JP2024040759A - 個片フィルムの製造方法及び個片フィルム、並びに表示装置の製造方法及び表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】個片の優れた加工性を得ることができる個片フィルムの製造方法及び個片フィルム、並びに表示装置の製造方法及び表示装置を提供する。【解決手段】基材２１上に設けられた異方性導電膜２２に対して基材２１側からレーザー光を照射し、該照射部分の異方性導電膜２２を除去し（除去部２３）、異方性導電膜２２からなる所定形状の個片を形成する。ここで。異方性導電膜２２の厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下であり、異方性導電膜２２の３０℃における溶融粘度は、２０００Ｐａ・ｓ以上８０００００Ｐａ・ｓ以下であり、異方性導電膜２２中の導電粒子は、異方性導電膜２２の厚み方向における導電粒子の中心位置の平均値に９０％以上存在する。これにより、個片の優れた加工性を得ることができ、タクトタイムを向上させることができる。【選択図】図２

Description

本技術は、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）、接着剤フィルム（ＮＣＦ：Non Conductive Film）等の接続フィルムを個片化する個片フィルムの製造方法、及び個片フィルムに関する。また、個片フィルムを介して発光素子を接続させ、配列させる表示装置の製造方法、及び表示装置に関する。特にミニＬＥＤ（Light Emitting Diode）、マイクロＬＥＤ等のＬＥＤ素子を接続させ、配列させる表示装置の製造方法、及び表示装置に関する。

次世代ディスプレイとして、ミニＬＥＤやマイクロＬＥＤディスプレイの開発が注目を集めている。ミニＬＥＤやマイクロＬＥＤディスプレイは、微小な発光素子を基板上に配列して構成されているため、液晶ディスプレイに必要とされるバックライトを省略可能であり、ディスプレイの薄膜化を図ることができ、また、さらなる広色域化、高精細化、省電力化を図ることができる。

特許文献１には、ＬＥＤをＡＣＦで接合する工法が開示されている。特許文献１に記載の工法では、ＡＣＦを基板の素子搭載面に一括で貼り付けるため、ＡＣＦの接着樹脂及び導電粒子が各ＬＥＤピッチ間に残存してしまう。このため、発光素子アレイに光透過性が求められる場合、光の透過を妨げてしまい、優れた光透過性を得ることができない。また、フィルムを基板全面に設けた場合、不良発生時のリペア工数が増加するといった生産性への悪影響が懸念される。

一方、ＡＣＦをＬＥＤの直下のみに貼り付ける場合、ＡＣＦの接着樹脂及び導電粒子が各ＬＥＤピッチ間に残存することがなく、光の透過を妨げることがないため、光透過性を得ることができる。

しかしながら、ＡＣＦ等の接続フィルムをＬＥＤの直下にのみ貼り付けることは困難である。例えば、接続フィルムの個片を形成した後、個片を基板に貼り付ける場合において、個片の形状が悪い場合、基板又はＬＥＤへの個片の転写性が悪化してしまい、ディスプレイ製造のタクトタイムが悪化してしまう。

米国特許出願公開第２０１５／０２５５５０５号明細書

本技術は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、個片の優れた加工性を得ることができる個片フィルムの製造方法及び個片フィルム、並びに表示装置の製造方法及び表示装置を提供する。

本技術に係る個片フィルムの製造方法は、基材上に設けられた異方性導電膜に対して前記基材側からレーザー光を照射し、該照射部分の異方性導電膜を除去し、前記基材上に異方性導電膜からなる所定形状の個片を形成し、前記異方性導電膜の厚みが、前記異方性導電膜中の導電粒子の粒子径の０．９倍以上８倍以下であり、前記異方性導電膜の３０℃における溶融粘度が、２０００Ｐａ・ｓ以上８０００００Ｐａ・ｓ以下である。

本技術に係る個片フィルムは、異方性導電膜からなる所定形状の個片を有し、前記異方性導電膜の厚みが、前記異方性導電膜中の導電粒子の粒子径の０．９倍以上８倍以下であり、前記異方性導電膜の３０℃における溶融粘度が、２０００Ｐａ・ｓ以上８０００００Ｐａ・ｓ以下である。

本技術に係る表示装置の製造方法は、基材上に設けられた異方性導電膜に対して前記基材側からレーザー光を照射し、該照射部分の異方性導電膜を除去し、前記基材上に異方性導電膜からなる所定形状の個片を形成する形成工程と、前記所定形状の個片を配線基板の所定位置、又は発光素子の電極面に転写させる転写工程と、前記転写された個片を介して、前記発光素子を前記配線基板に実装させる実装工程とを有し、前記異方性導電膜の厚みが、前記異方性導電膜中の導電粒子の粒子径の０．９倍以上８倍以下であり、前記異方性導電膜の３０℃における溶融粘度が、２０００Ｐａ・ｓ以上８０００００Ｐａ・ｓ以下である。

本技術に係る接続構造体の製造方法は、基材上に設けられた異方性導電膜に対して前記基材側からレーザー光を照射し、該照射部分の異方性導電膜を除去し、前記基材上に異方性導電膜からなる所定形状の個片を形成する形成工程と、前記所定形状の個片を第１の電子部品の所定位置に転写させる転写工程と、前記転写された個片を介して、第２の電子部品を前記配線基板に実装させる実装工程とを有し、前記異方性導電膜の厚みが、前記異方性導電膜中の導電粒子の粒子径の０．９倍以上８倍以下であり、前記異方性導電膜の３０℃における溶融粘度が、２０００Ｐａ・ｓ以上８０００００Ｐａ・ｓ以下である。

本技術に係る表示装置は、複数の発光素子と、発光素子を配列する配線基板と、前記複数の発光素子と前記配線基板とを接続させた硬化膜とを備え、前記硬化膜が、異方性導電膜からなる所定形状の個片が硬化してなり、前記異方性導電膜の厚みが、前記異方性導電膜中の導電粒子の粒子径の０．９倍以上８倍以下であり、前記異方性導電膜の３０℃における溶融粘度が、２０００Ｐａ・ｓ以上８０００００Ｐａ・ｓ以下である。

本技術に係る接続構造体は、第１の電子部品と、第２の電子部品と、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを接続させた硬化膜とを備え、前記硬化膜が、異方性導電膜からなる所定形状の個片が硬化してなり、前記異方性導電膜の厚みが、前記異方性導電膜中の導電粒子の粒子径の０．９倍以上８倍以下であり、前記異方性導電膜の３０℃における溶融粘度が、２０００Ｐａ・ｓ以上８０００００Ｐａ・ｓ以下である。

本技術によれば、個片の優れた加工性を得ることができ、タクトタイムを向上させることができる。

図１は、異方性導電膜を模式的に示す断面図であり、図１（Ａ）は、導電粒子が基準値に９０％以上存在し、基準値が基材側に近い状態を示し、図１（Ｂ）は、導電粒子が基準値に９０％以上存在し、基準値が基材の反対側に近い状態を示し、図１（Ｃ）は、導電粒子が厚み方向に分散した状態を示す。 図２は、本実施の形態に係るレーザーリフトオフ装置の一例を模式的に示す図である。 図３は、具体例１として示す個片フィルムの製造方法の一例を説明するための図であり、図３（Ａ）は、基材上に異方性導電膜が形成された異方性導電膜基板を示し、図３（Ｂ）は、第１方向に除去部を剥離させる様子を示し、図３（Ｃ）は、第２方向に除去部を剥離させる様子を示し、図３（Ｄ）は、基材上に異方性導電膜の個片が形成された個片フィルムを示す。 図４（Ｂ）は、マスクの開口を通過したレーザー光の照射の一例を模式的に示す図である。 図５（Ａ）は、個片加工時におけるバリが発生した個片の一例を示す顕微鏡写真であり、図５（Ｂ）は、個片転写時における捲れや欠けが発生した個片の一例を示す顕微鏡写真である。 図６（Ａ）は、開口の窓部内に遮光部を有するマスクの一例を模式的に示す図であり、図６（Ｂ）は、マスクの開口を通過したレーザー光の照射の一例を模式的に示す図である。 図７は、開口の窓部内に複数の遮光部を有するマスクの一例を模式的に示す図である。 図８は、マスクの開口の形状例を模式的に示す図であり、図８（Ａ）は、開口の窓部内に矩形状の遮光部を有するマスクを示し、図８（Ｂ）は、開口の窓部内に正方形状の遮光部を有するマスクを示し、図８（Ｃ）は、開口の窓部内に角が丸い矩形状の遮光部を有するマスクを示し、図８（Ｄ）は、開口の窓部内に円形状の遮光部を有するマスクを示す。 図９は、基材に設けられた異方性導電膜を模式的に示す断面図である。 図１０は、個片フィルムと、配線基板とを対向させた状態を模式的に示す断面図である。 図１１は、基材側からレーザー光を照射し、異方性導電膜の個片を配線基板の所定位置に転写し、配列させた状態を模式的に示す断面図である。 図１２は、配線基板の所定位置に配列した個片上に発光素子を実装させた状態を模式的に示す断面図である。 図１３は、基板側からレーザー光を照射し、異方性導電膜の個片を配線基板上に電極位置で転写し、配列させた状態を模式的に示す断面図である。 図１４は、配線基板に電極単位で配列した個片上に発光素子を実装させた状態を模式的に示す断面図である。 図１６は、基材に設けられた異方性導電膜の個片と、転写基板に配列された発光素子とを対向させた状態を模式的に示す断面図である。 図１６は、基材側からレーザー光を照射し、異方性導電膜の個片を転写基板に配列された発光素子上に転写させた状態を模式的に示す断面図である。 図１７は、個片が転写された発光素子を配線基板上に再転写させる状態を模式的に示す断面図である。 図１８は、実装体の作製方法を模式的に示す図であり、図１８（Ａ）は、個片を準備する工程を示し、図１８（Ｂ）は、基板に個片を転写する工程を示し、図１８（Ｃ）は、μＬＥＤ素子を仮固定する工程を示し、図１８（Ｄ）は、μＬＥＤ素子を圧着させる工程を示す。 図１９は、点灯試験のための評価基板を模式的に示す平面図である。 図２０（Ａ）は、μＬＥＤ素子の電極面を模式的に示す平面図であり、図２０（Ｂ）は、μＬＥＤ素子を評価基板に実装した様子を模式的に示す図である。

以下、本技術の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。
１．個片フィルムの製造方法
２．個片フィルム
３．表示装置の製造方法
４．表示装置
５．実施例

＜１．個片フィルムの製造方法＞
本実施の形態に係る個片フィルムの製造方法は、基材上に設けられた異方性導電膜に対して基材側からレーザー光を照射し、照射部分の異方性導電膜を除去し、基材上に異方性導電膜からなる所定形状の個片を形成する。ここで、異方性導電膜の厚み、及び異方性導電膜の３０℃における溶融粘度を下記範囲とすることにより、個片の優れた加工性を得ることができる。

異方性導電膜の厚みは、好ましくは異方性導電膜中の導電粒子の粒子径の０．９倍以上８倍以下、好ましくは異方性導電膜中の導電粒子の粒子径の１倍以上７倍以下、さらに好ましくは異方性導電膜中の導電粒子の粒子径の１．５倍以上５倍以下である。また、異方性導電膜の厚みは、好ましくは１μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以上６μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上４μｍ以下である。異方性導電膜の厚みを上記範囲とすることにより、レーザー光の照射により千切れ易くなり、マスクの形状通りの形状の個片を得ることができる。異方性導電膜の厚みは、公知のマイクロメータやデジタルシックネスゲージを用いて測定することができ、例えば１０箇所以上を測定し、平均して算出することができる。

異方性導電膜の３０℃における溶融粘度は、好ましくは２０００Ｐａ・ｓ以上８０００００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは５０００Ｐａ・ｓ以上５０００００Ｐａ・ｓ以下、さらに好ましくは１００００Ｐａ・ｓ以上３０００００Ｐａ・ｓ以下である。粘度が低すぎるとレーザー光照射後に個片が縮んでしまい、個片の膜の維持が困難となり、粘度が高すぎると異方性導電膜の膜性が強く、レーザー光照射による除去が困難となる。異方性導電膜の３０℃における溶融粘度は、レオメーターを用いて、例えば測定周波数を１０Ｈｚとして測定することができる。

また、異方性導電膜中の導電粒子は、異方性導電膜の厚み方向における導電粒子の中心位置の平均値に９０％以上存在することが好ましく、９２％以上存在することがより好ましく、９５％以上存在することがさらに好ましい。これにより、アブレーションの程度にムラが生じるのを抑制し、マスクの形状通りの形状の個片を得ることができる。異方性導電膜の厚み方向における導電粒子の中心位置の平均値に対する導電粒子の存在割合は、異方性導電膜の断面を顕微鏡で観察し、導電粒子を測定して算出することができる。例えば異方性導電膜の断面に導電粒子が２００個以上存在する所定範囲の断面を測定対象とし、測定対象の断面の導電粒子の中心位置を測定してその平均値を基準値（基準線）とし、所定範囲内において基準値に導電粒子の外径の一部がかかる（基準線と導電粒子の端部との最短距離が粒子径の０．５倍以下である）導電粒子の割合を求める。ここで、基準線は、フィルム断面におけるフィルム表面の線と略平行と考えてよい。換言すれば、厚み方向における導電粒子の中心位置は、所定範囲の基準線に対する導電粒子の存在割合である。

