JP2024514764A - 原子層堆積による粒子コーティング - Google Patents

原子層堆積による粒子コーティング Download PDF

Info

Publication number
JP2024514764A
JP2024514764A JP2023557694A JP2023557694A JP2024514764A JP 2024514764 A JP2024514764 A JP 2024514764A JP 2023557694 A JP2023557694 A JP 2023557694A JP 2023557694 A JP2023557694 A JP 2023557694A JP 2024514764 A JP2024514764 A JP 2024514764A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reactant
particles
organic solvent
groups
excess
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023557694A
Other languages
English (en)
Inventor
フーバー シュテファン
ブルクハルト フリッツ
レルフ クロード
Original Assignee
メルツ+ベンテリ アクチェンゲゼルシャフト
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by メルツ+ベンテリ アクチェンゲゼルシャフト filed Critical メルツ+ベンテリ アクチェンゲゼルシャフト
Publication of JP2024514764A publication Critical patent/JP2024514764A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4417Methods specially adapted for coating powder
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C23C18/1208Oxides, e.g. ceramics
    • C23C18/1216Metal oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/36Carbonitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/442Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using fluidised bed process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45553Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2/00Processes or devices for granulating materials, e.g. fertilisers in general; Rendering particulate materials free flowing in general, e.g. making them hydrophobic
    • B01J2/006Coating of the granules without description of the process or the device by which the granules are obtained

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
  • Glanulating (AREA)

Abstract

本発明は、原子層堆積によってコーティングされた粒子を製造するための方法であって、a)表面上に反応基を有する粒子を有機溶媒中に分散させる工程と、b)上記表面上の反応基に過剰の第1の反応物を添加する工程と、c)分散液を混合して、第1の反応物を粒子の表面上の反応基と反応させる工程と、d)過剰の第1の反応物を真空又は蒸留又は共沸蒸留によって除去する工程と、e)工程d)で得られた表面上の反応基に過剰の第2の反応物を添加する工程と、f)上記分散液を混合して、第2の反応物を上記粒子の表面上の第1の反応物と反応させる工程と、g)過剰の第2の反応物を真空又は蒸留又は共沸蒸留によって除去する工程と、を含む方法に関する。有機溶媒は、第1の反応物の沸点よりも少なくとも10℃高く、かつ第2の反応物の沸点よりも少なくとも10℃高い沸点を有し、それにより、過剰の第1の反応物及び第2の反応物を真空によって、又は蒸留によって、又は共沸蒸留によって除去することが可能である。

