JP2024507467A - スピロ環化合物、製剤、有機電界発光ダイオード及び表示装置 - Google Patents
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Abstract
本発明はスピロ環化合物、製剤、該スピロ環化合物を含む有機電界発光ダイオード及び表示装置を開示しており、該スピロ環化合物の構造は式(I)で表される。【化1】TIFF2024507467000136.tif5967(I)本発明のスピロ環化合物は、良好な熱安定性を有し、且つ本発明のスピロ環化合物を有機機能層、特に発光層として作製された有機電界発光ダイオードは、電流効率が向上し、ターンオン電圧が低下するとともに、有機電界発光ダイオードの寿命が大幅に向上する。
Description
本発明はスピロ環化合物に関し、特に有機光電の分野に属するスピロ環化合物及び該化合物を含む有機電界発光ダイオードに関する。
有機電界発光ダイオード(OLED)は新型の表示技術として、自発光で、視野角が広く、消費電力が低く、効率が高く、薄く、色彩が豊富で、応答速度が速く、適用温度範囲が広く、駆動電圧が低く、フレキシブルで曲げ可能で透明な表示パネルを作製可能で、環境にやさしいなどの独特な利点を有し、フラットパネルディスプレイと次世代照明に使用されてもよく、LCDのバックライトとしてもよい。
20世紀80年代末以来、有機電界発光デバイスはすでに産業で使用されており、OLED発光は蛍光発光と燐光発光の2種の方式に分けられ、理論によると、電荷の複合で形成された一重励起状態と三重励起状態の比率は1:3であると推測されている。小分子蛍光材料は25%のエネルギーを利用でき、残りの75%のエネルギーは三重励起状態の非発光メカニズムにより失われるため、一般に蛍光材料の内部量子効率の限界は25%と考えられる。2016年、Takuji Hatakeyamaチームは、多重共鳴誘導熱活性化遅延蛍光(MR-TADF)材料の設計策略、すなわち、ホウ素と窒素原子による多重共鳴効果を利用して分子最高被占軌道(HOMO)と分子最低空軌道(LUMO)の異なる原子上での分布を引き起こし、小さいS1と三重励起状態(T1)のエネルギー準位差を実現することを打ち出した。同時に、その剛性の構造は分子の振動と回転を制限し、励起状態の構造のねじれ又は変形を抑制し、非放射緩和の経路を減らし、色純度と発光効率を高めるのに有利である。そのため、MR-TADF材料は、高いOLEDデバイス效率(最大外部量子効率>20%)と高い色純度(半値幅(FWHM)<30nm)を示した。
現在、有機OLEDモジュールにおける発光層のほとんどは、ホストゲスト発光系機構を用いており、すなわち、ホスト材料にゲスト発光材料をドーピングし、一般に有機ホスト材料のエネルギー系はゲスト材料よりも大きく、すなわち、エネルギーがホストからゲストに伝達され、ゲスト材料が励起されて発光する。現在、MR-TADFは商業OLED材料に使用され始めたが、依然として技術的難点があり、例えば、OLEDには、効率が高く、寿命が長く、操作電圧がより低いことが求められる。MR-TADF分子の骨格は平面構造であるため、固体条件下で分子スタックが起こりやすく、発光分子間の強い相互作用が凝集で誘導される蛍光消光を引き起こしやすく、これによりMR-TADF OLEDデバイスの発光効率が低下する。
そのため、新型の有機化合物を開発する必要があり、且つ該有機化合物を含む有機電界発光ダイオードは良好な効率、長い寿命及び低い駆動電圧を有する。
本発明の目的は、従来の技術に存在する欠点を克服するために、スピロ環化合物及び該スピロ環化合物を含む有機電界発光ダイオードを提供することであり、該有機電界発光ダイオードは良好な效率、長い寿命及び低下した駆動電圧を有する。
本発明の目的を実現するための、本発明の技術案は次のとおりである。
本発明はスピロ環化合物を提供し、該スピロ環化合物の構造は式(I)で表される。
(I)
ここで、A1とA2はそれぞれ独立して以下からなる群から選ばれ、
ここで、B1、B2、B3、B4、C1、C2及びD1は、それぞれ独立してC6~C60のアリール基又はC1~C60のヘテロアリール基から選ばれ、
B1、B2、B3、B4、C1、C2及びD1は、原子価結合理論に従って単置換又は複数置換されてもよく、
XはC、O、N、S又はSeから選ばれ、
破線は、式(I)中のN及びB原子と接続して形成した化学結合を示す。
