JP2024050679A - 配線基体および電子装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】高周波信号の伝送特性に優れる配線基体を提供する。【解決手段】電子装置において、配線基体の端子部材１０ａは、基体１１ａと信号導体１２と第１接地導体を含む接地導体１３ａとを備え、基体は、第１面と、該第１面における外辺の近くに位置し、外部基板２が実装される第１領域Ｒ１と、第１領域以外の第２領域Ｒ２と、を有し、信号導体は、第１面における第１領域を含んで、外辺から離れる第１方向Ｘに延びて位置し、第１接地導体は、基体の内部、かつ、信号導体からの距離が信号導体で伝送される高周波信号の波長の１／４未満に位置するとともに、第１面に向かう平面透視で第１領域かつ信号導体の少なくとも一部に重なる第１位置に、第１開口（によって挟まれた第１格子部を有し、第１開口は、第１方向及び第１方向に交わる第２方向における長さが波長の１／８以上かつ１／４以下であり、第１格子部には、貫通導体が位置している。【選択図】図３

Description

本開示は、配線基体および電子装置に関する。
従来、電子部品が搭載され、該電子部品と外部の配線とを電気的に接続する配線基体（例えば、パッケージ）がある。このような配線基体には、電子部品が内部に格納される本体と、該本体から外部に延出する端子部材と、を備えたものがある。端子部材は、電子部品と電気的に接続される信号導体および接地導体を有する。この端子部材に外部基板を実装することで、電子部品と外部基板の配線とが電気的に接続される。
端子部材としては、信号導体と、絶縁体を挟んで該信号導体と対向する接地導体とを有する信号線路（マイクロストリップ線路）により、高周波信号を伝送可能なものが知られている。また、このような端子部材において、接地導体にメッシュ状の開口を設けることで、信号線路のインピーダンスを調整する技術が知られている（例えば、特許文献１
）。
国際公開第２０１０／１０３７２２号
本開示の一態様は、
基体と、
信号導体と、
第１接地導体を含む接地導体と、を備え、
前記基体は、第１面と、該第１面における外辺の近くに位置し、外部基板が実装される第１領域と、該第１領域以外の第２領域と、を有し、
前記信号導体は、前記第１面における前記第１領域を含んで、前記外辺から離れる第１方向に延びて位置し、
前記第１接地導体は、前記基体の内部、かつ、前記第１面に垂直な方向における前記信号導体からの距離が前記信号導体で伝送される高周波信号の波長の１／４未満に位置するとともに、前記第１面に向かう平面透視で前記第１領域かつ前記信号導体の少なくとも一部に重なる第１位置に、第１開口によって挟まれた第１格子部を有し、
前記第１開口は、前記第１方向および前記第１方向に交わる第２方向における長さが、前記高周波信号の波長の１／８以上かつ１／４以下であり、
前記第１格子部には、貫通導体が位置している、配線基体である。
また、本開示の他の一の態様は、
上記の配線基体と、
該配線基体に接続されている電子部品と、を備える電子装置である。
第１の実施形態の電子装置を示す斜視図である。 電子装置および配線基体の平面図である 端子部材の第１層を示す図である。 端子部材の第２層を示す図である。 端子部材の第３層を示す図である。 端子部材の第３層の拡大図である。 端子部材の第３層の他の例を示す拡大図である。 端子部材の第４層を示す図である。 端子部材の第５層を示す図である。 配線基体における反射損失のシミュレーション結果を示す図である。 配線基体における挿入損失のシミュレーションの結果を示す図である。 第２の実施形態の端子部材の第１層～第４層を示す図である。 変形例に係る端子部材を示す図である。 変形例に係る端子部材を示す図である。
以下、実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、以下で参照する各図は、説明の便宜上、実施形態を説明する上で必要な主要部材のみを簡略化して示したものである。したがって、本開示の配線基体１００および電子装置１は、参照する各図に示されていない任意の構成部材を備え得る。また、各図中の部材の寸法は、実際の構成部材の寸法および寸法比率などを忠実に表したものではない。
＜第１の実施形態＞
図１および図２を参照して、第１の実施形態の電子装置１の構成を説明する。
電子装置１は、配線基体１００と、電子部品２００とを備える。また、電子装置１は、配線基体１００を封止する蓋体３０を備えている。
配線基体１００は、本体２０と、本体２０の外部に延出している端子部材１０とを備える。電子装置１が蓋体３０を備えるとき、蓋体３０は、本体２０を封止しているとも換言できる。配線基体１００は、本体２０の内部に電子部品２００を搭載するとともに、端子部材１０を介して電子部品２００と外部基板２の配線とを電気的に接続する、電子装置用パッケージである。本実施形態の配線基体１００は、例えば光通信用の電子部品２００を搭載する。この場合の電子部品２００は、光通信に係る高周波信号（例えば、変調レートが９６Ｇｂａｕｄ以下程度、周波数帯が７５ＧＨｚ以下程度）が入力または出力される電子部品、例えば発光素子または受光素子などとすることができる。ただし、これは例示であり、搭載される電子部品２００は上記のものに限られない。
本体２０は、底部２１と、枠体２２と、シールリング２３とを備える。底部２１は、矩形の板状の部材である。以下では、底部２１の矩形の辺に平行な方向をＸ方向およびＹ方向とし、底部２１と垂直であり、かつ底部２１から蓋体３０に向かう方向をＺ方向とする。また、ＸＹ平面に平行な任意の部材の面のうち＋Ｚ方向に向く面を「上面」と記し、－Ｚ方向に向く面を「下面」と記す。また、相対的に－Ｚ方向側にある層を「下層」と記す。また、Ｚ方向から見ることを「平面視」と記し、Ｚ方向から他の部材を透過させて見ることを「平面透視」と記す。
底部２１の上面には、電子部品２００が載置される載置領域が設けられているとともに、載置領域に載置された電子部品２００の端子と電気的に接続される配線が形成されている。
枠体２２は、平面視で電子部品２００の載置領域を囲む位置に設けられた枠状の部材である。本実施形態では、枠体２２は、底部２１の外周部分から＋Ｚ方向に延在して枠状の側壁を構成している。枠体２２には、光ファイバー等を通すための貫通孔２２ａが形成されていてもよい。
底部２１および枠体２２は、例えば、Ｚ方向に複数の絶縁性基板が積層された構成とすることができる。絶縁性基板としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体、ムライト質焼結体又はガラスセラミックス等のセラミック焼結体を用いることができる。なお、枠体２２は、底部２１とは別個の部材であってもよいし、底部２１と一体的に形成されていてもよい。
