JP2024077164A - 外部接続端子 - Google Patents
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- G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
【課題】スパーク故障を抑制できる外部接続端子を提供する。【解決手段】外部接続端子(1)は、電子回路と電気的に導通する導通部(11)と、電子回路と電気的に絶縁された非導通部(12)を有し、導通部(11)と非導通部(12)は、金属を含む素材からなり、平面視における導通部(11)の占有面積に対する非導通部(12)の占有面積の比率xと、導通部(11)の高さに対する非導通部(12)の高さの比率yが、x≧0.30、y≧1.00、y≧-0.50×x+1.25を同時に満たす。【選択図】図2
Description
この発明は、基材上の電子回路を外部の機器に電気的に接続する外部接続端子に関する。
従来から、基材上に形成された電子回路を外部の機器に電気的に接続するために、例えば特許文献1に開示されるように、電子回路には外部接続端子が接続されていることが多い。
ところで、電子回路および外部接続端子がシート状の基材上に形成されている場合に、シート状の基材がいわゆるロールに巻き取られる、または、複数のシート状の基材が重ねられることにより、外部接続端子上にシート状の基材が重なることがある。この状態からシート状の基材同士が剥離されると、いわゆる剥離帯電が生じることにより、外部接続端子においていわゆるスパーク故障が発生する場合があった。
この発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、スパーク故障を抑制できる外部接続端子を提供することを目的とする。
以下の構成により、上記目的が達成される。
〔1〕 電子回路と電気的に導通する導通部と、
電子回路と電気的に絶縁された非導通部を有し、
導通部と非導通部は、金属を含む素材からなり、
平面視における導通部の占有面積に対する非導通部の占有面積の比率xと、導通部の高さに対する非導通部の高さの比率yが、
x≧0.30
y≧1.00
y≧-0.50×x+1.25
を同時に満たす外部接続端子。
〔2〕 比率xおよび比率yが、
x≧0.75
y≧1.00
y≧-0.50×x+1.675
を同時に満たす〔1〕に記載の外部接続端子。
〔3〕 非導通部は、少なくとも1つのパターンからなる〔1〕または〔2〕に記載の外部接続端子。
〔4〕 非導通部の少なくとも1つのパターンは、導通部により囲まれている〔3〕に記載の外部接続端子。
〔1〕 電子回路と電気的に導通する導通部と、
電子回路と電気的に絶縁された非導通部を有し、
導通部と非導通部は、金属を含む素材からなり、
平面視における導通部の占有面積に対する非導通部の占有面積の比率xと、導通部の高さに対する非導通部の高さの比率yが、
x≧0.30
y≧1.00
y≧-0.50×x+1.25
を同時に満たす外部接続端子。
〔2〕 比率xおよび比率yが、
x≧0.75
y≧1.00
y≧-0.50×x+1.675
を同時に満たす〔1〕に記載の外部接続端子。
〔3〕 非導通部は、少なくとも1つのパターンからなる〔1〕または〔2〕に記載の外部接続端子。
〔4〕 非導通部の少なくとも1つのパターンは、導通部により囲まれている〔3〕に記載の外部接続端子。
本発明に係る外部接続端子によれば、子回路と電気的に導通する導通部と、電子回路と電気的に絶縁された非導通部を有し、導通部と非導通部は、金属を含む素材からなり、平面視における導通部の占有面積に対する非導通部の占有面積の比率xと、導通部の高さに対する非導通部の高さの比率yが、x≧0.3、y≧1.0、y≧-0.5×x+1.25を同時に満たすため、スパーク故障を抑制できる。
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の通電部材を詳細に説明する。
なお、以下に説明する図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図に本発明が限定されるものではない。
なお、以下において数値範囲を示す「~」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値α~数値βとは、εの範囲は数値αと数値βを含む範囲であり、数学記号で示せばα≦ε≦βである。
「平行」および「直交」等の角度は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
また、「同一」とは、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
なお、以下に説明する図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図に本発明が限定されるものではない。
なお、以下において数値範囲を示す「~」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値α~数値βとは、εの範囲は数値αと数値βを含む範囲であり、数学記号で示せばα≦ε≦βである。
「平行」および「直交」等の角度は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
また、「同一」とは、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
また、「(メタ)アクリレート」はアクリレートおよびメタクリレートの双方、または、いずれかを表し、「(メタ)アクリル」はアクリルおよびメタクリルの双方、または、いずれかを表す。また、「(メタ)アクリロイル」はアクリロイルおよびメタクリロイルの双方、または、いずれかを表す。
なお、可視光に対して透明とは、特に断りがなければ、可視光透過率が、波長380nm~800nmの可視光波長域において、40%以上のことであり、好ましくは80.0%以上、より好ましくは90.0%以上のことである。また、以下の説明において、透明とは、特に断りがなければ、可視光に対して透明であることを示す。
可視光透過率は、JIS(日本工業規格) K 7375:2008に規定される「プラスチック-全光線透過率および全光線反射率の求め方」を用いて測定されるものである。
なお、可視光に対して透明とは、特に断りがなければ、可視光透過率が、波長380nm~800nmの可視光波長域において、40%以上のことであり、好ましくは80.0%以上、より好ましくは90.0%以上のことである。また、以下の説明において、透明とは、特に断りがなければ、可視光に対して透明であることを示す。
可視光透過率は、JIS(日本工業規格) K 7375:2008に規定される「プラスチック-全光線透過率および全光線反射率の求め方」を用いて測定されるものである。
実施の形態
図1に、本発明の実施の形態におけるタッチパネルの構成を示す。
タッチパネルは、XY面に沿った平面形状を有する絶縁性且つシート状の基材Aを有している。基材Aは、互いに表裏を形成する第1面A1と第2面A2を有している。
図1に、本発明の実施の形態におけるタッチパネルの構成を示す。
タッチパネルは、XY面に沿った平面形状を有する絶縁性且つシート状の基材Aを有している。基材Aは、互いに表裏を形成する第1面A1と第2面A2を有している。
基材Aの第1面A1に、X方向に沿って延び且つY方向において配列された複数の検出電極B1と、複数の検出電極B1から引き出された複数の引き出し配線C1と、複数の引き出し配線C1に接続された複数の外部接続端子1が形成されている。また、基材Aの第2面A2に、Y方向に沿って延び且つX方向において配列された複数の検出電極B2と、複数の検出電極B2から引き出された複数の引き出し配線C2と、複数の引き出し配線C2に接続された複数の外部接続端子2が形成されている。なお、X方向およびY方向の双方に対して直交する方向をZ方向と呼ぶ。
基材Aの第1面A1上に形成された検出電極B1と基材Aの第2面A2に形成された検出電極B2が互いに重なる箇所に、タッチパネルのユーザの指またはいわゆるスタイラスペン等が接触または接近すると、その箇所における静電容量が変化して、ユーザの指等の接触または接近が検出される。この際に、ユーザの指等の接触または接近を検出したことを表す検出信号は、複数の検出電極B1およびB2から複数の引き出し配線C1およびC2を介して複数の外部接続端子1および2に送出される。
複数の外部接続端子1および2は、図示しない外部の機器に電気的に接続される。これにより、複数の検出電極B1およびB2と外部の機器が接続されて、外部の機器において、ユーザの指等の接触または接近を検出したことを表す検出信号が利用される。
以下では、本発明の実施の形態に係る外部接続端子1について説明する。外部接続端子2は、外部接続端子1と同一の構成を有しているため、外部接続端子2の説明は省略する。
図2に、外部接続端子1の平面図を示す。外部接続端子1は、金属を含む素材により構成され、引き出し配線C1に電気的に導通する導通部11と、引き出し配線C1および導通部11と電気的に絶縁された非導通部12を有している。導通部11は、複数の金属細線がメッシュ状に配置されることにより構成されている。非導通部12は、それぞれ導通部11のメッシュの開口部Q内に配置されることにより導通部11に囲まれた複数のパターンからなる。
また、平面視における導通部11の占有面積S1に対する非導通部12の占有面積S2の比率x、すなわち、S2/S1により算出される比率xは、不等式(1)を満たしている。
x≧0.30・・・(1)
x≧0.30・・・(1)
ここで、平面視における導通部11の占有面積とは、外部接続端子1をXY面に投影した面積のうち、導通部11のメッシュを形成する複数の金属細線をXY面に投影した面積の総和のことを言う。また、平面視における非導通部12の占有面積とは、外部接続端子1をXY面に投影した面積のうち、非導通部12の複数のパターンをXY面に投影した面積の総和のことを言う。
また、導通部11の高さH1に対する非導通部12の高さH2の比率y、すなわち、H2/H1により算出される比率yは、不等式(2)を満たしている。
y≧1.00・・・(2)
y≧1.00・・・(2)
ここで、導通部11および非導通部12の高さとは導通部11および非導通部12のZ方向における寸法のことを言う。図3は、外部接続端子1の図2におけるE1-E1線断面図である。図3の例において、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yはy>1.00であり、不等式(2)を満たしている。
さらに、平面視における導通部11の占有面積S1に対する非導通部12の占有面積S2の比率xと、導通部11の高さH1に対する非導通部12の高さH2の比率yは、不等式(3)を満たしている。
y≧-0.50×x+1.25・・・(3)
y≧-0.50×x+1.25・・・(3)
ところで、シート状の基材Aがいわゆるロールに巻き取られた状態、または、複数のシート状の基材Aが重ねられた状態等から、重なり合う基材A同士が剥離されると、いわゆる剥離帯電が生じることがある。この剥離帯電は、外部接続端子1においていわゆるスパーク故障が発生する要因となる。
本発明の実施の形態に係る外部接続端子1では、比率xおよび比率yが大きい値を有するほど、重ねられた基材Aから外部接続端子1に加えられる面圧が非導通部12に分散して導通部11に加えられる面圧が小さくなるが、本発明者らは、さらに、比率xおよび比率yが不等式(1)、(2)および(3)を同時に満たすことにより、重ねられた基材Aから導通部11に加えられる面圧が低下して剥離帯電が抑制され、その結果、外部接続端子1におけるスパーク故障が抑制されることを見出した。
実施の形態の外部接続端子1は、不等式(1)、(2)および(3)を同時に満たしているため、スパーク故障を抑制できる。
