JP2024503332A - イソシアネート化合物の製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、イソシアネート化合物の製造方法に関する。本発明は、ホスゲンを使用したイソシアネート化合物の製造時、反応生成物の熱変性および副産物の生成を最小化し、高純度のイソシアネート化合物を得ることができるイソシアネート化合物の製造方法を提供する。

Description

本発明は、イソシアネート化合物の製造方法に関する。

キシリレンジイソシアネート（ｘｙｌｙｌｅｎｅ ｄｉｉｓｏｃｙａｎａｔｅ、以下、ＸＤＩ）は、分子内に芳香族環を含んでいるが、脂肪族イソシアネートに分類される。ＸＤＩは化学工業、樹脂工業および塗料工業分野でポリウレタン系材料、ポリウレア系材料またはポリイソシアヌレート系材料などの原料として非常に有用な化合物である。

通常、イソシアネート化合物は合成過程で副反応が多く発生するので、無水塩酸または炭酸と反応させてアミン化合物の塩を形成し、これをホスゲンと反応させる方法で製造される。

一例として、ＸＤＩの場合、キシリレンジアミン（ｘｙｌｙｌｅｎｅ ｄｉａｍｉｎｅ、以下ＸＤＡ）を無水塩酸と反応させてアミン－塩酸塩を形成し、これをホスゲンと反応させることで製造される。より具体的には、従来は液状の原料アミン、例えば、ＸＤＡ含有溶液を無水塩酸と反応させてＸＤＡ－ＨＣｌ塩酸塩を形成し、これを少なくとも１００℃以上の高温で加熱した後、気相のホスゲンを注入して気－液反応を行い、ＸＤＩなどのイソシアネート化合物を製造する方法を適用してきた。

前記イソシアネート化合物の形成反応は代表的な吸熱反応であって、その収率を高めるために反応中に持続的な加熱および高温の維持が求められる。

しかし、ＸＤＩなどのイソシアネート化合物は概してアミノ基の反応性が大きいため、ホスゲン化反応中に副反応が多く発生し、副反応により形成される副産物はイソシアネート化合物を原料として適用した工程（例えば、ポリウレタン樹脂を製造する工程）に影響を及ぼし、品質の低下を招く問題がある。

このようにイソシアネート化合物の製造過程中の高温維持の必要性と、ＸＤＩなど生成されたイソシアネート化合物の大きな反応性により、製品の熱変性などによる副産物の生成や副反応の発生の恐れはさらに高くなり、これによってその精製工程にも大きな負荷が発生する場合が多かった。

かかる問題によって、以前からイソシアネート化合物の製造中の副反応や副産物の生成を抑制するための多様な試みが行われているが、まだ実効性のある技術は開発されていないのが実情である。

本発明は、ホスゲンを使用したイソシアネート化合物の製造時、反応生成物の熱変性および副産物の生成を最小化し、高純度のイソシアネート化合物を得ることができるイソシアネート化合物の製造方法を提供する。

本発明の一実施形態によれば、
アミン化合物の塩とホスゲンを溶媒下で反応させてイソシアネート化合物を含む反応生成物を得る反応段階、および
前記反応生成物からガス相を除去する脱ガス段階を含み、
前記ガス相が除去された反応生成物から溶媒を除去する脱溶媒段階、低沸点物質（ｌｉｇｈｔｓ）を除去する脱低沸点物段階、および高沸点物質（ｈｅａｖｉｅｓ）を除去する脱高沸点物段階を任意の順で含み、
前記段階はそれぞれ１６５℃以下の温度下で行われ、
前記脱低沸点物段階は１５０℃～１６５℃の温度下で行われる、イソシアネート化合物の製造方法が提供される。

以下、本発明の実施形態によるイソシアネート化合物の製造方法について説明する。

本明細書で別に定義されない限り、すべての技術的用語および科学的用語は本発明が属する通常の技術者によって一般的に理解される意味と同じ意味を有する。本発明で説明に使用される用語は、単に特定の具体例を効果的に記述するためであり、本発明を制限することを意図しない。

本明細書で使用される単数形は、文脈上明らかに逆の意味を示さない限り複数形も含む。

本明細書で使用される「含む」の意味は、特定の特性、領域、整数、段階、動作、要素および／または成分を具体化し、他の特定の特性、領域、整数、段階、動作、要素、成分および／または群の存在や付加を除外させるものではない。

本発明は多様な変更を加えることができ、様々な形態を有することができるため、特定の実施例を例示して以下で詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に対して限定しようとするものではなく、前記思想および技術範囲に含まれるすべての変更、均等物または代替物を含むものとして理解しなければならない。

本明細書で、例えば「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～隣に」など二つの部分の位置関係が説明される場合、「すぐに」または「直接」という表現が使用されない限り、二つの部分の間に一つ以上の他の部分が位置し得る。

本明細書で、例えば「～後に」、「～に続いて」、「～次に」、「～前に」など時間的前後関係が説明される場合、「すぐに」または「直接」という表現が使用されない限り、連続的でない場合を含むこともできる。

本明細書で「低沸点物質」は本発明によるターゲット生成物であるイソシアネート化合物より低い沸点を有する物質を意味し；「高沸点物質」は本発明によるターゲット生成物であるイソシアネート化合物より高い沸点を有する物質を意味する。

本明細書で蒸留塔の「塔底部」は前記蒸留塔の下部排出物が前記蒸留塔の外部に排出される出口を意味し、蒸留塔の「塔頂部」は前記蒸留塔の上部排出物が前記蒸留塔の外部に排出される出口を意味する。

発明の一実施形態によれば、
アミン化合物の塩とホスゲンを溶媒下で反応させてイソシアネート化合物を含む反応生成物を得る反応段階、および
前記反応生成物からガス相を除去する脱ガス段階を含み、
前記ガス相が除去された反応生成物から溶媒を除去する脱溶媒段階、低沸点物質（ｌｉｇｈｔｓ）を除去する脱低沸点物段階、および高沸点物質（ｈｅａｖｉｅｓ）を除去する脱高沸点物段階を任意の順で含み、
前記段階はそれぞれ１６５℃以下の温度下で行われ、
前記脱低沸点物段階は１５０℃～１６５℃の温度下で行われる、イソシアネート化合物の製造方法が提供される。

イソシアネート化合物を光学材料をはじめとする精密化学製品の原料として使用するためには高い純度が要求される。

しかし、一般にＸＤＩを含むイソシアネート化合物の合成時に副反応が多く発生し、反応生成物間の反応および熱変性によってイソシアネート化合物の純度が低下する問題がある。

