KR102459725B1 - 위상천이기 - Google Patents

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KR102459725B1
KR102459725B1 KR1020170172942A KR20170172942A KR102459725B1 KR 102459725 B1 KR102459725 B1 KR 102459725B1 KR 1020170172942 A KR1020170172942 A KR 1020170172942A KR 20170172942 A KR20170172942 A KR 20170172942A KR 102459725 B1 KR102459725 B1 KR 102459725B1
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정승호
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엘지디스플레이 주식회사
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/18—Phase-shifters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/12—Coupling devices having more than two ports

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  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)

Abstract

본 발명은, 제1 내지 제4포트를 갖는 90도 커플러와, 상기 제3포트에 연결되고, 제1 내지 제3버렉터다이오드와 제1부하전송선로를 포함하는 제1부하와, 상기 제4포트에 연결되고, 제4 내지 제6버렉터다이오드와 제2부하전송선로를 포함하는 제2부하를 포함하고, 상기 제2포트는 개방되는 위상천이기를 제공한다.

Description

위상천이기 {Phase Shifter}
본 발명은 위상천이기에 관한 것으로, 특히 하나의 포트를 개방하고 다수의 버렉터다이오드와 다수의 전송선로로 부하를 구성함으로써, 삽입손실이 개선되는 위상천이기에 관한 것이다.
정보통신 신호처리 분야에서 신호의 송수신단에서 동작하는 회로 내에서 원하는 주파수 대역에서의 통과 위상을 전기적 또는 기계적으로 변화시키는 위상천이기는, 위상 어레이 안테나의 빔 제어와 위상변조, RF 아날로그 신호처리단과 같은 이동통신 신호처리 분야에 많이 이용된다.
특히, 이러한 위상천이기에 대해서는 360도 이상의 위상천이량, 소형의 크기, 저삽입손실의 특성이 요구된다.
도 1은 종래의 위상천이기를 도시한 도면이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 종래의 위상천이기(10)는, 90도 커플러(coupler)(20)와, 90도 커플러(20)에 연결되는 제1 및 제2부하(30, 32)를 포함한다.
90도 커플러(20)는 제1 내지 제4포트(P1 내지 P4)를 갖고, 제1 및 제2부하(30, 32)는 각각 제3 및 제4포트(P3, P4)에 연결된다.
여기서, 제1 내지 제4포트(P1 내지 P4)에서는 입력전압에 대한 출력전압의 비인 제1 내지 제4반사계수(Γ1 내지 Γ4)가 정의되는데, 위상천이기(10)의 위상천이량 특성은 제1 및 제2부하(30, 32)에 대한 제3 및 제4반사계수(Γ3, Γ4)에 의하여 결정된다.
제3 및 제4반사계수(Γ3, Γ4)는 전압에 따른 제1 및 제2부하(30, 32)의 리액턴스(reactance)의 변화량에 의존하는데, 360도 이상의 위상천이량을 얻기 위해서는 제1 및 제2부하(30, 32)가 반사계수가 360도 가변 가능한 구조를 가져야 한다.
이러한 제1 및 제2부하(30, 32)의 구조를 도면을 참조하여 설명한다.
도 2a 내지 도 2c는 각각 종래의 제1 내지 제3예의 위상천이기의 제1 및 제2부하를 도시한 도면으로, 도 1을 함께 참조하여 설명한다.
도 2a에 도시한 바와 같이, 종래의 제1예의 위상천이기(10)에서, 제1부하(30)는 제1 및 제2저항(R1, R2), 제1인덕터(L1) 및 제1커패시터(C1)를 포함하고, 제2부하(32)는 제3 및 제4저항(R3, R4), 제2인덕터(L2) 및 제2커패시터(C2)를 포함한다.
제1인덕터(L1), 제2저항(R2) 및 제1커패시터(C1)는 서로 직렬로 연결되고, 제1저항(R1)과 제1인덕터(L1), 제2저항(R2) 및 제1커패시터(C1)는 90도 커플러(20)의 제1전송선로(TL1)의 일단과 접지단 사이에 병렬로 연결된다.
