JP2024060648A - 放射線画像検出器及び放射線画像検出器の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】画像ムラがより抑制された放射線画像を生成できるようにする。【解決手段】放射線画像検出器１は、硬質基板上に光電変換素子３１ｆが配列された素子基板３１と、放射線を光に変換して光電変換素子３１ｆに照射するシンチレーター３３と、シンチレーター３３と素子基板３１とを接着する接着層（光学接着層３２）と、を備え、接着層の厚さは、５μｍ以上で且つ５０μｍ以下であり、シンチレーター３３は、素子基板３１側の表面に突起部３３ｃを有し、突起部３３ｃの高さＨは、接着層の厚さ未満である。【選択図】図３
Description
本発明は、放射線画像検出器及び放射線画像検出器の製造方法に関する。
従来、入射した放射線をシンチレーターで可視光等の光に変換し、変換された光を、基板上に二次元状に配列されたフォトダイオード等の複数の光電変換素子で検出する放射線検出部を用いた放射線画像検出器（Flat Panel Detector（ＦＰＤ）ともいう。）が知られている。放射線画像検出器では、光電変換素子で入射した光を電荷に変換し、発生した電荷を取り出すことで、被写体に照射された放射線に担持された情報を電気信号として検出する。
ところで、上記シンチレーターの製造において、シンチレーターを構成する蛍光体を形成する際に、当該蛍光体表面において周囲の正常箇所と比べて突出した突起部が生じてしまう場合がある。
当該突起部が生じたシンチレーターと、ガラス基板上に光電変換素子が配列された素子基板とを貼り合わせると、ガラス基板は撓まないため、突起部を起点とした貼りムラが発生する。そして、当該貼りムラにより放射線画像検出器で生成される放射線画像に画像ムラが発生する恐れがある。
当該突起部が生じたシンチレーターと、ガラス基板上に光電変換素子が配列された素子基板とを貼り合わせると、ガラス基板は撓まないため、突起部を起点とした貼りムラが発生する。そして、当該貼りムラにより放射線画像検出器で生成される放射線画像に画像ムラが発生する恐れがある。
蛍光体表面における突起部に関して、特許文献１には、以下の放射線画像変換パネルの製造方法が記載されている。
具体的には、蛍光体層表面をレーザーアブレーション法により蛍光体層の層厚方向に部分的に除去させることにより突出部（突起部）のみを平坦化させる。又は、１対の加熱ローラー又は加圧ローラー間に蛍光体プレートを通過させるカレンダー処理により、突出部（突起部）のみを平坦化させる。
また、特許文献２には、蛍光体層表面における凸部（突起部）をガラス板及びローラーにより押しつぶす、または工具を蛍光体層表面に沿って移動させて凸部を取り除いて平坦化させることが記載されている。
具体的には、蛍光体層表面をレーザーアブレーション法により蛍光体層の層厚方向に部分的に除去させることにより突出部（突起部）のみを平坦化させる。又は、１対の加熱ローラー又は加圧ローラー間に蛍光体プレートを通過させるカレンダー処理により、突出部（突起部）のみを平坦化させる。
また、特許文献２には、蛍光体層表面における凸部（突起部）をガラス板及びローラーにより押しつぶす、または工具を蛍光体層表面に沿って移動させて凸部を取り除いて平坦化させることが記載されている。
しかしながら、上記のように突起部を平坦化させる平坦化処理を施したとしても、突起部を完全に平坦化することは難しい。そのため、平坦化処理後のシンチレーターと、ガラス基板上に光電変換素子が配列された素子基板とを貼り合わせた場合に、残った突起部による貼りムラを抑制することができず、依然として画像ムラが生じてしまうおそれがあった。
本発明の課題は、画像ムラがより抑制された放射線画像を生成できる放射線画像検出器及び放射線画像検出器の製造方法を提供することである。
上記課題を解決するため、請求項１に記載の放射線画像検出器は、
硬質基板上に光電変換素子が配列された素子基板と、
放射線を光に変換して前記光電変換素子に照射するシンチレーターと、
前記シンチレーターと前記素子基板とを接着する接着層と、
を備え、
前記接着層の厚さは、５μｍ以上で且つ５０μｍ以下であり、
前記シンチレーターは、前記素子基板側の表面に突起部を有し、
前記突起部の高さは、前記接着層の厚さ未満である。
硬質基板上に光電変換素子が配列された素子基板と、
放射線を光に変換して前記光電変換素子に照射するシンチレーターと、
前記シンチレーターと前記素子基板とを接着する接着層と、
を備え、
前記接着層の厚さは、５μｍ以上で且つ５０μｍ以下であり、
前記シンチレーターは、前記素子基板側の表面に突起部を有し、
前記突起部の高さは、前記接着層の厚さ未満である。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の放射線画像検出器において、
前記シンチレーターを覆う保護膜を備える。
前記シンチレーターを覆う保護膜を備える。
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の放射線画像検出器において、
前記突起部の高さは、前記接着層の厚さの８０％未満である。
前記突起部の高さは、前記接着層の厚さの８０％未満である。
請求項４に記載の発明は、請求項１または２に記載の放射線画像検出器において、
前記突起部の高さは、前記接着層の厚さの６０％未満である。
前記突起部の高さは、前記接着層の厚さの６０％未満である。
請求項５に記載の発明は、請求項１または２に記載の放射線画像検出器において、
前記突起部は、平坦化処理された後の突起部である。
前記突起部は、平坦化処理された後の突起部である。
請求項６に記載の発明は、請求項１または２に記載の放射線画像検出器において、
前記接着層は流動性を有し、前記接着層の粘度は、２０Ｐａ・ｓ以上である。
前記接着層は流動性を有し、前記接着層の粘度は、２０Ｐａ・ｓ以上である。
請求項７に記載の発明は、請求項１または２に記載の放射線画像検出器において、
前記接着層がシート状であり、前記接着層の硬度は、ショア硬さ（Ａタイプ）がＡ２０以下である。
前記接着層がシート状であり、前記接着層の硬度は、ショア硬さ（Ａタイプ）がＡ２０以下である。
請求項８に記載の放射線画像検出器の製造方法は、
請求項１または２に記載の放射線画像検出器を製造する製造方法であって、
前記突起部に板を載せて加圧することにより平坦化処理する平坦化工程を含む。
請求項１または２に記載の放射線画像検出器を製造する製造方法であって、
前記突起部に板を載せて加圧することにより平坦化処理する平坦化工程を含む。
請求項９に記載の放射線画像検出器の製造方法は、