R1、R及びR2は、それぞれ独立して水素、重水素、ハロゲン、C1~C18のアルキル基、C1~C18のアルコキシ基、C1~C18を含むアルキルシリル基、C1~C18を含むアルコキシシリル基、C6~C40の置換もしくは未置換のアリール基、C1~C40のへテロアリール基、C1~C60の置換もしくは未置換のへテロスピロ環、C1~C60の置換もしくは未置換のスピロ環、置換もしくは未置換のアリールエーテル基、置換もしくは未置換のへテロアリールエーテル基、置換もしくは未置換のアリールアミン基、置換もしくは未置換のへテロアリールアミン基、置換もしくは未置換のアリールシリル基、置換もしくは未置換のへテロアリールシリル基、置換もしくは未置換のアリールオキシシリル基、置換もしくは未置換のアリールアシル基、置換もしくは未置換のへテロアリールアシル基、又は置換もしくは未置換のホスフィニル基から選ばれ、ただし、nは0~10の整数であり、
上記構造における重水素化されていない基は、一部又は全部重水素化されてもよい。
(I)
ここで、A1とA2はそれぞれ独立して以下からなる群から選ばれ、
ここで、B1、B2、B3、B4、C1、C2及びD1は、それぞれ独立してC6~C60のアリール基又はC1~C60のヘテロアリール基から選ばれ、
B1、B2、B3、B4、C1、C2及びD1は、原子価結合理論に従って単置換又は複数置換されてもよく、
XはC、O、N、S又はSeから選ばれ、
破線は、式(I)中のN及びB原子と接続して形成した化学結合を示す。
R1、R及びR2は、それぞれ独立して水素、重水素、ハロゲン、C1~C18のアルキル基、C1~C18のアルコキシ基、C1~C18を含むアルキルシリル基、C1~C18を含むアルコキシシリル基、C6~C40の置換もしくは未置換のアリール基、C1~C40のへテロアリール基、C1~C60の置換もしくは未置換のへテロスピロ環、C1~C60の置換もしくは未置換のスピロ環、置換もしくは未置換のアリールエーテル基、置換もしくは未置換のへテロアリールエーテル基、置換もしくは未置換のアリールアミン基、置換もしくは未置換のへテロアリールアミン基、置換もしくは未置換のアリールシリル基、置換もしくは未置換のへテロアリールシリル基、置換もしくは未置換のアリールオキシシリル基、置換もしくは未置換のアリールアシル基、置換もしくは未置換のへテロアリールアシル基、又は置換もしくは未置換のホスフィニル基から選ばれ、ただし、nは0~10の整数であり、
上記構造における重水素化されていない基は、一部又は全部重水素化されてもよい。
好ましくは、前記B1、B2、B3及びB4はそれぞれ独立して以下からなる群から選ばれる。
ここで、Rは、独立して水素、重水素、ハロゲン、C1~C18のアルキル基、C1~C18のアルコキシ基、C1~C18を含むアルキルシリル基、C1~C18を含むアルコキシシリル基、C6~C40の置換もしくは未置換のアリール基、C1~C40のへテロアリール基、C1~C60の置換もしくは未置換のへテロスピロ環、C1~C60の置換もしくは未置換のスピロ環、置換もしくは未置換のアリールエーテル基、置換もしくは未置換のへテロアリールエーテル基、置換もしくは未置換のアリールアミン基、置換もしくは未置換のへテロアリールアミン基、置換もしくは未置換のアリールシリル基、置換もしくは未置換のへテロアリールシリル基、置換もしくは未置換のアリールオキシシリル基、置換もしくは未置換のアリールアシル基、置換もしくは未置換のへテロアリールアシル基、又は置換もしくは未置換のホスフィニル基から選ばれ、ただし、nは0~10の整数であり、
XはC、O、N、S又はSeから選ばれ、
上記構造における重水素化されていない基は、一部又は全部重水素化されてもよい。
ここで、Rは、独立して水素、重水素、ハロゲン、C1~C18のアルキル基、C1~C18のアルコキシ基、C1~C18を含むアルキルシリル基、C1~C18を含むアルコキシシリル基、C6~C40の置換もしくは未置換のアリール基、C1~C40のへテロアリール基、C1~C60の置換もしくは未置換のへテロスピロ環、C1~C60の置換もしくは未置換のスピロ環、置換もしくは未置換のアリールエーテル基、置換もしくは未置換のへテロアリールエーテル基、置換もしくは未置換のアリールアミン基、置換もしくは未置換のへテロアリールアミン基、置換もしくは未置換のアリールシリル基、置換もしくは未置換のへテロアリールシリル基、置換もしくは未置換のアリールオキシシリル基、置換もしくは未置換のアリールアシル基、置換もしくは未置換のへテロアリールアシル基、又は置換もしくは未置換のホスフィニル基から選ばれ、ただし、nは0~10の整数であり、
