JP2506770B2 - 移相器 - Google Patents
移相器Info
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- JP2506770B2 JP2506770B2 JP13510187A JP13510187A JP2506770B2 JP 2506770 B2 JP2506770 B2 JP 2506770B2 JP 13510187 A JP13510187 A JP 13510187A JP 13510187 A JP13510187 A JP 13510187A JP 2506770 B2 JP2506770 B2 JP 2506770B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- phase shifter
- variable capacitance
- inductance
- capacitance diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、広範囲な移相可変が可能な移相器に関する
ものであり、特に高周波用移相器として有効なものであ
る。
ものであり、特に高周波用移相器として有効なものであ
る。
従来の技術 第５図は、従来の一般的な移相器の構成例を示すもの
であり、図ａは相互インダクタンス結合による複同調回
路で構成された移相器、図ｂは容量結合による複同調回
路で構成された移相器の各々一例を示す。なお、本説明
図において、同じ作用をする素子には同一の符号をつけ
ることにする。
であり、図ａは相互インダクタンス結合による複同調回
路で構成された移相器、図ｂは容量結合による複同調回
路で構成された移相器の各々一例を示す。なお、本説明
図において、同じ作用をする素子には同一の符号をつけ
ることにする。
第１図ａでは、中間タップ付インダクタンスL1，容量
C1，可変容量ダイオードD1で形成される第１の同調回路
と、中間タップ付インダクタンスL2，容量C2，可変容量
ダイオードD2で形成される第２の同調回路が相互インダ
クタンスＭにより結合され、複同調回路を形成してい
る。入力端子１とL1の中間タップとの間に結合容量C3，
出力端子２とL2の中間タップとの間に結合容量C4が各々
接続されている。又、制御電圧端子３より抵抗R1および
R2を介して、各々の可変容量ダイオードへ制御電圧を印
加する構成になっている。
C1，可変容量ダイオードD1で形成される第１の同調回路
と、中間タップ付インダクタンスL2，容量C2，可変容量
ダイオードD2で形成される第２の同調回路が相互インダ
クタンスＭにより結合され、複同調回路を形成してい
る。入力端子１とL1の中間タップとの間に結合容量C3，
出力端子２とL2の中間タップとの間に結合容量C4が各々
接続されている。又、制御電圧端子３より抵抗R1および
R2を介して、各々の可変容量ダイオードへ制御電圧を印
加する構成になっている。
第５図ｂにおいて、同図ａと異なっている点はL1，
C1，D1による第１の同調回路と、L2，C2，D2による第２
の同調回路が結合容量C5によって結合され複同調回路を
形成していることである。
C1，D1による第１の同調回路と、L2，C2，D2による第２
の同調回路が結合容量C5によって結合され複同調回路を
形成していることである。
上記の従来例とも、広帯域な複同調回路を形成し、可
変容量ダイオードD1，D2の容量を可変して、同調周波数
を可変させることにより、ある周波数の点での位相が変
化するようになる。
変容量ダイオードD1，D2の容量を可変して、同調周波数
を可変させることにより、ある周波数の点での位相が変
化するようになる。
発明が解決しようとする問題点 従来例の構成のような移相器の問題点をあげる。第１
