JP2024028868A - 炭化珪素基板および炭化珪素エピタキシャル基板 - Google Patents
炭化珪素基板および炭化珪素エピタキシャル基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024028868A JP2024028868A JP2023206044A JP2023206044A JP2024028868A JP 2024028868 A JP2024028868 A JP 2024028868A JP 2023206044 A JP2023206044 A JP 2023206044A JP 2023206044 A JP2023206044 A JP 2023206044A JP 2024028868 A JP2024028868 A JP 2024028868A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- carbide substrate
- main surface
- raman spectrum
- optical branch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 256
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 256
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 209
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 claims abstract description 79
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 44
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 23
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 12
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 5
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 3
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001835 Lely method Methods 0.000 description 1
- 238000003841 Raman measurement Methods 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/06—Joining of crystals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/08—Etching
- C30B33/10—Etching in solutions or melts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
- C30B25/186—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being specially pre-treated by, e.g. chemical or physical means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【課題】炭化珪素エピタキシャル層の形成前後において炭化珪素基板の反りの変化を低減する炭化珪素基板を提供する。
【解決手段】応力が０であるポリタイプ４Ｈの炭化珪素のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数をν０とし、第１主面から第２主面までの領域において、炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数の最大値をνｍａｘとし、第１主面から第２主面までの領域において、炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数の最小値をνｍｉｎとし、第１主面における炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数をν１とするとき、下記の数式を満たす。
【選択図】なし
【解決手段】応力が０であるポリタイプ４Ｈの炭化珪素のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数をν０とし、第１主面から第２主面までの領域において、炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数の最大値をνｍａｘとし、第１主面から第２主面までの領域において、炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数の最小値をνｍｉｎとし、第１主面における炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数をν１とするとき、下記の数式を満たす。
【選択図】なし
Description
本開示は、炭化珪素基板に関する。本出願は、２０１７年１２月８日に出願した日本特許出願である特願２０１７－２３６４０５号に基づく優先権を主張する。当該日本特許出願に記載された全ての記載内容は、参照によって本明細書に援用される。
特開２０１４－２１０６９０号公報（特許文献１）には、炭化珪素単結晶基板に対して化学機械研磨が行われることが記載されている。
本開示に係る炭化珪素基板は、第１主面と、第１主面の反対側にある第２主面とを備え、かつポリタイプ４Ｈの炭化珪素により構成されている。第１主面の最大径は、１４０ｍｍ以上である。炭化珪素基板の厚みは、３００μｍ以上６００μｍ以下である。第１主面は、｛０００１｝面または｛０００１｝面に対して０°より大きく８°以下のオフ角で傾斜した面である。応力が０であるポリタイプ４Ｈの炭化珪素のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数をν０とし、第１主面から第２主面までの領域において、炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数の最大値をνｍａｘとし、第１主面から第２主面までの領域において、炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数の最小値をνｍｉｎとし、第１主面における炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数をν１とするとき、数式１～数式３を満たす。
[本開示が解決しようとする課題]
本開示の目的は、炭化珪素エピタキシャル層の形成前後において炭化珪素基板の反りの変化を低減することである。
本開示の目的は、炭化珪素エピタキシャル層の形成前後において炭化珪素基板の反りの変化を低減することである。
[本開示の効果]
本開示によれば、炭化珪素エピタキシャル層の形成前後において炭化珪素基板の反りの変化を低減することができる。
本開示によれば、炭化珪素エピタキシャル層の形成前後において炭化珪素基板の反りの変化を低減することができる。
［本開示の実施形態の説明］
（１）本開示に係る炭化珪素基板１０は、第１主面１と、第１主面１の反対側にある第２主面２とを備え、かつポリタイプ４Ｈの炭化珪素により構成されている。第１主面１の最大径１１１は、１４０ｍｍ以上である。炭化珪素基板１０の厚みは、３００μｍ以上６００μｍ以下である。第１主面１は、｛０００１｝面または｛０００１｝面に対して０°より大きく８°以下のオフ角で傾斜した面である。応力が０であるポリタイプ４Ｈの炭化珪素のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数をν０とし、第１主面１から第２主面２までの領域において、炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数の最大値をνｍａｘとし、第１主面１から第２主面２までの領域において、炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数の最小値をνｍｉｎとし、第１主面１における炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数をν１とするとき、数式１～数式３を満たす。
（１）本開示に係る炭化珪素基板１０は、第１主面１と、第１主面１の反対側にある第２主面２とを備え、かつポリタイプ４Ｈの炭化珪素により構成されている。第１主面１の最大径１１１は、１４０ｍｍ以上である。炭化珪素基板１０の厚みは、３００μｍ以上６００μｍ以下である。第１主面１は、｛０００１｝面または｛０００１｝面に対して０°より大きく８°以下のオフ角で傾斜した面である。応力が０であるポリタイプ４Ｈの炭化珪素のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数をν０とし、第１主面１から第２主面２までの領域において、炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数の最大値をνｍａｘとし、第１主面１から第２主面２までの領域において、炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数の最小値をνｍｉｎとし、第１主面１における炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数をν１とするとき、数式１～数式３を満たす。
