JP2024023553A - メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理 - Google Patents

メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理 Download PDF

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Abstract

【課題】アイドルモードよりも低い電力消費量を有する低電力モードをサポートする方法を提供する。【解決手段】方法は、メモリデバイス内の第１のメモリバンクを第１のモードで、メモリデバイス内の第２のメモリバンクを第２のモードで動作させることを含む。メモリデバイスは、第１のメモリバンクを第１のモードで、第２のメモリバンクを第２のモードで動作させている間に、第１のメモリバンクのための電源切断コマンドを受信し、第２のメモリバンクを第２のモードで維持しながら、第１のメモリバンクを第１のモードから第１の低電力モードに切り換える。第１の低電力モードは、第１のモードよりも少ない、第１のメモリバンクによる電力消費量に対応する。いくつかの場合、第１のメモリバンクを第１のモードから第１の低電力モードに切り換えることは、第１のメモリバンクに専用の回路を非活動化することを含む。【選択図】図３

Description

［クロスリファレンス］
本特許出願は、２０１９年８月２６日に出願された、Ｌａｕｒｅｎｔらによる「ＡＲＣＨＩＴＥＣＴＵＲＥ－ＢＡＳＥＤ ＰＯＷＥ ＭＡＮＡＧＥＭＥＮＴ ＦＯＲ Ａ ＭＥＭＯＲＹ ＤＥＶＩＣＥ」という名称の米国特許出願第１６／５５１，５９７号の優先権を主張する、２０２０年８月７日に出願された、Ｌａｕｒｅｎｔらによる「ＡＲＣＨＩＴＥＣＴＵＲＥ－ＢＡＳＥＤ ＰＯＷＥＲ ＭＡＮＡＧＥＭＥＮＴ ＦＯＲ Ａ ＭＥＭＯＲＹ ＤＥＶＩＣＥ」という名称のＰＣＴ出願番号ＰＣＴ／ＵＳ２０２０／０４５４１２に対する優先権を主張するものであり、この米国特許出願は、本発明の譲受人に割り当てられ、参照により、各々の全体が本明細書に明示的に組み込まれる。
以下は、一般に、少なくとも１つのメモリデバイスを含むシステムに関し、より詳細には、メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理に関する。
メモリデバイスは、コンピュータ、ワイヤレス通信デバイス、カメラ、デジタルディスプレイなどの様々な電子デバイス内に情報を記憶するために、幅広く使用される。情報は、メモリデバイスの異なる状態をプログラミングすることによって記憶される。たとえば、バイナリデバイスは、ほとんどの場合、しばしば論理１または論理０によって示される２つの状態のうちの１つを記憶する。他のデバイスでは、２つより多くの状態が記憶され得る。記憶された情報にアクセスするために、デバイスのコンポーネントは、メモリデバイス内に記憶された少なくとも１つの状態を読み出すかまたは感知することができる。情報を記憶するために、デバイスのコンポーネントは、状態をメモリデバイス内に書き込むかまたはプログラミングすることができる。
磁気ハードディスク、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）、同期型ダイナミックＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）、強誘電体ＲＡＭ（ＦｅＲＡＭ）、磁気ＲＡＭ（ＭＲＡＭ）、抵抗ＲＡＭ（ＲＲＡＭ）、フラッシュメモリ、位相変化メモリ（ＰＣＭ）、およびその他を含む、様々なタイプのメモリデバイスが存在する。メモリデバイスは、揮発性であってもよいし、不揮発性であってもよい。不揮発性メモリ、たとえばＦｅＲＡＭは、外部電源がない場合であっても、延長時間の間、それらの記憶された論理状態を維持することができる。揮発性メモリデバイス、たとえばＤＲＡＭは、外部電源から切断されたとき、それらの記憶された状態を失う可能性がある。ＦｅＲＡＭは、揮発性メモリに類似した密度を達成することが可能であり得るが、記憶デバイスとしての強誘電体キャパシタの使用により不揮発性の性質を有してよい。
メモリデバイスを改善することが、一般的に、様々なメトリックスの中でもとりわけ、メモリセル密度を増加させること、読み出し／書き込み速度を増加させること、信頼性を増加させること、データ保持を増加させること、電力消費量を低減すること、または製造プロセスを改善することを含んでよい。メモリデバイスにおける電力消費量を改善するための解決策が望ましいことがある。