XはC、O、N、S又はSeから選ばれ、
上記構造における重水素化されていない基は、一部又は全部重水素化されてもよい。
さらに好ましくは、前記C1とC2はそれぞれ独立して下記構造から選ばれる。
ここで、Rは、水素、重水素、ハロゲン、C1~C18のアルキル基、C1~C18のアルコキシ基、C1~C18を含むアルキルシリル基、C1~C18を含むアルコキシシリル基、C6~C40の置換もしくは未置換のアリール基、C1~C40のへテロアリール基、C1~C60の置換もしくは未置換のへテロスピロ環、C1~C60の置換もしくは未置換のスピロ環、置換もしくは未置換のアリールエーテル基、置換もしくは未置換のへテロアリールエーテル基、置換もしくは未置換のアリールアミン基、置換もしくは未置換のへテロアリールアミン基、置換もしくは未置換のアリールシリル基、置換もしくは未置換のへテロアリールシリル基、置換もしくは未置換のアリールオキシシリル基、置換もしくは未置換のアリールアシル基、置換もしくは未置換のへテロアリールアシル基、又は置換もしくは未置換のホスフィニル基から選ばれ、ただし、nは0~10の整数であり、
XはC、O、N、S又はSeから選ばれ、
上記構造における重水素化されていない基は、一部又は全部重水素化されてもよく、
破線は、上記構造における六員環と接続して形成した化学結合を示す。
ここで、Rは、水素、重水素、ハロゲン、C1~C18のアルキル基、C1~C18のアルコキシ基、C1~C18を含むアルキルシリル基、C1~C18を含むアルコキシシリル基、C6~C40の置換もしくは未置換のアリール基、C1~C40のへテロアリール基、C1~C60の置換もしくは未置換のへテロスピロ環、C1~C60の置換もしくは未置換のスピロ環、置換もしくは未置換のアリールエーテル基、置換もしくは未置換のへテロアリールエーテル基、置換もしくは未置換のアリールアミン基、置換もしくは未置換のへテロアリールアミン基、置換もしくは未置換のアリールシリル基、置換もしくは未置換のへテロアリールシリル基、置換もしくは未置換のアリールオキシシリル基、置換もしくは未置換のアリールアシル基、置換もしくは未置換のへテロアリールアシル基、又は置換もしくは未置換のホスフィニル基から選ばれ、ただし、nは0~10の整数であり、
XはC、O、N、S又はSeから選ばれ、
上記構造における重水素化されていない基は、一部又は全部重水素化されてもよく、
破線は、上記構造における六員環と接続して形成した化学結合を示す。
さらに好ましくは、前記D1は下記構造から選ばれる。
ここで、Rは、水素、重水素、ハロゲン、C1~C18のアルキル基、C1~C18のアルコキシ基、C1~C18を含むアルキルシリル基、C1~C18を含むアルコキシシリル基、C6~C40の置換もしくは未置換のアリール基、C1~C40のへテロアリール基、C1~C60の置換もしくは未置換のへテロスピロ環、C1~C60の置換もしくは未置換のスピロ環、置換もしくは未置換のアリールエーテル基、置換もしくは未置換のへテロアリールエーテル基、置換もしくは未置換のアリールアミン基、置換もしくは未置換のへテロアリールアミン基、置換もしくは未置換のアリールシリル基、置換もしくは未置換のへテロアリールシリル基、置換もしくは未置換のアリールオキシシリル基、置換もしくは未置換のアリールアシル基、置換もしくは未置換のへテロアリールアシル基、又は置換もしくは未置換のホスフィニル基から選ばれ、ただし、nは0~10の整数であり、
XはC、O、N、S又はSeから選ばれ、
上記構造における重水素化されていない基は、一部又は全部重水素化されてもよい。
ここで、Rは、水素、重水素、ハロゲン、C1~C18のアルキル基、C1~C18のアルコキシ基、C1~C18を含むアルキルシリル基、C1~C18を含むアルコキシシリル基、C6~C40の置換もしくは未置換のアリール基、C1~C40のへテロアリール基、C1~C60の置換もしくは未置換のへテロスピロ環、C1~C60の置換もしくは未置換のスピロ環、置換もしくは未置換のアリールエーテル基、置換もしくは未置換のへテロアリールエーテル基、置換もしくは未置換のアリールアミン基、置換もしくは未置換のへテロアリールアミン基、置換もしくは未置換のアリールシリル基、置換もしくは未置換のへテロアリールシリル基、置換もしくは未置換のアリールオキシシリル基、置換もしくは未置換のアリールアシル基、置換もしくは未置換のへテロアリールアシル基、又は置換もしくは未置換のホスフィニル基から選ばれ、ただし、nは0~10の整数であり、