一例として、脂肪族ジイソシアネートは、脂肪族ジアミンとホスゲンの反応によって製造することができる。この時、副反応が発生し、副反応物として、例えば（クロロメチル）ベンジルイソシアネート［（ｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｂｅｎｚｙｌ ｉｓｏｃｙａｎａｔｅ］などのモノイソシアネートなどが生成される。このような副反応の発生および副産物の生成は、脂肪族ジイソシアネートの製造過程中の高温維持の必要性と、ＸＤＩなど生成された脂肪族ジイソシアネートの大きな反応性によってもたらされることが知られている。特に、最終生成物である脂肪族ジイソシアネートは高温に一定時間露出する場合副反応を起こすか、または二量体あるいは三量体以上の多量体を含むオリゴマーやポリマーなど高分子形態の副産物が形成される。

本発明者らは研究を重ねた結果、前記反応段階、前記脱ガス段階、前記脱溶媒段階、前記脱低沸点物段階、および前記脱高沸点物段階を行ってイソシアネート化合物を製造し、特に、前記段階を前記温度および圧力の条件下で行う場合、反応生成物の熱変性および副産物の生成を最小化することができ、高純度のイソシアネート化合物を得ることができることが確認された。

前記イソシアネート化合物の製造方法においては前記反応段階、前記脱ガス段階、前記脱溶媒段階、前記脱低沸点物段階、および前記脱高沸点物段階が含まれる。

前記段階のうちの前記脱溶媒段階、前記脱低沸点物段階、および前記脱高沸点物段階は、前記脱ガス段階後に任意の順で行うことができる。

一例として、前記イソシアネート化合物の製造方法は、
アミン化合物の塩とホスゲンを溶媒下で反応させてイソシアネート化合物を含む反応生成物を得る前記反応段階、
前記反応生成物からガス相を除去する脱ガス段階、
前記ガス相が除去された反応生成物から溶媒を除去する脱溶媒段階、
前記溶媒が除去された反応生成物から低沸点物質（ｌｉｇｈｔｓ）を除去する前記脱低沸点物段階、および
前記低沸点物質が除去された反応生成物から高沸点物質（ｈｅａｖｉｅｓ）を除去する前記脱高沸点物段階を含むことができる。

他の一例として、前記イソシアネート化合物の製造方法は、
アミン化合物の塩とホスゲンを溶媒下で反応させてイソシアネート化合物を含む反応生成物を得る前記反応段階、
前記反応生成物からガス相を除去する脱ガス段階、
前記ガス相が除去された反応生成物から溶媒を除去する脱溶媒段階、
前記溶媒が除去された反応生成物から高沸点物質（ｈｅａｖｉｅｓ）を除去する前記脱高沸点物段階、および
前記高沸点物質が除去された反応生成物から低沸点物質（ｌｉｇｈｔｓ）を除去する前記脱低沸点物段階を含むことができる。

さらに他の一例として、前記イソシアネート化合物の製造方法は、
アミン化合物の塩とホスゲンを溶媒下で反応させてイソシアネート化合物を含む反応生成物を得る前記反応段階、
前記反応生成物からガス相を除去する脱ガス段階、
前記ガス相が除去された反応生成物から高沸点物質（ｈｅａｖｉｅｓ）を除去する前記脱高沸点物段階、
前記高沸点物質が除去された反応生成物から溶媒を除去する前記脱溶媒段階、および
前記溶媒が除去された反応生成物から低沸点物質（ｌｉｇｈｔｓ）を除去する前記脱低沸点物段階を含むことができる。

図１～図３は、本発明の実施形態によるイソシアネート化合物の製造方法に用いられる工程および装置を模式的に示す図である。
図１は、前記反応段階、前記脱ガス段階、前記脱溶媒段階、前記脱低沸点物段階、および前記脱高沸点物段階の順で行う製造方法に関するものである。
図２は、前記反応段階、前記脱ガス段階、前記脱溶媒段階、前記脱高沸点物段階、および前記脱低沸点物段階の順で行う製造方法に関するものである。
図３は、前記反応段階、前記脱ガス段階、前記脱高沸点物段階、前記脱溶媒段階、および前記脱低沸点物段階の順で行う製造方法に関するものである。

以下、図１を参照して本発明の実施形態によるイソシアネート化合物の製造方法に含まれ得る各段階について説明する。

（反応段階）
まず、アミン化合物の塩とホスゲンを溶媒下で反応させてイソシアネート化合物を含む反応生成物が得られる反応段階が行われる。

本発明の一実施形態によれば、アミン化合物とホスゲンの急激な反応と副反応を抑制するために、前記アミン化合物はアミン化合物の塩として適用することが好ましい。例えば、前記アミン化合物の塩はアミン化合物の塩酸塩または炭酸塩であり得る。

前記アミン化合物の塩は、アミン化合物と無水塩酸または炭酸を反応させて中和反応によって準備される。前記中和反応は２０～８０℃の温度で行われる。

前記無水塩酸または炭酸の供給比率は前記アミン化合物１モルに対して、例えば２モル～１０モル、あるいは２モル～６モル、あるいは２モル～４モルであり得る。

好ましくは、前記アミン化合物は、分子内に脂肪族基を有する脂肪族アミンを適用することができる。具体的には、前記脂肪族アミンは、鎖状または環状の脂肪族アミンであり得る。より具体的には、前記脂肪族アミンは、分子内に２個以上のアミノ基を含む２官能以上の鎖状または環状の脂肪族アミンであり得る。

例えば、前記アミン化合物は、ヘキサメチレンジアミン、２，２－ジメチルペンタンジアミン、２，２，４－トリメチルヘキサンジアミン、ブテンジアミン、１，３－ブタジエン－１，４－ジアミン、２，４，４－トリメチルヘキサメチレンジアミン、１，６，１１－ウンデカトリアミン、１，３，６－ヘキサメチレントリアミン、１，８－ジイソシアナト－４－イソシアナトメチルオクタン、ビス（アミノエチル）カーボネート、ビス（アミノエチル）エーテル、キシリレンジアミン，α，α、α’，α’－テトラメチルキシリレンジアミン、ビス（アミノエチル）フタレート、ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、ジシクロヘキシルメタンジアミン、シクロヘキサンジアミン、メチルシクロヘキサンジアミン、ジシクロヘキシルジメチルメタンジアミン、２，２－ジメチルジシクロヘキシルメタンジアミン、２，５－ビス（アミノメチル）ビシクロ－［２，２，１］－ヘプタン、２，６－ビス（アミノメチル）ビシクロ－［２，２，１］－ヘプタン、３，８－ビス（アミノメチル）トリシクロデカン、３，９－ビス（アミノメチル）トリシクロデカン、４，８－ビス（アミノメチル）トリシクロデカン、４，９－ビス（アミノメチル）トリシクロデカン、ビス（アミノメチル）ノルボルネン、およびキシリレンジアミンからなる群より選択される１種以上の化合物であり得る。本発明において、前記キシリレンジアミンは脂肪族ジアミンに分類される。