請求項１または２に記載の放射線画像検出器を製造する製造方法であって、
１対の加熱ローラーまたは加圧ローラー間に前記シンチレーターを通過させることにより前記突起部を平坦化処理する平坦化工程を含む。
請求項１または２に記載の放射線画像検出器を製造する製造方法であって、
１対の加熱ローラーまたは加圧ローラー間に前記シンチレーターを通過させることにより前記突起部を平坦化処理する平坦化工程を含む。
請求項１０に記載の放射線画像検出器の製造方法は、
請求項１または２に記載の放射線画像検出器を製造する製造方法であって、
前記突起部を切り取るまたは削ることにより平坦化処理する平坦化工程を含む。
請求項１または２に記載の放射線画像検出器を製造する製造方法であって、
前記突起部を切り取るまたは削ることにより平坦化処理する平坦化工程を含む。
本発明によれば、画像ムラがより抑制された放射線画像を生成できる。
以下、図を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。ただし、発明の範囲は、図示例に限定されない。
＜第１実施形態＞
［１．放射線検出器の構成］
まず、本実施形態に係る放射線画像検出器１の構成について説明する。
放射線画像検出器１は、受けた放射線に応じた放射線画像を生成する。
［１．放射線検出器の構成］
まず、本実施形態に係る放射線画像検出器１の構成について説明する。
放射線画像検出器１は、受けた放射線に応じた放射線画像を生成する。
図１は、本実施形態に係る放射線画像検出器１の外観斜視図であり、図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面の概略図である。
なお、以下では、放射線画像検出器１における各部材の相対的な位置関係、特に上下関係について、図１～図３、図５、図１１、及び図１２では、放射線画像検出器１の筐体２における放射線が入射する面Ｘ側を紙面上側に向け、筐体２における放射線が入射する面Ｘとは反対側の面Ｙ側を紙面下側に向けて配置した場合の位置関係に基づいて説明する。
一方、図６～図９では、面Ｘ側を紙面下側に向け、面Ｙ側を紙面上側に向けて配置した場合の位置関係に基づいて説明する。
一方、図６～図９では、面Ｘ側を紙面下側に向け、面Ｙ側を紙面上側に向けて配置した場合の位置関係に基づいて説明する。
放射線画像検出器１の筐体２は、カーボン板やプラスチックなどの材料で形成されている。なお、図１や図２では、筐体２がフレーム板５１とバック板５２とで形成された、いわゆる箱型である場合が示されているが、筐体２を角筒状に形成した、いわゆるモノコック型とすることも可能である。
また、筐体２の側面部分には、ＬＥＤ等で構成されたインジケータ５３、蓋５４、外部の装置と接続される端子５５、電源スイッチ５６等が配置されている。
また、筐体２の側面部分には、ＬＥＤ等で構成されたインジケータ５３、蓋５４、外部の装置と接続される端子５５、電源スイッチ５６等が配置されている。
筐体２の内部には、図２に示すように、放射線検出部３が配置されている。
また、放射線検出部３の下方には、図示しない鉛の薄板等を介して基台７が配置され、基台７には、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＡＭ（Random Access Memory）などの各種の電子部品８等が配設されたＰＣＢ基板９、緩衝部材１０等が取り付けられている。
また、放射線検出部３の下方には、図示しない鉛の薄板等を介して基台７が配置され、基台７には、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＡＭ（Random Access Memory）などの各種の電子部品８等が配設されたＰＣＢ基板９、緩衝部材１０等が取り付けられている。
図３に、放射線検出部３のみの図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面の概略図を示す。
放射線検出部３は、素子基板３１、接着層である光学接着層３２、シンチレーター３３、シンチレーター基板３４、防湿層３５等を備える。
放射線検出部３は、素子基板３１、接着層である光学接着層３２、シンチレーター３３、シンチレーター基板３４、防湿層３５等を備える。
本実施形態では、素子基板３１は、硬質基板で構成され、当該硬質基板上に配列された光電変換素子等を有する。
本実施形態における硬質基板とは、突起部を有するシンチレーター３３と、当該硬質基板上に光電変換素子が配列された素子基板３１とを貼り合わせた場合に、シンチレーター３３は撓み、且つ硬質基板が撓まないことにより、突起部を起点とした貼りムラが発生するような硬度の基板である。
硬質基板は、例えばガラス基板である。以下、硬質基板をガラス基板として説明する。
なお、素子基板３１は、放射線や紫外線などの光を透過する、ガラス基板以外の基板で構成されていてもよい。ガラス基板以外の硬質基板としては、例えば樹脂製の基板がある。成膜下ポリイミドフィルムの光電変換素子と反対側の面にＰＭＭＡ（Poly Methyl Methacrylate）、ＰＥＴ（Polyethyleneterephthalate）、ＰＣ（Polycarbonate）他の樹脂製の硬質基板を貼り合わせた構成や、樹脂製の硬質基板のかわりにＳＵＳ、アルミ等の金属板やカーボン板を貼り合わせた構成などがある。
本実施形態における硬質基板とは、突起部を有するシンチレーター３３と、当該硬質基板上に光電変換素子が配列された素子基板３１とを貼り合わせた場合に、シンチレーター３３は撓み、且つ硬質基板が撓まないことにより、突起部を起点とした貼りムラが発生するような硬度の基板である。
硬質基板は、例えばガラス基板である。以下、硬質基板をガラス基板として説明する。
なお、素子基板３１は、放射線や紫外線などの光を透過する、ガラス基板以外の基板で構成されていてもよい。ガラス基板以外の硬質基板としては、例えば樹脂製の基板がある。成膜下ポリイミドフィルムの光電変換素子と反対側の面にＰＭＭＡ（Poly Methyl Methacrylate）、ＰＥＴ（Polyethyleneterephthalate）、ＰＣ（Polycarbonate）他の樹脂製の硬質基板を貼り合わせた構成や、樹脂製の硬質基板のかわりにＳＵＳ、アルミ等の金属板やカーボン板を貼り合わせた構成などがある。
図４は、素子基板３１表面の構成を示す平面図である。素子基板３１の表面３１ａ（すなわち、光学接着層３２を介してシンチレーター３３に対向する側の面）上には、複数の走査線３１ｂと複数の信号線３１ｃとが互いに交差するように配設されている。また、複数のバイアス線３１ｄが、複数の信号線３１ｃと平行に配置されており、本実施形態では、各バイアス線３１ｄは、素子基板３１上の一方側の端部で１本の結線３１ｅにより結束されている。