に、第５図a,bの移相器とも、広帯域に低挿入損の複同
調回路を構成することが困難であること、第２に、特に
相互インダクタンス結合による複同調回路では、Ｍの値
がばらつくため、入出力間の位相遅れにバラツキが生じ
やすく不安定になること、第３に、両従来例とも回路構
成が若干複雑であるため（実装状態も含めて）、入出力
間の位相遅れにバラツキが生じやすいこと、などがあげ
られる。特にこれらの問題は高周波帯になるほど大きく
なってくる。
に、第５図a,bの移相器とも、広帯域に低挿入損の複同
調回路を構成することが困難であること、第２に、特に
相互インダクタンス結合による複同調回路では、Ｍの値
がばらつくため、入出力間の位相遅れにバラツキが生じ
やすく不安定になること、第３に、両従来例とも回路構
成が若干複雑であるため（実装状態も含めて）、入出力
間の位相遅れにバラツキが生じやすいこと、などがあげ
られる。特にこれらの問題は高周波帯になるほど大きく
なってくる。
問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解決するため、第１および第２
の中間タップ付インダクタンス素子の各々の一方の端子
を接地し、各々の他方の端子に第１および第２の可変容
量ダイオードのアノード端子を接続し、第１および第２
の可変容量ダイオードのカソード端子に第３の可変容量
ダイオードのカソード端子を接続し、第３の可変容量ダ
イオードのアノード端子を接地し、前記第1,第２、第３
の可変容量ダイオードのカソード端子に電圧制御素子を
接続し、前記第１および第２のインダクタンス素子の中
間タップに結合容量を介して、入出力端子を接続するも
のである。
の中間タップ付インダクタンス素子の各々の一方の端子
を接地し、各々の他方の端子に第１および第２の可変容
量ダイオードのアノード端子を接続し、第１および第２
の可変容量ダイオードのカソード端子に第３の可変容量
ダイオードのカソード端子を接続し、第３の可変容量ダ
イオードのアノード端子を接地し、前記第1,第２、第３
の可変容量ダイオードのカソード端子に電圧制御素子を
接続し、前記第１および第２のインダクタンス素子の中
間タップに結合容量を介して、入出力端子を接続するも
のである。
作用 本発明は上記した構成により、２つの可変容量ダイオ
ードのカソード端子と接地端子の間に可変容量ダイオー
ドを接続することにより、より簡単な構成で、容量結合
型の広帯域な複同調回路を有する移相器を実現できる。
ードのカソード端子と接地端子の間に可変容量ダイオー
ドを接続することにより、より簡単な構成で、容量結合
型の広帯域な複同調回路を有する移相器を実現できる。
実施例 第１図は本発明の移相器の基本回路構成を示す。第１
の同調回路は中間タップ付インダクタンス素子L1，可変
容量ダイオードD1，及びD3で形成され、第２の同調回路
は中間タップ付インダクタンス素子L2，可変容量ダイオ
ードD2，及びD3で形成されている。２つの同調回路は共
通の可変容量ダイオードD3で容量結合され、広帯域な複
同調回路を形成している。入力端子１とL1の中間タップ
間に結合容量C3が、出力端子２とL2の中間タップ間に結
合容量C4が接続され、可変容量ダイオードD1，D2の各々
のカソード端子には高抵抗R3を介して制御電圧端子３よ
り制御電圧が印加され、各々の可変容量ダイオードの容
量が可変されることにより、広帯域な複同調回路の同調
周波数が変化し、ある周波数の点での位相が広範囲に可
変される。ここで、結合容量は可変ダイオードで構成す
る事により、比帯域がほぼ一定な可変同調回路を形成で
きるので、広範囲に位相の直線性が良好になり、挿入損
も一定になる事が特徴である。
の同調回路は中間タップ付インダクタンス素子L1，可変
容量ダイオードD1，及びD3で形成され、第２の同調回路
