JP2505864B2 - デイスプレ―のクロスト―ク減少方法と装置 - Google Patents
デイスプレ―のクロスト―ク減少方法と装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は薄膜トランジスタ／液晶デイスプレー（Thin
film transistor/Liquid crystal display−TFT/LCD）
の分野、より詳細に言えば、TFT/LCDのクロストークを
除去する方法に関する。
film transistor/Liquid crystal display−TFT/LCD）
の分野、より詳細に言えば、TFT/LCDのクロストークを
除去する方法に関する。
B.従来の技術 薄膜トランジスタ／液晶デイスプレーの技術は、最近
になつて実用化が進んでいるデイスプレー技術である。
この技術の実用化を計る種々な研究が全世界的な規模で
行われている。この装置において、クロストークの問題
は、解決されねばならない問題の上位に属している。こ
れは、或る列に表示されるべき画素の情報が、その列の
他の画素、または隣接する列の他の画素に結合する問題
である。クロストークの結果は、スクリーン上に視覚で
感じるような影響を与える。クロストークの原因は列、
即ちデータ・ラインと、画素を画定する導電体パツドと
の間の寄生容量（位置的な関係で生じる容量）である。
データ・ラインをパツドに接続するトランジスタがオフ
にされても、寄生容量は、データ電圧の一部をパツド、
即ち液晶の画素に発生される。
になつて実用化が進んでいるデイスプレー技術である。
この技術の実用化を計る種々な研究が全世界的な規模で
行われている。この装置において、クロストークの問題
は、解決されねばならない問題の上位に属している。こ
れは、或る列に表示されるべき画素の情報が、その列の
他の画素、または隣接する列の他の画素に結合する問題
である。クロストークの結果は、スクリーン上に視覚で
感じるような影響を与える。クロストークの原因は列、
即ちデータ・ラインと、画素を画定する導電体パツドと
の間の寄生容量（位置的な関係で生じる容量）である。
データ・ラインをパツドに接続するトランジスタがオフ
にされても、寄生容量は、データ電圧の一部をパツド、
即ち液晶の画素に発生される。
直接または間接にクロストークの問題に向けられた多
くの特許があるけれども、それらの大部分は通常のマト
リツクス型の液晶デイスプレーに関連した種々の型のク
ロストークを扱つている。
くの特許があるけれども、それらの大部分は通常のマト
リツクス型の液晶デイスプレーに関連した種々の型のク
ロストークを扱つている。
米国特許第4655550号は強誘電体液晶デイスプレーに
向けられており、個々の画素は、各画素のための列及び
行に１つの電界効果トランジスタを含むアドレス・マト
リツクスを介してアドレスされ、これにより、データが
各画素に書き込まれ、その表示状態を変更し、または維
持する装置が開示されている。この特許において、クロ
ストークは、アクセスされるべき画素だけに電圧を選択
的に印加することによつて減少される。
向けられており、個々の画素は、各画素のための列及び
行に１つの電界効果トランジスタを含むアドレス・マト
リツクスを介してアドレスされ、これにより、データが
各画素に書き込まれ、その表示状態を変更し、または維
持する装置が開示されている。この特許において、クロ
ストークは、アクセスされるべき画素だけに電圧を選択
的に印加することによつて減少される。
米国特許第3995942号はマトリツクス型の液晶デイス
プレー装置を駆動する方法を開示している。液晶セルの
間のクロストークはバイアス電圧パルスを用いることに
よつて少なくされている。
プレー装置を駆動する方法を開示している。液晶セルの
間のクロストークはバイアス電圧パルスを用いることに
よつて少なくされている。
米国特許第3765011号は２個の端子を用いたアドレス
方法を持つ平坦なイメージ・デイスプレーに向けられて
いる。
方法を持つ平坦なイメージ・デイスプレーに向けられて
いる。
米国特許第3532813号は簡単なＸ−Ｙアドレス方法の
一次クロストークを回避する液晶デイスプレーに向けら
れているが、この装置は他の形のクロストークには適用
することが出来ない。
一次クロストークを回避する液晶デイスプレーに向けら
れているが、この装置は他の形のクロストークには適用
することが出来ない。
米国特許第4660030号は改良された液晶ビデオ・デイ
スプレー装置に向けられている。この装置は飛越し式の
ビデオ・デイスプレー技術を利用しており、そして走査
信号は、各フレーム毎に選択されたラインをシフトし
て、順番に並べられた電極ラインを１本おきに走査する
ように与えられる。そして、選択された走査電極ライン
の上側と下側の両方の隣接した非選択電極に対して、重
複した期間の間、選択された付加的な電圧が与えられ
る。この装置は所定の順序ですべての走査ラインを駆動
することにより関連するフリツカを減少して、高分解能
のデイスプレー装置を与えている。
スプレー装置に向けられている。この装置は飛越し式の
ビデオ・デイスプレー技術を利用しており、そして走査
信号は、各フレーム毎に選択されたラインをシフトし
て、順番に並べられた電極ラインを１本おきに走査する
ように与えられる。そして、選択された走査電極ライン
の上側と下側の両方の隣接した非選択電極に対して、重
複した期間の間、選択された付加的な電圧が与えられ
る。この装置は所定の順序ですべての走査ラインを駆動
することにより関連するフリツカを減少して、高分解能
のデイスプレー装置を与えている。
米国特許第4640582号はテレビジヨンに使用するため
の液晶マトリツクス・デイスプレーを駆動するためのシ
ステムが開示されており、このシステムにおいて、各画
素に印加される信号は、単一の画素を走査するのに必要
な時間間隔よりも大きい速度ではないが、クロストーク
を生ずるに要する速度よりも大きく、そして、何れの場
合でも反転のない画素のラインを走査するのに必要な速
度よりも大きくなるように反転されている。
の液晶マトリツクス・デイスプレーを駆動するためのシ
ステムが開示されており、このシステムにおいて、各画
素に印加される信号は、単一の画素を走査するのに必要
な時間間隔よりも大きい速度ではないが、クロストーク
を生ずるに要する速度よりも大きく、そして、何れの場
合でも反転のない画素のラインを走査するのに必要な速
度よりも大きくなるように反転されている。
C.発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、薄膜トランジスタ／液晶デイスプレ
ー（TFT/LCD）において、データ・ラインと画素セルと
の間のクロストークを除去する方法を提供することにあ
る。
ー（TFT/LCD）において、データ・ラインと画素セルと
の間のクロストークを除去する方法を提供することにあ
る。
本発明の他の目的は、セルのマトリツクスで構成され
るTFT/LCDのクロストークを減少する方法において、各
セルは複数本の第１のデータ・ラインと複数本の第２の