Description

本発明は、原子層堆積によって粒子をコーティングする方法に関する。
原子層堆積(ALD)は、高いコンフォーマル性を有する薄膜を堆積し、厚さに対して原子レベルで精密制御を行うための、確立された気相技術である。高表面積材料及び粉末上への堆積は、依然として極めて困難であることから、ALDの工業的開発は、主にウェハ及び低表面積材料に限定されてきた。
米国特許第2009155590号明細書は、原子層堆積によって粒子を被覆する方法を開示しており、当該方法は、粒子を第1の反応物の単層で実質的に完全に被覆するために、第1の反応物を含む第1の反応物ガスを使用して、流動床反応器内で上記粒子を流動化する工程を含む。
国際公開第2013171360号は、クイックカップリング法によってカートリッジをALD反応器内に受け入れ、堆積のためにカートリッジ内に流動床を形成する方法を開示している。
国際公開第2018050954号は、基板容器を有する堆積反応器が反応チャンバ内に設けられる方法を開示している。反応チャンバの外側に、又は反応チャンバ内に隔離されて、隔離された振動源がある。基板容器を上から下へ通過する前駆体流を用いた自己飽和表面反応によって、粒子がコーティングされる。
Le Monnier et al,Adv.Material 2019,31,Issue 52,1904276は、その後の化学量論量の前駆体の注入に基づく溶液相堆積プロセスを開示している。正確に測定された前駆体の化学量論は、気相原子層堆積と同じ精度での交互積層(layer-by-layer)成長を確実にする。さらに、層は、サイクルごとに成長していることから、反応性表面基の量は、最初に決定された反応性表面基の量と比べて異なっている。
したがって、本発明の課題は、高いコンフォーマル性を有する薄膜で粒子をコーティングする簡便な方法を提供することである。
この課題は、本発明に係る方法によって解決される。さらなる好ましい実施形態は、従属請求項の主題である。
図1:N-メチルピロリドン中及び1%の水を含むN-メチルピロリドン中のコーティングされていないNY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトLの蛍光スペクトル 図2:Al2O3-NY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトLの蛍光スペクトル 図3:Al2O3-NY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトLの蛍光スペクトル 図4:コーティングされていないNY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトL及び24xAl2O3-NY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトL
原子層堆積によってコーティングされた粒子を製造するための本発明に係る方法は、
a)表面上に反応基を有する粒子を有機溶媒中に分散させる工程、
b)粒子の表面上の反応基に過剰の第1の反応物を添加する工程、
c)分散液を混合して、第1の反応物を粒子の表面上の反応基と反応させる工程、
d)過剰の第1の反応物を、真空又は蒸留又は共沸蒸留によって除去する工程、
e)工程d)で得られた表面上の反応基に、過剰の第2の反応物を添加する工程、
f)上記分散液を混合して、第2の反応物を上記粒子の表面上の第1の反応物と反応させる工程、
g)過剰の第2の反応物を、真空又は蒸留又は共沸蒸留によって除去する工程、
を含み、
上記有機溶媒が、第1の反応物の沸点よりも少なくとも10℃高く、かつ第2の反応物の沸点よりも少なくとも10℃高い沸点を有し、それにより、過剰の第1の反応物及び第2の反応物を真空によって、又は蒸留によって、又は共沸蒸留によって除去することが可能であることを特徴とする。
本発明に係る方法によると、過剰の第1の反応物と過剰の第2の反応物との両方を、真空によって、又は蒸留によって、又は共沸蒸留によって、好ましくは真空によって容易に除去することができ、これは交互積層で粒子をコーティングするための迅速で、費用効率が高く、精密なプロセスを可能にする。有機溶媒の存在は、分散された粒子の堆積を大いに促進し、大規模な混合又は流動化を行うことなく粒子を効果的に分布することを可能にする。さらに、有機溶媒は、薄いコーティングを必要とする膨大な量の市販製品のために、ALDによってコーティングされた粒子を製造することを可能にする。さらに、非常に高い多孔性を有する粒子をコーティングすることが可能である。驚くべきことに、構造は崩壊せず、開始モルホロジーを模倣する。
本発明に係る方法によって得られる粒子は、コンフォーマルコーティングを有する。「コンフォーマル」とは、コーティングの厚さが粒子の表面全体にわたって比較的均一であり、その結果、コーティングされた粒子の表面形状がコーティングされていない粒子の表面形状に非常に似ていることを意味する。さらに、極薄のコンフォーマルコーティングを得ることが可能である。「極薄」とは、コーティングの厚さが約100nm以下、より好ましくは0.1~50nm、さらにより好ましくは0.5~35nm、最も好ましくは1~10nmであることを意味する。コンフォーマルコーティングは、本発明に係るコーティングの厚さに応じて、多孔性粒子の孔径を減少させるため、又は孔を完全に塞ぐために使用されてもよい。
本発明の文脈において、「表面」という用語は、反応空間と基板の特徴部(feature)との間の境界を示すために使用される。
「粒子の表面上の反応基」という用語は、別の化学基と反応して共有結合を形成することができる基、すなわち、適切な反応条件下で共有結合反応性である基を指す。
「反応物」という用語は、粒子の表面上の反応基、又は前の繰り返しサイクルの工程g)後に得られた生成物若しくはその時点の繰り返しサイクルの工程d)後に得られた生成物の反応基と反応することができる化合物を表す。粒子の表面上の反応基と第1の反応物との間の反応、又は粒子の表面に結合した第1の反応物と第2の反応物との間の反応は、自己制限的であり、すなわち、1つの反応工程につき2層以上の原子単層を堆積させることは不可能である。
「薄膜」という用語は、反応物によって形成される元素又は化合物から形成される膜を意味する。膜の厚さは、用途に応じて決まり、広い範囲で、好ましくは約1原子層~1000nmで変動し得る。
工程a)では、表面に反応基を有する粒子を有機溶媒中に分散させる。分散は、超音波浴、超音波プローブ又は超音波ホモジナイザー、高圧ホモジナイザー、撹拌ビーズミル、衝突ジェットミル及びローター-ステーター-ミキサーを使用することによって促進することができる。加えて、上記工程は、室温又はそれ以上の温度、例えば有機溶媒の沸点に近い温度で行うことができる。粒子は、有機溶媒中に分散させる前に乾燥させることができ、又は分散液を加熱し、真空を適用することによって乾燥させることができる。
工程b)では、第1の反応物を分散液に添加する。溶媒中での第1の反応物の良好な溶解を確実とするために、温度は、有機溶媒の沸点未満、好ましくは沸点より少なくとも10℃低く、最も好ましくは沸点より少なくとも20℃低いことが望ましい。