（２）上記（１）に係る炭化珪素基板１０において、炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数をνとすると、第１主面１から第２主面２に向かって３μｍ以内の領域の任意の位置において、数式４を満たしてもよい。
（３）上記（１）または（２）に係る炭化珪素基板１０において、第１主面１から第２主面２までの領域において、炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの半値幅の最大値をΔｍａｘとし、第１主面１から第２主面２までの領域において、炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの半値幅の最小値をΔｍｉｎとしたとき、数式５を満たしてもよい。
［本開示の実施形態の詳細］
以下、図面に基づいて本開示の実施形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。本明細書中の結晶学的記載においては、個別方位を［］、集合方位を＜＞、個別面を（）、集合面を｛｝でそれぞれ示している。また、負の指数については、結晶学上、”－”（バー）を数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。
以下、図面に基づいて本開示の実施形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。本明細書中の結晶学的記載においては、個別方位を［］、集合方位を＜＞、個別面を（）、集合面を｛｝でそれぞれ示している。また、負の指数については、結晶学上、”－”（バー）を数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。
まず、本実施形態に係る炭化珪素基板１０の構成について説明する。
図１および図２に示されるように、本実施形態に係る炭化珪素基板１０は、第１主面１と、第２主面２と、外周面５とを主に有している。第２主面２は、第１主面１の反対側にある。炭化珪素基板１０は、ポリタイプ４Ｈの炭化珪素により構成されている。炭化珪素基板１０は、たとえば窒素（Ｎ）などのｎ型不純物を含んでいる。炭化珪素基板１０の導電型は、たとえばｎ型である。炭化珪素基板１０のｎ型不純物の濃度は、たとえば１×１０17ｃｍ－３以上１×１０20ｃｍ－３以下である。
図１および図２に示されるように、本実施形態に係る炭化珪素基板１０は、第１主面１と、第２主面２と、外周面５とを主に有している。第２主面２は、第１主面１の反対側にある。炭化珪素基板１０は、ポリタイプ４Ｈの炭化珪素により構成されている。炭化珪素基板１０は、たとえば窒素（Ｎ）などのｎ型不純物を含んでいる。炭化珪素基板１０の導電型は、たとえばｎ型である。炭化珪素基板１０のｎ型不純物の濃度は、たとえば１×１０17ｃｍ－３以上１×１０20ｃｍ－３以下である。
図１に示されるように、第１主面１の最大径１１１は、１４０ｍｍ以上である。第１主面１の最大径１１１は、特に限定されないが、たとえば１６０ｍｍ以下であってもよいし、２００ｍｍ以下であってもよいし、２５０ｍｍ以下であってもよいし、３００ｍｍ以下であってもよい。図２に示されるように、炭化珪素基板１０の厚み１１２は、３００μｍ以上６００μｍ以下である。炭化珪素基板１０の厚み１１２は、特に限定されないが、たとえば３５０μｍ以上であってもよいし、４００μｍ以上であってもよい。炭化珪素基板１０の厚み１１２は、特に限定されないが、たとえば５５０μｍ以下であってもよいし、５００μｍ以下であってもよい。
第１主面１は、｛０００１｝面または｛０００１｝面に対して０°より大きく８°以下のオフ角で傾斜した面である。オフ角は、たとえば１°以上であってもよいし、２°以上であってもよい。オフ角は、７°以下であってもよいし、６°以下であってもよい。具体的には、第１主面１は、（０００１）面または（０００１）面に対して０°より大きく８°以下のオフ角で傾斜した面であってもよい。第１主面１は、（０００－１）面または（０００－１）面に対して０°より大きく８°以下のオフ角で傾斜した面であってもよい。第１主面１の傾斜方向は、たとえば＜１１－２０＞方向である。
図１に示されるように、外周面５は、たとえば第１フラット３と、円弧状部４とを有していてもよい。第１フラット３は、たとえば第１方向１０１に沿って延在する。円弧状部４は、第１フラット３に連なる。外周面５は、たとえば第２方向１０２に沿って延在する第２フラット（図示せず）を有していてもよい。第２方向１０２は、たとえば＜１－１００＞方向である。第１方向１０１は、第１主面１に対して平行であり、かつ第２方向１０２に対して垂直な方向である。第１方向１０１は、たとえば＜１１－２０＞方向である。
第１主面１は、たとえばエピタキシャル層形成面である。別の観点から言えば、第１主面１上に炭化珪素エピタキシャル層２０（図１２参照）が設けられる。第２主面２は、たとえばドレイン電極形成面である。別の観点から言えば、第２主面２上にＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のドレイン電極（図示せず）が形成される。
次に、炭化珪素基板１０のラマンスペクトルを測定するためのラマン分光装置の構成について説明する。
図３に示されるように、ラマン分光装置３０は、たとえば光源３２と、対物レンズ３１と、分光器３３と、ステージ３４と、ビームスプリッター３５と、検出器３８とを主に有している。ラマン分光装置３０としては、たとえばＨＯＲＩＢＡ ＪＯＢＩＮ ＹＶＯＮ社製のＬａｂＲＡＭ ＨＲ－８００を使用することができる。光源３２は、たとえばＹＡＧ（Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｇａｒｎｅｔ）レーザーである。光源３２の励起波長は、たとえば５３２ｎｍである。レーザー照射強度は、たとえば１０ｍＷである。測定方法は、たとえば後方散乱測定である。対物レンズ３１の倍率は１００倍である。測定領域の直径は、たとえば１μｍである。レーザーの照射時間は、たとえば２０秒である。積算回数は、たとえば５回である。グレーティングは、２４００ｇｒ／ｍｍである。
次に、炭化珪素基板１０のラマンスペクトルを測定する方法について説明する。
まず、光源３２のＹＡＧレーザーから入射光３６が放射される。図３の矢印６１に示されるように、入射光３６は、ビームスプリッター３５により反射され、炭化珪素基板１０の第１主面１に向かって入射される。ラマン分光装置３０は、たとえば共焦点光学系を採用している。共焦点光学系においては、対物レンズ３１の焦点と共役な位置に円形の開口を有する共焦点アパーチャ（図示せず）が配置されている。これにより、焦点の合った位置（高さ）のみの光を検出することができる。
まず、光源３２のＹＡＧレーザーから入射光３６が放射される。図３の矢印６１に示されるように、入射光３６は、ビームスプリッター３５により反射され、炭化珪素基板１０の第１主面１に向かって入射される。ラマン分光装置３０は、たとえば共焦点光学系を採用している。共焦点光学系においては、対物レンズ３１の焦点と共役な位置に円形の開口を有する共焦点アパーチャ（図示せず）が配置されている。これにより、焦点の合った位置（高さ）のみの光を検出することができる。
図３の矢印６２に示されるように、炭化珪素基板１０によって散乱されたラマン散乱光は、ビームスプリッター３５を通り、分光器３３に導入される。分光器３３において、ラマン散乱光が波数毎に分解される。波数毎に分解されたラマン散乱光が検出器３８によって検出される。これにより、横軸を波数とし、かつ縦軸をラマン散乱光の強度としたラマンスペクトルが得られる。ステージ３４は、炭化珪素基板１０の厚み方向（矢印６３の方向）に移動することができる。
図４に示されるように、炭化珪素基板１０の第１主面１に入射光３６の焦点を合わせ、測定領域３７におけるラマンスペクトルを測定する。この場合、入射光３６の焦点の高さ方向の位置は、第１位置Ｘ１である。入射光３６の焦点は、第１主面１の中心６（図１参照）に合わせられる。ラマン散乱光の測定領域３７は、第１主面１の中心６を含む直径約１μｍの領域である。次に、ステージ３４が上側に移動させられ、入射光３６の焦点の高さ方向の位置が第２位置Ｘ２に調整される。これにより、第２位置Ｘ２におけるラマンスペクトルが測定される。以上のように、ステージ３４を矢印６３の方向に沿って移動させることで、第１位置Ｘ１から第ｎ位置Ｘｎの各々におけるラマンスペクトルが測定される。言い換えれば、炭化珪素基板１０の厚み方向において、ラマンスペクトルが測定される。
図５は、炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの一例を示している。図５の横軸は、波数（ラマンシフト）である。図５の縦軸は、ラマン散乱光の強度（ラマン強度）である。光源３２の励起光の波長は、５１４．５ｎｍである。ラマンシフトとは、励起光の波数と被測定物のラマン散乱光の波数との差である。被測定物がポリタイプ４Ｈの炭化珪素の場合、ラマンスペクトルにおいて主に４つのピークが観測される。第１ピーク４１は、縦波光学（ＬＯ）分岐の折り返しモードに起因するラマン散乱光である。第１ピーク４１は、たとえば９６４ｃｍ－１付近に出現する。第２ピーク４２は、横波光学（ＴＯ）分岐の折り返しモードに起因するラマン散乱光である。第２ピーク４２は、たとえば７７６ｃｍ－１付近に出現する。第３ピーク４３は、縦波音響（ＬＡ）分岐の折り返しモードに起因するラマン散乱光である。第３ピーク４３は、たとえば６１０ｃｍ－１付近に出現する。第４ピーク４４は、横波音響（ＴＡ）分岐の折り返しモードに起因するラマン散乱光である。第４ピーク４４は、たとえば１９６ｃｍ－１付近に出現する。