データ・ラインによつて画定され、所定のセルは、デー
タ信号及びゲート信号が印加されたデータ・ラインとゲ
ート・ラインに応答して、それらのラインの交差する所
にあるセルをオンに転じることと、そのデイスプレーの
標準の走査ライン時間の少なくとも半分の時間だけ、上
記のゲート・ラインの１つにゲート信号を印加すること
と、標準の走査ライン時間の残りの期間はゲート信号を
印加しないことと、ゲート信号が印加された時に、デー
タ信号が上記のデータ・ラインの１つに印加され、そし
て、ゲート信号が印加されない時に、入力クロストーク
補償信号が印加されることとから成るクロストーク減少
方法を提供することにある。
るTFT/LCDのクロストークを減少する方法において、各
セルは複数本の第１のデータ・ラインと複数本の第２の
データ・ラインによつて画定され、所定のセルは、デー
タ信号及びゲート信号が印加されたデータ・ラインとゲ
ート・ラインに応答して、それらのラインの交差する所
にあるセルをオンに転じることと、そのデイスプレーの
標準の走査ライン時間の少なくとも半分の時間だけ、上
記のゲート・ラインの１つにゲート信号を印加すること
と、標準の走査ライン時間の残りの期間はゲート信号を
印加しないことと、ゲート信号が印加された時に、デー
タ信号が上記のデータ・ラインの１つに印加され、そし
て、ゲート信号が印加されない時に、入力クロストーク
補償信号が印加されることとから成るクロストーク減少
方法を提供することにある。
D.問題点を解決するための手段 本発明に従つて、TFT/LCDにおいて、データ・ライン
及び画素セル間のクロストークの除去は、デイスプレー
の標準の走査ライン期間よりも短い時間間隔で、与えら
れたデータ・ラインにデータ信号を印加し、走査ライン
期間の残りの時間間隔で、与えられたデータ・ライン
に、セルの表示電極に累積されているデータ信号による
電圧を打ち消すクロストーク補償電圧信号を印加するこ
とによつて達成される。
及び画素セル間のクロストークの除去は、デイスプレー
の標準の走査ライン期間よりも短い時間間隔で、与えら
れたデータ・ラインにデータ信号を印加し、走査ライン
期間の残りの時間間隔で、与えられたデータ・ライン
に、セルの表示電極に累積されているデータ信号による
電圧を打ち消すクロストーク補償電圧信号を印加するこ
とによつて達成される。
本発明は、各セルが複数本の第１のデータ・ラインの
うちの１本と、複数本の第２のゲート・ラインのうちの
１本との交差点によつて画定される薄膜トランジスタ／
液晶デイスプレーのマトリツクスで構成されるデイスプ
レーにおいて、クロストークを減少する方法である。デ
ータ・ラインとゲート・ラインに印加されたデータ信号
とゲート信号とに応答して、これらのラインが交差する
所にあるセルをオンにすることによつて、所望のセルを
付勢する。１つのゲート・ラインに印加されたゲート信
号は、デイスプレーの標準の走査ライン期間よりも短く
選択された時間間隔でオンにされ、走査ラインの残りの
期間の時間間隔でオフにされる。ゲート信号がオンの間
に、データ信号が１つのデータ・ラインに印加され、そ
して、ゲート信号がオフの時間の間に、クロストーク補
償信号が１つのデータ・ラインに印加される。
うちの１本と、複数本の第２のゲート・ラインのうちの
１本との交差点によつて画定される薄膜トランジスタ／
液晶デイスプレーのマトリツクスで構成されるデイスプ
レーにおいて、クロストークを減少する方法である。デ
ータ・ラインとゲート・ラインに印加されたデータ信号
とゲート信号とに応答して、これらのラインが交差する
所にあるセルをオンにすることによつて、所望のセルを
付勢する。１つのゲート・ラインに印加されたゲート信
号は、デイスプレーの標準の走査ライン期間よりも短く
選択された時間間隔でオンにされ、走査ラインの残りの
期間の時間間隔でオフにされる。ゲート信号がオンの間
に、データ信号が１つのデータ・ラインに印加され、そ
して、ゲート信号がオフの時間の間に、クロストーク補
償信号が１つのデータ・ラインに印加される。
E.実施例 液晶セルと関連させて薄膜トランジスタを使用するこ
とは、通常の多重化マトリツクス液晶デイスプレーで達
成されたものに比べて多くの利点を有している。TFT/LC
Dデイスプレーにおいて、液晶セルのマトリツクスは、
１つのセル毎に薄膜トランジスタのＸ−Ｙアレーによつ
て制御されており、各セルは液晶電極の対応する行上の
チヤージを制御するために、一時に１つの行をスイツチ
・オンすることが出来、これによりこれらの液晶セルの
可視状態を決める。第７図は、そのような液晶セルのア
レーの等価回路を示しており、それは１デバイス・セル
のダイナミック・メモリ（DRAM）のマトリツクスと電気
的に同一である。トランジスタ２及び４の各行は、夫々
ゲート・ライン６及び８、即ち対応する水平のゲート電
極に印加されるパルスによつてオンにされるので、垂直
のデータ電極10、12、14及び16の電圧は、例えばトラン
ジスタ20と関連したセルの容量18のようなセルの容量に
転送される。この容量は、トランジスタに接続された表
示電極と、基準電位の対向電極との間に液晶が存在する
ことにより形成される。このセルの容量は液晶セルそれ
自身で構成されるが、或る場合にはそれに薄膜のストレ
ージ容量が付加される。この充電プロセスを充分に高い
速度で反復すると、液晶素子に充電されたチヤージを維
持することが出来、可視的なイメージがデータ電圧に対
応して発生される。このトランジスタは、ゲート・ライ
ンの付勢の時だけ電荷の流れを許容し、他の行がアドレ
スされている間にその容量から電荷を漏洩させないよう
な理想的なスイツチと考えることが出来る。然しなが
ら、そのような理想的な特性は本発明の必要な要件では
ない。
とは、通常の多重化マトリツクス液晶デイスプレーで達
成されたものに比べて多くの利点を有している。TFT/LC
Dデイスプレーにおいて、液晶セルのマトリツクスは、
１つのセル毎に薄膜トランジスタのＸ−Ｙアレーによつ
て制御されており、各セルは液晶電極の対応する行上の
チヤージを制御するために、一時に１つの行をスイツチ
・オンすることが出来、これによりこれらの液晶セルの
可視状態を決める。第７図は、そのような液晶セルのア
レーの等価回路を示しており、それは１デバイス・セル
のダイナミック・メモリ（DRAM）のマトリツクスと電気
的に同一である。トランジスタ２及び４の各行は、夫々
ゲート・ライン６及び８、即ち対応する水平のゲート電
極に印加されるパルスによつてオンにされるので、垂直
のデータ電極10、12、14及び16の電圧は、例えばトラン
ジスタ20と関連したセルの容量18のようなセルの容量に
転送される。この容量は、トランジスタに接続された表
示電極と、基準電位の対向電極との間に液晶が存在する
ことにより形成される。このセルの容量は液晶セルそれ
自身で構成されるが、或る場合にはそれに薄膜のストレ
ージ容量が付加される。この充電プロセスを充分に高い
速度で反復すると、液晶素子に充電されたチヤージを維
持することが出来、可視的なイメージがデータ電圧に対
応して発生される。このトランジスタは、ゲート・ライ
ンの付勢の時だけ電荷の流れを許容し、他の行がアドレ