また、素子基板３１の表面３１ａ上で複数の走査線３１ｂと複数の信号線３１ｃにより区画された各小領域Ｒには、光電変換素子３１ｆがそれぞれ設けられている。このように、本実施形態では、素子基板３１は、その表面３１ａに複数の光電変換素子３１ｆが二次元状に配列されて形成されている。また、光電変換素子３１ｆはそれぞれバイアス線３１ｄに接続されており、本実施形態では、図示しないバイアス電源からバイアス線３１ｄを介して光電変換素子３１ｆにバイアス電圧が印加されるように構成されている。
本実施形態では、光電変換素子３１ｆとして、放射線の照射を受けたシンチレーター３３から出力された光の照射を受けると光エネルギーを吸収して内部に電子正孔対を発生させることで光エネルギーを電荷に変換するフォトダイオードが用いられている。
また、各小領域Ｒには、各光電変換素子３１ｆにつき１つの薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）３１ｇが設けられている。薄膜トランジスタ３１ｇのソース電極が光電変換素子３１ｆの１つの電極と、薄膜トランジスタ３１ｇのドレイン電極が信号線３１ｃと、薄膜トランジスタ３１ｇのゲート電極が走査線３１ｂとそれぞれ接続されている。
また、各小領域Ｒには、各光電変換素子３１ｆにつき１つの薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）３１ｇが設けられている。薄膜トランジスタ３１ｇのソース電極が光電変換素子３１ｆの１つの電極と、薄膜トランジスタ３１ｇのドレイン電極が信号線３１ｃと、薄膜トランジスタ３１ｇのゲート電極が走査線３１ｂとそれぞれ接続されている。
光学接着層３２は、図３に示すように、素子基板３１とシンチレーター３３の間に設けられ、素子基板３１とシンチレーター３３とを貼り合わせている。
光学接着層３２は、光学接着剤からなる。
光学接着剤としては、例えばオレフィン系、アミド系、エステル系、スチレン系、アクリル系、ウレタン系、ビニル系、ポリカーボネート、もしくはＡＢＳ樹脂（アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合樹脂）を主成分とする熱可塑性樹脂等が挙げられる。
光学接着層３２は、光学接着剤からなる。
光学接着剤としては、例えばオレフィン系、アミド系、エステル系、スチレン系、アクリル系、ウレタン系、ビニル系、ポリカーボネート、もしくはＡＢＳ樹脂（アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合樹脂）を主成分とする熱可塑性樹脂等が挙げられる。
また、光学接着層３２が厚くなりすぎると、放射線画像検出器１で生成される放射線画像の鮮鋭性が大きく低下してしまう。しかし、光学接着層３２が極端に薄いと、接着力が小さくなり、且つシンチレーター３３の後述する突起部３３ｃによる貼りムラを抑制できない可能性がある。そのため、光学接着層３２の厚さは、５～５０μｍの範囲内とするのが好ましい。
また、光学接着層３２の厚さを上記範囲内とすることで、ＭＦＴ（Modulated Transfer Function）を向上させることができる。
また、光学接着層３２の厚さを上記範囲内とすることで、ＭＦＴ（Modulated Transfer Function）を向上させることができる。
また、光学接着層３２として流動性のある光学接着剤を使用する場合、素子基板３１とシンチレーター３３とを貼り合わせる前に光学接着剤が流動しすぎないように、光学接着剤の粘度は、１０Ｐａ・ｓ以上が好ましい。また、光学接着剤を素子基板３１とシンチレーター３３の間において広範囲に均一に塗布するために、光学接着剤の粘度は、１０００Ｐａ・ｓ以下が好ましい。
また、光学接着層３２としてシート状の光学接着剤を使用する場合、光学接着剤の硬度は、ショア硬さ（Ａタイプ）がＡ２０以下のものが好ましい。これにより、シンチレーター３３の後述する蛍光体３３ａの柱状結晶が光学接着層３２内部に入り込みやすく、且つ取り扱いしやすくなる。
シンチレーター３３は、入射した放射線を別の波長の光に変換するものであり、蛍光体を主たる成分とする。具体的には、本実施形態では、シンチレーター３３として、Ｘ線等の放射線が入射すると、波長が３００ｎｍ～８００ｎｍの電磁波、すなわち可視光を中心として紫外光から赤外光にわたる光を出力するものが用いられている。蛍光体としては、例えば、タリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）、ナトリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｎａ）、テルビウム賦活酸硫化ガドリニウム（ＧＯＳ）等の母体材料内に発光中心物質が付活されたものが好ましく用いられる。
シンチレーター３３は、矩形板状に形成されており、シンチレーター基板３４に貼り付けられている。
また、シンチレーター３３は、図３に示すように、光学接着層３２を介して、素子基板３１の複数の光電変換素子３１ｆが配置された範囲より大きい範囲を覆っている。
また、シンチレーター３３の素子基板３１側の面が有する４つの角部（四隅）は、角部の破損を防ぐために面取り（Ｃ面取り、Ｒ面取り等）されていてもよい。シンチレーター３３の面取りされた角部では、光電変換素子３１ｆが配置された範囲を覆っていなくともよい。
また、シンチレーター３３は、図３に示すように、光学接着層３２を介して、素子基板３１の複数の光電変換素子３１ｆが配置された範囲より大きい範囲を覆っている。
また、シンチレーター３３の素子基板３１側の面が有する４つの角部（四隅）は、角部の破損を防ぐために面取り（Ｃ面取り、Ｒ面取り等）されていてもよい。シンチレーター３３の面取りされた角部では、光電変換素子３１ｆが配置された範囲を覆っていなくともよい。
本実施形態では、シンチレーター基板３４は、可撓性を有する材料で矩形板状に形成されている。
上記「可撓性を有する材料」の具体例としては、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、アラミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、又はこれらの複合材料が挙げられる。特に、上記材料のうち、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、ＰＴＦＥ、又はこれらの複合材料を用いると、耐熱性を向上させることができるため好ましい。