実施の形態の外部接続端子1は、不等式(1)、(2)および(3)を同時に満たしているため、スパーク故障を抑制できる。
また、比率xおよび比率yが不等式(1)、(2)および(3)を同時に満たすことによって重ねられた基材Aから外部接続端子1に加えられる面圧が低下するため、シート状の基材Aがロールに巻き取られる、または、複数のシート状の基材Aが重ねられることにより、互いに重なる基材Aが擦れ合った場合でも、外部接続端子1が基材Aの擦れで故障しにくい。
なお、比率xおよび比率yが不等式(1)、(2)および(3)を同時に満たすことにより外部接続端子1におけるスパーク故障が抑制されるが、比率xおよび比率yが不等式(2)と、次の不等式(4)および(5)を満たすことが、重ねられた基材Aから外部接続端子1に加えられる面圧をさらに低下させて外部接続端子1におけるスパーク故障を抑制できるため、より好ましい。
x≧0.75・・・(4)
y≧-0.50×x+1.675・・・(5)
x≧0.75・・・(4)
y≧-0.50×x+1.675・・・(5)
また、外部接続端子1の形状は、図2に示す形状に限定されない。例えば、図4および図5に示す外部接続端子1Aを形成することもできる。ここで、図5は、外部接続端子1AのE2-E2断面図である。外部接続端子1Aは、Y方向に沿って延び且つ引き出し配線C1と同一の線幅を有する導通部11Aと、導通部11AのX方向の両側に配置され且つY方向に沿って延びる非導通部12Aを有している。導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2はS1<S2であるため、比率xは不等式(1)を満たし、導通部11の高さH1に対する非導通部12の高さH2の比率yは、y>1.00であるため不等式(2)を満たしている。さらに、比率xおよび比率yは不等式(3)を満たしている。
また、図6および図7に示す外部接続端子1Bを形成することもできる。ここで、図7は、外部接続端子1BのE3-E3断面図である。外部接続端子1Bは、Y方向に沿って延びる導通部11Aと、導通部11AのX方向の両側に配置され且つY方向に沿って延びる非導通部12Aを有している。導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2はS1>S2であるが、比率xは不等式(1)を満たし、導通部11の高さH1に対する非導通部12の高さH2の比率yは、y>1.00であるため不等式(2)を満たしている。さらに、比率xおよび比率yは不等式(3)を満たしている。
また、図8および図9に示す外部接続端子1Cを形成することもできる。ここで、図9は、外部接続端子1CのE4-E4断面図である。外部接続端子1Cは、図2に示す外部接続端子1の導通部11と同様のメッシュ状の導通部11Cと、図2に示す外部接続端子1の非導通部12と同様のメッシュ内に配置され非導通部12Cと、導通部11CのX方向の両側に配置され且つY方向に沿って延びる非導通部13Cを有している。平面視における導通部11の占有面積S1に対する非導通部12の占有面積S2の比率xは不等式(1)を満たし、導通部11の高さH1に対する非導通部12の高さH2の比率yは、y>1.00であるため不等式(2)を満たしている。さらに、比率xおよび比率yは不等式(3)を満たしている。
また、導通部11の高さH1に対する非導通部12の高さH2の比率yがy>1.00の例が説明されているが、例えば図10に示すようにy=1.00であっても、不等式(1)、(2)および(3)を同時に満たしていれば、外部接続端子1におけるスパーク故障を抑制できる。なお、図10に例示する外部接続端子1Dは、平面視において、図2に示す外部接続端子1の平面視における形状と同一の形状を有している。
また、外部接続端子1に電気的に接続される電子回路の例として、図1に示すような検出電極B1および引き出し配線C1が説明されているが、外部接続端子1に電気的に接続される電子回路はこれに限定されない。外部接続端子1は、外部の機器に電気的に接続される任意の電子回路に接続できる。
以下では、実施の形態の外部接続端子1を構成する各部材について説明する。
外部接続端子1は、金属または合金を形成材料とし、例えば、銀、銅、金、アルミニウム、ニッケル、クロム、モリブデンまたはタングステンから形成することができる。外部接続端子1には、銅が含まれることが好ましいが、銅以外の金属、例えば、金、銀等が含まれていてもよい。また、外部接続端子1は、金属銀およびゼラチンまたはアクリル・スチレン系ラテックス等の高分子バインダーが含有されたものでもよい。その他の好ましいものとして、アルミニウム、銀、モリブデン、チタンの金属およびその合金が挙げられる。また、これらの積層構造であってもよく、例えば、モリブデン/銅/モリブデン、モリブデン/アルミニウム/モリブデン等の積層構造の金属細線が使用できる。
さらに、外部接続端子1Bは、例えば、金属酸化物粒子、銀ペーストおよびは銅ペースト等の金属ペースト、並びに銀ナノワイヤおよび銅ナノワイヤ等の金属ナノワイヤ粒子を含むものであってもよい。
次に、外部接続端子1の形成方法について説明する。これらの形成方法として、例えば、スパッタ法、めっき法、銀塩法等が適宜利用可能である。
スパッタ法による外部接続端子1の形成方法について説明する。まず、スパッタにより、銅箔層を形成し、フォトリソグラフィの方法により銅箔層から銅配線を形成することにより、外部接続端子1を形成することができる。なお、スパッタの代わりに、いわゆる蒸着により銅箔層を形成することもできる。銅箔層は、スパッタ銅箔または蒸着銅箔以外にも、電解銅箔が利用可能である。より具体的には、特開2014-29614号公報に記載の銅配線を形成する工程を利用することができる。
スパッタ法による外部接続端子1の形成方法について説明する。まず、スパッタにより、銅箔層を形成し、フォトリソグラフィの方法により銅箔層から銅配線を形成することにより、外部接続端子1を形成することができる。なお、スパッタの代わりに、いわゆる蒸着により銅箔層を形成することもできる。銅箔層は、スパッタ銅箔または蒸着銅箔以外にも、電解銅箔が利用可能である。より具体的には、特開2014-29614号公報に記載の銅配線を形成する工程を利用することができる。
めっき法による外部接続端子1の形成方法について説明する。例えば、外部接続端子1は、無電解めっき下地層に無電解めっきを施すことにより下地層上に形成される金属めっき膜を用いて構成することができる。この場合、外部接続端子1は、少なくとも金属微粒子を含有する触媒インクを基材上にパターン状に形成した後に、基材を無電解めっき浴に浸漬し、金属めっき膜を形成することにより形成される。より具体的には、特開2014-159620号公報に記載の金属被膜基材の製造方法を利用することができる。
また、外部接続端子1は、少なくとも金属触媒前駆体と相互作用し得る官能基を有する樹脂組成物を基材上にパターン状に形成した後、触媒または触媒前駆体を付与し、基材を無電解めっき浴に浸漬し、金属めっき膜を形成することにより形成される。より具体的には、特開2012-144761号公報に記載の金属被膜基材の製造方法を応用することができる。
銀塩法による外部接続端子1の形成方法について説明する。まず、ハロゲン化銀が含まれる銀塩乳剤層に、外部接続端子1となる露光パターンが形成され且つ局所的に露光量の異なるガラスマスクを配置した状態で露光処理を施し、その後現像処理を行うことで、外部接続端子1を形成することができる。より具体的には、特開2012-6377号公報、特開2014-112512号公報、特開2014-209332号公報、特開2015-22397号公報、特開2016-192200号公報および国際公開第2016/157585号に記載の金属細線の製造方法を利用することができる。
ここで、局所的に露光量の異なるガラスマスクの製造方法について説明する。まず、青板ガラスの一方の面にクロム膜が一様に成膜されたガラスマスク用基板に対して、フォトリソグラフィの方法によりクロム膜のエッチングを行い、クロム膜がパターニングされた第1パターンマスクを作製する。次に、第1パターンマスクのクロム膜が配置されている面にフォトレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィの方法を用いてフォトレジスト膜のパターニングを行うことにより、第2パターンマスクを作製する。パターニング後のフォトレジスト膜は、クロム膜がエッチングされた所定の位置において開口部を有している。次に、第2パターンマスクに対して、クロムターゲットを用いたスパッタリングを所定の膜厚となるように行い、クロム薄膜を第2パターンマスク上に形成する。次に、フォトレジスト膜の除去処理を行うことにより、ガラス上に最初のクロム膜が形成されている箇所、ガラスが露出している箇所、ガラス上にスパッタリングによるクロム薄膜が形成されている箇所を有するガラスマスクが得られる。ガラス上にスパッタリングによるクロム薄膜が形成されている箇所は、ガラスが露出している箇所よりも露光量が少なくなる。なお、スパッタリングによりクロム薄膜の膜厚を調整することで、その部分における露光量を調節することが可能である。
以下に、実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容および処理手順は、本発明の主旨を逸脱しない限り適宜変更することができ、本発明の範囲は、以下の実施例により限定的に解釈されるべきものではない。
<実施例1>
(ハロゲン化銀乳剤の調製)
38℃、pH4.5に保たれた下記1液に、下記の2液及び3液の各々90%に相当する量を、1液を攪拌しながら同時に20分間にわたって加え、0.16μmの核粒子を形成した。続いて、得られた溶液に下記4液及び5液を8分間にわたって加え、更に、下記の2液及び3液の残りの10%の量を2分間にわたって加え、核粒子を0.21μmまで成長させた。更に、得られた溶液にヨウ化カリウム0.15gを加え、5分間熟成し、粒子形成を終了した。
(ハロゲン化銀乳剤の調製)
38℃、pH4.5に保たれた下記1液に、下記の2液及び3液の各々90%に相当する量を、1液を攪拌しながら同時に20分間にわたって加え、0.16μmの核粒子を形成した。続いて、得られた溶液に下記4液及び5液を8分間にわたって加え、更に、下記の2液及び3液の残りの10%の量を2分間にわたって加え、核粒子を0.21μmまで成長させた。更に、得られた溶液にヨウ化カリウム0.15gを加え、5分間熟成し、粒子形成を終了した。
1液:
水 750ml
ゼラチン 8.6g
臭化カリウム 3g
1,3-ジメチルイミダゾリジン-2-チオン 20mg
ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム 10mg
クエン酸 0.7g
2液:
水 300ml
硝酸銀 150g
3液:
水 300ml
塩化ナトリウム 38g
臭化カリウム 32g
ヘキサクロロイリジウム(III)酸カリウム
(0.005%KCl 20%水溶液) 5ml
ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
(0.001%NaCl 20%水溶液) 7ml
4液:
水 100ml
硝酸銀 50g
5液:
水 100ml
塩化ナトリウム 13g
臭化カリウム 11g
黄血塩 5mg
水 750ml
ゼラチン 8.6g
臭化カリウム 3g
1,3-ジメチルイミダゾリジン-2-チオン 20mg
ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム 10mg
クエン酸 0.7g
2液:
水 300ml
硝酸銀 150g
3液:
水 300ml
塩化ナトリウム 38g
臭化カリウム 32g
ヘキサクロロイリジウム(III)酸カリウム
(0.005%KCl 20%水溶液) 5ml
ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
(0.001%NaCl 20%水溶液) 7ml
4液:
水 100ml