本発明の一態様に係る方法は、メモリデバイス内の第１のメモリバンクを第１のモードで、前記メモリデバイス内の第２のメモリバンクを第２のモードで動作させることと、前記第１のメモリバンクを前記第１のモードで、前記第２のメモリバンクを前記第２のモードで動作させている間に、前記メモリデバイスにおいて、前記第１のメモリバンクのための電源切断コマンドを受信することと、前記第１のメモリバンクのための前記電源切断コマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、前記第２のメモリバンクを前記第２のモードで維持しながら、前記第１のメモリバンクを前記第１のモードから第１の低電力モードに切り換えることであって、前記第１の低電力モードが、前記第１のモードよりも少ない、前記第１のメモリバンクによる電力消費量に対応する、切り換えることと、を含む。
本明細書で開示される実施例による、メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理をサポートするシステムの実施例を示す図である。 本明細書で開示される実施例による、メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理をサポートするメモリダイの実施例を示す図である。 本明細書で開示される実施例による、メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理をサポートするメモリダイシステムの実施例を示す図である。 本明細書で開示される実施例による、メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理をサポートする状態図の実施例を示す図である。 本明細書で開示される実施例による、メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理をサポートする状態図の実施例を示す図である。 本明細書で開示される実施例による、メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理をサポートする状態図の実施例を示す図である。 本開示の態様による、メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理をサポートするメモリデバイスのブロック図である。 本明細書で開示される実施例による、メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理をサポートする１つまたは複数の方法を示すフローチャートである。 本明細書で開示される実施例による、メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理をサポートする１つまたは複数の方法を示すフローチャートである。 本明細書で開示される実施例による、メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理をサポートする１つまたは複数の方法を示すフローチャートである。 本明細書で開示される実施例による、メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理をサポートする１つまたは複数の方法を示すフローチャートである。
いくつかのメモリデバイスは、メモリデバイスがメモリデバイスによる電力消費量を低減するために１つまたは複数のコンポーネント（総称して回路と呼ばれることがある）の動作を無効にし得るまたは変更し得る１つまたは複数の低電力モード（代替的に、状態）をサポートすることができる。たとえば、メモリデバイスは、アイドルモードならびにアイドルモードよりも低い電力消費量を有する低電力モードをサポートすることができ、低電力モードに遷移することは、何らかの量の回路を非活動化することを含むことがある。低電力モードでは、メモリデバイスは、メモリデバイスのメモリセルに対してアクセス動作（たとえば、読み出し動作、書き込み動作など）を実行することが可能でないことがある、またはそのような動作が実行され得るアクティブモードに直接的に遷移することが可能であることがある（たとえば、より低い電力モードであるとき、メモリデバイスは、最初にアイドルモードに、次いでアクティブモードに遷移しなければならないことがある）。いくつかの場合、メモリデバイスは、異なる減少されたレベルの電流消費量と関連付けられた（たとえば、異なる量の非活動化された回路と関連付けられた）異なる低電力モードをサポートすることがある。