シールリング２３は、枠体２２の上面に位置している。シールリング２３は、底部２１に電子部品２００を搭載した後に、蓋体３０を用いて本体２０を気密封止する際のシール材として用いることができる。シールリング２３は、例えば、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属を含む導体ペーストで形成する枠状導体にＦｅ－Ｎｉ系合金またはＦｅ－Ｎｉ－Ｃｏ系合金の金属板を含む枠状金属板をろう材等でろう付け接合したものであってもよい。
蓋体３０は、平面視で底部２１と略同一形状の板状部材である。蓋体３０は、電子装置１の内部への水分および微粒子等の異物の侵入を低減することが可能なものであればよい。蓋体３０は、例えば、シールリング２３と同じ金属材料、または底部２１および枠体２２と同じセラミックス材料等を板状に加工、成形したものを用いることができる。以下では、底部２１、枠体２２および蓋体３０によって形成される空間をキャビティと記す。
枠体２２のうち＋Ｘ方向側の側壁には、厚さ方向（Ｘ方向）に貫通する嵌合部２２ｂが設けられている。端子部材１０は、この嵌合部２２ｂに嵌合する形状を有しており、嵌合部２２ｂの内側（―Ｘ方向側）から外側（＋Ｘ方向側）にわたって位置しているとともに、嵌合部２２ｂを塞いでいる。嵌合部２２ｂに嵌合した端子部材１０は、例えばろう材等により枠体２２に固定されている。また、端子部材１０は、枠体２２の積層構造の一部であってもよい。
端子部材１０は、誘電体を含む基体１１と、信号導体１２と、接地導体１３とを有する。端子部材１０のうち本体２０から延出している部分は、＋Ｚ方向に向く第１面Ｓ１を有しており、この第１面Ｓ１に、信号導体１２の一部および接地導体１３の一部が露出している。図１に示すように、第１面Ｓ１には、外部基板２が接続される。これにより、外部基板２の－Ｚ方向側の面に位置する配線と、端子部材１０の第１面Ｓ１に位置する信号導体１２および接地導体１３とが電気的に接続される。この信号導体１２および接地導体１３は、底部２１等に形成されている配線を介して電子部品２００の端子に電気的に接続される。このように、端子部材１０を介して、外部基板２の配線と電子部品２００の端子とが電気的に接続される。
以下、図３～図９を参照して端子部材１０の構成を詳しく説明する。
端子部材１０は、第１層１０ａ（図３）、第２層１０ｂ（図４）、第３層１０ｃ（図５および図６）、第４層１０ｄ（図８）および第５層１０ｅ（図９）を有している。第１層１０ａ～第５層１０ｅは、－Ｚ方向において第１層１０ａ～第５層１０ｅの順に積層されており、このうち第１層１０ａが最も＋Ｚ方向側に位置している。なお、端子部材１０は、第５層１０ｅの－Ｚ方向側にさらに第６層および第７層を有していてもよい。
図３に示すように、第１層１０ａは、基体１１ａと、信号導体１２と、接地導体１３ａと、貫通導体１４ａとを有する。基体１１ａは、平板状の誘電体であり、第１面Ｓ１（上面）を有する。また、基体１１ａは、第１面Ｓ１における外辺（＋Ｘ方向側の端部でＹ方向に延びる辺）の近くに位置し、外部基板２が実装される第１領域Ｒ１と、該第１領域Ｒ１以外の第２領域Ｒ２と、を有する。
基体１１ａの第１領域Ｒ１は、平面視でＹ方向に長い矩形の領域であり、配線基体１００の外部に露出している。第１領域Ｒ１には、外部基板２が接続されて実装される。図３では、平面視で外部基板２が接続される実装領域ｒ１が矩形の破線で示されている。
基体１１ａの第２領域Ｒ２のうち、第１領域Ｒ１と隣接する部分は、平面視で枠体２２と重なる枠体積層領域ｒ２である。第２領域Ｒ２は、枠体積層領域ｒ２からさらに枠体２２の内部（すなわち、キャビティの内部）まで延びている。
信号導体１２および接地導体１３ａは、基体１１ａの上面に形成されている。
このうち信号導体１２は、第１面Ｓ１における第１領域Ｒ１を含んで、外辺から離れる第１方向（Ｘ方向）に延びて位置する。信号導体１２は、第１領域Ｒ１、および第２領域Ｒ２のうち枠体積層領域ｒ２の範囲内ではＸ方向に直線状に延在していてもよい。また、信号導体１２は、第２領域Ｒ２のうちキャビティの内部に相当する範囲内では、湾曲して－Ｘ方向側の端部の所定位置まで引き回されていてもよい。信号導体１２のうち第１領域Ｒ１にある部分は、矩形の信号端子１２Ｔとなっていてもよい。信号端子１２Ｔは、外部基板２の配線との電気的な接続を行うために、Ｙ方向に所定の幅を有している。また、信号導体１２のうち枠体積層領域ｒ２にある部分は、信号端子１２ＴよりもＹ方向の幅が小さくなっていてもよい。本実施形態の端子部材１０は、１６本の信号導体１２を有している。信号導体１２の数は、搭載する電子部品２００の端子の数などに応じて適宜変更可能である。
接地導体１３ａは、第１面Ｓ１における第１領域Ｒ１を含んで、外辺から離れる第１方向（Ｘ方向）に延びて位置する。接地導体１３ａは、第１領域Ｒ１、および第２領域Ｒ２のうち枠体積層領域ｒ２の範囲内ではＸ方向に直線状に延在していてもよい。また、接地導体１３ａは、第２領域Ｒ２のうちキャビティの内部に相当する範囲内では、湾曲して－Ｘ方向側の端部の所定位置まで引き回されていてもよい。信号導体１２のうち第１領域Ｒ１にある部分は、外部基板２の配線が接続される接地端子１３Ｔとなっていてもよい。
本実施形態の端子部材１０は、９本の接地導体１３ａを有しており、各接地導体１３ａは接地電位である。このうち２本の接地導体１３ａは、１６本の信号導体１２を挟む両側、すなわち第１層１０ａにおけるＹ方向側の両端部に位置している。また、残りの７本は、隣り合う接地導体１３ａの間に２本の信号導体１２が挟まれる位置に設けられている。すなわち、Ｙ方向に、接地導体１３ａ、信号導体１２、信号導体１２、接地導体１３ａの順に繰り返し配置されている。接地導体１３の数は、搭載する電子部品２００の端子の数などに応じて適宜変更可能である。
接地端子１３Ｔを挟まずに隣接する２つの信号端子１２Ｔの間には、基体１１ａに溝１５が形成されていてもよい。この溝１５の形成部分は、空気で満たされて比誘電率が低くなるため、溝１５を設けない場合と比較して、２つの信号端子１２Ｔの間の電界結合が弱くなる。溝１５は基体１１ａの端部まで形成されていてもよいし、信号端子１２Ｔの間のみに形成されていてもよい。これにより、信号端子１２Ｔの間のクロストークノイズ等の電磁的干渉による悪影響を低減することができる。このような構成を有する配線基体１００は、高周波信号の伝送特性に優れる。