工程c)では、第1の反応物を、混合しながら、粒子の表面上の反応基と反応させる。混合は、例えば、撹拌又は振盪によって実施できる。温度は、第1の反応物と粒子上の全てのアクセス可能な表面基との実質的に完全な反応を確実とするために、十分に高く、好ましくは80℃を超えることが望ましい。
工程d)では、過剰の第1の反応物を、真空若しくは蒸留を適用することによって、又は共沸蒸留によって、好ましくは真空によって、除去する。第1の反応物の沸点が有機溶媒の沸点よりも低いことから、第1の反応物を選択的に除去することができる。真空の圧力は、好ましくは5mbar未満、最も好ましくは1mbar未満である。
工程e)では、第2の反応物を分散液に添加する。溶媒中での第2の反応物の良好な溶解を確実とするために、温度は、有機溶媒の沸点未満、好ましくは沸点より少なくとも10℃低く、最も好ましくは沸点より少なくとも20℃低いことが望ましい。
工程f)では、第2の反応物を、混合しながら、粒子の表面に結合した第1の反応物の遊離反応基と反応させる。温度は、第2の反応物と粒子の表面に結合した第1の反応物との実質的に完全な反応を確実とするために、十分に高く、好ましくは80℃を超えることが望ましい。
工程g)では、過剰の第2の反応物を、真空若しくは蒸留を適用することによって、又は共沸蒸留によって、好ましくは真空によって、除去する。第2の反応物の沸点が有機溶媒の沸点よりも低いことから、第2の反応物を選択的に除去することができる。真空の圧力は、好ましくは5mbar未満、最も好ましくは1mbar未満である。
共沸蒸留は、少量の溶媒の損失をもたらし得るが、反応物を完全に除去することができる。したがって、共沸混合物の形成は、コーティングされた粒子に悪影響を及ぼさない。
好ましくは、温度は、繰り返しサイクルb)~g)の全ての工程について一定である。好ましくは、本発明に係る方法の工程b)~g)は、繰り返しサイクルとも呼ばれ、1~100回、好ましくは10~50回繰り返される。しかしながら、工程c)において、反応物は、前の繰り返しサイクルの工程f)で得られた第2の反応物の基と反応する。繰り返しサイクルは、好ましくは、所望の厚さの薄膜が成長するまで繰り返される。各サイクルは、堆積プロセスにおいて同一であってもよい。
以下の反応スキームにおいて、粒子の表面上の反応基は、ヒドロキシル基であり、これは、第1サイクルの工程c)において第1の反応物としてのトリメチルアルミニウムと反応し、工程d)において過剰のトリメチルアルミニウムが除去された後、続いて工程f)において第2の反応物としての水と反応する。このようにして得られた生成物は、工程g)において過剰の水が除去される。第2の繰り返しサイクルにおいて、過剰の水の除去後に得られる生成物のヒドロキシル基(すなわち、粒子-O-Al-OHの-OH)は、第2の繰り返しサイクルの工程b)において添加された第1の反応物(すなわち、トリメチルアルミニウム)と反応し、第2の繰り返しサイクルの工程c)~g)へと続く。
本発明に係る方法を用いて、二元、三元又はより複雑な材料を堆積させることが可能である。したがって、追加の相をサイクルに加えて、所望の組成を有する薄膜を生成することができる。このような、より複雑な材料は、例えば、1回又は数回の繰り返しサイクルにおいて、第1の反応物及び/又は第2の反応物を第3の反応物及び/又は第4の反応物に置き換えることによって得ることができる。したがって、いくつかの実施形態では、繰り返しサイクルの性質が変動し得る。例えば、堆積プロセスにおけるいくつかのサイクルは、ゲッター剤の提供を含んでもよい。別の例では、より複雑な材料を製造するために、第1の金属炭窒化物を堆積させるためのサイクルを、第2の金属炭窒化物を堆積させるためのサイクルと組み合わせることができる。別の実施形態では、第1の反応物を、例えば、トリメチルアルミニウムのようなアルミニウム含有反応物から四塩化チタンのようなチタン含有反応物に交互に変更して、酸化アルミニウム/酸化チタン混合酸化物層を形成することができる。
例えば、堆積された膜を還元するため、又は膜にさらなる種を組み込むために、本発明に係る方法の間に追加の反応物を含めることもできる。いくつかの実施形態では、追加の反応物は還元剤であり得る。還元剤は、例えば、膜及び/又は基板中のハロゲン原子又は酸化材料(例えば、酸素原子)などの不純物を除去するために使用できる。
好ましくは、コーティングされる粒子を分散させるために使用される有機溶媒は、ポリ-α-オレフィン、全フッ素化ポリエーテル、ポリジメチルシロキサン、ジメチルシロキサンアルキレンオキシドブロックコポリマー、ジアルキルエーテル末端ポリエーテル、100℃を超える沸点を有するエーテル、及び一般式(I)の有機溶媒
又はこれらの混合物からなる群から選択され、
式中、
及びRは、互いに独立して、1~6個の炭素原子を有する直鎖若しくは分岐鎖、飽和若しくは不飽和、置換若しくは非置換のアルキル、又は非置換若しくは置換アリール残基であり、
、R’、R及びR’は、互いに独立して、水素、フルオロ、クロロ、1~6個の炭素原子を有する直鎖若しくは分岐鎖、飽和若しくは不飽和、置換若しくは非置換のアルキル、又は非置換若しくは置換アリール残基であり、
nは、1~1000である。
「置換」という用語は、残基の1個又は数個の水素が、例えばクロロ又はフルオロによって置き換えられていることを意味する。本発明の1つの好ましい実施形態において、式(I)の溶媒は、部分的に又は完全にフッ素化されている。
ポリ-α-オレフィンは、好ましくは、ポリ(1-ヘキセン)、ポリ(1-ヘプテン)、ポリ(1-オクテン)、ポリ(1-ノネン)、ポリ(1-デセン)、ポリ(1-ウンデセン)、ポリ(1-ドデセン)、ポリ(1-トリデセン)及びポリ(1-テトラデセン)並びにこれらのコポリマーからなる群から選択される。
全フッ素化ポリエーテルは、好ましくは、全フッ素化ポリ(エチレングリコール)、全フッ素化ポリ(プロピレングリコール)、全フッ素化ポリ(ブチレングリコール)、及びこれらのコポリマーからなる群から選択される。
特に良好な結果は、有機溶媒が、ポリ-α-オレフィンとジアルキルエーテル末端ポリエーテルとの混合物であり、好ましくは1:0.0001~1:1の重量比、最も好ましくは1:0.001~1:1の重量比、理想的には1:0.0001~1:0.01の重量比である場合に得ることができる。
ジアルキルエーテル末端ポリエーテルは、好ましくは、ポリ(エチレングリコール)ジメチルエーテル、ポリ(エチレングリコール)ジエチルエーテル、ポリ(エチレングリコール)ジプロピルエーテル、ポリ(エチレングリコール)ジブチルエーテル、ポリ(プロピレングリコール)ジメチルエーテル、ポリ(プロピレングリコール)ジエチルエーテル、ポリ(プロピレングリコール)ジプロピルエーテル、ポリ(プロピレングリコール)ジブチルエーテル、ポリ(ブチレングリコール)ジメチルエーテル、ポリ(ブチレングリコール)ジエチルエーテル、ポリ(ブチレングリコール)ジプロピルエーテル、及びポリ(ブチレングリコール)ジブチルエーテル、又はこれらのコポリマーからなる群から選択される。
ジメチルシロキサンアルキレンオキシドブロックコポリマーは、好ましくは、ジメチルシロキサンエチレンオキシドブロックコポリマー及びジメチルシロキサンプロピレンオキシドブロックコポリマーからなる群から選択される。