いくつかのメモリデバイスの場合、低電力モードが動作してよく、したがって、メモリダイレベル制御されてよく、メモリダイ内の各サブブロック（たとえば、バンク、バンクグループなど）が一緒に同じ低電力モードに入るまたはこれから出ることができることを意味する。したがって、そのようなメモリデバイスは、たとえば、１つまたは複数の他のサブブロック内のアクセス動作をサポートするためにメモリダイの１つまたは複数の他のサブブロックをアイドルモードまたはアクティブモードで動作させながら、メモリダイのいくつかのサブブロックを低電力モードで（たとえば、サブブロックの回路のうちのいくつかまたはすべてが非活動化されて）動作させることをサポートしないことがある。同様に、そのようなメモリデバイスは、別の実施例として、メモリダイの１つまたは複数の他のサブブロックを第２の低電力モードで動作させながら、メモリダイのいくつかのサブブロックを第１の低電力モードで動作させることをサポートしないことがあり、第２の低電力モードは、より大きい電力節約（たとえば、より大きい量の非活動化された回路）を有してよいが、より長い起動時間を有してよい。その結果、メモリダイは、メモリダイのための次のアクセス動作までのｎ予想時間が、ダイレベル起動時間に対応するおよび／またはダイを低電力モードにもしくはこれから遷移することと関連付けられた電力消費量に対抗する（ｃｏｕｎｔｅｒ）のに十分に長い場合、低電力モードのみに切り換えられ得る。したがって、メモリダイは、所望されるよりも少ない電力節約を達成することがある（たとえば、メモリダイは、デバイスまたはダイ全体を起動するために必要とされる待ち時間により、比較的まれに低電力モードで動作することがある）。
しかしながら、本明細書において説明されるように、メモリデバイスは、メモリデバイスまたはその中のダイの異なる部分（たとえば、単一のメモリアレイの異なる部分）を異なる電力モードで動作させることによって、より大きい電力節約（たとえば、より小さい全体的な電流消費量または平均電流消費量）を達成することがある。いくつかの場合、メモリデバイスは、メモリデバイスのアーキテクチャに基づいてデバイスの異なる部分を異なる低電力モードで動作させることがあり、メモリデバイスの異なる部分は、メモリデバイスアーキテクチャに基づいて異なる階層レベルに割り当てられることがある。たとえば、ダイ階層レベルにおける回路は、メモリダイ内のすべてのメモリサブブロック（たとえば、バンクまたはバンクのグループ（バンクグループと呼ばれることがある））によって共有され（これに共通し）てよい。別の実施例として、バンク階層レベルにおける回路は、メモリダイ内の１つのメモリバンクに特有（専用）であってよく、メモリダイ内の他の任意のバンクから独立して（これによって共有されなくて）よい。そして、別の実施例として、グループ階層レベルにおける回路は、複数のメモリバンク（バンクグループと呼ばれることがある）によって共有される（たとえば、これによってアクセス可能である、これによって使用される、これと結合されるまたは結合可能である）ことがあるが、メモリダイ内のすべてのメモリバンクによって共有されると限らないことがある－すなわち、グループ階層レベルにおける回路は、バンクグループ内のすべてのバンクによって共有されることがあるが、メモリダイ内の他の任意のバンクから独立する（これによって共有されない）ことがある。メモリダイは、任意の数のメモリバンクとバンクグループとを含んでよい。
したがって、メモリデバイスアーキテクチャは、メモリデバイスの態様の間の機能的依存または共有回路に基づいて、階層の異なるレベルに分割され得る。１つの階層レベルにおけるエンティティが、いくつかの回路を共有するまたは何らかの他の機能的依存を有する場合、その共有回路または機能的依存は、別の上位階層レベルに割り当てられてよい。したがって、本明細書では、いくつかの実施例は、バンクレベルとグループレベルとダイレベルとを含む階層レベルに関して記載されているが、任意の数の階層レベルが、サブバンクレベルにおいて、ダイを越えた（ｓｕｐｒａ－ｄｉｅ）レベルにおいて、または任意の中間レベルにおいてを含めて、（たとえば、何らかの回路または他のコンポーネントが共通であるエンティティに基づいて）定義されてよいことが理解されるべきである。本明細書では、いくつかの実施例は、ＦｅＲＡＭデバイスおよびアーキテクチャまたはＤＲＡＭデバイスおよびアーキテクチャに基づいて説明されるが、本明細書における教示は、任意のタイプのメモリデバイスおよび関連アーキテクチャに適用されてよいことも理解されるべきである。
メモリデバイスの、同じ階層レベルにある異なるエンティティ（たとえば、異なるダイ、異なるバンクグループ、異なるバンク）は、他のもの（ｏｎｅ ｏｔｈｅｒ）から独立して、低電力モードにおよびこれから切り換えられてよい。したがって、階層レベルにおけるあるエンティティは、ある低電力モードであってよく、同じ階層レベルにおける別のエンティティは、別の低電力モードまたは何らかの他の動作モード（たとえば、アイドルまたはアクティブ）であってよい。追加的または代替的に、同じ階層レベルであるが、同じ階層グループ内のそのレベルにおける異なるエンティティ（たとえば、同じバンクグループ内のバンク、同じダイ内のバンクグループ）は、一緒に（まとめて）低電力モードにおよびそれから切り換えられてよい。動作モードのこれらおよび他の変更は、たとえば、階層レベルおよびその階層レベル内の階層グループに特有の（たとえば、１つのバンクに特有の、１つのバンクグループに特有の、１つのダイに特有の）電力モードコマンドを通して達成されてよい。本明細書において説明されるように、１つまたは複数のレジスタは、状態情報またはそのような電力モードコマンドに従ってメモリデバイスを動作させることをサポートする他の情報を記憶するために使用されてよい。