硝酸銀 50g
5液:
水 100ml
塩化ナトリウム 13g
臭化カリウム 11g
黄血塩 5mg
その後、常法に従ってフロキュレーション法によって水洗した。具体的には、上述の得られた溶液の温度を35℃に下げ、硫酸を用いてハロゲン化銀が沈降するまでpHを下げた(pH3.6±0.2の範囲であった)。次に、得られた溶液から上澄み液を約3リットル除去した(第1水洗)。次に、上澄み液を除去した溶液に、3リットルの蒸留水を加えてから、ハロゲン化銀が沈降するまで硫酸を加えた。再度、得られた溶液から上澄み液を3リットル除去した(第2水洗)。第2水洗と同じ操作を更に1回繰り返して(第3水洗)、水洗及び脱塩工程を終了した。水洗及び脱塩後の乳剤をpH6.4、pAg7.5に調整し、ゼラチン2.5g、ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム10mg、ベンゼンチオスルフィン酸ナトリウム3mg、チオ硫酸ナトリウム15mg及び塩化金酸10mgを加え、55℃にて最適感度を得るように化学増感を施した。その後、更に、得られた乳剤に、安定剤として1,3,3a,7-テトラアザインデン100mg、及び、防腐剤としてプロキセル(商品名、ICI Co.,Ltd.製)100mgを加えた。最終的に得られた乳剤は、沃化銀を0.08モル%含み、塩臭化銀の比率を塩化銀70モル%、臭化銀30モル%とする、平均粒子径(球相当径)0.22μm、変動係数9%のヨウ塩臭化銀立方体粒子乳剤であった。
(感光性層形成用組成物の調製)
上述の乳剤に1,3,3a,7-テトラアザインデン(1.2×10-4モル/モルAg)、ハイドロキノン(1.2×10-2モル/モルAg)、クエン酸(3.0×10-4モル/モルAg)、2,4-ジクロロ-6-ヒドロキシ-1,3,5-トリアジンナトリウム塩(0.90g/モルAg)、及び、微量の硬膜剤を添加し、組成物を得た。次に、クエン酸を用いて組成物のpHを5.6に調整した。
上述の乳剤に1,3,3a,7-テトラアザインデン(1.2×10-4モル/モルAg)、ハイドロキノン(1.2×10-2モル/モルAg)、クエン酸(3.0×10-4モル/モルAg)、2,4-ジクロロ-6-ヒドロキシ-1,3,5-トリアジンナトリウム塩(0.90g/モルAg)、及び、微量の硬膜剤を添加し、組成物を得た。次に、クエン酸を用いて組成物のpHを5.6に調整した。
上述の組成物に、含有するゼラチンに対して、下記式(P-1)で表されるポリマーとジアルキルフェニルPEO硫酸エステルからなる分散剤を含有するポリマーラテックス(分散剤/ポリマーの質量比が2.0/100=0.02)とをポリマー/ゼラチン(質量比)=0.5/1になるように添加した。
さらに、架橋剤としてEPOXY RESIN DY 022(商品名:ナガセケムテックス社製)を添加した。なお、架橋剤の添加量は、後述するハロゲン化銀含有感光性層中における架橋剤の量が0.09g/m2となるように調整した。
以上のようにして感光性層形成用組成物を調製した。
なお、下記式(P-1)で表されるポリマーは、特許第3305459号および特許第
3754745号を参照して合成した。
さらに、架橋剤としてEPOXY RESIN DY 022(商品名:ナガセケムテックス社製)を添加した。なお、架橋剤の添加量は、後述するハロゲン化銀含有感光性層中における架橋剤の量が0.09g/m2となるように調整した。
以上のようにして感光性層形成用組成物を調製した。
なお、下記式(P-1)で表されるポリマーは、特許第3305459号および特許第
3754745号を参照して合成した。
(感光性層形成工程)
絶縁性の基材にコロナ放電処理を施した後、基材の一方の面に、下塗層として厚み0.1μmのゼラチン層、さらに下塗層上に光学濃度が約1.0で現像液のアルカリにより脱色する染料を含むアンチハレーション層を設けた。上記アンチハレーション層の上に、上記感光性層形成用組成物を塗布し、さらに厚み0.15μmのゼラチン層を設け、両面に感光性層が形成された基材を得た。形成された感光性層は、銀量6.0g/m2、ゼラチン量1.0g/m2であった。
絶縁性の基材にコロナ放電処理を施した後、基材の一方の面に、下塗層として厚み0.1μmのゼラチン層、さらに下塗層上に光学濃度が約1.0で現像液のアルカリにより脱色する染料を含むアンチハレーション層を設けた。上記アンチハレーション層の上に、上記感光性層形成用組成物を塗布し、さらに厚み0.15μmのゼラチン層を設け、両面に感光性層が形成された基材を得た。形成された感光性層は、銀量6.0g/m2、ゼラチン量1.0g/m2であった。
(露光現像工程)
上記の感光性層が形成された基材の一方の面に、図1および図2に示す複数の検出電極B1、複数の引き出し配線C1および複数の外部接続端子1のパターンに対応したガラスマスクを配置した。この状態で、基材に対して、高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光を行った。露光後、下記の現像液で現像し、さらに定着液(商品名:CN16X用N3X-R、富士フイルム社製)を用いて現像処理を行った。さらに、純水でリンスし、乾燥することで、両面にAg線からなる導電部材とゼラチン層とが形成された基材を得た。ゼラチン層はAg線間に形成されていた。
上記の感光性層が形成された基材の一方の面に、図1および図2に示す複数の検出電極B1、複数の引き出し配線C1および複数の外部接続端子1のパターンに対応したガラスマスクを配置した。この状態で、基材に対して、高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光を行った。露光後、下記の現像液で現像し、さらに定着液(商品名:CN16X用N3X-R、富士フイルム社製)を用いて現像処理を行った。さらに、純水でリンスし、乾燥することで、両面にAg線からなる導電部材とゼラチン層とが形成された基材を得た。ゼラチン層はAg線間に形成されていた。
(現像液の組成)
現像液1リットル(L)中に、以下の化合物が含まれる。
ハイドロキノン 0.037mol/L
N-メチルアミノフェノール 0.016mol/L
メタホウ酸ナトリウム 0.140mol/L
水酸化ナトリウム 0.360mol/L
臭化ナトリウム 0.031mol/L
メタ重亜硫酸カリウム 0.187mol/L
現像液1リットル(L)中に、以下の化合物が含まれる。
ハイドロキノン 0.037mol/L
N-メチルアミノフェノール 0.016mol/L
メタホウ酸ナトリウム 0.140mol/L
水酸化ナトリウム 0.360mol/L
臭化ナトリウム 0.031mol/L
メタ重亜硫酸カリウム 0.187mol/L
(ゼラチン分解処理)
両面にAg線からなる導電部材とゼラチン層とが形成された基材に対して、タンパク質分解酵素(ナガセケムテックス社製ビオプラーゼAL-15FG)の水溶液(タンパク質分解酵素の濃度:0.5質量%、液温:40℃)への浸漬を120秒間行った。基材を水溶液から取り出し、温水(液温:50℃)に120秒間浸漬し、洗浄した。
両面にAg線からなる導電部材とゼラチン層とが形成された基材に対して、タンパク質分解酵素(ナガセケムテックス社製ビオプラーゼAL-15FG)の水溶液(タンパク質分解酵素の濃度:0.5質量%、液温:40℃)への浸漬を120秒間行った。基材を水溶液から取り出し、温水(液温:50℃)に120秒間浸漬し、洗浄した。
(低抵抗化処理)
ゼラチン分解処理後の基材に対して金属製ローラを備えたカレンダ装置を用いて、30kNの圧力でカレンダ処理を行った。カレンダ処理後、基材を温度150℃の過熱蒸気槽を120秒間かけて通過させて、加熱処理を行った。このようにして得られた基材の一方の面上には、図2に示す形状を有する外部接続端子が形成されていた。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.50であった。また、外部接続端子は、図10に示すような断面形状を有し、導通部11の高さH1は1.25μmであり、非導通部12の高さH2も1.25であった。そのため、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率は1.00であった。
ゼラチン分解処理後の基材に対して金属製ローラを備えたカレンダ装置を用いて、30kNの圧力でカレンダ処理を行った。カレンダ処理後、基材を温度150℃の過熱蒸気槽を120秒間かけて通過させて、加熱処理を行った。このようにして得られた基材の一方の面上には、図2に示す形状を有する外部接続端子が形成されていた。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.50であった。また、外部接続端子は、図10に示すような断面形状を有し、導通部11の高さH1は1.25μmであり、非導通部12の高さH2も1.25であった。そのため、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率は1.00であった。
<実施例2>
非導通部12の占有面積S2を広くしたガラスマスクを用いる以外は実施例1と同様にして実施例2の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.75であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率は1.00であった。
非導通部12の占有面積S2を広くしたガラスマスクを用いる以外は実施例1と同様にして実施例2の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.75であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率は1.00であった。
<実施例3>
非導通部12の占有面積S2を実施例2よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例2と同様にして実施例3の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.00であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率は1.00であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例2よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例2と同様にして実施例3の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.00であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率は1.00であった。
<実施例4>
非導通部12の占有面積S2を実施例3よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例3と同様にして実施例4の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.25であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率は1.00であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例3よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例3と同様にして実施例4の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.25であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率は1.00であった。
<実施例5>