図１は、異方性導電膜を模式的に示す断面図であり、図１（Ａ）は、導電粒子が基準値に９０％以上存在し、基準値が基材側に近い状態を示し、図１（Ｂ）は、導電粒子が基準値に９０％以上存在し、基準値が基材の反対側に近い状態を示し、図１（Ｃ）は、導電粒子が厚み方向に分散した状態を示す。

図１（Ａ）～図１（Ｃ）に示すように、異方性導電膜２Ａ～２Ｃは、基材１上に設けられる。基材１は、レーザー光に対して透過性を有するものであればよく、中でも全波長に亘って高い光透過率を有する石英ガラスであることが好ましい。

図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、異方性導電膜２Ａ、２Bは、導電粒子３が基準値（基準線Ｌ１、Ｌ２）に９０％以上存在することが好ましい。これにより、バリ・欠け・縮み・伸びなどの発生を抑制し、マスクの形状通りの形状の個片を得ることができる。一方、図１（Ｃ）に示すように、導電粒子３が厚み方向に分散し、基準値（基準線Ｌ３）に存在する導電粒子３が９０％未満である異方性導電膜２Cの場合、レーザー光の照射による剥離の際にアブレーションの程度にムラが生じてしまい、マスクの形状通りの形状の個片を得ることが困難となる場合がある。

［異方性導電膜］
異方性導電膜のバインダーは、熱、光などのエネルギーにより硬化するものであれば、特に限定されるものではなく、例えば、熱硬化型バインダー、光硬化型バインダー、熱・光併用硬化型バインダーなどから適宜選択することができる。

熱硬化型バインダーとしては、例えば、エポキシ化合物と熱アニオン重合開始剤とを含む熱アニオン重合型樹脂組成物、エポキシ化合物と熱カチオン重合開始剤とを含む熱カチオン重合型樹脂組成物、（メタ）アクリレート化合物と熱ラジカル重合開始剤とを含む熱ラジカル重合型樹脂組成物などが挙げられる。光硬化型バインダーとしては、例えば、エポキシ化合物と光カチオン重合開始剤とを含む光カチオン重合型樹脂組成物、（メタ）アクリレート化合物と光ラジカル重合開始剤とを含む光ラジカル重合型樹脂組成物などが挙げられる。熱・光併用硬化型バインダーとしては、熱硬化型バインダーと光硬化型バインダーとの混合物などが挙げられる。なお、（メタ）アクリレート化合物とは、アクリルモノマー（オリゴマー）、及びメタクリルモノマー（オリゴマー）のいずれも含む意味である。

（熱カチオン重合型樹脂組成物）
以下では、熱硬化型バインダーの具体例として、膜形成樹脂と、エポキシ化合物と、熱カチオン重合開始剤とを含む熱カチオン重合型樹脂組成物を例に挙げて説明する。

膜形成樹脂としては、例えば平均分子量が１００００以上の高分子量樹脂に相当し、フィルム形成性の観点から、１００００～８００００程度の平均分子量であることが好ましい。膜形成樹脂としては、ブチラール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の種々の樹脂が挙げられ、これらは単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からブチラール樹脂を用いることが好ましい。膜形成樹脂の含有量は、熱硬化型バインダー１００質量部に対し、好ましくは２０～７０質量部、より好ましくは３０～６０質量部以下、さらに好ましくは４５～５５質量部である。

エポキシ化合物は、分子内に１つ以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物であれば、特に限定されるものではなく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等であってもよく、ウレタン変性のエポキシ樹脂であっても構わない。これらの中でも、水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテルを好ましく用いることができる。水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテルの具体例としては、例えば三菱ケミカル社製の商品名「ＹＸ８０００」を挙げることができる。エポキシ化合物の含有量は、熱硬化型バインダー１００質量部に対し、好ましくは３０～６０質量部、より好ましくは３５～５５質量部以下、さらに好ましくは３５～４５質量部である。

熱カチオン重合開始剤としては、エポキシ化合物の熱カチオン重合開始剤として公知のものを採用することができ、例えば、熱により、カチオン重合型化合物をカチオン重合させ得る酸を発生するものであり、公知のヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、フェロセン類等を用いることができる。これらの中でも、温度に対して良好な潜在性を示す芳香族スルホニウム塩を好ましく使用することができる。芳香族スルホニウム塩系の重合開始剤の具体例としては、例えば三新化学工業株式会社製の商品名「ＳＩ－６０Ｌ」を挙げることができる。熱カチオン重合開始剤の含有量は、熱硬化型バインダー１００質量部に対し、好ましくは１～２０質量部、より好ましくは５～１５質量部以下、さらに好ましくは８～１２質量部である。

なお、熱硬化型バインダーに配合する他の添加物として、必要に応じて、ゴム成分、無機フィラー、シランカップリング剤、希釈用モノマー、充填剤、軟化剤、着色剤、難燃化剤、チキソトロピック剤などを配合してもよい。

ゴム成分は、クッション性（衝撃吸収性）の高いエラストマーであれば特に限定されるものではなく、具体例として、例えば、アクリルゴム、シリコーンゴム、ブタジエンゴム、ポリウレタン樹脂（ポリウレタン系エラストマー）などを挙げることができる。無機フィラーとしては、シリカ、タルク、酸化チタン、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム等を用いることができる。無機フィラーは、単独でも２種類以上を併用してもよい。

このような構成からなる熱硬化型バインダーにより、レーザー光により個片を形成する際の硬化反応を抑制することができ、熱圧着の際には熱により速硬化させることができる。

（導電粒子）
導電粒子としては、公知の異方性導電フィルムにおいて使用されているものを適宜選択して使用することができる。例えば、ニッケル（融点 １４５５℃）、銅（融点 １０８５℃）、銀（融点 ９６１．８℃）、金（融点 １０６４℃）、パラジウム（融点 １５５５℃）、錫（融点 ２３１．９℃）、ホウ化ニッケル（融点 １２３０℃）、ルテニウム（融点 ２３３４℃）、錫合金であるはんだ等の金属粒子が挙げられる。また、例えば、金属粒子の表面をニッケル、銅、銀、金、パラジウム、錫、ホウ化ニッケル、ルテニウムなどの金属で被覆された金属被覆金属粒子などが挙げられる。また、例えば、ポリアミド、ポリベンゾグアナミン、スチレン及びジビニルベンゼンから選ばれる少なくとも１種のモノマーをモノマー単位として含むポリマー等の樹脂粒子の表面をニッケル、銅、銀、金、パラジウム、錫、ホウ化ニッケル、ルテニウムなどの金属で被覆した金属被覆樹脂粒子が挙げられる。また、例えば、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア、カーボンブラック、ケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、鉛ガラス、ソーダ石灰ガラス及びアルミナシリケートガラス等の無機粒子の表面をニッケル、銅、銀、金、パラジウム、錫、ホウ化ニッケル、ルテニウムなどの金属で被覆した金属被覆無機粒子などが挙げられる。また、金属被覆樹脂粒子及び金属被覆無機粒子の被覆金属層は、単層でもよいし異種金属の複層であってもよい。

また、これらの導電粒子を、例えば、樹脂層や、樹脂粒子、無機粒子等の絶縁性粒子にて被覆することにより絶縁被覆処理を施してもよい。なお、導電粒子の粒子径は、絶縁被覆処理の部分を含まない。導電粒子の粒子径は、実装される光学素子、配線基板の電極、バンプの面積などにより適宜変更されるが、１～３０μｍであることが好ましく、１～１０μｍであることがより好ましく、１～３μｍであることが特に好ましい。例えば、マイクロＬＥＤ素子の実装に使用される場合、電極やバンプの面積が小さいため、導電粒子の粒子径は、１～３μｍであることが好ましく、１～２．５μｍであることがより好ましく、１～２．２μｍであることが特に好ましい。粒子径は、顕微鏡観察（光学顕微鏡、金属顕微鏡、電子顕微鏡など）で２００個以上を計測し、その平均値とすることができる。

また、導電粒子が前述した樹脂粒子又は無機粒子に金属を被覆した金属被覆樹脂粒子又は金属被覆無機粒子である場合、金属の被覆厚みは、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、さらに好ましくは０．３μｍ以下である。この被覆厚みは、金属被覆が複層である場合、金属被覆全体の厚みである。金属の被覆厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、十分な導電性が得られやすく、また導電粒子が硬くなりすぎずに、前述した樹脂粒子や無機粒子の特性を活かしやすい。

金属の被覆厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、導電粒子の断面を観察することにより測定できる。上記被覆厚みについては、任意の被覆厚み５箇所の平均値を１個の導電粒子の被覆厚みとして算出することが好ましく、被覆部全体の厚みの平均値を１個の導電粒子の被覆厚みとして算出することがより好ましい。上記被覆厚みは、任意の導電粒子１０個について、各導電粒子の被覆厚みの平均値を算出することにより求めることが好ましい。

また、導電粒子の形状としては、球状、楕円体状、スパイク状、不定形状等の形状が挙げられる。これらの中でも、粒子径や粒度分布の制御が容易であることから球状の形状である導電粒子が好ましい。また、導電粒子は、接続性を向上させるために、表面に突起を有していてもよい。

異方性導電膜は、導電粒子が面方向に整列されていることが好ましい。導電粒子が面方向に整列していることにより、粒子面密度が均一となり、導通性及び絶縁性を向上させることができる。導電粒子が面方向に整列されている状態とは、例えば、導電粒子が所定ピッチで所定方向に配置されている配列軸を１以上有する平面格子パターンが挙げられ、斜方格子、六方格子、正方格子、矩形格子、平行体格子などが挙げられる。導電粒子が面方向に整列されているとは、膜の平面視で導電粒子が配列していると言い変えてもよい。また、導電粒子の面方向の配列は、ランダムであってもよく、平面格子パターンが異なる複数の領域を有していてもよい。

異方性導電膜の粒子面密度は、接続対象の電極サイズに応じて適宜設計でき、粒子面密度の下限は、５００個／ｍｍ^２以上、２００００個／ｍｍ^２以上、４００００個／ｍｍ^２以上、５００００個／ｍｍ^２以上とすることができ、粒子面密度の上限は、１５０００００個／ｍｍ^２以下、１００００００個／ｍｍ^２以下、５０００００個／ｍｍ^２以下、１０００００個／ｍｍ^２以下とすることができる。これにより、接続対象の電極サイズが小さい場合でも、優れた導通性及び絶縁性を得ることができる。異方性導電膜の粒子面密度は、製造時にフィルム化した際の導電粒子の配列部分のものである。複数の個片から粒子個数密度を求める場合は、個片とスペースを含めた面積から個片間のスペースを除いた面積と粒子数とから粒子面密度を求めることができる。

異方性導電膜は、フィルム状にすることで、基材に異方性導電膜を設けることが容易となる。取り扱い性の観点からは、異方性導電膜の片面又は両面にポリエチレンテレフタレートフィルム等の離型性フィルムを設けたものであってもよい。また、異方性導電膜は、導電粒子を含有していない接着剤層や粘着剤層を積層してもよく、その層数や積層面は、対象や目的に合わせて適宜選択することができる。

異方性導電膜を製造する方法としては、例えば、基材上に異方性導電接着剤の溶液を塗布、乾燥する方法や、基材上に導電粒子を含まない接着層を形成し、得られた接着層に導電粒子を固定する方法などが挙げられる。

［レーザーリフトオフ装置］
レーザー光の照射により所定形状の個片を形成する装置として、例えば、レーザーリフトオフ（ＬＬＯ：Laser Lift Off）装置を用いることができる。レーザーリフトオフ装置は、基材上に形成された材料層に対してレーザー光を照射し、基材から材料層を剥離するものであり、レーザーリフトオフ装置として、例えば信越化学工業（株）製、商品名「Invisi LUM-XTR」などを挙げることができる。

図２は、本実施の形態に係るレーザーリフトオフ装置の一例を模式的に示す図である。図２に示すように、レーザーリフトオフ装置１０は、レーザー光の光軸を走査するレーザースキャナ１１と、所定のピッチにて所定の形状の開口が複数配列されたマスク１２と、レーザー光をドナー基板に縮小投影する投影レンズ１３と、ドナー基板を保持するドナーステージと、レセプター基板を保持するレセプターステージとを備える。個片フィルムの形成では、基材２１上に異方性導電膜２２が形成された異方性導電膜基板２０をドナー基板としてドナーステージに保持し、レセプター基板で異方性導電膜基板２０から分離された異方性導電膜の除去部２３を受け止める。

レーザー装置としては、例えば波長１８０ｎｍ～３６０ｎｍのレーザー光を発振するエキシマレーザーを用いることができる。エキシマレーザーの発振波長は、例えば１９３、２４８、３０８、３５１ｎｍであり、これらの発振波長の中から異方性導電膜２２の材料の光吸収性に応じて好適に選択することができる。また、基材２１と異方性導電膜２２との間にリリース材を設けた場合、リリース材の材料の光吸収性に応じて好適に選択することができる。