いくつかの場合、メモリデバイスは、下位階層レベルにおけるすべてのエンティティが低電力モードで動作している場合、上位階層レベルでいくつかまたはすべての回路を自動的に電源切断（パワーダウン）することがある。たとえば、バンクグループ内のすべてのバンクが、バンクに特有の電源切断（パワーダウン）コマンドを介して低電力モードに切り換えられている場合、メモリデバイスは、バンクグループのためのいくつかまたはすべてのグループレベル回路を自動的に非活動化することがある）。いくつかの場合、メモリデバイスはまた、メモリデバイスの態様を１つの低電力モードから別の低電力モードに切り換えること、または中間（たとえば、アイドル）状態を通過することなく、低電力モードで下位階層レベルのエンティティのみを有することから、低電力モードで少なくとも１つの上位レベルのエンティティも有すること（より高いレベルの低電力モードと考えられ得る）に切り換えることをサポートすることがある。
本明細書において説明されるように、メモリデバイスの異なる態様を互いから独立して動作させることによって、当業者によって諒解され得る様々な利益の中でもとりわけ、強化された電力節約が達成され得る。たとえば、より大きい柔軟性は、メモリデバイスの異なる態様のための使用パターンに基づいて可能な最も深い低電力モードにメモリデバイスの態様をより頻繁にするために提供され得るので、メモリデバイスの異なる態様は、よりしばしば、低電力モード（または、より深い低電力モード）になることがある。一実施例として、同じ適用例と関連付けられた（たとえば、これによってアクセスされる）データは、適用例が何らかの時間の閾値量内でアクティブであるまたはアクティブであると予想されるとき、他のバンクまたはバンクグループは、低電力モード（または、より深い低電力モード）であることがあり、関連付けられたバンクまたはバンクグループは、アイドルモード（または、あまり深くない低電力モード）であることがあるように、同じバンクまたはバンクグループに記憶されてよい。
本開示のこれらおよび他の特徴は、最初は、図１～図２を参照してメモリシステムおよびメモリダイの文脈で説明される。本開示の特徴は、次いで、図３～図６を参照して例示的なメモリダイアーキテクチャおよび関連する状態図の文脈で説明される。本開示のこれらおよび他の特徴は、図７～図１１を参照してメモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理に関連する装置図およびフローチャートによってさらに示され、その文脈で説明される。
図１は、本明細書で開示される実施例による、１つまたは複数のメモリデバイスを利用するシステム１００の実施例を示す。システム１００は、外部メモリコントローラ１０５と、メモリデバイス１１０と、外部メモリコントローラ１０５をメモリデバイス１１０と結合する複数のチャネル１１５とを含んでよい。システム１００は、１つまたは複数のメモリデバイスを含んでよいが、説明を簡単にするために、１つまたは複数のメモリデバイスが、単一のメモリデバイス１１０として説明されることがある。
システム１００は、コンピューティングデバイス、モバイルコンピューティングデバイス、ワイヤレスデバイス、またはグラフィックス処理デバイスなどの電子デバイスの部分を含んでよい。システム１００は、ポータブル電子デバイスの実施例であってよい。システム１００は、コンピュータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、スマートフォン、セルラー電話、ウェアラブルデバイス、インターネット接続されたデバイスなどの実施例であってよい。メモリデバイス１１０は、システム１００の１つまたは複数の他のコンポーネントのためのデータを記憶するように構成されたシステムのコンポーネントであってよい。いくつかの実施例では、システム１００は、マシンタイプ通信（ＭＴＣ）、マシンツーマシン（Ｍ２Ｍ）通信、またはデバイスツーデバイス（Ｄ２Ｄ）通信が可能である。