非導通部12の占有面積S2を実施例4よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例4と同様にして実施例5の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.50であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率は1.00であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例4よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例4と同様にして実施例5の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.50であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率は1.00であった。
<実施例6>
(ガラスマスクの作製)
まず、青板ガラスの一方の面にクロム膜が一様に成膜されたガラスマスク用基板に対して、図1および図2に示す複数の検出電極B1、複数の引き出し配線C1および複数の外部接続端子に対応するパターンを形成するようにフォトリソグラフィの方法によりクロム膜のエッチングを行い、クロム膜がパターニングされた第1パターンマスクを作製した。この第1パターンマスクのクロム膜が配置されている面にフォトレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィの方法を用いてフォトレジスト膜のパターニングを行うことにより、第2パターンマスクを作製した。パターニング後のフォトレジスト膜は、クロム膜が除去された部分、すなわち、外部接続端子の非導通部12に対応する部分に開口部を有していた。次に、第2パターンマスクに対して、クロムターゲットを用いたスパッタリングを所定の膜厚となるように行い、クロム薄膜を第2パターンマスク上に形成した。最後に、フォトレジスト膜の除去処理を行うことにより、ガラス上に最初のクロム膜が形成されている箇所、ガラスが露出している箇所、ガラス上にスパッタリングによるクロム薄膜が形成されている箇所を有するガラスマスクが得られた。
(ガラスマスクの作製)
まず、青板ガラスの一方の面にクロム膜が一様に成膜されたガラスマスク用基板に対して、図1および図2に示す複数の検出電極B1、複数の引き出し配線C1および複数の外部接続端子に対応するパターンを形成するようにフォトリソグラフィの方法によりクロム膜のエッチングを行い、クロム膜がパターニングされた第1パターンマスクを作製した。この第1パターンマスクのクロム膜が配置されている面にフォトレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィの方法を用いてフォトレジスト膜のパターニングを行うことにより、第2パターンマスクを作製した。パターニング後のフォトレジスト膜は、クロム膜が除去された部分、すなわち、外部接続端子の非導通部12に対応する部分に開口部を有していた。次に、第2パターンマスクに対して、クロムターゲットを用いたスパッタリングを所定の膜厚となるように行い、クロム薄膜を第2パターンマスク上に形成した。最後に、フォトレジスト膜の除去処理を行うことにより、ガラス上に最初のクロム膜が形成されている箇所、ガラスが露出している箇所、ガラス上にスパッタリングによるクロム薄膜が形成されている箇所を有するガラスマスクが得られた。
このガラスマスクを用いて露光現像工程を行う以外は、実施例1と同様にして実施例6の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.40であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は1.31μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.05であった。
<実施例7>
非導通部12の占有面積S2を実施例6よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例6と同様にして実施例7の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.48であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.05であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例6よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例6と同様にして実施例7の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.48であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.05であった。
<実施例8>
非導通部12の占有面積S2を実施例7よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例7と同様にして実施例8の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.00であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.05であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例7よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例7と同様にして実施例8の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.00であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.05であった。
<実施例9>
非導通部12の占有面積S2を実施例8よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例8と同様にして実施例9の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.25であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.05であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例8よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例8と同様にして実施例9の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.25であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.05であった。
<実施例10>
スパッタリングで形成するクロム薄膜を実施例6よりも厚くしたガラスマスクを用い、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、実施例6と同様にして実施例10の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.40であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は1.36μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.09であった。
スパッタリングで形成するクロム薄膜を実施例6よりも厚くしたガラスマスクを用い、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、実施例6と同様にして実施例10の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.40であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は1.36μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.09であった。
<実施例11>
非導通部12の占有面積S2を実施例10よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例10と同様にして実施例11の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.00であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.09であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例10よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例10と同様にして実施例11の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.00であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.09であった。
<実施例12>
非導通部12の占有面積S2を実施例11よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例11と同様にして実施例12の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.25であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.09であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例11よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例11と同様にして実施例12の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.25であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.09であった。
<実施例13>
非導通部12の占有面積S2を実施例10よりも小さくし、スパッタリングで形成するクロム薄膜を実施例10よりも厚くしたガラスマスクを用い、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、実施例10と同様にして実施例13の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.30であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は1.38μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.10であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例10よりも小さくし、スパッタリングで形成するクロム薄膜を実施例10よりも厚くしたガラスマスクを用い、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、実施例10と同様にして実施例13の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.30であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は1.38μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.10であった。