XはC、O、N、S又はSeから選ばれ、
上記構造における重水素化されていない基は、一部又は全部重水素化されてもよい。
さらに好ましくは、前記A1とA2はそれぞれ独立して以下からなる群から選ばれる。
ここで、Rは原子価結合理論に従って単置換又は複数置換されてもよく、Rは、水素、重水素、ハロゲン、C1~C18のアルキル基、C1~C18のアルコキシ基、C1~C18を含むアルキルシリル基、C1~C18を含むアルコキシシリル基、C6~C40の置換もしくは未置換のアリール基、C1~C40のへテロアリール基、C1~C60の置換もしくは未置換のへテロスピロ環、C1~C60の置換もしくは未置換のスピロ環、置換もしくは未置換のアリールエーテル基、置換もしくは未置換のへテロアリールエーテル基、置換もしくは未置換のアリールアミン基、置換もしくは未置換のへテロアリールアミン基、置換もしくは未置換のアリールシリル基、置換もしくは未置換のへテロアリールシリル基、置換もしくは未置換のアリールオキシシリル基、置換もしくは未置換のアリールアシル基、置換もしくは未置換のへテロアリールアシル基、又は置換もしくは未置換のホスフィニル基から選ばれ、ただし、nは0~10の整数であり、
XはC、O、N、S又はSeから選ばれ、
破線は、式(I)中のN及びB原子と接続して形成した化学結合を示し、
上記構造における重水素されていない基は、一部重水素又は全部重水素されてもよい。
ここで、Rは原子価結合理論に従って単置換又は複数置換されてもよく、Rは、水素、重水素、ハロゲン、C1~C18のアルキル基、C1~C18のアルコキシ基、C1~C18を含むアルキルシリル基、C1~C18を含むアルコキシシリル基、C6~C40の置換もしくは未置換のアリール基、C1~C40のへテロアリール基、C1~C60の置換もしくは未置換のへテロスピロ環、C1~C60の置換もしくは未置換のスピロ環、置換もしくは未置換のアリールエーテル基、置換もしくは未置換のへテロアリールエーテル基、置換もしくは未置換のアリールアミン基、置換もしくは未置換のへテロアリールアミン基、置換もしくは未置換のアリールシリル基、置換もしくは未置換のへテロアリールシリル基、置換もしくは未置換のアリールオキシシリル基、置換もしくは未置換のアリールアシル基、置換もしくは未置換のへテロアリールアシル基、又は置換もしくは未置換のホスフィニル基から選ばれ、ただし、nは0~10の整数であり、
XはC、O、N、S又はSeから選ばれ、
破線は、式(I)中のN及びB原子と接続して形成した化学結合を示し、
上記構造における重水素されていない基は、一部重水素又は全部重水素されてもよい。
本発明は、スピロ環化合物と少なくとも1種の溶媒とを含む製剤をさらに提供し、該溶媒は特に制限されず、当業者に公知の不飽和炭化水素溶媒(例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ビスシクロヘキサン、n-ブチルベンゼン、s-ブチルベンゼン、t-ブチルベンなど)、飽和炭化水素溶媒(例えば、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサンなど)、不飽和炭化水素溶媒(例えば、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなど)、エーテル系溶媒(例えば、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピランなど)及びエステル系溶媒(安息香酸アルキルエステルなど)を使用可能である。該製剤は、直接有機電界発光ダイオードの製造に使用される。
本発明は有機光電デバイスをさらに提供し、該有機光電デバイスは、
第1の電極と、
前記第1の電極と対向する第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極の間に介在する有機機能層とを含み、
有機機能層は該スピロ環化合物を含む。
第1の電極と、
前記第1の電極と対向する第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極の間に介在する有機機能層とを含み、
有機機能層は該スピロ環化合物を含む。
本発明は、陰極層、陽極層及び有機機能層を含む有機光電デバイスをさらに提供し、該有機機能層は正孔注入層、正孔輸送層、発光層(活性層)、正孔ブロッキング層、電子注入層及び電子輸送層の少なくとも1つであり、該有機機能層は該スピロ環化合物を含む。