各接地導体１３ａには、基体１１ａをＺ方向に貫通する貫通導体１４ａが複数接続されていてもよい。図３では、円形のドットにより貫通導体１４の位置が示されている。貫通導体１４は、平面透視で接地導体１３ａと重なる領域内において、接地導体１３ａの輪郭に沿って規則的な間隔で形成されている。また、枠体積層領域ｒ２のうち、接地導体１３ａを挟まずに隣接する２つの信号導体１２の間には、貫通導体１４が形成されている。貫通導体１４ａは、例えば円柱形状とすることができるが、この形状に限られない。後述する貫通導体１４ｂ～１４ｅについても同様である。
図４に示すように、第２層１０ｂは、誘電体を含む平板状の基体１１ｂと、接地導体１３ｂと、貫通導体１４ｂとを有する。基体１１ｂは、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２を有する。第２層１０ｂは、基体１１ｂおよび基体１１ａの第１領域Ｒ１の位置が平面透視で一致するように第１層１０ａと重なっている。図４では、平面透視で実装領域ｒ１と重なる部分、および枠体積層領域ｒ２と重なる部分がそれぞれ破線で示されている（図５、８、９も同様）。
接地導体１３ｂは、基体１１ｂの上面に形成されている。接地導体１３ｂは、平面透視で第１層１０ａの接地導体１３ａと重なる部分を有するとともに、該部分の－Ｘ方向側の端部同士を一繋がりに接続する部分を有する。別の観点では、接地導体１３ｂは、平面状の導体から、平面透視で第１層１０ａにおける信号導体１２の形成領域およびその近傍領域と重なる部分を除去した形状を有する。接地導体１３ｂの上面は、第１層１０ａの貫通導体１４ａと接続されている。したがって、接地導体１３ｂは、貫通導体１４ａを介して第１層１０ａの接地導体１３ａと電気的に接続されて接地電位となっている。また、接地導体１３ｂには、基体１１ｂをＺ方向に貫通する貫通導体１４ｂが複数接続されている。
第２層１０ｂは、主に第１層１０ａと第３層１０ｃとの間の厚さ調整または端子部材１０のインピーダンス調整のために設けられている。このため、厚さの調整またはインピーダンス調整が不要な場合には省略できる。
図５に示すように、第３層１０ｃは、誘電体を含む平板状の基体１１ｃと、接地導体１３ｃ（第１接地導体）と、貫通導体１４ｃとを有する。基体１１ｃは、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２を有する。第３層１０ｃは、基体１１ｃおよび基体１１ｂの第１領域Ｒ１の位置が平面透視で一致するように第２層１０ｂと重なっている。また、基体１１ｃの形状は、基体１１ｂの形状と略同一である。
接地導体１３ｃは、基体１１ｃの上面に形成されている。接地導体１３ｃは、信号導体１２で伝送される高周波信号の波長をλとした場合に、第１面Ｓ１に垂直な方向（Ｚ方向）における信号導体１２からの距離がλ／４未満となる位置に設けられている。接地導体１３ｃは、平面透視で第２層１０ｂの接地導体１３ｂと重なる部分を有する。また、接地導体１３ｃには、第１領域Ｒ１に複数の第１開口１３１Ａが形成されている。また、接地導体１３ｃには、第２領域Ｒ２のうち第１領域Ｒ１との境界から－Ｘ方向に所定の距離範囲内に、複数の第２開口１３２Ａが形成されている。詳しくは、平面透視で枠体積層領域ｒ２と重なる部分に第２開口１３２Ａが形成されているとともに、第３層１０ｃのＹ方向中央部より＋Ｙ方向側では、枠体積層領域ｒ２よりも－Ｘ方向側、すなわちキャビティの内部にも第２開口１３２Ａが形成されている。
第１開口１３１Ａおよび第２開口１３２Ａは、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれ隣り合うようにマトリクス状に配置されている。換言すれば、接地導体１３ｃには、メッシュ状の第１開口１３１Ａおよび第２開口１３２Ａが形成されている。接地導体１３ｃは、隣り合う第１開口１３１Ａによって挟まれた第１格子部１３１、および隣り合う第２開口１３２Ａによって挟まれた第２格子部１３２を有する。第１格子部１３１および第２格子部１３２は、Ｘ方向およびＹ方向に延びる直線状の導体である。また、接地導体１３ｃは、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２の境界にも、隣り合う第１開口１３１Ａと第２開口１３２Ａによって挟まれた、Ｙ方向に延びる直線状の格子部を有する。
以下では、Ｘ方向に１列に配列された第１開口１３１Ａおよび第２開口１３２Ａを「開口列」と記す。接地導体１３ｃには、１６本の信号導体１２に対応する１６列の開口列が形成されている。各開口列は、平面透視で１つの信号導体１２と重なっている。詳しくは、開口列のＹ方向の中心と、信号導体１２とが重なっている。よって、開口列においてＸ方向に隣り合う第１開口１３１Ａによって挟まれた、Ｙ方向に延びる第１格子部１３１は、それぞれ平面透視で信号導体１２と直交している。また、開口列においてＸ方向に隣り合う第２開口１３２Ａによって挟まれた、Ｙ方向に延びる第２格子部１３２は、それぞれ平面透視で信号導体１２と直交している。このように、接地導体１３ｃは、平面透視で第１領域Ｒ１かつ信号導体１２の少なくとも一部に重なる位置（第１位置）に第１格子部１３１を有する。また、接地導体１３ｃは、Ｘ方向において第１格子部１３１と連なるとともに、平面透視で第２領域Ｒ２かつ信号導体１２の少なくとも一部に重なる位置（第２位置）に第２格子部１３２を有する。
接地導体１３ｃの上面は、第２層１０ｂの貫通導体１４ｂと接続されている。したがって、接地導体１３ｃは、貫通導体１４ｂを介して第２層１０ｂの接地導体１３ｂと電気的に接続されて接地電位となっている。また、接地導体１３ｃには、基体１１ｃをＺ方向に貫通する貫通導体１４ｃが複数接続されている。
ここで、図６を参照して、第３層１０ｃにおける第１開口１３１Ａおよび第２開口１３２Ａの形状、ならびに貫通導体１４ｃの配置について詳しく説明する。
図６に示すように、第１開口１３１Ａおよび第２開口１３２Ａは、Ｘ方向（第１方向）およびＹ方向（第２方向）に辺を有する矩形状である。ここで、矩形状は、４つの角部の頂角が厳密に直角となっている形状（矩形）に限られない。なお、第２方向は、第１方向に交わる方向であると換言できる。
例えば、矩形状には、矩形の一部の角部が落とされて多角形となっている形状が含まれる。角部が落とされている形状とは、矩形の４辺のうち角部をなす２辺が、該２辺のいずれとも非平行である辺によって繋がれている形状をいう。
また、矩形状には、矩形の辺同士が曲線により繋げられた形状が含まれていてもよい。よって、本開示では、設計上は矩形であり、製造工程を経て実際に形成された開口の角部が、工程上の制約により曲線状となるような場合における開口の形状も、矩形状に含まれる。
また、矩形状には、一部の辺から、平面視で貫通導体１４ｃと重なる突部Ｐが突出している形状が含まれていてもよい。