また、前記アミン化合物は、ビス（アミノメチル）スルフィド、ビス（アミノエチル）スルフィド、ビス（アミノプロピル）スルフィド、ビス（アミノヘキシル）スルフィド、ビス（アミノメチル）スルホン、ビス（アミノメチル）ジスルフィド、ビス（アミノエチル）ジスルフィド、ビス（アミノプロピル）ジスルフィド、ビス（アミノメチルチオ）メタン、ビス（アミノエチルチオ）メタン、ビス（アミノエチルチオ）エタン、ビス（アミノメチルチオ）エタン、および１，５－ジアミノ－２－アミノメチル－３－チアペンタンからなる群より選択される１種以上の硫黄含有脂肪族アミンであり得る。

前記アミン化合物の中でもキシリレンジアミン（ＸＤＡ）は、本発明の一実施形態によるイソシアネート化合物の製造方法に適用時、さらに優れた効果を示すことができる。好ましくは、前記アミン化合物は、ｍ－キシリレンジアミン、ｐ－キシリレンジアミンおよびｏ－キシリレンジアミンからなる群より選択される１種以上の化合物であり得る。

本発明の一実施形態によれば、前記反応段階は、固体状のアミン化合物の塩と気相のホスゲンを溶媒下で反応させる気体－液体－固体の３相反応で行われる。そのため、急激な反応を効果的に抑制することができ、副反応および副産物の発生を最小化することができる。

前記アミン化合物の塩とホスゲンを溶媒下で反応させる時、ホスゲンを一度に投入するかまたは分割して投入することができる。例えば、相対的に低い温度下で少量のホスゲンを１次投入して前記アミン化合物の塩と反応させることによってその中間体を生成させる。次に、相対的に高温下で残量のホスゲンを２次投入して前記中間体と反応させることによってイソシアネート化合物を含む反応液を得ることができる。一例として、キシリレンジアミンと少量のホスゲンを反応させてカルバモイル系塩形態の中間体を生成させた後、残量のホスゲンを投入して前記カルバモイル系塩形態の中間体とホスゲンを反応させてキシリレンジイソシアネートなどの脂肪族イソシアネートを形成することができる。

このような反応段階によって最終生成物であるイソシアネート化合物を高温下で露出する時間を最小化することができる。さらに、相対的に低い温度で前記中間体を形成することによって、全体的な反応工程で高温の維持に必要な時間を減らすことができる。これによって、全体工程に投入される熱量が減少する。そして、ホスゲンの高温反応時間を相対的に短縮させ、ホスゲンの爆発的な気化による危険性を減らすこともできる。

前記反応段階は、芳香族炭化水素系溶媒およびエステル系溶媒のうち少なくとも一つを含む溶媒下で行われる。前記溶媒は、前記反応段階の実行温度を考慮して選択することができる。

前記芳香族炭化水素系溶媒は、モノクロロベンゼン、１，２－ジクロロベンゼンおよび１，２，４－トリクロロベンゼンなどのハロゲン化芳香族炭化水素系溶媒であり得る。

前記エステル系溶媒は、アミルホルメート、ｎ－ブチルアセテート、イソブチルアセテート、ｎ－アミルアセテート、イソアミルアセテート、メチルイソアミルアセテート、メトキシブチルアセテート、ｓｅｃ－ヘキシルアセテート、２－エチルブチルアセテート、２－エチルヘキシルアセテート、シクロヘキシルアセテート、メチルシクロヘキシルアセテート、ベンジルアセテート、エチルプロピオネート、ｎ－ブチルプロピオネート、イソアミルプロピオネート、エチルアセテート、ブチルステアレート、ブチルラクテート、およびアミルラクテートなどの脂肪酸エステル；またはメチルサリシレート、ジメチルフタレートおよびメチルベンゾエートなどの芳香族カルボン酸エステルであり得る。

本発明の一実施形態によれば、前記反応段階で前記アミン化合物の塩は前記溶媒に２０体積％以下の濃度、例えば１～２０体積％、あるいは５～２０体積％の濃度で含まれ得る。前記溶媒に含まれる前記アミン化合物の塩の濃度が２０体積％を超える場合、前記反応段階で多量の塩が析出する恐れがある。

前記反応段階は１６５℃以下、好ましくは８０℃～１６５℃の温度下で行われる。

本発明の一実施形態によれば、前記反応段階でホスゲンを分割して投入する場合、８０℃～１００℃あるいは８５℃～９５℃の温度下でホスゲン全体の投入量のうちの１０～３０重量％、あるいは１２～３０重量％、あるいは１５～２８重量％を投入する。このような反応条件によって急激な反応が抑制され、カルバモイル系塩形態の中間体を選択的かつ効果的に形成することができる。次に、１１０℃～１６５℃あるいは１２０℃～１５０℃の温度下で残量のホスゲンを投入しながら前記中間体とホスゲンを反応させてイソシアネート化合物を含む反応生成物を得ることができる。

前記イソシアネート化合物は、前記反応段階で使用される前記アミン化合物の種類によって変わる。例えば、前記イソシアネート化合物は、ｎ－ペンチルイソシアネート、６－メチル－２－ヘプタンイソシアネート、シクロペンチルイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）、イソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）、ジイソシアナトメチルシクロヘキサン（Ｈ６ＴＤＩ）、キシリレンジイソシアネート（ＸＤＩ）、ジイソシアナトシクロヘキサン（ｔ－ＣＨＤＩ）、およびジ（イソシアナトシクロヘキシル）メタン（Ｈ１２ＭＤＩ）からなる群より選択される１種以上の化合物であり得る。

特に、本発明の実施形態によるイソシアネート化合物の製造方法は、キシリレンジイソシアネート（ＸＤＩ）の製造により有用である。ＸＤＩは構造異性体として１，２－ＸＤＩ（ｏ－ＸＤＩ）、１，３－ＸＤＩ（ｍ－ＸＤＩ）、１，４－ＸＤＩ（ｐ－ＸＤＩ）を含む。