上記「可撓性を有する材料」の具体例としては、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、アラミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、又はこれらの複合材料が挙げられる。特に、上記材料のうち、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、ＰＴＦＥ、又はこれらの複合材料を用いると、耐熱性を向上させることができるため好ましい。
防湿層３５は、シンチレーター３３が湿気を吸収してしまうのを防ぐ。
防湿層３５は、湿気を通過させない性質を有する材料でシート状に形成されている。
本実施形態に係る防湿層３５は、金属、無機材料及び有機材料のうちの少なくともいずれかの材料で形成されている。
金属の具体例としては、例えば、アルミニウム、銀、クロム、銅、ニッケル、チタン、マグネシウム、ロジウム、鉛、白金、金等が挙げられる。
無機材料の具体例としては、例えば、上記金属の酸化物、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＳｉＮ等が挙げられる。
有機材料の具体例としては、例えば、フッ素樹脂、ＰＶＡ、ＰＶＤＣ、ＰＭＭＡ、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、ＰＬＡ樹脂（ポリ乳酸）、ポリパラキシレン等が挙げられる。
防湿層３５は、湿気を通過させない性質を有する材料でシート状に形成されている。
本実施形態に係る防湿層３５は、金属、無機材料及び有機材料のうちの少なくともいずれかの材料で形成されている。
金属の具体例としては、例えば、アルミニウム、銀、クロム、銅、ニッケル、チタン、マグネシウム、ロジウム、鉛、白金、金等が挙げられる。
無機材料の具体例としては、例えば、上記金属の酸化物、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＳｉＮ等が挙げられる。
有機材料の具体例としては、例えば、フッ素樹脂、ＰＶＡ、ＰＶＤＣ、ＰＭＭＡ、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、ＰＬＡ樹脂（ポリ乳酸）、ポリパラキシレン等が挙げられる。
防湿層３５のシンチレーター基板３４に当接する部分は、図示しない接着層を介してシンチレーター基板３４に貼り付けられ、シンチレーター基板３４の面Ｘ側の面を覆っている。
また、防湿層３５の周縁部は、図示しない接着層を介して、素子基板３１の表面３１ａに貼り付けられている。これにより、防湿層３５は、シンチレーター基板３４、シンチレーター３３、及び光学接着層３２の全側面（側面の全周）と、素子基板３１の表面３１ａの一部を覆っている。
また、防湿層３５の周縁部は、図示しない接着層を介して、素子基板３１の表面３１ａに貼り付けられている。これにより、防湿層３５は、シンチレーター基板３４、シンチレーター３３、及び光学接着層３２の全側面（側面の全周）と、素子基板３１の表面３１ａの一部を覆っている。
［２．放射線検出器の製造方法］
次に、本発明に係る放射線画像検出器１の製造方法について説明する。
特に、シンチレーター３３の形成方法、及びシンチレーター３３に形成された突起部３３ｃに平坦化処理を施す平坦化工程について説明する。
次に、本発明に係る放射線画像検出器１の製造方法について説明する。
特に、シンチレーター３３の形成方法、及びシンチレーター３３に形成された突起部３３ｃに平坦化処理を施す平坦化工程について説明する。
シンチレーター３３は、図５の拡大図に示すように、例えば、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の各種高分子材料により形成された支持膜３３ｂの上に、例えば気相成長法により蛍光体３３ａを成長させて形成される。つまり、シンチレーター３３は蛍光体３３ａの柱状結晶からなる。気相成長法としては、蒸着法やスパッタ法などが好ましく用いられる。
いずれの手法においても、蛍光体３３ａを支持膜３３ｂ上に独立した細長い柱状結晶として気相成長させることができる。
本実施形態では、このようにして蛍光体３３ａが柱状結晶として形成されたシンチレーター３３は、蛍光体３３ａの柱状結晶の鋭角状の先端Ｐａが紙面下側、すなわち前述した光学接着層３２側を向くように、その支持膜３３ｂがシンチレーター基板３４の表面３４ａに貼付される。このようにして、シンチレーター３３は、シンチレーター基板３４で支持されている。
しかしながら、支持膜３３ｂの上に蛍光体３３ａを成長させる際に、図６に示すような、周囲の正常箇所と比べて突出した突起部３３ｃが生じてしまう場合がある。これは、加熱溶融した蛍光体３３ａから突沸が発生したり、あるいは、製造過程において支持膜３３ｂの上にキズやゴミなどが付着するなど、支持膜３３ｂの上や成長中の蛍光体３３ａ表面の当該異物を核として、その周囲に比べて蛍光体３３ａの柱状結晶が部分的に異常な成長を起こすことに因るものである。
なお、図６に示すシンチレーター３３の模式図は、図５に示すシンチレーター３３の模式図と紙面において上下が反転されるように描かれている。
なお、図６に示すシンチレーター３３の模式図は、図５に示すシンチレーター３３の模式図と紙面において上下が反転されるように描かれている。
そして、このような突起部３３ｃが形成されたシンチレーター３３を、光学接着層３２を介してガラス基板で構成された素子基板３１に貼り合わせると、突起部３３ｃによりシンチレーター３３は撓むが、ガラス基板で構成された素子基板３１は撓まない。そのため、素子基板３１とシンチレーター３３との間に、突起部３３ｃを起点とした貼りムラが生じる。これにより、放射線画像検出器１で生成される放射線画像において、画像ムラが生じる。
また、素子基板３１と、突起部３３ｃが形成されたシンチレーター３３とを貼り合わせる際、突起部３３ｃの周辺において気泡が混入してしまう。この気泡によりシンチレーター３３で発光した光が乱反射され、放射線画像検出器１で生成される放射線画像の解像度が低下する。
また、素子基板３１と、突起部３３ｃが形成されたシンチレーター３３とを貼り合わせる際、突起部３３ｃの周辺において気泡が混入してしまう。この気泡によりシンチレーター３３で発光した光が乱反射され、放射線画像検出器１で生成される放射線画像の解像度が低下する。
そこで、支持膜３３ｂの上に蛍光体３３ａの柱状結晶を形成した際に上記突起部３３ｃが形成された場合、素子基板３１とシンチレーター３３を貼り合わせる前に、突起部３３ｃに平坦化処理を施す平坦化工程を実行する。