式(I)の有機溶媒において、R及びRは、互いに独立して、好ましくはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、イソプロピル、イソブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、フェニル、-p-トシル、-o-トシル及び-m-トシルからなる群から選択され、R、R’、R及びR’は、互いに独立して、好ましくは水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、イソプロピル、イソブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、フェニル、p-トシル、o-トシル、及び-m-トシルからなる群から選択される。
高沸点エーテル、すなわち100℃を超える沸点を有するエーテルは、好ましくはジベンジルエーテル、ジフェニルエーテル、ジトシルエーテル、ジオクチルエーテル、ジノニルエーテル、ジデシルエーテル、ジウンデシルエーテル、ジドデシルエーテル、ジトリデシルエーテル、及びジテトラデシルエーテルからなる群から選択される。
最適な有機溶媒の選択は、コーティングされる粒子の物理化学的特性、上記粒子中に含有される成分、反応物の沸点、すなわち、第1の反応物、第2の反応物、及び存在する場合には全てのさらなる反応物の沸点に依存する。前述したように、反応物と溶媒との沸点の差は、少なくとも10℃、好ましくは20℃超でなければならない。有機溶媒は、コーティングサイクルで使用される全ての反応物に対して不活性でなければならない。これは、有機溶媒が、反応物の1つと反応し得る基を有してはならないことを意味する。
最も好ましくは、有機溶媒は、全フッ素化ポリエーテル及びポリ-αオレフィンからなる群から選択される。
好ましくは、有機溶媒は、第1及び/又は第2の反応物の沸点と有機溶媒との間の差が十分に大きいことを確実とするために、1barの常圧で120℃より高い、好ましくは180℃より高い沸点を有する。
第1の反応物は、好ましくは、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、塩化チタン、塩化タンタル、塩化ハフニウム、ジエチル亜鉛、四塩化ケイ素、トリジメチルアミノシリコン、テトラキス(ジメチルアミド)チタン、テトラキス(エチルメチルアミド)ジルコニウム、及び(メチルシクロペンタジエニル)トリメチル白金からなる群から選択される。
第2の反応物は、好ましくは、水、オゾン、有機過酸化物、有機過酸、アルコール、好ましくは、メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、2-ブタノール、tert-ブタノール及び1-ブタノールからなる群から選択されるアルコール、エチレングリコールのようなジオール、並びにアンモニアからなる群から選択される。
本発明に係る方法であって、第1の反応物がトリメチルアルミニウムであり、第2の反応物が水である方法を用いて、非常に良好な結果を得ることができる。
本発明の一実施形態において、粒子は、BET(Brunauer-Emmett-Teller理論)により測定された表面積が、1m/g超、好ましくは5m/g超、最も好ましくは10m/g超である。本発明に係る方法は、最新技術による方法で使用しなければならなかった高価な反応チャンバ又は長い曝露時間を用いることなく、そのような粒子をコーティングすることを可能にする。
粒子の表面上の反応基は、好ましくは、ヒドロキシル基、ビシナル、ジェミナル又は単離シラノール、表面シロキサン(-Si-O-Si-O-)、アミノ基、(メタ)アクリル基、アルケニル基、アリール基、メルカプト基及びエポキシ基からなる群から選択される。上記反応基は、第1の反応物との選択的かつ迅速な反応を可能にする。最も好ましくは、反応基はヒドロキシル基である。
粒子のコーティングは、例えば、粒子中に含有される成分の安定性を増加させるために、保護層として、粒子の表面を活性化するために、又は粒子の表面を不動態化するために、又は多孔性粒子の細孔サイズを減少させるために、使用され得る。
コーティングされる粒子は、その用途に応じて、好ましくは、ゼオライト、結晶性ナノ粒子、非結晶性ナノ粒子、約100nm未満の細孔径を有するナノ多孔性粒子、2nm未満の細孔径を有するマイクロ多孔性粒子、2~50nmの細孔径を有するメソ多孔性粒子、50nm超の細孔径を有するマクロ多孔性粒子、又は概して、量子ドット、ナノチューブ、バッキーボール、ナノロッド、ナノホーン、薬物提供粒子、ナノファイバー、金属酸化物粒子、金属粒子、炭化物粒子、及び窒化物粒子からなる群から選択される。コーティングされる粒子は、1つ又は数種のタイプのゲスト分子を含んでもよく、又は受容してもよい。ゲスト分子は、色素又は薬剤などの、任意の種類の電荷を帯びていない又は電荷を帯びた有機又は無機分子であることができる。好ましくは、ゲスト分子は電荷を帯びていても電荷を帯びていなくてもよい有機ゲスト分子である。ゲスト分子は、天然物(例えば植物源由来)でも合成物でもよい。
本発明の好ましい一実施形態において、コーティングされる粒子は、ゼオライト粒子、好ましくはゼオライトL(Linde type L)粒子である。ストレートスルーチャネル(straight through channel)を有するゼオライトL結晶は、分子、複合体、クラスター、及び量子サイズ粒子の超分子組織化のためのホストとして機能し得る。ゼオライト粒子は、その表面特性及び高い多孔性により、コーティングが特に困難である。しかしながら、本発明に係る方法を適用した場合、コーティングでゼオライトLホスト-ゲスト材料をコーティングすることが可能である。好ましくは、コーティングは、不動態化コーティング、バリアコーティング、又は触媒活性金属(パラジウム、白金、コバルト、亜鉛、マグネシウム、タングステンなど)を有するコーティングである。本発明に係る方法によって得られるゼオライトLホスト-ゲスト材料は、レンズ、眼鏡、特殊ミラー、フィルター、偏光子、グリッド、光学ストレージ、モニター、窓ガラス、フロートガラスなどの光学デバイスを開発するため、又は反射防止特性若しくは光波長変換のための有機及び無機表面をコーティングするため、あるいは蛍光若しくは非蛍光顔料、ルミネセンスコンセントレータ(luminescence concentrator)又はルミネセンスディスパーサ(luminescence disperser)のために使用することができる。
ゼオライトLのチャネル中のゲスト分子として有機UV吸収剤、好ましくはベンゾフェノン、オキサラニリド、ベンゾトリアゾール又はトリアジンの部類のUV吸収剤を使用して、非常に安定なUV吸収ホスト-ゲスト材料を調製することができる。この種の材料は、プラスチック、接着剤、シーラント、又は化粧品やサンクリームなどのパーソナルケア製品において、UV安定剤として使用することができる。
本発明のさらに好ましい実施形態において、コーティングされる粒子は、CdSe、CdTeなどの蛍光量子ドットである。量子ドットの蛍光量子収率は、非放射性表面再結合経路によって著しく低下し得る。これらの量子ドットをアルミナ又はシリカのような高バンドギャップ材料の不動態化層でコーティングすると、量子収率を大幅に増進できる。
本発明のさらに好ましい実施形態において、コーティングされる粒子は、AlN、BN及びSi粒子などの窒化物粒子である。上記粒子は、好ましくはシリカ又はアルミナでコーティングされている。コーティングされた窒化物粒子は、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂、特にエレクトロニクスパッケージング用途で使用されるようなエポキシ樹脂に対する充填剤として有用である。