好ましくは、該有機機能層は発光層であり、該発光層にホスト化合物をさらに含み、
該スピロ環化合物と該ホスト化合物の体積比は1:1~1:99であり、
該ホスト化合物は本分野で公知の化合物である。
該スピロ環化合物と該ホスト化合物の体積比は1:1~1:99であり、
該ホスト化合物は本分野で公知の化合物である。
本発明は、該有機電界発光ダイオードを含む表示又は照明装置をさらに提供する。
本発明の有機光電素子は、有機光起電力デバイス、有機電界発光デバイス(OLED)、有機太陽電池(OSC)、電子ペーパー(e-paper)、有機感光体(OPC)、有機薄膜トランジスタ(OTFT)又は有機メモリデバイス(Organic Memory Element)である。
本発明の有機光電素子の作製は次のとおりである。まず、スパッタリング塗布法、電子ビーム蒸着、真空蒸着などの方法で基板上に金属又は導電性を有する酸化物及びそれらの合金を蒸着して陽極を形成し、次に、製造された陽極表面に順に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔ブロッキング層及び電子輸送層を蒸着し、最後に陰極を蒸着する。上記方法に加えて、基板上に陰極、有機機能層及び陽極の順に有機光電素子を蒸着して作製可能であり、該有機機能層は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔ブロッキング層及び電子輸送層の少なくとも1層である。本発明に係る有機機能層は、蒸着方法の代わりに高分子材料を用いて溶媒工程(スピンコート(spin-coating)、薄帯成形(tape-casting)、ドクターブレード法(doctor-blading)、スクリーン印刷(Screen-Printing)、インクジェット印刷又はサーモグラフィ(Thermal-Imaging)など)でも製造可能である。
本発明の有機光電素子は、使用される材料によってトップエミッション、ボトムエミッション又は両面エミッションに分類可能である。本発明の化合物は、有機発光デバイスと類似する原理で、有機太陽電池、照明用OLED、フレキシブルOLED、有機感光体又は有機薄膜トランジスタなどの電界発光素子に使用可能である。
本発明は、MR-TADF発光材料の構造を変更することにより、特定の大きい立体障害スピロ環構造、置換基などを導入し、本発明で導入されるスピロ環構造は、MR-TADF平面骨格に垂直であるため(図2~5に示す)、分子間の緊密な堆積を抑製可能であり、同時にスピロ構造を導入しても化合物のエネルギー準位を大きく変更しない(表1に示す)が、S1-T1のエネルギー準位差が減少し、三重項励起子の逆間隙間通過の発生に有利であり、また、振動子の強度(f)も増大し、最終的にMR-TADF材料の発光効率を改善し、発光材料の熱安定性を向上させる。このようなスピロ環化合物を有機光電デバイス、特に有機電界発光デバイス(有機電界発光ダイオード)に使用すると、電流効率を向上させ、元のデバイスの操作電圧を低下させ、長寿命の有機電界発光ダイオードを得ることができる。
本発明の有益な效果:
本発明のスピロ環化合物は、良好な熱安定性を有し、スピロ環構造を導入することにより、発光分子間の相互作用を効果的に抑制することでデバイス效率を向上させることができる。本発明のスピロ環化合物は、良好な電子及び正孔の受け取り能力を有し、ホストとゲスト間のエネルギー輸送を向上させることができ、具体的には、本発明のスピロ環化合物を用いた有機機能層、特に発光層として作製した有機電界発光デバイス(有機電界発光ダイオード)は、電流効率が向上し、ターンオン電圧が低下するとともに、デバイスの寿命が大幅に向上することが示されており、ほとんどの電子と正孔を再結合した後、エネルギーは、発熱するのではなく、該スピロ環化合物に効率的に伝達されて発光に用いられることを示している。
本発明のスピロ環化合物は、良好な熱安定性を有し、スピロ環構造を導入することにより、発光分子間の相互作用を効果的に抑制することでデバイス效率を向上させることができる。本発明のスピロ環化合物は、良好な電子及び正孔の受け取り能力を有し、ホストとゲスト間のエネルギー輸送を向上させることができ、具体的には、本発明のスピロ環化合物を用いた有機機能層、特に発光層として作製した有機電界発光デバイス(有機電界発光ダイオード)は、電流効率が向上し、ターンオン電圧が低下するとともに、デバイスの寿命が大幅に向上することが示されており、ほとんどの電子と正孔を再結合した後、エネルギーは、発熱するのではなく、該スピロ環化合物に効率的に伝達されて発光に用いられることを示している。