図６の実線で示すラマンプロファイルは、炭化珪素基板１０の第１位置Ｘ１（図４参照）で測定されたラマンスペクトルを示している。当該ラマンスペクトルを用いて、縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピーク４１の波数νが求められる。同様に、当該ピーク４１の半値幅Δが求められる。なお縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピーク４１とは、縦型光学分岐の折り返しモードに起因して発生するラマンプロファイルのピークである。図６の一点鎖線で示すラマンプロファイル５０は、応力が０であるポリタイプ４Ｈの炭化珪素のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークである。当該ピークの波数ν０は、たとえば以下のようにして求めることができる。Ｌｅｌｙ結晶（Ｌｅｌｙ法で成長した結晶）をラマン測定して求められるラマンスペクトルのピークを応力０の波数ν０とする。Ｌｅｌｙ結晶は自然核発生により成長し、不純物が少ないため応力０とみなすことができる。
スライス加工後の炭化珪素基板１０の第１主面１付近は、引張応力または圧縮応力が発生している。そのため、炭化珪素基板１０の第１位置Ｘ１で測定されたラマンプロファイルの縦型光学分岐の折り返しモードに起因するピークを示す波数は、応力が０であるポリタイプ４Ｈの炭化珪素のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数ν０からシフトする。測定領域に引張応力が発生していると、測定領域のラマンプロファイルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数は、マイナス側にシフトする。反対に、測定領域に圧縮応力が発生していると、測定領域のラマンプロファイルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数は、プラス側にシフトする。このようにシフト量Ｓを求めることにより、測定領域の応力を定量的に評価することができる。
図７は、横軸を炭化珪素基板１０の測定位置とし、かつ縦軸を炭化珪素の縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの波数としてプロットした図である。図４に示されるように、炭化珪素基板１０の測定位置は、第１主面１から第２主面２まで、一定の間隔ｔで変化させる。間隔ｔは、たとえば２．７５μｍである。具体的には、第１位置Ｘ１における炭化珪素基板１０のラマンスペクトルを測定した後、当該ラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの波数が求められる。次に、ステージ３４を矢印６３の方向に移動させ、第２位置Ｘ２における炭化珪素基板１０のラマンスペクトルを測定した後、当該ラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの波数が求められる。同様に、第３位置Ｘ３から第ｎ位置Ｘｎまでにおけるラマンスペクトルが測定され、各測定位置におけるラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの波数が求められる。以上のようにして、図７に示す波数と測定位置との関係が求められる。
第１主面１から第２主面２までの領域において、炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数の最大値がνｍａｘとして求められる。図７において、第１位置Ｘ１における波数がνｍａｘである。同様に、第１主面１から第２主面２までの領域において、炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数の最小値がνｍｉｎとして求められる。図７において、第ｍ位置Ｘｍにおける波数がνｍｉｎである。第１主面１における炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数がν１として求められる。
応力が０であるポリタイプ４Ｈの炭化珪素のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピーク波数をν０とすると、νｍａｘは上述の数式１を満たす。νｍａｘは（ν０＋０．０４５ｃｍ－１）以下であってもよいし、（ν０＋０．０４ｃｍ－１）以下であってもよい。νｍｉｎは上述の数式２を満たす。νｍｉｎは（ν０－０．０４５ｃｍ－１）以上であってもよいし、（ν０－０．０４ｃｍ－１）以上であってもよい。ν１は上述の数式３を満たす。ν１は（ν０－０．０１５ｃｍ－１）以上であってもよいし、（ν０－０．０１ｃｍ－１）以上であってもよい。ν１は（ν０＋０．０３ｃｍ－１）以下であってもよいし、（ν０＋０．０２５ｃｍ－１）以下であってもよい。
図７に示されるように、第１位置Ｘ１で測定されたラマンプロファイルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数は、波数ν０よりも大きくてもよい。炭化珪素基板１０は、第１主面１から第２主面２に向かう方向において、ラマンプロファイルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数が単調に小さくなる領域（たとえば第１位置Ｘ１から第ｍ位置Ｘｍまで）を有していてもよい。炭化珪素基板１０は、第１主面１から第２主面２に向かう方向において、ラマンプロファイルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数が単調に大きくなる領域（たとえば第ｍ位置Ｘｍから第ｎ－１位置Ｘｎ－１まで）を有していてもよい。ラマンプロファイルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数は、第２主面２に向かうにつれて波数ν０に漸近していてもよい。
なお第２主面２の面粗さが大きい場合、第２主面２におけるラマンスペクトルには多くのノイズが入り、縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数を正確に算出することができない。そのため、波数の最大値および波数の最小値の算出に際して、第２主面２におけるラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数は考慮しない。図７においては、第２主面２における測定位置（第ｎ位置Ｘｎ）の波数を白丸により示している。このことは、第ｎ位置Ｘｎにおける波数は、測定されてもよいけれども、波数の最大値および波数の最小値の算出に際して考慮されないことを意味している。
図７に示されるように、炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数をνとすると、第１主面１から第２主面２に向かって３μｍ以内の領域の任意の位置において、νは上述の数式４を満たす。具体的には、第１位置Ｘ１における炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの波数と、第２位置Ｘ２における炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの波数とは、上述の数式４を満たす。νは（ν０－０．０１５ｃｍ－１）以上であってもよいし、（ν０－０．０１ｃｍ－１）以上であってもよい。νは（ν０＋０．０３ｃｍ－１）以下であってもよいし、（ν０＋０．０２５ｃｍ－１）以下であってもよい。
図８は、横軸を炭化珪素基板１０の測定位置とし、かつ縦軸を炭化珪素の縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの半値幅としてプロットした図である。図７の場合と同様に、炭化珪素基板１０の測定位置は、第１主面１から第２主面２まで一定の間隔ｔで変化させ、各測定位置において炭化珪素基板１０のラマンスペクトルを測定される。各測定位置におけるラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの半値幅Δが求められる。半値幅Δは、具体的には、半値全幅（ＦＷＨＭ：Ｆｕｌｌ Ｗｉｄｔｈ ａｔ Ｈａｌｆ Ｍａｘｉｍｕｍ）である。以上のようにして、図８に示す半値幅と測定位置との関係が求められる。なお当該ピークの半値幅は、第１主面１に平行な測定領域内における応力分布の指標である。当該ピークの半値幅が小さいと測定範囲内における応力分布は小さい。反対に、当該ピークの半値幅が大きいと測定範囲内における応力分布は大きい。
第１主面１から第２主面２までの領域において、炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの半値幅の最大値がΔｍａｘとして求められる。図８において、第１位置Ｘ１における半値幅がΔｍａｘである。同様に、第１主面１から第２主面２までの領域において、炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの半値幅の最小値がΔｍｉｎとして求められる。図８において、第ｎ－１位置Ｘｎ－１における半値幅がΔｍｉｎである。図８においては、第２主面２における測定位置（第ｎ位置Ｘｎ）の波数を白丸により示している。このことは、第ｎ位置Ｘｎにおける半値幅は、測定されてもよいけれども、半値幅の最大値および半値幅の最小値の算出に際して考慮されないことを意味している。