本発明のさらに好ましい実施形態において、コーティングされる粒子は、酸化物ガラス又は金属でコーティングされた炭化タングステン、炭化ホウ素及び炭化チタン粒子などの炭化物粒子である。好適な酸化物ガラスは、好ましくは酸化イットリウム、アルミナ又はこれらの混合物である。金属は、コバルト、タングステン又はニッケルアルミナイドなどの、サーメット部品中の焼結助剤又は金属相として機能することができる任意のものである。具体的な組み合わせの例は、酸化イットリウムでコーティングされた炭化タングステン、コバルトでコーティングされた炭化タングステン、アルミニウム金属でコーティングされた炭化ホウ素、及びニッケルアルミナイドでコーティングされた炭化チタンである。これらの粒子は、セラミック又はサーメット部品を製造するのに有用である。粒子は、非常に小さい粒子(すなわち、100m/g以上の表面積を有する)であり得る。
本発明のさらに好ましい実施形態では、コーティングされる粒子は、アルミナ、シリカ又は酸化イットリウムなどの酸化物コーティング、AlN、BN又はSiなどの窒化物コーティング、又は硫化ガリウムなどの硫化物コーティングでコーティングされた金属粒子である。上記のコーティングが酸化環境から金属粒子を絶縁することができることから、容易に酸化する金属は、特に興味深い。これらのコーティングされた金属粒子は、様々な用途において充填剤として使用することができる。特に興味深い例は、シリカ又はIR放射に対して透過性である他の材料でコーティングされた鉄粒子である。さらに、焼結助剤でコーティングされ、サーメット用途において金属相として有用な金属が特に興味深い。
空気に曝されると容易に酸化される金属又はセラミック材料のナノサイズ粒子は、本発明の方法に従って、粒子を酸化から保護する層でコーティングすることができる。具体例は、鉄及び非酸化物セラミック材料、例えば炭化チタン、炭化ホウ素、炭化ケイ素、炭化タングステン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素又は窒化ケイ素の粒子であり、これらは例えばシリカ又はアルミナでコーティングされている。
本発明に係る方法は、複雑な構造を有する粒子の設計及び製造を可能にする。一次粒子は、結晶性及び非結晶性ナノ粒子、マイクロ多孔性粒子、メソ多孔性粒子、マクロ多孔性粒子及びナノ多孔性粒子、量子ドット、ナノチューブ、バッキーボール、ナノホーン、ナノファイバー及びナノロッドを含む。膜厚は、異なる用途に対して変化でき、サブナノメートルから数十ナノメートルの範囲であり得る。膜は、粒子表面の官能基化及び所与の堆積化学に必要な核形成に応じて、均一であることも不均一であることもできる。コーティングは、ベース粒子の性質と、意図される用途とに応じて、様々な機能を果たし得る。
本発明に係る方法を使用して、薬物の風味又は匂いをマスクするため、薬物粉塵の発生を防止することによって薬物の安全性を確保するため、薬物を光、水及び酸素から保護することによって薬物の安定性を改善するため、並びに腸内での溶解性又は制御放出効果を付与することによって薬物の効力又は安定性を改善するために、耐熱性薬物を含む粒子をコーティングすることができる。原則として、酸化物コーティング、窒化物コーティング又は硫化物コーティングなどのあらゆる種類のコーティングを、薬物含有粒子に適用することができる。医薬製剤は、動物又はヒトへの適用専用であることから、コーティングの選択において毒物学的考察を考慮に入れなければならない。この観点から、酸化物コーティング、特に金属酸化物コーティングが好ましい。
色素担持ゼオライトL結晶の合成
市販のゼオライトL(HSZ-500KOA,TOSOH Corporation)を全ての実験に使用した(P.Cao,O.Khorev,A.Devaux,L.Sagesser,A.Kunzmann,A.Ecker,R.Haner,D.Bruhwiler,G.Calzaferri,P.Belser,ChemEur.J.2016,22,4046-4060)。ゼオライトLチャネル内の電荷補償カチオンの組成が明確に規定されるように、3gのHSZ-500KOAゼオライトLを30mLの0.5M KNO(Sigma-Aldrich)脱イオン水溶液に懸濁させ、室温で3時間撹拌した。懸濁液を遠心分離し、脱イオン水で2回洗浄し、上澄みを排出した。市販のゼオライトLに存在する可能性のあるアモルファス不純物は、上澄みと共に排出された。
チャネルに挿入されたいくつかの色素は酸性pHの影響を受けやすい場合があるため、Kイオンの一部を1-エチル-3-メチルイミダゾリウム(IMZ+)とさらに交換して、チャネル内のpHを制御した。
2gのK交換ゼオライトL HSZ-500KOAを、3.6mLの1-エチル-3-メチルイミダゾリウムブロミド溶液(Sigma-Aldrich)(脱イオン水中0.1M)及び20mLの脱イオン水に懸濁した。懸濁液を超音波浴で均質化し、還流下、80℃で16時間撹拌した。その後、懸濁液を遠心分離し、上澄みを排出し、K/IMZ+-ゼオライトLを乾燥させた。
2gのK+/IMZ+ゼオライトLを、1.2mgのHostasol Red GG(Clariantから入手、14H-アントラ[2,1,9-mna]チオキサンテン-14-オン、HR)及び34mgのNeeliglow Yellow 43(Neelikonから入手、N-ブチル-4-(ブチルアミノ)-1,8-ナフタレンジカルボイミド、NY43)と混合し、メノウ乳鉢で微粉末に粉砕した。粉末をエタノール中に懸濁させ、超音波浴で均質化した。エタノールを減圧下で除去し、粉末を、テフロン(登録商標)バルブを備えたシュレンクフラスコに入れた。粉末を150℃で2時間真空乾燥させ、冷却後、フラスコを窒素でフラッシュした。15mLのデカメチルシクロペンタシロキサン(D5)(BRB International b.v.製のCM-50hp)を窒素雰囲気下で添加し、懸濁液を超音波浴で均質化した。懸濁液を窒素下で200℃に1時間加熱した。冷却後、混合物を遠心分離し、30mLのジクロロメタンで1回洗浄して、チャネルの内側ではなくゼオライトLの外表面上に吸着された分子を除去した。上清のUV-VIS分光分析は、Hostasol Red GG及びNeeliglow Yellow 43のゼオライトLのチャネルへの挿入効率が99%であることを示した。粉末を80℃の真空オーブン内で乾燥させて、NY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトLを粉末として得た。
AlによるNY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトLのコーティング
実施例1:
1.9gのNY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトL粉末を、三つ口丸底フラスコ内で、真空下、180℃で1時間乾燥させた。室温まで冷却した後、25mLの全フッ素化ポリエーテル(Fomblin Y 14/6)を添加し、Sonopuls超音波ホモジナイザーを使用して粉末を分散させた。分散液を180℃に加熱し、真空中で30分間脱気し、反応フラスコを乾燥窒素でフラッシュし、コーティングサイクルを開始した。