スされている間にその容量から電荷を漏洩させないよう
な理想的なスイツチと考えることが出来る。然しなが
ら、そのような理想的な特性は本発明の必要な要件では
ない。
実際のアレーの問題は表示されるイメージの品質を劣
化させるよう作用する種々の望ましくない性質によつて
生じる。これらの問題中で最も重要なものの１つは、垂
直電極に印加されたデータ電圧が、オフ状態にあるトラ
ンジスタのセルにまで影響を与えるクロストークの問題
である。クロストークが発生する主要な原因は、AC電流
によつてトランジスタ・スイツチを容易にバイパスする
容量性の結合である。これは、液晶素子が直流励起に応
答すると同時に交流電圧にも応答することに起因する。
バイパス結合の支配的ではあるが唯一ではない結合源
は、第２図に模式的に示したように、データ電極22及び
24と、透明な液晶電極26との間の容量であり、この容量
は典型的なTFT/LCDセルのセル・レイアウトの代表であ
る。結合容量とセル容量とが容量性の分圧器を形成し
て、常時、データ電圧の一部が液晶に跨がつて印加され
る。与えられた１つの列の電極の電圧は、その列のすべ
ての素子に対して、直列の順序で反復したデータ電圧を
形成するので、或る１つの液晶セル容量は、セル容量に
関連した結合容量の大きさに従つて、列の全電圧の一部
の電圧が逐次に印加される。代表的なセルの寸法及び代
表的なセルの容量においては、このクロストーク信号が
顕著になつて、グレースケールのイメージ中に可視的な
部分として現われる。この問題の通常の解決方法は、
（１）グレースケールを回避すること、即ち飽和応答方
式（saturated response regime）で動作することによ
つて、電圧の小さなチヤージには応答しない液晶セルに
することと、（２）結合容量の影響を相対的に減らすた
めに、セル容量をより大きくすることである。
化させるよう作用する種々の望ましくない性質によつて
生じる。これらの問題中で最も重要なものの１つは、垂
直電極に印加されたデータ電圧が、オフ状態にあるトラ
ンジスタのセルにまで影響を与えるクロストークの問題
である。クロストークが発生する主要な原因は、AC電流
によつてトランジスタ・スイツチを容易にバイパスする
容量性の結合である。これは、液晶素子が直流励起に応
答すると同時に交流電圧にも応答することに起因する。
バイパス結合の支配的ではあるが唯一ではない結合源
は、第２図に模式的に示したように、データ電極22及び
24と、透明な液晶電極26との間の容量であり、この容量
は典型的なTFT/LCDセルのセル・レイアウトの代表であ
る。結合容量とセル容量とが容量性の分圧器を形成し
て、常時、データ電圧の一部が液晶に跨がつて印加され
る。与えられた１つの列の電極の電圧は、その列のすべ
ての素子に対して、直列の順序で反復したデータ電圧を
形成するので、或る１つの液晶セル容量は、セル容量に
関連した結合容量の大きさに従つて、列の全電圧の一部
の電圧が逐次に印加される。代表的なセルの寸法及び代
表的なセルの容量においては、このクロストーク信号が
顕著になつて、グレースケールのイメージ中に可視的な
部分として現われる。この問題の通常の解決方法は、
（１）グレースケールを回避すること、即ち飽和応答方
式（saturated response regime）で動作することによ
つて、電圧の小さなチヤージには応答しない液晶セルに
することと、（２）結合容量の影響を相対的に減らすた
めに、セル容量をより大きくすることである。
多くのイメージを正確に再現するにはグレースケール
が必要であり、且つ単純なグラフイツク・イメージでさ
えもグレースケールを用いることによつて視覚的に改善
することが出来るので、前者の解決方法はデイスプレー
機能を厳しく制限することになる。通常のテレビジヨン
装置に最も広く用いられている後者の解決方法は、電気
的短絡の欠陥を持たない薄膜誘電体の広い領域を作るこ
とは困難なので、各セルに薄膜容量を付加することは、
このようなデイスプレーの製造上の歩留りを非常に悪く
するという欠点を持つている。
が必要であり、且つ単純なグラフイツク・イメージでさ
えもグレースケールを用いることによつて視覚的に改善
することが出来るので、前者の解決方法はデイスプレー
機能を厳しく制限することになる。通常のテレビジヨン
装置に最も広く用いられている後者の解決方法は、電気
的短絡の欠陥を持たない薄膜誘電体の広い領域を作るこ
とは困難なので、各セルに薄膜容量を付加することは、
このようなデイスプレーの製造上の歩留りを非常に悪く
するという欠点を持つている。
このような状況において、本発明は、第３図に示した
ように、新規なアドレス方法によつて、容量結合による
クロストークを顕著に減少する方法を提供する。従来の
方法において、行ゲート電極28は順番にストローブさ
れ、Ｎをデイスプレーの行数とすると、各行は約T/Nの
間隔で、フレーム時間Ｔ毎に一度付勢される。列30又は
32のような各列のデータ電極は、各列がゲートパルスの
同期によつてT/Nの時間間隔で、反復順序で与えられた
電圧Viを有している。これとは対照的に、本発明の方法
は、例えばライン時間T/Nのたつた半分のライン時間、
即ちトランジスタ36のゲート電極34にT/2N秒の間のよう
な１ライン時間の分数値のゲートパルスを印加すること
と、ソース電極38に印加されるデータ・ライン電圧の順
序をVi、VM−Vi、Vi+1、VM−Vi+1などに変更することと
で構成されている。ここで、VMは一定電圧（０ボルトで
もよい）である。基本的に言えば、このアドレシング
（アドレス付け）順序は、セル容量40へチヤージを転送
するために、データ電圧の周期に同期されたゲートパル
スをデータ、データの補数、データ、データの補数...
以下同様のような順序である。ゲートパルスが付勢され
ていないとき、即ち総てのトランジスタがオフのとき、
データの補数パルスは列電極を駆動し、これにより、セ
ル容量42及び44によつて、容量結合を介してクロストー
クの影響を補償する。
ように、新規なアドレス方法によつて、容量結合による
クロストークを顕著に減少する方法を提供する。従来の
方法において、行ゲート電極28は順番にストローブさ
れ、Ｎをデイスプレーの行数とすると、各行は約T/Nの
間隔で、フレーム時間Ｔ毎に一度付勢される。列30又は
32のような各列のデータ電極は、各列がゲートパルスの
同期によつてT/Nの時間間隔で、反復順序で与えられた
電圧Viを有している。これとは対照的に、本発明の方法
は、例えばライン時間T/Nのたつた半分のライン時間、
即ちトランジスタ36のゲート電極34にT/2N秒の間のよう
な１ライン時間の分数値のゲートパルスを印加すること
と、ソース電極38に印加されるデータ・ライン電圧の順
序をVi、VM−Vi、Vi+1、VM−Vi+1などに変更することと
で構成されている。ここで、VMは一定電圧（０ボルトで
もよい）である。基本的に言えば、このアドレシング
（アドレス付け）順序は、セル容量40へチヤージを転送
するために、データ電圧の周期に同期されたゲートパル
スをデータ、データの補数、データ、データの補数...