レーザースキャナ１１は、例えば２軸のガルバノスキャナーで構成されたスキャニングミラーを有し、マスク１２上の開口に向けて、レーザー光の光軸をＸ軸方向及びＹ軸方向に走査するとともに、レーザー光のパルス照射を制御する。

マスク１２は、基材２１と異方性導電膜２２との境界面におけるレーザー光の照射が所定の形状となるように、所定ピッチで所定サイズの窓の配列のパターンが形成されている。マスクには、例えばクロムメッキにてパターンが施され、クロムメッキが施されていない窓部分はレーザー光を透過し、クロムメッキが施されている部分はレーザー光を遮断する。

投影レンズ１３は、マスク１２のパターンを通過したレーザー光をドナー基板に投影する。また、ドナーステージは、少なくともＸ軸及びＹ軸に移動させる移動機構を有し、ドナー基板のレーザー光の照射位置を移動させる。

レーザーリフトオフ装置１０は、レーザースキャナ１１と、マスク１２と、レーザースキャナ１１とマスク１２との間に配置されたフィールドレンズ、少なくとも像側がテレセントリックな縮小投影レンズ１３を含む構成からなる走査型縮小投影光学系を構成する。

レーザー装置からの出射光は、テレスコープ光学系に入射し、その先のレーザースキャナ１１へと伝搬する。レーザースキャナ１１に入射する直前におけるレーザー光は、ドナーステージのＸ軸及びＹ軸の移動範囲内のいずれの位置においても、概ね平行光となるようテレスコープ光学系により調整され、レーザースキャナ１１に対し、概ね同一サイズ、同一角度（垂直）により入射する。

レーザースキャナ１１を通過したレーザー光は、フィールドレンズを経てマスク１２に入射し、マスク１２のパターンを通過したレーザー光は、投影レンズ１３に入射する。投影レンズ１３から出射されたレーザー光は、基材２１側から入射し、基材２１と異方性導電膜２２との境界面の所定の位置に対し、マスク１２の開口の形状で正確に投影される。

基材２１と異方性導電膜２２との境界面で結像されるレーザー光のパルスエネルギーは、好ましくは０．００１～２Ｊ、より好ましくは０．０１～１．５Ｊであり、さらに好ましくは０．１～１Ｊである。フルーエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）は、好ましくは０．００１～２Ｊ／ｃｍ^２であり、より好ましくは０．０１～１Ｊ／ｃｍ^２であり、さらに好ましくは０．０５～０．５Ｊ／ｃｍ^２である。パルス幅（照射時間）は、好ましくは０．０１～１×１０^９ピコ秒であり、より好ましくは０．１～１×１０^７ピコ秒であり、さらに好ましくは１～１×１０^５ピコ秒である。パルス周波数は、好ましくは０．１～１００００Ｈｚ、より好ましくは１～１０００Ｈｚ、さらに好ましくは１～１００Ｈｚである。照射パルス数は、好ましくは１～３０，０００，０００である。

このようなレーザーリフトオフ装置を用いることにより、基材２１と異方性導電膜２２との境界面に衝撃波を発生させ、基材２１から異方性導電膜２２の除去部２３を剥離させ、基材２１上の残存部により所定形状の個片を高精度及び高効率に形成することができ、優れた加工性を得ることができる。また、所定形状の個片は、レーザー光の照射による影響が小さいため、個片の反応率を２５％以下、好ましくは２０％以下、さらに好ましくは１５％以下とすることができ、優れた転写性を得ることができる。

なお、レーザー照射前の硬化性樹脂膜やレーザー照射後に得られた個片の反応率の測定は、例えばＦＴ－ＩＲを用いて反応基の減少率により求めることができる。個片が小さい場合は、個片を打ちぬいた膜の端部から反応率を測定してもよい。また、レーザー照射前の個片の反応率の測定は、例えば冷蔵庫から取り出して室温で８時間以内にすることが好ましく、レーザー照射後の個片の反応率の測定は、レーザー照射後室温で８時間以内にすることが好ましい。

エポキシ化合物の反応を利用した硬化性樹脂膜の場合は、例えば次のように試料を作製し、ＦＴ－ＩＲを用いて反応率を測定することができる。先ず、硬化した個片を先端が鋭利なペン型カッターを用いてサンプリングする。次に、サンプリングした個片試料をダイヤモンド・セル上に乗せ、ダイヤモンド・セル上で薄く平らにし、サンプルホルダーに取り付け装置本体にセットする。

なお、本測定に使用したダイヤモンド・セルは２枚１組になっており、試料を２枚のセル板に挟んで締め付け押し潰す。その後、試料が付いているセル板１枚を用いて測定する。測定する際に必要となる試料量は極微量である。試料量が多すぎると、試料を薄く押しつぶすことができないため、試料膜厚の厚い状態での測定になる。その結果、ベースラインが下がったり、傾いたり、またピークが飽和してしまい、スペクトルの解析を困難にする。したがって、試料量については，ダイヤモンド・セル上で薄く調整できる程度（例えば、１０μｍ以下の膜厚に押しつぶすことができる程度）の量をサンプリングすることが好ましい。

検出器は、冷却させておくことで感度が大きく向上するため、予め測定前に液体窒素を用いて検出器を３０ｍｉｎ程度冷却させる。また、ＦＴ－ＩＲの測定条件は、例えば、下記のように設定する。
測定方式：透過式
測定温度：２５℃
測定湿度：６０％以下
測定時間：１２ｓｅｃ
検出器のスペクトル領域範囲：４０００～７００ｃｍ^－１

そして、ダイヤモンド・セルを赤外顕微鏡にセッティングし、バックグラウンド測定を実施する。バックグラウンド測定位置は、試料測定位置のなるべく近くにすることで良好なベースラインを得やすくなる。次いで、試料に赤外線を照射させてＩＲスペクトルを得る。ＩＲスペクトルのメチル基（２９３０ｃｍ^－１付近）及びエポキシ基（９１４ｃｍ^－１付近）のピーク高さを測定し、下記式のように、メチル基のピーク高さに対するエポキシ基のピーク高さの反応前後（例えばレーザー照射前後）の比率で算出することができる。
反応率（％）＝｛１－（ａ／ｂ）／（Ａ／Ｂ）｝×１００
上記式において、Ａは反応前のエポキシ基のピーク高さ、Ｂは反応前のメチル基のピーク高さ、ａは反応後のエポキシ基のピーク高さ、ｂは反応後のメチル基のピーク高さである。なお、エポキシ基のピークに他のピークが重なる場合は、完全硬化（反応率１００％）させたサンプルのピーク高さを０％とすればよい。

また、（メタ）アクリレート化合物の反応を利用した硬化性樹脂膜の場合は、エポキシ化合物と同様に、例えば赤外吸収スペクトルのメチル基（２９３０ｃｍ^－１付近）及び（メタ）アクリロイル基（１６３５ｃｍ^－１付近）のピーク高さを測定し、メチル基のピーク高さに対する（メタ）アクリロイル基のピーク高さの反応前後の比率で算出することができる。

また、（メタ）アクリロイル基のピーク高さが小さい、または脂環式エポキシ基やオキセタニル基を有する場合は、例えば次のように試料を作製し、ＨＰＬＣ（High Performance Liquid Chromatography）により反応率を求めてもよい。先ず、硬化した個片を先端が鋭利なペン型カッターを用いてサンプリングする。次に、サンプル重量を０．０１５ｍｇ以上採取した後、バイアル瓶に入れて抽出溶媒のアセトニトリルを加える。抽出溶媒量は０.０２５-０.２５％の範囲で任意の濃度を決め計算する。そして、バイアル瓶を測定装置本体にセットし例えば下記測定条件でＨＰＬＣの測定を行う。
抽出：ＡＣＮ ０.０２５-０.２５％
機器：ＵＰＬＣ（Ｗａｔｅｒｓ社製）
グラジェント条件：Ａ６０Ｂ４０（１分保持）→５分後にＡ１Ｂ９９（６分保持）
※Ａは水/アセニト＝９：１、Ｂはアセトニトリル
流量：０.４ｍＬ/ｍｉｎ
カラム：１０ｃｍ
測定温度：４０℃
注入量：５μＬ

ＨＰＬＣで得られたクロマトグラムから反応前後（レーザー照射前後）の反応性成分の減衰率より下記式のように個片の反応率を算出することができる。
反応率（％）＝｛１－ｃ／Ｃ｝×１００
上記式において、Ｃは反応前の反応性成分のピーク高さ又は面積、ｃは反応後の反応性成分のピーク高さ又は面積である。

［具体例１］
具体例１として示す個片フィルムの製造方法は、開口の窓部が四角形状であるマスクを用い、基材から異方性導電膜の不要部分を剥離し、異方性導電膜の残存部分で四角形状の個片を構成する。

図３は、具体例１として示す個片フィルムの製造方法の一例を説明するための図であり、図３（Ａ）は、基材上に異方性導電膜が形成された異方性導電膜基板を示し、図３（Ｂ）は、第１方向に除去部を剥離させる様子を示し、図３（Ｃ）は、第２方向に除去部を剥離させる様子を示し、図３（Ｄ）は、基材上に異方性導電膜の個片が形成された個片フィルムを示す。また、図４（Ａ）は、開口の窓部が四角形状であるマスクの一例を模式的に示す図であり、図４（Ｂ）は、マスクの開口を通過したレーザー光の照射の一例を模式的に示す図である。なお、図３及び図４では、マスクの開口を１つとしているが、所定のピッチにて開口が複数配列されていることが望ましい。

先ず、図３（Ａ）に示すように、基材３１上に異方性導電膜３２が形成された異方性導電膜基板３０を準備する。次に、図３（Ｂ）及び図４（Ｂ）に示すように、異方性導電膜基板３０を反転させ、基材３１側からレーザー光を照射し、マスクの開口の四角形状の窓部を通過したレーザー光により、異方性導電膜３２の四角形状の除去部３３を剥離させる。そして、図４（Ｂ）に示すように、四角形状の除去部３３の範囲を第１の方向Ｄ１に移動させ、マスクの第１の方向Ｄ１を長手方向とし、第１の方向Ｄ１に直交する第２の方向Ｄ２を短手方向とする異方性導電膜を形成する。

続いて、図３（Ｃ）及び図４（Ｂ）に示すように、第１の方向Ｄ１を長手方向とし、第１の方向Ｄ１に直交する第２の方向Ｄ２を短手方向とする異方性導電膜に対して、四角形状の除去部３３の範囲を第２の方向Ｄ２に移動させる。これにより、図３（Ｄ）に示すように、第１の方向Ｄ１に所定幅、及び第２の方向Ｄ２に所定幅を有する四角形状の個片３４を形成することができる。

四角形状の除去部３３の範囲を第１の方向又は第２の方向に移動させる際、四角形状の除去部３３の範囲をオーバーラップさせることが好ましい。これにより、個片加工時におけるバリの発生を抑制し、個片転写時における捲れや欠けを抑制することができる。

図５（Ａ）は、個片加工時におけるバリが発生した個片の一例を示す顕微鏡写真であり、図５（Ｂ）は、個片転写時における捲れや欠けが発生した個片の一例を示す顕微鏡写真である。除去部の範囲を移動させる場合において、除去部の範囲の重複が不十分である場合、図５（Ａ）に示すように、隣接する除去部の範囲の境界においてバリが発生した個片４１が形成されることがある。バリが発生した個片４１は、正確な位置に転写することが困難となり、図５（Ｂ）に示すように捲れが発生した個片４２や欠けが発生した個片４３となり、転写成功率が低下してしまう。

［具体例２］
具体例２として示す個片フィルムの製造方法は、開口の窓部内に所定形状の遮光部が形成されたマスクを用い、基材から個片周囲の異方性導電膜の不要部分を剥離し、異方性導電膜の残存部分で所定形状の個片を構成する。

図６（Ａ）は、開口の窓部内に遮光部を有するマスクの一例を模式的に示す図であり、図６（Ｂ）は、マスクの開口を通過したレーザー光の照射の一例を模式的に示す図である。なお、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）では、マスクの開口を１つとしているが、所定のピッチにて開口が複数配列されていることが望ましい。

先ず、具体例１と同様、基材上に異方性導電膜が形成された異方性導電膜基板を準備し、異方性導電膜基板を反転させ、基材側からレーザー光を照射し、マスクの開口を通過したレーザー光により、異方性導電膜の除去部を剥離させる。図６（Ａ）に示すように、マスクの開口は、四角形状の窓部内の中心に四角形状の遮光部５１を有するため、除去部は、四角形状の中心に四角形状の穴を有するドーナツ状となる。そして、図６（Ｂ）に示すように、四角形状の除去部の範囲を第１の方向及び第１の方向に直交する第２の方向に移動させ、第１の方向に所定幅、及び第２の方向に所定幅を有する四角形状の個片５２を形成する。

具体例２として示す個片フィルムの製造方法によれば、マスクの開口の窓部内に個片５２を形成するための遮光部５１を有するため、個片５２の周囲の異方性導電膜を確実に除去することができる。このため、個片加工時におけるバリの発生を防止することができ、個片転写時における捲れや欠けを抑制することができる。