少なくともシステム１００の部分は、ホストデバイスの実施例であってよい。そのようなホストデバイスは、コンピューティングデバイス、モバイルコンピューティングデバイス、ワイヤレスデバイス、グラフィックス処理デバイス、コンピュータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、スマートフォン、セルラー式電話、ウェアラブルデバイス、インターネット接続されたデバイス、何らかの他の固定された電子デバイスまたはポータブル電子デバイスなどの、メモリを使用してプロセスを実行するデバイスの実施例であってよい。いくつかの場合、ホストデバイスは、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、または外部メモリコントローラ１０５の機能を実施するそれらの組み合わせを指すことがある。いくつかの場合、外部メモリコントローラ１０５は、ホストまたはホストデバイスと呼ばれることがある。いくつかの実施例では、システム１００は、グラフィックスカードである。
いくつかの場合、メモリデバイス１１０は、システム１００の他のコンポーネントと通信し、システム１００によって潜在的に使用または参照される物理メモリアドレス／空間を提供するように構成された独立したデバイスまたはコンポーネントであってよい。いくつかの実施例では、メモリデバイス１１０は、少なくとも１つまたは複数の異なるタイプのシステム１００と連携するように構成可能であってよい。システム１００のコンポーネントとメモリデバイス１１０との間のシグナリングは、信号を変調する変調方式、信号を通信するための異なるピン設計、システム１００およびメモリデバイス１１０の異なるパッケージング、システム１００とメモリデバイス１１０との間のクロックシグナリングおよび同期、タイミングの慣例、ならびに／または他の要因をサポートするように動作可能であってよい。
メモリデバイス１１０は、システム１００のコンポーネントのためのデータを記憶するように構成されてよい。いくつかの場合、メモリデバイス１１０は、システム１００に対するスレーブタイプデバイスとして機能してよい（たとえば、外部メモリコントローラ１０５を通じてシステム１００によって提供されたコマンドに応答して実行する）。そのようなコマンドは、書き込み動作のための書き込みコマンド、読み出し動作のための読み出しコマンド、リフレッシュ動作のためのリフレッシュコマンド、または他のコマンドなどの、アクセス動作のためのアクセスコマンドを含んでよい。メモリデバイス１１０は、データ記憶のための所望のまたは指定の容量をサポートする２つ以上のメモリダイ１６０（たとえば、メモリチップ）を含んでよい。２つ以上のメモリダイを含むメモリデバイス１１０は、マルチダイメモリまたはパッケージと呼ばれる（マルチチップメモリまたはパッケージとも呼ばれる）ことがある。
システム１００は、プロセッサ１２０と、基本入力／出力システム（ＢＩＯＳ）コンポーネント１２５と、１つまたは複数の周辺コンポーネント１３０と、入力／出力（Ｉ／Ｏ）コントローラ１３５とをさらに含んでよい。システム１００のコンポーネントは、バス１４０を使用して互いと電子通信してよい。
プロセッサ１２０は、少なくともシステム１００の部分を制御するように構成されてよい。プロセッサ１２０は、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）または他のプログラマブル論理デバイス、ディスクリートなゲートまたはトランジスタ論理、ディスクリートなハードウェアコンポーネントであってもよいし、これらのタイプのコンポーネントの組み合わせであってもよい。そのような場合、プロセッサ１２０は、様々な実施例の中でもとりわけ、中央処理ユニット（ＣＰＵ）、グラフィックス処理ユニット（ＧＰＵ）、汎用グラフィック処理ユニット（ＧＰＧＰＵ）、またはシステムオンチップ（ＳｏＣ）の実施例であってよい。
ＢＩＯＳコンポーネント１２５は、ファームウェアとして動作されるＢＩＯＳを含むソフトウェアコンポーネントであってよく、初期化し、システム１００の様々なハードウェアコンポーネントを走らせてよい。ＢＩＯＳコンポーネント１２５はまた、プロセッサ１２０とシステム１００の様々なコンポーネント、たとえば、周辺コンポーネント１３０、Ｉ／Ｏコントローラ１３５などとの間のデータフローを管理してよい。ＢＩＯＳコンポーネント１２５は、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、または他の任意の不揮発性メモリ内に記憶されるプログラムまたはソフトウェアを含んでよい。
周辺コンポーネント１３０は、システム１００へとまたはそれと統合され得る、任意の入力デバイスもしくは出力デバイス、またはそのようなデバイスのためのインタフェースであってよい。実施例としては、ディスクコントローラ、サウンドコントローラ、グラフィックスコントローラ、イーサネットコントローラ、モデム、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）コントローラ、シリアルポートもしくはパラレルポート、またはｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ（ＰＣＩ）などの周辺カードスロット、もしくは専用グラフィックスポートがあり得る。周辺コンポーネント１３０は、当業者によって周辺機器と理解される他のコンポーネントであってよい。