前記反応段階は、バッチ式および連続式のいずれかによっても行うことができる。前記反応段階は、回転軸を有する反応器１１０；前記反応器の内部に反応物を供給するアミン化合物の塩供給ライン１０とホスゲン供給ライン２０；前記反応器に熱量を供給する熱源；前記反応器で得られる反応生成物を後続の精製工程に移送する移送ライン１０２を含む反応ユニット１００で行うことができる。

（脱ガス段階）
次に、前記反応生成物からガス相を除去する脱ガス段階が行われる。

前記脱ガス段階では、前記反応生成物から過剰のホスゲンや副生する塩化水素などのガス相を公知の脱ガスユニット２００によって除去する。

前記反応生成物からガス相を除去する方法としてはガスを供給して通気する方法やフラッシュタンクまたは蒸留塔を用いてガス相を前記反応生成物から分離する方法が挙げられる。

特に、本発明の一実施形態によれば、前記脱ガス段階での副産物の生成を最小化するために、前記脱ガス段階は１４５℃～１６５℃の温度および１００ｔｏｒｒ～６００ｔｏｒｒの圧力下で行われることが好ましい。

一例として、前記脱ガス段階は蒸留塔で行われるが、前記蒸留塔の下部（ｂｏｔｔｏｍ）の温度を１４５℃～１６５℃にし、前記蒸留塔の上部（ｔｏｐ）の圧力は１００ｔｏｒｒ～６００ｔｏｒｒで運転することが副産物の生成を最小化するのに有利である。ここで、前記蒸留塔の下部の温度は、前記蒸留塔の塔底部に連結されたリボイラーの温度を意味する。そして、前記蒸留塔上部の圧力は、前記蒸留塔の塔頂部に連結された凝縮器の圧力を意味する。

好ましくは、前記脱ガス段階の実行温度は１４５℃～１６５℃、あるいは１５０℃～１６５℃、あるいは１５０℃～１６０℃、あるいは１５５℃～１６０℃であり得る。そして、好ましくは、前記脱ガス段階の実行圧力は１００ｔｏｒｒ～６００ｔｏｒｒ、あるいは２００ｔｏｒｒ～５００ｔｏｒｒ、あるいは３００ｔｏｒｒ～４５０ｔｏｒｒ、あるいは３５０ｔｏｒｒ～４５０ｔｏｒｒであり得る。

前記脱ガス段階の実行温度および圧力が上記の範囲を満たさない場合、前記脱ガス段階での副産物の生成量が増加し、ガス相の除去効率が低下し、これにより、前記脱ガス段階から得られる反応生成物でイソシアネート化合物の濃度が低下する。

一例として、前記脱ガス段階は、前記反応ユニット１００の移送ライン１０２を介して供給される前記反応生成物からガス相を除去できるように構成された蒸留塔２２０；前記蒸留塔の塔頂部からガス相を排出するガス相排出ライン２０９；および前記蒸留塔の塔底部から前記ガス相が除去された反応生成物を排出して後続段階に移送する移送ライン２０３を含む脱ガスユニット２００で行うことができる。

（脱溶媒段階）
次に、前記ガス相が除去された反応生成物から溶媒を除去する脱溶媒段階が行われる。

前記脱溶媒段階では、前記ガス相が除去された反応生成物から公知の脱溶媒ユニット３００によって溶媒を蒸留除去する。

本発明の一実施形態によれば、前記脱溶媒段階で前記反応生成物の熱変性と副産物の生成を最小化するために、前記脱溶媒段階は１００℃～１６５℃の温度および３０ｔｏｒｒ以下の圧力下で行われることが好ましい。

一例として、前記脱溶媒段階は蒸留塔で行われるが、前記蒸留塔の下部（ｂｏｔｔｏｍ）の温度を１００℃～１６５℃にし、前記蒸留塔の上部（ｔｏｐ）の圧力は３０ｔｏｒｒ以下で運転することが前記熱変性と副産物の生成を最小化するのに有利である。ここで、前記蒸留塔の下部の温度は、前記蒸留塔の塔底部に連結されたリボイラーの温度を意味する。そして、前記蒸留塔上部の圧力は前記蒸留塔の塔頂部に連結された凝縮器の圧力を意味する。

好ましくは、前記脱溶媒段階の実行温度は１００℃～１６５℃、あるいは１１５℃～１６５℃、あるいは１１５℃～１６０℃、あるいは１３０℃～１６０℃であり得る。そして、好ましくは、前記脱溶媒段階の実行圧力は２ｔｏｒｒ～３０ｔｏｒｒ、あるいは２ｔｏｒｒ～２５ｔｏｒｒ、あるいは５ｔｏｒｒ～２５ｔｏｒｒ、あるいは５ｔｏｒｒ～２０ｔｏｒｒであり得る。

前記脱溶媒段階の実行温度および圧力が上記の範囲を満たさない場合、前記脱溶媒段階での前記熱変性と副産物の生成量が増加し、溶媒の除去効率が低下し、これにより、前記脱溶媒段階から得られる反応生成物でイソシアネート化合物の濃度が低下する。

一例として、前記脱溶媒段階は、前記脱ガスユニット２００の移送ライン２０３を介して供給される前記反応生成物から溶媒を除去できるように構成された蒸留塔３３０；前記蒸留塔の塔頂部から溶媒を排出する溶媒排出ライン３０９；および前記蒸留塔の塔底部から前記溶媒が除去された反応生成物を排出して後続段階に移送する移送ライン３０４を含む脱溶媒ユニット３００で行うことができる。

前記脱溶媒段階で前記反応生成物の高温での滞留時間を最小化するために、ケトル型リボイラー（Ｋｅｔｔｌｅ ｔｙｐｅ ｒｅｂｏｉｌｅｒ）、薄膜蒸留装置（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）、強制循環型リボイラー（ｆｏｒｃｅ ｃｉｒｃｕｌａｔｅｄ ｒｅｂｏｉｌｅｒ）、およびジャケット付容器型リボイラー（ｊａｃｋｅｔｅｄ ｖｅｓｓｅｌ ｔｙｐｅ ｒｅｂｏｉｌｅｒ）などの装置が備えられた蒸留塔３３０が用いられる。

（脱低沸点物段階）
次に、前記溶媒が除去された反応生成物から低沸点物質（ｌｉｇｈｔｓ）を除去する脱低沸点物段階が行われる。

前記脱低沸点物段階では、前記溶媒が除去された反応生成物から公知の脱低沸点物ユニット４００によって低沸点物質（ｌｉｇｈｔｓ）を除去する。

前記低沸点物質は、前記反応段階での主生成物であるイソシアネート化合物より低い沸点を有する物質を意味する。前記低沸点物質としては、前記主生成物を得る工程で副反応によって生成される物質が挙げられる。一例として、前記イソシアネート化合物でＸＤＩを製造する工程で、前記低沸点物質は（クロロメチル）ベンジルイソシアネート（（ｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｂｅｎｚｙｌ ｉｓｏｃｙａｎａｔｅ、ＣＢＩ）およびエチルフェニルイソシアネート（ｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ ｉｓｏｃｙａｎａｔｅ、ＥＢＩ）などのモノイソシアネートを含むことができる。