図８に示されるように、ラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの半値幅Δは、第１主面１から第２主面２に向かって単調に減少していてもよい。当該ピークの半値幅Δは、第２主面２に向かうにつれて、Δｍｉｎに漸近していてもよい。本実施形態に係る炭化珪素基板１０によれば、第１主面１から第２主面２までの領域において、炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの半値幅の最大値をΔｍａｘとし、第１主面１から第２主面２までの領域において、炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの半値幅の最小値をΔｍｉｎとしたとき、上述の数式５を満たす。（Δｍａｘ－Δｍｉｎ）は０．１３ｃｍ－１以下であってもよいし、０．１１ｃｍ－１以下であってもよい。
上記においては、第１主面１の中心６を通り、第１主面１に対してほぼ垂直な直線に沿ってラマンプロファイルが測定される場合について説明したが、ラマンプロファイルの測定箇所は上記直線に限定されない。たとえば外周面５から内側に所定の距離（たとえば３ｍｍ）までの領域を除いた炭化珪素基板１０の任意の領域において、数式１～数式５が満たされてもよい。
次に、本実施形態に係る炭化珪素基板１０の製造方法について説明する。
まず、スライス加工工程が実施される。具体的には、たとえば昇華法によりポリタイプ４Ｈの炭化珪素単結晶から構成されたインゴットが形成される。インゴットが整形された後、インゴットがワイヤーソー装置によりスライスされる。これにより、炭化珪素基板１０がインゴットから切り出される。ソーワイヤーの表面にはダイヤモンド砥粒が固着されている。ダイヤモンド砥粒の径は、たとえば１５μｍ以上２５μｍ以下である。ソーワイヤーの径は、たとえば１２０μｍである。ソーワイヤーの線速は、たとえば８００ｍ／分以上１５００ｍ／分以下である。ソーワイヤーの張力は、たとえば１８Ｎである。
まず、スライス加工工程が実施される。具体的には、たとえば昇華法によりポリタイプ４Ｈの炭化珪素単結晶から構成されたインゴットが形成される。インゴットが整形された後、インゴットがワイヤーソー装置によりスライスされる。これにより、炭化珪素基板１０がインゴットから切り出される。ソーワイヤーの表面にはダイヤモンド砥粒が固着されている。ダイヤモンド砥粒の径は、たとえば１５μｍ以上２５μｍ以下である。ソーワイヤーの径は、たとえば１２０μｍである。ソーワイヤーの線速は、たとえば８００ｍ／分以上１５００ｍ／分以下である。ソーワイヤーの張力は、たとえば１８Ｎである。
炭化珪素基板１０は、ポリタイプ４Ｈの六方晶炭化珪素から構成されている。炭化珪素基板１０は、第１主面１と、第１主面１の反対側にある第２主面２とを有する。第１主面１は、たとえば｛０００１｝面に対して＜１１－２０＞方向に４°以下オフした面である。具体的には、第１主面１は、たとえば（０００１）面に対して４°以下程度の角度だけオフした面である。第２主面２は、たとえば（０００－１）面に対して＜１１－２０＞方向に４°以下程度の角度だけオフした面である。
図９に示されるように、炭化珪素基板１０は、第１領域７と、中間領域８と、第２領域９とを有している。第１領域７は、第１主面１を含む領域である。第２領域９は、第２主面２を含む領域である。中間領域８は、第１領域７と第２領域９との間の領域である。上記スライス加工工程において、第１領域７および第２領域９の各々に対しては加工ダメージが加えられる。そのため、第１領域７および第２領域９の各々は、中間領域８よりも歪んでいる。第１主面１は、たとえば中心が第２主面２に近づき、かつ外周が第２主面２から遠ざかるように湾曲している。第２主面２は、たとえば中心が第１主面１から遠ざかり、かつ外周が第１主面１に近づくように湾曲している。図１０に示されるように、炭化珪素基板１０の第１主面１には、第１主面１に対して垂直な方向から見て略円状の歪領域５１が点在していてもよい。歪領域は、加工ダメージが残留した領域である。歪領域５１は、歪領域５１の周りの領域と応力が異なっている。
次に、第１エッチング工程が行われる。具体的には、水酸化カリウム（ＫＯＨ）と、過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）と、純水とが混合されて調製されたエッチング液に、炭化珪素基板１０全体が浸漬されることにより、炭化珪素基板１０がエッチングされる。エッチング液の体積比率は、ＫＯＨ：ＫＭｎＯ４：純水＝５～１５：１～３：２０～３０である。エッチング液の温度は、たとえば７０℃以上９５℃以下である。次に、フッ酸（ＨＦ）と、硝酸（ＨＮＯ３）とが混合されて調製されたエッチング液に、炭化珪素基板１０全体が浸漬されることにより、炭化珪素基板１０がエッチングされる。エッチング液の体積比率は、ＨＦ：ＨＮＯ３＝３～５：２～４（ここで、ＨＦの体積は、ＨＮＯ３の体積よりも多い）である。エッチング液の温度は、たとえば７０℃以上９５℃以下である。これにより、炭化珪素基板１０の表面が１μｍ以上５μｍ以下程度エッチングされる。第１エッチングにより、炭化珪素基板１０の厚み方向における応力の分布が低減される。結果として、炭化珪素基板１０の反りが低減される（図１１参照）。第１主面１は、第２主面２とほぼ平行になる。
次に、両面機械研磨工程が実施される。具体的には、第１主面１が第１定盤（図示せず）に対向し、かつ第２主面２が第２定盤（図示せず）に対応するように炭化珪素基板１０が第１定盤と第２定盤との間に配置される。次に、第１主面１と第１定盤の間および第２主面２と第２定盤との間にスラリーが導入される。スラリーは、たとえばダイヤモンド砥粒を含む。ダイヤモンド砥粒の径は、たとえば１μｍ以上３μｍ以下である。第１定盤によって第１主面１に荷重が加えられ、かつ第２定盤によって第２主面２に荷重が加えられることにより、炭化珪素基板１０の両面に対して機械研磨が行われる。
次に、第２エッチング工程が行われる。具体的には、水酸化カリウム（ＫＯＨ）と、過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）と、純水とが混合されて調製されたエッチング液に、炭化珪素基板１０全体が浸漬されることにより、炭化珪素基板１０がエッチングされる。エッチング液の体積比率は、ＫＯＨ：ＫＭｎＯ４：純水＝５～１５：１～３：２０～３０である。エッチング液の温度は、たとえば７０℃以上９５℃以下である。次に、フッ酸（ＨＦ）と、硝酸（ＨＮＯ３）とが混合されて調製されたエッチング液に、炭化珪素基板１０全体が浸漬されることにより、炭化珪素基板１０がエッチングされる。エッチング液の体積比率は、ＨＦ：ＨＮＯ３＝３～５：２～４（ここで、ＨＦの体積は、ＨＮＯ３の体積よりも多い）である。エッチング液の温度は、たとえば７０℃以上９５℃以下である。これにより、炭化珪素基板１０の表面が１μｍ以上５μｍ以下程度エッチングされる。第２エッチングにより、炭化珪素基板１０の厚み方向における応力の分布が低減される。結果として、炭化珪素基板１０の反りが低減される。
次に、炭化珪素基板１０の第１主面１において第１ＣＭＰ(Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）が行われる。具体的には、第１主面１が定盤に対向するように、炭化珪素基板１０が研磨ヘッドに保持される。砥粒として酸化アルミニウムが用いられる。砥粒の平均粒径は、１８０ｎｍである。酸化剤として、硝酸塩系酸化剤が用いられる。炭化珪素基板１０に対する荷重（面圧）は、たとえば２５０ｇ／ｃｍ２以上５００ｇ／ｃｍ２以下である。定盤の回転数は、たとえば６０ｒｐｍ以上９０ｒｐｍ以下である。研磨ヘッドの回転数は、８０ｒｐｍ以上１２０ｒｐｍ以下である。
次に、炭化珪素基板１０の第１主面１において第２ＣＭＰが行われる。具体的には、砥粒としてコロイダルシリカが用いられる。酸化剤として、バナジン酸塩が添加された過酸化水素水が用いられる。炭化珪素基板１０に対する荷重（面圧）は、たとえば３００ｇ／ｃｍ２である。これにより、炭化珪素基板１０の第１主面１の歪が低減される。以上により、本実施形態に係る炭化珪素基板１０が製造される（図１参照）。
次に、本実施形態に係る炭化珪素基板１０に炭化珪素エピタキシャル層を形成する方法について説明する。
たとえばホットウォール方式の横型ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置の反応室に炭化珪素基板１０が配置される。次に、炭化珪素基板１０が、たとえば１６３０℃程度に昇温される。次に、たとえばシラン（ＳｉＨ４）とプロパン（Ｃ３Ｈ８）とアンモニア（ＮＨ３）と水素（Ｈ２）とを含む混合ガスが反応室に導入される。これにより、炭化珪素基板１０の第１主面１に炭化珪素エピタキシャル層２０が形成される（図１２参照）。図１２に示されるように、炭化珪素エピタキシャル層２０は、第１主面１に接している。炭化珪素エピタキシャル層は、第１主面１に対向する表面２１を有している。炭化珪素エピタキシャル層２０の厚みは、たとえば５μｍ以上１００μｍ以下である。
次に、本実施形態に係る炭化珪素基板１０の作用効果について説明する。
ダイヤモンド砥粒を用いて炭化珪素基板１０に対してスライスまたは機械研磨などの加工を行う場合、炭化珪素基板１０に対して加工ダメージが加えられる。これにより、炭化珪素基板１０の第１主面１および第２主面２の各々から内部に向かって数十μｍ～数百μｍまでの領域において歪（応力）が変化する領域（具体的には、第１領域７および第２領域９）が形成される。歪が変化する領域は、機械研磨におけるダイヤモンド砥粒の転動によって形成されると考えられる。最終的にＣＭＰ後の状態においても、図１０に示される歪領域５１と、歪領域５１の周辺部の領域には、歪が存在している。歪領域５１の周辺部の領域と比較して、歪領域５１は、より深い（強い）歪が存在している。
