JP2024049640A - 振動素子の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】深さが異なる溝を容易に形成することのできる振動素子の製造方法を提供すること。【解決手段】振動素子の製造方法は、表裏関係にある第１面および第２面を有する水晶基板を準備する準備工程と、前記第１面に第１下地膜、第２下地膜および第１保護膜を順に重ねて第１積層体を成膜する第１成膜工程と、前記第１積層体をパターニングし、素子形成領域の第１溝形成領域および第２溝形成領域を除く領域上に第１下地膜、第２下地膜および第１保護膜を残し、前記第１溝形成領域に前記第１下地膜および前記第２下地膜を残し、前記第２溝形成領域に前記第１下地膜を残す第１パターニング工程と、前記第１積層体を介して前記水晶基板を前記第１面側からドライエッチングする第１ドライエッチング工程と、を含む。【選択図】図８

Description

本発明は、振動素子の製造方法に関する。
特許文献１には、表面および下面のそれぞれに溝を有する一対の振動腕を備えた水晶振動片の製造方法として、ドライエッチングのマイクロローディング効果を利用して、水晶振動片の外形形状と各振動腕の溝とを一括形成する方法が記載されている。なお、マイクロローディング効果とは、加工幅が狭い密部位と加工幅が広い疎部位とでは、同条件でドライエッチングしても疎部位のほうが密部位よりも加工深さが深くなる、つまり、エッチングレートが大きくなる効果を言う。
特開２００７－０１３３８２号公報
しかしながら、特許文献１では、マイクロローディング効果を利用して外形形状と溝とを一括形成するため、振動腕の幅、振動腕同士の離間距離などの外形形状や、溝の幅、深さなどの溝形状に制約が生じる。そのため、設計自由度が低く、例えば、複数の振動腕に対して、同じ幅で深さが異なる溝を形成することができないという課題がある。
本発明の振動素子の製造方法は、表裏関係にある第１面および第２面を有し、前記第１面に開口する有底の第１溝を有する第１振動腕と、前記第１面に開口する有底の第２溝を有する第２振動腕と、を備える振動素子の製造方法であって、
前記第１面および前記第２面を有する水晶基板を準備する準備工程と、
前記第１面に第１下地膜、第２下地膜および第１保護膜を順に重ねて第１積層体を成膜する第１成膜工程と、
前記水晶基板の前記振動素子が形成される領域を素子形成領域とし、前記第１溝が形成される領域を第１溝形成領域とし、前記第２溝が形成される領域を第２溝形成領域としたとき、前記第１積層体をパターニングし、前記素子形成領域の前記第１溝形成領域および前記第２溝形成領域を除く領域上に前記第１下地膜、前記第２下地膜および前記第１保護膜を残し、前記第１溝形成領域に前記第１下地膜および前記第２下地膜を残し、前記第２溝形成領域に前記第１下地膜を残す第１パターニング工程と、
前記第１積層体を介して前記水晶基板を前記第１面側からドライエッチングする第１ドライエッチング工程と、を含む。
第１実施形態に係る振動素子の平面図である。 図１中のＡ－Ａ線断面図である。 図１中のＢ－Ｂ線断面図である。 振動素子の駆動状態を示す概略図である。 振動素子の駆動状態を示す概略図である。 ｄ１＝ｄ２のときのｄ１、ｄ２と感度との関係を示すグラフである。 ｄ２／ｄ１と感度との関係を示すグラフである。 振動素子の製造方法を示すフローチャートである。 振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 第２実施形態に係る振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 第２実施形態に係る振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 第２実施形態に係る振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 第２実施形態に係る振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 第２実施形態に係る振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 第２実施形態に係る振動素子の製造方法を説明するための断面図である。 第３実施形態に係る振動素子の平面図である。 振動素子の変形例を示す断面図である。 振動素子の変形例を示す断面図である。 振動素子の製造方法を説明するための断面図である。
以下、本発明の振動素子の製造方法を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る振動素子の平面図である。図２は、図１中のＡ－Ａ線断面図である。図３は、図１中のＢ－Ｂ線断面図である。図４および図５は、それぞれ、振動素子の駆動状態を示す概略図である。図６は、ｄ１＝ｄ２のときのｄ１、ｄ２と感度との関係を示すグラフである。図７は、ｄ２／ｄ１と感度との関係を示すグラフである。図８は、振動素子の製造方法を示すフローチャートである。図９ないし図２７は、それぞれ、振動素子の製造方法を説明するための断面図である。
以下では、説明の便宜上、互いに直交する３軸であるＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を図示する。また、Ｘ軸に沿う方向をＸ軸方向、Ｙ軸に沿う方向をＹ軸方向、Ｚ軸に沿う方向をＺ軸方向とも言う。また、各軸の矢印側を「プラス側」とも言い、反対側を「マイナス側」とも言う。また、Ｚ軸方向のプラス側を「上」とも言い、マイナス側を「下」とも言う。また、Ｚ軸方向からの平面視を、単に「平面視」とも言う。
まず、本実施形態の振動素子の製造方法により製造される振動素子１について説明する。振動素子１は、Ｚ軸まわりの角速度ωｚを検出することができる角速度検出素子である。このような振動素子１は、図１ないし図３に示すように、Ｚカットの水晶基板をパターニングしてなる振動基板２と、振動基板２の表面に成膜された電極３と、を有する。
また、振動基板２は、Ｚ軸方向に厚みを有し、Ｘ－Ｙ平面に広がる板状であり、表裏関係にある第１面としての上面２ａおよび第２面としての下面２ｂを有する。また、振動基板２は、中央部に位置する基部２１と、基部２１からＹ軸方向両側に延出する第２振動腕Ａ２としての一対の検出振動腕２２、２３と、基部２１からＸ軸方向両側へ延出する一対の支持腕２４、２５と、一方の支持腕２４の先端部からＹ軸方向両側に延出する第１振動腕Ａ１としての一対の駆動振動腕２６、２７と、他方の支持腕２５の先端部からＹ軸方向両側に延出する第１振動腕Ａ１としての一対の駆動振動腕２８、２９と、を有する。そして、基部２１において、図示しない支持部材に支持される。
このような形状の振動素子１によれば、後述するように、駆動振動モードにおいて駆動振動腕２６、２７、２８、２９がバランスよく屈曲振動するため、検出振動腕２２、２３に不要な振動が生じ難く、角速度ωｚを精度よく検出することができる。
検出振動腕２２は、上面２ａに形成された第２溝Ａ２１としての有底の溝２２１と、下面２ｂに形成された第４溝Ａ２２としての有底の溝２２２と、を有する。溝２２１、２２２は、それぞれ、検出振動腕２２に沿って形成されている。また、溝２２１、２２２は、対称的に形成されている。
検出振動腕２３は、上面２ａに形成された第２溝Ａ２１としての有底の溝２３１と、下面２ｂに形成された第４溝Ａ２２としての有底の溝２３２と、を有する。溝２３１、２３２は、それぞれ、検出振動腕２３に沿って形成されている。また、溝２３１、２３２は、対称的に形成されている。
これら２本の検出振動腕２２、２３は、互いに同じ構成（形状および寸法）に設計されている。
駆動振動腕２６は、上面２ａに形成された第１溝Ａ１１としての有底の溝２６１と、下面２ｂに形成された第３溝Ａ１２としての有底の溝２６２と、を有する。溝２６１、２６２は、それぞれ、駆動振動腕２６に沿って形成されている。また、溝２６１、２６２は、対称的に形成されている。
駆動振動腕２７は、上面２ａに形成された第１溝Ａ１１としての有底の溝２７１と、下面２ｂに形成された第３溝Ａ１２としての有底の溝２７２と、を有する。溝２７１、２７２は、それぞれ、駆動振動腕２７に沿って形成されている。また、溝２７１、２７２は、対称的に形成されている。
駆動振動腕２８は、上面２ａに形成された第１溝Ａ１１としての有底の溝２８１と、下面２ｂに形成された第３溝Ａ１２としての有底の溝２８２と、を有する。溝２８１、２８２は、それぞれ、駆動振動腕２８に沿って形成されている。また、溝２８１、２８２は、対称的に形成されている。
駆動振動腕２９は、上面２ａに形成された第１溝Ａ１１としての有底の溝２９１と、下面２ｂに形成された第３溝Ａ１２としての有底の溝２９２と、を有する。溝２９１、２９２は、それぞれ、駆動振動腕２９に沿って形成されている。また、溝２９１、２９２は、対称的に形成されている。
これら４本の駆動振動腕２６、２７、２８、２９は、互いに同じ構成（形状および寸法）に設計されている。
電極３は、第１検出信号電極３１と、第１検出接地電極３２と、第２検出信号電極３３と、第２検出接地電極３４と、駆動信号電極３５と、駆動接地電極３６と、を有する。このうち、第１検出信号電極３１は、検出振動腕２２の上面２ａおよび下面２ｂに配置され、第１検出接地電極３２は、検出振動腕２２の両側面に配置されている。また、第２検出信号電極３３は、検出振動腕２３の上面２ａおよび下面２ｂに配置され、第２検出接地電極３４は、検出振動腕２３の両側面に配置されている。また、駆動信号電極３５は、駆動振動腕２６、２７の上面２ａおよび下面２ｂと、駆動振動腕２８、２９の両側面と、に配置されている。また、駆動接地電極３６は、駆動振動腕２６、２７の両側面と、駆動振動腕２８、２９の上面２ａおよび下面２ｂと、に配置されている。
以上、振動素子１の構成について簡単に説明した。このような構成の振動素子１は、次のようにしてＺ軸まわりの角速度ωｚを検出する。
駆動信号電極３５と駆動接地電極３６との間に駆動信号を印加すると、図４に示すように、駆動振動腕２６、２７と駆動振動腕２８、２９とがＸ軸方向に逆相で屈曲振動する（以下、この状態を「駆動振動モード」とも言う）。なお、この状態では、駆動振動腕２６、２７、２８、２９の振動がキャンセルされ、検出振動腕２２、２３は、振動しない。駆動振動モードで駆動している状態で振動素子１に角速度ωｚが加わると、図５に示すように、駆動振動腕２６、２７、２８、２９にコリオリの力が働いてＹ軸方向の屈曲振動が励振され、この屈曲振動に呼応するように検出振動腕２２、２３がＸ軸方向に屈曲振動する（以下、この状態を「検出振動モード」とも言う）。
このような屈曲振動によって検出振動腕２２に発生した電荷を第１検出信号電極３１から第１検出信号として取り出し、検出振動腕２３に発生した電荷を第２検出信号電極３３から第２検出信号として取り出し、これら第１、第２検出信号に基づいて角速度ωｚが求められる。なお、第１、第２検出信号は、互いに逆相の信号であるため、差動検出方式を用いることで、より精度よく角速度ωｚを検出することができる。
次に、検出振動腕２２、２３に形成された溝と、駆動振動腕２６、２７、２８、２９に形成された溝との関係について説明する。なお、前述したように、各検出振動腕２２、２３は、互いに同様の構成であり、各駆動振動腕２６、２７、２８、２９は、互いに同様の構成である。したがって、以下では、説明の便宜上、検出振動腕２２、２３を総称して第２振動腕Ａ２とし、駆動振動腕２６、２７、２８、２９を総称して第１振動腕Ａ１として説明する。
前述したように、第１振動腕Ａ１は、上面２ａに形成された第１溝Ａ１１と、下面２ｂに形成された第３溝Ａ１２と、を有する。また、第２振動腕Ａ２は、上面２ａに形成された第２溝Ａ２１と、下面２ｂに形成された第４溝Ａ２２と、を有する。そのため、第１振動腕Ａ１および第２振動腕Ａ２の断面形状は、それぞれ、Ｈ型となる。このような構成によれば、第１、第２振動腕Ａ１、Ａ２の屈曲振動時の熱伝達経路を長くすることができ、熱弾性損失が低減され、Ｑ値が高まる。さらには、第１、第２振動腕Ａ１、Ａ２が柔らかくなり、これらがＸ軸方向に屈曲変形し易くなる。そのため、駆動振動モードでの第１振動腕Ａ１の振幅を大きくすることができる。第１振動腕Ａ１の振幅が大きいほどコリオリ力が大きくなり、検出振動モードでの第２振動腕Ａ２の振幅がより大きくなる。そのため、より大きな検出信号が得られ、角速度ωｚの検出感度が高まる。
以下、図２に示すように、第１振動腕Ａ１の厚さをｔ１、第１振動腕Ａ１の第１、第３溝Ａ１１、Ａ１２の深さをｄ１とし、第２振動腕Ａ２の厚さをｔ２、第２、第４溝Ａ２１、Ａ２２の深さをｄ２として、ｄ２／ｔ２とｄ１／ｔ１との関係について詳細に説明する。なお、ｄ１は、第１、第３溝Ａ１１、Ａ１２の深さの合計である。本実施形態では、第１、第３溝Ａ１１、Ａ１２が対称的に形成されているため、第１、第３溝Ａ１１、Ａ１２の深さは、それぞれ、ｄ１／２である。同様に、ｄ２は、第２、第４溝Ａ２１、Ａ２２の深さの合計である。本実施形態では第２、第４溝Ａ２１、Ａ２２が対称的に形成されているため、第２、第４溝Ａ２１、Ａ２２の深さは、それぞれ、ｄ２／２である。
図６に、ｄ１、ｄ２（ただし、ｄ１＝ｄ２）と角速度ωｚの検出感度（感度）との関係を示す。なお、振動基板２の板厚つまりｔ１、ｔ２は、１００μｍである。また、検出感度は、ｄ１、ｄ２が６０μｍのときの検出感度を１とした比で表している。同図から分かるように、ｄ１、ｄ２が深くなるほど検出感度が高まっている。しかしながら、ｄ１、ｄ２を９０μｍ（板厚の９０％）としても、ｄ１、ｄ２が６０μｍ（板厚の６０％）のときと比較して検出感度が１．０９倍にしか高まっていない。このことから、ｄ１＝ｄ２である場合、ｄ１、ｄ２を大きくしても検出感度が高まり難いことが分かる。
次に、図７に、ｄ２／ｄ１と検出感度との関係を示す。なお、振動基板２の板厚つまりｔ１、ｔ２は、１００μｍである。また、検出感度は、従来の構成であるｄ２／ｄ１＝１のときの検出感度を１とした比で表している。同図から分かるように、ｄ２／ｄ１が大きくなるほど検出感度が高まっている。すなわち、第１振動腕Ａ１の第１、第３溝Ａ１１、Ａ１２に対して、第２振動腕Ａ２の第２、第４溝Ａ２１、Ａ２２が深くなるほど検出感度が高まっている。そして、ｄ２／ｄ１＞１の領域で、従来の構成よりも検出感度を高められることが分かる。
したがって、振動素子１では、ｄ２／ｄ１＞１、つまり、ｄ２／ｔ２＞ｄ１／ｔ１を満足している。つまり、第１、第３溝Ａ１１、Ａ１２は、第２、第４溝Ａ２１、Ａ２２よりも浅い。これにより、従来の構成よりも検出感度を高めることができ、従来の構成では到達することのできない検出感度を得ることができる。
以上、振動素子１の全体構成について説明した。次に、振動素子１の製造方法について説明する。ここでも、駆動振動腕２６、２７、２８、２９を総称して第１振動腕Ａ１として説明し、検出振動腕２２、２３を総称して第２振動腕Ａ２として説明する。振動素子１の製造方法は、図８に示すように、準備工程Ｓ１と、第１成膜工程Ｓ２と、第１パターニング工程Ｓ３と、第１ドライエッチング工程Ｓ４と、第２成膜工程Ｓ５と、第２パターニング工程Ｓ６と、第２ドライエッチング工程Ｓ７と、電極形成工程Ｓ８と、を含む。以下、図２に対応する断面図を用いて、これら各工程Ｓ１～Ｓ８について順に説明する。
［準備工程Ｓ１］
まず、図９に示すように、振動基板２の母材であるＺカットの水晶基板２００を準備する。水晶基板２００は、表裏関係にある第１面としての上面２ａおよび第２面としての下面２ｂを有する。水晶基板２００は、振動基板２よりも大きく、水晶基板２００から複数の振動基板２を形成することができる。水晶基板２００は、ランバード加工された人工水晶をＺカットで切断することにより得られる水晶ウエハーを用いることができる。
なお、以下では、振動基板２が形成される領域を素子形成領域Ｑ１、素子形成領域Ｑ１外の領域を除去領域Ｑ２、第１溝Ａ１１が形成される領域を第１溝形成領域Ｑｍ１、第２溝Ａ２１が形成される領域を第２溝形成領域Ｑｍ２、第３溝Ａ１２が形成される領域を第３溝形成領域Ｑｍ３、第４溝Ａ２２が形成される領域を第４溝形成領域Ｑｍ４、ともいう。
次に、必要に応じて、水晶基板２００の両面に対して厚み調整および平坦化のための研磨加工を行う。このような研磨加工は、ラッピング加工とも呼ばれる。例えば、上下一対の定盤を備えるウエハー研磨装置を用いて、互いに逆向きに回転する定盤の間で水晶基板２００を挟み込み、水晶基板２００を回転させると共に研磨液を供給しながら、水晶基板２００の両面を研磨する。なお、研磨加工では、上述のラッピング加工に続けて、必要に応じて水晶基板２００の両面に対して鏡面研磨加工を行ってもよい。このような研磨加工は、ポリッシング加工とも呼ばれる。これにより、水晶基板２００の両面を鏡面化することができる。
［第１成膜工程Ｓ２］
次に、図１０に示すように、水晶基板２００の上面２ａに第１下地膜４１、第２下地膜４２および第１保護膜４３を順に成膜し、第１積層体４を形成する。成膜方法としては、特に限定されず、スパッタリング、蒸着等を用いることができる。
第１積層体４に含まれる膜のうち、少なくとも第１下地膜４１および第２下地膜４２については、後述する第１ドライエッチング工程Ｓ４において所定のエッチングレートでエッチングされる材料により形成される。
本実施形態では、第１下地膜４１、第２下地膜４２および第１保護膜４３は、それぞれ、金属材料で構成された金属膜である。これにより、優れたエッチング耐性（高いエッチングレート比）が発揮され、各膜４１、４２、４３を薄くすることができる。そのため、第１積層体４の成膜に要する時間を短縮でき、振動素子１の製造時間を短縮することができる。また、膜厚を薄くできる分、各膜４１、４２、４３のパターニング精度が向上する。
特に、本実施形態では、第１下地膜４１がクロム（Ｃｒ）で構成され、第２下地膜４２が銅（Ｃｕ）で構成され、第１保護膜４３がニッケル（Ｎｉ）で構成されている。第１下地膜４１をクロム（Ｃｒ）で構成することにより、水晶基板２００との密着性に優れた第１積層体４が得られる。そのため、第１ドライエッチング工程Ｓ４を精度よく行うことができる。
ただし、第１下地膜４１、第２下地膜４２および第１保護膜４３の構成材料は、金属材料に限定されず、例えば、少なくとも１つの膜がレジスト材料であってよい。
［第１パターニング工程Ｓ３］
次に、図１１に示すように、第１積層体４上に第１レジスト膜Ｒ１を成膜し、フォトリソグラフィー技法を用いてパターニングする。第１レジスト膜Ｒ１は、素子形成領域Ｑ１の第１溝形成領域Ｑｍ１および第２溝形成領域Ｑｍ２を除く領域と重なって形成されている。次に、図１２に示すように、上面２ａ側から第１レジスト膜Ｒ１を介して第１保護膜４３をエッチングし、第１レジスト膜Ｒ１と重ならない部分を除去する。
次に、第１レジスト膜Ｒ１を除去した後、図１３に示すように、第１積層体４上に第２レジスト膜Ｒ２を成膜し、フォトリソグラフィー技法を用いてパターニングする。第２レジスト膜Ｒ２は、素子形成領域Ｑ１と重なって形成されている。次に、図１４に示すように、上面２ａ側から第２レジスト膜Ｒ２を介して第１積層体４をエッチングし、第２レジスト膜Ｒ２と重ならない部分を除去する。なお、本工程は、第２レジスト膜Ｒ２を介して第２下地膜４２をエッチングする工程と、第２レジスト膜Ｒ２を介して第１下地膜４１をエッチングする工程と、を有する。これにより、各膜４１、４２に適した条件でエッチングすることができる。
次に、図１５に示すように、第２レジスト膜Ｒ２の第２溝形成領域Ｑｍ２と重なる部分を除去し、第２溝形成領域Ｑｍ２上の第１積層体４を露出させる。次に、図１６に示すように、上面２ａ側から第２レジスト膜Ｒ２を介して第２下地膜４２をエッチングし、第２レジスト膜Ｒ２と重ならない部分を除去する。そして、第２レジスト膜Ｒ２を除去する。
以上の工程により、素子形成領域Ｑ１の第１溝形成領域Ｑｍ１および第２溝形成領域Ｑｍ２を除く領域上に第１下地膜４１、第２下地膜４２および第１保護膜４３が残り、第１溝形成領域Ｑｍ１に第１下地膜４１および第２下地膜４２が残り、第２溝形成領域Ｑｍ２に第１下地膜４１が残る第１積層体４が得られる。
［第１ドライエッチング工程Ｓ４］
次に、上面２ａ側から第１積層体４を介して水晶基板２００をドライエッチングする。ドライエッチングによれば、水晶の結晶面の影響を受けずに加工することができるため、優れた寸法精度を実現することができる。なお、ドライエッチングは、反応性イオンエッチングであり、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）装置を用いて行われる。また、ＲＩＥ装置に導入される反応ガスとしては、特に限定されないが、例えば、ＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ８等を用いることができる。
本工程を開始すると、まず、図１７に示すように、第１積層体４から露出している除去領域Ｑ２のエッチングが開始される。これにより、まず、振動基板２の外形形状の形成が開始される。そして、そのままエッチングが進むと、図１８に示すように、所定時刻Ｔ１において、第２溝形成領域Ｑｍ２上の第１下地膜４１が無くなり、第２溝形成領域Ｑｍ２のエッチングが開始される。これにより、振動基板２の外形形状に遅れて、第２溝Ａ２１の形成が開始される。さらに、そのままエッチングが進むと、図１９に示すように、所定時刻Ｔ２において、第１溝形成領域Ｑｍ１上の第１下地膜４１および第２下地膜４２が無くなり、第１溝形成領域Ｑｍ１のエッチングが開始される。これにより、第２溝Ａ２１に遅れて、第１溝Ａ１１の形成が開始される。
そして、図２０に示すように、第１溝Ａ１１および第２溝Ａ２１が共に所定深さとなった時刻Ｔ３においてドライエッチングを終了する。これにより、第１溝Ａ１１および第２溝Ａ２１が一括して形成される。なお、時刻Ｔ３では、除去領域Ｑ２のエッチング深さが水晶基板２００の厚さの半分以上に達している。つまり、本実施形態では、第１溝Ａ１１および第２溝Ａ２１が同時に所定深さとなり、かつ、その時の除去領域Ｑ２のエッチング深さが水晶基板２００の厚さの半分以上に達するように、第１、第２下地膜４１、４２の膜厚が設計されている。
このように、本工程では、第２溝形成領域Ｑｍ２上の第１積層体４および第１溝形成領域Ｑｍ１上の第１積層体４が順に除去され、除去領域Ｑ２、第２溝形成領域Ｑｍ２および第１溝形成領域Ｑｍ１の順にドライエッチングが開始される。そのため、第２溝形成領域Ｑｍ２のエッチング深さは、除去領域Ｑ２のエッチング深さよりも浅くなり、第１溝形成領域Ｑｍ１のエッチング深さは、第２溝形成領域Ｑｍ２のエッチング深さよりも浅くなる。したがって、深さの違う第１溝Ａ１１および第２溝Ａ２１を１工程において一括形成することができ、第１溝Ａ１１および第２溝Ａ２１の形成が容易となる。
また、このような工程によれば、第１、第２下地膜４１、４２の膜厚により所定時刻Ｔ１、Ｔ２を制御することができるため、容易かつ精度よく、除去領域Ｑ２、第２溝形成領域Ｑｍ２および第１溝形成領域Ｑｍ１のエッチング深さをそれぞれ独立して制御することができる。したがって、第１溝Ａ１１および第２溝Ａ２１の深さをそれぞれ自由に設定することができる。
以上、水晶基板２００を上面側からエッチングする工程が終了する。以下の工程Ｓ５～Ｓ７は、水晶基板２００を下面側からエッチングする工程であり、前述した工程Ｓ２～Ｓ４と同様である。そのため、工程Ｓ２～Ｓ４と重複する部分については、説明を省略する。
［第２成膜工程Ｓ５］
次に、図２１に示すように、水晶基板２００の下面２ｂに第３下地膜５１、第４下地膜５２および第２保護膜５３を順に成膜し、第２積層体５を形成する。なお、第２積層体５は、前述した第１積層体４と同様の構成であり、第３下地膜５１が第１下地膜４１に相当し、第４下地膜５２が第２下地膜４２に相当し、第２保護膜５３が第１保護膜４３に相当する。そのため、第２積層体５の詳細な説明を省略する。
［第２パターニング工程Ｓ６］
次に、図２２に示すように、第２積層体５をパターニングし、素子形成領域Ｑ１の第３溝形成領域Ｑｍ３および第４溝形成領域Ｑｍ４を除く領域上に第３下地膜５１、第４下地膜５２および第２保護膜５３を残し、第３溝形成領域Ｑｍ３に第３下地膜５１および第４下地膜５２を残し、第４溝形成領域Ｑｍ４に第３下地膜５１を残す。第２積層体５のパターニングは、前述した第１パターニング工程Ｓ３と同様の工程により行うことができる。そのため、第２積層体５のパターニング方法の詳細な説明を省略する。
［第２ドライエッチング工程Ｓ７］
次に、下面２ｂ側から第２積層体５を介して水晶基板２００をドライエッチングする。本工程を開始すると、まず、図２３に示すように、第２積層体５から露出している除去領域Ｑ２のエッチングが開始される。これにより、振動基板２の外形形状の形成が開始される。そのままエッチングが進むと、図２４に示すように、所定時刻Ｔ４において、第４溝形成領域Ｑｍ４上の第３下地膜５１が無くなり、第４溝形成領域Ｑｍ４のエッチングが開始される。これにより、振動基板２の外形形状に遅れて、第４溝Ａ２２の形成が開始される。さらに、そのままエッチングが進むと、図２５に示すように、所定時刻Ｔ５において、第３溝形成領域Ｑｍ３上の第３下地膜５１、第４下地膜５２が無くなり、第３溝形成領域Ｑｍ３のエッチングが開始される。これにより、第４溝Ａ２２に遅れて、第３溝Ａ１２の形成が開始される。
そして、図２６に示すように、第３溝Ａ１２および第４溝Ａ２２が共に所定深さとなった時刻Ｔ６においてドライエッチングを終了する。これにより、第３溝Ａ１２および第４溝Ａ２２が一括形成される。なお、時刻Ｔ６では、除去領域Ｑ２において水晶基板２００を貫通しており、振動基板２の外形形状が完成している。これにより、振動基板２の外形形状を完成させるためのさらなるドライエッチング工程が不要となるため、振動素子１の製造方法の削減、振動素子１の低コスト化を図ることができる。
以上により、水晶基板２００から複数の振動基板２が得られる。
［電極形成工程Ｓ８］
次に、水晶基板２から第１積層体４および第２積層体５を除去した後、図２７に示すように、振動基板２の表面に電極３を形成する。電極３の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、振動基板２の表面に金属膜を成膜し、この金属膜をフォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いてパターニングすることにより形成することができる。
以上により、振動素子１が得られる。このような製造方法によれば、深さの異なる第１溝Ａ１１および第２溝Ａ２１を一括して容易に形成することができる。同様に、深さの異なる第３溝Ａ１２および第４溝Ａ２２を一括して容易に形成することができる。また、振動基板２の外形形状に対する各溝Ａ１１、Ａ２１、Ａ１２、Ａ２２の位置ずれが抑制され、振動基板２の形成精度が高まる。さらには、マイクロローディング効果を利用しないため、振動基板２の形状や寸法の制約や、ドライエッチングに用いる反応ガスの選択などのドライエッチング条件の制約が緩和される。したがって、設計自由度の高い振動素子１を容易かつ高精度に製造することができる。
また、本実施形態では、第２ドライエッチング工程Ｓ７までは水晶基板２００の除去領域Ｑ２が貫通せず、水晶基板２００の機械的強度を十分に高く維持することができる。つまり、水晶基板２００の機械的強度が高いままの状態で、終盤に位置する第２ドライエッチング工程Ｓ７までの各工程を行うことができる。そのため、ハンドリング性が高まり、振動素子１の製造が容易となる。
ただし、これに限定されず、例えば、第１ドライエッチング工程Ｓ４において、水晶基板２００の除去領域Ｑ２が貫通してもよい。つまり、第１ドライエッチング工程Ｓ４において、振動基板２の外形形状を完成させてもよい。このように、上面２ａ側からのドライエッチングだけで振動基板２の外形形状を形成することにより、第１積層体４だけを用いて外形形状を完成させることができる。そのため、高い精度で外形形状を形成することができる。したがって、第１、第２振動腕Ａ１、Ａ２の不要振動や振動バランスの低下が抑制され、優れた角速度検出特性を有する振動素子１を製造することができる。
以上、振動素子１の製造方法について説明した。このような製造方法は、前述したように、表裏関係にある第１面である上面２ａおよび第２面である下面２ｂを有し、上面２ａに開口する有底の第１溝Ａ１１を有する第１振動腕Ａ１と、上面２ａに開口する有底の第２溝Ａ２１を有する第２振動腕Ａ２と、を備える振動素子１の製造方法であって、上面２ａおよび下面２ｂを有する水晶基板２００を準備する準備工程Ｓ１と、上面２ａに第１下地膜４１、第２下地膜４２および第１保護膜４３を順に重ねて第１積層体４を成膜する第１成膜工程Ｓ２と、水晶基板２００の振動素子１が形成される領域を素子形成領域Ｑ１とし、第１溝Ａ１１が形成される領域を第１溝形成領域Ｑｍ１とし、第２溝Ａ２１が形成される領域を第２溝形成領域Ｑｍ２としたとき、第１積層体４をパターニングし、素子形成領域Ｑ１の第１溝形成領域Ｑｍ１および第２溝形成領域Ｑｍ２を除く領域上に第１下地膜４１、第２下地膜４２および第１保護膜４３を残し、第１溝形成領域Ｑｍ１に第１下地膜４１および第２下地膜４２を残し、第２溝形成領域Ｑｍ２に第１下地膜４１を残す第１パターニング工程Ｓ３と、第１積層体４を介して水晶基板２００を上面２ａ側からドライエッチングする第１ドライエッチング工程Ｓ４と、を含む。
このような製造方法によれば、第１溝形成領域Ｑｍ１と第２溝形成領域Ｑｍ２とのエッチング開始時刻を異ならせることができる。したがって、深さの異なる第１溝Ａ１１および第２溝Ａ２１を一括して容易に形成することができる。そのため、振動素子１の製造方法の削減、振動素子１の低コスト化を図ることができる。また、振動基板２の外形形状に対する第１、第２溝Ａ１１、Ａ２１の位置ずれが抑制され、振動基板２の形成精度が高まる。さらには、マイクロローディング効果を利用しないため、振動基板２の形状や寸法の制約や、ドライエッチングに用いる反応ガスの選択などのドライエッチング条件の制約が緩和される。したがって、設計自由度の高い振動素子１を容易かつ高精度に製造することができる。
また、前述したように、第１ドライエッチング工程Ｓ４では、途中で第２溝形成領域Ｑｍ２上の第１積層体４および第１溝形成領域Ｑｍ１上の第１積層体４が順に除去され、素子形成領域Ｑ１外の除去領域Ｑ２、第２溝形成領域Ｑｍ２および第１溝形成領域Ｑｍ１の順にドライエッチングが開始される。そのため、第２溝形成領域Ｑｍ２のエッチング深さは、除去領域Ｑ２のエッチング深さよりも浅くなり、第１溝形成領域Ｑｍ１のエッチング深さは、第２溝形成領域Ｑｍ２のエッチング深さよりも浅くなる。このような工程によれば、第１、第２下地膜４１、４２の膜厚を制御することにより、容易かつ精度よく、除去領域Ｑ２、第２溝形成領域Ｑｍ２および第１溝形成領域Ｑｍ１のエッチング深さをそれぞれ独立して制御することができ、深さの違う第１、第２溝Ａ１１、Ａ２１を１工程において一括形成することができる。
また、前述したように、振動素子１は、第１振動腕Ａ１の下面２ｂに開口する有底の第３溝Ａ１２と、第２振動腕Ａ２の下面２ｂに開口する有底の第４溝Ａ２２と、を有し、振動素子１の製造方法は、さらに、下面２ｂに第３下地膜５１、第４下地膜５２および第２保護膜５３を順に重ねて第２積層体５を成膜する第２成膜工程Ｓ５と、水晶基板２００の第３溝Ａ１２が形成される領域を第３溝形成領域Ｑｍ３とし、第４溝Ａ２２が形成される領域を第４溝形成領域Ｑｍ４としたとき、第２積層体５をパターニングし、素子形成領域Ｑ１の第３溝形成領域Ｑｍ３および第４溝形成領域Ｑｍ４を除く領域上に第３下地膜５１、第４下地膜５２および第２保護膜５３を残し、第３溝形成領域Ｑｍ３に第３下地膜５１および第４下地膜５２を残し、第４溝形成領域Ｑｍ４に第３下地膜５１を残す第２パターニング工程Ｓ６と、第２積層体５を介して水晶基板２００を下面２ｂ側からドライエッチングする第２ドライエッチング工程Ｓ７と、を含む。
このような製造方法によれば、深さの異なる第３溝Ａ１２および第４溝Ａ２２を一括して容易に形成することができる。そのため、振動素子１の製造方法の削減、振動素子１の低コスト化を図ることができる。また、振動基板２の外形形状に対する第３、第４溝Ａ１２、Ａ２２の位置ずれが抑制され、振動基板２の形成精度が高まる。
また、前述したように、振動素子１は、角速度を検出する角速度検出素子であり、第１振動腕Ａ１は、印加される駆動信号に応じて屈曲振動し、第２振動腕Ａ２は、印加される角速度ωｚに応じて屈曲振動する。つまり、第１振動腕Ａ１が駆動振動腕２６、２７、２８、２９であり、第２振動腕Ａ２が検出振動腕２２、２３である。これにより、駆動振動腕２６、２７、２８、２９に形成される第１溝Ａ１１が、検出振動腕２２、２３に形成される第２溝Ａ２１よりも浅くなるため、角速度検出素子の検出感度を高めることができる。
また、前述したように、振動素子１は、基部２１と、基部２１から第１方向であるＹ軸方向の両側に延出する第２振動腕Ａ２である一対の検出振動腕２２、２３と、基部２１からＹ軸方向と交差する第２方向であるＸ軸方向の両側に延出する一対の支持腕２４、２５と、一方の支持腕２４からＹ軸方向の両側に延出する第１振動腕Ａ１である一対の駆動振動腕２６、２７と、他方の支持腕２５からＹ軸方向の両側に延出する第１振動腕Ａ１である一対の駆動振動腕２８、２９と、を有する。このような構成によれば、駆動振動モードにおいて駆動振動腕２６、２７、２８、２９がバランスよく屈曲振動するため、検出振動腕２２、２３に不要な振動が生じ難く、角速度ωｚを精度よく検出することができる。
また、前述したように、第１下地膜４１および第２下地膜４２の少なくとも一方は、金属膜である。特に、本実施形態では、第１下地膜４１および第２下地膜４２が共に金属膜である。これにより、優れたエッチング耐性（高いエッチングレート比）を発揮でき、各膜４１、４２を薄くすることができる。そのため、第１積層体４の成膜に要する時間を短縮でき、振動素子１の製造時間を短縮することができる。また、第１下地膜４１および第２下地膜４２の膜厚を高精度に制御することができる。そのため、第１ドライエッチング工程Ｓ４において第１下地膜４１および第２下地膜４２が除去されるタイミング、つまり、所定時刻Ｔ１、Ｔ２を高精度に制御することができる。そのため、第１溝Ａ１１および第２溝Ａ２１を高精度に形成することができる。
＜第２実施形態＞
図２８ないし図３３は、それぞれ、第２実施形態に係る振動素子の製造方法を説明するための断面図である。
本実施形態に係る振動素子の製造方法は、第１パターニング工程Ｓ３および第２パターニング工程Ｓ６が異なること以外は、前述した第１実施形態の振動素子の製造方法と同様である。そのため、以下の説明では、本実施形態の振動素子の製造方法に関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、本実施形態の各図では、前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。また、第２パターニング工程Ｓ６は、第１パターニング工程Ｓ３と同様であるため、以下では、第１パターニング工程Ｓ３について代表して説明し、第２パターニング工程Ｓ６については、その説明を省略する。
［第１パターニング工程Ｓ３］
まず、図２８に示すように、第１積層体４上に第１レジスト膜Ｒ１を成膜し、フォトリソグラフィー技法を用いてパターニングする。第１レジスト膜Ｒ１は、素子形成領域Ｑ１と重なって形成されている。次に、図２９に示すように、上面２ａ側から第１レジスト膜Ｒ１を介して第１積層体４をエッチングし、第１レジスト膜Ｒ１と重ならない部分を除去する。
次に、図３０に示すように、第２溝形成領域Ｑｍ２上の第１レジスト膜Ｒ１を除去する。次に、図３１に示すように、第１レジスト膜Ｒ１を介して第１積層体４をエッチングし、第２溝形成領域Ｑｍ２上の第１保護膜４３および第２下地膜４２を除去する。次に、図３２に示すように、第１溝形成領域Ｑｍ１上の第１レジスト膜Ｒ１を除去する。次に、図３３に示すように、第１レジスト膜Ｒ１を介して第１積層体４をエッチングし、第１溝形成領域Ｑｍ１上の第１保護膜４３を除去する。以上の工程により、素子形成領域Ｑ１の第１溝形成領域Ｑｍ１および第２溝形成領域Ｑｍ２を除く領域上に第１下地膜４１、第２下地膜４２および第１保護膜４３が残り、第１溝形成領域Ｑｍ１に第１下地膜４１および第２下地膜４２が残り、第２溝形成領域Ｑｍ２に第１下地膜４１が残る第１積層体４が得られる。このような方法によっても、第１積層体４のパターニングを容易に行うことができる。
以上のような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
＜第３実施形態＞
図３４は、第３実施形態に係る振動素子の平面図である。
本実施形態に係る振動素子の製造方法では、製造する振動素子の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態の振動素子の製造方法と同様である。なお、以下の説明では、本実施形態の振動素子の製造方法に関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、本実施形態の各図では、前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
本実施形態の振動素子の製造方法では、図３４に示す振動素子６が製造される。振動素子６は、Ｙ軸まわりの角速度ωｙを検出することができる角速度検出素子である。このような振動素子６は、Ｚカットの水晶基板をパターニングしてなる振動基板７と、振動基板７の表面に成膜されている電極８と、を有する。
また、振動基板７は、板状であり、互いに表裏関係にある第１面としての上面７ａおよび第２面としての下面７ｂを有する。また、振動基板７は、その中央部に位置する基部７１と、基部７１からＹ軸方向プラス側に延出する第２振動腕Ａ２としての一対の検出振動腕７２、７３と、基部７１からＹ軸方向マイナス側に延出する第１振動腕Ａ１としての一対の駆動振動腕７４、７５と、を有する。一対の検出振動腕７２、７３は、Ｘ軸方向に並んで配置され、一対の駆動振動腕７４、７５は、Ｘ軸方向に並んで配置されている。
検出振動腕７２は、上面７ａに形成された第２溝としての有底の溝７２１と、下面７ｂに形成された第４溝としての有底の溝７２２と、を有する。同様に、検出振動腕７３は、上面７ａに形成された第２溝としての有底の溝７３１と、下面７ｂに形成された第４溝としての有底の溝７３２と、を有する。
駆動振動腕７４は、上面７ａに形成された第１溝としての有底の溝７４１と、下面７ｂに形成された第３溝としての有底の溝７４２と、を有する。同様に、駆動振動腕７５は、上面７ａに形成された第１溝としての有底の溝７５１と、下面７ｂに形成された第３溝としての有底の溝７５２と、を有する。
電極８は、第１検出信号電極８１と、第１検出接地電極８２と、第２検出信号電極８３と、第２検出接地電極８４と、駆動信号電極８５と、駆動接地電極８６と、を有する。
このうち、第１検出信号電極８１は、検出振動腕７２の上面７ａおよび下面７ｂに配置されており、第１検出接地電極８２は、検出振動腕７２の両側面に配置されている。また、第２検出信号電極８３は、検出振動腕７３の上面７ａおよび下面７ｂに配置されており、第２検出接地電極８４は、検出振動腕７３の両側面に配置されている。また、駆動信号電極８５は、駆動振動腕７４の上面７ａおよび下面７ｂと、駆動振動腕７５の両側面とに配置されており、駆動接地電極８６は、駆動振動腕７４の両側面と駆動振動腕７５の上面７ａおよび下面７ｂとに配置されている。
以上のような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
以上、本発明の振動素子の製造方法を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、振動素子としては、前述した振動素子１、６に限定されず、例えば、音叉型、双音叉型の振動素子であってもよい。また、振動素子は、角速度検出素子に限定されない。