図７は、開口の窓部内に複数の遮光部を有するマスクの一例を模式的に示す図である。前述した図６（Ａ）及び図６（Ｂ）では、マスクの開口の窓内に遮光部を１つとしているが、例えば、図７に示すように、遮光部５３が開口の窓部内にＸ軸方向に所定のピッチ及びＹ軸の方向に所定のピッチで複数形成されていてもよい。窓部の大きさ（Ｗ１×Ｗ２）は、マスクの大きさやレーザー光照射の有効範囲の最大値に基づいて決めることができる。このようなマスクを用いることにより、レーザー光の１度の照射で複数の個片を形成することができる。

［開口の形状例］
図８は、マスクの開口の形状例を模式的に示す図であり、図８（Ａ）は、開口の窓部内に矩形状の遮光部を有するマスクを示し、図８（Ｂ）は、開口の窓部内に正方形状の遮光部を有するマスクを示し、図８（Ｃ）は、開口の窓部内に角が丸い矩形状の遮光部を有するマスクを示し、図８（Ｄ）は、開口の窓部内に円形状の遮光部を有するマスクを示す。

マスクの開口は、図８（Ａ）に示すように開口の窓部内に矩形状の遮光部５４Ａを有してもよく、図８（Ｂ）に示すように正方形状の遮光部５４Ｂを有してもよく、図８（Ｃ）に示すように角が丸い矩形状の遮光部５４Ｃを有してもよく、図８（Ｄ）に示すように円形状の遮光部５４Ｄを有してもよい。これにより、遮光部の形状を投影した、矩形、正方形、角が丸い矩形、円形の個片を得ることができる。また、個片の加工性、及びＬＬＯによる転写の観点からは、遮光部の形状は、例えば、鈍角（９０°より大きく１８０°よりも小さい角）からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、円などであることが好ましい。遮光部の形状に鋭角の角がある場合、個片の加工性が悪化し、また、個片のＬＬＯによる転写時に個片の捲れや欠けが発生する頻度が高くなる。

＜２．個片フィルム＞
本実施の形態に係る個片フィルムは、前述した個片フィルムの製造方法により得ることができる。すなわち、個片フィルムは、基材と、異方性導電膜からなる所定形状の個片とを備える。ここで、異方性導電膜の厚み、異方性導電膜の３０℃における溶融粘度、及び基準値に対する導電粒子の存在割合は、前述した範囲である。

個片の形状は、前述したように、ＬＬＯによる個片転写時における捲れや欠けの発生を抑制するため、鈍角からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、及び円から選択される少なくとも１種であることが好ましい。また、基材は、前述したように、レーザー光に対して透過性を有するものであればよく、中でも全波長に亘って高い光透過率を有する石英ガラスであることが好ましい。

個片の寸法（縦×横）は、接続対象である電子部品の寸法に応じて適宜設定され、電子部品の面積に対する個片の面積の比は、特に制限はない。大きすぎると接続に関与しないフィルムが相対的に広くなり、構造体の光学特性に影響する懸念があるため、電子部品の面積に対する個片の面積の比の上限は、５．０以下、好ましくは４．０以下、より好ましくは３．２以下、更により好ましくは２．４以下である。また、小さくなりすぎると、マイクロＬＥＤの着弾精度の許容範囲が狭くなり生産性の悪化が懸念されるため、電子部品の面積に対する個片の面積の比の下限は、０．５以上、好ましくは０．８以上、更に好ましくは１．２以上である。これらの比は、構造体の目的に合わせて適宜設計できる。また、個片の厚みは、異方性導電膜の厚みと同様、好ましくは１μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以上６μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上４μｍ以下である。個片の厚みは、公知のマイクロメータやデジタルシックネスゲージ、レーザー変位計を用いて測定することができ、例えば１０箇所以上を測定し、平均して算出することができる。個片の寸法は、全て同じあることが好ましいが、接続構造体の設計自由度を高めるため、複数種類存在してもよい。

また、基材上の個片間の距離は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上である。また、個片間の距離の上限は、好ましくは３０００μｍ以下、より好ましくは１０００μｍ以下、さらに好ましくは５００μｍ以下である。個片間の距離が小さ過ぎる場合、個片の転写が困難となり、個片間の距離が大き過ぎる場合、個片を貼り付ける方法が好ましくなる。個片間の距離は、顕微鏡観察（光学顕微鏡、金属顕微鏡、電子顕微鏡など）を用いて計測することができる。

＜３．表示装置の製造方法＞
本実施の形態に係る表示装置の製造方法は、基材上に設けられた異方性導電膜に対して基材側からレーザー光を照射し、該照射部分の異方性導電膜を除去し、基材上に異方性導電膜からなる所定形状の個片を形成する形成工程と、所定形状の個片を配線基板の所定位置、又は発光素子の電極面に転写させる転写工程と、転写された個片を介して、発光素子を配線基板に実装させる実装工程とを有する。これにより、個片の優れた加工性を得ることができ、タクトタイムの短縮化を図ることができる。

個片の形状は、配線基板及び発光素子の電極の形状に対応して形成されており、前述したように、個片の加工性、及びＬＬＯによる個片転写時における捲れや欠けの発生を抑制するため、鈍角からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、円から選択される少なくとも１種であることが好ましい。

個片は、１画素単位（例えばＲＧＢ１組の１ピクセル単位）、すなわち複数発光素子単位で配列させてもよく、１画素を構成するサブピクセル単位（例えば任意のＲＧＢ単位）、すなわち発光素子単位で配列させてもよい。これにより、高いＰＰＩ（Pixels Per Inch）の発光素子アレイから低いＰＰＩの発光素子アレイまで対応することができる。また、例えばＲＧＢを１ピクセルとする場合、３サブピクセルを１組、もしくはＲＧＢの冗長回路３サブピクセルを含む計６サブピクセルを１組として配列されるため、個片は、１組６サブピクセル単位で配列させてもよい。

また、個片は、例えば発光素子のｐ側の第１導電型電極又はｎ側の第２導電型電極に対応する電極単位で配列させてもよい。また、個片は、生産性を上げるため、透明性を損なわない範囲、例えば１ｍｍ×１ｍｍを単位で配列させてもよい。

また、形成工程において、異方性導電膜の不要部を効率よく除去するために、異方性導電膜に前処理を行ってもよい。前処理としては、例えば、発光素子単位や電極単位の個片形状の切り込み、複数の縦方向の切り込み及び複数の横方向の切り込みが交差した格子状の切り込みなどが挙げられる。切り込みは、機械的方法、化学的方法、レーザーなどを用いて設けることができる。なお、切り込みは、基材に達するまで深くなくてもよく、ハーフカットでもよい。これにより、個片のめくれの発生を抑制することができる。

また、転写工程における個片の転写方法は、特に限定されるものではないが、例えば前述したレーザーリフトオフ法（ＬＬＯ法）により個片を基材から配線基板又は発光素子に直接転写、配置する方法や、個片を予め密着させた転写材（スタンプ材）を用いて転写材から配線基板又は発光素子に転写、配置する方法が挙げられる。

また、実装工程における発光素子の配置方法は、特に限定されるものではないが、例えば前述したレーザーリフトオフ法（ＬＬＯ法）により発光素子を配線基板に配置する方法や、発光素子を予め密着させた転写材（スタンプ材）を用いて転写材から配線基板に配置する方法が挙げられる。

［第１の実施の形態］
第１の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、レーザーリフトオフ装置を用いて、レーザー光の照射部分の異方性導電膜を除去し、基材上に異方性導電膜からなる所定形状の個片を形成する形成工程（Ａ１）と、レーザーリフトオフ装置を用いて、所定形状の個片を配線基板の所定位置に転写させる転写工程（Ｂ１）と、レーザーリフトオフ装置を用いて、発光素子を配線基板の所定位置に配列し、発光素子を配線基板に実装させる実装工程（Ｃ１）とを有する。

以下、図９～図１２を参照して、所定形状の個片を形成する形成工程（Ａ１）、所定形状の個片を転写させる転写工程（Ｂ１）、及び、発光素子を配線基板に実装する実装工程（Ｃ１）について説明する。

［形成工程（Ａ１）］
形成工程（Ａ１）では、基材上に設けられた異方性導電膜を準備し、前述したレーザーリフトオフ装置を用いて、基材側からレーザー光を照射し、前述したマスクの開口を通過したレーザー光により、異方性導電膜の除去部を剥離させ、個片を形成する。個片の形成方法は、前述した個片フィルムの製造方法と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。

図９は、基材に設けられた異方性導電膜を模式的に示す断面図である。図９に示すように、異方性導電膜基板は、基材６１と、導電粒子６３を含有する異方性導電膜とを備え、基材６１に異方性導電膜６２が設けられる。基材６１及び異方性導電膜６２は、前述した基材３１及び異方性導電膜３２と同様であるため、ここでは説明を省略する。

また、アブレーション耐性を高める観点から、導電粒子６３は、融点が１４００℃以上である金属を含むことが好ましい。入手容易性の観点から、金属の融点の上限は、３５００℃程度であることが好ましい。また、入手容易性の観点から、導電粒子６３を構成する金属は、ニッケル、パラジウム又はルテニウムを含むことが好ましい。

また、導電粒子６３として、前述した樹脂粒子の表面を金属で被覆した金属被覆樹脂粒子、又は、無機粒子の表面を金属で被覆した金属被覆無機粒子を使用する場合、樹脂粒子や無機粒子へのアブレーションの影響を最小限にするために、金属の被覆厚みを０．０８μｍ以上とすることが好ましく、０．１μｍ以上とすることがより好ましく、０．１５μｍ以上とすることが特に好ましく、０．２μｍ以上とすることが最も好ましい。この金属の被覆厚みの上限は、導電粒子６３の直径によるが、導電粒子６３の直径の２０％又は０．５μｍ程度であることが好ましい。

［転写工程（Ｂ）］
図１０は、個片フィルムと、配線基板とを対向させた状態を模式的に示す断面図である。図１０に示すように、先ず、転写工程（Ａ）では、個片フィルム６０と配線基板７０とを対向させる。

個片フィルム６０は、基材６１と導電粒子６３を含有する異方性導電膜からなる個片６４とを備え、基材６１表面に個片６４が発光素子単位で配列されている。基板６１は、レーザー光に対して透過性を有するものであればよく、中でも全波長に亘って高い光透過率を有する石英ガラスであることが好ましい。

個片６４の寸法（縦×横）は、チップ部品である発光素子の寸法に応じて適宜設定され、発光素子の面積に対する個片６４の面積の比は、好ましくは０．５～５．０、より好ましくは０．５～４．０、さらに好ましくは０．５～２．０である。また、個片６４の厚みは、好ましくは２～１０μｍ、より好ましくは３～８μｍ以、さらに好ましくは４～６μｍ以下である。個片の寸法は、全て同じあることが好ましいが、接続構造体の設計自由度を高めるため、複数種類存在してもよい。個片６４は電極のみに設ける場合があり、この場合には導電フィルムと解釈してもよい。これにより、従来のＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）、ＮＣＦ（Non Conductive Film）、接着剤などの接続では達成できなかった優れた光透過性、導通性、及び絶縁性を有する接続構造体を得ることができる。

また、基材６１上に配列した個片間の距離は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上である。また、個片間の距離の上限は、好ましくは３０００μｍ以下、より好ましくは１０００μｍ以下、さらに好ましくは５００μｍ以下である。個片間の距離が小さ過ぎる場合、優れた光透過性や美観を得るのが困難となり、個片間の距離が大き過ぎる場合、高ＰＰＩの表示装置を得るのが困難となる。個片間の距離は、顕微鏡観察（光学顕微鏡、金属顕微鏡、電子顕微鏡など）を用いて計測することができる。

配線基板７０は、基材７１上に第１導電型用回路パターンと、第２導電型用回路パターンとを備え、発光素子が１画素を構成するサブピクセル（副画素）単位で配置されるように、例えばｐ側の第１導電型電極及びｎ側の第２導電型電極に対応する位置にそれぞれ第１電極７２及び第２電極７３を有する。また、配線基板７０は、例えばマトリクス配線のデータ線、アドレス線などの回路パターンを形成し、１画素を構成する各サブピクセルに対応する発光素子をオンオフ可能とする。１画素は、例えば、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の３個のサブピクセルで構成しても、ＲＧＢＷ（白）、ＲＧＢＹ（黄）の４個のサブピクセルで構成しても、ＲＧ、ＧＢの２個のサブピクセルで構成してもよい。

また、配線基板７０は、透明Display用途で用いる場合は透光基板であることが好ましく、基材７１は、ガラス、ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）などであることが好ましい。第１電極７２及び第２電極７３は、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）、ＩＺＯ（Indium-Zinc-Oxide）、ＺｎＯ（Zinc-Oxide）、ＩＧＺＯ（Indium-Gallium-Zinc-Oxide）などの透明導電膜であることが好ましい。