第１開口１３１Ａおよび第２開口１３２Ａは、Ｘ方向およびＹ方向における長さが、λ／８以上かつλ／４以下である。また、各第１開口１３１Ａの面積は、各第２開口１３２Ａの面積よりも大きい。詳しくは、第１開口１３１Ａおよび第２開口１３２Ａは、Ｙ方向の幅が同一であり、第１開口１３１ＡのＸ方向の幅が、第２開口１３２ＡのＸ方向の幅より大きい。
また、第１格子部１３１および第２格子部１３２には、貫通導体１４ｃが位置している。すなわち、平面視で第１格子部１３１および第２格子部１３２と重なる位置に貫通導体１４ｃが形成され、接続されている。詳しくは、第１格子部１３１のうちＸ方向に延びる部分と重なるように貫通導体１４ｃが位置している。また、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２の境界においてＹ方向に延びる格子部と重なるように貫通導体１４ｃが位置している。また、第２格子部１３２の交点に貫通導体１４ｃが位置している。また、第１開口１３１Ａおよび第２開口１３２Ａの周囲にも貫通導体１４ｃが位置している。各貫通導体１４ｃは、隣接する貫通導体１４ｃとの距離がλ／４未満である。すなわち、１つの貫通導体１４ｃに着目したときに、ＸＹ平面内で該貫通導体１４ｃからλ／４の範囲内に少なくとも１つの他の貫通導体１４ｃが位置している。
また、一部の貫通導体１４ｃと平面透視で重なる位置には、第２層１０ｂの貫通導体１４ｂが位置している。図４および図５の例では、第２領域Ｒ２内に位置する貫通導体１４ｂおよび１４ｃは、平面透視で重なる位置に形成されている。特に、平面透視で第２格子部１３２の交点と重なる位置に、貫通導体１４ｂ、１４ｃが位置していることで、メッシュ状の第２開口１３２Ａの形成領域における貫通導体１４ｂ、１４ｃの配置密度が高められている。換言すれば、貫通導体１４ｂ、１４ｃは、第２格子部１３２の交点を挟んでＺ方向に一直線上に位置している。
なお、図６では、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２にわたって、複数の貫通導体１４ｃがＸ方向に等間隔に位置しているが、これに限られない。例えば、図７に示すように、第１領域Ｒ１における貫通導体１４ｃの配置間隔を、第２領域Ｒ２における貫通導体１４ｃの配置間隔より小さくしてもよい。換言すれば、第１領域Ｒ１における貫通導体１４ｃの配置密度を、第２領域Ｒ２における貫通導体１４ｃの配置密度より高くしてもよい。また、図７に示すように、第１格子部１３１の交点に貫通導体１４ｃが位置していてもよい。
図８に示すように、第４層１０ｄは、誘電体を含む平板状の基体１１ｄと、接地導体１３ｄ（第２接地導体）と、貫通導体１４ｄとを有する。基体１１ｄは、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２を有する。第４層１０ｄは、基体１１ｄおよび基体１１ｃの第１領域Ｒ１の位置が平面透視で一致するように第３層１０ｃと重なっている。また、基体１１ｄの＋Ｘ方向の端部近傍の形状は、基体１１ｃの形状と略同一である。
接地導体１３ｄは、基体１１ｄの上面に形成されている。接地導体１３ｄは、Ｚ方向における信号導体１２からの距離がλ／４未満となる位置に設けられている。接地導体１３ｄは、第３層１０ｃの接地導体１３ｃよりも第１面Ｓ１から離れているため、第１面Ｓ１と接地導体１３ｄとの距離は、第１面Ｓ１と接地導体１３ｃとの距離より大きい。
また、接地導体１３ｄには、第１領域Ｒ１にメッシュ状の複数の第３開口１３３Ａが形成されている。各第３開口１３３Ａの形状および面積は、第３層１０ｃの第１開口１３１Ａの形状および面積と同一である。よって、第３開口１３３Ａは、Ｘ方向およびＹ方向に辺を有する矩形状であり、Ｘ方向およびＹ方向における長さが、λ／８以上かつλ／４以下である。各第３開口１３３Ａは、平面視で第１開口１３１Ａと重なっている。接地導体１３ｄは、隣り合う第３開口１３３Ａによって挟まれた第３格子部１３３を有する。第３格子部１３３は、Ｘ方向およびＹ方向に延びる直線状の導体である。Ｘ方向に１列に配列された第３開口１３３Ａからなる開口列は、第１開口１３１Ａからなる開口列と同様、平面透視で１つの信号導体１２と重なっている。また、Ｙ方向に延びる第３格子部１３３は、平面透視で信号導体１２と直交している。このように、接地導体１３ｄは、平面透視で第１領域Ｒ１かつ信号導体１２の少なくとも一部に重なる位置（第３位置）に第３格子部１３３を有する。
なお、インピーダンス調整のために、接地導体１３ｄのうち、第３層１０ｃの第２開口１３２Ａと重なる位置にさらに開口が形成されていてもよい。また、第３開口１３３ＡのＸ方向およびＹ方向における長さがλ／８以上かつλ／４以下となる範囲内で、第３開口１３３Ａの面積を第１開口１３１Ａの面積より小さくしてもよい。
接地導体１３ｄの上面は、第３層１０ｃの貫通導体１４ｃと接続されている。したがって、接地導体１３ｄは、貫通導体１４ｃを介して第３層１０ｃの接地導体１３ｃと電気的に接続されて接地電位となっている。また、接地導体１３ｄには、基体１１ｄをＺ方向に貫通する貫通導体１４ｄが複数接続されている。
図９に示すように、第５層１０ｅは、誘電体を含む平板状の基体１１ｅと、接地導体１３ｅと、貫通導体１４ｅとを有する。基体１１ｅは、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２を有する。第５層１０ｅは、基体１１ｅおよび基体１１ｄの第１領域Ｒ１の位置が平面透視で一致するように第４層１０ｄと重なっている。また、基体１１ｅの形状は、基体１１ｄの形状と略同一である。
接地導体１３ｅの上面は、第４層１０ｄの貫通導体１４ｄと接続されている。したがって、接地導体１３ｅは、貫通導体１４ｄを介して第４層１０ｄの接地導体１３ｄと電気的に接続されて接地電位となっている。接地導体１３ｅは、平面視で第４層１０ｄの第３開口１３３Ａと重なる位置を含む領域に形成されたベタ導体である。接地導体１３ｅは、実装領域ｒ１および枠体積層領域ｒ２の一部にわたって位置している。
また、接地導体１３ｅには、基体１１ｅをＺ方向に貫通する貫通導体１４ｅが複数接続されている。貫通導体１４ｅは、貫通導体１４ｅの下層の第６層が有する接地導体に接続されている。また、第６層の接地導体は、第６層の基体を貫通する貫通導体により、さらに下層の第７層の接地導体に接続されていてもよい。このように、貫通導体を介して複数層の接地導体を電気的に接続することにより、接地電位を安定させることができる。なお、端子部材１０が第６層以下の層を有しない場合には、貫通導体１４ｅは省略できる。
以上に説明したように、端子部材１０の基体１１は、第１層１０ａ～第５層１０ｅに設けられた基体１１ａ～１１ｅを有する。また、端子部材１０の接地導体１３は、第１層１０ａ～第５層１０ｅに設けられた接地導体１３ａ～１３ｅを有する。このうち接地導体１３ｂ～１３ｅは、基体１１の内部に位置している。端子部材１０では、第１層１０ａの信号導体１２、およびこれより下層にある接地導体１３ｂ～１３ｅによってマイクロストリップ線路が構成されている。
端子部材１０は、例えば以下の方法により製造できる。
基体１１ａ～１１ｅの素材には、例えば酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体、ムライト質焼結体又はガラスセラミックス等のセラミック焼結体を適用できる。基体１１ａ～１１ｅの素材として酸化アルミニウム質焼結体を適用する場合、端子部材１０の基体１１は、次のように製作できる。まず、酸化アルミニウム粉末および焼結助剤成分となる酸化ケイ素等の粉末を主成分とする原料粉末を、有機溶剤、バインダと混練してスラリーとする。次に、このスラリーをドクターブレード法又はリップコータ法等の成形方法でシート状に成形して基体１１ａ～１１ｅとなるセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）をそれぞれ作製する。次に、複数のグリーンシートを積層して積層体を作製する。その後、この積層体を約１３００℃～１６００℃程度の温度で焼成することによって基体１１を製作できる。
また、基体１１ａ上の信号導体１２、および基体１１ａ～１１ｅ上の接地導体１３ａ～１３ｅは、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン又は銅等の金属材料、もしくは、これらの金属材料の合金材料を導体成分として含む。信号導体１２および接地導体１３ａ～１３ｅとしてタングステンのメタライズ層を用いる場合、タングステンの粉末を有機溶剤および有機バインダと混合して作製した金属ペーストをグリーンシートの所定位置にスクリーン印刷法等で印刷し、焼成することで形成できる。また、貫通導体１４ａ～１４ｅは、上記の金属ペーストの印刷に先立ってグリーンシートの所定の位置に貫通孔を設け、上記と同様の金属ペーストをこの貫通孔に充填しておき、グリーンシートとともに焼成することで形成できる。信号導体１２および接地導体１３ａのように外部に露出する導体層の表面には、１～１０μｍ程度のニッケル膜および０．１～３μｍ程度の金膜を順に形成して、その表面を保護するとともに、ろう材あるいははんだ等の接合性を高めることができる。
本実施形態の配線基体１００によれば、端子部材１０が上述した構成を有していることにより、端子部材１０のインピーダンスを適切な値に調整できる。以下、これについて説明する。
一般に、マイクロストリップ線路において、信号導体の下層の接地導体をベタ導体層にすると、共振周波数が高周波側にシフトするので、高周波信号の伝送特性が良好となる。一方で、信号導体と接地導体とが近いほどインピーダンスが下がり、インピーダンス整合が難しくなる。
これに対し、本実施形態の配線基体１００は、実装領域ｒ１（第１領域Ｒ１）に、信号導体１２の下層の接地導体１３ｃにメッシュ状の第１開口１３１Ａが形成されている。これによって、共振周波数を維持しつつ、インピーダンスの低下を低減し、インピーダンスを所望の値に調整できる。このような配線基体１００は、高周波信号の伝送特性に優れる。
また、実装領域ｒ１よりキャビティ側、すなわち枠体積層領域ｒ２およびキャビティの内部に、さらにメッシュ状の第２開口１３２Ａが形成されている。これにより、実装領域ｒ１の周囲で生じる共振の周波数を高周波側へシフトさせることができるので、このような構成を備える配線基体１００は、高周波信号の伝送特性に優れる。また、インピーダンスの低下をさらに低減できる。
一般に、マイクロストリップ線路の共振周波数は、信号伝搬方向に対し垂直な面の配線断面形状に大きく支配されるため、通常、共振周波数調整においては、実装領域ｒ１の範囲内における信号導体および接地導体の形状が調整対象となる。しかしながら、実際には、実装領域ｒ１で発生した電磁界はキャビティの方向にも広がっており、信号伝播方向と平行な方向にわたる導体形状、すなわち実装領域ｒ１からキャビティ内部にわたる導体形状も共振周波数に影響を与える。このため、実装領域ｒ１よりキャビティ側の接地導体１３にもメッシュ状の第２開口１３２Ａを形成した配線基体１００は、高周波信号の伝送特性に優れる。
また、第３層１０ｃの第１開口１３１Ａに加えて、第４層１０ｄにも、実装領域ｒ１にメッシュ状の第３開口１３３Ａが形成されている。換言すれば、メッシュ状の開口が２層にわたって形成されている。これにより、インピーダンスの低下をより低減できる。上述のとおり、信号導体１２は、実装領域ｒ１において信号端子１２Ｔとなっているところ、この信号端子１２Ｔの線幅（図３におけるＹ方向の幅）は、外部基板２を適切に実装するための設計上の要請によって下限値が定められている。このため、インピーダンスが所望の値より小さくなってしまう場合がある。これに対し、信号端子１２Ｔの下層に、２層にわたってメッシュ状の開口を設けることで、インピーダンスの低下を低減して所望の値に調整できる。また、第２開口１３２Ａの面積より第１開口１３１Ａの面積を大きくすることによっても、同様にインピーダンスの低下を低減できる。
他方で、実装領域ｒ１よりキャビティ側、例えば枠体積層領域ｒ２では、信号導体１２の線幅に関する制約がないため、信号導体１２を細くすることでインピーダンスの低下を低減できる。このため、第３層１０ｃにおいて、第２開口１３２Ａの面積は、第１開口１３１Ａの面積より小さくてよい。また、第４層１０ｄには、枠体積層領域ｒ２を含む第２領域Ｒ２の範囲内には開口が形成されていない。ただし、この構成に限られず、必要に応じて第４層１０ｄの第２領域Ｒ２に開口を形成し、インピーダンスをさらに調整してもよい。
また、第１開口１３１Ａ、第２開口１３２Ａおよび第３開口１３３ＡのＸ方向およびＹ方向における長さをλ／８以上かつλ／４以下とすることで、高周波信号の伝送に応じて生じた電磁波を通過しにくくできる。これによって、該電磁波の外部への輻射を低減できる。また、開口の長さをλ／４以下に小さくすることで、共振周波数の低周波側へのシフトを低減できる。このような構成を有する配線基体１００は、高周波信号の伝送特性に優れる。
また、第２開口１３２Ａの面積より第１開口１３１Ａの面積を大きくすることによって、各開口が形成されている部分の実効比誘電率を考慮してインピーダンスを調整できる。以下、これについて説明する。