以下同様のような順序である。ゲートパルスが付勢され
ていないとき、即ち総てのトランジスタがオフのとき、
データの補数パルスは列電極を駆動し、これにより、セ
ル容量42及び44によつて、容量結合を介してクロストー
クの影響を補償する。
第４図は本発明の方法における代表的な波形を示す図
である。結合係数αがバイパス容量に関連し、且つトラ
ンジスタがオフにゲートされたとき、セル容量40に転送
されたチヤージに減衰がないものと仮定すると、第４図
の波形から生じる液晶素子のRMS電圧は簡単に計算でき
る。そのような減衰があつたとしても計算結果には大き
く影響しない。本発明の駆動方法の１つの重要な特徴と
して、イオン的な導電性の電位的な影響を避けるため
に、液晶素子がAC駆動を必要とすることがある。これは
通常、各走査フレームの終期において電圧を逆転するこ
とによつて達成される。このことを考慮すると、特にデ
イスプレーの上部から下部に円滑に変化するようエラー
電圧があり、行数を含む条件項を有するRMS電圧の数式
を導くことが出来る。然しながら、これは駆動回路にお
いて容易に補償される。
である。結合係数αがバイパス容量に関連し、且つトラ
ンジスタがオフにゲートされたとき、セル容量40に転送
されたチヤージに減衰がないものと仮定すると、第４図
の波形から生じる液晶素子のRMS電圧は簡単に計算でき
る。そのような減衰があつたとしても計算結果には大き
く影響しない。本発明の駆動方法の１つの重要な特徴と
して、イオン的な導電性の電位的な影響を避けるため
に、液晶素子がAC駆動を必要とすることがある。これは
通常、各走査フレームの終期において電圧を逆転するこ
とによつて達成される。このことを考慮すると、特にデ
イスプレーの上部から下部に円滑に変化するようエラー
電圧があり、行数を含む条件項を有するRMS電圧の数式
を導くことが出来る。然しながら、これは駆動回路にお
いて容易に補償される。
第ｉ番目におけるRMS電圧の式は以下の数式で与えら
れる。
れる。
この数式を拡張することによつて、通常、優勢なクロ
ストークの条件項であるα及びVjのリニヤの条件項の消
去をすることが出来る。従つて、上述の式は、 となる。
ストークの条件項であるα及びVjのリニヤの条件項の消
去をすることが出来る。従つて、上述の式は、 となる。
第１項は小さな利得補正を表わし、第２項はデイスプ
レーの上部から下部へ円滑に変化する補正である。これ
はアナログ回路によつて容易に補正することが出来る。
第３項は残りのクロストークを表わし、これはα２に比
例する二次式の項である。これらの数式はデータ電極か
らLC電極への結合を記述する項のみしか含んでいない。
また、第３図に示されたように、隣接するデータ電極か
らの結合があるけれども、これは同様な消去法を用い
て、簡単な方法で含ませることが出来る。隣接するデー
タ電極に対して結合係数βを導入すると、上部から下部
の補正はβ２及び２αβに比例する付加的な２次の補正
がある。
レーの上部から下部へ円滑に変化する補正である。これ
はアナログ回路によつて容易に補正することが出来る。
第３項は残りのクロストークを表わし、これはα２に比
例する二次式の項である。これらの数式はデータ電極か
らLC電極への結合を記述する項のみしか含んでいない。
また、第３図に示されたように、隣接するデータ電極か
らの結合があるけれども、これは同様な消去法を用い
て、簡単な方法で含ませることが出来る。隣接するデー
タ電極に対して結合係数βを導入すると、上部から下部
の補正はβ２及び２αβに比例する付加的な２次の補正
がある。
この回路において、使用するドライバの価格は通常の
ドライバよりも割高になるけれども、これらの波形は簡
単なアナログ装置によつて通常の直列データストリーム
から発生することが出来る。最も大きな弱点としては、
T/2N倍のように速度が倍増するということがある。
ドライバよりも割高になるけれども、これらの波形は簡
単なアナログ装置によつて通常の直列データストリーム
から発生することが出来る。最も大きな弱点としては、
T/2N倍のように速度が倍増するということがある。
上述のクロストーク減少方法の弱点としては、従来の
方法が必要とする速度の２倍の速度でスイツチするため
のアドレス回路を必要とすることがある。従つて、TFT
は高速度でスイツチするように作られねばならず、且つ
それらの信号を送る転送ライン（ゲート・ライン及びデ
ータ・ライン）もまた、高速転送にするための設計変更
が必須である。本発明の他の付加的な技術を簡単に説明
すると、この技術は１ライン時間（T/N）毎のデータ信
号及び補償信号の概念は使うけれども、振幅を増加させ
て、長い周期のデータ信号と短い周期の補償信号との兼
合いの妥協を計ることが出来る。示されねばならないも
のは、２つの信号のRMSの寄与度である。特に、一次の
クロストーク条件項を消去するために、次の関係式が成
立しなければならない。
方法が必要とする速度の２倍の速度でスイツチするため
のアドレス回路を必要とすることがある。従つて、TFT
は高速度でスイツチするように作られねばならず、且つ
それらの信号を送る転送ライン（ゲート・ライン及びデ
ータ・ライン）もまた、高速転送にするための設計変更
が必須である。本発明の他の付加的な技術を簡単に説明
すると、この技術は１ライン時間（T/N）毎のデータ信
号及び補償信号の概念は使うけれども、振幅を増加させ
て、長い周期のデータ信号と短い周期の補償信号との兼
合いの妥協を計ることが出来る。示されねばならないも
のは、２つの信号のRMSの寄与度である。特に、一次の
クロストーク条件項を消去するために、次の関係式が成
立しなければならない。
γ２＝δ／（１−δ） 第４図に示されたように、上式において、以下の定義
が適用される。
が適用される。
δはゲート信号／データ信号がオンであるデータ時間
の分数値であり、０δ１の範囲の任意の値でよい。
の分数値であり、０δ１の範囲の任意の値でよい。
γは上で定義したように、補償パルス振幅のスケーリ
ング率であり、選択されたδ値に対応する。
ング率であり、選択されたδ値に対応する。
例えば、第５図に示した前述のケースはδ＝0.5でγ
＝１である。換言すれば、これは、ゲート／データ信号
が、振幅Viにおいてライン時間の半分でオンであり、そ
して補償信号が、振幅（VM−Vi）においてライン時間の
半分でオンであることを意味する。他の例として、第６
図に示されたように、δ＝0.8でγ＝２にすることが出
来る。この場合においては、ゲート／データ信号は振幅
Viにおいてライン時間の80％がオンであり、補償信号は
振幅２（VM−Vi）でライン時間の20％がオンである。こ
のように、補償信号の振幅を僅かに大きくするコストの
代償として、アドレシングのための付加的な時間を獲得
することが出来る。
＝１である。換言すれば、これは、ゲート／データ信号
が、振幅Viにおいてライン時間の半分でオンであり、そ
して補償信号が、振幅（VM−Vi）においてライン時間の
半分でオンであることを意味する。他の例として、第６
図に示されたように、δ＝0.8でγ＝２にすることが出
来る。この場合においては、ゲート／データ信号は振幅