図１１は、基材側からレーザー光を照射し、異方性導電膜の個片を配線基板の所定位置に転写し、配列させた状態を模式的に示す断面図である。図１１に示すように、転写工程（Ｂ）では、前述したレーザーリフトオフ装置を用いて、基材６１側からレーザー光を照射し、異方性導電膜の個片６４を配線基板７０の所定位置に転写し、配列させる。基材６１と基板７０とを位置合わせして転写することにより、基板７０上にサブピクセル単位で個片６４を配列させることができる。

また、基材６１のサイズに対して基板７０のサイズが大きい場合、基材６１を複数回位置合わせして個片６４を転写することにより、基板７０の画面領域にサブピクセル単位で個片６４を配列させることができる。

異方性導電膜の個片６４の転写には、前述したレーザーリフトオフ装置を用いることができる。このような転写方式は、レーザーリフトオフと呼ばれ、例えば、レーザーによるアブレーションを利用した方式である。前述したレーザーリフトオフ装置において、ドナー基板である個片フィルム６０をドナーステージに保持し、レセプター基板である配線基板７０をレセプターステージに保持する。個片フィルムと配線基板との間の距離は、好ましくは１０～２００００μｍ、より好ましくは５０～１５００μｍ、さらに好ましくは８０～１０００μｍである。

レーザー装置としては、例えば波長１８０ｎｍ～３６０ｎｍのレーザー光を発振するエキシマレーザーを用いることができる。エキシマレーザーの発振波長は、例えば１９３、２４８、３０８、３５１ｎｍであり、これらの発振波長の中から異方性導電膜の材料の光吸収性に応じて好適に選択することができる。

マスクは、基材６１と異方性導電膜の個片６４との境界面における投影が、所望のレーザー光の配列となるように、所定ピッチで所定サイズの窓の配列が形成されたパターンを用いる。マスクには、基材６１に例えばクロムメッキにてパターンが施され、クロムメッキが施されていない窓部分はレーザー光を透過し、クロムメッキが施されている部分はレーザー光を遮断する。

レーザー装置からの出射光は、テレスコープ光学系に入射し、その先のレーザースキャナ１１へと伝搬する。レーザースキャナ１１に入射する直前におけるレーザー光は、ドナーステージのＸ軸及びＹ軸の移動範囲内のいずれの位置においても、概ね平行光となるようテレスコープ光学系により調整され、レーザースキャナ１１に対し、概ね同一サイズ、同一角度（垂直）により入射する。

レーザースキャナ１１を通過したレーザー光は、フィールドレンズを経てマスク１２に入射し、マスク１２のパターンを通過したレーザー光は、投影レンズ１３に入射する。投影レンズ１３から出射されたレーザー光は、基材６１側から入射し、その表面（下面）に形成されている異方性導電膜の個片６４の位置に対し、マスクパターンの縮小サイズにて正確に投影される。

異方性導電膜の個片と基材との界面に照射される結像されるレーザー光のパルスエネルギーは、好ましくは０．００１～２Ｊ、より好ましくは０．０１～１．５Ｊであり、さらに好ましくは０．１～１Ｊである。フルーエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）は、好ましくは０．００１～２Ｊ／ｃｍ^２であり、より好ましくは０．０１～１Ｊ／ｃｍ^２であり、さらに好ましくは０．０５～０．５Ｊ／ｃｍ^２である。パルス幅（照射時間）は、好ましくは０．０１～１×１０^９ピコ秒であり、より好ましくは０．１～１×１０⁷ピコ秒であり、さらに好ましくは１～１×１０^５ピコ秒である。パルス周波数は、好ましくは０．１～１００００Ｈｚ、より好ましくは１～１０００Ｈｚ、さらに好ましくは１～１００Ｈｚである。照射パルス数は、好ましくは１～３０，０００，０００である。

このようなレーザーリフトオフ装置を用いることにより、基材６１と異方性導電膜の個片６４との境界面において、レーザー光を照射された個片６４に衝撃波を発生させ、個片６４を基材６１から剥離して配線基板７０に向けてリフトし、複数の個片６４を配線基板７０の所定位置に着弾させることができる。これにより、異方性導電膜の個片６４を高精度及び高効率に配線基板７０に転写、配列させることができ、タクトタイムの短縮化を図ることができる。

転写工程（Ｂ１）後の異方性導電膜の個片６４の反応率は、好ましくは２５％以下、より好ましくは２０％以下、さらに好ましくは１５％以下である。転写工程（Ｂ１）後の個片６４の反応率が２５％以下であることにより、実装工程（Ｃ１）において、発光素子を熱圧着させることが可能となる。反応率の測定は、前述したように、例えばＦＴ－ＩＲを用いて求めることができる。

また、配線基板７０の所定位置に配列した個片間の距離は、個片フィルム６０の基材６１上に配列した個片間の距離と同様、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上である。また、個片間の距離の上限は、好ましくは３０００μｍ以下、より好ましくは１０００μｍ以下、さらに好ましくは５００μｍ以下である。個片間の距離が小さ過ぎる場合、異方性導電フィルムを配線基板７０全面に貼り付ける方法が好ましくなり、個片間の距離が大き過ぎる場合、異方性導電フィルムを配線基板７０の所定位置に貼り付ける方法が好ましくなる。個片間の距離は、顕微鏡観察（光学顕微鏡、金属顕微鏡、電子顕微鏡など）を用いて計測することができる。

［実装工程（Ｃ１）］
図１２は、配線基板の所定位置に配列した個片上に発光素子を実装させた状態を模式的に示す断面図である。図１２に示すように、実装工程（Ｃ１）では、配線基板７０の所定位置に配列した個片６４上に発光素子８０を実装させる。

発光素子８０は、本体８１と、第１導電型電極８２と、第２導電型電極８３とを備え、第１導電型電極８２と第２導電型電極８３とが、同一面側に配置された水平構造を有する。本体８１は、例えばｎ－ＧａＮからなる第１導電型クラッド層と、例えばＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１－ｘ－ｙ}Ｎ層からなる活性層と、例えばｐ－ＧａＮからなる第２導電型クラッド層とを備え、いわゆるダブルヘテロ構造を有する。第１導電型電極８２は、パッシベーション層により第１導電型クラッド層の一部に形成され、第２導電型電極８３は、第２導電型クラッド層の一部に形成される。第１導電型電極８２と第２導電型電極８３との間に電圧が印加されると、活性層にキャリアが集中し、再結合することにより発光が生じる。

発光素子８０は、１画素を構成する各サブピクセルに対応して基板７０上に配列され、発光素子アレイを構成する。１画素は、例えば、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の３個のサブピクセルで構成しても、ＲＧＢＷ（白）、ＲＧＢＹ（黄）の４個のサブピクセルで構成しても、ＲＧ、ＧＢの２個のサブピクセルで構成してもよい。

サブピクセルの配列方法としては、例えば、ＲＧＢの場合、ストライプ配列、モザイク配列、デルタ配列などが挙げられる。ストライプ配列は、ＲＧＢを縦ストライプ状に配列したものであり、高精細化を図ることができる。また、モザイク配列は、ＲＧＢの同一色を斜めに配置したものであり、ストライプ配列より自然な画像を得ることができる。また、デルタ配列は、ＲＧＢを三角形に配列し、各ドットがフィールド毎に半ピッチずれたものであり、自然な画像表示を得ることができる。

実装工程（Ｃ１）では、前述したレーザーリフトオフ装置を用いて発光素子８０を配線基板７０の所定位置に配置することができる。前述したレーザーリフトオフ装置において、ドナー基板である発光素子をドナーステージに保持し、レセプター基板である配線基板７０をレセプターステージに保持する。発光素子と配線基板との間の距離は、好ましくは１０～１０００μｍ、より好ましくは５０～５００μｍ、さらに好ましくは８０～２００μｍである。

発光素子８０を配線基板７０に接続させる方法としては、公知の異方性導電フィルムにおいて用いられている熱圧着、光圧着、熱光併用圧着などの接続方法を適宜選択して使用することができる。また、導電粒子が半田粒子の場合には、リフローにより接続してもよい。熱圧着の条件としては、例えば、温度１５０℃～２６０℃、圧力１ＭＰａ～６０ＭＰａ、時間５秒～３００秒である。異方性導電膜が硬化することにより、硬化膜が形成され、発光素子８０間に硬化膜が存在せずに配線基板７０が露出した状態で、配線基板７０上に発光素子８０を異方性接続させることができる。また、配線基板７０を透光基板とすることにより、異方性導電フィルムを配線基板７０の全面に貼り付けた場合に比べて、優れた光透過性を得ることができる。

［第１の実施の形態の変形例］
前述した第１の実施の形態における転写工程（Ｂ１）では、図１０及び図１１に示すように、異方性導電膜の個片６４を配線基板７０上に発光素子単位であるサブピクセル単位で配列させることとしたが、これらに限られるものではなく、例えば、例えば発光素子のｐ側の第１導電型電極又はｎ側の第２導電型電極に対応する電極単位で配列してもよい。

図１３は、基板側からレーザー光を照射し、異方性導電膜の個片を配線基板上に電極位置で転写し、配列させた状態を模式的に示す断面図であり、図１４は、配線基板に電極単位で配列した個片上に発光素子を実装させた状態を模式的に示す断面図である。図１３に示すように、転写工程（Ｂ１）において、発光素子８０の例えばｐ側の第１導電型電極８２及びｎ側の第２導電型電極８３にそれぞれ対応する第１電極７２及び第２電極７３に対し、それぞれ第１の個片６４Ａ及び第２の個片６４Ｂを転写する。

個片６４Ａ、６４Ｂの寸法（縦×横）は、発光素子の電極の寸法に応じて適宜設定さ電子部品の面積に対する個片の面積の比は、特に制限はない。大きすぎると接続に関与しないフィルムが相対的に広くなるため、電極の面積に対する個片の面積比の上限は、５．０以下、好ましくは４．０以下、より好ましくは３．２以下、更により好ましくは２．４以下である。また、小さくなりすぎると、接続が不安定なる懸念が生じるため、電子部品の面積に対する個片の面積の比の下限は、０．５以上、好ましくは０．８以上、更に好ましくは１．２以上である。これらの比は、構造体の目的に合わせて適宜設計できる。また、個片の厚みは、好ましくは２～１０μｍ、より好ましくは３～８μｍ以、さらに好ましくは４～６μｍ以下である。

図１４に示すように、実装工程（Ｃ１）では、配線基板７０上に電極単位で配列された個片６４Ａ、６４Ｂ上に発光素子８０を実装させる。これにより、表示装置の透明性をさらに向上させることができる。

以上説明したように、第１の実施の形態に係る表示装置の製造方法によれば、レーザー光の照射により異方性導電膜の個片６４を高精度及び高効率に配線基板７０に転写、配列させることができるため、タクトタイムの短縮化を図ることができる。また、従来のＡＣＰ、ＡＣＦ、ＮＣＦ、接着剤などの接続では達成できなかった優れた光透過性、導通性、及び絶縁性を得ることができ、高輝度・高精細な透明ディスプレイを得ることができる。

［第２の実施の形態］
第２の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、レーザーリフトオフ装置を用いて、レーザー光の照射部分の異方性導電膜を除去し、基材上に異方性導電膜からなる所定形状の個片を形成する形成工程（Ａ２）と、レーザーリフトオフ装置を用いて、所定形状の個片を発光素子の電極面に転写させる転写工程（Ｂ２－１）と、レーザーリフトオフ装置を用いて、個片が転写された発光素子を配線基板の所定位置に再転写させる再転写工程（Ｂ２－２）と、発光素子を配線基板に実装する実装工程（Ｃ２）とを有する。これにより、個片の優れた加工性及び転写性を得ることができ、タクトタイムの短縮化を図ることができる。

以下、図１５～図１７を参照して、所定形状の個片を形成する形成工程（Ａ２）、所定形状の個片を発光素子の電極面に転写させる転写工程（Ｂ２－１）、個片が転写された発光素子を配線基板の所定位置に再転写させる再転写工程（Ｂ２－２）及び、発光素子を配線基板に実装する実装工程（Ｃ２）について説明する。なお、第１の実施の形態と同一の構成には、同一の符号を付し、説明を省略する。

［形成工程（Ａ２）］
形成工程（Ａ２）は、第１の実施の形態における形成工程（Ａ１）と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。

［転写工程（Ｂ２－１）］
図１５は、基材に設けられた異方性導電膜の個片と、転写基板に配列された発光素子とを対向させた状態を模式的に示す断面図である。図１５に示すように、転写工程（Ｂ２）では、基材６１に設けられた異方性導電膜の個片６４と転写基板９０とを対向させる。個片６４は、基材６１上に発光素子５０の電極の形状に対応して形成されている。

転写基板９０は、基材９１と、基材９１上に配列された発光素子８０とを備える。基材９１は、後述する再転写工程（Ｂ２－２）の転写方式に応じて適宜選択される。例えば、後述する再転写工程（Ｂ２－２）において、レーザーによるアブレーションを利用した転写方式を用いる場合、基材９１は、レーザー光に対して透過性を有するものであればよく、中でも全波長に亘って高い光透過率を有する石英ガラスであることが好ましい。また、例えば、後述する再転写工程（Ｂ２－２）において、転写基板９０を配線基板２０に貼り合わせて発光素子８０を転着させる場合、基材９１は、例えばシリコーンゴム層を有していてもよい。