本発明の一実施形態によれば、前記脱低沸点物段階で前記反応生成物の熱変性と副産物の生成を最小化するために、前記脱低沸点物段階は１５０℃～１６５℃の温度下で行うことが好ましい。そして、前記脱低沸点物段階は５ｔｏｒｒ以下の圧力下で行われることが好ましい。

一例として、前記脱低沸点物段階は蒸留塔で行われるが、前記蒸留塔の下部（ｂｏｔｔｏｍ）の温度を１５０℃～１６５℃にし、前記蒸留塔の上部（ｔｏｐ）の圧力は５ｔｏｒｒ以下で運転することが前記熱変性と副産物の生成を最小化するのに有利である。ここで、前記蒸留塔の下部の温度は、前記蒸留塔の塔底部に連結されたリボイラーの温度を意味する。

好ましくは、前記脱低沸点物段階の実行温度は１５０℃～１６５℃、あるいは１５５℃～１６５℃であり得る。そして、好ましくは、前記脱低沸点物段階を行う上部圧力は１ｔｏｒｒ～５ｔｏｒｒ、あるいは２ｔｏｒｒ～５ｔｏｒｒ、あるいは２ｔｏｒｒ～４ｔｏｒｒであり得る。

前記脱低沸点物段階の実行温度および圧力が上記の範囲を満たさない場合、前記脱低沸点物段階での前記熱変性と副産物の生成量が増加し、低沸点物質の除去効率が低下し、これにより、前記脱低沸点物段階から得られる反応生成物でイソシアネート化合物の濃度が低下する。

一例として、前記脱低沸点物段階は、前記脱溶媒ユニット３００の移送ライン３０４を介して供給される前記反応生成物から低沸点物質を除去できるように構成された蒸留塔４４０；前記蒸留塔の塔頂部から低沸点物質を排出する低沸点物質排出ライン４０９；および前記蒸留塔の塔底部から前記低沸点物質が除去された反応生成物を排出して後続段階に移送する移送ライン４０５を含む脱低沸点物ユニット４００で行うことができる。

前記脱低沸点物段階で前記反応生成物の高温での滞留時間を最小化するために、ケトル型リボイラー（Ｋｅｔｔｌｅ ｔｙｐｅ ｒｅｂｏｉｌｅｒ）、薄膜蒸留装置（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）、強制循環型リボイラー（ｆｏｒｃｅ ｃｉｒｃｕｌａｔｅｄ ｒｅｂｏｉｌｅｒ）、およびジャケット付容器型リボイラー（ｊａｃｋｅｔｅｄ ｖｅｓｓｅｌ ｔｙｐｅ ｒｅｂｏｉｌｅｒ）などの装置が備えられた蒸留塔４４０が用いられる。

（脱高沸点物段階）
次に、前記低沸点物質が除去された反応生成物から高沸点物質（ｈｅａｖｉｅｓ）を除去する脱高沸点物段階が行われる。

前記脱高沸点物段階では、前記低沸点物質が除去された反応生成物から公知の脱高沸点物ユニット５００によって高沸点物質（ｈｅａｖｉｅｓ）を除去する。

前記高沸点物質は、前記反応段階での主生成物であるイソシアネート化合物より高い沸点を有する物質を意味する。前記高沸点物質としては、前記主生成物を得る工程で形成されるイソシアネート化合物の二量体あるいは三量体以上の多量体を含むオリゴマー、あるいはポリマーなど高分子形態の副産物が挙げられる。

本発明の一実施形態によれば、前記脱高沸点物段階で前記反応生成物の熱変性と副産物の生成を最小化するために、前記脱高沸点物段階は１４５℃～１６５℃の温度および１ｔｏｒｒ以下の圧力下で行われることが好ましい。

一例として、前記脱高沸点物段階は薄膜蒸留装置（ｔｈｉｎ－ｆｉｌｍ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）下で行われるが、前記薄膜蒸留装置の下部（ｂｏｔｔｏｍ）の温度を１４５℃～１６５℃にし、前記薄膜蒸留装置の下部（ｂｏｔｔｏｍ）の圧力は１ｔｏｒｒ以下で運転することが前記熱変性と副産物の生成を最小化するのに有利である。

好ましくは、前記脱高沸点物段階の実行温度は１４５℃～１６５℃、あるいは１５０℃～１６５℃、あるいは１５０℃～１６０℃、あるいは１５５℃～１６０℃であり得る。そして、好ましくは、前記脱高沸点物段階の実行圧力は０．１ｔｏｒｒ～１ｔｏｒｒ、あるいは０．５ｔｏｒｒ～１ｔｏｒｒであり得る。

前記脱高沸点物段階の実行温度および圧力が上記の範囲を満たさない場合、前記脱高沸点物段階での前記熱変性と副産物の生成量が増加し、高沸点物質の除去効率が低下し、これにより、前記脱高沸点物段階から得られるイソシアネート化合物の濃度が低下する。

一例として、前記脱高沸点物段階は、前記脱低沸点物ユニット４００の移送ライン４０５を介して供給される前記反応生成物から高沸点物質を除去できるように構成された薄膜蒸留装置５５０；前記薄膜蒸留装置の凝縮部にイソシアネート化合物を移送する移送ライン５０９；および前記薄膜蒸留装置の塔底部から前記高沸点物質を排出する高沸点物質排出ライン５０６を含む脱高沸点物ユニット５００で行うことができる。

図２は、前記反応段階、前記脱ガス段階、前記脱溶媒段階、前記脱高沸点物段階、および前記脱低沸点物段階を順に行う製造方法に関するものである。

図２の前記脱高沸点物段階では、前記溶媒が除去された反応生成物から公知の脱高沸点物ユニット５００によって高沸点物質（ｈｅａｖｉｅｓ）を除去する。前記脱高沸点物段階は、前記脱溶媒ユニット３００の移送ライン３０４を介して供給される前記反応生成物から高沸点物質を除去できるように構成された薄膜蒸留装置５５０；前記薄膜蒸留装置の凝縮部から高沸点物質を排出する高沸点物質排出ライン５０９；前記薄膜蒸留装置の他の凝縮部から前記高沸点物質が除去された反応生成物を排出して後続段階に移送する移送ライン５０６を含む脱高沸点物ユニット５００で行うことができる。