本発明の目的、技術案及び利点をよりはっきり明確にするために、以下、具体的な実施例を参照しながら、本発明についてさらに詳細に説明する。ここで説明される具体的な実施例は本発明を説明するためのものにすぎず、本発明を限定するためのものではないことを理解すべきである。
化合物B
共通合成ステップでは、
アルゴンガスの保護下で、化合物A(0.10モル)、t-ブチルリチウム(0.2モル)及びt-ブチルベンゼン(100ミリリットル)の混合溶液を-40度で4時間反応させ、完了した後に80度昇温してから4時間反応させ、BBr3(0.2モル)を滴下し、滴下が完了した後に80度昇温し、4時間反応させてから、EtN(i-Pr)2(0.30モル)を滴下し、滴下が完了した後に一晩還流した。加熱を停止し、室温まで降温し、適量の蒸留水を加えた。減圧条件下で溶媒を除去し、固体をジクロロメタンに溶解し、シリカゲルショートカラムを通過した。最終目標製品を得た。収率は21~58%である。
アルゴンガスの保護下で、化合物B(0.10モル)、BBr3(0.2モル)、EtN(i-Pr)2(0.30モル)、t-ブチルベンゼン(100ミリリットル)の混合溶液を48時間還流加熱した。加熱を停止し、室温まで降温し、適量の蒸留水を加えた。減圧条件下で溶媒を除去し、固体をジクロロメタンに溶解し、シリカゲルショートカラムを通過した。最終目標製品を得た。収率は20~51%である。
以下の実施例を参照しながら、該スピロ環化合物(すなわち、ゲスト化合物)の調製方法及びデバイスの発光性能を詳細に説明する。化合物Aと化合物Bは本分野で公知の方法により合成して得られた。しかし、これらは本発明の実施形態を例示して説明するためのものにすぎず、本発明の範囲はこれに限定されるものではない。
デバイスの実施例
図1に示すように、本発明の有機電界発光ダイオード(ボトムエミッションOLEDデバイス)は基板110、陽極120、正孔注入層130、正孔輸送層140、発光層150、正孔ブロッキング層160、電子輸送層170、電子注入層180及び陰極190を含む。本発明の有機電界発光ダイオードの各層は、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの方法又は湿式成膜方法、例えば、スピンコート、プリント、印刷などの方法で形成可能であり、使用される溶媒は特に制限されない。
図1に示すように、本発明の有機電界発光ダイオード(ボトムエミッションOLEDデバイス)は基板110、陽極120、正孔注入層130、正孔輸送層140、発光層150、正孔ブロッキング層160、電子輸送層170、電子注入層180及び陰極190を含む。本発明の有機電界発光ダイオードの各層は、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの方法又は湿式成膜方法、例えば、スピンコート、プリント、印刷などの方法で形成可能であり、使用される溶媒は特に制限されない。
実施例1~9におけるLEDデバイスの製造:
発光面積が2mm×2mmの大きさのITOガラスの表面又は陽極上にHT-1をP-3と共蒸着するか、又はHT-1を蒸着して10nmの正孔注入層(HIL)(ただし、HT-1とP-3の体積比は95:5)、90nmの正孔輸送層(HTL)を形成し、次に正孔輸送層上にHT-8を蒸着し、厚みが10nmの電子ブロッキング層(EBL)を形成してから、電子ブロッキング層上に本分野で公知のホスト材料(例えば、BH-1)を本発明のスピロ環化合物(化合物1~11)(ゲスト材料)と共蒸着して35nmの発光層(EML)(ここで、該スピロ環化合物とホスト化合物の体積比は3:97)を形成し、最後にET-13をLiQと共蒸着して35nmの電子輸送層(ETL)(ここで、ET-13とLiQの体積比は1:1)を形成し、その後に70nmの陰極Alを蒸着することにより、有機電界発光ダイオードを製造した。
発光面積が2mm×2mmの大きさのITOガラスの表面又は陽極上にHT-1をP-3と共蒸着するか、又はHT-1を蒸着して10nmの正孔注入層(HIL)(ただし、HT-1とP-3の体積比は95:5)、90nmの正孔輸送層(HTL)を形成し、次に正孔輸送層上にHT-8を蒸着し、厚みが10nmの電子ブロッキング層(EBL)を形成してから、電子ブロッキング層上に本分野で公知のホスト材料(例えば、BH-1)を本発明のスピロ環化合物(化合物1~11)(ゲスト材料)と共蒸着して35nmの発光層(EML)(ここで、該スピロ環化合物とホスト化合物の体積比は3:97)を形成し、最後にET-13をLiQと共蒸着して35nmの電子輸送層(ETL)(ここで、ET-13とLiQの体積比は1:1)を形成し、その後に70nmの陰極Alを蒸着することにより、有機電界発光ダイオードを製造した。