メッシュ状の開口は、小さいほど共振周波数を高周波側へシフトさせることができる。一方、メッシュ状の開口が小さいほどインピーダンスが低下する。よって、開口の長さをλ／４以下とすることで共振周波数を高く維持しつつ、なるべく開口を大きくしたいという要請がある。ここで、空気に接する実装領域ｒ１では、セラミックの枠体２２が接する枠体積層領域ｒ２と比較して実効比誘電率が低いため、同一周波数の電磁波における波長λが大きくなる。よって、実装領域ｒ１に形成する第１開口１３１Ａについては、枠体積層領域ｒ２に形成する第２格子部１３２よりも、「開口の長さがλ／４以下」との条件を満たしつつ開口を大きくできる。よって、共振周波数を低周波側にシフトさせずに、インピーダンスの低下を低減できる。このような構成を有する配線基体１００は、高周波信号の伝送特性に優れる。
また、第１開口１３１Ａおよび第２開口１３２Ａが形成される接地導体１３ｃ、ならびに第３開口１３３Ａが形成される接地導体１３ｄを、信号導体１２からの距離がλ／４未満となる位置に設けることで、電磁波が伝播する範囲内にメッシュ状の開口を形成できる。このため、インピーダンスの低下を低減できるので、このような構成を備える配線基体１００は、高周波信号の伝送特性に優れる。
また、第３開口１３３Ａが形成されている接地導体１３ｄの下層に接地導体１３ｅが位置しており、この接地導体１３ｅが、平面視で第３開口１３３Ａと重なる位置を含む領域に形成されたベタ導体となっている。これにより、第１開口１３１Ａおよび第３開口１３３Ａを通過した電磁波の、電子装置１の外部への輻射を低減できる。
また、メッシュ状の開口が形成されている接地導体１３ｃ、１３ｄが貫通導体１４ｃによって電気的に接続されていることで、接地電位を安定（強化）させることができるため、高周波信号の伝送特性を向上させることができる。また、接地導体１３ｃ、１３ｄが、他の貫通導体によって、さらに接地導体１３ａ、１３ｂ、１３ｅ（および、より下層の第６層、第７層の接地導体）に電気的に接続されているため、接地電位をさらに安定させることができる。
また、複数の貫通導体１４ｃ（およびこれに連なる貫通導体１４ｂ）が、λ／４未満の距離で形成されていることにより、高周波信号の伝送に伴って生じた電磁波の、キャビティ方向への漏洩を低減できる。特に、外部基板との接合により共振周波数が変動しやすい第１領域Ｒ１（実装領域ｒ１）における貫通導体１４ｃの配置密度を、第２領域Ｒ２における貫通導体１４ｃの配置密度より高くすることで、電磁波の漏洩を低減できる。また、第１格子部１３１の交点に貫通導体１４ｃが位置している構成、および第２格子部１３２の交点に貫通導体１４ｃが位置している構成によれば、貫通導体１４ｃをより高密度に配置できる。電磁波の漏洩を低減する観点では、貫通導体１４ｃの配置密度は高いことが望ましい。また、貫通導体同士の距離をλ／４未満とすることで、貫通導体を介した接地導体同士の電気的な接続強度を高めて接地電位を安定させることができる。
次に、図１０および図１１を参照して、本実施形態の配線基体１００の反射損失および挿入損失のシミュレーション結果について説明する。
図１０および図１１では、本実施形態のメッシュ状の第１開口１３１Ａ、第２開口１３２Ａおよび第３開口１３３Ａを設けた実施例のシミュレーション結果が実線で示されている。また、端子部材１０の接地導体１３にメッシュ状の開口を設けない比較例のシミュレーション結果が破線で示されている。
図１０に示すように、５５ＧＨｚ～８５ＧＨｚの高周波帯域において、実施例の反射損失（０に近いほど入射に対して反射が大きくなる）は、比較例の反射損失より低い結果となった。
また、図１１に示すように、５５ＧＨｚ以上の高周波帯域において、実施例の挿入損失（損失は値の絶対値が大きいほど大きい）は、比較例の挿入損失より低い結果となった。
以上のように、本実施形態の配線基体１００は、基体１１と、信号導体１２と、第１接地導体としての接地導体１３ｃを含む接地導体１３と、を備える。基体１１は、第１面Ｓ１と、該第１面Ｓ１における外辺の近くに位置し、外部基板２が実装される第１領域Ｒ１と、該第１領域Ｒ１以外の第２領域Ｒ２と、を有する。信号導体１２は、第１面Ｓ１における第１領域Ｒ１を含んで、外辺から離れるＸ方向に延びて位置する。接地導体１３ｃは、基体１１の内部、かつ、第１面Ｓ１に垂直な方向における信号導体１２からの距離が信号導体１２で伝送される高周波信号の波長λの１／４未満に位置する。接地導体１３ｃは、第１面Ｓ１に向かう平面透視で第１領域Ｒ１かつ信号導体１２の少なくとも一部に重なる第１位置に、第１開口１３１Ａによって挟まれた第１格子部１３１を有する。第１開口１３１Ａは、Ｘ方向およびＹ方向における長さがλ／８以上かつλ／４以下であり、第１格子部１３１には、貫通導体１４ｃが位置している。
接地導体１３ｃに上記の大きさのメッシュ状の第１開口１３１Ａを形成することにより、共振周波数を維持しつつ、インピーダンスを所望の値に調整できる。また、貫通導体１４ｃによって接地導体１３ｃを他の接地導体と電気的に接続することで、接地電位を安定（強化）させることができる。これにより、高周波信号の伝送特性を向上させることができる。
また、第１開口１３１Ａを、Ｘ方向およびＹ方向に辺を有する矩形状とすることで、簡易な設計で第１開口１３１Ａを所望の面積とすることができる。
また、貫通導体１４ｃが、第１格子部１３１の交点に位置する構成とすることで、貫通導体１４ｃをより高密度に配置できる。
また、接地導体１３ｃは、Ｘ方向において第１格子部１３１と連なるとともに、平面透視で第２領域Ｒ２に重なる第２位置に、第２開口１３２Ａによって挟まれた第２格子部１３２を有する。また、第２開口１３２Ａは、Ｘ方向およびＹ方向における長さがλ／８以上かつλ／４以下であり、第２開口１３２Ａの面積は、第１開口１３１Ａの面積よりも小さい。これにより、実装領域ｒ１の周囲で生じる共振の周波数を高周波側へシフトさせて、高周波信号の伝送特性を向上させることができる。また、インピーダンスの低下をさらに低減できる。また、第２開口１３２Ａの面積を第１開口１３１Ａの面積よりも小さくすることで、各開口が形成されている部分の実効比誘電率を考慮してインピーダンスを調整できる。
また、第２開口１３２Ａを、Ｘ方向およびＹ方向に辺を有する矩形状とすることで、簡易な設計で第２開口１３２Ａを所望の面積とすることができる。
また、貫通導体１４ｃが、第２格子部１３２の交点に位置する構成とすることで、貫通導体１４ｃをより高密度に配置できる。
また、接地導体１３は、基体１１の内部、かつ、第１面Ｓ１に垂直な方向における信号導体１２からの距離がλ／４未満に位置する。そして、平面透視で第１領域Ｒ１かつ信号導体１２の少なくとも一部に重なる第３位置に、第３開口１３３Ａによって挟まれた第３格子部１３３を有する第２接地導体としての接地導体１３ｄを有する。また、第３開口１３３Ａは、Ｘ方向およびＹ方向における長さがλ／８以上かつλ／４以下である。また、接地導体１３ｄは、第１面Ｓ１に垂直な方向において、接地導体１３ｃよりも第１面Ｓ１から離れ、貫通導体１４ｃによって接地導体１３ｃと接続している。これにより、２層にわたってメッシュ状の開口を形成できるため、インピーダンスの低下をより低減できる。また、接地導体同士の電気的な接続強度を高めて接地電位を安定させることができる。
また、第３開口１３３Ａを、Ｘ方向およびＹ方向に辺を有する矩形状とすることで、簡易な設計で第３開口１３３Ａを所望の面積とすることができる。
また、第３開口１３３Ａは、平面透視で、第１開口１３１Ａと重なっている。これにより、２層にわたってメッシュ状の開口を形成できるため、インピーダンスの低下を低減できる。
また、第３開口１３３Ａの面積を、第１開口１３１Ａの面積よりも小さくすることで、インピーダンスを所望の範囲に調整しつつ、共振周波数の調整などのための設計の自由度を高めることができる。第３開口１３３Ａが形成される第４層１０ｄは、第１開口１３１Ａが形成される第３層１０ｃよりも信号導体１２から離れているため、このような調整が可能となる。
また、配線基体１００は、貫通導体１４ｃを複数有し、貫通導体１４ｃは、隣接する貫通導体１４ｃとの距離がλ／４未満である。これにより、高周波信号の伝送に伴って生じた電磁波のキャビティ方向への漏洩を低減できる。また、貫通導体を介した接地導体同士の電気的な接続強度を高めて接地電位を安定させることができる。
また、本実施形態に係る電子装置１は、上記の配線基体１００と、該配線基体１００に接続されている電子部品２００と、を備えるため、高周波信号の伝送特性に優れる。
＜第２の実施形態＞
次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態は、端子部材１０の構造が第１の実施形態と異なる。以下では、第１の実施形態との相違点について説明する。第２の実施形態の電子装置１および配線基体１００は、より高い周波数帯域の光通信用途（例えば、変調レートが１２８Ｇｂａｕｄ以下程度、周波数帯が９５ＧＨｚ以下程度）などに用いることができる。
図１２を参照して、第２の実施形態に係る端子部材１０の構成について説明する。
第２の実施形態の端子部材１０は、第１層１０ａ、第２層１０ｂ、第３層１０ｃおよび第４層１０ｄからなる４層構造の例を示す。
第１層１０ａは、基体１１ａと、８本の信号導体１２と、５本の接地導体１３ａと、貫通導体１４ａとを有する。第２の実施形態においても、基体１１ａは、外部基板２が実装される第１領域Ｒ１と、枠体積層領域ｒ２を含む第２領域Ｒ２とを有している。
第２層１０ｂは、基体１１ｂと、接地導体１３ｂと、貫通導体１４ｂとを有する。第２の実施形態では、接地導体１３ｂが「第１接地導体」に相当する。接地導体１３ｂには、第１領域Ｒ１に第１開口１３１Ａが形成されている。すなわち、接地導体１３ｂは、第１開口１３１Ａによって挟まれた第１格子部１３１を有する。なお、図１２の例では、接地導体１３ｂに第２開口１３２Ａが形成されていないが、インピーダンス調整に必要な場合には第２開口１３２Ａが形成されていてもよい。
第３層１０ｃは、基体１１ｃと、接地導体１３ｃとを有する。第２の実施形態では、接地導体１３ｃが「第２接地導体」に相当する。接地導体１３ｃには、平面透視で第１開口１３１Ａと重なる第３開口１３３Ａが形成されている。すなわち、接地導体１３ｃは、第３開口１３３Ａによって挟まれた第３格子部１３３を有する。なお、第３層１０ｃは貫通導体を有していない。
第４層１０ｄは、誘電体の基体１１ｄからなり、接地導体および貫通導体等の導体を有していない。
このように、第２の実施形態では、第１開口１３１Ａまたは第３開口１３３Ａは、平面透視で接地導体１３と重なっていない。換言すれば、平面透視で第１開口１３１Ａまたは第３開口１３３Ａと重なる位置にベタ導体が設けられていない。これにより、インピーダンスの低下をさらに低減させることができる。また、共振周波数をさらに高周波側にシフトさせて高周波信号の伝送特性を向上させることができる。また、共振周波数が高くなることで、キャビティ内で定在波が発生するキャビティ共振が生じやすくなるところ、最下層にベタ導体を設けない（シールドしない）ことによって、このキャビティ共振を低減させることができる。これにより、キャビティ共振の影響による高周波信号の伝送特性の劣化を低減し、共振周波数をさらに高周波側にシフトさせることができる。
＜変形例＞
図１３を参照して、上記第１の実施形態及び第２の実施形態の変形例に係る端子部材１０について説明する。
図１３には、端子部材１０の一部を拡大して示す図であり、端子部材１０のうち、第１層１０ａと、第１層１０ａの下面に重なる第２層１０ｂが示されている。第１層１０ａの基体１１ａの上面には複数の信号導体１２が形成されている。また、第２層１０ｂの基体１１ｂの上面には接地導体１３ｂが形成されている。基体１１ａのうち、隣接する２つの信号導体１２の間には、基体１１ａをＺ方向に貫通する溝１５が設けられている。言い換えると、端子部材１０の基体１１は、第１面Ｓ１から、第１接地導体としての接地導体１３ｂの形成層まで貫通している溝１５を有する。図１３では、溝１５は、信号導体１２の延在方向（Ｘ方向）に長い長円形となっているが、形状はこれに限られず、矩形などであってもよい。また、溝１５は、基体１１ａの端部まで延びる切り欠きであってもよい。接地導体１３ｂの一部は、平面透視で信号導体１２と重なっている。接地導体１３ｂには、メッシュ状の複数の第１開口１３１Ａが形成されている。第１開口１３１Ａの一部は、平面透視で信号導体１２に重なっている。また、第１開口１３１Ａの一部は、平面透視で溝１５に重なっている。言い換えると、Ｚ方向から見て（すなわち、第１面Ｓ１に向かう平面透視で）第１開口１３１Ａの一部が溝１５から露出している。また、Ｚ方向から見て、第２層１０ｂの接地導体１３ｂの一部が溝１５から露出している。
溝１５を設けることで、溝１５の形成部分の比誘電率を低くすることができるため、信号導体１２のインピーダンス低下を低減できる。また、接地導体１３ｂにメッシュ状の第１開口１３１Ａを設けることによっても、信号導体１２のインピーダンス低下を低減できる。よって、図１３に示す構成によれば、伝送線路の広帯域化を行うために信号導体１２と接地導体１３ｂとを近付けた構成におけるインピーダンスの低下を低減し、インピーダンスを所望の値に調整できる。これにより、高周波信号の良好な伝送特性と広帯域化を達成できる。