図２の前記脱低沸点物段階では、前記高沸点物質が除去された反応生成物から公知の脱低沸点物ユニット４００によって低沸点物質（ｌｉｇｈｔｓ）を除去する。前記脱低沸点物段階は、前記脱高沸点物ユニット５００の移送ライン５０６を介して供給される前記反応生成物から低沸点物質を除去できるように構成された蒸留塔４４０；前記蒸留塔の塔頂部から低沸点物質を排出する低沸点物質排出ライン４０９；および前記蒸留塔の塔底部から前記低沸点物質が除去された反応生成物を排出する移送ライン４０５を含む脱低沸点物ユニット４００で行うことができる。

図３は、前記反応段階、前記脱ガス段階、前記脱高沸点物段階、前記脱溶媒段階、および前記脱低沸点物段階を順に行う製造方法に関するものである。

図３の前記脱高沸点物段階では、前記ガス相が除去された反応生成物から公知の脱高沸点物ユニット５００によって高沸点物質（ｈｅａｖｉｅｓ）を除去する。前記脱高沸点物段階は、前記脱ガスユニット２００の移送ライン２０３を介して供給される前記反応生成物から高沸点物質を除去できるように構成された薄膜蒸留装置５５０；前記薄膜蒸留装置の凝縮部から高沸点物質を排出する高沸点物質排出ライン５０９；前記薄膜蒸留装置の他の凝縮部から前記高沸点物質が除去された反応生成物を排出して後続段階に移送する移送ライン５０６を含む脱高沸点物ユニット５００で行うことができる。

図３の前記脱溶媒段階では、前記高沸点物質が除去された反応生成物から公知の脱溶媒ユニット３００によって溶媒を蒸留除去する。前記脱溶媒段階は、前記脱高沸点物ユニット５００の移送ライン５０６を介して供給される前記反応生成物から溶媒を除去できるように構成された蒸留塔３３０；前記蒸留塔の塔頂部から溶媒を排出する溶媒排出ライン３０９；前記蒸留塔の塔底部から前記溶媒が除去された反応生成物を排出して後続段階に移送する移送ライン３０４を含む脱溶媒ユニット３００で行うことができる。

図３の前記脱低沸点物段階では、前記溶媒が除去された反応生成物から公知の脱低沸点物ユニット４００によって低沸点物質（ｌｉｇｈｔｓ）を除去する。前記脱低沸点物段階は、前記脱溶媒ユニット３００の移送ライン３０４を介して供給される前記反応生成物から低沸点物質を除去できるように構成された蒸留塔４４０；前記蒸留塔の塔頂部から低沸点物質を排出する低沸点物質排出ライン４０９；および前記蒸留塔の塔底部から前記低沸点物質が除去された反応生成物を排出する移送ライン４０５を含む脱低沸点物ユニット４００で行うことができる。

本発明によれば、ホスゲンを使用したイソシアネート化合物の製造時、反応生成物の熱変性および副産物の生成を最小化し、高純度のイソシアネート化合物を得ることができるイソシアネート化合物の製造方法を提供することができる。

本発明の一実施形態によるイソシアネート化合物の製造方法に用いられる工程および装置を模式的に示す図である。 本発明の一実施形態によるイソシアネート化合物の製造方法に用いられる工程および装置を模式的に示す図である。 本発明の一実施形態によるイソシアネート化合物の製造方法に用いられる工程および装置を模式的に示す図である。

以下、本発明の具体的な実施形態により発明の作用、効果をより具体的に説明する。ただし、これは発明の理解を助けるための例示として提示されたものであり、発明の権利範囲はこれによっていかなる意味でも限定されるものではない。

実施例１
図１に示すような装置を用いて次のような工程で１，３－ＸＤＩ（ｍ－ＸＤＩ）を製造した。

（反応段階）
常温および常圧の条件下で、６５００ｋｇの１，２－ジクロロベンゼン（ｏ－ＤＣＢ）の溶媒中で、塩酸５００ｋｇとｍ－キシリレンジアミン（ｍ－ＸＤＡ）５６０ｋｇを４時間の間反応させ、ｍ－キシリレンジアミンの塩酸塩８７０ｋｇを形成した。

前記ｍ－キシリレンジアミンの塩酸塩８７０ｋｇを供給ライン１０を介して反応器１１０に投入し、反応器の温度を１２５℃に昇温した。反応進行時間の間供給ライン２０を介して合計１３５９ｋｇのホスゲン（ｐｈｏｓｇｅｎｅ）を反応器に入れて攪拌した。ホスゲン投入時点から反応終了時点までドライアイス－アセトンコンデンサを用いてホスゲンが外部に漏れないようにした。９０℃の温度下で１．５時間反応を進行させた。

その後、反応器の内部温度を１２５℃になるように加熱し、ホスゲン６０００ｋｇをさらに投入した。反応器の温度は１２５℃を維持し、反応溶液が透明になるまで４．５時間さらに攪拌した。反応溶液が透明になった後に加熱を中断した。前記方法で得られた反応生成物は移送ライン１０２を介して脱ガスユニット２００に移送された。

（脱ガス段階）
脱ガスユニット２００の蒸留塔２２０は、移送ライン１０２を介して供給される前記反応生成物からガス相を除去できるように構成した。

具体的には、蒸留塔２２０は、ランダムパッキングの一種類であるポールリング（ｐａｌｌ ｒｉｎｇ）が充填されたパッキングタワーを使用し、その高さは約６ｍである。

蒸留塔２２０の下部（ｂｏｔｔｏｍ）の温度を１５５℃にし、蒸留塔２２０の上部（ｔｏｐ）の圧力を４００ｔｏｒｒで運転した。

約１５０ｋｇ／ｈｒの還流ストリームを蒸留塔２２０に再投入し、これは塔頂の流出量に対して約３．２の還流比に相当する。

蒸留塔２２０の塔頂部に連結されたガス相排出ライン２０９を介してホスゲンを含むガス相が排出された。前記ガス相が除去された反応生成物は、蒸留塔２２０の塔底部に連結された移送ライン２０３を介して脱溶媒ユニット３００に移送された。