は中間タップ付インダクタンス素子L2，可変容量ダイオ
ードD2，及びD3で形成されている。２つの同調回路は共
通の可変容量ダイオードD3で容量結合され、広帯域な複
同調回路を形成している。入力端子１とL1の中間タップ
間に結合容量C3が、出力端子２とL2の中間タップ間に結
合容量C4が接続され、可変容量ダイオードD1，D2の各々
のカソード端子には高抵抗R3を介して制御電圧端子３よ
り制御電圧が印加され、各々の可変容量ダイオードの容
量が可変されることにより、広帯域な複同調回路の同調
周波数が変化し、ある周波数の点での位相が広範囲に可
変される。ここで、結合容量は可変ダイオードで構成す
る事により、比帯域がほぼ一定な可変同調回路を形成で
きるので、広範囲に位相の直線性が良好になり、挿入損
も一定になる事が特徴である。
次に第２図，第３図に、本発明による位相器の具体的
な実施例を示して説明する。
な実施例を示して説明する。
第２図は片面基板による本発明の移相器の一実施例を
示し、同図ａは裏面図、ｂは側面図、ｃは表面図を示
す。図のように片面基板４の表面から中間タップ付イン
ダクタンス素子L1，L2として金属棒を挿入し、裏面に
は、第１図の基本回路で示した各素子をチップ部品を使
用して実装している。第１図に示した各素子の符号は各
々対応している。５はグランドパターンを示し、1,2は
各々入出力端子、３は制御電圧端子、C6は接地容量を示
す。
示し、同図ａは裏面図、ｂは側面図、ｃは表面図を示
す。図のように片面基板４の表面から中間タップ付イン
ダクタンス素子L1，L2として金属棒を挿入し、裏面に
は、第１図の基本回路で示した各素子をチップ部品を使
用して実装している。第１図に示した各素子の符号は各
々対応している。５はグランドパターンを示し、1,2は
各々入出力端子、３は制御電圧端子、C6は接地容量を示
す。
第３図は両面基板による本発明の移相器の一実施例を
示し、同図ａは表面図、ｂは側面図を示す。図のよう
に、両面基板６の裏面は全面グランドパターン７になっ
ており、表面に第２図の基本回路で示した各素子がチッ
プ部品を使用して実装されている。ここでの特徴は、中
間タップ付インダクタンス素子を、第３図のようにスト
リップライン型インダクタンスとして形成していること
である。
示し、同図ａは表面図、ｂは側面図を示す。図のよう
に、両面基板６の裏面は全面グランドパターン７になっ
ており、表面に第２図の基本回路で示した各素子がチッ
プ部品を使用して実装されている。ここでの特徴は、中
間タップ付インダクタンス素子を、第３図のようにスト
リップライン型インダクタンスとして形成していること
である。
第２図，第３図で示した中間タップ付インダクタンス
は一例であり、その他にも面積を小さくするためにジグ
ザグのインダクタンスとして実装してもよい。
は一例であり、その他にも面積を小さくするためにジグ
ザグのインダクタンスとして実装してもよい。
第４図は、第２図で示した本発明の実施例による移相
器の特性を示す。定数としては、L1，L2は直径1.0mm,長
さ約30mmの金属棒、C3，C4は22PF、D1，D2，D3はMA33
4、などを使用した場合の500MHz帯における位相9,挿入
損10の特性を示す。位相については、約180°/1.5〜11.
5V,挿入損については1.5〜3.0dB/1.5〜11.5Vと、広範囲
に直線性良好で、低挿入損の特性が得られている。又、
上記範囲内での入出力リターンロスも7dB以上が得られ
ている。
器の特性を示す。定数としては、L1，L2は直径1.0mm,長
さ約30mmの金属棒、C3，C4は22PF、D1，D2，D3はMA33
4、などを使用した場合の500MHz帯における位相9,挿入
損10の特性を示す。位相については、約180°/1.5〜11.