제2인덕터(L1), 제4저항(R4) 및 제2커패시터(C2)는 서로 직렬로 연결되고, 제3저항(R3)과 제2인덕터(L2), 제4저항(R4) 및 제2커패시터(C2)는 90도 커플러(20)의 제1전송선로(TL1)의 타단과 접지단 사이에 병렬로 연결된다.
도 2b에 도시한 바와 같이, 종래의 제2예의 위상천이기(10)에서, 제1부하(30)는 제1버렉터다이오드(varactor diode)(VD1) 및 제2전송선로(TL2)를 포함하고, 제2부하(32)는 제2버렉터다이오드(VD2) 및 제3전송선로(TL3)를 포함한다.
제1버렉터다이오드(VD1) 및 제2전송선로(TL2)는 90도 커플러(20)의 제1전송선로(TL1)의 일단과 접지단 사이에 직렬로 연결된다.
제2버렉터다이오드(VD2) 및 제3전송선로(TL3)는 90도 커플러(20)의 제1전송선로(TL1)의 타단과 접지단 사이에 직렬로 연결된다.
도 2c에 도시한 바와 같이, 종래의 제3예의 위상천이기(10)에서, 제1부하(30)는 제1 및 제2저항(R1, R2), 제1 및 제2인덕터(L1, L2), 제1 및 제2버렉터다이오드(VD1, VD2) 및 제2전송선로(TL2)를 포함하고, 제2부하(32)는 제3 및 제4저항(R3, R4), 제3 및 제4인덕터(L3, L4), 제3 및 제4버렉터다이오드(VD3, VD4) 및 제3전송선로(TL3)를 포함한다.
제1인덕터(L1) 및 제1버렉터다이오드(VD1)는 서로 직렬로 연결되고, 제1저항(R1)과 제1인덕터(L1) 및 제1버렉터다이오드(VD1)는 90도 커플러(20)의 제1전송선로(TL1)의 일단과 제2전송선로(TL2)의 일단 사이에 병렬로 연결된다.
제2인덕터(L2) 및 제2버렉터다이오드(VD2)는 서로 직렬로 연결되고, 제2저항(R2)과 제2인덕터(L2) 및 제2버렉터다이오드(VD2)는 제2전송선로(TL2)의 타단과 접지단 사이에 병렬로 연결된다.
제3인덕터(L3) 및 제3버렉터다이오드(VD3)는 서로 직렬로 연결되고, 제3저항(R3)과 제3인덕터(L3) 및 제3버렉터다이오드(VD3)는 90도 커플러(20)의 제1전송선로(TL1)의 타단과 제3전송선로(TL3)의 일단 사이에 병렬로 연결된다.
제4인덕터(L4) 및 제4버렉터다이오드(VD4)는 서로 직렬로 연결되고, 제4저항(R4)과 제4인덕터(L4) 및 제4버렉터다이오드(VD4)는 제3전송선로(TL3)의 타단과 접지단 사이에 병렬로 연결된다.
이러한 종래의 위상천이기(10)의 특성을 표를 참조하여 설명한다.
표 1은 종래의 제1 내지 제3예의 위상천이기의 특성을 나타낸 표로서, 도 1과 도 2a 내지 도 2c를 함께 참조하여 설명한다.
[표 1]
Figure 112017125113308-pat00001
표 1에 나타낸 바와 같이, 종래의 제1예의 위상천이기(10)는 약 10GHz의 중심주파수(f0), 약 350도의 위상천이량, 약 -4.8±0.5dB의 삽입손실(insertion loss) 및 미세한 크기를 갖고, 종래의 제2예의 위상천이기(10)는 약 10GHz의 중심주파수(f0), 약 380도의 위상천이량, 약 -4.5±0.7dB의 삽입손실 및 약 25*25mm2의 크기를 갖고, 종래의 제3예의 위상천이기(10)는 약 2.0GHz의 중심주파수(f0), 약 404도의 위상천이량, 약 -4.4±0.2dB의 삽입손실 및 약 28*59mm2의 크기를 갖는다.
이와 같이, 종래의 제1 내지 제3예의 위상천이기(10)는, 다양한 구조의 제1 및 제2부하(30, 32)를 이용하여 360도 이상의 위상천이량을 갖는다.