コーティングサイクル:200μLのトリメチルアルミニウム(TMA、2Mトルエン溶液)を、シリンジを用いてセプタムを介して添加した。分散液を、窒素下、180℃で撹拌して、TMAをゼオライト粉末の表面ヒドロキシル基と反応させた。10分後、未反応のTMAを真空によって分散液から除去した。10分後、気泡はもはや観察されず、反応フラスコを乾燥窒素でフラッシュし、20μLの水を、シリンジを用いてセプタムを介して添加した。分散液を、窒素下、180℃で撹拌して、表面結合したTMAを水で加水分解し、Al-OH表面基を得た。10分後、過剰の水を10分間の真空によって分散液から除去し、反応フラスコを乾燥窒素でフラッシュし、コーティングサイクルを再び最初から開始した。
TMAの添加から始まるサイクル全体を24回繰り返した。
分散液を遠心分離によって分離し、粉末をデカフルオロペンタンで2回洗浄し、遠心分離して、全ての全フッ素化ポリエーテルを除去した。粉末を真空乾燥させて、24xAl2O3-NY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトLを得た。
実施例2:
1.9gのNY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトL粉末を、三つ口丸底フラスコ内で、真空下、180℃で1時間乾燥させた。室温まで冷却した後、25mLのポリ(1-デセン)(40℃で50cStの粘度)を添加し、Sonopuls超音波ホモジナイザーを使用して粉末を分散させた。分散液を180℃に加熱し、真空中で30分間脱気し、反応フラスコを乾燥窒素でフラッシュし、コーティングサイクルを開始した。
コーティングサイクル:200μLのトリメチルアルミニウム(TMA、2Mトルエン溶液)を、シリンジを用いてセプタムを介して添加した。分散液を、窒素下、180℃で撹拌して、TMAをゼオライト粉末の表面ヒドロキシル基と反応させた。10分後、未反応のTMAを真空によって分散液から除去した。10分後、気泡はもはや観察されず、反応フラスコを乾燥窒素でフラッシュし、20μLの水を、シリンジを用いてセプタムを介して添加した。分散液を、窒素下、180℃で撹拌して、表面結合したTMAを水で加水分解し、Al-OH表面基を得た。10分後、過剰の水を10分間の真空によって分散液から除去し、反応フラスコを乾燥窒素でフラッシュし、コーティングサイクルを再び最初から開始した。
TMAの添加から始まるサイクル全体を24回繰り返した。
分散液を遠心分離によって分離し、粉末をジクロロメタンで2回洗浄し、遠心分離して、全てのポリ(1-デセン)を除去した。粉末を真空中で乾燥させて、24xAl-NY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトLを得た。
結果
Hostasol Red GGは、ソルバトクロミック蛍光を示す。蛍光安定性は、1400W/m2の全強度を有する光源としてキセノンランプを使用して測定した。
図1に示されるように、ゼオライトL結晶のチャネル内のHostasol Red GG色素の蛍光は、水分子がチャネル内に存在する場合、色素の周囲の極性の変化により、赤色にシフトする(図1:N-メチルピロリドン中(実線)及び1%の水を含むN-メチルピロリドン中(点線)のコーティングされていないNY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトLの蛍光スペクトル)。
コーティングサイクルの数が増えると、ゼオライトLのチャネルは、より一層塞がれるようになる。NMP中と1%の水を含むNMP中との蛍光の差は、水分子のチャネルへの侵入が妨げられるにつれて小さくなる。図2は、Al-NY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトLの蛍光スペクトルを、7回の繰り返しサイクル後のNMP中(実線)、及び1%の水を含むNMP中(点線)について示し、図3は、Al-NY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトLの蛍光スペクトルを、24回の繰り返しサイクル後のNMP中(実線)、及び1%の水を含むNMP中(点線)について示す。
図4(コーティングされていないNY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトL(実線)及び24xAl-NY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトL(点線))に示されるように、コーティングされたNY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトLのPMMAのフィルム中での蛍光安定性は、コーティングされていない材料よりもはるかに高い。
実施例3:
ゼオライトL結晶のコーティングは、0.1体積%のポリ(エチレングリコール)ジメチルエーテル(Mn=500g/mol、DMPEG-500)を分散助剤としてポリ(1-デセン)に添加したことを除いて、実施例2と同じ方法で実施した。
DMPEG-500の添加は、ポリ(1-デセン)中のゼオライト結晶の分散を安定化し、より均質なコーティングを与える。ゼオライトLをポリ(1-デセン)中に分散させると、24時間後に結晶の強い沈降が観察される。0.1体積%のDMPEG-500を添加すると、分散液は24時間超の間、安定を維持する。
図1に示されるように、ゼオライトL結晶のチャネル内のHostasol Red GG色素の蛍光は、水分子がチャネル内に存在する場合、色素の周囲の極性の変化により、赤色にシフトする(図1:N-メチルピロリドン中(黒色線)及び1%の水を含むN-メチルピロリドン中(灰色線)のコーティングされていないNY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトLの蛍光スペクトル)。
コーティングサイクルの数が増えると、ゼオライトLのチャネルは、より一層塞がれるようになる。NMP中と1%の水を含むNMP中との蛍光の差は、水分子のチャネルへの侵入が妨げられるにつれて小さくなる。図2は、Al-NY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトLの蛍光スペクトルを、7回の繰り返しサイクル後のNMP中(黒色線)、及び1%の水を含むNMP中(灰色線)について示し、図3は、Al-NY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトLの蛍光スペクトルを、24回の繰り返しサイクル後のNMP中(黒色線)、及び1%の水を含むNMP中(灰色線)について示す。
図4(コーティングされていないNY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトL(黒色線)及び24xAl-NY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトL(灰色線))に示されるように、コーティングされたNY43-HR-K+/IMZ+ゼオライトLのPMMAのフィルム中での蛍光安定性は、コーティングされていない材料よりもはるかに高い。