図７及び図８に、突起部３３ｃに平坦化処理を施す平坦化工程を示す。
板１００は、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）よりも硬く、且つ平面性の良好な剛性板である。板１００の材質として、ガラス、金属、プラスチック等が用いられる。
ローラー２００は、例えば金属や樹脂製のローラーである。
板１００は、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）よりも硬く、且つ平面性の良好な剛性板である。板１００の材質として、ガラス、金属、プラスチック等が用いられる。
ローラー２００は、例えば金属や樹脂製のローラーである。
平坦化工程において、まず、図７に示すように、板１００を、シンチレーター３３の突起部３３ｃが生じている側上に配置する。つまり、板１００を、蛍光体３３ａの柱状結晶上に配置する。
そして、図８に示すように、板１００の上部を（板１００の紙面上側から）加圧しながらローラー２００を矢印方向にころがすことで、突起部３３ｃに圧力をかける。これにより、突起部３３ｃは、上部からの圧力で結晶構造を崩しながら中に押しこまれる。つまり、突起部３３ｃは当該圧力により押しつぶされる。この場合、突起部３３ｃにかかる圧力は、例えば、２００ｇ／ｃｍ２である。
そして、図８に示すように、板１００の上部を（板１００の紙面上側から）加圧しながらローラー２００を矢印方向にころがすことで、突起部３３ｃに圧力をかける。これにより、突起部３３ｃは、上部からの圧力で結晶構造を崩しながら中に押しこまれる。つまり、突起部３３ｃは当該圧力により押しつぶされる。この場合、突起部３３ｃにかかる圧力は、例えば、２００ｇ／ｃｍ２である。
なお、平坦化工程において、ローラー２００を用いずに、板１００の上部を加圧することで突起部３３ｃに圧力（例えば、２００ｇ／ｃｍ２）をかけて、突起部３３ｃを押しつぶしてもよい。
また、平坦化工程において、加熱ローラーまたは加圧ローラーを用いて行ういわゆるカレンダー処理により、突起部３３ｃに平坦化処理を施してもよい。この場合、１対の加熱ローラー又は加圧ローラー間にシンチレーター３３を通過させることで、シンチレーター３３上の突起部３３ｃは押しつぶされ、蛍光体３３ａの表面を平坦化させることが可能である。
また、平坦化工程において、上記のように突起部３３ｃを押しつぶさずに、ＣｓＩよりも硬い工具等により正常箇所の蛍光体３３ａ表面に沿って、突起部３３ｃを取り除く、または削ってもよい。また、レーザー照射により突起部３３ｃを取り除く、または削ってもよい。
図９に平坦化処理を施したシンチレーター３３の模式図を示す。
本実施形態では、平坦化工程において平坦化処理を施したシンチレーター３３の突起部３３ｃ（平坦化処理後の突起部３３ｃ）の高さＨが光学接着層３２の厚さ未満となるようにする。
これにより、素子基板３１とシンチレーター３３とを貼り合わせる際に、平坦化処理を施した突起部３３ｃを光学接着層３２内に収めることができる。そのため、素子基板３１とシンチレーター３３との間における突起部３３ｃを起点とした貼りムラを抑制できる。また、素子基板３１とシンチレーター３３との間に混入する気泡を少なくできる。
本実施形態では、平坦化工程において平坦化処理を施したシンチレーター３３の突起部３３ｃ（平坦化処理後の突起部３３ｃ）の高さＨが光学接着層３２の厚さ未満となるようにする。
これにより、素子基板３１とシンチレーター３３とを貼り合わせる際に、平坦化処理を施した突起部３３ｃを光学接着層３２内に収めることができる。そのため、素子基板３１とシンチレーター３３との間における突起部３３ｃを起点とした貼りムラを抑制できる。また、素子基板３１とシンチレーター３３との間に混入する気泡を少なくできる。
平坦化処理後の突起部３３ｃの高さＨは、光学顕微鏡やレーザー顕微鏡により測定する。具体的には、突起部３３ｃ上端に焦点を合わせた位置（図９に示すＨａ）と、正常箇所の蛍光体３３ａの先端Ｐａに焦点を合わせた位置（図９に示すＨｂ）との高さの差分により測定する。
また、突起部３３ｃの面Ｘ（または面Ｙ）に平行な面積が比較的大きい場合、平坦化処理後の突起部３３ｃの高さＨを光学接着層３２の厚さの８０％未満とすることで、素子基板３１とシンチレーター３３との間における貼りムラを抑制できる。
これは、突起部３３ｃの面Ｘ（または面Ｙ）に平行な面積が比較的大きい場合、突起部３３ｃが光学接着層３２内に埋まりにくく、貼りムラが発生しやすいためである。
なお、突起部３３ｃの面Ｘ（または面Ｙ）に平行な面積の形状は、矩形や円形状に限らない。突起部３３ｃの面Ｘ（または面Ｙ）に平行な面積の形状がどのような形状であっても、所定の面積に従って上記効果が得られる。
これは、突起部３３ｃの面Ｘ（または面Ｙ）に平行な面積が比較的大きい場合、突起部３３ｃが光学接着層３２内に埋まりにくく、貼りムラが発生しやすいためである。
なお、突起部３３ｃの面Ｘ（または面Ｙ）に平行な面積の形状は、矩形や円形状に限らない。突起部３３ｃの面Ｘ（または面Ｙ）に平行な面積の形状がどのような形状であっても、所定の面積に従って上記効果が得られる。
図１０に、突起部３３ｃの大きさ（突起部３３ｃの面Ｘ（または面Ｙ）に平行な面積）と、平坦化処理後の突起部３３ｃの高さＨ（光学接着層３２の厚さ比）と、素子基板３１とシンチレーター３３との間における貼りムラの関係の一例を示す。
図１０に示す例において、判定「Ａ」以上（「Ａ」及び「ＡＡ」）は、放射線画像検出器１で生成される放射線画像の画像品質レベルが所定基準値以上であり、例えば、診断に利用できるレベルであることを示す。また、判定「Ｂ」は、放射線画像検出器１で生成される放射線画像の画像品質レベルが上記所定基準値未満であり、例えば、診断に利用できないレベルであることを示す。
図１０に示す例において、判定「Ａ」以上（「Ａ」及び「ＡＡ」）は、放射線画像検出器１で生成される放射線画像の画像品質レベルが所定基準値以上であり、例えば、診断に利用できるレベルであることを示す。また、判定「Ｂ」は、放射線画像検出器１で生成される放射線画像の画像品質レベルが上記所定基準値未満であり、例えば、診断に利用できないレベルであることを示す。
図１０に示すように、平坦化処理後の突起部３３ｃの高さＨを光学接着層３２の厚さ未満とすると判定「Ａ」以上であり、素子基板３１とシンチレーター３３との間における貼りムラを抑制できる。つまり、放射線画像検出器１で生成される放射線画像を診断に利用できる画像品質レベルとすることができる。