그러나, 종래의 제1 내지 제3예의 위상천이기(10)에서는, 360도 이상의 위상천이량을 얻기 위하여 전송선로의 임피던스(impedance)를 변화시키기 때문에, 삽입손실이 증가하고 손실된 전력을 보상하지 못하게 되는 문제가 있다.
본 발명은, 이러한 문제점을 해결하기 위하여 제시된 것으로, 90도 커플러의 하나의 포트를 개방하고 다수의 버렉터다이오드와 다수의 전송선로로 부하를 구성함으로써, 삽입손실이 개선되어 손실된 전력이 보상되는 위상천이기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은, 제1 내지 제4포트를 갖는 90도 커플러와, 상기 제3포트에 연결되고, 제1 내지 제3버렉터다이오드와 제1부하전송선로를 포함하는 제1부하와, 상기 제4포트에 연결되고, 제4 내지 제6버렉터다이오드와 제2부하전송선로를 포함하는 제2부하를 포함하고, 상기 제2포트는 개방되는 위상천이기를 제공한다.
그리고, 상기 제1버렉터다이오드는 상기 제3포트와 접지단 사이에 연결되고, 상기 제1부하전송선로의 일단은 상기 제3포트에 연결되고, 상기 제2 및 제3버렉터다이오드는 상기 제1부하전송선로의 타단과 접지단 사이에 병렬로 연결되고, 상기 제4버렉터다이오드는 상기 제4포트와 접지단 사이에 연결되고, 상기 제2부하전송선로의 일단은 상기 제4포트에 연결되고, 상기 제5 및 제6버렉터다이오드는 상기 제2부하전송선로의 타단과 접지단 사이에 병렬로 연결될 수 있다.
또한, 상기 제1 내지 제6버렉터다이오드는, 각각 등가적으로 직렬로 연결되는 다이오드저항, 다이오드인덕터 및 다이오드커패시터로 이루어질 수 있다.
그리고, 상기 제3 및 제4포트에서의 제3 및 제4반사계수(Γ3, Γ4)는 아래의 수식1에 의하여 산출될 수 있다.
Figure 112017125113308-pat00002
----- (수식1)
(Z0는 상기 90도 커플러의 제2커플러전송선로의 커플러 특성임피던스, Zt는 상기 제1 및 제2부하전송선로 각각의 부하 특성임피던스, Rd는 상기 다이오드저항의 레지스턴스, Ld는 상기 다이오드인덕터의 인덕턴스이고, Cd는 상기 다이오드커패시터의 커패시턴스)
또한, 상기 위상천이기의 입력 S-파라미터([S]in)는 아래의 수식2에 의하여 산출될 수 있다.
Figure 112017125113308-pat00003
----- (수식2)
(Γ3은 상기 제3반사계수, Γ4는 상기 제4반사계수)
그리고, 상기 제1포트에 연결되는 써큘레이터의 출력 S-파라미터([S]out)는 아래의 수식3에 의하여 산출될 수 있다.
Figure 112017125113308-pat00004
----- (수식3)
([S]in은 상기 입력 S-파라미터)
또한, 상기 90도 커플러는, 서로 마주보는 제1 및 제2커플러전송선로와, 서로 마주보며 상기 제1 및 제2커플러전송선로에 교차로 연결되는 제3 및 제4커플러전송선로를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 제1커플러전송선로는 상기 제1 및 제2포트 사이에 연결되고, 상기 제2커플러전송선로는 상기 제3 및 제4포트 사이에 연결되고, 상기 제3커플러전송선로는 상기 제1 및 제3포트 사이에 연결되고, 상기 제4커플러전송선로는 상기 제2 및 제4포트 사이에 연결될 수 있다.
또한, 상기 위상천이기는 2.14GHz의 중심 주파수, 360도의 위상천이량, -2.27±0.19의 삽입손실 및 29*37mm2의 크기를 가질 수 있다.
본 발명은, 90도 커플러의 하나의 포트를 개방하고 다수의 버렉터다이오드와 다수의 전송선로로 부하를 구성함으로써, 삽입손실이 개선되어 손실된 전력이 보상되는 효과를 갖는다.
도 1은 종래의 위상천이기를 도시한 도면.