比較例1~2におけるOLEDデバイスの製造:
比較例1~2におけるOLEDデバイスの製造は実施例1~9と類似し、区別は、比較例1~2で、本発明のスピロ環化合物(化合物1~11)の代わりにBN-1~BN-2(発光層のゲスト材料として)を採用したことのみにあった。
比較例1~2におけるOLEDデバイスの製造は実施例1~9と類似し、区別は、比較例1~2で、本発明のスピロ環化合物(化合物1~11)の代わりにBN-1~BN-2(発光層のゲスト材料として)を採用したことのみにあった。
実施例1~9及び比較例1~2における有機電界発光ダイオードは、本分野で公知の同じ標準方法により分析された。
上記実施例及び比較例による電流効率、電圧及び寿命などの特性は下記表2に示される。
表1から、配位子構造に縮合環を組み込み、実施例1~実施例5は良好なデバイス性能を示していることがわかり、これは本発明のスピロ環化合物が一定の使用価値を有することを示している。
上記は、本発明の好ましい具体的実施形態にすぎないが、本発明の保護範囲はこれに限定されず、当業者が本発明で開示している技術的範囲内で、本発明の技術案及びその発明の思想に従って同等の置換又は変更を加えることは、すべて本発明の保護範囲内に含むべきである。
Claims (10)
- 構造は式(I)で表される、スピロ環化合物。
(I)
(ここで、A1とA2はそれぞれ独立して以下からなる群から選ばれ、
ここで、B1、B2、B3、B4、C1、C2及びD1は、それぞれ独立してC6~C60のアリール基又はC1~C60のヘテロアリール基から選ばれ、B1、B2、B3、B4、C1、C2及びD1は単置換又は複数置換されてもよく、
XはC、O、N、S又はSeから選ばれ、
破線は、式(I)中のN及びB原子と接続して形成した化学結合を示し、
R1、R及びR2は、それぞれ独立して水素、重水素、ハロゲン、C1~C18のアルキル基、C1~C18のアルコキシ基、C1~C18を含むアルキルシリル基、C1~C18を含むアルコキシシリル基、C6~C40の置換もしくは未置換のアリール基、C1~C40のへテロアリール基、C1~C60の置換もしくは未置換のへテロスピロ環、C1~C60の置換もしくは未置換のスピロ環、置換もしくは未置換のアリールエーテル基、置換もしくは未置換のへテロアリールエーテル基、置換もしくは未置換のアリールアミン基、置換もしくは未置換のへテロアリールアミン基、置換もしくは未置換のアリールシリル基、置換もしくは未置換のへテロアリールシリル基、置換もしくは未置換のアリールオキシシリル基、置換もしくは未置換のアリールアシル基、置換もしくは未置換のへテロアリールアシル基、又は置換もしくは未置換のホスフィニル基から選ばれ、ただし、nは0~10の整数であり、
上記構造における重水素化されていない基は、一部又は全部重水素化されてもよい。) - 前記B1、B2、B3及びB4はそれぞれ独立して以下からなる群から選ばれる、請求項1に記載のスピロ環化合物。
(ここで、Rは、独立して水素、重水素、ハロゲン、C1~C18のアルキル基、C1~C18のアルコキシ基、C1~C18アルキルシリル基、C1~C18アルコキシシリル基、C6~C40の置換もしくは未置換のアリール基、C1~C40のへテロアリール基、C1~C60の置換もしくは未置換のへテロスピロ環、C1~C60の置換もしくは未置換のスピロ環、置換もしくは未置換のアリールエーテル基、置換もしくは未置換のへテロアリールエーテル基、置換もしくは未置換のアリールアミン基、置換もしくは未置換のへテロアリールアミン基、置換もしくは未置換のアリールシリル基、置換もしくは未置換のへテロアリールシリル基、置換もしくは未置換のアリールオキシシリル基、置換もしくは未置換のアリールアシル基、置換もしくは未置換のへテロアリールアシル基、又は置換もしくは未置換のホスフィニル基から選ばれ、ただし、nは0~10の整数であり、
XはC、O、N、S又はSeから選ばれ、
上記構造における重水素化されていない基は、一部又は全部重水素化されてもよい。) - 前記C1とC2はそれぞれ独立して下記構造から選ばれる、請求項1又は2に記載のスピロ環化合物。