また、突起部３３ｃの大きさが１．５ｍｍ□以上である場合、平坦化処理後の突起部３３ｃの高さＨを光学接着層３２の厚さの８０％未満とすると判定「ＡＡ」であり、素子基板３１とシンチレーター３３との間における貼りムラをより抑制できる。また、素子基板３１とシンチレーター３３との間に混入する気泡をより少なくできる。
なお、図１０に示す例において、１．５ｍｍ□は、一辺１．５ｍｍの正方形を示す。同様に、２ｍｍ□は、一辺２ｍｍの正方形を示す。
なお、図１０に示す例において、１．５ｍｍ□は、一辺１．５ｍｍの正方形を示す。同様に、２ｍｍ□は、一辺２ｍｍの正方形を示す。
また、突起部３３ｃの大きさが２ｍｍ□以上である場合、平坦化処理後の突起部３３ｃの高さＨを光学接着層３２の厚さの６０％未満とすると貼りムラ「無し」であり、素子基板３１とシンチレーター３３との間における貼りムラをより抑制できる。また、素子基板３１とシンチレーター３３との間に混入する気泡をより少なくできる。
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。以下では、第１実施形態と異なる点を主に説明する。
次に、本発明の第２実施形態について説明する。以下では、第１実施形態と異なる点を主に説明する。
図１１に、第２実施形態の放射線検出部３のみの図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面の概略図を示す。
第２実施形態の放射線検出部３は、図１１に示すように、さらに保護膜３６を備える。
第２実施形態の放射線検出部３は、図１１に示すように、さらに保護膜３６を備える。
保護膜３６は、シンチレーター３３の耐湿性を向上させる。
保護膜３６は、図１１に示すように、シンチレーター３３の光学接着層３２に当接する面（面Ｘ（または面Ｙ）に平行な面のうちの光学接着層３２側の面）、及びシンチレーター３３の側面（面Ｘ（または面Ｙ）に垂直な面）を覆っている。
保護膜３６は、例えば、ポリパラキシリレン膜である。
保護膜３６は、図１１に示すように、シンチレーター３３の光学接着層３２に当接する面（面Ｘ（または面Ｙ）に平行な面のうちの光学接着層３２側の面）、及びシンチレーター３３の側面（面Ｘ（または面Ｙ）に垂直な面）を覆っている。
保護膜３６は、例えば、ポリパラキシリレン膜である。
第２実施形態の平坦化工程は、光学接着層３２により素子基板３１と保護膜３６を貼り合わせる前に実施される。つまり、保護膜３６を介して素子基板３１とシンチレーター３３を貼り合わせる前に実施される。
第２実施形態の平坦化工程では、平坦化処理後の保護膜３６の光学接着層３２に向かう面（表面）において周囲の正常箇所と比べて突出した突起部の高さが光学接着層３２の厚さ未満となるようにする。保護膜３６表面における突起部は、保護膜３６の中に混入した異物によって生じた突起部、または上記第１実施形態において説明したシンチレーター３３の突起部３３ｃによる突起部である。
これにより、保護膜３６を介して素子基板３１とシンチレーター３３を貼り合わせる場合においても、平坦化処理後の保護膜３６上の突起部を光学接着層３２内に収めることができる。そのため、素子基板３１とシンチレーター３３との間における突起部を起点とした貼りムラを抑制できる。また、素子基板３１とシンチレーター３３との間に混入する気泡を少なくできる。
第２実施形態の平坦化工程では、平坦化処理後の保護膜３６の光学接着層３２に向かう面（表面）において周囲の正常箇所と比べて突出した突起部の高さが光学接着層３２の厚さ未満となるようにする。保護膜３６表面における突起部は、保護膜３６の中に混入した異物によって生じた突起部、または上記第１実施形態において説明したシンチレーター３３の突起部３３ｃによる突起部である。
これにより、保護膜３６を介して素子基板３１とシンチレーター３３を貼り合わせる場合においても、平坦化処理後の保護膜３６上の突起部を光学接着層３２内に収めることができる。そのため、素子基板３１とシンチレーター３３との間における突起部を起点とした貼りムラを抑制できる。また、素子基板３１とシンチレーター３３との間に混入する気泡を少なくできる。
また、上記第１実施形態と同様に、保護膜３６表面における突起部の面Ｘ（または面Ｙ）に平行な面積が比較的大きい場合、平坦化処理後の当該突起部の高さを光学接着層３２の厚さの８０％未満とする。
これにより、保護膜３６表面における突起部の面Ｘ（または面Ｙ）に平行な面積が比較的大きい場合でも、素子基板３１とシンチレーター３３との間における貼りムラを抑制できる。また、素子基板３１とシンチレーター３３との間に混入する気泡を少なくできる。
これにより、保護膜３６表面における突起部の面Ｘ（または面Ｙ）に平行な面積が比較的大きい場合でも、素子基板３１とシンチレーター３３との間における貼りムラを抑制できる。また、素子基板３１とシンチレーター３３との間に混入する気泡を少なくできる。
また、上記第１実施形態と同様に、保護膜３６表面における突起部の面Ｘ（または面Ｙ）に平行な面積が比較的大きい場合、平坦化処理後の当該突起部の高さを光学接着層３２の厚さの６０％未満とすることがより好ましい。
これにより、素子基板３１とシンチレーター３３との間における貼りムラをより抑制できる。また、素子基板３１とシンチレーター３３との間に混入する気泡をより少なくできる。
これにより、素子基板３１とシンチレーター３３との間における貼りムラをより抑制できる。また、素子基板３１とシンチレーター３３との間に混入する気泡をより少なくできる。
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。以下では、第２実施形態と異なる点を主に説明する。
次に、本発明の第３実施形態について説明する。以下では、第２実施形態と異なる点を主に説明する。
図１２に、第３実施形態の放射線検出部３のみの図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面の概略図を示す。
第３実施形態の放射線検出部３は、図１２に示すように、さらに反射層３７と、帯電防止層３８を備える。
第３実施形態の放射線検出部３は、図１２に示すように、さらに反射層３７と、帯電防止層３８を備える。
反射層３７は、蛍光体３３ａが発生させた光を反射させる。
反射層３７は、金属（例えば銀、アルミニウム、ニッケル、銅等）で形成された膜であってもよいし、酸化チタン、酸化アルミニウム等の粒子が混錬された樹脂によってシート状に形成されたものであってもよい。
反射層３７は、シンチレーター３３とシンチレーター基板３４との間に設けられ、シンチレーター３３の面Ｘ側の面の全面を覆っている。