Claims (16)

  1. 原子層堆積によってコーティングされた粒子を製造する方法であって、
    a)粒子表面上に反応基を有する粒子を有機溶媒中に分散させる工程と、
    b)前記粒子の前記表面上の前記反応基に過剰の第1の反応物を添加する工程と、
    c)前記分散液を混合して、前記第1の反応物を前記粒子の前記表面上の前記反応基と反応させる工程と、
    d)前記過剰の前記第1の反応物を、真空又は蒸留又は共沸蒸留によって除去する工程と、
    e)工程d)で得られた前記表面上の前記反応基に過剰の第2の反応物を添加する工程と、
    f)前記分散液を混合して、前記第2の反応物を前記粒子の前記表面上の前記第1の反応物と反応させる工程と、
    g)前記過剰の前記第2の反応物を、真空又は蒸留又は共沸蒸留によって除去する工程と、
    を含み、
    前記有機溶媒は、前記第1の反応物の沸点よりも少なくとも10℃高く、かつ前記第2の反応物の沸点よりも少なくとも10℃高い沸点を有し、それにより、前記過剰の前記第1の反応物及び前記第2の反応物を真空によって、又は蒸留によって、又は共沸蒸留によって除去することが可能であることを特徴とする、
    方法。
  2. 前記第1の反応物及び前記第2の反応物が、真空によって除去される、請求項1に記載の方法。
  3. 工程b)~g)が、1~100回、好ましくは10~50回繰り返され、工程c)において、前記第1の反応物が、前の繰り返しサイクルの工程g)後に得られた生成物の反応基と反応する、請求項1又は2に記載の方法。
  4. 1回又は複数回の繰り返しサイクルにおいて、前記第1の反応物及び/又は前記第2の反応物が、第3の反応物及び/又は第4の反応物によって置き換えられる、請求項3に記載の方法。
  5. 前記有機溶媒が、ポリ-α-オレフィン、ポリジメチルシロキサン、ジメチルシロキサンアルキレンオキシドブロックコポリマー、ジアルキルエーテル末端ポリエーテル、100℃を超える沸点を有するエーテル、及び一般式(I)の有機溶媒
    又はこれらの混合物からなる群から選択され、
    式中、
    及びRは、互いに独立して、1~6個の炭素原子を有する直鎖若しくは分岐鎖、飽和若しくは不飽和、置換若しくは非置換のアルキル、又は非置換若しくは置換アリール残基であり、
    、R’、R及びR’は、互いに独立して、水素、フルオロ、クロロ、1~6個の炭素原子を有する直鎖若しくは分岐鎖、飽和若しくは不飽和、置換若しくは非置換のアルキル、又は非置換若しくは置換アリール残基であり、
    nは、1~1000であることを特徴とする、
    請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。
  6. 前記一般式(I)の前記有機溶媒が、部分的に又は完全にフッ素化されており、好ましくは全フッ素化ポリエーテルであることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
  7. 前記有機溶媒が、全フッ素化ポリエーテル及びポリ-α-オレフィンからなる群から選択されることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
  8. 前記有機溶媒が、ポリ-α-オレフィンとジアルキルエーテル末端ポリエーテルとの混合物であり、好ましくは1:0.0001~1:1の重量比、最も好ましくは1:0.001~1:1の重量比、理想的には1:0.001~1:0.01の重量比である、請求項5に記載の方法。
  9. 前記有機溶媒が、1barの常圧で120℃より高い、好ましくは180℃より高い沸点を有する、請求項1~8のいずれか一項に記載の方法。
  10. 前記第1の反応物が、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、塩化チタン、ジエチル亜鉛、塩化タンタル、塩化ハフニウム、四塩化ケイ素、トリジメチルアミノシリコン、テトラキス(ジメチルアミド)チタン、テトラキス(エチルメチルアミド)ジルコニウム、及び(メチルシクロペンタジエニル)トリメチル白金からなる群から選択される、請求項1~9のいずれか一項に記載の方法。
  11. 前記第2の反応物が、水、オゾン、有機過酸化物、有機過酸、アルコール、好ましくはメタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、2-ブタノール、tert-ブタノール及び1-ブタノールからなる群から選択されるアルコール、ジオール、好ましくはエチレングリコール、並びにアンモニアからなる群から選択される、請求項1~10のいずれか一項に記載の方法。
  12. 前記第1の反応物がトリメチルアルミニウムであり、前記第2の反応物が水である、請求項1~11のいずれか一項に記載の方法。
  13. 前記粒子が、BETにより測定された表面積が1m/g超、好ましくは5m/g超、最も好ましくは10m/g超であることを特徴とする、請求項1~12のいずれか一項に記載の方法。
  14. 前記粒子の前記反応基が、ヒドロキシル基、ビシナル、ジェミナル又は単離シラノール、表面シロキサン、アミノ基、(メタ)アクリル基、アルケニル基、アリール基、メルカプト基及びエポキシ基からなる群から選択される、請求項1~13のいずれか一項に記載の方法。
  15. 前記粒子が、ゼオライト、結晶性ナノ粒子、非結晶性ナノ粒子、ナノ多孔性粒子、マイクロ多孔性粒子、メソ多孔性粒子、マクロ多孔性粒子、並びに量子ドット、ナノチューブ、バッキーボール、ナノロッド、ナノホーン、薬物提供粒子、ナノファイバー、金属酸化物粒子、金属粒子、炭化物粒子、及び窒化物粒子からなる群から選択されることを特徴とする、請求項1~14のいずれか一項に記載の方法。
  16. 前記粒子が、ゼオライト粒子、好ましくはゼオライトL(Linde type L)粒子であることを特徴とする、請求項1~15のいずれか一項に記載の方法。
JP2023557694A 2021-03-22 2022-03-17 原子層堆積による粒子コーティング Pending JP2024514764A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP21164112.1 2021-03-22
EP21164112 2021-03-22
PCT/EP2022/057064 WO2022200184A1 (en) 2021-03-22 2022-03-17 Particle coating by atomic layer deposition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2024514764A true JP2024514764A (ja) 2024-04-03