（脱溶媒段階）
脱溶媒ユニット３００の蒸留塔３３０は、移送ライン２０３を介して供給される前記反応生成物から溶媒を除去できるように構成した。

具体的には、蒸留塔３３０は、ランダムパッキングの一種類であるポールリング（ｐａｌｌ ｒｉｎｇ）が充填されたパッキングタワーを使用し、その高さは約７ｍである。

蒸留塔３３０の下部（ｂｏｔｔｏｍ）の温度を１６０℃にし、蒸留塔３３０の上部（ｔｏｐ）の圧力を１５ｔｏｒｒで運転した。

約６００ｋｇ／ｈｒの還流ストリームを蒸留塔３３０に再投入し、これは塔頂の流出量に対して約０．５の還流比に相当する。

蒸留塔３３０の塔頂部に連結されたガス相排出ライン３０９を介して１，２－ジクロロベンゼン（ｏ－ＤＣＢ）を含む溶媒が排出された。前記溶媒が除去された反応生成物は、蒸留塔３３０の塔底部に連結された移送ライン３０４を介して脱低沸点物ユニット４００に移送された。

（脱低沸点物段階）
脱低沸点物ユニット４００の蒸留塔４４０は、移送ライン３０４を介して供給される前記反応生成物から低沸点物質を除去できるように構成した。

具体的には、蒸留塔３３０は、ランダムパッキングの一種類であるポールリング（ｐａｌｌ ｒｉｎｇ）が充填されたパッキングタワーを使用し、その高さは約１３ｍである。

蒸留塔４４０の下部（ｂｏｔｔｏｍ）の温度を１６０℃にし、蒸留塔４４０の上部（ｔｏｐ）の圧力を３ｔｏｒｒで運転した。

約４０ｋｇ／ｈｒの還流ストリームを蒸留塔４４０に再投入し、これは塔頂の流出量に対して約２．０の還流比に相当する。

蒸留塔４４０の塔頂部に連結された低沸点物質排出ライン４０９を介して（クロロメチル）ベンジルイソシアネート（ＣＢＩ）を含む低沸点物質が排出された。前記低沸点物質が除去された反応生成物は、蒸留塔４４０の塔底部に連結された移送ライン４０５を介して脱高沸点物ユニット５００に移送された。

（脱高沸点物段階）
脱高沸点物ユニット５００の薄膜蒸留装置５５０は、移送ライン４０５を介して供給される前記反応生成物から高沸点物質を除去できるように構成した。

具体的には、薄膜蒸留装置５５０は内部に凝縮器が設置されているｓｈｏｒｔ ｐａｔｈ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ（ショートパス蒸留装置）形態の蒸発器を使用した。

薄膜蒸留装置５５０の下部（ｂｏｔｔｏｍ）の温度を１３５℃にし、薄膜蒸留装置５５０の下部（ｂｏｔｔｏｍ）の圧力を０．５ｔｏｒｒで運転した。

薄膜蒸留装置の下部（ｂｏｔｔｏｍ）で約１３ｋｇ／ｈｒの高沸点凝縮物が分離された。

薄膜蒸留装置５５０の排出ライン５０９を介して１，３－ＸＤＩ（ｍ－ＸＤＩ）を含むイソシアネート化合物が排出された。前記反応生成物から分離した高沸点物質は、薄膜蒸留装置５５０の塔底部に連結された排出ライン５０６を介して排出された。

実施例２
前記脱低沸点物段階で蒸留塔２２０の下部（ｂｏｔｔｏｍ）の温度を１５５℃で運転したことを除いて、前記実施例１と同様の方法で１，３－ＸＤＩ（ｍ－ＸＤＩ）を含むイソシアネート化合物を得た。

実施例３
前記脱低沸点物段階で蒸留塔２２０の下部（ｂｏｔｔｏｍ）の温度を１６５℃で運転したことを除いて、前記実施例１と同様の方法で１，３－ＸＤＩ（ｍ－ＸＤＩ）を含むイソシアネート化合物を得た。

実施例４
図２に示すような装置を用いて、前記反応段階、前記脱ガス段階、前記脱溶媒段階、前記脱高沸点物段階、および前記脱低沸点物段階の順で行ったことを除いて、前記実施例１と同様の方法で１，３－ＸＤＩ（ｍ－ＸＤＩ）を含むイソシアネート化合物を得た。

下表２の実施例４で、前記脱高沸点物段階のデータは塔頂部での組成であり、残りの段階のデータは塔底部での組成である。

実施例５
図３に示すような装置を用いて、前記反応段階、前記脱ガス段階、前記脱高沸点物段階、前記脱溶媒段階、および前記脱低沸点物段階の順で行ったことを除いて、前記実施例１と同様の方法で１，３－ＸＤＩ（ｍ－ＸＤＩ）を含むイソシアネート化合物を得た。

下表３の実施例５で、前記脱高沸点物段階のデータは塔頂部での組成であり、残りの段階のデータは塔底部での組成である。

比較例１
前記脱低沸点物段階で蒸留塔４４０の下部（ｂｏｔｔｏｍ）の温度を１４５℃で運転したことを除いて、前記実施例１と同様の方法で１，３－ＸＤＩ（ｍ－ＸＤＩ）を含むイソシアネート化合物を得た。上記の製造方法では前記脱低沸点物段階で低沸点物の残留量が相対的に高く現れた。

比較例２
前記脱低沸点物段階で蒸留塔４４０の下部（ｂｏｔｔｏｍ）の温度を１７０℃で運転したことを除いて、前記実施例１と同様の方法で１，３－ＸＤＩ（ｍ－ＸＤＩ）を含むイソシアネート化合物を得た。上記の製造方法では反応生成物の熱分解によって１，３－ＸＤＩの含有量が顕著に低く現れた。

参考例１
前記脱ガス段階で蒸留塔２２０の下部（ｂｏｔｔｏｍ）の温度を１５５℃にし、蒸留塔２２０の上部（ｔｏｐ）の圧力を７６０ｔｏｒｒで運転したことを除いて、前記実施例１と同様の方法で１，３－ＸＤＩ（ｍ－ＸＤＩ）を含むイソシアネート化合物を得た。上記の製造方法では前記脱ガス段階でホスゲンが流出した。

参考例２
前記脱ガス段階で蒸留塔２２０の下部（ｂｏｔｔｏｍ）の温度を１４０℃にし、蒸留塔２２０の上部（ｔｏｐ）の圧力を４００ｔｏｒｒで運転したことを除いて、前記実施例１と同様の方法で１，３－ＸＤＩ（ｍ－ＸＤＩ）を含むイソシアネート化合物を得た。上記の製造方法では前記脱ガス段階でホスゲンが流出した。

