JP2506764B2 - 移相器 - Google Patents
移相器Info
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- JP2506764B2 JP2506764B2 JP12297387A JP12297387A JP2506764B2 JP 2506764 B2 JP2506764 B2 JP 2506764B2 JP 12297387 A JP12297387 A JP 12297387A JP 12297387 A JP12297387 A JP 12297387A JP 2506764 B2 JP2506764 B2 JP 2506764B2
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- phase shifter
- inductance
- terminal
- variable capacitance
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- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、広範囲な位相可変が可能な移相器に関する
ものであり、特に高周波用移相器として有効である。
ものであり、特に高周波用移相器として有効である。
従来の技術 第５図は、従来の一般的な移相器の構成例を示すもの
であり、図ａは相互インダクタンス結合による複同調回
路で構成された移相器、図ｂは容量結合による複同調回
路で構成された移相器の各々一例を示す。なお、本説明
図において、同じ作用をする素子には同一の符号をつけ
ることにする。
であり、図ａは相互インダクタンス結合による複同調回
路で構成された移相器、図ｂは容量結合による複同調回
路で構成された移相器の各々一例を示す。なお、本説明
図において、同じ作用をする素子には同一の符号をつけ
ることにする。
第５図ａでは、中間タップ付インダクタンスL1,容量C
1,可変容量ダイオードD1で形成される第１の同調回路
と、中間タップ付インダクタンスL2,容量C2,可変容量ダ
イオードD2で形成される第２の同調回路が相互インダク
タンスＭにより結合され、複同調回路を形成している。
入力端子１とL1の中間タップとの間に結合容量C1,出力
端子２とL2の中間タップとの間に結合容量C2が各々接続
されている。又、制御電圧端子３より抵抗R1およびR2を
介して、各々の可変容量ダイオードD1,D2へ制御電圧を
印加する構成になっている。
1,可変容量ダイオードD1で形成される第１の同調回路
と、中間タップ付インダクタンスL2,容量C2,可変容量ダ
イオードD2で形成される第２の同調回路が相互インダク
タンスＭにより結合され、複同調回路を形成している。
入力端子１とL1の中間タップとの間に結合容量C1,出力
端子２とL2の中間タップとの間に結合容量C2が各々接続
されている。又、制御電圧端子３より抵抗R1およびR2を
介して、各々の可変容量ダイオードD1,D2へ制御電圧を
印加する構成になっている。
第５図ｂにおいて、同図ａと異なっている点は、L1,C
1,D1による第１の同調回路と、L2,C2,D2による第２の同
調回路が結合容量C5によって結合され複同調回路を形成
していることである。
1,D1による第１の同調回路と、L2,C2,D2による第２の同
調回路が結合容量C5によって結合され複同調回路を形成
していることである。
上記の従来例とも、広帯域な複同調回路を形成し、可
変容量ダイオードD1,D2の容量を可変して、同調周波数
を可変させることにより、ある周波数の点での位相が変
化するようになる。
変容量ダイオードD1,D2の容量を可変して、同調周波数
を可変させることにより、ある周波数の点での位相が変
化するようになる。
発明が解決しようとする問題点 従来例の構成のような移相器の問題点をあげる。第１
に、第５図a,bの移相器とも、広帯域に低挿入損の複同
調回路を構成することが困難であること、第２に、特に
相互インダクタンス結合による複同調回路では、Ｍの値
がばらつくため、入、出力間の位相遅れにバラツキが生
じやすくなること、第３に、両従来例とも回路構成が若
干複雑であるため（実装状態も含めて）、入出力間の位
相遅れにバナツキが生じやすいこと、などがあげられ
る。特にこれらの問題は高周波帯になるほど大きくなっ
てくる。
に、第５図a,bの移相器とも、広帯域に低挿入損の複同
調回路を構成することが困難であること、第２に、特に
相互インダクタンス結合による複同調回路では、Ｍの値
がばらつくため、入、出力間の位相遅れにバラツキが生
じやすくなること、第３に、両従来例とも回路構成が若
干複雑であるため（実装状態も含めて）、入出力間の位
相遅れにバナツキが生じやすいこと、などがあげられ
る。特にこれらの問題は高周波帯になるほど大きくなっ
てくる。
問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解決するため、第１および第２
の中間タップ付インダクタンス素子の各々の一方の端子
を接地し、各々の他方の端子に第１および第２の可変容
量ダイオードのアノード端子を接続し、第１および第２
の可変容量ダイオードのカソード端子同志と、接地端子
間に容量素子を接続し、前記第１および第２の可変容量
ダイオードのカソード端子に電圧制御端子を接続し、前
記第１および第２のインダクタンス素子の中間タップに
