JP2024533950A5 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JP2024533950A5 JP2024533950A5 JP2024504509A JP2024504509A JP2024533950A5 JP 2024533950 A5 JP2024533950 A5 JP 2024533950A5 JP 2024504509 A JP2024504509 A JP 2024504509A JP 2024504509 A JP2024504509 A JP 2024504509A JP 2024533950 A5 JP2024533950 A5 JP 2024533950A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- silicon
- silicide
- layer
- multilayer structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Applications Claiming Priority (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102021120615.4 | 2021-08-09 | ||
| DE102021120635 | 2021-08-09 | ||
| DE102021120624 | 2021-08-09 | ||
| DE102021120635.9 | 2021-08-09 | ||
| DE102021120624.3 | 2021-08-09 | ||
| DE102021120615 | 2021-08-09 | ||
| DE102021126493.6 | 2021-10-13 | ||
| DE102021126493 | 2021-10-13 | ||
| PCT/EP2022/072350 WO2023017034A1 (de) | 2021-08-09 | 2022-08-09 | Verfahren zur stabilisierung von kupferreichen silizid-phasen sowie deren verwendung in einer lithium-ionen-batterie |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024533950A JP2024533950A (ja) | 2024-09-18 |
| JP2024533950A5 true JP2024533950A5 (enExample) | 2025-08-18 |
Family
ID=83228831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024504509A Pending JP2024533950A (ja) | 2021-08-09 | 2022-08-09 | 銅リッチ・シリサイド相を安定化するための方法、及びリチウム・イオン電池における同銅リッチ・シリサイド相の使用 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20250125332A1 (enExample) |
| EP (1) | EP4385082A1 (enExample) |
| JP (1) | JP2024533950A (enExample) |
| KR (1) | KR20240042037A (enExample) |
| WO (1) | WO2023017034A1 (enExample) |
-
2022
- 2022-08-09 EP EP22765423.3A patent/EP4385082A1/de active Pending
- 2022-08-09 WO PCT/EP2022/072350 patent/WO2023017034A1/de not_active Ceased
- 2022-08-09 JP JP2024504509A patent/JP2024533950A/ja active Pending
- 2022-08-09 KR KR1020247007481A patent/KR20240042037A/ko active Pending
- 2022-08-09 US US18/682,039 patent/US20250125332A1/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9284640B2 (en) | Method of producing graphene from liquid metal | |
| JP3631392B2 (ja) | 配線膜の形成方法 | |
| CN111344807B (zh) | 具有提高的高温抗氧化性的锆合金包壳管及其制备方法 | |
| CN109136924B (zh) | 航天火工分离用石墨烯二硫化钼多层耐磨涂层及制备方法 | |
| CN101016616A (zh) | 一种纳米尺度孪晶铜薄膜的制备方法 | |
| TW201406974A (zh) | 鍍膜件及其製備方法 | |
| CN114783980B (zh) | Cu互连集成电路用多层合金扩散阻挡层及其制备方法 | |
| TW201031760A (en) | Nickel alloy sputtering target, and nickel silicide film | |
| CN108149198B (zh) | 一种wc硬质合金薄膜及其梯度层技术室温制备方法 | |
| JP2011124528A5 (ja) | 抵抗メモリの製造方法 | |
| JP2003243325A (ja) | 銅合金配線膜形成用スパッタリングターゲットおよびそのターゲットを用いて形成した熱影響を受けることの少ない銅合金配線膜 | |
| EP2865646A1 (en) | Method of producing graphene from liquid metal | |
| KR102170111B1 (ko) | 다결정 금속 필름의 비정상입자성장에 의한 단결정 금속 필름 및 그 제조방법 | |
| TWI860621B (zh) | 穩定富銅矽化物相方法及其製造的電極材料、電極與電池 | |
| KR20120001121A (ko) | 물리적 기상 증착법을 이용한 그래핀 박막의 형성방법 | |
| CN111777062A (zh) | 双层石墨烯及其制备方法 | |
| JP2003109582A (ja) | 積層帯材及びそれを用いてなる電池用積層帯材及びそれらの製造方法 | |
| JP2024533950A (ja) | 銅リッチ・シリサイド相を安定化するための方法、及びリチウム・イオン電池における同銅リッチ・シリサイド相の使用 | |
| CN112921318A (zh) | 超薄金属材料及其制备方法 | |
| TWI382102B (zh) | 具低電阻與良好接著強度之銅鍍層及其濺鍍合成方法 | |
| CN117836973A (zh) | 稳定富铜硅化物相的方法以及所述富铜硅化物相在锂离子电池中的应用 | |
| Lim et al. | Suppression of Cu agglomeration in the Cu/Ta/Si structure by capping layer | |
| JP2015203149A (ja) | 2次元六角形格子化合物製造用圧延銅箔、及び2次元六角形格子化合物の製造方法 | |
| CN113403597A (zh) | 一种Zr-B-O-N薄膜、Cu互连结构及其制备方法 | |
| JP2023535599A5 (enExample) |