転写工程（Ｂ２－１）では、前述した第１の実施の形態と同様、例えばレーザーリフトオフと呼ばれるレーザーによるアブレーションを利用した転写方式を用いることができる。

図１６は、基材側からレーザー光を照射し、異方性導電膜の個片を転写基板に配列された発光素子上に転写させた状態を模式的に示す断面図である。図１６に示すように、転写工程（Ｂ２－１）では、基材６１側からレーザー光を照射し、異方性導電膜の個片６４を転写基板９０に配列された発光素子８０上に転写させる。

前述した第１の実施の形態と同様、異方性導電膜の個片６４の転写には、前述したレーザーリフトオフ装置を用いることができる。レーザーリフトオフ装置を用いることにより、基材６１と異方性導電膜の個片６４との境界面において、レーザー光を照射された個片６４に衝撃波を発生させ、複数の個片６４を基材６１から剥離して転写基板に配列された発光素子８０に向けてリフトし、個片６４を発光素子８０に高精度に着弾させることができる。

［再転写工程（Ｂ２－２）］
図１７は、個片が転写された発光素子を配線基板上に再転写させる状態を模式的に示す断面図である。図１７に示すように、再転写工程（Ｂ２－２）では、個片６４が転写された発光素子８０を配線基板７０上に再転写させる。再転写する方法としては、特に限定されるものではないが、例えばレーザーリフトオフ法（ＬＬＯ法）により転写基板９０から配線基板７０に個片６４が転写された発光素子８０を直接転写、配置する方法、個片６４が転写された発光素子８０を予め密着させた転写基板９０から配線基板７０に発光素子８０を転写、配置する方法などが挙げられる。

また、再転写工程（Ｂ２－２）では、発光素子８０を、１画素を構成するサブピクセル単位で転写させることが好ましい。これにより、高いＰＰＩ（Pixels Per Inch）の発光素子アレイから低いＰＰＩの発光素子アレイまで対応することができる。

［実装工程（Ｃ２）］
実装工程（Ｃ２）では、個片６４を介して配線基板７０の所定位置に配列した発光素子８０を実装させる。発光素子８０を実装させた状態は、図１２に示す第１の実施の形態と同様である。発光素子８０を配線基板７０に接続させる方法は、第１の実施の形態と同様である。これにより、発光素子８０間に異方性導電膜が存在せずに配線基板７０が露出した状態で、配線基板７０上に発光素子８０を異方性接続させることができる。また、配線基板７０を透光基板とすることにより、異方性導電フィルムを配線基板７０の全面に貼り付けた場合に比べて、優れた光透過性を得ることができる。

［第２の実施の形態の変形例］
前述した第２の実施の形態における転写工程（Ｂ２－１）では、図１５及び図１６に示すように、異方性導電膜の個片６４を発光素子８０上に転写させることとしたが、これらに限られるものではなく、例えば、異方性導電膜の個片を、発光素子上に電極単位で転写させてもよい。すなわち、図１４に示す第１の実施の形態の変形例のように、発光素子８０の例えばｐ側の第１導電型電極８２及びｎ側の第２導電型電極８３にそれぞれ第１の個片及び第２の個片を転写させ、実装してもよい。これにより、表示装置の透明性をさらに向上させることができきる。

以上説明したように、第２の実施の形態に係る表示装置の製造方法によれば、レーザー光の照射により異方性導電膜の個片６４を高精度及び高効率に発光素子８０に転写、配列させることができるため、タクトタイムの短縮化を図ることができる。また、従来のＡＣＰ、ＡＣＦ、ＮＣＦ、接着剤などの接続では達成できなかった優れた光透過性、導通性、及び絶縁性を得ることができ、高輝度・高精細な透明ディスプレイを得ることができる。

［リペア工程］
前述した実施の形態に係る表示装置において、例えば不点灯の発光素子がある場合、前述したレーザーリフトオフ装置を用いて、不点灯の発光素子取り除いた後、再度該当部に異方性導電膜の個片を転写し、発光素子を実装するリペアを行うことができる。レーザーリフトオフ装置において、発光素子が配列された配線基板を備える表示装置をドナーステージに保持し、配線基板側からレーザー光を照射して、所望の発光素子及び個片を剥離し、レセプター基板で配線基板から剥離された発光素子及び個片を受け止める。本実施の形態では、個片間に配線基板が露出しているため、リペアは、個片単位で行うことが好ましい。

また、前述した実施の形態では、ディスプレイとしての表示装置の製造方法を例に挙げたが、本技術は、これに限られるものではなく、例えば、光源としての発光装置の製造方法にも適用することができる。また、第１の電子部品と第２の電子部品とを接続する接続構造体の製造方法にも適用することができる。すなわち、接続構造体の製造方法は、基材上に設けられた異方性導電膜に対して基材側からレーザー光を照射し、該照射部分の異方性導電膜を除去し、基材上に異方性導電膜からなる所定形状の個片を形成する形成工程と、所定形状の個片を第１の電子部品の所定位置に転写させる転写工程と、転写された個片を介して、第２の電子部品を配線基板に実装させる実装工程とを有し、異方性導電膜の厚みが、異方性導電膜中の導電粒子の粒子径の０．９倍以上８倍以下であり、異方性導電膜の３０℃における溶融粘度が、２０００Ｐａ・ｓ以上８０００００Ｐａ・ｓ以下である。第１の電子部品及び第２の電子部品としては、例えば、発光素子、ＩＣ（Integrated Circuit）、フレキシブル基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuits）、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）パネル、有機ＥＬ（ＯＬＥＤ）などのフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用途、タッチパネル用途などの透明基板、プリント配線板（ＰＷＢ）などが挙げられる。プリント配線板の材質は、特に限定されず、例えば、ＦＲ－４基材などのガラエポでもよく、熱可塑性樹脂などのプラスチック、セラミックなども用いることができる。また、透明基板は、透明性の高いものであれば特に限定はなく、ガラス基板、プラスチック基板などが挙げられる。

＜４．表示装置＞
本実施の形態に係る表示装置は、前述した表示装置の製造方法により得ることができる。すなわち、表示装置は、複数の発光素子と、発光素子を配列する配線基板と、複数の発光素子と配線基板とを接続させた硬化膜とを備え、硬化膜が、前述した異方性導電膜からなる所定形状の個片が硬化してなる。

個片の形状は、鈍角からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、円から選択される少なくとも１種であることが好ましい。これにより、個片間に基板を露出させることができ、優れた光透過性や美観を得ることができる。

前述した図１２及び図１４に示すように、表示装置は、複数の発光素子８０と、発光素子８０を配列する基板７０と、複数の発光素子８０と基板７０とを接続させる硬化膜とを備える。

硬化膜は、所定形状の異方性導電膜の個片が硬化したものである。基板７０上の個片の配列は、光透過性の効果が得られれば、特に限定されるものではないが、発光素子８０に対応したサブピクセル単位であることが好ましい。個片がサブピクセル単位で配列されることにより、個片間の基板の露出部を増加させることができ、非常に優れた光透過性を得ることができる。個片がサブピクセル単位で配列された場合の個々のマイクロＬＥＤ間の露出部に存在する個片の面積は、マイクロＬＥＤの面積の３．２倍以下、好ましくは２．４倍以下、更により好ましくは１．２倍以下であることが好ましい。また、サブピクセル単位の近接した複数の発光素子８０を一つの個片で接続してもよい。これにより、実装速度を短縮させる（実装効率を早める）ことができ、また、基板側の透明性や色味の条件によって許容できる仕様の範囲を広げることができる。

異方性導電膜の硬化膜は、異方性導電膜と同様、導電粒子が面方向に整列されていることが好ましい。導電粒子が面方向に整列していることにより、粒子面密度が均一となり、導通性及び絶縁性を向上させることができる。導電粒子が面方に整列されている状態とは、例えば、導電粒子が所定ピッチで所定方向に配置されている配列軸を１以上有する平面格子パターンが挙げられ、斜方格子、六方格子、正方格子、矩形格子、平行体格子などが挙げられる。導電粒子が面方向に整列されているとは、膜の平面視で導電粒子が配列していると言い変えてもよい。また、導電粒子の面方向の配列は、ランダムであってもよく、平面格子パターンが異なる複数の領域を有していてもよい。

また、異方性導電膜の硬化膜の粒子面密度は、発光素子８０の電極サイズに応じて適宜設計でき、粒子面密度の下限は、５００個／ｍｍ^２以上、２００００個／ｍｍ^２以上、４００００個／ｍｍ^２以上、５００００個／ｍｍ^２以上とすることができ、粒子面密度の上限は、１５０００００個／ｍｍ^２以下、１００００００個／ｍｍ^２以下、５０００００個／ｍｍ^２以下、１０００００個／ｍｍ^２以下とすることができる。これにより、発光素子８０の電極サイズが小さい場合でも、優れた導通性及び絶縁性を得ることができる。

異方性導電膜の硬化膜の粒子面密度は、製造時にフィルム化した際の導電粒子のものである。これはランダムに配置された部分でも、配列部分のものを測定したものであっても同様となる。複数の個片から粒子個数密度を求める場合は、個片とスペースを含めた面積から個片間のスペースを除いた面積と粒子数とから粒子面密度を求めることができる。個片は、個数密度で表すことが不適切な場合もあり、１つの個片における粒子の占有面積率や、粒子径と粒子間中心距離及び個数で表すことが適当な場合もある。

なお、異方性導電膜の硬化膜の粒子面密度は、製造時にフィルム化した際の導電粒子のものである。これはランダムに配置された部分でも、配列部分のものを測定したものであっても同様となる。複数の個片から粒子個数密度を求める場合は、個片とスペースを含めた面積から個片間のスペースを除いた面積と粒子数とから粒子面密度を求めることができる。個片は、個数密度で表すことが不適切な場合もあり、１つの個片における粒子の占有面積率や、粒子径と粒子間中心距離及び個数で表すことが適当な場合もある。

１つの個片あたりの導電粒子の数は、発光素子８０の電極サイズに応じて適宜設計でき、下限は、例えば２個以上、好ましく４個以上、より好ましくは１０個以上であり、上限は、６０００個以下、好ましくは５００個以下、より好ましくは１００以下である。

個片が基板に載置（設けられた）後の可視光の平均透過率は、好ましくは２０％以上、より好ましくは３５％以上、さらに好ましくは５０％以上である。これにより、優れた光透過性や美観を有する表示装置を得ることができる。透明でない基板でない場合でも、素ガラスや評価用の透明基板に個片を貼り付け、これをリファレンス（Ref）として平均透過率を求めることができる。発光素子が設けられた可視光の平均透過率は、より低いものとなる。発光素子が実装されている場合、点灯していない状態で測定しているものとする。可視光の平均透過率は、例えば紫外可視分光光度計を用いて測定することができる。

発光素子のサイズに対する個片のサイズは、導通性が得られれば、発光素子８０のサイズよりも小さくてもよい。また、個片は、表示装置の光透過性の効果が得られれば、発光素子の直下だけでなく、周縁部に存在するように配置しても構わない。

発光素子８０からの個片のはみ出し量は、好ましくは３０μｍ未満、より好ましくは１０μｍ未満、さらに好ましくは５μｍ未満である。また、個片がはみ出さない場合、はみ出し量は、ゼロ、マイナスであってもよい。これにより、基板の全面に硬化膜を設けた表示装置の構成例に比べて、優れた光透過率を得ることができる。なお、発光素子８０からの個片のはみ出し量は、発光素子８０の周縁から個片の周縁までの距離の最大値である。

本実施の形態に係る表示装置によれば、硬化膜の個片間に基板７０が露出した露出部を有することにより、従来のＡＣＰ、ＡＣＦ、ＮＣＦ、接着剤などを全面に設けた接続では達成できなかった優れた光透過性、導通性、及び絶縁性を得ることができ、高輝度・高精細な透明ディスプレイを得ることができる。

なお、上述の実施の形態では、発光素子８０をサブピクセル単位で配列したディスプレイとしての表示装置を例に挙げたが、本技術は、これに限られるものではなく、例えば、光源としての発光装置にも適用することができる。発光装置は、複数の発光素子と、発光素子を配列する基板と、複数の発光素子と基板とを接続させた硬化膜とを備え、硬化膜が、複数の個片からなり、個片間に基板が露出した露出部を有する。このような発光装置によれば、発光素子８０が微小サイズになることにより、１つのウエハあたりのチップの取り数が増えるため、低価格化を図ることができ、また、発光装置の薄型化や省エネ化といった産業上の利点を得ることができる。

また、本技術は、第１の電子部品と第２の電子部品とを接続した接続構造体にも適用することができる。すなわち、接続構造体は、第１の電子部品と、第２の電子部品と、第１の電子部品と第２の電子部品とを接続させた硬化膜とを備え、硬化膜が、異方性導電膜からなる所定形状の個片が硬化してなり、異方性導電膜の厚みが、異方性導電膜中の導電粒子の粒子径の０．９倍以上８倍以下であり、異方性導電膜の３０℃における溶融粘度が、２０００Ｐａ・ｓ以上８０００００Ｐａ・ｓ以下である。

＜３．実施例＞
本実施例では、所定の厚み、所定の粒子配置、所定の粒子整列、及び所定の溶融粘度を有する異方性導電フィルムを個片に加工し、個片の形状状態について評価した。また、加工した個片を用いてμＬＥＤ素子を実装した実装体について点灯評価した。なお、本技術は、これらの実施例に限定されるものではない。

［異方性導電フィルムの溶融粘度測定］
レオメーター（サーモフィッシャーサイエンティフィック社製、ＨＡＡＫＥ ＭＡＲＳ）を使用し、下記測定条件で３０℃における異方性導電フィルムの溶融粘度を測定した。異方性導電フィルムを重ねて３００μｍの厚みのサンプルを測定した。
測定条件：ガラスコーティングポリプロピレン容器（ＰＰ０８、Φ８ｍｍ)、周波数１０Ｈｚ

［基準線に対する導電粒子の存在率の算出］
異方性導電膜の断面を顕微鏡で観察し、導電粒子が２００箇所以上である所定範囲内の導電粒子の厚み方向の中心位置を測定してその平均値を基準線とし、所定範囲内において基準線に外径の一部がかかる導電粒子の割合を求めた。

［異方性導電フィルムの個片加工］
レーザーリフトオフ装置（信越エンジニアリング製ＬＵＭ－ＸＴＲ）を用いて、４インチの石英ガラスに貼付された異方性導電フィルムの石英ガラス側からレーザー光を照射して不要部分を素ガラスに転写し、石英ガラスに異方性導電フィルムの個片を形成した。前述した図２に示すように、レーザーリフトオフ装置は、例えば、レーザー光の光軸を走査するレーザースキャナと、所定のピッチにて所定の形状の開口が複数配列されたマスクと、レーザー光をドナー基板に縮小投影する投影レンズと、ドナー基板を保持するドナーステージと、レセプター基板を保持するレセプターステージとを備えており、ドナー基板である異方性導電フィルム基板をドナーステージに保持し、レセプター基板である素ガラスをレセプターステージに保持し、異方性導電フィルムと素ガラスとの間の距離を１００μｍとした。

レーザー装置は、発振波長を２４８ｎｍとするエキシマレーザーを用いた。レーザー光のパルスエネルギーは、６００ｍＪ、フルーエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）は２５０ｍＪ／ｃｍ^２、パルス幅（照射時間）は３００００ピコ秒、パルス周波数は０．０１ｋＨｚ、照射パルス数は各個片につき１パルスとした。

異方性導電フォルムと石英ガラスとの界面に照射される結像されるレーザー光のパルスエネルギーは、０．００１～２Ｊであり、フルーエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）は、０．００１～２Ｊ／ｃｍ^２であり、パルス幅（照射時間）は、０．０１～１×１０^９ピコ秒であり、パルス周波数は、０．１～１００００Ｈｚであり、照射パルス数は、１～３０，０００，０００とした。

マスクは、ドナー基板である異方性導電フィルム基板の異方性導電フィルムと石英ガラスとの境界面における投影が、横１５８μｍピッチ及び縦１５８μｍピッチで個片のサイズ（直径８０μｍの円形）の配列となるように、個片の形状となる円形の遮光部が形成されたパターンを用いた。マスクを介してレーザー光を照射し、異方性導電フォルムを打ち抜き、石英ガラス上に直径８０μｍの円形の複数の個片を形成した。

［個片の形状状態の評価］
異方性導電フィルムを個片に加工した後、個片（Total 10,000pcs）からランダムに１０００ｐｃｓ選定し、個片形状が正常な状態（捲れや欠けが無い状態）のものを顕微鏡による目視にてカウントした（捲れや欠けについては、前述した図５（Ｂ）に示す捲れが発生した個片４２や欠けが発生した個片４３を参照）。そして、下記式にて形状の正常率を算出した。形状正常率は、好ましくは８５％以上、さらに好ましくは９５％以上、さらに好ましくは９９％以上である。
形状正常率＝正常な形状の個片数／母数×１００

［点灯試験の評価］
また、加工した個片を用いてμＬＥＤ素子を実装した実装体について点灯評価した。実装体の作製、及び点灯評価は、次のように行った。

（実装体の作製）
図１８は、実装体の作製方法を模式的に示す図であり、図１８（Ａ）は、個片を準備する工程を示し、図１８（Ｂ）は、基板に個片を転写する工程を示し、図１８（Ｃ）は、μＬＥＤ素子を仮固定する工程を示し、図１８（Ｄ）は、μＬＥＤ素子を圧着させる工程を示す。図１９は、点灯試験のための評価基板を模式的に示す平面図であり、図２０（Ａ）は、μＬＥＤ素子の電極面を模式的に示す平面図であり、図２０（Ｂ）は、μＬＥＤ素子を評価基板に実装した様子を模式的に示す図である。

図１８（Ａ）に示すように、先ず、前述の石英ガラス１０１上に加工された所定形状の個片１０４を準備し、図１８（Ｂ）に示すように、個片１０４の背面（石英ガラス１０１側）からレーザーを照射し、個片１０４を評価基板１０７の指定箇所に転写した。個片１０４の転写は、前述の個片転写の評価におけるＬＬＯと同様に行った。

評価基板１０７は、厚み０．５ｍｍのガラス基材上に下地が厚み２０ｎｍのＣｒ及び表面が厚み８０ｎｍのＡｕの配線パターンが形成され、図２７に示すように、櫛歯６本の第１の櫛型電極１０７Ａと、櫛歯６本の第２の櫛型電極１０７Ｂとを１５組備えるものを用いた。配線パターンは、図１９及び図２０（Ｂ）に示すように、櫛歯のライン幅が９０μｍ、スペース幅が１２μｍ又は２４μｍであり、１チャンネル当たり約１３００μｍ×１５ｃｈ≒１９.３ｍｍであるものを用い、所定形状の個片をスペース幅が１２μｍの配線間に転写した。

次に、図１８（Ｃ）に示すように、予めＬＬＯによりμＬＥＤ素子１０８が凸部に並べられたポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）シート１０９を位置合わせし、３０℃－３０ＭＰａ－１０ｓｅの条件で貼り合わせ、図２０（Ｂ）に示すように、個片１０４を介してμＬＥＤ素子１０８を評価基板１０７のスペース幅が１２μｍの配線間に仮固定した。

μＬＥＤ素子１０８は、図２０（Ａ）に示すように、外径が３４μｍ×５８μｍ、第１の電極１０８Ａ及び第２の電極１０８Ｂの大きさが２７μｍ×１８μｍ、第１の電極１０８Ａと第２の電極１０８Ｂとの距離が１６μｍであるものを用いた。

次に、図１８（Ｄ）に示すように、１５０℃－１５０Ｎ－３０ｓｅｃの圧着条件のプレスにてμＬＥＤ素子１０８を一括圧着させ、μＬＥＤ素子（Total 3,600pcs）を実装した実装体を作製した。

（点灯評価）
実装体の第１の櫛型電極と第２の櫛型電極とに３．０Ｖの電圧を印加し、すべてのμＬＥＤ素子（Total 3,600pcs）に対して点灯数をカウントし、下記式にて点灯率を算出した。点灯率は、９５％以上であることが好ましい。
点灯率＝点灯数／母数×１００

［実施例１］
（異方性導電フィルムの作製）
フェノキシ樹脂（商品名：ＰＫＨＨ、巴化学工業株式会社製）３５質量部、高純度ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：ＹＬ－９８０、三菱ケミカル株式会社製）５０質量部、疎水性シリカ（商品名：Ｒ２０２、日本アエロジル株式会社製）５質量部、カチオン重合開始剤（商品名：ＳＩ－６０Ｌ、三新化学工業株式会社製）７質量部、及びシランカップリング剤（商品名：ＫＢＭ－５０３、信越シリコーン株式会社製）３質量部を混合し、バインダーを作製した。

バインダーを厚さ５０μｍのＰＥＴフィルム上に塗布、乾燥させ、厚み４μｍの樹脂フィルムを形成し、粒子密度５８０００ｐｃｓ／ｍｍ^２で導電粒子（平均粒径２．２μｍ、樹脂コア金属被覆微粒子、Ｎｉメッキ０．１μｍ厚、積水化学工業株式会社製）が六方格子状に配列された配列シートを樹脂フィルムに貼り合わせ、導電粒子を樹脂フィルムに押し込んで転写し、導電粒子が整列された異方性導電フィルムを作製した。そして、異方性導電フィルムの導電粒子転写面側を石英ガラスに貼り合わせ、図１（Ａ）に示すように、基準値が基材側に近い状態である異方性導電フィルム基板を作製した。

表１に示すように、実施例１の異方性導電フィルムの３０℃における溶融粘度は、２００００Ｐａ・ｓであった。また、基準値に対する導電粒子の存在率は９５％であった。実施例１の異方性導電フィルム基板の個片加工後の個片の形状正常率は９９％以上であり、個片を用いてμＬＥＤ素子を実装した実装体の点灯率は９９％以上であった。

［実施例２］
厚み２μｍの樹脂フィルムを形成し、導電粒子が整列された異方性導電フィルムを作製した以外は、実施例１と同様に異方性導電フィルム基板を作製した。

表１に示すように、実施例２の異方性導電フィルムの３０℃における溶融粘度は、２００００Ｐａ・ｓであった。また、基準値に対する導電粒子の存在率は９９％であった。実施例２の異方性導電フィルム基板の個片加工後の個片の形状正常率は９９％以上であり、個片を用いてμＬＥＤ素子を実装した実装体の点灯率は９９％以上であった。

［実施例３］
厚み１０μｍの樹脂フィルムを形成し、導電粒子が整列された異方性導電フィルムを作製した以外は、実施例１と同様に異方性導電フィルム基板を作製した。

表１に示すように、実施例３の異方性導電フィルムの３０℃における溶融粘度は、２００００Ｐａ・ｓであった。また、基準値に対する導電粒子の存在率は９０％であった。実施例３の異方性導電フィルム基板の個片加工後の個片の形状正常率は９５％であり、個片を用いてμＬＥＤ素子を実装した実装体の点灯率は９５％であった。

［実施例４］
異方性導電フィルムの導電粒子転写面の反対面側を石英ガラスに貼り合わせ、図１（Ｂ）に示すように、基準値が基材の反対面側に近い状態である異方性導電フィルム基板を作製した以外は、実施例１と同様に異方性導電フィルム基板を作製した。

表１に示すように、実施例４の異方性導電フィルムの３０℃における溶融粘度は、２００００Ｐａ・ｓであった。また、基準値に対する導電粒子の存在率は９５％であった。実施例４の異方性導電フィルム基板の個片加工後の個片の形状正常率は９９％以上であり、個片を用いてμＬＥＤ素子を実装した実装体の点灯率は９９％以上であった。

［実施例５］
実施例１を基準として、フェノキシ樹脂の配合量を減少させ、高純度ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の配合量を増加させて、３０℃における溶融粘度が２０００Ｐａ・ｓである異方性導電フィルムを作製した以外は、実施例１と同様に異方性導電フィルム基板を作製した。

表１に示すように、実施例５の異方性導電フィルムの３０℃における溶融粘度は、２０００Ｐａ・ｓであった。また、基準値に対する導電粒子の存在率は９５％であった。実施例５の異方性導電フィルム基板の個片加工後の個片の形状正常率は９８％であり、個片を用いてμＬＥＤ素子を実装した実装体の点灯率は９８％であった。

［実施例６］
実施例１を基準として、フェノキシ樹脂の配合量を増加させ、高純度ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の配合量を減少させて、３０℃における溶融粘度が８０００００Ｐａ・ｓである異方性導電フィルムを作製した以外は、実施例１と同様に異方性導電フィルム基板を作製した。

表１に示すように、実施例６の異方性導電フィルムの３０℃における溶融粘度は、８０００００Ｐａ・ｓであった。また、基準値に対する導電粒子の存在率は９５％であった。実施例６の異方性導電フィルム基板の個片加工後の個片の形状正常率は９７％であり、個片を用いてμＬＥＤ素子を実装した実装体の点灯率は９７％であった。

［実施例７］
粒子密度５８０００ｐｃｓ／ｍｍ^２で導電粒子（平均粒径２．２μｍ、樹脂コア金属被覆微粒子、Ｎｉメッキ０．１μｍ厚、積水化学工業株式会社製）がランダムに配列された配列シートを樹脂フィルムに貼り合わせ、導電粒子を樹脂フィルムに押し込んで転写し、導電粒子がランダムに配列された異方性導電フィルムを作製した以外は、実施例１と同様に異方性導電フィルム基板を作製した。

表２に示すように、実施例７の異方性導電フィルムの３０℃における溶融粘度は、２００００Ｐａ・ｓであった。また、基準値に対する導電粒子の存在率は９５％であった。実施例７の異方性導電フィルム基板の個片加工後の個片の形状正常率は８８％であり、個片を用いてμＬＥＤ素子を実装した実装体の点灯率は８６％であった。