また、振動素子１は、例えば、図３５および図３６に示すように、第３、第４溝Ａ１２、Ａ２２を省略してもよい。この場合、振動素子１の製造方法は、準備工程Ｓ１と、第１成膜工程Ｓ２と、第１パターニング工程Ｓ３と、第１ドライエッチング工程Ｓ４と、電極形成工程Ｓ８と、を含む。そして、図３７に示すように、第１ドライエッチング工程Ｓ４において、第１、第２溝Ａ１１、Ａ２１が所定深さとなる時刻Ｔ３では、既に除去領域Ｑ２が貫通しているように第１、第２下地膜４１、４２の膜厚を制御すればよい。これにより、振動基板２の外形形状と第１、第２溝Ａ１１、Ａ２１とを一括形成することができる。
１…振動素子、２…振動基板、２００…水晶基板、２ａ…上面、２ｂ…下面、２１…基部、２２…検出振動腕、２２１…溝、２２２…溝、２３…検出振動腕、２３１…溝、２３２…溝、２４…支持腕、２５…支持腕、２６…駆動振動腕、２６１…溝、２６２…溝、２７…駆動振動腕、２７１…溝、２７２…溝、２８…駆動振動腕、２８１…溝、２８２…溝、２９…駆動振動腕、２９１…溝、２９２…溝、３…電極、３１…第１検出信号電極、３２…第１検出接地電極、３３…第２検出信号電極、３４…第２検出接地電極、３５…駆動信号電極、３６…駆動接地電極、４…第１積層体、４１…第１下地膜、４２…第２下地膜、４３…第１保護膜、５…第２積層体、５１…第３下地膜、５２…第４下地膜、５３…第２保護膜、６…振動素子、７…振動基板、７ａ…上面、７ｂ…下面、７１…基部、７２…検出振動腕、７２１…溝、７２２…溝、７３…検出振動腕、７３１…溝、７３２…溝、７４…駆動振動腕、７４１…溝、７４２…溝、７５…駆動振動腕、７５１…溝、７５２…溝、８…電極、８１…第１検出信号電極、８２…第１検出接地電極、８３…第２検出信号電極、８４…第２検出接地電極、８５…駆動信号電極、８６…駆動接地電極、Ａ１…第１振動腕、Ａ１１…第１溝、Ａ１２…第３溝、Ａ２…第２振動腕、Ａ２１…第２溝、Ａ２２…第４溝、ｄ１…深さ、ｄ２…深さ、Ｑ１…素子形成領域、Ｑ２…除去領域、Ｑｍ１…第１溝形成領域、Ｑｍ２…第２溝形成領域、Ｑｍ３…第３溝形成領域、Ｑｍ４…第４溝形成領域、Ｒ１…第１レジスト膜、Ｒ２…第２レジスト膜、Ｓ１…準備工程、Ｓ２…第１成膜工程、Ｓ３…第１パターニング工程、Ｓ４…第１ドライエッチング工程、Ｓ５…第２成膜工程、Ｓ６…第２パターニング工程、Ｓ７…第２ドライエッチング工程、Ｓ８…電極形成工程、ｔ１…厚さ、ｔ２…厚さ、Ｔ１…所定時刻、Ｔ２…所定時刻、Ｔ３…時刻、Ｔ４…所定時刻、Ｔ５…所定時刻、Ｔ６…時刻、ωｙ…角速度、ωｚ…角速度

Claims (6)

  1. 表裏関係にある第１面および第２面を有し、前記第１面に開口する有底の第１溝を有する第１振動腕と、前記第１面に開口する有底の第２溝を有する第２振動腕と、を備える振動素子の製造方法であって、
    前記第１面および前記第２面を有する水晶基板を準備する準備工程と、
    前記第１面に第１下地膜、第２下地膜および第１保護膜を順に重ねて第１積層体を成膜する第１成膜工程と、
    前記水晶基板の前記振動素子が形成される領域を素子形成領域とし、前記第１溝が形成される領域を第１溝形成領域とし、前記第２溝が形成される領域を第２溝形成領域としたとき、前記第１積層体をパターニングし、前記素子形成領域の前記第１溝形成領域および前記第２溝形成領域を除く領域上に前記第１下地膜、前記第２下地膜および前記第１保護膜を残し、前記第１溝形成領域に前記第１下地膜および前記第２下地膜を残し、前記第２溝形成領域に前記第１下地膜を残す第１パターニング工程と、
    前記第１積層体を介して前記水晶基板を前記第１面側からドライエッチングする第１ドライエッチング工程と、を含むことを特徴とする振動素子の製造方法。
  2. 前記第１ドライエッチング工程では、途中で前記第２溝形成領域上の前記第１積層体および前記第１溝形成領域上の前記第１積層体が順に消失し、前記素子形成領域外の除去領域、前記第２溝形成領域および前記第１溝形成領域の順に前記ドライエッチングが開始される請求項１に記載の振動素子の製造方法。
  3. 前記第１下地膜および前記第２下地膜の少なくとも一方は、金属膜である請求項１に記載の振動素子の製造方法。
  4. 前記振動素子は、前記第１振動腕の前記第２面に開口する有底の第３溝と、前記第２振動腕の前記第２面に開口する有底の第４溝と、を有し、
    前記第２面に第３下地膜、第４下地膜および第２保護膜を順に重ねて第２積層体を成膜する第２成膜工程と、
    前記水晶基板の前記第３溝が形成される領域を第３溝形成領域とし、前記第４溝が形成される領域を第４溝形成領域としたとき、前記第２積層体をパターニングし、前記素子形成領域の前記第３溝形成領域および前記第４溝形成領域を除く領域上に前記第３下地膜、前記第４下地膜および前記第２保護膜を残し、前記第３溝形成領域に前記第３下地膜および前記第４下地膜を残し、前記第４溝形成領域に前記第３下地膜を残す第２パターニング工程と、
    前記第２積層体を介して前記水晶基板を前記第２面側からドライエッチングする第２ドライエッチング工程と、を含む請求項１に記載の振動素子の製造方法。
  5. 前記振動素子は、角速度を検出する角速度検出素子であり、
    前記第１振動腕は、印加される駆動信号に応じて屈曲振動し、
    前記第２振動腕は、印加される角速度に応じて屈曲振動する請求項１に記載の振動素子の製造方法。
  6. 前記振動素子は、基部と、前記基部から第１方向の両側に延出する一対の前記第２振動腕と、前記基部から前記第１方向と交差する第２方向の両側に延出する一対の支持腕と、一方の前記支持腕から前記第１方向の両側に延出する一対の前記第１振動腕と、他方の前記支持腕から前記第１方向の両側に延出する一対の前記第１振動腕と、を有する請求項５に記載の振動素子の製造方法。
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