도 2a 내지 도 2c는 각각 종래의 제1 내지 제3예의 위상천이기의 제1 및 제2부하를 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 위상천이기를 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 위상천이기의 임피던스 차트를 도시한 도면.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 위상천이기를 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 위상천이기를 도시한 도면이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 위상천이기(110)는, 90도 커플러(coupler)(120)와, 90도 커플러(120)에 연결되는 제1 및 제2부하(130, 132)를 포함한다.
90도 커플러(120)는, 제1 내지 제4포트(P1 내지 P4)를 갖고, 제1 및 제2부하(30, 32)는 각각 제3 및 제4포트(P3, P4)에 연결되는데, 제2포트(P2)는 개방(open)된다.
구체적으로, 90도 커플러(120)는, 서로 마주보는 제1 및 제2커플러전송선로(TLC1, TLC2)와, 서로 마주보며 제1 및 제2커플러전송선로(TLC1, TLC2)에 교차로 연결되는 제3 및 제4커플러전송선로(TLC3, TLC4)를 포함한다.
제1커플러전송선로(TLC1)는 제1 및 제2포트(P1, P2) 사이에 연결되고, 제2커플러전송선로(TLC2)는 제3 및 제4포트(P3, P4) 사이에 연결되고, 제3커플러전송선로(TLC3)는 제1 및 제3포트(P1, P3) 사이에 연결되고, 제4커플러전송선로(TLC4)는 제2 및 제4포트(P2, P4) 사이에 연결된다.
여기서, 개방된 제2포트(P2)를 제외한 제1, 제3 및 제4포트(P1, P3, P4)에서는 입력전압에 대한 출력전압의 비인 제1, 제3 및 제4반사계수(Γ1, Γ3, Γ4)가 정의되는데, 위상천이기(110)의 위상천이량 특성은 제1 및 제2부하(130, 132)에 대한 제3 및 제4반사계수(Γ3, Γ4)에 의하여 결정되고, 제3 및 제4반사계수(Γ3, Γ4)는 전압에 따른 제1 및 제2부하(130, 132)의 리액턴스(reactance)의 변화량에 의존할 수 있다.
제1부하(130)는 제1 내지 제3버렉터다이오드(varactor diode)(VD1 내지 VD3) 및 제1부하전송선로(TLL1)를 포함하고, 제2부하(132)는 제4 내지 제6버렉터다이오드(VD4 내지 VD6) 및 제2부하전송선로(TLL2)를 포함한다.
제1버렉터다이오드(VD1)는 90도 커플러(110)의 제2커플러전송선로(TLC2)의 일단과 접지단 사이에 연결되고, 제1부하전송선로(TLL1)의 일단은 90도 커플러(120)의 제2커플러전송선로(TLC2)의 일단에 연결되고, 제2 및 제3버렉터다이오드(VD2, VD3)는 제1부하전송선로(TLL1)의 타단과 접지단 사이에 병렬로 연결된다.
제4버렉터다이오드(VD4)는 90도 커플러(110)의 제2커플러전송선로(TLC2)의 타단과 접지단 사이에 연결되고, 제2부하전송선로(TLL2)의 일단은 90도 커플러(120)의 제2커플러전송선로(TLC2)의 타단에 연결되고, 제5 및 제6버렉터다이오드(VD5, VD6)는 제2부하전송선로(TLL2)의 타단과 접지단 사이에 병렬로 연결된다.
예를 들어, 90도 커플러(110)의 제2커플러전송선로(TLC2)는 커플러 특성임피던스(Z0)와 중심주파수(f0)의 λ/4의 전기적 길이를 갖고, 제1 및 제2부하전송선로(TLL1, TLL2)는 각각 부하 특성임피던스(Zt)와 중심주파수(f0)의 λ/4의 전기적 길이를 가질 수 있다.
그리고, 제1 내지 제6버렉터다이오드(VD1 내지 VD6)는 각각 등가적으로 직렬로 연결되는 다이오드저항(Rd), 다이오드인덕터(Ld) 및 다이오드커패시터(Cd)로 이루어질 수 있는데, 다이오드커패시터(Cd)는 가변 커패시터일 수 있다.