ダイヤモンド砥粒を用いて炭化珪素基板１０に対してスライスまたは機械研磨などの加工を行う場合、炭化珪素基板１０に対して加工ダメージが加えられる。これにより、炭化珪素基板１０の第１主面１および第２主面２の各々から内部に向かって数十μｍ～数百μｍまでの領域において歪（応力）が変化する領域（具体的には、第１領域７および第２領域９）が形成される。歪が変化する領域は、機械研磨におけるダイヤモンド砥粒の転動によって形成されると考えられる。最終的にＣＭＰ後の状態においても、図１０に示される歪領域５１と、歪領域５１の周辺部の領域には、歪が存在している。歪領域５１の周辺部の領域と比較して、歪領域５１は、より深い（強い）歪が存在している。
炭化珪素基板１０の第１主面１に対して水素エッチングを行うことにより、歪が変化する領域の一部が除去される。これにより、応力分布が変化し、炭化珪素基板１０の反りの形状が変化する。応力分布が変化する領域の一部は炭化珪素基板１０に残っている。この時点から反りが変化している。更に、炭化珪素エピタキシャル層２０を炭化珪素基板１０上に形成するために炭化珪素基板１０を昇温すると、炭化珪素基板１０に残った応力分布が変化する領域の応力分布が変化することで、炭化珪素基板１０の反りが更に大きく変化する。つまり、炭化珪素エピタキシャル層の形成前後において炭化珪素基板１０の反りが大きく変化する。
本実施形態に係る炭化珪素基板１０によれば、歪が変化する領域の大部分が除去されており、厚み方向において応力の分布が低減されている。具体的には、応力が０であるポリタイプ４Ｈの炭化珪素のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数をν０とし、第１主面１から第２主面２までの領域において、炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数の最大値をνｍａｘとし、第１主面１から第２主面２までの領域において、炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数の最小値をνｍｉｎとし、第１主面１における炭化珪素基板１０のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数をν１とするとき、数式１～数式３を満たす。これにより、炭化珪素エピタキシャル層の形成前後における、炭化珪素基板１０の反りの変化を低減することができる。
炭化珪素基板１０の厚み方向において応力の分布が大きいと、炭化珪素基板１０を昇温した際に、炭化珪素基板１０の第１主面１に歪領域５１を起点として＜１－１００＞方向に延在する直線状のスジ（突出部）が形成されることがある。炭化珪素基板１０に炭化珪素エピタキシャル層２０を形成する際、炭化珪素基板１０の第１主面１に形成されていた直線状のスジは、第１主面１上に形成された炭化珪素エピタキシャル層２０に引き継がれる。結果として、炭化珪素エピタキシャル層２０の表面２１に、直線状のスジが形成される。本実施形態に係る炭化珪素基板１０においては、炭化珪素基板１０の厚み方向において応力の分布が低減されている。これにより、炭化珪素基板１０上に形成される炭化珪素エピタキシャル層２０の表面２１において、直線状のスジが形成されることを抑制することができてもよい。
（サンプル準備）
表２に記載の製造工程を用いてサンプル１～４に係る炭化珪素基板１０が準備された。サンプル１に係る炭化珪素基板１０を実施例とした。サンプル２～４に係る炭化珪素基板１０を比較例とした。具体的には、まずポリタイプ４Ｈの炭化珪素インゴットをワイヤーソー装置によりスライスすることにより、炭化珪素基板１０がインゴットから切り出された。サンプル１は、条件Ａを用いてスライスされた。スライス工程の条件Ａは以下の通りである。ダイヤモンド砥粒の径は、１５μｍ以上２５μｍ以下とした。ソーワイヤーの径は、１２０μｍとした。ソーワイヤーの線速は、８００ｍ／分以上１５００ｍ／分以下とした。ソーワイヤーの張力は、１８Ｎとした。サンプル２～４は、条件Ｂを用いてスライスされた。スライス工程の条件Ｂは以下の通りである。ダイヤモンド砥粒の径は、３０μｍ以上４０μｍ以下とした。ソーワイヤーの径は、１８０μｍとした。ソーワイヤーの線速は、８００ｍ／分以上１２００ｍ／分以下とした。ソーワイヤーの張力は、４５Ｎとした。
表２に記載の製造工程を用いてサンプル１～４に係る炭化珪素基板１０が準備された。サンプル１に係る炭化珪素基板１０を実施例とした。サンプル２～４に係る炭化珪素基板１０を比較例とした。具体的には、まずポリタイプ４Ｈの炭化珪素インゴットをワイヤーソー装置によりスライスすることにより、炭化珪素基板１０がインゴットから切り出された。サンプル１は、条件Ａを用いてスライスされた。スライス工程の条件Ａは以下の通りである。ダイヤモンド砥粒の径は、１５μｍ以上２５μｍ以下とした。ソーワイヤーの径は、１２０μｍとした。ソーワイヤーの線速は、８００ｍ／分以上１５００ｍ／分以下とした。ソーワイヤーの張力は、１８Ｎとした。サンプル２～４は、条件Ｂを用いてスライスされた。スライス工程の条件Ｂは以下の通りである。ダイヤモンド砥粒の径は、３０μｍ以上４０μｍ以下とした。ソーワイヤーの径は、１８０μｍとした。ソーワイヤーの線速は、８００ｍ／分以上１２００ｍ／分以下とした。ソーワイヤーの張力は、４５Ｎとした。
次に、サンプル１に係る炭化珪素基板１０に対して第１エッチング工程が実施された。第１エッチング工程の条件は上述の通りである。サンプル２～４に係る炭化珪素基板１０に対しては、第１エッチング工程は実施されなかった。
次に、サンプル１～４に係る炭化珪素基板１０に対して両面機械研磨工程が実施された。両面機械研磨工程の条件は上述の通りである。
次に、サンプル１に係る炭化珪素基板１０に対して第２エッチング工程が実施された。第２エッチング工程の条件は上述の通りである。サンプル２～４に係る炭化珪素基板１０に対しては、第２エッチング工程は実施されなかった。
次に、サンプル１～４に係る炭化珪素基板１０に対して第１ＣＭＰ工程が実施された。サンプル１～４に係る炭化珪素基板１０に対しては、それぞれ条件Ｃ、条件Ｄ、条件Ｅおよび条件Ｆが用いられた（表１参照）。
第１ＣＭＰ工程の条件Ｃは以下の通りである。具体的には、砥粒として酸化アルミニウムが用いられた。砥粒の平均粒径は、１８０ｎｍとした。酸化剤として、硝酸塩系酸化剤が用いられた。炭化珪素基板１０に対する荷重（面圧）は、２５０ｇ／ｃｍ２以上５００ｇ／ｃｍ２以下とした。定盤の回転数は、６０ｒｐｍ以上９０ｒｐｍ以下とした。研磨ヘッドの回転数は、８０ｒｐｍ以上１２０ｒｐｍ以下とした。
第１ＣＭＰ工程の条件Ｄは以下の通りである。具体的には、砥粒として酸化アルミニウムが用いられた。砥粒の平均粒径は、２５０ｎｍとした。酸化剤として、硝酸塩系酸化剤が用いられた。炭化珪素基板１０に対する荷重（面圧）は、２５０ｇ／ｃｍ２以上５００ｇ／ｃｍ２とした。定盤の回転数は、６０ｒｐｍ以上９０ｒｐｍ以下とした。研磨ヘッドの回転数は、８０ｒｐｍ以上１２０ｒｐｍ以下とした。
第１ＣＭＰ工程の条件Ｅは以下の通りである。具体的には、砥粒として酸化アルミニウムが用いられた。砥粒の平均粒径は、１８０ｎｍとした。酸化剤として、硝酸塩系酸化剤が用いられた。炭化珪素基板１０に対する荷重（面圧）は、６００ｇ／ｃｍ２以上７００ｇ／ｃｍ２とした。定盤の回転数は、６０ｒｐｍ以上９０ｒｐｍ以下とした。研磨ヘッドの回転数は、８０ｒｐｍ以上１２０ｒｐｍ以下とした。
第１ＣＭＰ工程の条件Ｆは以下の通りである。具体的には、砥粒として酸化アルミニウムが用いられた。砥粒の平均粒径は、２５０ｎｍとした。酸化剤として、硝酸塩系酸化剤が用いられた。炭化珪素基板１０に対する荷重（面圧）は、５００ｇ／ｃｍ２以上６００ｇ／ｃｍ２とした。定盤の回転数は、６０ｒｐｍ以上９０ｒｐｍ以下とした。研磨ヘッドの回転数は、８０ｒｐｍ以上１２０ｒｐｍ以下とした。
次に、サンプル１～４に係る炭化珪素基板１０に対して第２ＣＭＰ工程が実施された。第２ＣＭＰ工程の条件は上述の通りである。以上により、サンプル１～４に係る炭化珪素基板１０が準備された。
（評価方法１）
次に、サンプル１～４に係る炭化珪素基板１０の第１主面１のｗａｒｐおよびｂｏｗが測定された。第１主面１のｗａｒｐおよびｂｏｗは、Ｔｒｏｐｅｌ社製のＦｌａｔｍａｓｔｅｒにより測定された。図１３に示されるように、第１主面１の３点基準面９４が決定された。３点基準面９４とは、第１主面１上の３点（第５位置９５、第６位置９６および第７位置９７）を含む仮想平面である。第５位置９５、第６位置９６および第７位置９７を繋ぐことにより構成される三角形は、内部に第１主面１の中心６を含む正三角形である。
次に、サンプル１～４に係る炭化珪素基板１０の第１主面１のｗａｒｐおよびｂｏｗが測定された。第１主面１のｗａｒｐおよびｂｏｗは、Ｔｒｏｐｅｌ社製のＦｌａｔｍａｓｔｅｒにより測定された。図１３に示されるように、第１主面１の３点基準面９４が決定された。３点基準面９４とは、第１主面１上の３点（第５位置９５、第６位置９６および第７位置９７）を含む仮想平面である。第５位置９５、第６位置９６および第７位置９７を繋ぐことにより構成される三角形は、内部に第１主面１の中心６を含む正三角形である。
図１４および図１５に示されるように、３点基準面９４と垂直な方向において、３点基準面９４から見た第１主面１の最高位置９２と３点基準面９４との間の距離１５４と、３点基準面９４から見た第１主面１の最低位置９３と３点基準面９４との間の距離１５５との合計がｗａｒｐである。図１４および図１５に示されるように、３点基準面９４と垂直な方向において、第１主面１の中心６の位置９１と３点基準面９４との間の距離がｂｏｗである。図１４に示されるように、第１主面１の中心６の位置９１が３点基準面９４よりも低い場合、ｂｏｗは負の値を示す。図１５に示されるように、第１主面１の中心６の位置９１が３点基準面９４よりも高い場合、ｂｏｗは正の値を示す。