結合容量を介して、入、出力端子を接続した構成として
いる。
の中間タップ付インダクタンス素子の各々の一方の端子
を接地し、各々の他方の端子に第１および第２の可変容
量ダイオードのアノード端子を接続し、第１および第２
の可変容量ダイオードのカソード端子同志と、接地端子
間に容量素子を接続し、前記第１および第２の可変容量
ダイオードのカソード端子に電圧制御端子を接続し、前
記第１および第２のインダクタンス素子の中間タップに
結合容量を介して、入、出力端子を接続した構成として
いる。
作 用 本発明は上記した構成により、２つの可変容量ダイオ
ードのカソード端子と接地端子の間に結合容量を接続す
ることにより、より簡単な構成で、容量結合型の広帯域
な複同調回路を構成している。
ードのカソード端子と接地端子の間に結合容量を接続す
ることにより、より簡単な構成で、容量結合型の広帯域
な複同調回路を構成している。
実施例 第１図は本発明の移相器の基本回路構成を示す。第１
の同調回路は中間タップ付インダクタンス素子L1,可変
容量ダイオードD1,容量C6で形成され、第２の同調回路
は中間タップ付インダクタンス素子L2,可変容量ダイオ
ードD2,容量C6で形成されている。２つの同調回路は共
通の容量C6で容量結合され、広帯域な複同調回路を形成
している。入力端子１とL1の中間タップ間に結合容量C3
が、出力端子２とL2の中間タップ間に結合容量C4が接続
され、可変容量ダイオードD1,D2の各々のカソード端子
には高抵抗R3を介して制御電圧端子３より制御電圧が印
加され、各々の可変容量ダイオードの容量が可変される
ことにより、広帯域な複同調回路の同調周波数が変化
し、ある周波数の点での位相が広範囲に可変される。
の同調回路は中間タップ付インダクタンス素子L1,可変
容量ダイオードD1,容量C6で形成され、第２の同調回路
は中間タップ付インダクタンス素子L2,可変容量ダイオ
ードD2,容量C6で形成されている。２つの同調回路は共
通の容量C6で容量結合され、広帯域な複同調回路を形成
している。入力端子１とL1の中間タップ間に結合容量C3
が、出力端子２とL2の中間タップ間に結合容量C4が接続
され、可変容量ダイオードD1,D2の各々のカソード端子
には高抵抗R3を介して制御電圧端子３より制御電圧が印
加され、各々の可変容量ダイオードの容量が可変される
ことにより、広帯域な複同調回路の同調周波数が変化
し、ある周波数の点での位相が広範囲に可変される。
次に第２図，第３図に、移相器の具体的な実施例を示
して説明する。
して説明する。
第２図は片面基板による本発明の移相器の一実施例を
示し、同図ａは裏面図、ｂは側面図、ｃは表面図を示
す。図のように片面基板４の表面から中間タップ付イン
ダクタンス素子L1,L2として金属棒を挿入し、裏面に
は、第２図の基本回路で示した各素子をチップ部品を使
用して実装している。第１図で示した各素子の符号は各
々対応している。５はグランドパターンを示し、1,2は
各々入、出力端子、３は制御電圧端子、C7は接地容量を
示す。
示し、同図ａは裏面図、ｂは側面図、ｃは表面図を示
す。図のように片面基板４の表面から中間タップ付イン
ダクタンス素子L1,L2として金属棒を挿入し、裏面に
は、第２図の基本回路で示した各素子をチップ部品を使
用して実装している。第１図で示した各素子の符号は各
々対応している。５はグランドパターンを示し、1,2は
各々入、出力端子、３は制御電圧端子、C7は接地容量を
示す。
第３図は両面基板による本発明の移相器の一実施例を
示し、同図ａは表面図、ｂは側面図を示す。図のよう
に、両面基板６の裏面は全面グランドパターン７になっ
ており、表面に第２図の基本回路で示した各素子がチッ
プ部品を使用して実装されている。ここでの特徴は、中
間タップ付インダクタンス素子を、第４図のようにスト
リップライン型インダクタンスとして形成していること
である。
示し、同図ａは表面図、ｂは側面図を示す。図のよう
に、両面基板６の裏面は全面グランドパターン７になっ
ており、表面に第２図の基本回路で示した各素子がチッ
プ部品を使用して実装されている。ここでの特徴は、中
間タップ付インダクタンス素子を、第４図のようにスト
リップライン型インダクタンスとして形成していること
である。
第２図，第３図で示した中間タップ付インダクタンス
L1,L2は一例であり、その他にも面積を小さくするため
にジグザグのインダクタンスとして実装してもよい。
L1,L2は一例であり、その他にも面積を小さくするため
にジグザグのインダクタンスとして実装してもよい。
第４図は、第２図で示した本発明の実施例による移相
器の特性を示す。定数としては、L1,L2は直径1.0mm,長
さ約30mmの金属棒,C3,C4は22PF,C6は10PF,D1,D2はMA33
4、などを使用した場合の500MHz帯における位相9,挿入
損10の特性を示す。位相については、約180゜/1.5〜11.
5V,挿入損については1.5〜3.0dB/1.5〜11.5Vと、広範囲
に直線性良好で、低挿入損の特性が得られている。又、
上記範囲内での入出力リターロスも7dB以上が得られて
いる。
器の特性を示す。定数としては、L1,L2は直径1.0mm,長
さ約30mmの金属棒,C3,C4は22PF,C6は10PF,D1,D2はMA33
4、などを使用した場合の500MHz帯における位相9,挿入
損10の特性を示す。位相については、約180゜/1.5〜11.