また、図１４に示すように、溝１５はＴ字形状となっていてもよい。具体的には、信号導体１２の信号伝送方向の延長線上に溝１５が配置されている形状が好ましい。詳しくは、溝１５は、隣接する２本の信号導体１２の間においてＸ方向（信号伝送方向）に延在する部分と、当該Ｘ方向に延在する部分の＋Ｘ方向側の端部から＋Ｙ方向に延在する部分と、当該端部から－Ｙ方向に延在する部分と、を有していることが好ましい。また、溝１５のうち上記の＋Ｙ方向に延在する部分、及び－Ｙ方向に延在する部分は、それぞれ信号導体１２を＋Ｘ方向に延長したと仮定したときに当該延長した部分と重なる位置まで延在していることが好ましい。このような構成により、信号導体１２が外部基板であるＦＰＣなどに接続される場合、外部基板との接続によって接続部付近における信号導体１２のインピーダンスが低下することを低減できる。これにより、信号導体１２の高周波特性、特にコモンモードにおける高周波特性を改善することができる。
なお、上記実施の形態は例示であり、様々な変更が可能である。
例えば、上記実施形態では、第１開口１３１Ａ、第２開口１３２Ａおよび第３開口１３３Ａが、Ｘ方向およびＹ方向に辺を有する矩形状であるとしたが、これに限られない。
例えば、第１開口１３１Ａ、第２開口１３２Ａおよび第３開口１３３Ａは、直交しない第１方向および第２方向に辺を有する形状、例えば平行四辺形あるいは菱形であってもよい。
また、第１開口１３１Ａ、第２開口１３２Ａおよび第３開口１３３Ａは、矩形状以外の多角形、円形又は楕円形などであってもよい。
また、第１開口１３１Ａ、第２開口１３２Ａおよび第３開口１３３Ａのいずれか、又は２つが矩形状であり、残りが上記で例示した非矩形状であってもよい。
また、上記実施形態では、２層にわたってメッシュ状の開口を設ける例を挙げて説明したが、これに限られず、メッシュ状の開口が形成された層の数は、１層又は３層以上であってもよい。
その他、上記実施の形態で示した構成、構造、位置関係および形状などの具体的な細部は、本開示の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、本開示の趣旨を逸脱しない範囲において、上記実施の形態で示した構成、構造、位置関係および形状を適宜組み合わせ可能である。
本開示は、配線基体および電子装置に利用することができる。
１ 電子装置
２ 外部基板
１０ 端子部材
１１、１１ａ～１１ｅ 基体
１２ 信号導体
１２Ｔ 信号端子
１３、１３ａ～１３ｅ 接地導体
１３Ｔ 接地端子
１４ａ～１４ｅ 貫通導体
１５ 溝
２０ 本体
２１ 底部
２２ 枠体
２２ａ 貫通孔
２２ｂ 嵌合部
２３ シールリング
３０ 蓋体
１００ 配線基体
２００ 電子部品
Ｒ１ 第１領域
Ｒ２ 第２領域
ｒ１ 実装領域
ｒ２ 枠体積層領域

Claims (15)

  1. 基体と、
    信号導体と、
    第１接地導体を含む接地導体と、を備え、
    前記基体は、第１面と、該第１面における外辺の近くに位置し、外部基板が実装される第１領域と、該第１領域以外の第２領域と、を有し、
    前記信号導体は、前記第１面における前記第１領域を含んで、前記外辺から離れる第１方向に延びて位置し、
    前記第１接地導体は、前記基体の内部、かつ、前記第１面に垂直な方向における前記信号導体からの距離が前記信号導体で伝送される高周波信号の波長の１／４未満に位置するとともに、前記第１面に向かう平面透視で前記第１領域かつ前記信号導体の少なくとも一部に重なる第１位置に、第１開口によって挟まれた第１格子部を有し、
    前記第１開口は、前記第１方向および前記第１方向に交わる第２方向における長さが、前記高周波信号の波長の１／８以上かつ１／４以下であり、
    前記第１格子部には、貫通導体が位置している、配線基体。
  2. 前記第１開口は、前記第１方向および前記第２方向に辺を有する矩形状である、請求項１記載の配線基体。
  3. 前記貫通導体は、前記第１格子部の交点に位置する、請求項１または請求項２記載の配線基体。
  4. 前記第１接地導体は、前記第１方向において前記第１格子部と連なるとともに、前記平面透視で第２領域に重なる第２位置に、第２開口によって挟まれた第２格子部を有し、
    前記第２開口は、前記第１方向および前記第２方向における長さが、前記高周波信号の波長の１／８以上かつ１／４以下であり、
    前記第２開口の面積は、前記第１開口の面積よりも小さい、請求項１～請求項３のいずれか１つに記載の配線基体。
  5. 前記第２開口は、前記第１方向および前記第２方向に辺を有する矩形状である、請求項４記載の配線基体。
  6. 前記貫通導体は、前記第２格子部の交点に位置する、請求項４または請求項５記載の配線基体。
  7. 接地導体は、前記基体の内部、かつ、前記第１面に垂直な方向における前記信号導体からの距離が前記高周波信号の波長の１／４未満に位置するとともに、前記平面透視で前記第１領域かつ前記信号導体の少なくとも一部に重なる第３位置に、第３開口によって挟まれた第３格子部を有する第２接地導体を有し、
    前記第３開口は、前記第１方向および前記第２方向における長さが、前記高周波信号の波長の１／８以上かつ１／４以下であり、
    該第２接地導体は、前記第１面に垂直な方向において、前記第１接地導体よりも前記第１面から離れ、前記貫通導体によって前記第１接地導体と接続している、請求項１～請求項６のいずれか１つに記載の配線基体。
  8. 前記第３開口は、前記第１方向および前記第２方向に辺を有する矩形状である、請求項７記載の配線基体。
  9. 前記第３開口は、前記平面透視で、前記第１開口と重なっている、請求項７または請求項８記載の配線基体。
  10. 前記第３開口の面積は、前記第１開口の面積よりも小さい、請求項７～請求項９のいずれか１つに記載の配線基体。
  11. 前記第１開口は、前記平面透視で、前記接地導体と重なっていない、請求項１～請求項１０のいずれか１つに記載の配線基体。
  12. 前記第３開口は、前記平面透視で、前記接地導体と重なっていない、請求項７～請求項１０のいずれか１つに記載の配線基体。
  13. 前記貫通導体を複数有し、
    前記貫通導体は、隣接する前記貫通導体との距離は、前記高周波信号の波長の１／４未満である、請求項１～請求項１２のいずれか１つに記載の配線基体。
  14. 複数の前記信号導体を備え、
    前記基体は、隣り合う前記信号導体の間に、前記第１面から、前記第１接地導体の形成層まで貫通している溝を有し、
    前記第１面に向かう平面透視で、前記第１開口の一部が前記溝から露出している、請求項１～請求項１３のいずれか１つに記載の配線基体。
  15. 請求項１～請求項１４のいずれか１つに記載の配線基体と、
    該配線基体に接続されている電子部品と、を備える電子装置。
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