Family

ID=75173037

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023557694A Pending JP2024514764A (ja) 2021-03-22 2022-03-17 原子層堆積による粒子コーティング

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20240183031A1 (ja)
EP (1) EP4314381A1 (ja)
JP (1) JP2024514764A (ja)
KR (1) KR20230158654A (ja)
CN (1) CN117043389A (ja)
WO (1) WO2022200184A1 (ja)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8993051B2 (en) 2007-12-12 2015-03-31 Technische Universiteit Delft Method for covering particles, especially a battery electrode material particles, and particles obtained with such method and a battery comprising such particle
WO2013171360A1 (en) 2012-05-14 2013-11-21 Picosun Oy Powder particle coating using atomic layer deposition cartridge
US11261526B2 (en) 2016-09-16 2022-03-01 Picosun Oy Particle coating

Also Published As

Publication number Publication date
EP4314381A1 (en) 2024-02-07
WO2022200184A1 (en) 2022-09-29
CN117043389A (zh) 2023-11-10
KR20230158654A (ko) 2023-11-21
US20240183031A1 (en) 2024-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100804002B1 (ko) Zr/Hf 규산염막의 CVD 증착을 위한 조성물 및 방법
CN103930431B (zh) 新型第4b族金属有机化合物及其制备
TWI390070B (zh) β-二亞胺配位子來源及其含金屬之化合物與包含彼等之系統與方法
TWI454589B (zh) 用於含金屬膜的第4族金屬前驅物
TWI444497B (zh) 用於沉積含金屬膜的金屬-烯醇化物前驅物
KR101787204B1 (ko) 원자층 증착용(ald) 유기금속 전구체 화합물 및 이를 이용한 ald 증착법
CN102482771B (zh) 用于气相沉积的含钛前体
KR20120078025A (ko) 실릴아민 리간드가 포함된 유기금속화합물, 및 이를 전구체로 이용한 금속 산화물 또는 금속-규소 산화물의 박막 증착 방법
KR20100016477A (ko) Ald/cvd용의 지르코늄, 하프늄, 티타늄 및 규소 전구체
KR101216068B1 (ko) 금속 산화물 또는 금속-규소 산화물 박막 증착용 유기 금속 전구체 및 이를 이용한 박막 증착 방법
WO2009155507A1 (en) Titanium pyrrolyl-based organometallic precursors and use thereof for preparing dielectric thin films
KR101598485B1 (ko) 성막용 전구체 조성물 및 이를 이용한 박막 형성 방법
US7196211B2 (en) Hafnium-containing material for film formation, method for producing the same, and method for producing hafnium-containing thin film using the same
JP2024514764A (ja) 原子層堆積による粒子コーティング
KR20170116951A (ko) 전이금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 전이금속함유 박막증착용 조성물
US6603033B2 (en) Organotitanium precursors for chemical vapor deposition and manufacturing method thereof
KR102093226B1 (ko) 규소함유 유기 금속 전구체 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 금속-규소 산화물 박막의 제조 방법
KR20100099322A (ko) 니켈 함유 막 형성 재료 및 그 제조 방법
KR101914160B1 (ko) 이산화티탄이 코팅된 중형기공성 실리카 복합분체 및 이의 제조방법
JP5780999B2 (ja) 窒化ガリウム(iii)のナノ粒子の製造方法、及び酸化ガリウム(iii)のナノ粒子の製造方法
KR102491073B1 (ko) 실리콘 전구체 화합물, 이를 포함하는 실리콘-함유 막 형성용 조성물, 및 실리콘-함유 막 형성용 조성물을 이용한 막 형성 방법
JP7271850B2 (ja) 有機金属前駆体化合物
KR102513301B1 (ko) 실리콘 전구체 화합물, 이를 포함하는 실리콘-함유 막 형성용 조성물, 및 실리콘-함유 막 형성용 조성물을 이용한 막 형성 방법
KR20230082294A (ko) 신규한 바륨 유기금속화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 제조하는 방법
KR20210056848A (ko) 니오븀 질화물 박막의 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231121