5V,挿入損については1.5〜3.0dB/1.5〜11.5Vと、広範囲
に直線性良好で、低挿入損の特性が得られている。又、
上記範囲内での入出力リターンロスも7dB以上が得られ
ている。
第３図で示した本発明による実施例の特性もほぼ同等
のものが得られている。
のものが得られている。
発明の効果 以上の実施例から明らかなように、本発明によると次
のような効果がある。
のような効果がある。
（１） ２つの中間タップ付インダクタンス素子の各各
の一方の端子を接地し、各々の開放端子側に可変容量ダ
イオードのアノード端子を接続し、カソード端子同志
と、接地端子間に可変容量ダイオードによる結合容量を
接続し、カソード端子は電圧制御端子，インダクタンス
素子の中間タップは結合容量を介して入力端子、または
出力端子に接続することにより、簡単な回路構成で、低
損失で直線性良好な位相の広範囲可変が可能な移相器を
実現できる。
の一方の端子を接地し、各々の開放端子側に可変容量ダ
イオードのアノード端子を接続し、カソード端子同志
と、接地端子間に可変容量ダイオードによる結合容量を
接続し、カソード端子は電圧制御端子，インダクタンス
素子の中間タップは結合容量を介して入力端子、または
出力端子に接続することにより、簡単な回路構成で、低
損失で直線性良好な位相の広範囲可変が可能な移相器を
実現できる。
（２） 実施例のごとく中間タップ付インダクタンス素
子として金属棒を用い、基板面にそって配置する実装構
造にすることにより、Ｍ結合が少なく、Ｑが高い移相器
が実現でき、位相バラツキが少なく、低損失のものとな
る。
子として金属棒を用い、基板面にそって配置する実装構
造にすることにより、Ｍ結合が少なく、Ｑが高い移相器
が実現でき、位相バラツキが少なく、低損失のものとな
る。
（３） 実施例のごとく中間タップ付インダクタンス素
子を、基板の裏面がグランドプレーンとした表面上に、
ストリップライン型インダクタンスを用いて構成するこ
とにより、インダクタンスの値のバラツキが少なく、高
周波的に安定な移相器が実現できる。合わせて、小型化
も可能となる。
子を、基板の裏面がグランドプレーンとした表面上に、
ストリップライン型インダクタンスを用いて構成するこ
とにより、インダクタンスの値のバラツキが少なく、高
周波的に安定な移相器が実現できる。合わせて、小型化
も可能となる。
第１図は本発明の一実施例による移相器の基本回路構成
図、第２図ａ〜ｃは片面基板による本発明の移相器の一
実施例を示す裏面図，側面図，表面図、第３図a,bは両
面基板による本発明の移相器の一実施例を示す表面図，
側面図、第４図は本発明による移相器の特性例を示す
図、第５図a,bはともに従来の複同調型移相器の構成を
示す回路図である。 １……入力端子、２……出力端子、３……制御電圧端
子、４……片面基板、６……両面基板、L1，L2……中間
タップ付インダクタンス素子、C1〜C6……容量、R1〜R3
……抵抗、D1，D2，D3……可変容量ダイオード。
図、第２図ａ〜ｃは片面基板による本発明の移相器の一
実施例を示す裏面図，側面図，表面図、第３図a,bは両
面基板による本発明の移相器の一実施例を示す表面図，
側面図、第４図は本発明による移相器の特性例を示す
図、第５図a,bはともに従来の複同調型移相器の構成を
示す回路図である。 １……入力端子、２……出力端子、３……制御電圧端
子、４……片面基板、６……両面基板、L1，L2……中間
タップ付インダクタンス素子、C1〜C6……容量、R1〜R3
……抵抗、D1，D2，D3……可変容量ダイオード。
Claims (3)
- 【請求項１】第１および第２の中間タップ付インダクタ
ンス素子の各々の一方の端子を接地し、各々の他方の端
子に第１および第２の可変容量ダイオードのアノード端
子を接続し、第１および第２の可変容量ダイオードのカ
ソード端子に第３の可変容量ダイオードのカソード端子
を接続し、第３の可変容量ダイオードのアノード端子を
接地し、前記第1,第2,第３の可変容量ダイオードのカソ
ード端子に電圧制御端子を接続し、前記第１および第２
のインダクタンス素子の中間タップには結合容量を介し
て入力端子と出力端子の一方を接続した移相器。 - 【請求項２】中間タップ付インダクタンス素子として金
属棒を用い、回路基板面に配置した特許請求の範囲第１
項記載の移相器。 - 【請求項３】中間タップ付インダクタンス素子は、基板
の裏面がグランドプレーンとした表面上に、ストリップ
ライン型インダクタンスを設けて構成した特許請求の範
囲第１項記載の移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13510187A JP2506770B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13510187A JP2506770B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 移相器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63299510A JPS63299510A (ja) | 1988-12-07 |
| JP2506770B2 true JP2506770B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=15143862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13510187A Expired - Fee Related JP2506770B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2506770B2 (ja) |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP13510187A patent/JP2506770B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63299510A (ja) | 1988-12-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |