JP2024050033A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】電荷の蓄積が可能で、かつ、一方向の抵抗値が他方向の抵抗値よりも低くなるような整流作用を有する電子部品を提供すること。【解決手段】第１内部電極層と、第２内部電極層と、第１内部電極層と第２内部電極層との間に積層してある誘電体層と、を含む素体を有する電子部品である。Ｎｉ酸化物粒子が、第１内部電極層と誘電体層との間の第１境界に存在する。また、誘電体層が、第１境界のＮｉ酸化物粒子および第２内部電極層の両方と接する誘電体大粒子を含む。【選択図】図２

Description

本開示は、誘電体層および内部電極層を有する電子部品に関する。

電子回路や電源回路などの回路には、セラミックコンデンサ、ダイオード、抵抗、トランジスタ、インダクタなどの様々な電子部品が組み込まれている。回路に含まれる各電子部品は、それぞれ特有の機能を有しているが、単一の電子部品が複数の要素の機能を兼ね備えることができれば、回路を構成する電子部品の種類を削減できる可能性がある。

たとえば、特許文献１が開示しているようなセラミックコンデンサは、誘電体層と内部電極層とを積層した構造を有しており、電荷を蓄える機能や、直流電流を通さずに交流電流を通す機能などを有している。このセラミックコンデンサが、上記の機能のみならず、ダイオードのような整流作用を兼ね備えることができれば、回路を簡素化できる可能性がある。

特開２００１－２２０２２４号公報

本開示における例示的な実施形態の目的は、電荷の蓄積が可能で、かつ、一方向の抵抗値が他方向の抵抗値よりも低くなるような整流作用を有する電子部品を提供することである。

上記の目的を達成するために、本開示の第１の観点に係る電子部品は、
第１内部電極層と、第２内部電極層と、前記第１内部電極層と前記第２内部電極層との間に積層してある誘電体層と、を含む素体を有し、
Ｎｉ酸化物粒子が、前記第１内部電極層と前記誘電体層との間の第１境界に存在し、
前記誘電体層が、前記第１境界の前記Ｎｉ酸化物粒子および前記第２内部電極層の両方と接する誘電体大粒子を含む。

誘電体層と内部電極層とを含む従来のセラミックコンデンサでは、特許文献１に示すように、高い抵抗値を有することが好ましいと考えられてきた。これに対して、第１の観点に係る電子部品は、上述した特徴を有することで、一方向の抵抗値を他方向の抵抗値よりも低くすることができる。つまり、第１の観点に係る電子部品は、コンデンサとして電荷の蓄積が可能であると共に、ダイオードのような整流作用を兼ね備えることができる。

好ましくは、前記Ｎｉ酸化物粒子が、前記第１内部電極層を介して隣接する２つの前記誘電体層の両方と接している。

前記素体に含まれる前記第１内部電極層、前記第２内部電極層、および、前記誘電体層が、それぞれ複数であり、
好ましくは、前記第１内部電極層は、前記素体の一断面において、平均２個以上の前記Ｎｉ酸化物粒子と接している。

前記素体に含まれる前記第１内部電極層、前記第２内部電極層、および、前記誘電体層が、それぞれ複数であり、
前記素体の断面で観測される前記Ｎｉ酸化物粒子の合計個数をＮＰ０とし、
前記断面で観測される前記Ｎｉ酸化物粒子のうちの前記第１境界に存在する前記Ｎｉ酸化物粒子の個数をＮＰ１として、
好ましくは、ＮＰ１／ＮＰ０が０．６以上である。

前記素体に含まれる前記第１内部電極層、前記第２内部電極層、および、前記誘電体層が、それぞれ複数であり、
前記素体の断面で観測される前記第１内部電極層および前記第２内部電極層の合計長さをＬＥとし、
前記合計長さＬＥの範囲において、前記第１内部電極層または前記第２内部電極層と接する前記Ｎｉ酸化物粒子の個数をＮＰ_Lとして、
好ましくは、ＮＰ_L／ＬＥが０．００２個／μｍ以上である。

前記第１内部電極層および前記第２内部電極層に含まれる金属結晶の平均粒径をｄ_Mとし、
前記Ｎｉ酸化物粒子の平均粒径をｄ_Pとして、
好ましくは、ｄ_P／ｄ_Mが３以上である。

本開示の第２の観点に係る電子部品は、第１内部電極層と、第２内部電極層と、前記第１内部電極層と前記第２内部電極層との間に積層してある誘電体層と、を含む素体を有し、
ｐ型半導体粒子が、前記第１内部電極層と前記誘電体層との間の第１境界に存在し、
前記誘電体層が、前記第１境界の前記ｐ型半導体粒子および前記第２内部電極層の両方と接する誘電体大粒子を含む。

第２の観点に係る電子部品は、上記の特徴を有することで、一方向の抵抗値を他方向の抵抗値よりも低くすることができる。つまり、第２の観点に係る電子部品は、上述した第１の観点に係る電子部品と同様に、コンデンサとして電荷の蓄積が可能であると共に、ダイオードのような整流作用を兼ね備えることができる。

図１は、本開示の一実施形態に係る電子部品の断面を示す模式図である。 図２は、図１に示す素体の断面を拡大した模式図である。 図３Ａは、誘電体層と内部電極層との境界の一部を拡大した模式図である。 図３Ｂは、図３Ａに示す構造に関係する回路を示す概念図である。 図４Ａは、誘電体層と内部電極層との境界の一部を拡大した模式図である。 図４Ｂは、図４Ａに示す構造に関係する等価回路を示す概念図である。 図５Ａは、誘電体層と内部電極層との境界の一部を拡大した模式図である。 図５Ｂは、図５Ａに示す構造に関係する回路を示す概念図である。 図６は、Ｎｉ酸化物粒子の変形例を示す模式図である。 図７は、ＡＣ／ＤＣコンバータ回路の一例を示す回路図である。 図８Ａは、図７に示すＡＣ／ＤＣコンバータ回路に入力する交流電圧波形の一例を示すグラフである。 図８Ｂは、図７に示すＡＣ／ＤＣコンバータ回路から出力される電圧波形の一例を示すグラフである。

以下、本開示の一実施形態を、図面を参照しつつ説明する。

本実施形態の積層セラミック電子部品２は、図１に示すように、素体４と、当該素体４の外面に形成してある一対の外部電極６と、を有する。

図１に示す素体４の形状は、通常、略直方体状であって、素体４は、Ｙ－Ｚ平面に沿う２つの端面４ａ，４ｂと、２つの端面４ａ，４ｂを連結する４つの側面４ｃと、を有する。ただし、素体４の形状は、特に限定されず、楕円柱状、円柱状、その他角柱状等であってもよい。また、素体４の外形寸法も、特に制限されず、たとえば、Ｘ軸方向の長さＬ０を０．２ｍｍ～５．７ｍｍ、Ｙ軸方向の幅Ｗ０を０．１ｍｍ～５．０ｍｍ、Ｚ軸方向の高さＴ０を０．１ｍｍ～３．０ｍｍとすることができる。なお、本実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、相互に垂直である。

積層セラミック電子部品２は、一対の外部電極６として、一方の端面４ａと接する第１外部電極６ａと、他方の端面４ｂと接する第２外部電極６ｂと、を有する。第１外部電極６ａおよび第２外部電極６ａは、Ｘ軸方向で互いに接触しないように、電気的に絶縁されている。各外部電極６は、導電性を有していればよく、各外部電極６の仕様（材質、構造、厚みなど）は特に限定されない。各外部電極６は、いずれも、焼付電極層や、樹脂電極層、メッキ電極層などを含んでいてもよく、単層構造を有していてもよいし、複数の電極層を含む積層構造を有していてもよい。たとえば、各外部電極６は、Ｃｕを含む焼付電極層－Ｎｉメッキ層－Ｓｎメッキ層の三層構造（記載の順番に積層する）を有していてもよい。

素体４は、容量領域４０と、容量領域４０の外側に位置する外装領域４１と、を有する。容量領域４０は、Ｘ軸およびＹ軸を含む平面に実質的に平行な誘電体層１０と内部電極層２０とを有し、容量領域４０の内部では、誘電体層１０と内部電極層２０とがＺ軸に沿って交互に積層してある。ここで、「実質的に平行」とは、ほとんどの部分が平行であるが、多少平行でない部分を有していてもよいことを意味し、誘電体層１０および内部電極層２０は、いずれも、多少、凹凸があったり、傾いていたりしてもよい。

容量領域４０の内部電極層２０は、第１内部電極層２１と第２内部電極層２２に類別することができる。各第１内部電極層２１の縁辺の一部は、一方の端面４ａに露出しており、第１内部電極層２１は、それぞれ、第１外部電極６ａと電気的に接続している。各第２内部電極層２２の縁辺の一部は、他方の端面４ｂに露出しており、第２内部電極層２２は、それぞれ、第２外部電極６ｂと電気的に接続している。

容量領域４０の各誘電体層１０は、第１内部電極層２１と第２内部電極層２２との間に積層してある。換言すると、第１内部電極層２１および第２内部電極層２２は、誘電体層１０を介して互いに絶縁されている。このように、容量領域４０は、第１内部電極層２１、誘電体層１０、および、第２内部電極層２２が、記載の順で繰り返し積層してある構造を有する。積層セラミック電子部品２に対して電圧を印加すると、第１外部電極６ａおよび第２外部電極６ｂは、互いに異なる極性を有することとなり、容量領域４０の各誘電体層１０に対して電圧が印加可能となっている。つまり、各誘電体層１０に電荷を蓄積することができ、積層セラミック電子部品２は、誘電体層１０および内部電極層２０の積層構造により、コンデンサとしての機能を有する。

本実施形態では、誘電体層１０と第１内部電極層２１との接合界面を第１境界３１と称することとし、誘電体層１０と第２内部電極層２２との接合境界を第２境界３２と称することとする。なお、本実施形態の説明において、第１内部電極層２１と第２内部電極層２２とを区別せずに、総称として「内部電極層２０」を使用する場合、「内部電極層２０」を使用する説明は、第１内部電極層２１および第２内部電極層２２に共通して関連していることを意味する。

外装領域４１は、Ｚ軸方向において、容量領域４０の外側に積層してあり、容量領域４０の上面および下面を覆っている。また、容量領域４０のＹ軸方向の外側においても、外装領域４１が存在していてもよい。つまり、Ｙ軸と交差する容量領域４０の側面が、内部電極層２０を含まない外装領域４１で覆われていてもよい。外装領域４１の材質および厚みは、特に限定されない。たとえば、外装領域４１は、誘電体層１０と同様の組成を有する誘電体化合物を含んでいてもよく、当該誘電体化合物と共にガラス成分を含んでいてもよい。また、外装領域４１は、原則として、内部電極層２０を含まない領域であるが、静電容量に寄与しないダミー電極を含んでいてもよい。

誘電体層１０は、主成分として誘電体化合物を含む。誘電体層１０の主成分とは、誘電体層１０において８０モル％以上を占める成分を意味し、主成分である誘電体化合物の材質は、特に限定されない。たとえば、誘電体層１０の主成分は、ＢａＴｉＯ₃、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ₃、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ₃、（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ₃、（Ｃａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃、（Ｃａ，Ｓｒ）ＺｒＯ₃、（Ｃａ，Ｓｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃、（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ₃などのペロブスカイト構造の誘電体化合物、もしくは、Ｂａ₃ＺｒＮｂ₄Ｏ₁₅、Ｂａ₃ＴｉＮｂ₄Ｏ₁₅、（Ｋ，Ｎａ）Ｓｒ₂Ｎｂ₅Ｏ₁₅などのタングステンブロンズ構造の誘電体化合物から選択することができる。

また、誘電体層１０は、主成分と共に、１種または２種以上の副成分を含んでいてもよい。誘電体層１０に含まれる副成分の種類、および、副成分の含有率は、特に限定されない。たとえば、誘電体層１０は、副成分として、Ｓｉ化合物、Ａｌ化合物、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｃｒ化合物、Ｎｉ化合物、希土類元素を含む化合物、Ｌｉ化合物、Ｂ化合物、もしくは、Ｖ化合物などが含まれていてもよい。なお、誘電体層１０の主成分や副成分は、波長分散型Ｘ線分光器（ＷＤＳ）、エネルギー分散型Ｘ線分光器（ＥＤＳ）、レーザアブレーションＩＣＰ質量分析（ＬＡ－ＩＣＰ－ＭＳ）などを用いた成分分析により特定することができる。

各誘電体層１０の平均厚みＴ_DLは、１．７μｍ以下であることが好ましく、０．１７μｍ以上、０．８６μｍ以下であることがより好ましい。また、容量領域４０は、少なくとも１つの誘電体層１０を含んでいればよく、容量領域４０における誘電体層１０の積層数は、特に限定されない。たとえば、容量領域４０は、２０層以上の誘電体層１０を含むことが好ましく、５０層以上の誘電体層１０を含むことが好ましい。なお、誘電体層１０の平均厚みＴ_DLは、金属顕微鏡もしくは電子顕微鏡を用いた素体４の断面観察により、算出すればよい。たとえば、５層以上の誘電体層１０を解析することが好ましく、解析対象とした各誘電体層１０の厚みを、少なくとも３０箇所で計測し、誘電体層１０の平均厚みＴ_DLを算出することが好ましい。

各誘電体層１０は、複数の誘電体粒子１１と、隣接する誘電体粒子１１の間の界面である粒界１７と、を含む。誘電体粒子１１は、誘電体層１０の主成分を含む結晶粒であり、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）や走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）などの電子顕微鏡を用いて素体４の断面を観察することで、誘電体層１０中の誘電体粒子１１を解析することができる。誘電体粒子１１には、誘電体層１０の副成分が固溶していてもよく、誘電体粒子１１が副成分の固溶によりコアシェル構造を有していてもよい。また、誘電体層１０には、所定元素の濃度が誘電体粒子１１よりも高い偏析相が含まれていてもよい。

誘電体粒子１１の平均粒径ｄ_DPは、０．０５μｍ以上であることが好ましく、０．１μｍ以上１μｍ以下であることがより好ましい。また、誘電体粒子１１の平均粒径ｄ_DPに対する誘電体層１０の平均厚みＴ_DLの比（Ｔ_DL／ｄ_DP）は、１．５以下であることが好ましく、１以下であることがより好ましい。なお、誘電体粒子１１の平均粒径ｄ_DPは、誘電体粒子１１の円相当径の算術平均値である。たとえば、誘電体層１０の断面を観察して、５層以上の誘電体層１０を解析することが好ましく、少なくとも５０個の誘電体粒子１１の円相当径を測定することで、平均粒径ｄ_DPを算出することが好ましい。

誘電体粒子１１は、誘電体層１０の厚み方向（Ｚ軸方向）に沿う断面を解析した場合、大粒子１３と小粒子１５に類別することができる。つまり、本実施形態の説明において、「誘電体粒子１１」は、大粒子１３および小粒子１２の総称であり、誘電体粒子１１は、大粒子１３および小粒子１２を含む。

大粒子１３は、第１境界３１（誘電体層１０と第１内部電極層２１との接合境界）および第２境界３２（誘電体層１０と第２内部電極層２２との接合境界）の両方と接する誘電体粒子１１である。つまり、大粒子１３は、当該大粒子１３を含む誘電体層１０の上面および下面の両方に表れている誘電体粒子１１である。大粒子１３のＺ軸方向の長さは、当該大粒子１３の存在箇所における誘電体層１０の厚みと凡そ一致する。一方、小粒子１５は、大粒子１３以外の誘電体粒子１１である。つまり、第１境界３１または第２境界３２のいずれか一方にのみ接する誘電体粒子１１、および、第１境界３１および第２境界３２のいずれにも接していない誘電体粒子１１が、小粒子１５に該当する。

単位長さあたりの誘電体層１０に含まれる大粒子１３の平均個数は、０．０５個／μｍ以上であることが好ましく、０．１個／μｍ以上であることがより好ましい。大粒子１３の平均個数の上限は、特に限定されず、たとえば、３個／μｍ以下であってもよい。

上述した大粒子１３の平均個数は、容量領域４０の断面で観測される誘電体層１０の合計長さをＬＤとし、合計長さＬＤの誘電体層１０に含まれる大粒子１３の個数をＮＤとして、ＮＤ／ＬＤで表される。ＮＤ／ＬＤを算出する際には、５層以上の誘電体層１０を解析することが好ましく、誘電体層１０の合計長さＬＤは３０μｍ以上とすることが好ましい。また、解析視野の縁辺が誘電体層１０と略平行となるように解析視野を設定することが好ましく、この場合、誘電体層１０と略平行な解析視野の縁辺の長さを、当該解析視野における誘電体層１０の長さとみなすことができる。たとえば、図２における各誘電体層１０の長さは、それぞれ、解析視野のＸ軸方向の長さＬ_Xとみなしてよい。

各内部電極層２０は、導電性を有しており、金属成分を含む。内部電極層２０の組成は、特に限定されず、たとえば、内部電極層２０は、金属成分として、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、およびＰｔから選択される少なくとも１種を含んでいてもよい。誘電体層１０の主成分が耐還元性を有する場合、内部電極層２０の金属成分は、純Ｎｉ、または、８５ｗｔ％以上のＮｉを含むＮｉ合金であることが好ましい。この場合、Ｎｉ合金には、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｎなどの副成分が含まれていてもよい。なお、内部電極層２０の金属成分は、ＷＤＳ、ＥＤＳ、ＬＡ－ＩＣＰ－ＭＳなどを用いた成分分析により特定することができる。

内部電極層２０は、共材として、誘電体層１０の主成分と同様の組成を有する誘電体化合物の粒子を含んでいてもよい。また、内部電極層２０は、ＳやＰ等の非金属元素を微量に（たとえば、０．１質量％以下程度）含んでいてもよく、空隙を含んでいてもよい。図１や図２に示すような断面で内部電極層２０を観察した場合、内部電極層２０が部分的に途切れて見える箇所が存在していてもよい。

内部電極層２０は、Ｚ軸方向において、誘電体層１０の間に積層してあり、容量領域４０における内部電極層２０の積層数は、誘電体層１０の積層数に応じて決定される。また、各内部電極層２０の平均厚みＴ_ELは、特に限定されず、たとえば、３μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以上１μｍ以下であることがより好ましい。内部電極層２０の平均厚みＴ_ELは、金属顕微鏡もしくは電子顕微鏡を用いた素体４の断面観察により、算出すればよい。たとえば、５層以上の内部電極層２０を解析することが好ましく、解析対象とした各内部電極層２０の厚みを、少なくとも３０箇所で計測し、内部電極層２０の平均厚みＴ_ELを算出することが好ましい。

ＳＴＥＭもしくはＳＥＭと、ＥＤＳもしくはＷＤＳと、の組み合わせにより内部電極層２０の断面を解析すると、内部電極層２０が、金属成分の結晶粒子（以下、金属結晶と称する）を含むことが確認できる。各内部電極層２０に含まれる金属結晶の平均粒径ｄ_Mは、特に限定されず、たとえば、１μｍ以下であることが好ましく、０．０３μｍ以上０．８μｍ以下であることがより好ましい。なお、金属結晶の平均粒径ｄ_Mは、金属結晶の円相当径の算術平均値である。たとえば、内部電極層２０の断面を観察して、５層以上の内部電極層２０を解析することが好ましく、解析対象とした各内部電極層２０に含まれる少なくとも５０個の金属結晶の円相当径を測定することで、平均粒径ｄ_Mを算出することが好ましい。

図２に示すように、容量領域４０には、Ｎｉ酸化物粒子３０が含まれている。Ｎｉ酸化物粒子３０は、主としてＮｉＯを含み、誘電体層１０および内部電極層２０に含まれる元素を僅かに含有していてもよい。Ｎｉ酸化物粒子３０におけるＮｉＯ以外の成分の含有量は特に限定されないが、各Ｎｉ酸化物粒子３０では、ＮｉおよびＯの合計含有率が、８０モル％以上であることが好ましい。なお、容量領域４０内のＮｉ酸化物粒子３０は、図２に示すような素体４の断面でマッピング分析を実施することで、特定することができる。たとえば、Ｎｉのマッピング像とＯ（酸素）のマッピング像とを撮影し、誘電体層１０よりもＮｉ濃度が高く、かつ、内部電極層２０よりもＯ濃度が高い領域をＮｉ酸化物粒子３０として特定すればよい。

容量領域４０のＮｉ酸化物粒子３０は、その存在箇所に応じて２つの粒子群に分類することができる。具体的に、容量領域４０は、誘電体層１０と第１内部電極層２１との間の第１境界３１に存在するＮｉ酸化物粒子３０を含み、第１境界３１以外の箇所に存在するＮｉ酸化物粒子３０を含んでいてもよい。

本実施形態では、第１境界３１に存在するＮｉ酸化物粒子３０を「第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａ」と称し、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａ以外のＮｉ酸化物粒子３０を「第２Ｎｉ酸化物粒子３０ｂ」と称することとする。ここで、「第１境界３１に存在する」とは、より具体的に、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａが、誘電体層１０の誘電体粒子１１および第１内部電極層２１の金属成分の両方と接していることを意味する。第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａは、第１境界３１から第１内部電極層２１の内部に入り込むように存在していてもよいし、第１境界３１から誘電体層１０の内部に入り込むように存在していてもよい。

第２Ｎｉ酸化物粒子３０ｂは、第１境界３１以外の箇所に存在するＮｉ酸化物粒子３０である。たとえば、第２境界３２に存在するＮｉ酸化物粒子３０、内部電極層２０に内包されており誘電体層１０と接していないＮｉ酸化物粒子３０、および、誘電体層１０に内包されており内部電極層２０と接していないＮｉ酸化物粒子３０が、第２Ｎｉ酸化物粒子３０ｂに該当する。

第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａについてさらに詳述すると、容量領域４０は、誘電体層１０の大粒子１３と接する第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａを含み、大粒子１３には接しておらず小粒子１５と接している第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａを含んでいてもよい。換言すると、誘電体層１０は、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａと接する大粒子１３を含んでおり、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａとは接していない大粒子１３を含んでいてもよい。本実施形態では、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａと接する大粒子１３を「第１大粒子１３ａ」と称し、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａとは接していない大粒子１３を「第２大粒子１３ｂ」と称することとする。第１大粒子１３ａは、第２境界３２において、第２内部電極層２２の金属成分と接しており、第２Ｎｉ酸化物粒子３０ｂとは接していないことが好ましい。

図３Ａは、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａと第１大粒子１３ａとが接触している箇所の断面を拡大した模式図である。図３Ａに示すように、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａと第１大粒子１３ａとの接触箇所では、第１内部電極層２１の金属成分、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａ、第１大粒子１３ａ、および第２内部電極層２２の金属成分が、記載の順序で繋がっている構造が形成されている。積層セラミック電子部品２の容量領域４０が、図３Ａに示す構造を有することで、ダイオードのような整流作用を得ることができる。

ここで、「ダイオードのような整流作用」とは、一方向の抵抗値が他方向の抵抗値よりも低くなることを意味し、「一方向」および「他方向」とは、積層セラミック電子部品２に印加する電圧の方向を意味する。たとえば、第１外部電極６ａ側を正極（すなわち第１内部電極層２１側を正極）とし、第２外部電極６ｂ側を負極（すなわち第２内部電極層２２側を負極）として電圧を印加した場合の抵抗値をＲ_Iとする。反対に、第１外部電極６ａ側を負極とし、第２外部電極６ｂ側を正極として電圧を印加した場合の抵抗値をＲ_IIとする。「一方向の抵抗値が他方向の抵抗値よりも低くなる」とは、Ｒ_I＜Ｒ_II、もしくは、Ｒ_I＞Ｒ_IIを満たすことを意味する。このような整流作用が得られる理由は、必ずしも明らかではないが、ショットキー接合が関係していると考えられる。以下、図３Ａおよび図３Ｂに基づいて、整流作用に関する仮設を説明する。

まず、第１境界３１には、第１内部電極層２１の金属成分と第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａとの接合界面Ａが存在しており、第２境界３２には、第２内部電極層２２の金属成分と第１大粒子１３ａとの接合界面Ｂ２が存在している（図３Ａ参照）。ここで、誘電体層１０の主成分である誘電体化合物は、電荷を運ぶキャリアとして自由電子を使用するｎ型半導体であると考えられる。つまり、誘電体粒子１１は、ｎ型半導体粒子としての性質を有すると考えられる。一方、ＮｉＯは、酸化物としては珍しく、キャリアとして正孔（ホール）を使用するｐ型半導体であると考えられる。つまり、Ｎｉ酸化物粒子３０は、ｐ型半導体粒子としての性質を有すると考えられる。

接合界面Ａでは、金属とｐ型半導体とによるショットキー接合が生じると考えられ、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａから第１内部電極層２１に向かって電流が流れ易くなっていると考えられる。一方、接合界面Ｂ２では、金属とｎ型半導体とによるショットキー接合が生じると考えられ、第２内部電極層２２から第１大粒子１３ａに向かって電流が流れ易くなっていると考えられる。上記のような２種類のショットキー接合により、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａと第１大粒子１３ａとの接触箇所では、図３Ｂに示す等価回路ＥＣが形成されていると考えられる。

等価回路ＥＣにおけるショットキーダイオードＳＤ－ｐが、第１内部電極層２１と第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａとの接合界面Ａに相当し、ショットキーダイオードＳＤ－ｎが、第１大粒子１３ａと第２内部電極層２２との接合界面Ｂ２に相当する。また、等価回路ＥＣにおける抵抗Ｒ１が第１大粒子１３ａに相当し、抵抗Ｒ２が第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａに相当する。等価回路ＥＣでは、左回りに電流が流れやすくなっており、左回りに電流を流した際の抵抗値が、右回りに電流を流した際の抵抗値よりも低くなる。

つまり、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａと第１大粒子１３ａとの接触箇所では、図３Ａに示す破線の向きで電流Ｉが流れ易くなっていると考えられ、正極を第２内部電極層２２、負極を第１内部電極層２１として電圧を印加した場合の抵抗値が、反対方向（正極を第１内部電極層２１、負極を第２内部電極層２２）から電圧を印加した場合の抵抗値よりも低くなると考えられる。上記のとおり、接合界面Ａおよび接合界面Ｂ２で生じる２種類のショットキー接合が、整流作用の発現に寄与していると考えられる。

なお、図４Ａは、第２大粒子１３ｂが存在する箇所の断面を拡大した模式図である。図４Ａに示すように、第２大粒子１３ｂの存在箇所では、第１内部電極層２１の金属成分、第２大粒子１３ｂ、および、第２内部電極層２２の金属成分が、記載の順序で繋がっている構造が形成されている。そして、第１境界３１は、第１内部電極層２１の金属成分と第２大粒子１３ｂとの接合界面Ｂ１を含み、第２境界３２は、第２内部電極層２２の金属成分と第２大粒子１３ｂとの接合界面Ｂ２とを含む。

図４Ａに示す接合界面Ｂ１およびＢ２では、いずれも、金属とｎ型半導体とによるショットキー接合が生じると考えられ、内部電極層２０から誘電体粒子１１（第２大粒子１３ｂ）に向かって電流が流れ易くなっていると考えられる。第２大粒子１３ｂの存在箇所では、図４Ｂに示す回路Ｃ１が形成されていると考えられる。

回路Ｃ１におけるショットキーダイオードＳＤ－ｎ１が接合界面Ｂ１に相当し、抵抗Ｒ１が第２大粒子１３ｂに相当し、ショットキーダイオードＳＤ－ｎ２が接合界面Ｂ２に相当する。回路Ｃ１において、右回りで電流を流す際には（すなわち第１内部電極層２１が正極、第２内部電極層２２が負極）、接合界面Ｂ２のショットキーダイオードＳＤ－ｎ２が障壁となり電流の流れを妨げる。一方、左回りで電流を流す際には（すなわち第１内部電極層２１が負極、第２内部電極層２２が正極）、接合界面Ｂ１のショットキーダイオードＳＤ－ｎ１が障壁となり電流の流れを妨げる。そのため、回路Ｃ１では、電圧の向きを変えても抵抗値はほとんど変化しない（右回りに電流を流した際の抵抗値と、左回りに電流を流した際の抵抗値とが、凡そ等しくなる）。第２大粒子１３ｂの存在箇所では、上記のような回路Ｃ１が形成されるため、第２大粒子１３ｂは、整流作用の発現には寄与していないと考えられる。

図５Ａは、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａが第１大粒子１３ａには接触せずに小粒子１５と接している箇所の断面を拡大した模式図である。第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａが小粒子１５と接している場合、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａと接する小粒子１５と、第２内部電極層２２と接する小粒子１５との間には、粒界１７が介在する。小粒子１５の間の粒界１７では、二重ショットキー障壁が生じると考えられる。第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａと小粒子１５との接触箇所では、粒界１７の二重ショットキー障壁により、図５Ｂに示す回路Ｃ２が形成されていると考えられる。

図５Ｂに示すように、回路Ｃ２における二重ショットキー障壁ＤＳＢが粒界１７に相当する。回路Ｃ２では、右回りに電流を流した場合、および、左回りに電流を流した場合のいずれにおいても、二重ショットキー障壁ＤＳＢが電流の流れを妨げ、電圧の向きを変えても抵抗値はほとんど変化しない。したがって、小粒子１５および粒界１７は、整流作用の発現に寄与していないと考えられる。

なお、積層セラミック電子部品２の容量領域４０は、誘電体層１０、第１内部電極層２１、および、第２内部電極層２２を、それぞれ、複数有しており、複数の第１境界３１が存在する。容量領域４０のＺ軸方向に沿う断面を観察した場合、Ｎｉ酸化物粒子３０は、少なくとも１つの第１境界３１に存在していればよい。換言すると、容量領域４０には、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａと接していない第１内部電極層２１および誘電体層１０を含んでいてもよい。また、容量領域４０は、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａを含む領域と、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａを含まない領域と、を有していてもよい。この場合、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａを含む領域は、整流作用への寄与が高い領域となると考えられる。

容量領域４０に含まれる第１内部電極層２１の総数をＥ０とし、総数Ｅ０のうち第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａと接している第１内部電極層２１の数をＥ１とすると、Ｅ０に対するＥ１の比率（Ｅ１／Ｅ０）は、１０％以上であることが好ましく、２０％以上であることがより好ましい。

図２に示すような容量領域４０の断面で観測される第１内部電極層２１および第２内部電極層２２の合計長さをＬＥとする。また、合計長さＬＥの範囲において、第１内部電極層２１または第２内部電極層２２と接するＮｉ酸化物粒子３０の個数をＮＰ_Lとする。単位長さあたりの内部電極層２０と接するＮｉ酸化物粒子３０の平均個数は、ＬＥに対するＮＰ_Lの比で表すことができ、ＮＰ_L／ＬＥは、０．００２個／μｍ以上であることが好ましく、０．００５個／μｍ以上であることがより好ましい。ＮＰ_L／ＬＥを上記の範囲に設定することで、一方向の抵抗値と他方向の抵抗値との差をより大きくすることができ、整流作用をより高めることができる。

ＮＰ_L／ＬＥの上限は特に限定されない。たとえば、ＮＰ_L／ＬＥは０．０５個／μｍ以下であることが好ましく、これにより、高い静電容量を得ることができる。なお、ＮＰ_L／ＬＥを算出する際には、容量領域４０の断面を、５００μｍ²以上、解析することが好ましく、合計長さＬＥは、５００μｍ以上に設定することが好ましい。また、解析視野の一部の縁辺が内部電極層２０と略平行となるように解析視野を設定することが好ましく、この場合、内部電極層２０と略平行な解析視野の縁辺の長さを、当該解析視野における内部電極層２０の長さとみなすことができる。たとえば、図２に示す断面では、内部電極層２０の合計長さＬＥは、４Ｌ_X（縁辺の長さＬ_Xの４倍）に相当する。図２の断面には、７個のＮｉ酸化物粒子３０が存在するため、図２の断面で算出されるＮＰ_L／ＬＥは、７／４Ｌ_X（個／μｍ）となる。

上述したＮＰ_Lは、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａおよび第２Ｎｉ酸化物粒子３０ｂの合計数に相当するが、整流作用を高める観点では、特に、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａの個数、および、誘電体層１０における第１大粒子１３ａの個数が、重要となると考えられる。

図２に示すような断面において、Ｎｉ酸化物粒子３０の合計個数をＮＰ０とし、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａの個数をＮＰ１とすると、ＮＰ０に対するＮＰ１の比の平均（ＮＰ１／ＮＰ０）は、０．６以上であることが好ましく、０．７５以上であることがより好ましい。つまり、Ｎｉ酸化物粒子３０は、片方の極に集中して存在することが好ましい。ＮＰ１／ＮＰ０を０．６以上に設定することで、整流作用をより高めることができる。ＮＰ１／ＮＰ０の上限は、特に限定されず、断面で観測される全てのＮｉ酸化物粒子３０が第１境界３１に存在していてもよい（すなわちＮＰ１／ＮＰ０＝１．０）。ＮＰ１／ＮＰ０を算出する際には、容量領域４０の断面を、２００μｍ²以上、解析することが好ましい。

第１内部電極層２１は、容量領域４０のＺ軸方向に沿う一断面において、平均して２個以上の第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａ（より好ましくは、３個以上の第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａ）と接していることが好ましい。つまり、図１に示すような素体４の一断面において、それぞれの第１内部電極層２１（１層当たりの第１内部電極層２１）と接している第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａの平均個数ＡＮ_Pが、２個以上であることが好ましく、３個以上であることがより好ましい。２≦ＡＮ_Pを満たすことで、一方向の抵抗値と他方向の抵抗値との差をより大きくすることができ、整流作用をより高めることができる。なお、ＡＮ_Pは、図１に示すような断面において、長さＬ１の各第１内部電極層２１と接する第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａの個数を計測することで算出すればよい。

誘電体層１０は、容量領域４０のＺ軸方向に沿う一断面において、平均して２個以上の第１大粒子１３ａを含んでいることが好ましい。つまり、１層当たりの誘電体層１０に含まれる第１大粒子１３ａの平均個数が、２個以上であることが好ましい。また、容量領域４０の断面で観測される誘電体層１０の合計長さをＬＤとし、合計長さＬＤの誘電体層１０に含まれる第１大粒子１３ａの個数をＮＤ１とすると、単位長さあたりの誘電体層１０に含まれる第１大粒子１３ａの平均個数は、ＮＤ１／ＬＤで表すことができる。このＮＤ１／ＬＤは、０．００５個／μｍ以上であることが好ましい。第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａと接する第１大粒子１３ａが、上記の割合で誘電体層１０に含まれていることで、整流作用をより高めることができる。

なお、ＮＤ１／ＬＤを算出する際には、ＮＰ_L／ＬＥの場合と同様に、容量領域４０の断面を、５００μｍ²以上、解析することが好ましく、合計長さＬＤは、５００μｍ以上に設定することが好ましい。また、ＮＤ１／ＬＤの上限は特に限定されず、たとえば、ＮＤ１／ＬＤは２個／μｍ以下であることが好ましい。

容量領域４０は、図６において符号「３０ａ（α）」で示す、α型の第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａを含むことが好ましい。α型の第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａは、第１内部電極層２１を介して隣接する２つの誘電体層１０の両方と接している。つまり、α型の第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａは、容量領域４０の断面において、第１内部電極層２１の表裏面を貫通するように存在している。なお、α型の第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａは、第２内部電極層２２とは接していないことが好ましい。

また、本実施形態では、図６において符号「３０ａ（β）」で示す第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａを「β型の第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａ」と称することとする。β型の第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａは、第１内部電極層２１を介して隣接する２つの誘電体層１０のうちのいずれか一方のみと接している。

図６に示すように、α型の第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａは、β型の第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａよりも多くの第１大粒子１３ａと接することができる。つまり、α型の第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａは、β型の第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａよりも多くの等価回路ＥＣを形成することができると考えられる。そのため、容量領域４０がα型の第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａを含むことで、整流作用をより高めることができる。

図２に示すような断面において、α型の第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａの個数をＮＰαとし、β型の第１Ｎｉ酸化物粒子３０βの個数をＮＰβとすると、ＮＰβ＜ＮＰαを満たすことが好ましい。つまり、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａを、素体断面で観測される第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａの様態に基づいてα型とβ型に分類した場合、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａは、主としてα型の第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａを含むことが好ましい。なお、ＮＰαおよびＮＰβを計測する際には、ＮＰ１／ＮＰ０の場合と同様に、容量領域４０の断面を、２００μｍ²以上、解析することが好ましい。

Ｎｉ酸化物粒子３０の平均粒径ｄ_Pは、特に限定されず、たとえば、０．０３μｍ以上１．５μｍ以下であることが好ましく、０．０５μｍ以上１μｍ以下であることがより好ましい。また、Ｎｉ酸化物粒子３０の平均粒径ｄ_Pは、内部電極層２０に含まれる金属結晶の平均粒径ｄ_Mよりも大きいことが好ましい。具体的に、ｄ_Mに対するｄ_Pの比（ｄ_P／ｄ_M）は、３以上であることが好ましく、これにより、整流作用をより高めることができる。なお、ｄ_P／ｄ_Mの上限は、特に限定されず、たとえば、ｄ_P／ｄ_Mは１０以下とすることができる。また、Ｎｉ酸化物粒子３０の平均粒径ｄ_Pは、容量領域４０の断面を観察して、少なくとも５個のＮｉ酸化物粒子３０の円相当径を計測することで、算出することが好ましい。

次に、図１に示す積層セラミック電子部品２の製造方法の一例を説明する。

まず、誘電体ペーストと、内部電極用ペーストと、を準備する。誘電体ペーストは、誘電体原料粉末（主成分粉末）と副成分粉末とを、公知の有機ビヒクルまたは公知の水系ビヒクルに加えて混錬することで製造することができる。誘電体ペーストには、上記の他に、分散剤、可塑剤、ガラスフリットなどを添加してもよい。一方、内部電極用ペーストは、Ｎｉ粉末などの金属粉末、および、ＮｉＯ粉末を、公知の有機ビヒクルまたは公知の水系ビヒクルに加えて混錬することで製造することができる。内部電極用ペーストには、共材として、誘電体原料粉末を添加してもよく、分散剤、可塑剤などを添加してもよい。

ここで、内部電極用ペーストに添加するＮｉＯ粉末が、Ｎｉ酸化物粒子３０の原料である。前述したＮＰ_L／ＬＥ、ＮＰ１／ＮＰ０、ＡＮ_p、ＮＰα、および、ＮＰβなどは、内部電極用ペーストにおけるＮｉＯ粉末の配合比、ＮｉＯ粉末の粒径、および、内部電極層２０の厚みなどに基づいて制御することができる。第１内部電極層２１および第２内部電極層２２は、同じ内部電極用ペーストを用いて形成してもよい。ただし、Ｎｉ酸化物粒子３０を第１境界３１に選択的に存在させるためには、第１内部電極用ペーストと、第２内部電極用ペーストと、を準備することが好ましい。

たとえば、第１内部電極用ペーストでは、ＮｉＯ粉末の平均粒径が、０．０３μｍ以上であることが好ましく、０．０５μｍ以上０．８μｍ以下であることがより好ましい。また、第１内部電極用ペーストにおけるＮｉＯ粉末の配合比は、金属粉末１００重量部に対して、１０重量部以上２５重量部以下であることが好ましく、１５重量部以上２０重量部以下であることがより好ましい。一方、第２内部電極用ペーストにおけるＮｉＯ粉末の配合比は、金属粉末１００重量部に対して、１０重量部以下であることが好ましく、５重量部以下であることがより好ましい。第２内部電極用ペーストにはＮｉＯ粉末を添加しなくともよい。第２内部電極用ペーストにＮｉＯ粉末を添加する場合、第２内部電極用ペーストにおけるＮｉＯ粉末の平均粒径は、特に限定されず、たとえば、０．８μｍ以下であることが好ましい。なお、第１内部電極用ペーストおよび第２内部電極用ペーストで使用する金属粉末の平均粒径は、いずれも、０．８μｍ以下であることが好ましく、０．０３μｍ以上０．５μｍ以下であることが好ましい。

また、誘電体層１０の大粒子１３に関するＮＤ／ＬＤ、および、ＮＤ１／ＬＤなどは、誘電体原料粉末の粒径、および、誘電体層１０の厚みなどに基づいて制御することができる。たとえば、誘電体原料粉末の平均粒径は、０．０５μｍ以上であることが好ましく、０．０６μｍ以上０．２μｍ以下であることがより好ましい。

次に、誘電体ペーストを、ドクターブレード法などの手法によりシート化することで、グリーンシートを得る。誘電体層１０の平均厚みＴ_DLは、グリーンシートの厚みにより制御することができ、グリーンシートの平均厚みは、２μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以上１μｍ以下であることがより好ましい。そして、このグリーンシート上に、スクリーン印刷等の各種印刷法や転写法により、内部電極用ペーストを所定のパターンで塗布する。内部電極層２０の平均厚みＴ_ELは、グリーンシートの上に塗布した内部電極用ペーストの厚みにより制御することができ、内部電極用ペーストの厚みは２μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。

次に、内部電極用ペーストを塗布したグリーンシートを複数層に渡って積層した後、積層方向にプレスすることでマザー積層体を得る。Ｎｉ酸化物粒子３０を第１境界３１に選択的に存在させるためには、第１内部電極用ペーストを塗布した第１グリーンシートと、第２内部電極用ペーストを塗布した第２グリーンシートとを準備し、第１グリーンシートと第２グリーンシートとを交互に積層すればよい。また、容量領域４０内にＮｉ酸化物粒子３０を含まない領域を形成する場合には、ＮｉＯを含まない内部電極用ペーストを塗布した第３グリーンシートを準備し、第１グリーンシートと第２グリーンシートとを交互に積層した領域と、第３グリーンシートを積層した領域と、を形成すればよい。

なお、マザー積層体の積層方向の最上部および最下部には、内部電極用ペーストを塗布していないグリーンシートを１以上積層する。このように内部電極用ペーストを塗布していないグリーンシートを積層することで、容量領域４０の上方および下方に外装領域４１を形成することができる。

上記の工程により得られたマザー積層体を、ダイシングもしくは押切りにより所定の寸法に切断し、複数のグリーンチップを得る。グリーンチップは、必要に応じて、可塑剤などを除去するために乾燥させてもよく、乾燥後に水平遠心バレル機などを用いてバレル研磨してもよい。

次に、上記で得られたグリーンチップに対して、脱バインダ処理、および、焼成処理を施し、素体４を得る。

脱バインダ処理の条件は、誘電体ペーストおよび内部電極用ペーストに含まれるバインダの種類に応じて適宜決定すればよく、特に限定されない。たとえば、昇温速度を５～３００℃／時間とすることが好ましく、保持温度を１８０～４００℃とすることが好ましく、温度保持時間を０．５～２４時間とすることが好ましい。また、脱バインダ雰囲気は、大気雰囲気（すなわち空気中）もしくは還元性雰囲気とすることができ、大気雰囲気とすることが好ましい。

焼成処理の条件は、誘電体層１０の主成分組成や内部電極層２０の金属成分に応じて適宜設定すればよく、特に限定されない。たとえば、焼成時の保持温度は、好ましくは１２００～１３５０℃、より好ましくは１２２０～１３００℃であり、その保持時間は、好ましくは０．０５～８時間、より好ましくは０．１～３時間である。また、焼成雰囲気は、還元性雰囲気とすることが好ましく、雰囲気ガスとしてはたとえば、Ｎ₂とＨ₂との混合ガスを加湿して用いることができる。さらに、内部電極層２０をＮｉやＮｉ合金等の卑金属で構成する場合には、焼成雰囲気中の酸素分圧を、１．０×１０^-14ＭＰａ～１．０×１０^-10ＭＰａとすることが好ましい。

焼成後の素体４に対して、アニール処理を実施してもよい。たとえば、アニール処理は、誘電体層１０を再酸化させるため、もしくは、焼成によって生じた歪を除去するために実施することが好ましい。アニール処理の条件は、誘電体層１０の主成分組成などに応じて適宜決定すればよく、特に限定されない。たとえば、保持温度を６５０～１１５０℃とすることが好ましく、温度保持時間を０～２０時間とすることが好ましく、昇温速度および降温速度を５０～５００℃／時間とすることが好ましい。また、雰囲気ガスは、乾燥したＮ₂ガス、または、加湿したＮ₂ガス等を用いることが好ましい。

上記の脱バインダ処理、焼成処理およびアニール処理において、Ｎ₂ガスや混合ガス等を加湿するためには、たとえばウェッター等を使用すればよく、この場合、水温は５～７５℃程度が好ましい。また、脱バインダ処理、焼成処理およびアニール処理は、連続して行なっても、独立に行なってもよい。

なお、外部電極６を形成する前に、素体４の端面４ａおよび４ｂを研磨してもよい。研磨の方法としては、たとえば、バレル研磨、サンドブラストまたはレーザーなどが挙げられる。素体４の端面４ａおよび４ｂを研磨することで、内部電極層２０と外部電極６とが電気的につながりやすくなる。

次に、素体４の外面に、一対の外部電極６を形成する。外部電極６の形成方法は、特に限定されず、公知の方法を採用すればよい。以上の工程により、図１に示す積層セラミック電子部品２が得られる。

積層セラミック電子部品２の製造後、もしくは、使用前（積層セラミック電子部品２を回路に組み込む前）には、整流作用の方向を把握するためのスクリーニング試験を実施する。積層セラミック電子部品２では、整流作用により、電圧を印加する方向に応じて抵抗値が変化するが、積層セラミック電子部品２の外観を観察するだけでは、整流作用の方向を把握することはできない。そのため、スクリーニング試験では、積層セラミック電子部品２に対して直流電圧を印加し、抵抗値が低くなる方向と、抵抗値が高い方向と、を判別する。本実施形態では、抵抗が低い方向を「順方向」とし、抵抗が高い方向を「逆方向」とする。

積層セラミック電子部品２に対して順方向で電圧を印加した際の抵抗値をＲ_Lowとし、逆方向で電圧を印加した際の抵抗値をＲ_Highとする。積層セラミック電子部品２では、Ｒ_High／Ｒ_Lowは、１０以上であることが好ましく、５０以上であるより好ましく、１００以上であることがさらに好ましい。なお、上述した整流作用に関する仮説（図３Ｂに示す等価回路ＥＣ）を鑑みると、本実施形態の積層セラミック電子部品２では、第１内部電極層２１側を負極、第２内部電極層２２側を正極として電圧を印加した際に、低い抵抗値Ｒ_Lowが得られると考えられる。

本実施形態の積層セラミック電子部品２は、たとえば、図７に示すようなＡＣ／ＤＣコンバータ回路に適用できる可能性がある。図７のＡＣ／ＤＣコンバータ回路は、交流を直流に変換する整流回路であり、図７のＣ１～Ｃ３がコンデンサ、Ｒ３～Ｒ６が抵抗、Ｄ１～Ｄ５がダイオードである。

図７において太線で囲った回路Ｆは、４つのダイオードＤ２～Ｄ５によるブリッジを含む全波整流回路である。この回路Ｆに対して、図８Ａに示すような電圧波形を有する交流電圧を入力すると、負電圧分が正電圧に変換される。一方、図７において破線で囲った回路Ｇ１、および、一点鎖線で囲った回路Ｇ２は、いずれも、回路Ｆから出力される全波整流後の電圧を分圧して、電圧値を下げる回路である。回路Ｇ１は、コンデンサＣ１、ダイオードＤ１、抵抗Ｒ３および、抵抗Ｒ４を有しており、これら３種の電子部品で全波整流後の電圧を分圧する。一方、回路Ｇ２は、コンデンサＣ２、および、抵抗Ｒ６を有しており、これら２種の電子部品で全波整流後の電圧を分圧する。

図８Ｂの実線で示すグラフが、回路Ｇ１から出力された分圧後の電圧Ｖｏｕｔの波形であり、図８Ｂの破線で示すグラフが、回路Ｇ２から出力された分圧後の電圧Ｖｏｕｔ２の波形である。コンデンサと抵抗の２種で分圧する回路Ｇ２の場合、図８Ｂに示すように、電圧波形の位相がずれてしまうと共に、負電圧が発生してしまう。一方、コンデンサ、ダイオード、および、抵抗の３種で分圧する回路Ｇ１の場合、位相のずれ、および、負電圧の発生を、いずれも、抑制することができる。また、回路Ｇ１から出力される電圧の０Ｖからの立ち上がりは、入力した交流電圧（図８Ａ）のゼロクロス（ゼロ地点）と一致している。なお、例えば、回路Ｇ１のコンデンサＣ１を図示しない抵抗に置き換えた場合、回路Ｇ１が通常の分圧回路となる。この場合、図示しない抵抗で損失が発生する。回路Ｇ１において、図示しない抵抗ではなくコンデンサＣ１を使用することで、損失はコンデンサＣ１のｔａｎδ成分のみとなり、損失が抑えられる。

ＡＣ／ＤＣコンバータ回路では、通常、回路Ｇ２のように部品の種類を削減すると、正常な分圧が困難となるため、回路の簡素化が容易ではない。本実施形態の積層セラミック電子部品２は、コンデンサとしての機能を有する（すなわち誘電体層１０に電荷を蓄積できる）と共に、ダイオードのような整流作用を有する。そのため、回路Ｇ１に含まれる３種の電子部品（コンデンサ、ダイオード、および抵抗）を、１種の積層セラミック電子部品２で代用でき、回路を簡素化できる可能性がある。なお、回路Ｇ１のコンデンサ、ダイオード、および、抵抗を、１種の積層セラミック電子部品２で代用する場合、耐電圧を十分に確保するために、複数の積層セラミック電子部品２を直列に繋いでもよい。

（実施形態のまとめ）
本実施形態の積層セラミック電子部品２は、第１内部電極層２１、第２内部電極層２２、および、第１内部電極層２１と第２内部電極層２２との間に積層してある誘電体層１０を有する。素体４の容量領域４０は、第１内部電極層２１と誘電体層１０との間の第１境界３１に存在する第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａを有している。そして、誘電体層１０が、第１境界３１の第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａ、および、第２内部電極層２２と接する第１大粒子１３ａを含んでいる。

積層セラミック電子部品２は、上記のとおり、第１内部電極層２１、第２内部電極層２２、および、誘電体層１０が積層してある容量領域４０を有しているため、誘電体層１０に電荷を蓄積することができる。すなわち、積層セラミック電子部品２は、コンデンサとしての機能を有する。従来の積層セラミックコンデンサについては、高い抵抗値を有することが好ましいと考えられてきた（特許文献１参照）。これに対して、本実施形態の積層セラミック電子部品２では、順方向の抵抗値が逆方向の抵抗値よりも低くなるような整流作用（具体的に、Ｒ_High／Ｒ_Lowが１０以上である整流作用）が得られる。整流作用が得られる理由は必ずしも明らかではないが、２種類のショットキー接合が整流作用の発現に関係していると考えられる。具体的に、第１大粒子１３ａと第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａとの接触箇所で、図３Ｂに示すような等価回路ＥＣが形成されていると考えられ、この等価回路ＥＣによって、整流作用が発現すると考えられる。

なお、図３Ｂに示す等価回路ＥＣを形成する観点では、ｐ型半導体粒子が、第１境界３１に存在し、誘電体層１０の第１大粒子１３ａと接していればよい。つまり、図２および図３Ａにおいて、符号「３０ａ」で示す粒子は、Ｎｉ酸化物粒子（ＮｉＯ）に必ずしも限定されず、ｐ型半導体粒子であればよい。

素体４の容量領域４０は、第１内部電極層２１を介して隣接する２つの誘電体層１０と接するα型の第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａを含んでいることが好ましい。α型の第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａは、他の第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａよりも多くの第１大粒子１３ａと接触できる可能性がある。つまり、容量領域４０がα型の第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａを含むことで、整流作用をより高めることができる（Ｒ_High／Ｒ_Lowをより大きくすることができる）。

それぞれの第１内部電極層２１と接している第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａの平均個数ＡＮ_Pが、２個以上であることが好ましい。積層セラミック電子部品２が、当該要件を満たすことで、整流作用をより高めることができる。

素体４の断面で観測されるＮｉ酸化物粒子３０の合計個数をＮＰ０とし、第１Ｎｉ酸化物粒子３０ａの個数をＮＰ１として、ＮＰ１／ＮＰ０が０．６以上であることが好ましい。上記の要件を満たすことで、整流作用をより高めることができる。

単位長さ当たりの内部電極層２０と接するＮｉ酸化物粒子３０の平均個数（ＮＰ_L／ＬＥ）が、０．００２個／μｍ以上であることが好ましい。積層セラミック電子部品２が、当該要件を満たすことで、整流作用をより高めることができる。

内部電極層２０に含まれる金属結晶の平均粒径をｄ_Mとし、Ｎｉ酸化物粒子３０の平均粒径をｄ_Pとして、ｄ_P／ｄ_Mが３以上であることが好ましい。積層セラミック電子部品２が、当該要件を満たすことで、整流作用をより高めることができる。

なお、上述したＡＮ_PやＮＰ１／ＮＰ０を算出するために容量領域４０の断面を解析する際には、第１内部電極層２１と第２内部電極層２２とを、以下に示す３つの方法のいずれかにより、識別すればよい。

たとえば、容量領域４０の断面を観察した際に、Ｎｉ酸化物粒子３０と接している内部電極層２０、誘電体層１０、および、Ｎｉ酸化物粒子３０と接していない内部電極層２０が、記載の順に繰り返し積層してあることが確認できる場合がある。この場合、誘電体層１０を介して対向する一対の内部電極層２０のうち、Ｎｉ酸化物粒子３０と接している内部電極層２０を第１内部電極層２１として識別し、Ｎｉ酸化物粒子３０と接していない内部電極層２０を第２内部電極層２２として識別すればよい。

また、一対の内部電極層２０の両方がＮｉ酸化物粒子３０と接している場合には、より多くのＮｉ酸化物粒子３０と接している側の内部電極層２０を第１内部電極層２１として識別し、他方側の内部電極層２０を第２内部電極層２２として識別すればよい。

また、断面観察の前に、スクリーニング試験を実施することで第１内部電極層２１と第２内部電極層２２とを識別してもよい。たとえば、スクリーニング試験により、低い抵抗値Ｒ_Lowが得られた際の正極側を第２外部電極６ｂとして識別し、負極側を第１外部電極６ａとして識別する。そして、断面観察時に、第１外部電極６ａに接続されている内部電極層２０を第１内部電極層２１として識別し、第２外部電極６ｂに接続されている内部電極層２０を第２内部電極層２２として識別してもよい。

以上、本開示の実施形態について説明してきたが、本開示は、上述した実施形態に何等限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内において種々に改変することができる。

たとえば、外部電極６は、素体４の１つの側面に存在するパット状の電極であってもよい。この場合、パット状の外部電極６は、スルーホール電極またはビアホール電極を介して、内部電極層２０と電気的に接続していてもよい。

また、本開示の電子部品は、第１内部電極層２１、第２内部電極層２２、および、誘電体層１０を、それぞれ、少なくとも１つ有していればよく、図１に示すような積層型セラミック電子部品２に限定されない。

以下、本開示をさらに詳細な実施例に基づき説明するが、本開示はこれら実施例に限定されない。

（実験１）
実験１では、以下に示す手順で、実施例Ａ１、比較例１および比較例２に係る積層セラミック電子部品を製造した。

実施例Ａ１
まず、平均粒径が０．０９μｍである（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ₃粉末（主成分粉末）と、副成分粉末ＭｇＣＯ₃粉末、Ｙ₂Ｏ₃粉末、ＭｎＣＯ₃粉末、Ｖ₂Ｏ₅粉末、および、ＳｉＯ₂粉末）とを用いて、誘電体層の原料である誘電体ペーストを作製した。また、内部電極層の原料として、第１内部電極用ペーストと、第２内部電極用ペーストと、を作製した。第１内部電極用ペーストには、平均粒径が０．１８μｍであるＮｉ粉末と、平均粒径が０．１５μｍであるＮｉＯ粉末とを添加し、第１内部電極用ペーストにおけるＮｉＯ粉末の配合比は、Ｎｉ粉末１００重量部に対して１７重量部とした。一方、第２内部電極用ペーストには、平均粒径が０．１８μｍであるＮｉ粉末を添加し、ＮｉＯ粉末は添加しなかった。

次に、誘電体ペーストをＰＥＴフィルム上に塗布してシート化することで、厚さ０．６５μｍのグリーンシートを得た後、このグリーンシートの上に第１内部電極用ペーストを所定のパターンで塗布することで、第１グリーンシートを作製した。また、誘電体ペーストをＰＥＴフィルム上に塗布してシート化することで、厚さ０．６５μｍのグリーンシートを得た後、このグリーンシートの上に第２内部電極用ペーストを所定のパターンで塗布することで、第２グリーンシートを作製した。なお、第１内部電極用ペーストの塗布量、および、第２内部電極用ペーストの塗布量は、焼成後の内部電極層の平均厚みＴ_ELが０．５５μｍとなるように、制御した。

次に、第１グリーンシートと第２グリーンシートとを、交互に積層し、加圧することで、マザー積層体を得た。この際、マザー積層体の積層方向の最上部および最下部には、内部電極用ペーストを塗布していないグリーンシートを積層した。また、第１グリーンシートと第２グリーンシートの積層数は、容量領域における誘電体層の積層数が３５０層となるように、制御した。また、焼成後の外装領域４１の厚みは２０μｍ以上となるように、制御した。

上記のマザー積層体を所定のサイズに切断して、グリーンチップを得た後、これらグリーンチップに対して、脱バインダ処理、焼成処理、および、アニール処理を施した。そして、素体の各端面に、Ｃｕを主成分とする焼結体を含む外部電極を形成した。以上の工程により、図１と同様の断面構造を有する積層セラミック電子部品が得られた。この積層セラミック電子部品における素体の平均寸法は、Ｌ０×Ｗ０＝０．７ｍｍ×０．４５ｍｍであった。

比較例１
比較例１では、第１内部電極層、および、第２内部電極層を、いずれも、ＮｉＯ粉末を含まない内部電極用ペーストを用いて形成した。具体的に、比較例１では、平均粒径が０．１８μｍであるＮｉ粉末を用いて内部電極用ペーストを作製し、当該内部電極用ペーストには、ＮｉＯ粉末を添加しなかった。そして、厚さ０．６５μｍのグリーンシートの上に上記内部電極用ペーストを所定のパターンで塗布し、第１グリーンシートおよび第２グリーンシートを得た。なお、比較例１では、実施例Ａ１と同じ仕様の誘電体ペーストを使用し、グリーンシートの厚みも実施例Ａ１と同程度に制御した。上記以外の製造条件は、実施例Ａ１と同様として、比較例１に係る積層セラミック電子部品を製造した。

比較例２
比較例２では、実施例Ａ１と同じ仕様の第１内部電極用ペーストおよび第２内部電極用ペーストを用いて、第１内部電極層および第２内部電極層を形成した。ただし、比較例２では、実施例Ａ１とは異なる条件で誘電体層を形成した。具体的に、比較例２では、平均粒径が０．０４μｍである（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ₃粉末（主成分粉末）を含む誘電体ペーストを準備し、当該誘電体ペーストを用いて、厚さ０．６５μｍのグリーンシートを作製した。上記のとおり、比較例２で使用した（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ₃粉末は、実施例Ａ１とは異なる平均粒径を有するが、誘電体ペーストに添加した副成分粉末、および、副成分粉末の配合比は、実施例Ａ１と同様とした。上記以外の製造条件は、実施例Ａ１と同様として、比較例２に係る積層セラミック電子部品を製造した。

素体の断面解析
素体の積層方向の断面（図１および図２に示すような容量領域の断面）をＳＴＥＭで観察し、内部電極層の平均厚みＴ_EL（μｍ）、誘電体層の平均厚みＴ_DL（μｍ）、および、誘電体層に含まれる誘電体粒子の平均粒径ｄ_DP（μｍ）を測定した。また、当該断面観察では、ＥＤＳによる元素マッピング分析を、５つの解析視野（各解析視野の面積は５４μｍ²）で実施し、Ｎｉ酸化物粒子が解析範囲内に存在するか否かを調査した。表１の「Ｎｉ酸化物粒子の有無」の欄に「Ｙ」および「Ｎ」の記載があるが、「Ｙ」は、Ｎｉ酸化物粒子が誘電体層と内部電極層との境界に存在していたことを意味し、「Ｎ」は、誘電体層と内部電極層との境界でＮｉ酸化物粒子が観測されなかったことを意味する。

また、上記の断面解析でＮｉ酸化物粒子が特定できた試料では、誘電体層を介して対向する一対の内部電極層のうち、より多くのＮｉ酸化物粒子と接している内部電極層を第１内部電極層として識別し、Ｎｉ酸化物粒子との接触箇所が少ない方の内部電極層を第２内部電極層として識別した。

さらに、上記の断面解析では、一方の内部電極層との境界（第１境界３１）でＮｉ酸化物粒子と接し、かつ、他方の内部電極層との境界（第２境界３２）で内部電極層の金属成分と接している誘電体粒子を第１大粒子（１３ａ）として特定した。表１の「第１大粒子の有無」の欄では、「Ｙ」は、誘電体層１０が第１大粒子１３ａを含んでいたことを意味し、「Ｎ」は、誘電体層１０が第１大粒子１３ａを含んでいなかったことを意味する。

整流作用の評価
積層セラミック電子部品に対して任意の方向から４Ｖの直流電圧を３０秒間印加し、その際の積層セラミック電子部品の抵抗値ｒ１を測定した。また、電圧を印加する方向を反転させて、再度、積層セラミック電子部品に対して４Ｖの直流電圧を３０秒間印加し、その際の積層セラミック電子部品の抵抗値ｒ２を測定した。抵抗値ｒ１および抵抗値ｒ２のうち、値が低い方をＲ_Lowとし、値が高い方をＲ_Highとして、Ｒ_Lowに対するＲ_Highの比（単位なし）を算出した。

本実験では、Ｒ_High／Ｒ_Lowが１０以上であれば、「測定試料が整流作用を有する」と判定した。また、整流作用に関して、Ｒ_High／Ｒ_Lowが５０以上１００未満の試料を「良好」と判定し、Ｒ_High／Ｒ_Lowが１００以上の試料を「特に良好」と判定した。

静電容量の測定
コンデンサとしての特性の有無を判定するために、ＬＣＲメータを用いて、積層セラミック電子部品の静電容量（μＦ）を測定した。この際、測定温度を室温（２５℃）に設定したうえで、積層セラミック電子部品に対して、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１Ｖｒｍｓの信号を入力した。本実験では、静電容量が３．８μＦ以上であれば、「測定試料がコンデンサとして十分に電荷を蓄積する機能を有する」と判定した。

実施例Ａ１、比較例１、および、比較例２の評価結果を表１に示す。

比較例１では、ＮｉＯ粉末を含まない内部電極用ペーストを使用したため、誘電体層と内部電極層との境界にＮｉ酸化物粒子が存在しておらず、Ｎｉ酸化物粒子と接する第１大粒子も誘電体層中に含まれていなかった。比較例２では、誘電体層と内部電極層との境界でＮｉ酸化物粒子が観測された。しかしながら、比較例２の誘電体層は、大粒子（符号１３）をほとんど含んでおらず、比較例２の断面解析では、Ｎｉ酸化物粒子と接する第１大粒子（符号１３ａ）を検出できなかった。つまり、比較例２では、容量領域内のＮｉ酸化物粒子が、誘電体層の小粒子（符号１５）と接しており、大粒子とは接していなかった。

一方、実施例Ａ１の断面解析では、誘電体層と内部電極層との境界でＮｉ酸化物粒子が観測され、かつ、誘電体層中にＮｉ酸化物粒子と接する第１大粒子が存在していることが確認できた。つまり、実施例Ａ１では、図３Ａに示すような断面構造が容量領域内に存在することが確認できた。

実施例Ａ１の積層セラミック電子部品は、十分な静電容量を有しており、コンデンサとして誘電体層に電荷を蓄積する機能を有していることが確認できた。また、実施例Ａ１のＲ_High／Ｒ_Lowは比較例１および２よりも遥かに大きく、実施例Ａ１の積層セラミック電子部品が、ダイオードのような整流作用を有していることが確認できた。

（実験２）
実験２では、表２に示す実施例Ｂ１および実施例Ｂ２に係る積層セラミック電子部品を製造し、各実施例の特性を比較した。具体的に、実施例Ｂ１では、実施例Ａ１よりも粒度の細かいＮｉＯ粉末を用いて第１内部電極用ペーストを作製した。また、実施例Ｂ２では、実施例Ｂ１よりもさらに粒度が細かいＮｉＯ粉末を用いて第１内部電極用ペーストを作製した。ＮｉＯ粉末の仕様以外の製造条件は、実施例Ａ１と同様とした。

実験２の断面解析では、ＥＤＳによる元素マッピング分析を、５つの解析視野（各解析視野の面積は５４μｍ²）で実施し、当該解析範囲で誘電体層と内部電極層との境界に存在するＮｉ酸化物粒子を特定した後、これらＮｉ酸化物粒子を「α型」と「β型」に分類した。そして、α型のＮｉ酸化物粒子の個数ＮＰαと、β型のＮｉ酸化物粒子の個数ＮＰβとを計測した。なお、α型のＮｉ酸化物粒子は、内部電極層を介して隣接する２つの誘電体層と接するＮｉ酸化物粒子であり、β型のＮｉ酸化物粒子は、内部電極層を介して隣接する２つの誘電体層のうちのいずれか一方と接するＮｉ酸化物粒子である（図６参照）。

また、実験２の断面解析では、内部電極層に含まれる金属結晶の平均粒径ｄ_M、および、Ｎｉ酸化物粒子の平均粒径ｄ_Pを計測し、ｄ_Mに対するｄ_Pの比（単位なし）を算出した。

実施例Ｂ１および実施例Ｂ２では、実施例Ａ１と同様に、誘電体層と内部電極層との境界でＮｉ酸化物粒子が観測され、かつ、誘電体層中にＮｉ酸化物粒子と接する第１大粒子が存在していることが確認できた。実験２の評価結果を表２に示す。

表２に示すように、α型のＮｉ酸化物粒子の割合が多い実施例Ａ１の方が、α型のＮｉ酸化物粒子の割合が少ない実施例Ｂ１よりも、Ｒ_High／Ｒ_Lowが大きくなった。この結果から、α型のＮｉ酸化物粒子が、整流作用の向上に寄与していることがわかった。また、実験２の結果から、ｄ_P／ｄ_Mは３以上であることが好ましいことがわかった。

（実験３）
実験３では、第１内部電極用ペーストおよび第２内部電極用ペーストの両方にＮｉＯ粉末を添加して、表３に示す４種の積層セラミック電子部品を製造した。各実施例Ｃ１～Ｃ４で使用した第１内部電極用ペーストおよび第２内部電極用ペーストには、それぞれ、平均粒径が０．１８μｍであるＮｉ粉末と、平均粒径が０．２μｍであるＮｉＯ粉末とを添加し、第１内部電極用ペーストにおけるＮｉＯ粉末の配合比を、第２内部電極用ペーストにおけるＮｉＯ粉末の配合比よりも高くした。ＮｉＯ粉末の配合比以外の条件は、実験１の実施例Ａ１と同様とした。

実験３の断面解析では、誘電体層を介して対向する一対の内部電極層のうち、より多くのＮｉ酸化物粒子と接している内部電極層を第１内部電極層として識別し、Ｎｉ酸化物粒子との接触箇所が少ない方の内部電極層を第２内部電極層として識別した。この際、素体（容量領域）の断面を３視野解析し、各解析視野の面積は５４μｍ²に設定した。そして、Ｎｉ酸化物粒子の個数ＮＰ０と、第１内部電極層と誘電体層との境界（第１境界３１）に存在するＮｉ酸化物粒子の個数ＮＰ１と、を計測した。

なお、実施例Ｃ１～Ｃ４では、実施例Ａ１と同様に、Ｎｉ酸化物粒子と接する第１大粒子が誘電体層中に存在していることが確認できた。実験３の評価結果を、表３に示す。

表３の結果から、ＮＰ１／ＮＰ０は、０．６以上であることが好ましく、０．７５以上であることがより好ましいことがわかった。

（実験４）
実験４では、第１内部電極用ペーストにおけるＮｉＯ粉末の配合比を変えて、実施例Ｄ１～Ｄ３に係る積層セラミック電子部品を製造した。実施例Ｄ１～Ｄ３では、いずれも、ＮｉＯ粉末を含まない第２内部電極用ペーストを使用した（つまり、第２内部電極用ペーストの仕様は実施例Ａ１と同じとした）。ＮｉＯの配合比以外の製造条件は、実施例Ａ１と同様とした。

実験４の断面解析では、誘電体層を介して対向する一対の内部電極層のうち、より多くのＮｉ酸化物粒子と接している内部電極層を第１内部電極層として識別し、Ｎｉ酸化物粒子との接触箇所が少ない方の内部電極層を第２内部電極層として識別した。そして、それぞれの第１内部電極層と接しているＮｉ酸化物粒子の平均個数ＡＮ_Pを計測した。

また、１１３４μｍ²の断面に含まれる合計長さ９２０μｍ以上の内部電極層を解析して、単位長さの内部電極層と接するＮｉ酸化物粒子の平均個数ＮＰ_L／ＬＥを算出した。なお、実施例Ｄ１～Ｄ３では、実施例Ａ１と同様に、Ｎｉ酸化物粒子と接する第１大粒子が誘電体層中に存在していることが確認できた。実験４の評価結果を、表４に示す。

表４の結果から、ＡＮ_Pは２以上であることが好ましく、３以上であることがより好ましいことがわかった。つまり、第１内部電極層が、素体の一断面において、平均２個以上（より好ましくは平均３個以上）のＮｉ酸化物粒子と接していることが好ましく、これにより、整流作用の更なる向上が図れることがわかった。

また、表４の結果から、ＮＰ_L／ＬＥは、０．００２個／μｍ以上であることが好ましく、０．００５個／μｍ以上であることがより好ましいことがわかった。

２ … 積層セラミック電子部品
４ … 素体
４ａ，４ｂ … 端面
４ｃ … 側面
４０ … 容量領域
４１ … 外装領域
６ … 外部電極
６ａ … 第１外部電極
６ｂ … 第２外部電極
１０ … 誘電体層
１１ … 誘電体粒子
１３ … 大粒子
１３ａ … 第１大粒子
１３ｂ … 第２大粒子
１５ … 小粒子
１７ … 粒界
２０ … 内部電極層
２１ … 第１内部電極層
２２ … 第２内部電極層
３１ … 第１境界
３２ … 第２境界
３０ … Ｎｉ酸化物粒子
３０ａ … 第１Ｎｉ酸化物粒子
３０ｂ … 第２Ｎｉ酸化物粒子

Claims (7)

1. 第１内部電極層と、第２内部電極層と、前記第１内部電極層と前記第２内部電極層との間に積層してある誘電体層と、を含む素体を有し、
   Ｎｉ酸化物粒子が、前記第１内部電極層と前記誘電体層との間の第１境界に存在し、
   前記誘電体層が、前記第１境界の前記Ｎｉ酸化物粒子および前記第２内部電極層の両方と接する誘電体大粒子を含む電子部品。
2. 前記Ｎｉ酸化物粒子が、前記第１内部電極層を介して隣接する２つの前記誘電体層の両方と接している請求項１に記載の電子部品。
3. 前記素体に含まれる前記第１内部電極層、前記第２内部電極層、および、前記誘電体層が、それぞれ複数であり、
   前記第１内部電極層は、前記素体の一断面において、平均２個以上の前記Ｎｉ酸化物粒子と接している請求項１または２に記載の電子部品。
4. 前記素体に含まれる前記第１内部電極層、前記第２内部電極層、および、前記誘電体層が、それぞれ複数であり、
   前記素体の断面で観測される前記Ｎｉ酸化物粒子の合計個数をＮＰ０とし、
   前記断面で観測される前記Ｎｉ酸化物粒子のうちの前記第１境界に存在する前記Ｎｉ酸化物粒子の個数をＮＰ１として、
   ＮＰ１／ＮＰ０が０．６以上である請求項１または２に記載の電子部品。
5. 前記素体に含まれる前記第１内部電極層、前記第２内部電極層、および、前記誘電体層が、それぞれ複数であり、
   前記素体の断面で観測される前記第１内部電極層および前記第２内部電極層の合計長さをＬＥとし、
   前記合計長さＬＥの範囲において、前記第１内部電極層または前記第２内部電極層と接する前記Ｎｉ酸化物粒子の個数をＮＰ_Lとして、
   ＮＰ_L／ＬＥが０．００２個／μｍ以上である請求項１または２に記載の電子部品。
6. 前記第１内部電極層および前記第２内部電極層に含まれる金属結晶の平均粒径をｄ_Mとし、
   前記Ｎｉ酸化物粒子の平均粒径をｄ_Pとして、
   ｄ_P／ｄ_Mが３以上である請求項１または２に記載の電子部品。
7. 第１内部電極層と、第２内部電極層と、前記第１内部電極層と前記第２内部電極層との間に積層してある誘電体層と、を含む素体を有し、
   ｐ型半導体粒子が、前記第１内部電極層と前記誘電体層との間の第１境界に存在し、
   前記誘電体層が、前記第１境界の前記ｐ型半導体粒子および前記第２内部電極層の両方と接する誘電体大粒子を含む電子部品。

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