これにより、蛍光体３３ａで発生し、面Ｘ側に向かう方向（反射層３７が存在する方向）へ向かう光が、反射層３７で反射して素子基板３１が存在する方向へ向かうようになる。その結果、蛍光体３３ａで発生した光がより多く光電変換素子３１ｆに到達するようになり、放射線画像検出器１の感度が向上する。
反射層３７は、金属（例えば銀、アルミニウム、ニッケル、銅等）で形成された膜であってもよいし、酸化チタン、酸化アルミニウム等の粒子が混錬された樹脂によってシート状に形成されたものであってもよい。
反射層３７は、シンチレーター３３とシンチレーター基板３４との間に設けられ、シンチレーター３３の面Ｘ側の面の全面を覆っている。
これにより、蛍光体３３ａで発生し、面Ｘ側に向かう方向（反射層３７が存在する方向）へ向かう光が、反射層３７で反射して素子基板３１が存在する方向へ向かうようになる。その結果、蛍光体３３ａで発生した光がより多く光電変換素子３１ｆに到達するようになり、放射線画像検出器１の感度が向上する。
帯電防止層３８は、素子基板３１のシンチレーター３３が貼り付けられている面とは反対側の面（面Ｙ側の面）の全面に設けられている。
帯電防止層３８は、例えば、導電性のフィルムや、素子基板３１の面Ｙ側の面にＩＴＯ等の膜を形成することによりなる。
放射線検出部３が帯電防止層３８を備えることにより、素子基板３１周りで静電気が発生することを的確に防止し、また、仮に静電気が発生してもそれを効果的に除去することが可能となる。
帯電防止層３８は、例えば、導電性のフィルムや、素子基板３１の面Ｙ側の面にＩＴＯ等の膜を形成することによりなる。
放射線検出部３が帯電防止層３８を備えることにより、素子基板３１周りで静電気が発生することを的確に防止し、また、仮に静電気が発生してもそれを効果的に除去することが可能となる。
＜効果＞
以上のように、本実施形態の放射線画像検出器１は、硬質基板上に光電変換素子３１ｆが配列された素子基板３１と、放射線を光に変換して光電変換素子３１ｆに照射するシンチレーター３３と、シンチレーター３３と素子基板３１とを接着する接着層（光学接着層３２）と、を備え、接着層の厚さは、５μｍ以上で且つ５０μｍ以下であり、シンチレーター３３は、素子基板３１側の表面に突起部３３ｃを有し、突起部３３ｃの高さＨは、接着層の厚さ未満である。
これにより、平坦化処理を施した突起部３３ｃを光学接着層３２内に収めることができる。そのため、素子基板３１とシンチレーター３３との間における突起部３３ｃを起点とした貼りムラを抑制できる。したがって、放射線画像検出器１において画像ムラが抑制された放射線画像を生成できる。
以上のように、本実施形態の放射線画像検出器１は、硬質基板上に光電変換素子３１ｆが配列された素子基板３１と、放射線を光に変換して光電変換素子３１ｆに照射するシンチレーター３３と、シンチレーター３３と素子基板３１とを接着する接着層（光学接着層３２）と、を備え、接着層の厚さは、５μｍ以上で且つ５０μｍ以下であり、シンチレーター３３は、素子基板３１側の表面に突起部３３ｃを有し、突起部３３ｃの高さＨは、接着層の厚さ未満である。
これにより、平坦化処理を施した突起部３３ｃを光学接着層３２内に収めることができる。そのため、素子基板３１とシンチレーター３３との間における突起部３３ｃを起点とした貼りムラを抑制できる。したがって、放射線画像検出器１において画像ムラが抑制された放射線画像を生成できる。
また、本実施形態の放射線画像検出器１は、シンチレーター３３を覆う保護膜３６を備える。
したがって、保護膜３６によりシンチレーター３３の耐湿性を向上させることができる。
また、保護膜３６を備える構成において生じた突起部が存在する場合においても、平坦化処理を施した突起部を光学接着層３２内に収めることができる。そのため、素子基板３１とシンチレーター３３との間における突起部を起点とした貼りムラを抑制できる。
したがって、保護膜３６によりシンチレーター３３の耐湿性を向上させることができる。
また、保護膜３６を備える構成において生じた突起部が存在する場合においても、平坦化処理を施した突起部を光学接着層３２内に収めることができる。そのため、素子基板３１とシンチレーター３３との間における突起部を起点とした貼りムラを抑制できる。
また、本実施形態の放射線画像検出器１において、突起部３３ｃの高さＨは、接着層の厚さの８０％未満である。
これにより、突起部３３ｃの面Ｘ（または面Ｙ）に平行な面積が比較的大きい（例えば、１．５ｍｍ□以上）場合においても、素子基板３１とシンチレーター３３との間における突起部を起点とした貼りムラを抑制できる。また、素子基板３１とシンチレーター３３との間に混入する気泡を少なくできる。
これにより、突起部３３ｃの面Ｘ（または面Ｙ）に平行な面積が比較的大きい（例えば、１．５ｍｍ□以上）場合においても、素子基板３１とシンチレーター３３との間における突起部を起点とした貼りムラを抑制できる。また、素子基板３１とシンチレーター３３との間に混入する気泡を少なくできる。
また、本実施形態の放射線画像検出器１において、突起部３３ｃの高さＨは、接着層の厚さの６０％未満である。
これにより、突起部３３ｃの面Ｘ（または面Ｙ）に平行な面積が比較的大きい（例えば、２ｍｍ□以上）場合、素子基板３１とシンチレーター３３との間における貼りムラをより抑制できる。また、素子基板３１とシンチレーター３３との間に混入する気泡をより少なくできる。
これにより、突起部３３ｃの面Ｘ（または面Ｙ）に平行な面積が比較的大きい（例えば、２ｍｍ□以上）場合、素子基板３１とシンチレーター３３との間における貼りムラをより抑制できる。また、素子基板３１とシンチレーター３３との間に混入する気泡をより少なくできる。
また、本実施形態の放射線画像検出器１において、突起部３３ｃは、平坦化処理された後の突起部である。
したがって、平坦化処理後に完全には平坦化されなかった突起部が存在する場合においても、素子基板３１とシンチレーター３３との間における突起部を起点とした貼りムラを抑制できる。
したがって、平坦化処理後に完全には平坦化されなかった突起部が存在する場合においても、素子基板３１とシンチレーター３３との間における突起部を起点とした貼りムラを抑制できる。
また、本実施形態の放射線画像検出器１において、接着層は流動性を有し、接着層の粘度は、２０Ｐａ・ｓ以上である。
したがって、素子基板３１とシンチレーター３３とを貼り合わせる前に、光学接着層３２が流動しすぎることを防ぐことができる。
したがって、素子基板３１とシンチレーター３３とを貼り合わせる前に、光学接着層３２が流動しすぎることを防ぐことができる。
また、本実施形態の放射線画像検出器１において、接着層がシート状であり、接着層の硬度は、ショア硬さ（Ａタイプ）がＡ２０以下である。