Viにおいてライン時間の80％がオンであり、補償信号は
振幅２（VM−Vi）でライン時間の20％がオンである。こ
のように、補償信号の振幅を僅かに大きくするコストの
代償として、アドレシングのための付加的な時間を獲得
することが出来る。
（VM−Vi）で定義される補償信号は、０を含んでVMの
任意の値から取り出すことが出来る。従つて、補償信号
は使われる特定のTFT/LCD技術に依存して、Viと同じ極
性か、または反対の極性であるか、若しくは、Viよりも
大きい振幅か、または小さい振幅である。
任意の値から取り出すことが出来る。従つて、補償信号
は使われる特定のTFT/LCD技術に依存して、Viと同じ極
性か、または反対の極性であるか、若しくは、Viよりも
大きい振幅か、または小さい振幅である。
本発明は、補償信号の縮小率を単純にすることによつ
て簡単に実施することが出来る。ゲート／データ・パル
スの幅を設定することに応答して、デイスプレー全体に
共通の１つの回路が、縮小率を発生することが出来る。
て簡単に実施することが出来る。ゲート／データ・パル
スの幅を設定することに応答して、デイスプレー全体に
共通の１つの回路が、縮小率を発生することが出来る。
第１図は本発明のアドレツシング回路の実施例を示す
図である。例えば、フレーム・バツフア（図示せず）か
ら１行毎に与えられる直列データがアナログ・トグル・
スイツチ48の第１入力及び、インバータ50の入力とにラ
イン46を経て与えられる。画素クロツク信号がライン52
を介して列シフトレジスタ54に与えられる。ストローブ
信号はアナログ・スイツチ66、68及び70のゲート入力端
子60、62及び64と、アナログ・トグル48のトリガ用入力
端子に夫々印加される。ライン72を介して同期信号がゲ
ート駆動シフトレジスタ74のクロツク入力に与えられ
る。ゲート駆動リセツト信号がライン76を経てゲート駆
動シフトレジスタ74のリセツト端子に与えられ、そし
て、ゲート駆動シフトレジスタ74を付勢する他の信号
は、フリツプ・フロツプ58からライン78を経て、シフト
レジスタの付勢端子に与えられる。
図である。例えば、フレーム・バツフア（図示せず）か
ら１行毎に与えられる直列データがアナログ・トグル・
スイツチ48の第１入力及び、インバータ50の入力とにラ
イン46を経て与えられる。画素クロツク信号がライン52
を介して列シフトレジスタ54に与えられる。ストローブ
信号はアナログ・スイツチ66、68及び70のゲート入力端
子60、62及び64と、アナログ・トグル48のトリガ用入力
端子に夫々印加される。ライン72を介して同期信号がゲ
ート駆動シフトレジスタ74のクロツク入力に与えられ
る。ゲート駆動リセツト信号がライン76を経てゲート駆
動シフトレジスタ74のリセツト端子に与えられ、そし
て、ゲート駆動シフトレジスタ74を付勢する他の信号
は、フリツプ・フロツプ58からライン78を経て、シフト
レジスタの付勢端子に与えられる。
ゲート駆動シフトレジスタ74は、行ライン78及び80
と、列ライン84、86及び88との交点によつて形成される
TFT/LCDのセル82に、行ライン78及び80を介してゲート
信号を与える。例えば、行ライン78と列ライン84との交
点には、トランジスタ90が設けられているように、行ラ
インと列ラインとの交点にはトランジスタが設けられ
る。トランジスタ90は行ライン78に接続されているゲー
ト電極92と、列ライン84に接続されているソース電極94
と、容量98の一方の端子に接続されているドレイン電極
96とを有しており、容量98の他方の端子は基準電圧源Vc
に接続されている。既に述べたように、容量98のチヤー
ジは、列84と行78の交点によつて画定されるセル信号の
存在、またな不存在を表わしている。
と、列ライン84、86及び88との交点によつて形成される
TFT/LCDのセル82に、行ライン78及び80を介してゲート
信号を与える。例えば、行ライン78と列ライン84との交
点には、トランジスタ90が設けられているように、行ラ
インと列ラインとの交点にはトランジスタが設けられ
る。トランジスタ90は行ライン78に接続されているゲー
ト電極92と、列ライン84に接続されているソース電極94
と、容量98の一方の端子に接続されているドレイン電極
96とを有しており、容量98の他方の端子は基準電圧源Vc
に接続されている。既に述べたように、容量98のチヤー
ジは、列84と行78の交点によつて画定されるセル信号の
存在、またな不存在を表わしている。
例えばビデオRAMからの行ライン46によつて直列のデ
ータがアナログ・トグル48及びインバータ50に与えられ
る。各行は２度のアクセス、即ちR1、R1、R2、R2、R3、
R3、...等のように２度アクセスされる。これはアナロ
グ・トグル48に、ライン56上のδT/NまたはT/2Nのスト
ローブ信号を印加することによつて達成される。第５図
に示されたように、時間間隔０〜T/2Nの間で、トグル48
に直接印加されたデータ信号Viは出力ライン100にスイ
ツチされる。時間間隔T/2N〜T/Nの間で、インバータ50
の出力における補数データ信号はしライン100にスイツ
チされる。一般的に言えば、ストローブ信号がδT/Nで
あり、インバータ50が利得係数γを含む場合、トグル・
スイツチの切換え状態は第６図に示されたようになる。
即ち、期間０〜δT/Nの時間間隔においては、トグル・
スイツチ48に直接印加されるデータ信号Viは出力ライン
100にスイツチされる。期間δT/N〜T/Nの時間間隔にお
いては、インバータ50の出力の補数データ信号γ（VM−
Vi）は、出力ライン100にスイツチされる。既に述べた
ように、０〜δT/Nはデータ信号であり、そしてT/2N〜T
/N及びδT/N〜T/Nは、クロストーク補償信号である。
ータがアナログ・トグル48及びインバータ50に与えられ
る。各行は２度のアクセス、即ちR1、R1、R2、R2、R3、
R3、...等のように２度アクセスされる。これはアナロ
グ・トグル48に、ライン56上のδT/NまたはT/2Nのスト
ローブ信号を印加することによつて達成される。第５図
に示されたように、時間間隔０〜T/2Nの間で、トグル48
に直接印加されたデータ信号Viは出力ライン100にスイ
ツチされる。時間間隔T/2N〜T/Nの間で、インバータ50
の出力における補数データ信号はしライン100にスイツ
チされる。一般的に言えば、ストローブ信号がδT/Nで
あり、インバータ50が利得係数γを含む場合、トグル・
スイツチの切換え状態は第６図に示されたようになる。
即ち、期間０〜δT/Nの時間間隔においては、トグル・
スイツチ48に直接印加されるデータ信号Viは出力ライン
100にスイツチされる。期間δT/N〜T/Nの時間間隔にお
いては、インバータ50の出力の補数データ信号γ（VM−
Vi）は、出力ライン100にスイツチされる。既に述べた
ように、０〜δT/Nはデータ信号であり、そしてT/2N〜T
/N及びδT/N〜T/Nは、クロストーク補償信号である。
ライン100上のデータ信号及びクロストーク補償信号
から成る複合信号は、アナログ・スイツチ104、106及び