<実施例14>
非導通部12の占有面積S2を実施例13よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例13と同様にして実施例14の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.75であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.10であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例13よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例13と同様にして実施例14の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.75であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.10であった。
<実施例15>
非導通部12の占有面積S2を実施例14よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例14と同様にして実施例15の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.00であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.10であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例14よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例14と同様にして実施例15の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.00であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.10であった。
<実施例16>
非導通部12の占有面積S2を実施例15よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例15と同様にして実施例16の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.25であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.10であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例15よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例15と同様にして実施例16の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.25であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.10であった。
<実施例17>
非導通部12の占有面積S2を実施例13よりも大きくし、スパッタリングで形成するクロム薄膜を実施例13よりも厚くしたガラスマスクを用い、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、実施例13と同様にして実施例17の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.50であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は1.63μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.30であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例13よりも大きくし、スパッタリングで形成するクロム薄膜を実施例13よりも厚くしたガラスマスクを用い、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、実施例13と同様にして実施例17の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.50であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は1.63μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.30であった。
<実施例18>
非導通部12の占有面積S2を実施例17よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例17と同様にして実施例18の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.75であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.30であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例17よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例17と同様にして実施例18の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.75であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.30であった。
<実施例19>
非導通部12の占有面積S2を実施例18よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例18と同様にして実施例19の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.00であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.30であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例18よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例18と同様にして実施例19の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.00であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.30であった。
<実施例20>
非導通部12の占有面積S2を実施例17よりも小さくし、スパッタリングで形成するクロム薄膜を実施例17よりも厚くしたガラスマスクを用い、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、実施例17と同様にして実施例20の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.30であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は2.00μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.60であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例17よりも小さくし、スパッタリングで形成するクロム薄膜を実施例17よりも厚くしたガラスマスクを用い、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、実施例17と同様にして実施例20の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.30であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は2.00μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.60であった。
<実施例21>
非導通部12の占有面積S2を実施例20よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例20と同様にして実施例21の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.50であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.60であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例20よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例20と同様にして実施例21の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.50であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.60であった。
<実施例22>
非導通部12の占有面積S2を実施例21よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例21と同様にして実施例22の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.00であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.60であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例21よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例21と同様にして実施例22の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.00であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.60であった。
<実施例23>
非導通部12の占有面積S2を実施例22よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例22と同様にして実施例23の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.50であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.60であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例22よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例22と同様にして実施例23の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.50であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.60であった。
<実施例24>
スパッタリングで形成するクロム薄膜を実施例20よりも厚くしたガラスマスクを用い、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、実施例20と同様にして実施例24の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.30であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は2.50μmであり、高さH1と高さH2の比率yは2.00であった。