したがって、シンチレーター３３を構成する蛍光体３３ａの柱状結晶が光学接着層３２内部に入り込みやすく、且つ取り扱いしやすくなる。
したがって、シンチレーター３３を構成する蛍光体３３ａの柱状結晶が光学接着層３２内部に入り込みやすく、且つ取り扱いしやすくなる。
また、本実施形態の放射線画像検出器１の製造方法は、突起部に板１００を載せて加圧することにより平坦化処理する平坦化工程を含む。
これにより、突起部を容易に平坦化させることができる。
これにより、突起部を容易に平坦化させることができる。
また、本実施形態の放射線画像検出器１の製造方法は、１対の加熱ローラーまたは加圧ローラー間にシンチレーター３３を通過させることにより突起部を平坦化処理する平坦化工程を含む。
これにより、突起部を容易に平坦化させることができる。
これにより、突起部を容易に平坦化させることができる。
また、本実施形態の放射線画像検出器１の製造方法は、突起部を切り取るまたは削ることにより平坦化処理する平坦化工程を含む。
これにより、突起部を容易に平坦化させることができる。
これにより、突起部を容易に平坦化させることができる。
[その他]
なお、本発明が、上記の実施形態に限定されず、適宜変更可能であることは言うまでもない。例えば、突起部に施す平坦化処理は上記実施形態に示した例に限らず、他の方法により突起部を平坦化させてもよい。具体的には、レーザー、マイクロ波、プラズマ波等の光を利用して、突起部を局所的に溶融させることにより平坦化する。
なお、本発明が、上記の実施形態に限定されず、適宜変更可能であることは言うまでもない。例えば、突起部に施す平坦化処理は上記実施形態に示した例に限らず、他の方法により突起部を平坦化させてもよい。具体的には、レーザー、マイクロ波、プラズマ波等の光を利用して、突起部を局所的に溶融させることにより平坦化する。
１ 放射線画像検出器
２ 筐体
３ 放射線検出部
３１ 素子基板
３１ａ 表面
３１ｂ 走査線
３１ｃ 信号線
３１ｄ バイアス線
３１ｅ 結線
３１ｆ 光電変換素子
３１ｇ 薄膜トランジスタ
３２ 光学接着層（接着層）
３３ シンチレーター
３３ａ 蛍光体
３３ｂ 支持膜
３３ｃ 突起部
３４ シンチレーター基板
３４ａ 表面
３５ 防湿層
３６ 保護膜
３７ 反射層
３８ 帯電防止層
５１ フレーム板
５２ バック板
５３ インジケータ
５４ 蓋
５５ 端子
５６ 電源スイッチ
７ 基台
８ 電子部品
９ ＰＣＢ基板
１０ 緩衝部材
１００ 板
２００ ローラー
Ｐａ 先端
２ 筐体
３ 放射線検出部
３１ 素子基板
３１ａ 表面
３１ｂ 走査線
３１ｃ 信号線
３１ｄ バイアス線
３１ｅ 結線
３１ｆ 光電変換素子
３１ｇ 薄膜トランジスタ
３２ 光学接着層（接着層）
３３ シンチレーター
３３ａ 蛍光体
３３ｂ 支持膜
３３ｃ 突起部
３４ シンチレーター基板
３４ａ 表面
３５ 防湿層
３６ 保護膜
３７ 反射層
３８ 帯電防止層
５１ フレーム板
５２ バック板
５３ インジケータ
５４ 蓋
５５ 端子
５６ 電源スイッチ
７ 基台
８ 電子部品
９ ＰＣＢ基板
１０ 緩衝部材
１００ 板
２００ ローラー
Ｐａ 先端
Claims (10)
- 硬質基板上に光電変換素子が配列された素子基板と、
放射線を光に変換して前記光電変換素子に照射するシンチレーターと、
前記シンチレーターと前記素子基板とを接着する接着層と、
を備え、
前記接着層の厚さは、５μｍ以上で且つ５０μｍ以下であり、
前記シンチレーターは、前記素子基板側の表面に突起部を有し、
前記突起部の高さは、前記接着層の厚さ未満である、放射線画像検出器。 - 前記シンチレーターを覆う保護膜を備える、請求項１に記載の放射線画像検出器。
- 前記突起部の高さは、前記接着層の厚さの８０％未満である、請求項１または２に記載の放射線画像検出器。
- 前記突起部の高さは、前記接着層の厚さの６０％未満である、請求項１または２に記載の放射線画像検出器。
- 前記突起部は、平坦化処理された後の突起部である、請求項１または２に記載の放射線画像検出器。
- 前記接着層は流動性を有し、前記接着層の粘度は、２０Ｐａ・ｓ以上である、請求項１または２に記載の放射線画像検出器。
- 前記接着層がシート状であり、前記接着層の硬度は、ショア硬さ（Ａタイプ）がＡ２０以下である、請求項１または２に記載の放射線画像検出器。
- 請求項１または２に記載の放射線画像検出器を製造する製造方法であって、
前記突起部に板を載せて加圧することにより平坦化処理する平坦化工程を含む放射線画像検出器の製造方法。 - 請求項１または２に記載の放射線画像検出器を製造する製造方法であって、
１対の加熱ローラーまたは加圧ローラー間に前記シンチレーターを通過させることにより前記突起部を平坦化処理する平坦化工程を含む放射線画像検出器の製造方法。 - 請求項１または２に記載の放射線画像検出器を製造する製造方法であって、
前記突起部を切り取るまたは削ることにより平坦化処理する平坦化工程を含む放射線画像検出器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022168032A JP2024060648A (ja) | 2022-10-20 | 2022-10-20 | 放射線画像検出器及び放射線画像検出器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022168032A JP2024060648A (ja) | 2022-10-20 | 2022-10-20 | 放射線画像検出器及び放射線画像検出器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024060648A true JP2024060648A (ja) | 2024-05-07 |
Family
ID=90925419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022168032A Pending JP2024060648A (ja) | 2022-10-20 | 2022-10-20 | 放射線画像検出器及び放射線画像検出器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2024060648A (ja) |
-
2022
- 2022-10-20 JP JP2022168032A patent/JP2024060648A/ja active Pending
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