108に印加される。スイツチ104は与えられた走査ライン
の間、画素１の位置においてオンであり、スイツチ106
は、与えられた走査ラインの間、画素２の位置において
オンであり、そしてスイツチ108は、与えられた走査ラ
イン間、画素３の位置においてオンであるなどのように
動作する。関連するゲート信号が、画素１の時間におい
て、列シフトレジスタ54からライン110に与えられ、画
素２の時間において、ライン112に、画素３の時間にお
いて、ライン114に与えられる。アナログ・スイツチ10
4、106及び108がオンにされたとき、ライン100の信号は
夫々コンデンサ116、118及び120に蓄えられて、増幅器1
22、124及び126を経てアナログ・スイツチ66、68及び70
に与えられる。
から成る複合信号は、アナログ・スイツチ104、106及び
108に印加される。スイツチ104は与えられた走査ライン
の間、画素１の位置においてオンであり、スイツチ106
は、与えられた走査ラインの間、画素２の位置において
オンであり、そしてスイツチ108は、与えられた走査ラ
イン間、画素３の位置においてオンであるなどのように
動作する。関連するゲート信号が、画素１の時間におい
て、列シフトレジスタ54からライン110に与えられ、画
素２の時間において、ライン112に、画素３の時間にお
いて、ライン114に与えられる。アナログ・スイツチ10
4、106及び108がオンにされたとき、ライン100の信号は
夫々コンデンサ116、118及び120に蓄えられて、増幅器1
22、124及び126を経てアナログ・スイツチ66、68及び70
に与えられる。
アナログ・スイツチ66、68及び70はライン56のδT/N
またはT/2Nストローブ信号によつて、コンデンサ128、1
30及び132をスイツチ・オンまたはスイツチ・オフにす
る。これらのコンデンサのチヤージはライン100の複合
信号の表識であり、これはデータを直列から並列に変換
する。転じて、これらの複合信号は増幅器134、136及び
138を経てTFT/LCDの列ライン84、86及び88に与えられ
る。
またはT/2Nストローブ信号によつて、コンデンサ128、1
30及び132をスイツチ・オンまたはスイツチ・オフにす
る。これらのコンデンサのチヤージはライン100の複合
信号の表識であり、これはデータを直列から並列に変換
する。転じて、これらの複合信号は増幅器134、136及び
138を経てTFT/LCDの列ライン84、86及び88に与えられ
る。
時間間隔０〜T/2N（第５図）または０〜δT/N（第６
図）の間において、ライン78上のゲート信号はオンであ
り、ライン80上のゲート信号はオフである。コンデンサ
128のチヤージは、増幅器134を経てトランジスタ90のソ
ース電極94に転送される。ゲート信号がゲート電極92に
あるので、データ信号はデイスプレー中のこのセルを光
らすために、コンデンサ98に転送される。既に述べたよ
うに、この場合に、クロストークの因子がある。換言す
れば、ライン84と、ドレイン電極144及びコンデンサ140
の接続点との間のセル容量（図示せず）を介する容量結
合によつて、トランジスタ142と関連するコンデンサ140
に転送されるデータ信号の部分がある。この信号部分は
コンデンサ140をチヤージしてこのセルのグレースケー
ル値に影響を与えることになる。セル容量によるクロス
トークは第３図を参照して既に説明した。
図）の間において、ライン78上のゲート信号はオンであ
り、ライン80上のゲート信号はオフである。コンデンサ
128のチヤージは、増幅器134を経てトランジスタ90のソ
ース電極94に転送される。ゲート信号がゲート電極92に
あるので、データ信号はデイスプレー中のこのセルを光
らすために、コンデンサ98に転送される。既に述べたよ
うに、この場合に、クロストークの因子がある。換言す
れば、ライン84と、ドレイン電極144及びコンデンサ140
の接続点との間のセル容量（図示せず）を介する容量結
合によつて、トランジスタ142と関連するコンデンサ140
に転送されるデータ信号の部分がある。この信号部分は
コンデンサ140をチヤージしてこのセルのグレースケー
ル値に影響を与えることになる。セル容量によるクロス
トークは第３図を参照して既に説明した。
時間間隔T/2N〜T/N（第５図）またはδT/N〜T/N（第
６図）の間において、クロストーク補償信号VM−Viまた
はγ（VM−Vi）は、ライン78にゲート信号が現われてい
ない期間内に補償信号を与えるために、列84に与えられ
る。このクロストーク補償信号は、既に説明したよう
に、セル容量を介してコンデンサ140に結合され、この
結合によつて、データ信号とは関係が無い均一で一定の
影響を与えるような態様で、コンデンサに以前に蓄えら
れたデータ信号の一部、即ちクロストークを補正する。
この補償は列ライン84に接続されたすべてのセルに与え
られる。
６図）の間において、クロストーク補償信号VM−Viまた
はγ（VM−Vi）は、ライン78にゲート信号が現われてい
ない期間内に補償信号を与えるために、列84に与えられ
る。このクロストーク補償信号は、既に説明したよう
に、セル容量を介してコンデンサ140に結合され、この
結合によつて、データ信号とは関係が無い均一で一定の
影響を与えるような態様で、コンデンサに以前に蓄えら
れたデータ信号の一部、即ちクロストークを補正する。
この補償は列ライン84に接続されたすべてのセルに与え
られる。
アナログ・スイツチ60、62及び64が、時間間隔０〜T/
2N（第５図）または０〜δT/N（第６図）の間におい
て、マトリツクス82のライン84、86及び88に関する容量
128、130及び132にデータ信号を転送した直後に、アナ
ログ・スイツチ104、106及び108は、時間間隔T/2N〜T/N
（第５図）またはδT/N〜T/Nの間におけるマトリツクス
への次の印加時間において、容量116、118及び120中に
クロストーク補償信号の貯蔵を順次に開始する（第６
図）。
2N（第５図）または０〜δT/N（第６図）の間におい
て、マトリツクス82のライン84、86及び88に関する容量
128、130及び132にデータ信号を転送した直後に、アナ
ログ・スイツチ104、106及び108は、時間間隔T/2N〜T/N
（第５図）またはδT/N〜T/Nの間におけるマトリツクス
への次の印加時間において、容量116、118及び120中に
クロストーク補償信号の貯蔵を順次に開始する（第６
図）。
走査ライン２の時間において、ライン78上の付勢信号
はオフであり、且つライン80上の信号はオンであり、こ
のような動作がマトリツクスの後続の行に対して繰り返
される。
はオフであり、且つライン80上の信号はオンであり、こ
のような動作がマトリツクスの後続の行に対して繰り返
される。
第８図は、赤（Ｒ）、青（Ｂ）及び緑（Ｇ）がマトリ
ツクス中の垂直ストリツプにある標準のモニタ・インタ
ーフエースによつて、駆動されるカラーTFT/LCDアレー
のためのアドレツシングを行う回路のアナログ図であ
る。この回路の基本的な動作は第１図を参照して説明し
たので、異なつた部分だけについて説明する。