スパッタリングで形成するクロム薄膜を実施例20よりも厚くしたガラスマスクを用い、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、実施例20と同様にして実施例24の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.30であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は2.50μmであり、高さH1と高さH2の比率yは2.00であった。
<実施例25>
非導通部12の占有面積S2を実施例24よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例24と同様にして実施例25の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.50であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは2.00であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例24よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例24と同様にして実施例25の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.50であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは2.00であった。
<実施例26>
非導通部12の占有面積S2を実施例25よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例25と同様にして実施例26の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.75であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは2.00であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例25よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例25と同様にして実施例26の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.75であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは2.00であった。
<実施例27>
非導通部12の占有面積S2を実施例26よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例26と同様にして実施例27の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.50であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは2.00であった。
非導通部12の占有面積S2を実施例26よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は実施例26と同様にして実施例27の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.50であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは2.00であった。
<実施例28>
実施例6のガラスマスクの作製工程において、図2の外部接続端子1の形状に対応するパターンを有するガラスマスクの代わりに、図4の外部接続端子1Aの形状に対応するパターンを有するガラスマスクを作製し、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、実施例6と同様にして実施例28の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.60であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は2.00μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.60であった。
実施例6のガラスマスクの作製工程において、図2の外部接続端子1の形状に対応するパターンを有するガラスマスクの代わりに、図4の外部接続端子1Aの形状に対応するパターンを有するガラスマスクを作製し、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、実施例6と同様にして実施例28の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.60であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は2.00μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.60であった。
<実施例29>
実施例6のガラスマスクの作製工程において、図2の外部接続端子1の形状に対応するパターンを有するガラスマスクの代わりに、図6の外部接続端子1Bの形状に対応するパターンを有するガラスマスクを作製し、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、実施例6と同様にして実施例29の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.75であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は2.00μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.60であった。
実施例6のガラスマスクの作製工程において、図2の外部接続端子1の形状に対応するパターンを有するガラスマスクの代わりに、図6の外部接続端子1Bの形状に対応するパターンを有するガラスマスクを作製し、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、実施例6と同様にして実施例29の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.75であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は2.00μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.60であった。
<実施例30>
実施例6のガラスマスクの作製工程において、図2の外部接続端子1の形状に対応するパターンを有するガラスマスクの代わりに、図8の外部接続端子1Cの形状に対応するパターンを有するガラスマスクを作製し、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、実施例6と同様にして実施例30の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.50であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は2.00μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.60であった。
実施例6のガラスマスクの作製工程において、図2の外部接続端子1の形状に対応するパターンを有するガラスマスクの代わりに、図8の外部接続端子1Cの形状に対応するパターンを有するガラスマスクを作製し、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、実施例6と同様にして実施例30の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは1.50であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は2.00μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.60であった。
<比較例1>
露光現像工程において図11の外部接続端子1Eの形状に対応するガラスマスクを用いた以外は実施例1と同様にして比較例1の外部接続端子を作製した。図11の外部接続端子1Eは、Y方向に沿って延びる板状の導通部11Eからなり、非導通部を有さない。導通部11Eの高さH1は、2.00μmであった。
露光現像工程において図11の外部接続端子1Eの形状に対応するガラスマスクを用いた以外は実施例1と同様にして比較例1の外部接続端子を作製した。図11の外部接続端子1Eは、Y方向に沿って延びる板状の導通部11Eからなり、非導通部を有さない。導通部11Eの高さH1は、2.00μmであった。
<比較例2>
露光現像工程において図12の外部接続端子1Fの形状に対応するガラスマスクを用いた以外は実施例1と同様にして比較例2の外部接続端子を作製した。図12の外部接続端子1Fは、Y方向に沿って延び且つ図12における導通部11EよりもX方向の幅が狭い板状の導通部11Fからなり、非導通部を有さない。導通部11Fの高さH1は、2.00μmであった。
露光現像工程において図12の外部接続端子1Fの形状に対応するガラスマスクを用いた以外は実施例1と同様にして比較例2の外部接続端子を作製した。図12の外部接続端子1Fは、Y方向に沿って延び且つ図12における導通部11EよりもX方向の幅が狭い板状の導通部11Fからなり、非導通部を有さない。導通部11Fの高さH1は、2.00μmであった。
<比較例3>
露光現像工程において図13の外部接続端子1Gの形状に対応するガラスマスクを用いた以外は実施例1と同様にして比較例3の外部接続端子を作製した。図13の外部接続端子1Gは、図2に示す実施例1における導通部11と同一の形状の導通部11Gからなり、非導通部を有さない。導通部11Gの高さH1は、1.25μmであった。
露光現像工程において図13の外部接続端子1Gの形状に対応するガラスマスクを用いた以外は実施例1と同様にして比較例3の外部接続端子を作製した。図13の外部接続端子1Gは、図2に示す実施例1における導通部11と同一の形状の導通部11Gからなり、非導通部を有さない。導通部11Gの高さH1は、1.25μmであった。
<比較例4>
実施例1における導通部11の形状に対応するパターンを有する第1のガラスマスクと、非導通部12の形状に対応するパターンを有する第2のガラスマスクを用意した。第1のガラスマスクを用いて実施例1と同様の方法により基材上に導通部11を形成した後、第2のガラスマスクを用いたフォトリソグラフィの方法により、下記の硬化組成物をUV光(Ultraviolet light:紫外光)照射で硬化した樹脂材料からなる非導通部12を基材上に形成した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.92であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は2.00μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.60であった。