여기서, 전압으로 제1 내지 제6버렉터다이오드(VD1 내지 VD6)의 다이오드커패시터(Cd)를 가변하여 제1 내지 제6버렉터다이오드(VD1 내지 VD6)의 특성을 변화시킬 수 있으며, 그 결과 위상천이기(110)의 위상특성을 변화시킬 수 있다.
그리고, 제1 및 제2부하전송선로(TLL1, TLL2)를 이용하여 각 위상천이량이 일정한 삽입손실을 갖도록 할 수 있다.
이러한 위상천이기(110)에서는, 90도 커플러(120)의 제3 및 제4포트(P3, P4)에서의 제3 및 제4반사계수(Γ3, Γ4)는 아래의 수식1과 같이 산출할 수 있다.
Figure 112017125113308-pat00005
----- (수식1)
여기서, Z0는 제2커플러전송선로(TLC2)의 커플러 특성임피던스, Zt는 제1 및 제2부하전송선로(TLL1, TLL2) 각각의 부하 특성임피던스이고, Rd는 제1 내지 제6버렉터다이오드(VD1 내지 VD6)의 다이오드저항의 레지스턴스이고, Ld는 제1 내지 제6버렉터다이오드(VD1 내지 VD6)의 다이오드인덕터의 인덕턴스이고, Cd는 제1 내지 제6버렉터다이오드(VD1 내지 VD6)의 다이오드커패시터의 커패시턴스이다.
그리고, 90도 커플러(120)의 제2포트(P2)가 개방(open)되므로, 위상천이기(110)의 입력 S-파라미터([S]in)는 포트감소법(port reduction method)을 이용하여 아래의 수식2와 같이 산출할 수 있다.
Figure 112017125113308-pat00006
----- (수식2)
수식2에 따르면, 위상천이기(110)의 입력 S-파라미터([S]in)는 제3 및 제4포트(P3, P4)에서의 제3 및 제4반사계수(Γ3, Γ4)에 의하여 결정되므로, 제3 및 제4포트(P3, P4)에 연결되는 제3 및 제4부하(130, 132)가 각각 180도 위상천이량을 갖고 상대적으로 낮은 삽입손실을 가질 경우, 위상천이기(110)가 360도의 위상천이량과 상대적으로 낮은 삽입손실을 가질 수 있다.
한편, 위상천이기(110)의 제1포트(P1)에 써큘레이터(circulator)(140)를 연결할 경우, 위상천이기(110)로부터 써큘레이터(140)를 통하여 전력이 전달되는데, 써큘레이터(140)의 출력 S-파라미터([S]out)는 아래의 수식3과 같이 산출할 수 있다.
Figure 112017125113308-pat00007
----- (수식3)
수식3으로부터 위상천이기(110)를 1단자 소자로 사용할 수 있음을 알 수 있다.
이러한 위상천이기(110)의 특성을 도면을 참조하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 위상천이기의 임피던스 차트를 도시한 도면으로, 도 3을 함께 참조하여 설명한다.
도 4에 도시한 바와 같이, 시뮬레이션 결과 및 실측 결과에 의하면 위상천이기(110)는 360도 위상천이량을 갖는다.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 위상천이기(110)의 특성을 표를 참조하여 설명한다.
표 2는 본 발명의 실시예에 따른 위상천이기의 특성을 나타낸 표로서, 도 3 및 도 4를 함께 참조하여 설명한다.
[표 2]
Figure 112017125113308-pat00008
표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 위상천이기(110)는 약 2.14GHz의 중심주파수(f0), 약 360도의 위상천이량, 약 -2.27±0.19dB의 삽입손실(insertion loss) 및 약 29*37mm2의 크기를 갖는다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 위상천이기(110)는, 제2포트(P2)를 개방하고, 제1 내지 제6버렉터다이오드(VD1 내지 VD6)와 제1 및 제2부하전송선로(TLL1, TLL2)를 포함하는 제1 및 제2부하(130, 132)를 이용하여 360도의 위상천이량을 가질 뿐만 아니라, 종래의 위상천이기(10)에 비하여 상대적으로 낮은 삽입손실을 가지며 손실된 전력을 보상할 수 있다.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 위상천이기(110)는, 모든 주파수에 적용 가능하며, 특히 RF/Microwave의 아날로그 신호 처리, ET. EER 등의 RF 전력증폭기의 아날로그 신호 처리에 사용 될 수 있다.