ツクス中の垂直ストリツプにある標準のモニタ・インタ
ーフエースによつて、駆動されるカラーTFT/LCDアレー
のためのアドレツシングを行う回路のアナログ図であ
る。この回路の基本的な動作は第１図を参照して説明し
たので、異なつた部分だけについて説明する。
マトリツクスの各画素位置はＲ、Ｂ及びＧ位置で構成
されている。例えば、マトリツクスの行１中の画素１の
位置は、ライン146とライン148との交点のＲ位置、ライ
ン146とライン150との交点のＧ位置、ライン146とライ
ン152との交点のＲ位置とで構成されている。マトリツ
クスの行２中の画素１の位置は、ライン154とライン148
との交点のＲ位置、ライン154とライン150との交点のＧ
位置、ライン154とライン152との交点のＲ位置とで構成
されている。
されている。例えば、マトリツクスの行１中の画素１の
位置は、ライン146とライン148との交点のＲ位置、ライ
ン146とライン150との交点のＧ位置、ライン146とライ
ン152との交点のＲ位置とで構成されている。マトリツ
クスの行２中の画素１の位置は、ライン154とライン148
との交点のＲ位置、ライン154とライン150との交点のＧ
位置、ライン154とライン152との交点のＲ位置とで構成
されている。
CRTと互換性をもつRGBカラーデータの型式を持つ行毎
の直列データをビデオRAM（図示せず）から夫々ライン1
56、158及び160に与えられる。この回路の信号は、アナ
ログ・トグル48（第１図）からの信号のようにただ１組
だけではなく、各行に対して夫々データ信号とクロスト
ーク補償信号とがある。画素１のためのＲデータ信号が
アナログ・スイツチ162に印加され、クロストーク補償
信号は、インバータ164を介してアナログ信号166に印加
される。Ｇ及びＢデータ信号及びクロストーク補償信号
は同じような接続回路で接続される。
の直列データをビデオRAM（図示せず）から夫々ライン1
56、158及び160に与えられる。この回路の信号は、アナ
ログ・トグル48（第１図）からの信号のようにただ１組
だけではなく、各行に対して夫々データ信号とクロスト
ーク補償信号とがある。画素１のためのＲデータ信号が
アナログ・スイツチ162に印加され、クロストーク補償
信号は、インバータ164を介してアナログ信号166に印加
される。Ｇ及びＢデータ信号及びクロストーク補償信号
は同じような接続回路で接続される。
水平同期信号は、ライン168を介して位相ロツクドル
ープ（phase−locked−loop−PLL）画素クロツク・ジエ
ネレータ170と、ゲート駆動シフトレジスタ172のクロツ
ク入力と、アナログ・スイツチ174及び176のような複数
個のアナログ・スイツチに印加される。画素クロツク・
ジエネレータ170は、シフトレジスタ54（第１図）と同
じように、列シフトレジスタ178に画素クロツク・パル
スを与え、列シフトレジスタ178は、各行に対して、一
時に１つの画素位置で、例えばアナログ・スイツチ162
及び166等を順番にオンに転じる。また、画素クロツク
信号は、付勢信号として、ライン180を介してゲート駆
動シフトレジスタ172と、トグル・スイツチ182、184及
び186に印加される。これらのトグル・スイツチはデー
タ信号からクロストーク補償信号に切換えるのに必要と
される。例えば、トグル182が１つの状態にあるとき、
スイツチ174から与えられたデータ信号は、ライン148に
印加され、トグル182が他の状態にあるとき、スイツチ1
76からのクロストーク補償信号はライン148に印加され
る。上述のCRTと互換性を有する回路はクロストークを
除去するために、第１図で説明したと同じように動作す
る。
ープ（phase−locked−loop−PLL）画素クロツク・ジエ
ネレータ170と、ゲート駆動シフトレジスタ172のクロツ
ク入力と、アナログ・スイツチ174及び176のような複数
個のアナログ・スイツチに印加される。画素クロツク・
ジエネレータ170は、シフトレジスタ54（第１図）と同
じように、列シフトレジスタ178に画素クロツク・パル
スを与え、列シフトレジスタ178は、各行に対して、一
時に１つの画素位置で、例えばアナログ・スイツチ162
及び166等を順番にオンに転じる。また、画素クロツク
信号は、付勢信号として、ライン180を介してゲート駆
動シフトレジスタ172と、トグル・スイツチ182、184及
び186に印加される。これらのトグル・スイツチはデー
タ信号からクロストーク補償信号に切換えるのに必要と
される。例えば、トグル182が１つの状態にあるとき、
スイツチ174から与えられたデータ信号は、ライン148に
印加され、トグル182が他の状態にあるとき、スイツチ1
76からのクロストーク補償信号はライン148に印加され
る。上述のCRTと互換性を有する回路はクロストークを
除去するために、第１図で説明したと同じように動作す
る。
F.発明の効果 本発明に従つて、TFT/LCD中のデータ・ライン及び画
素セルの間のクロストークの除去は、デイスプレーの標
準の走査ライン期間よりも短い時間間隔で、与えられた
データ・ラインにデータ信号を与え、残りの走査ライン
期間の間で、与えられたデータ・ラインにクロストーク
補償信号を印加することによつて達成される。
素セルの間のクロストークの除去は、デイスプレーの標
準の走査ライン期間よりも短い時間間隔で、与えられた
データ・ラインにデータ信号を与え、残りの走査ライン
期間の間で、与えられたデータ・ラインにクロストーク
補償信号を印加することによつて達成される。
第１図は本発明のTFT/LCDアレーに対するゲート信号、
データ信号及びクロストーク補償信号を発生すめための
アドレス回路の模式的な回路図、第２図はTFT/LCDアレ
ーの代表的なセルのレイアウトを示す図、第３図は第２
図のセルのレイアウトの模式的な回路図、第４図、第５
図及び第６図はTFT/LCDアレーのデータ・ラインに印加
される波形を示す図、第７図はTFT/LCDアレーの模式的
なブロツク図、第８図は標準的なカラーCRTモニタ・イ
ンターフエースで駆動される、本発明に従つたカラーTF
T/LCDアレーのアドレツシング回路の模式的なブロツク
図である。 46……行のデータ入力ライン、48……アナログ・トグル
・スイツチ、50……インバータ、54……列シフト・レジ
スタ、56……ストローブ信号入力ライン、66、68、70、
104、106、108……アナログ・スイツチ、72……同期信
号入力ライン、74……ゲート駆動シフトレジスタ、78…
…行ライン、82……TFT/LCDセルのマトリツクス、84…
…列ライン、90……トランジスタ。
データ信号及びクロストーク補償信号を発生すめための
アドレス回路の模式的な回路図、第２図はTFT/LCDアレ
ーの代表的なセルのレイアウトを示す図、第３図は第２
図のセルのレイアウトの模式的な回路図、第４図、第５
図及び第６図はTFT/LCDアレーのデータ・ラインに印加
される波形を示す図、第７図はTFT/LCDアレーの模式的
なブロツク図、第８図は標準的なカラーCRTモニタ・イ
ンターフエースで駆動される、本発明に従つたカラーTF