実施例1における導通部11の形状に対応するパターンを有する第1のガラスマスクと、非導通部12の形状に対応するパターンを有する第2のガラスマスクを用意した。第1のガラスマスクを用いて実施例1と同様の方法により基材上に導通部11を形成した後、第2のガラスマスクを用いたフォトリソグラフィの方法により、下記の硬化組成物をUV光(Ultraviolet light:紫外光)照射で硬化した樹脂材料からなる非導通部12を基材上に形成した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.92であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は2.00μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.60であった。
硬化組成物:
M-315(東亞合成(株)製:イソシアヌル酸EO変性トリアクリレート(イソシアヌル環構造を有する3官能アクリレート化合物)
40.0重量部
FA-513AS(日立化成工業(株)製ファンクリルFA-513AS、ジシクロペンタニルアクリレート、ホモポリマーのTg=120℃)
30.0重量部
NVP(和光純薬工業(株)製:N-ビニルピロリドン)
29.5重量部
イルガキュア184(Irg.184)(BASF社製:1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン)
0.5重量部
M-315(東亞合成(株)製:イソシアヌル酸EO変性トリアクリレート(イソシアヌル環構造を有する3官能アクリレート化合物)
40.0重量部
FA-513AS(日立化成工業(株)製ファンクリルFA-513AS、ジシクロペンタニルアクリレート、ホモポリマーのTg=120℃)
30.0重量部
NVP(和光純薬工業(株)製:N-ビニルピロリドン)
29.5重量部
イルガキュア184(Irg.184)(BASF社製:1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン)
0.5重量部
<比較例5>
実施例6のガラスマスクの作製工程において、図2の外部接続端子1の形状に対応するパターンを有するガラスマスクの代わりに、図14の外部接続端子1Hの形状に対応するパターンを有するガラスマスクを作製した以外は、実施例6と同様にして比較例5の外部接続端子を作製した。図14の外部接続端子1Hは、図2における非導通部12のサイズを小さくしたものに対応する。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.30であった。また、導通部11の高さH1および非導通部12の高さH2はいずれも1.25μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.00であった。
実施例6のガラスマスクの作製工程において、図2の外部接続端子1の形状に対応するパターンを有するガラスマスクの代わりに、図14の外部接続端子1Hの形状に対応するパターンを有するガラスマスクを作製した以外は、実施例6と同様にして比較例5の外部接続端子を作製した。図14の外部接続端子1Hは、図2における非導通部12のサイズを小さくしたものに対応する。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.30であった。また、導通部11の高さH1および非導通部12の高さH2はいずれも1.25μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.00であった。
<比較例6>
非導通部12の占有面積S2を比較例5よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は比較例5と同様にして比較例6の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.48であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.00であった。
非導通部12の占有面積S2を比較例5よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は比較例5と同様にして比較例6の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.48であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.00であった。
<比較例7>
実施例6のガラスマスクの作製工程において、図2の外部接続端子1の形状に対応するパターンを有するガラスマスクの代わりに、図14の外部接続端子1Hの形状に対応するパターンを有するガラスマスクを作製した以外は、実施例6と同様にして比較例7の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.20であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は1.31μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.05であった。
実施例6のガラスマスクの作製工程において、図2の外部接続端子1の形状に対応するパターンを有するガラスマスクの代わりに、図14の外部接続端子1Hの形状に対応するパターンを有するガラスマスクを作製した以外は、実施例6と同様にして比較例7の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.20であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は1.31μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.05であった。
<比較例8>
非導通部12の占有面積S2を比較例7よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は比較例7と同様にして比較例8の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.30であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.05であった。
非導通部12の占有面積S2を比較例7よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は比較例7と同様にして比較例8の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.30であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.05であった。
<比較例9>
スパッタリングで形成するクロム薄膜を比較例7よりも厚くしたガラスマスクを用い、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、比較例7と同様にして比較例9の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.20であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は1.36μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.09であった。
スパッタリングで形成するクロム薄膜を比較例7よりも厚くしたガラスマスクを用い、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、比較例7と同様にして比較例9の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.20であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は1.36μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.09であった。
<比較例10>
非導通部12の占有面積S2を比較例9よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は比較例9と同様にして比較例10の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.28であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.09であった。
非導通部12の占有面積S2を比較例9よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は比較例9と同様にして比較例10の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.28であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.09であった。
<比較例11>
スパッタリングで形成するクロム薄膜を比較例9よりも厚くしたガラスマスクを用い、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、比較例9と同様にして比較例11の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.20であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は1.38μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.10であった。
スパッタリングで形成するクロム薄膜を比較例9よりも厚くしたガラスマスクを用い、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、比較例9と同様にして比較例11の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.20であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は1.38μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.10であった。
<比較例12>
非導通部12の占有面積S2を比較例11よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は比較例11と同様にして比較例12の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.28であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.10であった。
非導通部12の占有面積S2を比較例11よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は比較例11と同様にして比較例12の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.28であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.10であった。
<比較例13>
スパッタリングで形成するクロム薄膜を比較例11よりも厚くしたガラスマスクを用い、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、比較例11と同様にして比較例13の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.20であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は2.00μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.60であった。
スパッタリングで形成するクロム薄膜を比較例11よりも厚くしたガラスマスクを用い、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、比較例11と同様にして比較例13の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.20であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は2.00μmであり、高さH1と高さH2の比率yは1.60であった。
<比較例14>
非導通部12の占有面積S2を比較例13よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は比較例13と同様にして比較例14の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.28であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.60であった。
非導通部12の占有面積S2を比較例13よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は比較例13と同様にして比較例14の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.28であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは1.60であった。
<比較例15>
スパッタリングで形成するクロム薄膜を比較例13よりも厚くしたガラスマスクを用い、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、比較例13と同様にして比較例15の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.20であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は2.50μmであり、高さH1と高さH2の比率yは2.00であった。
スパッタリングで形成するクロム薄膜を比較例13よりも厚くしたガラスマスクを用い、露光現像工程における基材への露光量を増やした以外は、比較例13と同様にして比較例15の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.20であった。また、導通部11の高さH1は1.25μm、非導通部12の高さH2は2.50μmであり、高さH1と高さH2の比率yは2.00であった。
<比較例16>
非導通部12の占有面積S2を比較例15よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は比較例15と同様にして比較例16の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.28であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは2.00であった。
非導通部12の占有面積S2を比較例15よりも大きくしたガラスマスクを用いる以外は比較例15と同様にして比較例16の外部接続端子を作製した。外部接続端子において導通部11の占有面積S1と非導通部12の占有面積S2との比率xは0.28であった。また、導通部11の高さH1と非導通部12の高さH2の比率yは2.00であった。
このようにして作製された実施例1~30および比較例1~16の外部接続端子に対して、以下に示すスパーク故障発生率の評価を行った。
(スパーク故障発生率の評価)
外部接続端子が形成された基材を200枚重ね合わせ、その状態で1日経過させた。その後、基材を1枚ずつ取り出し、外部接続端子の両端部間の抵抗値を測定した。この際に、抵抗値が測定できない(オーバーロード)箇所が1つでも存在する基材を導通不良の基材と判定し、200枚のすべての基材に対する導通不良の基材の割合をスパーク故障発生率として算出した。この際に、スパーク故障発生率が2.0%以下の場合に外部接続端子におけるスパーク故障が十分に抑制されていると判定し、スパーク故障発生率が1.0%以下の場合に外部接続端子におけるスパーク故障が非常に抑制されていると判定した。また、スパーク故障発生率が2.0%よりも大きい場合にスパーク故障が発生しやすいと判定した。
(スパーク故障発生率の評価)
外部接続端子が形成された基材を200枚重ね合わせ、その状態で1日経過させた。その後、基材を1枚ずつ取り出し、外部接続端子の両端部間の抵抗値を測定した。この際に、抵抗値が測定できない(オーバーロード)箇所が1つでも存在する基材を導通不良の基材と判定し、200枚のすべての基材に対する導通不良の基材の割合をスパーク故障発生率として算出した。この際に、スパーク故障発生率が2.0%以下の場合に外部接続端子におけるスパーク故障が十分に抑制されていると判定し、スパーク故障発生率が1.0%以下の場合に外部接続端子におけるスパーク故障が非常に抑制されていると判定した。また、スパーク故障発生率が2.0%よりも大きい場合にスパーク故障が発生しやすいと判定した。
以下の表1に実施例1~30に対するスパーク故障発生率の評価結果を示し、表2に比較例1~16に対するスパーク故障発生率の評価結果を示す。
表1に示すように、実施例1~30は、スパーク故障発生率がいずれも2.0%以下であり、外部接続端子におけるスパーク故障が十分に抑制されていることが分かる。ここで、実施例1~30のいずれにおいても、比率xおよび比率yが不等式(1)、(2)および(3)を同時に満たしている。そのため、比率xおよび比率yが不等式(1)、(2)および(3)を同時に満たすことによりスパーク故障が十分に抑制されることが分かる。
実施例5、12、16、18、19、22、23および26~30は、スパーク故障発生率がいずれも1.0%以下であり、外部接続端子におけるスパーク故障が非常に抑制されていることが分かる。ここで、実施例5、12、16、18、19、22、23および26~30のいずれにおいても、比率xおよび比率yが不等式(2)、(4)および(5)を同時に満たしている。そのため、比率xおよび比率yが不等式(2)、(4)および(5)を同時に満たすことにより、外部接続端子におけるスパーク故障が非常に抑制されることが分かる。
比較例1~16は、スパーク故障発生率がいずれも2.0%よりも大きく、外部接続端子におけるスパーク故障が発生しやすいことが分かる。
比較例1~3の外部接続端子は非導通部を有さないため、外部接続端子上に重ねられた基材から導通部11E、11Fおよび11Gに加えられる面圧が大きいため、基材同士を剥離した際の剥離帯電が大きく、外部接続端子におけるスパーク故障が発生しやすいと考えられる。
比較例4の外部接続端子は、樹脂からなる非導通部12を有しているため、外部接続端子上に重ねられた基材から面圧が加えられた際に非導通部12が潰れてしまい、基材から導通部11E、11Fおよび11Gに加えられる面圧が大きくなるため、外部接続端子におけるスパーク故障が発生しやすいと考えられる。
比較例5~12における比率xおよび比率yは、いずれも不等式(3)を満たしていない。また、比較例13~16における比率xおよび比率yは、いずれも不等式(2)および(3)を満たしているが不等式(1)を満たしていない。そのため、不等式(1)、(2)および(3)が同時に満たされていない場合には、スパーク故障が発生しやすくなることが分かる。
以上の評価結果から、外部接続端子が導通部11および非導通部12を有し、導通部11と非導通部12が金属を含む素材からなり、比率xおよび比率yが不等式(1)、(2)および(3)を同時に満たすことにより、外部接続端子におけるスパーク故障を抑制できることが分かる。
本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上において、本発明の外部接続端子1について詳細に説明したが、本発明は、上述の実施態様に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。
1,1A,1B,1C,1D,1E,1F,1G,1H,2 外部接続端子、11,11A,11B,11C,11D,11E,11F,11G,11H 導通部、12,12A,12B,12C,13C,12D,12H 非導通部、A 基材、A1 第1面、A2 第2面、B1,B2 検出電極、C1,C2 引き出し配線、H1,H2 高さ、Q 開口部。
Claims (4)
- 電子回路と電気的に導通する導通部と、
前記電子回路と電気的に絶縁された非導通部を有し、
前記導通部と前記非導通部は、金属を含む素材からなり、
平面視における前記導通部の占有面積に対する前記非導通部の占有面積の比率xと、前記導通部の高さに対する前記非導通部の高さの比率yが、
x≧0.30
y≧1.00
y≧-0.50×x+1.25
を同時に満たす外部接続端子。 - 前記比率xおよび前記比率yが、
x≧0.75
y≧1.00
y≧-0.50×x+1.675
を同時に満たす請求項1に記載の外部接続端子。 - 前記非導通部は、少なくとも1つのパターンからなる請求項1または2に記載の外部接続端子。
- 前記非導通部の前記少なくとも1つのパターンは、前記導通部により囲まれている請求項3に記載の外部接続端子。
Priority Applications (3)
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---|---|---|---|
JP2022189050A JP2024077164A (ja) | 2022-11-28 | 2022-11-28 | 外部接続端子 |
US18/514,628 US20240196522A1 (en) | 2022-11-28 | 2023-11-20 | External connection terminal |
CN202311556080.4A CN118099803A (zh) | 2022-11-28 | 2023-11-21 | 外部连接端子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022189050A JP2024077164A (ja) | 2022-11-28 | 2022-11-28 | 外部接続端子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024077164A true JP2024077164A (ja) | 2024-06-07 |
Family
ID=91141211
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022189050A Pending JP2024077164A (ja) | 2022-11-28 | 2022-11-28 | 外部接続端子 |
Country Status (3)
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JP (1) | JP2024077164A (ja) |
CN (1) | CN118099803A (ja) |
-
2022
- 2022-11-28 JP JP2022189050A patent/JP2024077164A/ja active Pending
-
2023
- 2023-11-20 US US18/514,628 patent/US20240196522A1/en active Pending
- 2023-11-21 CN CN202311556080.4A patent/CN118099803A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20240196522A1 (en) | 2024-06-13 |
CN118099803A (zh) | 2024-05-28 |
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