（評価結果１）
表３に示されるように、エピタキシャル成長前において、サンプル１～４に係る炭化珪素基板１０の第１主面１のｗａｒｐは、それぞれ１６．４μｍ、２３．３μｍ、３６．１μｍおよび５７．５μｍであった。またサンプル１～４に係る炭化珪素基板１０の第１主面１のｂｏｗは、それぞれ－１０．９μｍ、８．０μｍ、２１．８μｍおよび－３１．２μｍであった。
表３に示されるように、エピタキシャル成長前において、サンプル１～４に係る炭化珪素基板１０の第１主面１のｗａｒｐは、それぞれ１６．４μｍ、２３．３μｍ、３６．１μｍおよび５７．５μｍであった。またサンプル１～４に係る炭化珪素基板１０の第１主面１のｂｏｗは、それぞれ－１０．９μｍ、８．０μｍ、２１．８μｍおよび－３１．２μｍであった。
（評価方法２）
またラマン分光法を用いて、サンプル１～４に係る炭化珪素基板１０の第１主面１から第２主面２までの領域において、炭化珪素基板１０のラマンスペクトルが測定された。当該ラマンスペクトルを用いて、Δν（Ｎｅ）と測定位置の関係を求めた。同様に、ピークの半値幅（ＦＷＨＭ）と測定位置との関係を求めた。ここで、Δν（Ｎｅ）は、ポリタイプ４Ｈの炭化珪素の縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの波数から、ネオンのラマンスペクトルのピークの波数を差し引いた値である。ネオンのラマンスペクトルのピークを示す波数を基準として、炭化珪素の縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの波数を求めた。縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークおよび当該ピークの半値幅の測定方向は上述の通りである。応力が０であるポリタイプ４Ｈの炭化珪素のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数からネオンのラマンスペクトルのピークを示す波数を差し引いた値（Δν（Ｎｅ）０）は、たとえば－４４．２５ｃｍ－１である。測定位置は、第１主面１からの距離である。炭化珪素基板１０の第１主面１の測定位置は、０μｍの位置である。
またラマン分光法を用いて、サンプル１～４に係る炭化珪素基板１０の第１主面１から第２主面２までの領域において、炭化珪素基板１０のラマンスペクトルが測定された。当該ラマンスペクトルを用いて、Δν（Ｎｅ）と測定位置の関係を求めた。同様に、ピークの半値幅（ＦＷＨＭ）と測定位置との関係を求めた。ここで、Δν（Ｎｅ）は、ポリタイプ４Ｈの炭化珪素の縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの波数から、ネオンのラマンスペクトルのピークの波数を差し引いた値である。ネオンのラマンスペクトルのピークを示す波数を基準として、炭化珪素の縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの波数を求めた。縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークおよび当該ピークの半値幅の測定方向は上述の通りである。応力が０であるポリタイプ４Ｈの炭化珪素のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数からネオンのラマンスペクトルのピークを示す波数を差し引いた値（Δν（Ｎｅ）０）は、たとえば－４４．２５ｃｍ－１である。測定位置は、第１主面１からの距離である。炭化珪素基板１０の第１主面１の測定位置は、０μｍの位置である。
（評価結果２）
図１６および表４に示されるように、サンプル１に係る炭化珪素基板１０においては、Δν（Ｎｅ）ｍａｘとΔν（Ｎｅ）０との差の絶対値は、０．０３２ｃｍ－１であった。Δν（Ｎｅ）ｍｉｎとΔν（Ｎｅ）０との差の絶対値は、０．０４６ｃｍ－１であった。測定位置が０μｍにおけるΔν（Ｎｅ）は、－４４．２１８ｃｍ－１であった。第１主面１のΔν（Ｎｅ）からΔν（Ｎｅ）０を引いた値は、０．０３２ｃｍ－１であった。
図１６および表４に示されるように、サンプル１に係る炭化珪素基板１０においては、Δν（Ｎｅ）ｍａｘとΔν（Ｎｅ）０との差の絶対値は、０．０３２ｃｍ－１であった。Δν（Ｎｅ）ｍｉｎとΔν（Ｎｅ）０との差の絶対値は、０．０４６ｃｍ－１であった。測定位置が０μｍにおけるΔν（Ｎｅ）は、－４４．２１８ｃｍ－１であった。第１主面１のΔν（Ｎｅ）からΔν（Ｎｅ）０を引いた値は、０．０３２ｃｍ－１であった。
図１７および表４に示されるように、サンプル２に係る炭化珪素基板１０においては、Δν（Ｎｅ）ｍａｘとΔν（Ｎｅ）０との差の絶対値は、０．１４０ｃｍ－１であった。Δν（Ｎｅ）ｍｉｎとΔν（Ｎｅ）０との差の絶対値は、０．０６９ｃｍ－１であった。測定位置が０μｍにおけるΔν（Ｎｅ）は、－４４．１１０ｃｍ－１であった。第１主面１のΔν（Ｎｅ）からΔν（Ｎｅ）０を引いた値は、０．１４０ｃｍ－１であった。
図１８および表４に示されるように、サンプル３に係る炭化珪素基板１０においては、Δν（Ｎｅ）ｍａｘとΔν（Ｎｅ）０との差の絶対値は、０．００３ｃｍ－１であった。Δν（Ｎｅ）ｍｉｎとΔν（Ｎｅ）０との差の絶対値は、０．０６１ｃｍ－１であった。測定位置が０μｍにおけるΔν（Ｎｅ）は、－４４．２４７ｃｍ－１であった。第１主面１のΔν（Ｎｅ）からΔν（Ｎｅ）０を引いた値は、０．００３ｃｍ－１であった。
図１９および表４に示されるように、サンプル４に係る炭化珪素基板１０においては、Δν（Ｎｅ）ｍａｘとΔν（Ｎｅ）０との差の絶対値は、０．０７１ｃｍ－１であった。Δν（Ｎｅ）ｍｉｎとΔν（Ｎｅ）０との差の絶対値は、０．０２８ｃｍ－１であった。測定位置が０μｍにおけるΔν（Ｎｅ）は、－４４．１７９ｃｍ－１であった。第１主面１のΔν（Ｎｅ）からΔν（Ｎｅ）０を引いた値は、０．０７１ｃｍ－１であった。
図２０および表４に示されるように、サンプル１に係る炭化珪素基板１０においては、ΔｍａｘからΔｍｉｎを差し引いた値は、０．１ｃｍ－１であった。図２１および表４に示されるように、サンプル２に係る炭化珪素基板１０においては、ΔｍａｘからΔｍｉｎを差し引いた値は、０．１５ｃｍ－１であった。
図２２および表４に示されるように、サンプル３に係る炭化珪素基板１０においては、ΔｍａｘからΔｍｉｎを差し引いた値は、０．１８ｃｍ－１であった。図２３および表４に示されるように、サンプル４に係る炭化珪素基板１０においては、ΔｍａｘからΔｍｉｎを差し引いた値は、０．２２ｃｍ－１であった。
次に、サンプル１～４に係る炭化珪素基板１０の第１主面１上にエピタキシャル成長により炭化珪素エピタキシャル層２０が形成されることにより、炭化珪素エピタキシャル基板が製造された。炭化珪素エピタキシャル基板の製造条件は上述の通りである。
（評価方法３）
次に、サンプル１～４に係る炭化珪素基板１０上に形成された炭化珪素エピタキシャル層２０の表面２１のｗａｒｐおよびｂｏｗが測定された。表面２１のｗａｒｐおよびｂｏｗは、Ｔｒｏｐｅｌ社製のＦｌａｔｍａｓｔｅｒを使用して上述した方法と同様に測定された。
次に、サンプル１～４に係る炭化珪素基板１０上に形成された炭化珪素エピタキシャル層２０の表面２１のｗａｒｐおよびｂｏｗが測定された。表面２１のｗａｒｐおよびｂｏｗは、Ｔｒｏｐｅｌ社製のＦｌａｔｍａｓｔｅｒを使用して上述した方法と同様に測定された。
またサンプル１～４に係る炭化珪素基板１０上に形成された炭化珪素エピタキシャル層２０の表面２１における直線状のスジの本数が測定された。測定領域は、２５０μｍ×２５０μｍの正方領域とした。高さが０．５μｍ以上である直線状の突起をスジとして特定した。
（評価結果３）
表３に示されるように、エピタキシャル成長後において、サンプル１～４に係る炭化珪素基板１０上に形成された炭化珪素エピタキシャル層２０の表面２１のｗａｒｐは、それぞれ１２．３μｍ、８９．６μｍ、６４．３μｍおよび３４．９μｍであった。またサンプル１～４に係る炭化珪素基板１０上に形成された炭化珪素エピタキシャル層の表面２１のｂｏｗは、それぞれ－７．８μｍ、－６５．６μｍ、４８．９μｍおよび－０．０３μｍであった。炭化珪素基板１０に炭化珪素エピタキシャル層を形成する前後におけるｗａｒｐの変化量は、＋４．１μｍ、－１１２．９μｍ、＋２８．２μｍおよび＋２２．６μｍであった。なお炭化珪素基板１０に炭化珪素エピタキシャル層を形成する前後におけるｗａｒｐの変化量は、ｂｏｗの符号をｗａｒｐに適用し、エピタキシャル成長後の表面２１のｗａｒｐからエピタキシャル成長前の第１主面１のｗａｒｐを差し引くことにより求められた。
表３に示されるように、エピタキシャル成長後において、サンプル１～４に係る炭化珪素基板１０上に形成された炭化珪素エピタキシャル層２０の表面２１のｗａｒｐは、それぞれ１２．３μｍ、８９．６μｍ、６４．３μｍおよび３４．９μｍであった。またサンプル１～４に係る炭化珪素基板１０上に形成された炭化珪素エピタキシャル層の表面２１のｂｏｗは、それぞれ－７．８μｍ、－６５．６μｍ、４８．９μｍおよび－０．０３μｍであった。炭化珪素基板１０に炭化珪素エピタキシャル層を形成する前後におけるｗａｒｐの変化量は、＋４．１μｍ、－１１２．９μｍ、＋２８．２μｍおよび＋２２．６μｍであった。なお炭化珪素基板１０に炭化珪素エピタキシャル層を形成する前後におけるｗａｒｐの変化量は、ｂｏｗの符号をｗａｒｐに適用し、エピタキシャル成長後の表面２１のｗａｒｐからエピタキシャル成長前の第１主面１のｗａｒｐを差し引くことにより求められた。
表３に示されるように、サンプル１～４に係る炭化珪素基板１０上に形成された炭化珪素エピタキシャル層の表面２１に形成された直線状のスジの数は、それぞれ０本、１１本、２本および多数（１２本以上）であった。