5V,挿入損については1.5〜3.0dB/1.5〜11.5Vと、広範囲
に直線性良好で、低挿入損の特性が得られている。又、
上記範囲内での入出力リターロスも7dB以上が得られて
いる。
第３図で示した本発明による実施例の特性もほぼ同等
のものが得られている。
のものが得られている。
発明の効果 以上の実施例から明らかなように、本発明によると次
のような効果がある。
のような効果がある。
（１） ２つの中間タップ付インダクタンス素子の各々
の一方の端子を接地し、各々の開放端子側に、可変容量
ダイオードのアノード端子を接続し、カソード端子同志
と、接地端子間に結合容量を接続し、カソード端子に電
圧制御端子、インダクタンス素子の中間タップより結合
容量を介して入、出力端子をそれぞれ接続するような複
同調回路型移相器を構成することにより、簡単な回路構
成で、低損失で、位相の広範囲可変が可能な移相器を実
現できる。
の一方の端子を接地し、各々の開放端子側に、可変容量
ダイオードのアノード端子を接続し、カソード端子同志
と、接地端子間に結合容量を接続し、カソード端子に電
圧制御端子、インダクタンス素子の中間タップより結合
容量を介して入、出力端子をそれぞれ接続するような複
同調回路型移相器を構成することにより、簡単な回路構
成で、低損失で、位相の広範囲可変が可能な移相器を実
現できる。
（２） 上記実施例のごとく、中間タップ付インダクタ
ンス素子に金属棒を用いて、基板面にそって配置する実
装構造にすることにより、Ｍ結合が少なく、Ｑが高い移
相器が実現でき、位相バラツキが少なく、低損失にな
る。
ンス素子に金属棒を用いて、基板面にそって配置する実
装構造にすることにより、Ｍ結合が少なく、Ｑが高い移
相器が実現でき、位相バラツキが少なく、低損失にな
る。
（３） 上記実施例のごとく、中間タップ付インダクタ
ンス素子を、基板の裏面がグランドプレーンとした表面
上に、ストリップライン型インダクタンスとして構成す
ることにより、インダクタンスの値のバラツキが少な
く、高周波的に安定な移相器が実現できる。合わせて小
型化も可能となる。
ンス素子を、基板の裏面がグランドプレーンとした表面
上に、ストリップライン型インダクタンスとして構成す
ることにより、インダクタンスの値のバラツキが少な
く、高周波的に安定な移相器が実現できる。合わせて小
型化も可能となる。
第１図は本発明の一実施例の移相器の基本回路構成図、
第２図a,b,cは片面基板による一実施例を示す上面図と
側面図と下面図、第３図a,bは両面基板による一実施例
を示す上面図と側面図、第４図は本発明による移相器の
特性例を示す図、第５図a,bは従来の複同調型移相器を
示す回路構成図である。 １……入力端子、２……出力端子、３……制御電圧端
子、４……片面基板、６……両面基板、L1,L2……中間
タップ付インダクタンス素子、C1〜C7……容量、R1〜R3
……抵抗、D1,D2……可変容量ダイオード。
第２図a,b,cは片面基板による一実施例を示す上面図と
側面図と下面図、第３図a,bは両面基板による一実施例
を示す上面図と側面図、第４図は本発明による移相器の
特性例を示す図、第５図a,bは従来の複同調型移相器を
示す回路構成図である。 １……入力端子、２……出力端子、３……制御電圧端
子、４……片面基板、６……両面基板、L1,L2……中間
タップ付インダクタンス素子、C1〜C7……容量、R1〜R3
……抵抗、D1,D2……可変容量ダイオード。
Claims (3)
- 【請求項１】第１および第２の中間タップ付インダクタ
ンス素子の各々の一方の端子を接地し、各々の他方の端
子に第１および第２の可変容量ダイオードのアノード端
子を接続し、第１および第２の可変容量ダイオードのカ
ソード端子同志と、接地端子間に容量素子を接続し、前
記第１および第２の可変容量ダイオードのカソード端子
に電圧制御端子を接続し、前記第１および第２のインダ
クタンス素子の中間タップより結合容量を介して、入、
出力端子を接続した移相器。 - 【請求項２】中間タップ付インダクタンス素子として金
属棒を用い、回路基板面に配置した特許請求の範囲第１
項記載の移相器。 - 【請求項３】中間タップ付インダクタンス素子は、基板
の裏面がグランドプレーンとした表面上に、ストリップ
ライン型インダクタンスを設けて構成した特許請求の範
囲第１項に記載の移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12297387A JP2506764B2 (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12297387A JP2506764B2 (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 移相器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63287202A JPS63287202A (ja) | 1988-11-24 |
| JP2506764B2 true JP2506764B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=14849166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12297387A Expired - Fee Related JP2506764B2 (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2506764B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2785745B1 (fr) * | 1998-11-09 | 2000-12-15 | Cit Alcatel | Circuit haute frequence a dephasage variable |
-
1987
- 1987-05-20 JP JP12297387A patent/JP2506764B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63287202A (ja) | 1988-11-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |