JPH07226601A

JPH07226601A - 移相器

Info

Publication number: JPH07226601A
Application number: JP1864594A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Saito; 武志斉藤; Takuya Tsukada; 卓也塚田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1994-02-15
Filing date: 1994-02-15
Publication date: 1995-08-22

Abstract

(57)【要約】【目的】低価格なバラクタダイオードを容量可変素子と
して使用した、簡単な構成で、低価格な移相器を提供す
ること。【構成】基板の上に、四角形状に互いに接続して配置し
た４個の、１／４波長のストリップ線路（線路）と、バ
ラクタダイオードと、バラクタダイオードに電圧を印加
する電源供給回路を備える。そして、４個の線路のうち
の任意の線路を第１の線路とし、該第１の線路の一方の
接続点（第１の接続点）に、信号入力端子を設け、前記
第１の線路の他方の接続点（第２の接続点）に、信号出
力端子を設け、前記第１の接続点に接続された第２の線
路の接続点（第３の接続点）、および、第２の接続点に
接続された第３の線路の接続点（第４の接続点）の各々
と接地点との間に、マイクロストリップ線路を有して構
成される少なくとも１以上のインピーダンス線路と、該
インピーダンス線路と直列に接続したバラクタダイオー
ドとを設け、また、前記電源供給回路は、各バラクタダ
イオードが有するバラクタ端子に、同一のバイアス電圧
を印加する構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、特に周波数の高い高周
波信号の位相量を電気信号で制御する位相器に関する。

【０００２】

【従来の技術】入力された高周波信号の位相量をアナロ
グ電気信号で制御する移相器としては、例えば、「Ａｎ
ａｌｏｇｐｈａｓｅｓｈｉｆｔｅｒｆｏｒ８〜
１８ＧＨｚ」（Ｈｏｐｆｅｒ、Ｓ．著、１９７９年発行
マイクロウェーブ・ジャーナル誌、２２巻、第３号、４
８〜５０ページ）に記載されているように、高いＱ値を
有する（すなわち、内部損失が少ない）高価なバラクタ
ダイオードを多数使用した、複雑な回路構成のものであ
った。

【０００３】したがって、回路規模が大きく、多くの段
数を必要とする高価な移相器であった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術で記載し
たように、従来の高周波信号の移相器は、その構成が複
雑であり、回路全体が大きくなってしまう問題がある。
したがって、例えばフェーズドアレイアンナナ等への応
用は、必ずしも容易ではなかった。

【０００５】また、使用するバラクタダイオードの数が
非常に多く、移相器が高価なものとなっていた。一方、
バラクタダイオードの代わりに、ピンダイオードを使用
したデジタル方式の従来の移相器では、ピンダイオード
が高価なため、一層高価なものとなっていた。また、デ
ジタル方式のため、移相量を連続的に変化する構成を実
現することも困難でもあった。

【０００６】そこで、本発明では、使用するバラクタダ
イオードの数を少なくし、小型の移相器を提供すること
を目的とする。この際、従来使用している高価なバラク
タダーオードに替えて、民生品として大量生産されてい
る、均質なバラクタダイオードを使用し、低価格化を図
ることを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、以下の手段が考えられる。

【０００８】基板と、該基板の上に、四角形状に互いに
接続して配置した４個の、１／４波長のストリップ線路
（線路）と、バラクタダイオードと、バラクタダイオー
ドに電圧を印加するための電源供給回路を備えた構成に
する。

【０００９】そして、前記四角形状に互いに接続された
４個の線路のうちの任意の線路を第１の線路とし、該第
１の線路の一方の接続点（第１の接続点）に、信号入力
端子を設け、前記第１の線路の他方の接続点（第２の接
続点）に、信号出力端子を設け、前記第１の接続点に接
続された第２の線路の接続点（第３の接続点）、およ
び、第２の接続点に接続された第３の線路の接続点（第
４の接続点）の各々と接地点との間に、インピーダンス
素子と該インピーダンス素子に直列に接続したバラクタ
ダイオードとを設け、また、前記電源供給回路は、各バ
ラクタダイオードに、同一のバイアス電圧を印加する構
成とする移相器が考えられる。

【００１０】なお、前記インピーダンス素子は、マイク
ロストリップ線路を有して構成される、少なくとも１個
以上のインピーダンス線路であるのが好ましい。

【００１１】もちろん、かかる移相器を２個以上備え、
ある移相器の信号出力端子と、他の移相器の信号入力端
子とが接続するように従属接続した構成でもよい。

【００１２】この場合、前記電源供給回路を一個とし、
全ての、バラクタダイオードが有すには、前記一個の電
源供給回路から同一の電圧が印加されるように、各バラ
クタダイオードと前記電源供給回路を接続することが好
ましい。

【００１３】

【作用】入力された信号は、第２のストリップ線を伝搬
し、さらに、第２のストリップ線に接続された前記イン
ピーダンス線路を伝搬して、該インピーダンス線路と直
列に接続した１番目のバラクタダイオードで反射され
る。このとき所定量だけ移相変化をうける。移相変化を
うけた信号は、前記バラクタダイオードで反射された
後、再度、前記第２、第１および第３のストリップ線を
伝搬し、第３のストリップ線に接続された、インピーダ
ンス線路を伝搬して、該インピーダンス線路と直列に接
続した２番目のバラクタダイオードで反射される。この
反射の最には、前述のような移相変化をうける。これに
より移相器が構成される。なお、移相変化は、バラクタ
ダイオードに印加する電圧を変化すれば良い。

【００１４】また、樹脂モールド等がされた面実装形の
バラクタダイオードの、不要な、浮遊インダクタンス
分、浮遊静電容量分を、インピーダンス線路が有するイ
ンダクタンス分、キャパシタンス分で、使用周波数帯域
内において、インピーダンス的に相殺する反射型の移相
器を構成するようにする。すなわち、例えば、浮遊イン
ダクタンス分の場合、これに対応するキャパシタンス分
を有するインピーダンス線路を使用し、共振現象を利用
して、浮遊インダクタンス分をキャンセルするように構
成する。これにより、前記浮遊インダクタンス分、浮遊
静電容量分の影響を除去することができる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。

【００１６】図１に、移相器に使用するバラクタダイオ
ードの形状の外観を示す。

【００１７】図１において、１は、樹脂パッケージ、２
ａは、カソード端子、２ｂは、アノード端子である。ま
た、図１（ａ）は、パッケージの平面図、図１（ｂ）
は、側面図である。

【００１８】図１（ａ）に示した、パッケージ形状は、
例えば、１．７（ｍｍ）×０．８（ｍｍ）程度である。
実装の最には、図１（ｂ）に示す、端子２ａ、２ｂを備
える樹脂パッケージ１の、下辺側部分が、基板部分にハ
ンダ付けされる。

【００１９】図２は、図１のバラクタダイオードの樹脂
パッケージ１を除いた、内部構造を示した図である。

【００２０】図２（ａ）は側面図である、図２（ｂ）
は、図２（ａ）の下部から、バラクタダイオード見た平
面図である。図１と同一の構成要素には、同一番号を付
してある。

【００２１】ここで、５は、ダイオードチップ、６は、
ボンディングワイヤである。

【００２２】図３は、図２に示したバラクタダイオード
の等価回路の説明図である。

【００２３】７はダイオード、８は、可変容量、９は、
パッケージ容量、１０は、直列抵抗、１１は、ボンディ
ングワイヤの等価インダクタンス、１２は、前記端子２
ａ、２ｂ等価インダクタンス、１３は、カソード端子、
１４は、アノード端子である。

【００２４】バラクタダイオードは、カソード端子１
３、アノード端子１４間に印加する電圧を変化させるこ
とによって、バラクタダイオードが有する、可変容量８
の容量値を変化させることが可能なダイオードである。

【００２５】次に、図４に、３ｄＢ方向性結合器を使用
して構成した反射型移相器の構成図例を示す。

【００２６】図４において、１４０は、３ｄＢ方向性結
合器、１５、１６は、バラクタダイオード、１７は、バ
イアス供給回路、１８は、高周波信号入力端子、１９
は、高周波信号出力端子、２０は、バイアス供給端子、
２１は、接地である。

【００２７】ここで、マイクロストリップ回路で構成し
た、３ｄＢ方向性結合器１４０の詳細な構成図を図１６
に示す。

【００２８】図１６において、８５、８６は、特性イン
ピーダンスＺ１で、１／４波長の線路、８７、８８は、
特性インピーダンスＺ２で、１／４波長の線路、８９
は、高周波信号信号入力端子、９０は、抵抗終端端子、
９１、９２は、高周波信号信号出力端子である。

【００２９】信号入力端子８９を介して入力された高周
波信号は、信号出力端子９１、９２に等分割されて出力
されるように、線路の特性インピーダンスＺ１、Ｚ２お
よびそれぞれの線路長、終端端子９０に付加する抵抗値
が調整される。

【００３０】このような機能を有する（信号出力端子９
１、９２から同じ大きさのパワーの信号が出力される機
能）３ｄＢ方向性結合器を使用することを考える。

【００３１】図４の高周波信号入力端子１８に、図１６
の高周波信号入力端子８９を対応させ、図４の抵抗終端
端子１９に、図１６の高周波信号出力端子９０を対応さ
せ、図１６の高周波信号出力端子９１、９２に、それぞ
れ図４に示したバラクタダイオード１５、１６のカソー
ドを対応させて、３ｄＢ方向性結合器１４０として使用
する。

【００３２】入力端子１８を介して入力された信号は、
３ｄＢ方向性結合器１４０を介して、バラクタダイオー
ドのカソードの接続点で反射されると、反射信号は信号
出力端子１９に、その大部分が出力される。

【００３３】このとき、バラクタダイオードの容量を変
化させる。二つのバラクタダイオード１５、１６で反射
された信号は、バラクタダイオードの容量値に応じて、
位相が変化し、出力端子から位相が変化し合成された信
号が出力されることになる。

【００３４】この時の位相変化量θは、次のようにして
表すことができる。

【００３５】バラクタダイオード１５、１６は、容量の
みを有し、接地されているとすると、バラクタダイオー
ド１５、１６のカソードから接地方向を見たバラクタダ
イオードのインピーダンスはその容量値をＣとすると
「−ｊ／（ωＣ）」（ｊは、虚数単位、ωは角周波数）
となり、３ｄＢ方向性結合器１４０に接続されたバラク
タダイオードのカソード側からみたインピーダンスをＺ
とし、Ｚで正規化して表すと、反射係数は、式１のよう
になる。

【００３６】

【数１】

【００３７】式１から、位相角は、反射係数Γの複素平
面上での実数分と虚数分の成す角度で表される。

【００３８】すなわち、位相変化量θは、次式２のよう
に表させる。

【００３９】

【数２】

【００４０】位相変化量θは、図５に示した計算結果の
ように、バラクタダイオードの容量値によって、位相量
の変化の仕方が異なる。図に示すように、３（ｐＦ）以
下の範囲内で、容量値を変化させることができれば、比
較的大きな位相量の変化が得られる。例えば、２．３〜
２．６ＧＨｚ程度の狭い帯域では、同一の容量値に対し
て、周波数による位相変化（位相変化のバラツキ）は比
較的少ないが、２〜３ＧＨｚの広帯域の移相器を実現す
ることを考慮したとき、同一の容量値に対しても、周波
数による位相変化（位相変化のバラツキ）は比較的大き
なため、広範囲の周波数に対する移相器には適さないこ
とが分かる。

【００４１】なお、２つのバラクタダイオード１５、１
６には、同一極（アノード極、あるいは、カソード極）
に、同一の直流バイアス電圧が印加されるように構成さ
れ、容量素子として動作するように、いわゆる逆バイア
スした構成とする。

【００４２】また、図３に示した直列抵抗１０の値が、
電圧とともに変化し、電圧の低い領域で、その値が大き
くなることにより、直列抵抗１０による損失が大きくな
る。

【００４３】これは、次に説明する、図６、図７に示し
た、バラクタダイオードの特性例からも明らかである。

【００４４】図６に、バラクタダイオードへの印加電圧
と、直列抵抗の値との関係を示す特性例を示す。また、
図７に、バラクタダイオードの印加電圧と、アノードお
よびカソードの端子間容量Ｃの関係を示す特性例を示
す。

【００４５】さて、内部損失を少なくするには、図６を
参照して分かるように、直列抵抗の値の小さな領域、つ
まり、印加電圧の大きな領域で使用すれば良いことが判
る。

【００４６】図５に示された位相変化量と併せて考える
と、バラクタダイオードの容量を２ｐＦ程度以下の領域
で使用し、必要な移相量に応じて、図４に示した位相器
の接続段数を増減して、所望の位相変化を得られるよう
な移相器を構成すればよい。

【００４７】図１から図３に示したバラクタダイオード
の場合、図３の等価回路に示したように、取付リード線
のインダクタンス分を含んでおり、バラクタダイオード
の有する容量とで、いわゆる自己共振現象を起こし、バ
ラクタダイオードの有する容量値が、所望の位相変化を
得るのに十分な容量値、あるいは、容量変化分でなくな
ってしまう。

【００４８】そこで、図８に示すように、バラクタダイ
オードと３ｄＢ方向性結合器を、複数のインピーダンス
素子を介して接続する構成とした。これにより、バラク
タダイオード自身の自己共振によって、所望の容量値を
得られなくなる現象の発生を防止することが可能とな
る。

【００４９】図８において、２６は、３ｄＢ方向性結合
器との接続点、２３は、第１のインピーダンス素子、２
２は、バラクタダイオード、２４は、第２のインピーダ
ンス素子、２５は、接地点である。この実施例では、第
１および第２のインピーダンス素子の、２つのインピー
ダンス素子を設けた構成にしたが、１個以上のインピー
ダンス素子を設けた構成であれば良く、特に、２個に限
定されない。

【００５０】なお、第１、第２のインピーダンス素子と
しては、インピーダンスの機能を有するデバイスであれ
ばいかなるものでも良い。例えば、抵抗、コイル、コン
デンサ、ストリップ線路等、各種の素子が考えられる。

【００５１】次に、図９に、図８のインピーダンス素子
として、マイクロストリップ線路を使用した実施例を示
す。図８と同一の構成要素には、同一の番号を付してい
る。

【００５２】２７、２８、２９、３０は、マイクロスト
リップ線路である。なお、マイクロストリップ線路２７
とマイクロストリップ線路２８とは、直接接続されてい
るが、その幅が異なり、異なる特性インピーダンスを有
している。このようにして全体として、ある所望の値を
有するインピーダンス素子を構成すれば良い。このこと
は、２９と３０についても、同様なことが言える。

【００５３】本実施例は、バラクタダイオードの有する
誘導性インピーダンスを、共振現象を利用して相殺する
ために、容量性のマイクロストリップ線路２７を、使用
したものである。なお、マイクロストリップ線路２８お
よび２９の一部は、バラクタダイオード２２を接続する
ための、取付ランドの機能も兼ね備えている。

【００５４】また、マイクロストリップ線路３０は、接
地を兼ねた線路で、スルーホール等により、誘電体基板
を介して、裏面の接地導体と（全体的な構成としては、
例えば、接地導体である金属板の上に、誘電体基板が設
けられ、さらに該誘電体基板の上に、マイクロストリッ
プ線路３０等が配置されている）接続する構成にすれば
良い。

【００５５】図１０は、図４におけるバラクタダイオー
ド１５、１６を、図９の実施例で示した、構成で置き換
えたものであり、図４および図９と同一の構成要素に
は、同一の番号を付している。このような構成により、
例えば、バラクタダイオードが不要なインダクタンス分
を有する場合、これに対応するキャパシタンス分を有す
るインピーダンス線路を使用し、共振現象を利用して、
インダクタンス分をキャンセルする。これにより、不要
なインダクタンス分、容量分の影響を除去することがで
きる。したがって、バラクタ電圧を印加することによ
り、所望の容量を得ることが可能となる。

【００５６】図１１は、図４のバイアス供給回路１７お
よびバイアス供給端子２０を除いた回路部分を、１つの
移相器ブロックとして、このブロックを３段接続して構
成した移相器である。

【００５７】図１１において、３１、３２、３３は、移
相器ブロック、３４は、バイアス供給回路、３７は、バ
イアス供給端子、３５は、信号入力端子、３６は、信号
出力端子である。バイアス供給回路は、電圧を出力する
手段であり、例えば、トランジスタ、抵抗等の電子デバ
イスにて実現される。また、基板上にＩＣ化して構成す
るのが好ましい。

【００５８】各移相器ブロック３１、３２、３３のバラ
クタダイオード（図示せず）の同一極には、バイアス供
給回路３４を介して、バイアス供給端子３７から同一単
種類の電圧が供給され、それぞれのバラクタダイオード
は、容量素子として動作するように逆バイアスされる。
このように移相器を複数個接続しても、１つのバイアス
供給回路３４で、必要なバラクタ電圧を得ることが可能
になる。

【００５９】可変位相器ブロックを、３段接続した構成
にすることで、０〜３６０度の位相量の変化が得られる
様にしたものである。また、バラクタダイオードの最大
容量値を少なくすることで、一段当たりの挿入損失を少
なくすることができるので、３段接続した構成でも、挿
入損失は少なく抑えることが可能である。

【００６０】図１２は、２段の移相器ブロックで構成し
た、２．３〜２．６ＧＨｚ帯移相器の実施例である。

【００６１】導電性の金属板の上に、例えば、１．６
（ｍｍ）の厚さのガラス布補強テフロン基板を配置し、
さらに、該基板の上に、マイクロストリップ線路を配置
して構成したものである。

【００６２】図において、３８は、テフロン基板、３
９、４０は、３ｄＢ方向性結合器、４１、４２、４３、
４４は、バラクタダイオード、４５は、バイアス供給回
路、４６、４７、４８は、直流阻止コンデンサ、４９
は、抵抗、５０、５１、５２、５３、５４は、スルーホ
ール、５５は、信号入力端子、５６は、信号出力端子、
５７は、バイアス供給端子、５８、５９、６０、６１
は、テーパ型線路（インピーダンス整合のためテーパ型
の形状を有する線路である）、６２、６３、６４、６５
は、インピーダンス線路である。

【００６３】５５から入力された高周波信号は、テーパ
型線路５８でインピーダンス整合を取りつつ、３ｄＢ方
向性結合器３９を有して構成される、第１段目の移相器
に入力される。さらに、高周波信号は、第１段目の移相
器を介して、２段目の移相器を構成する３ｄＢ方向性結
合器４０へと、テーパ型線路５９、６０でインピーダン
ス整合を取りながら伝送し、さらに、テーパ型線路６１
を介して、インピーダンス整合を取りつつ、出力端子５
６から出力される。

【００６４】各移相器において、各バラクタダイオード
のカソード端子は、インピーダンス線路６２、６３、６
４、６５に接続され、各バラクタダイオードのアノード
端子は、スルーホール５０、５１、５２、５３を介し
て、接地用の金属板に接続される。

【００６５】また、バイアス供給端子５７から出力され
る、正極の制御電圧が、抵抗４９および１／４波長線路
で構成される、バイアス供給回路４５、さらに、１／４
波長線路１００、５８、５９、６２、６３、６０、６
１、６４、６５等（これらは、全て導電性を有する）を
介して、各バラクタダイオードのカソード端子に供給さ
れることにより、各バラクタダイオード容量を変化させ
る。

【００６６】バラクタダイオードの極性を、予め揃えて
配置しておけば、移相器の構成段数が増えても、バラク
タに印可する電圧としては、単一極の電圧を一種類だけ
用意しておけば良いので、バイアス供給回路の構成が簡
単になり、回路の小型化が図れる。

【００６７】前述のように、インピーダンス線路６２、
６３、６４、６５により、バラクタダイオードの取付端
子等による浮遊インダクタンス分（図３、１２等）を、
共振現象を利用して相殺し、所望周波数帯域内での、挿
入損失や位相変化分の周波数による偏差を少なくしてい
る。

【００６８】この２段構成の移相器の特性の一例を、図
１３に示す。

【００６９】図１３（ａ）は、挿入損失の実測値で、バ
ラクタ印加電圧が１０Ｖ付近から損失が増えていること
が分かる。図１３（ｂ）は、位相の変化を示した図で、
０〜３６０度の位相変化を得るには、バラクタ印加電圧
を、２５（Ｖ）から、０（Ｖ）まで変化させなければな
らないことが分かる。

【００７０】したがって、挿入損失および位相変化の両
方の特性を確保するには、さらに段数を増やした構成に
する必要がある。なお、スルーホールは、当該スルーホ
ールを介して、バラクタダイオードの端子を接地点に接
続するものであるが、バラクタダイオードの端子を直接
接地点に接続する構成にしても良い。

【００７１】図１４は、３段構成の移相器の構成例であ
る。

【００７２】図１４において、６６は、アルミナセラミ
ック基板、６７、６８、６９は、３ｄＢ方向性結合器、
７０、７１、７２、７３、７４、７５は、バラクタダイ
オード、７６、７７、７８、７９、８０、８１は、接地
のためのスルーホール、８２は、（高周波）信号の入力
端子、８３は、（高周波）信号の出力端子である。

【００７３】移相器の接続段数が増えてくると、実装面
積が増加してくるため、図１４に示した実施例のよう
に、高誘電率基板（例えば、アルミナセラミック基板）
を使用して、回路の小型化を図ってもよい。

【００７４】図１４において、アルミナセラミック基板
６６を、等価な誘電率を有する銅張り樹脂基板で置き換
えて構成した、３段構成の移相器の実装特性を、図１５
に示す。図１５において、（ａ）は、（高周波信号）の
入力端子８２における、ＶＳＷＲ（定在波比）の周波数
特性、（ｂ）は、挿入損失の周波数特性、（ｃ）は、位
相の周波数特性を、それぞれバラクタダイオードの印可
電圧をパラメータにして、測定した結果を示したもので
ある。

【００７５】挿入損失が、バラクタダイオードの印可電
圧の低い領域で、３ｄＢ程度と若干悪い値を示している
が、バラクタダイオードの印可電圧を、３〜２５Ｖとす
ると、位相を０〜３６０度まで変化させることができ、
例えば、周波数２．２〜２．５ＧＨｚの周波数帯域で、
良好な移相器の特性が得られている。

【００７６】なお、挿入損失は、バラクタダイオードの
直列抵抗分と高誘電率基板の誘電損失およびｔａｎδに
よるところが大きく（樹脂基板で、０．００５、アルミ
ナセラミック基板で０．０００５程度である）、ｔａｎ
δの良好な、アルミナセラミック基板を導入することで
挿入損失の改善は可能である。

【００７７】

【発明の効果】本発明によれば、安価な多量生産可能な
バラクタダイオードを使用して、小型かつ安価な移相器
を実現できる。特に、アンテナ素子数を多く必要とする
位相合成アンテナ等への応用の場合に、好適な移相器を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】パッケージ封入型バラクタダイオードの外観図
である。

【図２】パッケージ封入型バラクタダイオードの内部配
線状態を示す説明図である。

【図３】バラクタダイオードの等価回路の説明図であ
る。

【図４】移相器の構成図である。

【図５】バラクタダイオードの容量と位相の関係の一例
の説明図である。

【図６】バラクタダイオードの印可電圧と、直列抵抗の
関係の一例の説明図である。

【図７】バラクタダイオードの印可電圧と端子間容量の
関係の一例の説明図である。

【図８】本発明にかかる構成例の説明図である。

【図９】本発明にかかる構成例の説明図である。

【図１０】本発明にかかる構成例の説明図である。

【図１１】移相器を３段構成にした構成例を示すブロッ
ク図である。

【図１２】マイクロストリップ線路を使用した、２段構
成の移相器の一例の構成図である。

【図１３】本発明にかかる移相器の特性の一例の説明図
である。

【図１４】高誘電率基版上に、マイクロストリップ線路
を配置した、３段構成の移相器の一例の構成図である。

【図１５】高誘電率樹脂基板上に、マイクロストリップ
線路を配置した、３段構成の移相器の特性例の説明図で
ある。

【図１６】３ｄＢ方向性結合器の構成図である。

【符号の説明】１…樹脂パッケージ、２ａ…端子、２ｂ…端子、５…ダ
イオードチップ、６…ボンディングワイヤ、８…可変容
量、９…パッケージ容量、１１…ボンディングワイヤイ
ンダクタンス、１２…端子インダクタンス、１４…３ｄ
Ｂ方向性結合器、１５…バラクタダイオード、１６…バ
ラクタダイオード、１７…バイアス供給回路、２２…バ
ラクタダイオード、２３…インピーダンス素子、２４…
インピーダンス素子、２７…マイクロストリップ線路、
２８…マイクロストリップ線路、２９…マイクロストリ
ップ線路、３０…マイクロストリップ線路、３１…移相
器ブロック、３２…移相器ブロック、３３…移相器ブロ
ック、３４…バイアス供給回路、３８…基板、３９…３
ｄＢ方向性結合器、４０…３ｄＢ方向性結合器、４６…
直流阻止コンデンサ、４７…直流阻止コンデンサ、４８
…直流阻止コンデンサ、４９…抵抗、４１…バラクタダ
イオード、４２…バラクタダイオード、４３…バラクタ
ダイオード、４４…バラクタダイオード、６２…インピ
ーダンス線路、６３…インピーダンス線路、６４…イン
ピーダンス線路、６５…インピーダンス線路、５０…ス
ルーホール、５１…スルーホール、５２…スルーホー
ル、５３…スルーホール、６６…高誘電率基板、６７…
３ｄＢ方向性結合器、６８…３ｄＢ方向性結合器、６９
…３ｄＢ方向性結合器、７０…バラクタダイオード、７
１…バラクタダイオード、７２…バラクタダイオード、
７３…バラクタダイオード、７４…バラクタダイオー
ド、７５…バラクタダイオード

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】入力された信号に移相変化を与え、移相変
化を受けた信号を出力する移相器において、基板と、該基板の上に、四角形状に互いに接続して配置
した４個の、１／４波長のストリップ線路（線路）と、
バラクタダイオードと、バラクタダイオードに電圧を印
加するための電源供給回路を備え、前記四角形状に互いに接続された４個の線路のうちの任
意の線路を第１の線路とし、該第１の線路の一方の接続
点（第１の接続点）に、信号入力端子を設け、前記第１
の線路の他方の接続点（第２の接続点）に、信号出力端
子を設け、前記第１の接続点に接続された第２の線路の接続点（第
３の接続点）、および、第２の接続点に接続された第３
の線路の接続点（第４の接続点）の各々と接地点との間
に、インピーダンス素子と該インピーダンス素子に直列
に接続したバラクタダイオードとを設け、また、前記電
源供給回路は、各バラクタダイオードに、同一のバイア
ス電圧を印加することを特徴とする移相器。
【請求項２】請求項１において、前記インピーダンス素
子は、マイクロストリップ線路を有して構成される少な
くとも１以上のインピーダンス線路であることを特徴と
する移相器。
【請求項３】請求項１および請求項２いずれか記載の移
相器を２個以上備え、ある移相器の信号出力端子と、他
の移相器の信号入力端子とが接続するように従属接続し
て構成した移相器。
【請求項４】請求項３において、前記電源供給回路を一
個とし、全ての、バラクタダイオードには、前記一個の
電源供給回路から同一の電圧が印加されるように、各バ
ラクタダイオードと前記電源供給回路を接続したことを
特徴とする移相器。