以上の結果より、サンプル１に係る炭化珪素基板１０は、サンプル２～４に係る炭化珪素基板１０と比較して、ｗａｒｐの変化量が低減可能であることが確かめられた。またサンプル１に係る炭化珪素基板１０は、サンプル２～４に係る炭化珪素基板１０と比較して、直線状のスジの発生を抑制可能であることが確かめられた。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
１ 第１主面、２ 第２主面、３ 第１フラット、４ 円弧状部、５ 外周面、６ 中心、７ 第１領域、８ 中間領域、９ 第２領域、１０ 炭化珪素基板、２０ 炭化珪素エピタキシャル層、２１ 表面、３０ ラマン分光装置、３１ 対物レンズ、３２ 光源、３３ 分光器、３４ ステージ、３５ ビームスプリッター、３６ 入射光、３７ 測定領域、３８ 検出器、４１ 第１ピーク（ピーク）、４２ 第２ピーク、４３ 第３ピーク、４４ 第４ピーク、５０ ラマンプロファイル、５１ 歪領域、９１ 位置、９２ 最高位置、９３ 最低位置、９４ ３点基準面、９５ 第５位置、９６ 第６位置、９７ 第７位置、１０１ 第１方向、１０２ 第２方向、１１１ 最大径、１１２ 厚み。
Claims (12)
- 第１主面と、前記第１主面の反対側にある第２主面とを備え、かつポリタイプ４Ｈの炭化珪素により構成された炭化珪素基板であって、
前記第１主面の最大径は、１４０ｍｍ以上であり、
前記炭化珪素基板の厚みは、３００μｍ以上６００μｍ以下であり、
前記第１主面は、｛０００１｝面または｛０００１｝面に対して０°より大きく８°以下のオフ角で傾斜した面であり、
応力が０であるポリタイプ４Ｈの炭化珪素のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数をν０とし、
前記炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数をνとすると、
前記第１主面から前記第２主面に向かって３μｍ以内の領域の任意の位置において、数式４を満たす、炭化珪素基板。
- 前記第１主面から前記第２主面までの領域において、前記炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの半値幅の最大値をΔｍａｘとし、
前記第１主面から前記第２主面までの領域において、前記炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの半値幅の最小値をΔｍｉｎとしたとき、数式５を満たす、請求項１に記載の炭化珪素基板。
- Δｍａｘ－Δｍｉｎ≦０．１０を満たし、ΔｍａｘおよびΔｍｉｎの単位はｃｍ－１である、請求項２に記載の炭化珪素基板。
- 前記第１主面から前記第２主面までの領域において、前記炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数の最大値をνｍａｘとし、
前記第１主面から前記第２主面までの領域において、前記炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数の最小値をνｍｉｎとしたとき、
数式１および数式２を満たす、請求項１に記載の炭化珪素基板。
- 前記第１主面から前記第２主面までの領域において、前記炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの半値幅の最大値をΔｍａｘとし、
前記第１主面から前記第２主面までの領域において、前記炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの半値幅の最小値をΔｍｉｎとしたとき、数式５を満たす、請求項４に記載の炭化珪素基板。
- 請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の炭化珪素基板と、
前記第１主面に接する炭化珪素エピタキシャル層と、を備えた、炭化珪素エピタキシャル基板。 - 請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の炭化珪素基板を準備する工程と、
前記炭化珪素基板上に、炭化珪素エピタキシャル層を形成する工程と、を備える、エピタキシャル基板の製造方法。 - 第１主面と、前記第１主面の反対側にある第２主面とを備え、かつポリタイプ４Ｈの炭化珪素により構成された炭化珪素基板であって、
前記第１主面の最大径は、１４０ｍｍ以上であり、
前記炭化珪素基板の厚みは、３００μｍ以上６００μｍ以下であり、
前記第１主面は、｛０００１｝面または｛０００１｝面に対して０°より大きく８°以下のオフ角で傾斜した面であり、
前記第１主面から前記第２主面に向かって２００μｍまでの領域において、前記炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの半値幅の最大値をΔｍａｘとし、
前記第１主面から前記第２主面に向かって２００μｍまでの領域において、前記炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの半値幅の最小値をΔｍｉｎとしたとき、数式５を満たす、炭化珪素基板。
- Δｍａｘ－Δｍｉｎ≦０．１０を満たし、ΔｍａｘおよびΔｍｉｎの単位はｃｍ－１である、請求項８に記載の炭化珪素基板。
- 第１主面と、前記第１主面の反対側にある第２主面とを備え、かつポリタイプ４Ｈの炭化珪素により構成された炭化珪素基板であって、
前記第１主面の最大径は、１４０ｍｍ以上であり、
前記炭化珪素基板の厚みは、３００μｍ以上６００μｍ以下であり、
前記第１主面は、｛０００１｝面または｛０００１｝面に対して０°より大きく８°以下のオフ角で傾斜した面であり、
応力が０であるポリタイプ４Ｈの炭化珪素のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数をν０とし、
前記第１主面から前記第２主面に向かって２００μｍまでの領域において、前記炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数の最大値をνｍａｘとし、
前記第１主面から前記第２主面に向かって２００μｍまでの領域において、前記炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークを示す波数の最小値をνｍｉｎとしたとき、
数式１および数式２を満たす、炭化珪素基板。
- 前記第１主面から前記第２主面に向かって２００μｍまでの領域において、前記炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの半値幅の最大値をΔｍａｘとし、
前記第１主面から前記第２主面に向かって２００μｍまでの領域において、前記炭化珪素基板のラマンスペクトルの縦型光学分岐の折り返しモードに対応するピークの半値幅の最小値をΔｍｉｎとしたとき、数式５を満たす、請求項１０に記載の炭化珪素基板。
- 請求項８から請求項１１のいずれか１項に記載の炭化珪素基板と、
前記第１主面に接する炭化珪素エピタキシャル層と、を備えた、炭化珪素エピタキシャル基板。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017236405 | 2017-12-08 | ||
| JP2017236405 | 2017-12-08 | ||
| JP2019558026A JP7088210B2 (ja) | 2017-12-08 | 2018-09-28 | 炭化珪素基板 |
| PCT/JP2018/036315 WO2019111507A1 (ja) | 2017-12-08 | 2018-09-28 | 炭化珪素基板 |
| JP2022092990A JP7400879B2 (ja) | 2017-12-08 | 2022-06-08 | 炭化珪素基板および炭化珪素エピタキシャル基板 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022092990A Division JP7400879B2 (ja) | 2017-12-08 | 2022-06-08 | 炭化珪素基板および炭化珪素エピタキシャル基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024028868A true JP2024028868A (ja) | 2024-03-05 |
Family
ID=66750141
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019558026A Active JP7088210B2 (ja) | 2017-12-08 | 2018-09-28 | 炭化珪素基板 |
| JP2022092990A Active JP7400879B2 (ja) | 2017-12-08 | 2022-06-08 | 炭化珪素基板および炭化珪素エピタキシャル基板 |
| JP2023206044A Pending JP2024028868A (ja) | 2017-12-08 | 2023-12-06 | 炭化珪素基板および炭化珪素エピタキシャル基板 |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019558026A Active JP7088210B2 (ja) | 2017-12-08 | 2018-09-28 | 炭化珪素基板 |