T/LCDアレーのアドレツシング回路の模式的なブロツク
図である。 46……行のデータ入力ライン、48……アナログ・トグル
・スイツチ、50……インバータ、54……列シフト・レジ
スタ、56……ストローブ信号入力ライン、66、68、70、
104、106、108……アナログ・スイツチ、72……同期信
号入力ライン、74……ゲート駆動シフトレジスタ、78…
…行ライン、82……TFT/LCDセルのマトリツクス、84…
…列ライン、90……トランジスタ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−67836（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−119390（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−249195（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】第１方向に延びる複数のデータ・ラインの
それぞれと上記第１方向に直交する第２方向に延びる複
数のゲート・ラインのそれぞれとの各交点に液晶ディス
プレー・セルが配置され、該液晶ディスプレー・セルの
それぞれは、上記データ・ライン及び上記ゲート・ライ
ンに接続された薄膜トランジスタ及び該薄膜トランジス
タに接続されそして対向電極との間で液晶を挟む表示電
極を有し、上記ゲート・ラインのそれぞれには１フレー
ム時間の間に順次にゲート信号が印加されて該ゲート・
ラインに接続された上記液晶ディスプレー・セルの上記
薄膜トランジスタがターン・オンされて該薄膜トランジ
スタに接続された上記表示電極に、上記データ・ライン
からのデータ信号が印加される液晶ディスプレーにおけ
る、上記ゲート信号が印加されないゲート・ライン上の
液晶ディスプレー・セルの表示電極に上記データ・ライ
ン上のデータ信号の電圧が累積することを減少する方法
であって、 上記ディスプレーの標準走査ライン期間よりも短い期間
の間上記ゲート信号をターン・オンして該ゲート信号を
上記ゲート・ラインの一つに印加し、そして上記標準走
査ライン期間の残りの期間上記ゲート信号をターン・オ
フし、 上記ゲート信号のターン・オンと同時に上記データ・ラ
インにデータ信号を印加し、 上記ゲート信号が印加されないゲート・ライン上の液晶
ディスプレー・セルの表示電極に累積されている上記デ
ータ信号による電圧を打ち消す補償電圧信号を、上記ゲ
ート信号のターン・オフと同時に上記データ・ラインに
印加することを含む、上記方法。 - 【請求項２】第１方向に延びる複数のデータ・ラインの
それぞれと上記第１方向に直交する第２方向に延びるＮ
本のゲート・ラインのそれぞれとの各交点に液晶ディス
プレー・セルが配置され、該液晶ディスプレー・セルの
それぞれは、上記データ・ライン及び上記ゲート・ライ
ンに接続された薄膜トランジスタ及び該薄膜トランジス
タに接続されそして対向電極との間で液晶を挟む表示電
極を有し、上記ゲート・ラインのそれぞれには１フレー
ム期間（Ｔ）の間のT/N期間の間に順次にゲート信号が
印加されて該ゲート・ラインに接続された上記液晶ディ
スプレー・セルの上記薄膜トランジスタがターン・オン
されて該薄膜トランジスタに接続された上記表示電極
に、上記データ・ラインからのデータ信号が印加される
液晶ディスプレーにおける、上記ゲート信号が印加され
ないゲート・ライン上の液晶ディスプレー・セルの表示
電極に上記データ・ライン上のデータ信号の電圧が累積
することを減少する方法であって、 上記期間T/Nを、（０−δT/N）期間及び（δT/N−T/N）
の期間に分け（ここで、δはT/N時間の分数値であ
る）、上記（０−δT/N）期間の間上記ゲート信号をタ
ーン・オンし、そして上記（δT/N−T/N）期間の間上記
ゲート信号をターン・オフし、 上記（０−δT/N）期間に、データ信号Viを上記データ
・ラインに印加し、そして、上記ゲート信号が印加され
ないゲート・ライン上の液晶ディスプレー・セルの表示
電極に累積されている上記データ信号による電圧を打ち
消すγ（Vm−Vi）の補償電圧信号を（ここで、γは補償
電圧信号の振幅のスケーリング率であり、そしてVmはデ
ータ信号Viの変動の範囲を規定する電圧である）、上記
（δT/N−T/N）の期間に、上記データ・ラインに印加す
ることを含む、上記方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US115224 | 1987-10-30 | ||
| US07/115,224 US4845482A (en) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | Method for eliminating crosstalk in a thin film transistor/liquid crystal display |
| SG149894A SG149894G (en) | 1987-10-30 | 1994-10-17 | A method for eliminating crosstalk in a thin film transistor/liquid crystal display |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01137293A JPH01137293A (ja) | 1989-05-30 |
| JP2505864B2 true JP2505864B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=26664427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63203977A Expired - Lifetime JP2505864B2 (ja) | 1987-10-30 | 1988-08-18 | デイスプレ―のクロスト―ク減少方法と装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4845482A (ja) |
| EP (1) | EP0313876B1 (ja) |
| JP (1) | JP2505864B2 (ja) |
| DE (1) | DE3886678T2 (ja) |
| HK (1) | HK137894A (ja) |
| SG (1) | SG149894G (ja) |
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| JP2620240B2 (ja) * | 1987-06-10 | 1997-06-11 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
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-
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