예를 들어, 안테나의 빔 포밍 방향 변경 시 급전되는 신호 위상을 변경할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
110: 위상천이기 120: 90도 커플러
130: 제1부하 132: 제2부하
TLC1 내지 TLC4: 제1 내지 제4커플러전송선로
VD1 내지 VD6: 제1 내지 제6버렉터다이오드
TLL1, TLL2: 제1 및 제2부하전송선로
140: 써큘레이터

Claims (10)

  1. 제1 내지 제4포트를 갖는 90도 커플러와;
    상기 제3포트에 연결되고, 제1 내지 제3버렉터다이오드와 제1부하전송선로를 포함하는 제1부하와;
    상기 제4포트에 연결되고, 제4 내지 제6버렉터다이오드와 제2부하전송선로를 포함하는 제2부하
    를 포함하고,
    상기 제2포트는 개방되고,
    상기 위상천이기의 입력 S-파라미터([S]in)는 아래의 수식2에 의하여 산출되는 위상천이기.
    Figure 112022033118936-pat00018
    ----- (수식2)
    (Γ3은 상기 제3포트에서의 제3반사계수, Γ4는 상기 제4포트에서의 제4반사계수)
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1버렉터다이오드는 상기 제3포트와 접지단 사이에 연결되고,
    상기 제1부하전송선로의 일단은 상기 제3포트에 연결되고,
    상기 제2 및 제3버렉터다이오드는 상기 제1부하전송선로의 타단과 접지단 사이에 병렬로 연결되고,
    상기 제4버렉터다이오드는 상기 제4포트와 접지단 사이에 연결되고,
    상기 제2부하전송선로의 일단은 상기 제4포트에 연결되고,
    상기 제5 및 제6버렉터다이오드는 상기 제2부하전송선로의 타단과 접지단 사이에 병렬로 연결되는 위상천이기.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제6버렉터다이오드는, 각각 등가적으로 직렬로 연결되는 다이오드저항, 다이오드인덕터 및 다이오드커패시터로 이루어지는 위상천이기.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제3 및 제4반사계수(Γ3, Γ4)는 아래의 수식1에 의하여 산출되는 위상천이기.
    Figure 112022033118936-pat00009
    ----- (수식1)
    (Z0는 상기 90도 커플러의 제2커플러전송선로의 커플러 특성임피던스, Zt는 상기 제1 및 제2부하전송선로 각각의 부하 특성임피던스, Rd는 상기 다이오드저항의 레지스턴스, Ld는 상기 다이오드인덕터의 인덕턴스이고, Cd는 상기 다이오드커패시터의 커패시턴스)
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1포트에 연결되는 써큘레이터의 출력 S-파라미터([S]out)는 아래의 수식3에 의하여 산출되는 위상천이기.
    Figure 112022033118936-pat00011
    ----- (수식3)
    ([S]in은 상기 입력 S-파라미터)
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 90도 커플러는,
    서로 마주보는 제1 및 제2커플러전송선로와;
    서로 마주보며 상기 제1 및 제2커플러전송선로에 교차로 연결되는 제3 및 제4커플러전송선로
    를 포함하는 위상천이기.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1커플러전송선로는 상기 제1 및 제2포트 사이에 연결되고, 상기 제2커플러전송선로는 상기 제3 및 제4포트 사이에 연결되고, 상기 제3커플러전송선로는 상기 제1 및 제3포트 사이에 연결되고, 상기 제4커플러전송선로는 상기 제2 및 제4포트 사이에 연결되는 위상천이기.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 위상천이기는 2.14GHz의 중심 주파수, 360도의 위상천이량, -2.27±0.19의 삽입손실 및 29*37mm2의 크기를 갖는 위상천이기.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제3 및 제4부하는 각각 180도의 위상천이량을 갖고,
    상기 제1 및 제2부하전송선로는 각각 중심주파수(f0)의 λ/4의 전기적 길이를 갖는 위상천이기.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101497018B1 (ko) * 2013-09-04 2015-03-02 충남대학교산학협력단 360도 반사형 아날로그 위상 천이기
JP2017005648A (ja) * 2015-06-16 2017-01-05 住友電気工業株式会社 反射型移相器

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