| JP2022092990A Active JP7400879B2 (ja) | 2017-12-08 | 2022-06-08 | 炭化珪素基板および炭化珪素エピタキシャル基板 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11342418B2 (ja) |
| JP (3) | JP7088210B2 (ja) |
| CN (1) | CN111433394B (ja) |
| WO (1) | WO2019111507A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6597381B2 (ja) * | 2016-02-22 | 2019-10-30 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板の製造方法、炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| US11913135B2 (en) | 2019-12-02 | 2024-02-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide substrate |
| US20210198804A1 (en) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | Cree, Inc. | Large diameter silicon carbide wafers |
| KR102434780B1 (ko) * | 2021-06-17 | 2022-08-22 | 주식회사 쎄닉 | 탄화규소 웨이퍼 및 반도체 소자 |
| JP7268784B1 (ja) | 2022-05-31 | 2023-05-08 | 株式会社レゾナック | ＳｉＣ基板及びＳｉＣエピタキシャルウェハ |
| KR20230169018A (ko) | 2022-05-31 | 2023-12-15 | 가부시끼가이샤 레조낙 | SiC 에피택셜 웨이퍼 |
| JP7132454B1 (ja) | 2022-05-31 | 2022-09-06 | 昭和電工株式会社 | ＳｉＣ基板及びＳｉＣエピタキシャルウェハ |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080170289A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-17 | Northrop Grumman Space & Mission Systems Corporation | Multimode raman waveguide amplifier |
| CN102569055B (zh) * | 2010-12-14 | 2014-05-21 | 北京天科合达蓝光半导体有限公司 | 一种碳化硅单晶晶片表面及平整度的调整方法 |
| KR20140076566A (ko) * | 2011-10-07 | 2014-06-20 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 탄화규소 단결정 기판 및 연마액 |
| JP5853648B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2016-02-09 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JP2014210690A (ja) | 2013-04-22 | 2014-11-13 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板の製造方法 |
| JP5944873B2 (ja) | 2013-09-20 | 2016-07-05 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 炭化珪素単結晶ウェハの内部応力評価方法、及び炭化珪素単結晶ウェハの反りの予測方法 |
| WO2015181971A1 (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | バルク状炭化珪素単結晶の評価方法、及びその方法に用いられる参照用炭化珪素単結晶 |
| WO2016067918A1 (ja) | 2014-10-31 | 2016-05-06 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル膜の成長方法 |
| US10283595B2 (en) * | 2015-04-10 | 2019-05-07 | Panasonic Corporation | Silicon carbide semiconductor substrate used to form semiconductor epitaxial layer thereon |
| WO2017057742A1 (ja) | 2015-10-02 | 2017-04-06 | 新日鐵住金株式会社 | ＳｉＣ単結晶インゴット |
| JP6668674B2 (ja) * | 2015-10-15 | 2020-03-18 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板 |
-
2018
- 2018-09-28 WO PCT/JP2018/036315 patent/WO2019111507A1/ja active Application Filing
- 2018-09-28 CN CN201880078475.9A patent/CN111433394B/zh active Active
- 2018-09-28 JP JP2019558026A patent/JP7088210B2/ja active Active
- 2018-09-28 US US16/770,151 patent/US11342418B2/en active Active
-
2022
- 2022-06-08 JP JP2022092990A patent/JP7400879B2/ja active Active
-
2023
- 2023-12-06 JP JP2023206044A patent/JP2024028868A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11342418B2 (en) | 2022-05-24 |
| JP2022120059A (ja) | 2022-08-17 |
| US20200388683A1 (en) | 2020-12-10 |
| CN111433394B (zh) | 2022-06-21 |
| JPWO2019111507A1 (ja) | 2020-11-26 |
| JP7400879B2 (ja) | 2023-12-19 |
| JP7088210B2 (ja) | 2022-06-21 |
| CN111433394A (zh) | 2020-07-17 |
| WO2019111507A1 (ja) | 2019-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7400879B2 (ja) | 炭化珪素基板および炭化珪素エピタキシャル基板 | |
| CN105556649B (zh) | 碳化硅单晶晶片的内应力评价方法和碳化硅单晶晶片的翘曲预测方法 | |
| EP3150995B1 (en) | Evaluation method for bulk silicon carbide single crystals and reference silicon carbide single crystal used in said method | |
| CN111788339B (zh) | 碳化硅基板 | |
| EP2601132A2 (en) | A diamond optical element | |
| EP2924150A1 (en) | ß-GA2O3-BASED SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE | |
| EP3406768B1 (en) | Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same | |
| JP5454867B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンド基板 | |
| WO2020085111A1 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体 | |
| US20220403550A1 (en) | Silicon carbide substrate and method for manufacturing silicon carbide substrate | |
| WO2021075369A1 (ja) | 窒化物半導体基板、積層構造体、および窒化物半導体基板の製造方法 | |
| WO2022244421A1 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| Utamuradova et al. | Research of the Impact of Silicon Doping with Holmium on its Structure and Properties Using Raman Scattering Spectroscopy Methods |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20231206 |