［実施例８］
異方性導電フィルムの導電粒子転写面の反対面側を石英ガラスに貼り合わせ、図１（Ｂ）に示すように、基準値が基材の反対面側に近い状態である異方性導電フィルム基板を作製した以外は、実施例７と同様に異方性導電フィルム基板を作製した。

表２に示すように、実施例８の異方性導電フィルムの３０℃における溶融粘度は、２００００Ｐａ・ｓであった。また、基準値に対する導電粒子の存在率は９５％であった。実施例８の異方性導電フィルム基板の個片加工後の個片の形状正常率は８６％であり、個片を用いてμＬＥＤ素子を実装した実装体の点灯率は８５％であった。

［比較例１］
厚み２０μｍの樹脂フィルムを形成し、導電粒子が整列された異方性導電フィルムを作製した以外は、実施例１と同様に異方性導電フィルム基板を作製した。

表２に示すように、比較例１の異方性導電フィルムの３０℃における溶融粘度は、２００００Ｐａ・ｓであった。また、基準値に対する導電粒子の存在率は９５％であった。比較例１の異方性導電フィルム基板の個片加工後の個片の形状正常率は０％であった。

［比較例２］
バインダーに、粒子密度が５８０００ｐｃｓ／ｍｍ^２となるように導電粒子（平均粒径２．２μｍ、樹脂コア金属被覆微粒子、Ｎｉメッキ０．１μｍ厚、積水化学工業株式会社製）を混合し、異方性導電接着剤組成物を調整した。そして、異方性導電接着剤組成物を厚さ５０μｍのＰＥＴフィルム上に塗布、乾燥させ、図１（Ｃ）に示すように、異方性導電膜内の導電粒子が厚み方向に分散した厚み４μｍの異方性導電フィルムを形成した以外は、実施例１と同様に異方性導電フィルム基板を作製した。

表２に示すように、実施例７の異方性導電フィルムの３０℃における溶融粘度は、２００００Ｐａ・ｓであった。また、基準値に対する導電粒子の存在率は７０％であった。比較例２の異方性導電フィルム基板の個片加工後の個片の形状正常率は７３％であり、個片を用いてμＬＥＤ素子を実装した実装体の点灯率は７０％であった。

［比較例３］
実施例１を基準として、フェノキシ樹脂の配合量を減少させ、高純度ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の配合量を増加させて、３０℃における溶融粘度が１０００Ｐａ・ｓである異方性導電フィルムを作製した以外は、実施例１と同様に異方性導電フィルム基板を作製した。

表１に示すように、比較例３の異方性導電フィルムの３０℃における溶融粘度は、１０００Ｐａ・ｓであった。また、基準値に対する導電粒子の存在率は９５％であった。比較例３の異方性導電フィルム基板の個片加工後の個片の形状正常率は８０％であり、個片を用いてμＬＥＤ素子を実装した実装体の点灯率は８０％であった。

［比較例４］
実施例１を基準として、フェノキシ樹脂の配合量を増加させ、高純度ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の配合量を減少させて、３０℃における溶融粘度が１００００００Ｐａ・ｓである異方性導電フィルムを作製した以外は、実施例１と同様に異方性導電フィルム基板を作製した。

表１に示すように、比較例４の異方性導電フィルムの３０℃における溶融粘度は、１００００００Ｐａ・ｓであった。また、基準値に対する導電粒子の存在率は９５％であった。比較例４の異方性導電フィルム基板の個片加工後の個片の形状正常率は７６％であり、個片を用いてμＬＥＤ素子を実装した実装体の点灯率は７６％であった。

表１に、実施例１～６の形状正常率の評価結果を示し、表２に、実施例７、８、及び比較例１～４の形状正常率の評価結果を示す。

比較例１は、異方性導電膜の厚みが２０μｍであるため、形状正常率が０％であった。これは、異方性導電膜の厚みが大きいため、異方性導電膜が千切れなかったためと考えられる。比較例２は、異方性導電膜内の導電粒子が厚み方向に分散しているため、形状正常率が良好ではなかった。これは、アブレーションの程度にムラが生じたためと考えられる。比較例３は、異方性導電膜の３０℃における溶融粘度が１０００Ｐａ・ｓであるため、良好な形状正常率が得られなかった。これは、異方性導電膜の３０℃における溶融粘度が低いため、レーザー光照射後に個片が縮んでしまい、個片の膜の維持が困難であるためと考えられる。比較例４は、異方性導電膜の３０℃における溶融粘度が、１００００００Ｐａ・ｓであるため、異方性導電膜の膜性が強く、レーザー光照射による除去が困難であるためと考えられる。

実施例１～８は、異方性導電膜の厚みが１μｍ以上１０μｍ以下であり、異方性導電膜の３０℃における溶融粘度が２０００Ｐａ・ｓ以上８０００００Ｐａ・ｓ以下であり、異方性導電膜中の導電粒子が厚み方向における導電粒子の中心位置の平均値に９０％以上存在するため、良好な形状正常率が得られた。また、実施例１～６は、異方性導電膜内の導電粒子が面方向に整列しているため、９０％以上の形状正常率を得ることができた。これは、面方向のアブレーションの程度が均一化するためと考えられる。

また、実施例１～８の正常な形状の個片の外形付近を金属顕微鏡で観察したところ、導電粒子の配置に沿って個片の外形が加工されていることが確認できた。すなわち、個片は、導電粒子の配置に沿って千切れていることが確認できた。また、実施例１～８における点灯試験の点灯率は、個片の形状正常率と同様であった。

１ 基材、２Ａ～２Ｃ 異方性導電膜、３ 導電粒子、 １０ レーザーリフトオフ装置、 １１レーザースキャナ、１２ マスク、１３ 投影レンズ、２０ 異方性導電膜基板、２１ 基材、２２ 異方性導電膜、２３ 除去部、３０ 異方性導電膜基板、３１ 基材、３２ 異方性導電膜、３３ 除去部、３４ 個片、４１ バリが発生した個片、４２ 捲れが発生した個片、４３、欠けが発生した個片、５１ 遮光部、５２ 個片、５３ 遮光部、５４Ａ～５４Ｄ 遮光部、６０ 個片フィルム、６１ 基材、６２ 異方性導電膜、６３ 導電粒子、６４ 個片、６４Ａ 個片、６４Ｂ 個片、７０ 配線基板、７１ 基材、７２ 第１電極、７３ 第２電極、８０ 発光素子、８１ 本体、８２ 第１導電型電極、８３ 第２導電型電極、９０ 転写基板、９１ 基材、１０１ 石英ガラス、１０４ 個片、 １０７ 評価基板、１０７Ａ 第１の櫛型電極、１０７Ｂ 第２の櫛型電極、１０８ μＬＥＤ素子、１０８Ａ 第１の電極、１０８Ｂ 第２の電極、１０９ ＰＤＭＳシート

Claims (26)

1. 基材上に設けられた異方性導電膜に対して前記基材側からレーザー光を照射し、該照射部分の異方性導電膜を除去し、前記基材上に異方性導電膜からなる所定形状の個片を形成し、
   前記異方性導電膜の厚みが、前記異方性導電膜中の導電粒子の粒子径の０．９倍以上８倍以下であり、
   前記異方性導電膜の３０℃における溶融粘度が、２０００Ｐａ・ｓ以上８０００００Ｐａ・ｓ以下である個片フィルムの製造方法。
2. 前記異方性導電膜中の導電粒子が、前記異方性導電膜の厚み方向における前記導電粒子の中心位置の平均値に９０％以上存在する請求項１記載の個片フィルムの製造方法。
3. 前記所定形状の遮光部が形成されたマスクを介して前記レーザー光を照射する請求項１記載の個片フィルムの製造方法。
4. 前記所定形状が、鈍角からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、及び円から選択される少なくとも１種である請求項１記載の個片フィルムの製造方法。
5. 前記異方性導電膜中の前記導電粒子が面方向に整列されてなる請求項１記載の個片フィルムの製造方法。
6. 前記異方性導電膜の３０℃における溶融粘度が、５０００Ｐａ・ｓ以上５０００００Ｐａ・ｓ以下である請求項１記載の個片フィルムの製造方法。
7. 異方性導電膜からなる所定形状の個片を有し、
   前記異方性導電膜の厚みが、前記異方性導電膜中の導電粒子の粒子径の０．９倍以上８倍以下であり、
   前記異方性導電膜の３０℃における溶融粘度が、２０００Ｐａ・ｓ以上８０００００Ｐａ・ｓ以下である個片フィルム。
8. 前記異方性導電膜中の導電粒子が、前記異方性導電膜の厚み方向における前記導電粒子の中心位置の平均値に９０％以上存在する請求項７記載の個片フィルム。
9. 前記所定形状が、鈍角からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、及び円から選択される少なくとも１種である請求項７記載の個片フィルム。
10. 前記異方性導電膜中の前記導電粒子が面方向に整列されてなる請求項７記載の個片フィルム。
11. 前記異方性導電膜の３０℃における溶融粘度が、５０００Ｐａ・ｓ以上５０００００Ｐａ・ｓ以下である請求項７記載の個片フィルム。
12. 基材上に設けられた異方性導電膜に対して前記基材側からレーザー光を照射し、該照射部分の異方性導電膜を除去し、前記基材上に異方性導電膜からなる所定形状の個片を形成する形成工程と、
    前記所定形状の個片を配線基板の所定位置、又は発光素子の電極面に転写させる転写工程と、
    前記転写された個片を介して、前記発光素子を前記配線基板に実装させる実装工程とを有し、
    前記異方性導電膜の厚みが、前記異方性導電膜中の導電粒子の粒子径の０．９倍以上８倍以下であり、
    前記異方性導電膜の３０℃における溶融粘度が、２０００Ｐａ・ｓ以上８０００００Ｐａ・ｓ以下である表示装置の製造方法。
13. 前記異方性導電膜中の導電粒子が、前記異方性導電膜の厚み方向における前記導電粒子の中心位置の平均値に９０％以上存在する請求項１２記載の表示装置の製造方法。
14. 前記形成工程では、前記所定形状の遮光部が形成されたマスクを介して前記レーザー光を照射する請求項１２記載の表示装置の製造方法。
15. 前記転写工程では、前記基材側からレーザー光を照射して前記所定形状の個片を配線基板の所定位置、又は発光素子の電極面に転写させる請求項１２記載の表示装置の製造方法。
16. 前記所定形状が、鈍角からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、及び円から選択される少なくとも１種である請求項１２記載の表示装置の製造方法。
17. 前記異方性導電膜中の前記導電粒子が面方向に整列されてなる請求項１２記載の表示装置の製造方法。
18. 前記異方性導電膜の３０℃における溶融粘度が、５０００Ｐａ・ｓ以上５０００００Ｐａ・ｓ以下である請求項１２記載の表示装置の製造方法。
19. 基材上に設けられた異方性導電膜に対して前記基材側からレーザー光を照射し、該照射部分の異方性導電膜を除去し、前記基材上に異方性導電膜からなる所定形状の個片を形成する形成工程と、
    前記所定形状の個片を第１の電子部品の所定位置に転写させる転写工程と、
    前記転写された個片を介して、第２の電子部品を前記配線基板に実装させる実装工程とを有し、
    前記異方性導電膜の厚みが、前記異方性導電膜中の導電粒子の粒子径の０．９倍以上８倍以下であり、
    前記異方性導電膜の３０℃における溶融粘度が、２０００Ｐａ・ｓ以上８０００００Ｐａ・ｓ以下である接続構造体の製造方法。
20. 複数の発光素子と、
    発光素子を配列する配線基板と、
    前記複数の発光素子と前記配線基板とを接続させた硬化膜とを備え、
    前記硬化膜が、異方性導電膜からなる所定形状の個片が硬化してなり、
    前記異方性導電膜の厚みが、前記異方性導電膜中の導電粒子の粒子径の０．９倍以上８倍以下であり、
    前記異方性導電膜の３０℃における溶融粘度が、２０００Ｐａ・ｓ以上８０００００Ｐａ・ｓ以下である表示装置。
21. 前記異方性導電膜中の導電粒子が、前記異方性導電膜の厚み方向における前記導電粒子の中心位置の平均値に９０％以上存在する請求項２０記載の表示装置。
22. 前記所定形状が、鈍角からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、及び円から選択される少なくとも１種である請求項２０記載の表示装置。
23. 前記個片間の距離が、３μｍ以上である請求項２０記載の表示装置。
24. 前記発光素子が、１画素を構成するサブピクセル単位で配列されてなる請求項２０記載の表示装置。
25. 前記個片が、前記配線基板上にサブピクセル単位若しくはピクセル単位で配列されてなる請求項２０記載の表示装置。
26. 第１の電子部品と、
    第２の電子部品と、
    前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを接続させた硬化膜とを備え、
    前記硬化膜が、異方性導電膜からなる所定形状の個片が硬化してなり、
    前記異方性導電膜の厚みが、前記異方性導電膜中の導電粒子の粒子径の０．９倍以上８倍以下であり、
    前記異方性導電膜の３０℃における溶融粘度が、２０００Ｐａ・ｓ以上８０００００Ｐａ・ｓ以下である接続構造体。
    
    
    
    

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