース、前記2つ
の不純物拡散層をエミッタ、コレクタとし、 前記寄生バイポーラトランジスタのコレクタを前記第3
のNチャネルトランジスタのゲートに接続し、前記寄生
バイポーラのエミッタを前記第3のNチャネルMOSト
ランジスタのソースに接続した請求項3に記載の半導体
装置。 - 【請求項8】 前記寄生バイポーラトランジスタは、 N型の半導体基板と、 該半導体基板上に形成されたフィールド酸化膜と、 前記半導体基板内に該フィールド酸化膜によって分離さ
れて形成されたP型の2つの不純物拡散層と を具備し、
前記半導体基板をベース、前記2つの不純物拡散層をエ
ミッタ、コレクタとし、 前記寄生バイポーラトランジスタのコレクタを前記第3
のPチャネルトランジスタのゲートに接続し、前記寄生
バイポーラのエミッタを前記第3のPチャネルMOSト
ランジスタのソースに接続した請求項6に記載の半導体
装置。
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