参考例３
前記脱溶媒段階で蒸留塔３３０の下部（ｂｏｔｔｏｍ）の温度を１６０℃にし、蒸留塔３３０の上部（ｔｏｐ）の圧力を５０ｔｏｒｒで運転したことを除いて、前記実施例１と同様の方法で１，３－ＸＤＩ（ｍ－ＸＤＩ）を含むイソシアネート化合物を得た。上記の製造方法では前記脱低沸点物段階で低沸点物の残留量が相対的に高く現れた。

参考例４
前記脱溶媒段階で蒸留塔３３０の下部（ｂｏｔｔｏｍ）の温度を９５℃にし、蒸留塔３３０の上部（ｔｏｐ）の圧力を１５ｔｏｒｒで運転したことを除いて、前記実施例１と同様の方法で１，３－ＸＤＩ（ｍ－ＸＤＩ）を含むイソシアネート化合物を得た。上記の製造方法では前記脱低沸点物段階で低沸点物の残留量が相対的に高く現れた。

参考例５
前記脱高沸点物段階で薄膜蒸留装置５５０の下部（ｂｏｔｔｏｍ）の温度を１６０℃にし、薄膜蒸留装置５５０の下部（ｂｏｔｔｏｍ）の圧力を２ｔｏｒｒで運転したことを除いて、前記実施例１と同様の方法で１，３－ＸＤＩ（ｍ－ＸＤＩ）を含むイソシアネート化合物を得た。上記の製造方法では前記脱高沸点物段階で高沸点物の残留量が相対的に高く現れた。

試験例
前記実施例および比較例の各段階で得られる反応生成物の一部を回収してｇｅｌ ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ（ゲル浸透クロマトグラフィー）分析を行った。前記分析により確認された主成分の含有量を下表１に示す。

上記表１～表３を参照すると、前記実施例によるイソシアネート化合物の製造方法は反応生成物の熱変性および副産物の生成を最小化することができ、高純度のイソシアネート化合物を得ることができることが確認された。

それに対して、前記参考例ではホスゲンが流出するか、低沸点物または高沸点物が残留した。また、前記参考例では熱変性と副産物の生成量が増加し、最終的に得られるイソシアネート化合物の濃度が相対的に低いことが確認された。

１０ アミン化合物の塩供給ライン
２０ ホスゲン供給ライン
１００ 反応ユニット
１１０ 反応器
１０２ 移送ライン
２００ 脱ガスユニット
２２０ 蒸留塔
２０９ ガス相排出ライン
２０３ 移送ライン
３００ 脱溶媒ユニット
３３０ 蒸留塔
３０９ 溶媒排出ライン
３０４ 移送ライン
４００ 脱低沸点物ユニット
４４０ 蒸留塔
４０９ 低沸点物質排出ライン
４０５ 移送ライン
５００ 脱高沸点物ユニット
５５０ 薄膜蒸留装置
５０６ 高沸点物質排出ライン
５０９ 移送ライン

Claims (10)

1. アミン化合物の塩とホスゲンを溶媒下で反応させてイソシアネート化合物を含む反応生成物を得る反応段階、および
   前記反応生成物からガス相を除去する脱ガス段階を含み、
   前記ガス相が除去された反応生成物から溶媒を除去する脱溶媒段階、低沸点物質（ｌｉｇｈｔｓ）を除去する脱低沸点物段階、および高沸点物質（ｈｅａｖｉｅｓ）を除去する脱高沸点物段階を任意の順で含み、
   前記段階はそれぞれ１６５℃以下の温度下で行われ、
   前記脱低沸点物段階は１５０℃～１６５℃の温度下で行われる、イソシアネート化合物の製造方法。
2. アミン化合物の塩とホスゲンを溶媒下で反応させてイソシアネート化合物を含む反応生成物を得る前記反応段階、
   前記反応生成物からガス相を除去する前記脱ガス段階、
   前記ガス相が除去された反応生成物から溶媒を除去する前記脱溶媒段階、
   前記溶媒が除去された反応生成物から低沸点物質（ｌｉｇｈｔｓ）を除去する前記脱低沸点物段階、および
   前記低沸点物質が除去された反応生成物から高沸点物質（ｈｅａｖｉｅｓ）を除去する前記脱高沸点物段階を含む、請求項１に記載のイソシアネート化合物の製造方法。
3. アミン化合物の塩とホスゲンを溶媒下で反応させてイソシアネート化合物を含む反応生成物を得る前記反応段階、
   前記反応生成物からガス相を除去する前記脱ガス段階、
   前記ガス相が除去された反応生成物から溶媒を除去する前記脱溶媒段階、
   前記溶媒が除去された反応生成物から高沸点物質（ｈｅａｖｉｅｓ）を除去する前記脱高沸点物段階、および
   前記高沸点物質が除去された反応生成物から低沸点物質（ｌｉｇｈｔｓ）を除去する前記脱低沸点物段階を含む、請求項１に記載のイソシアネート化合物の製造方法。
4. アミン化合物の塩とホスゲンを溶媒下で反応させてイソシアネート化合物を含む反応生成物を得る前記反応段階、
   前記反応生成物からガス相を除去する前記脱ガス段階、
   前記ガス相が除去された反応生成物から高沸点物質（ｈｅａｖｉｅｓ）を除去する前記脱高沸点物段階、
   前記高沸点物質が除去された反応生成物から溶媒を除去する前記脱溶媒段階、および
   前記溶媒が除去された反応生成物から低沸点物質（ｌｉｇｈｔｓ）を除去する前記脱低沸点物段階を含む、請求項１に記載のイソシアネート化合物の製造方法。
5. 前記脱ガス段階は１４５℃～１６５℃の温度および１００ｔｏｒｒ～６００ｔｏｒｒの圧力下で行われる、請求項１に記載のイソシアネート化合物の製造方法。
6. 前記脱溶媒段階は１００℃～１６５℃の温度および３０ｔｏｒｒ以下の圧力下で行われる、請求項１に記載のイソシアネート化合物の製造方法。
7. 前記脱高沸点物段階は１４５℃～１６５℃の温度および１ｔｏｒｒ以下の圧力下で行われる、請求項１に記載のイソシアネート化合物の製造方法。
8. 前記アミン化合物はｍ－キシリレンジアミン、ｐ－キシリレンジアミンおよびｏ－キシリレンジアミンからなる群より選択される１種以上の化合物である、請求項１に記載のイソシアネート化合物の製造方法。
9. 前記アミン化合物の塩は、アミン化合物の塩酸塩または炭酸塩である、請求項１に記載のイソシアネート化合物の製造方法。
10. 前記脱高沸点物段階は、薄膜蒸留装置（ｔｈｉｎ－ｆｉｌｍ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）下で行われる、請求項１に記載のイソシアネート化合物の製造方法。

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