(ここで、Rは、水素、重水素、ハロゲン、C1~C18のアルキル基、C1~C18のアルコキシ基、C1~C18アルキルシリル基、C1~C18アルコキシシリル基、C6~C40の置換もしくは未置換のアリール基、C1~C40のへテロアリール基、C1~C60の置換もしくは未置換のへテロスピロ環、C1~C60の置換もしくは未置換のスピロ環、置換もしくは未置換のアリールエーテル基、置換もしくは未置換のへテロアリールエーテル基、置換もしくは未置換のアリールアミン基、置換もしくは未置換のへテロアリールアミン基、置換もしくは未置換のアリールシリル基、置換もしくは未置換のへテロアリールシリル基、置換もしくは未置換のアリールオキシシリル基、置換もしくは未置換のアリールアシル基、置換もしくは未置換のへテロアリールアシル基、又は置換もしくは未置換のホスフィニル基から選ばれ、ただし、nは0~10の整数であり、
XはC、O、N、S又はSeから選ばれ、
破線は、請求項2に記載の六員環と接続して形成した化学結合を示し、
上記構造における重水素化されていない基は、一部又は全部重水素化されてもよい。) - 前記D1は下記構造から選ばれる、請求項1又は2に記載のスピロ環化合物。
(ここで、Rは、水素、重水素、ハロゲン、C1~C18のアルキル基、C1~C18のアルコキシ基、C1~C18アルキルシリル基、C1~C18アルコキシシリル基、C6~C40の置換もしくは未置換のアリール基、C1~C40のへテロアリール基、C1~C60の置換もしくは未置換のへテロスピロ環、C1~C60の置換もしくは未置換のスピロ環、置換もしくは未置換のアリールエーテル基、置換もしくは未置換のへテロアリールエーテル基、置換もしくは未置換のアリールアミン基、置換もしくは未置換のへテロアリールアミン基、置換もしくは未置換のアリールシリル基、置換もしくは未置換のへテロアリールシリル基、置換もしくは未置換のアリールオキシシリル基、置換もしくは未置換のアリールアシル基、置換もしくは未置換のへテロアリールアシル基、又は置換もしくは未置換のホスフィニル基から選ばれ、ただし、nは0~10の整数であり、
XはC、O、N、S又はSeから選ばれ、
上記構造における重水素化されていない基は、一部又は全部重水素化されてもよい。) - 前記A1とA2はそれぞれ独立して以下からなる群から選ばれる、請求項1又は2に記載のスピロ環化合物。
(ここで、Rは、水素、重水素、ハロゲン、C1~C18のアルキル基、C1~C18のアルコキシ基、C1~C18アルキルシリル基、C1~C18アルコキシシリル基、C6~C40の置換もしくは未置換のアリール基、C1~C40のへテロアリール基、C1~C60の置換もしくは未置換のへテロスピロ環、C1~C60の置換もしくは未置換のスピロ環、置換もしくは未置換のアリールエーテル基、置換もしくは未置換のへテロアリールエーテル基、置換もしくは未置換のアリールアミン基、置換もしくは未置換のへテロアリールアミン基、置換もしくは未置換のアリールシリル基、置換もしくは未置換のへテロアリールシリル基、置換もしくは未置換のアリールオキシシリル基、置換もしくは未置換のアリールアシル基、置換もしくは未置換のへテロアリールアシル基、又は置換もしくは未置換のホスフィニル基から選ばれ、ただし、nは0~10の整数であり、
XはC、O、N、S又はSeから選ばれ、
破線は、式(I)中のN及びB原子と接続して形成した化学結合を示し、
上記構造における重水素されていない基は、一部重水素又は全部重水素されてもよい。) - 請求項1又は2に記載のスピロ環化合物と少なくとも1種の溶媒とを含む製剤であって、前記溶媒は飽和炭化水素溶媒、不飽和炭化水素溶媒、エーテル系溶媒又はエステル系溶媒である、製剤。
- 陰極層、陽極層及び有機機能層を含み、前記有機機能層は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔ブロッキング層、電子注入層及び電子輸送層である有機電界発光ダイオードであって、前記有機機能層は請求項1又は2に記載のスピロ環化合物を含む、有機電界発光ダイオード。
- 前記有機機能層は発光層であり、前記発光層にホスト化合物をさらに含み、
前記スピロ環化合物と前記ホスト化合物の体積比は1:1~1:99である、請求項8に記載の有機電界発光ダイオード。 - 請求項8に記載の有機電界発光ダイオードを含む、表示装置。
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