Ｉ／Ｏコントローラ１３５は、プロセッサ１２０と周辺コンポーネント１３０、入力デバイス１４５、または出力デバイス１５０との間のデータ通信を管理し得る。Ｉ／Ｏコントローラ１３５は、システム１００へとまたはこれと統合されていない周辺機器を管理し得る。いくつかの場合、Ｉ／Ｏコントローラ１３５は、外部周辺コンポーネントへの物理的接続またはポートを表すことがある。
入力１４５は、情報、信号、またはデータをシステム１００またはそのコンポーネントに提供するシステム１００の外部にあるデバイスまたは信号を表し得る。これは、ユーザインタフェースまたは他のデバイスとのまたはこれらの間のインタフェースを含んでよい。いくつかの場合、入力１４５は、１つまたは複数の周辺コンポーネント１３０を介してシステム１００とインタフェースする周辺機器であってもよいし、Ｉ／Ｏコントローラ１３５によって管理されてもよい。
出力１５０は、システム１００またはそのコンポーネントのいずれかから出力を受信するように構成されたシステム１００の外部にあるデバイスまたは信号を表し得る。出力１５０の実施例としては、ディスプレイ、オーディオスピーカ、印刷デバイス、またはプリント回路基板上の別のプロセッサなどがあり得る。いくつかの場合、出力１５０は、１つまたは複数の周辺コンポーネント１３０を介してシステム１００とインタフェースする周辺機器であってもよいし、Ｉ／Ｏコントローラ１３５によって管理されてもよい。
メモリデバイス１１０は、デバイスメモリコントローラ１５５と、１つまたは複数のメモリダイ１６０とを含んでよい。各メモリダイ１６０は、ローカルメモリコントローラ１６５（たとえば、ローカルメモリコントローラ１６５－ａ、ローカルメモリコントローラ１６５－ｂ、および／またはローカルメモリコントローラ１６５－Ｎ）と、メモリアレイ１７０（たとえば、メモリアレイ１７０－ａ、メモリアレイ１７０－ｂ、および／またはメモリアレイ１７０－Ｎ）とを含んでよい。メモリアレイ１７０は、メモリセルの集合（たとえば、グリッド）であってよく、各メモリセルは、デジタルデータの少なくとも１つのビットを記憶するように構成される。メモリアレイ１７０および／またはメモリセルの特徴は、図２を参照してより詳細に説明される。
メモリデバイス１１０は、メモリセルの２次元（２Ｄ）配列の実施例であってもよいし、メモリセルの３次元（３Ｄ）配列の実施例であってもよい。たとえば、２Ｄメモリデバイスは、単一のメモリダイ１６０を含んでよい。３Ｄメモリデバイスは、２つ以上のメモリダイ１６０（たとえば、メモリダイ１６０－ａ、メモリダイ１６０－ｂ、および／または任意の量のメモリダイ１６０－Ｎ）を含んでよい。３Ｄメモリデバイスでは、複数のメモリダイ１６０－Ｎが、互いの上または互いの隣に積み重ねられる。いくつかの場合、３Ｄメモリデバイス内のメモリダイ１６０－Ｎは、デッキ、レベル、層、またはダイと呼ばれることがある。３Ｄメモリデバイスは、任意の量の積み重ねられたメモリダイ１６０－Ｎ（たとえば、２つの高さ、３つの高さ、４つの高さ、５つの高さ、６つの高さ、７つの高さ、８つの高さ）を含んでよい。これによって、単一の２Ｄメモリデバイスと比較して基板上に位置決めされ得るメモリセルの量が増加することがあり、このことによって、生産コストが減少する、またはメモリアレイの性能が増加する、または両方が起こり得る。いくつかの３Ｄメモリデバイスでは、いくつかのデッキがワード線、ディジット線、および／またはプレート線のうちの少なくとも１つを共有し得るように、異なるデッキが、少なくとも１つの共通アクセス線を共有してよい。
デバイスメモリコントローラ１５５は、メモリデバイス１１０の動作を制御するように構成された回路またはコンポーネントを含んでよい。したがって、デバイスメモリコントローラ１５５は、メモリデバイス１１０がコマンドを実行することを可能にする、ハードウェアと、ファームウェアと、ソフトウェアとを含んでよく、コマンド、データ、またはメモリデバイス１１０に関連する制御情報を受信、送信、または実行するように構成されてよい。デバイスメモリコントローラ１５５は、外部メモリコントローラ１０５、１つもしくは複数のメモリダイ１６０、またはプロセッサ１２０と通信するように構成されてよい。いくつかの場合、メモリデバイス１１０は、データおよび／またはコマンドを外部メモリコントローラ１０５から受信し得る。たとえば、メモリデバイス１１０は、メモリデバイス１１０がシステム１００のコンポーネント（たとえば、プロセッサ１２０）に代わってあるデータを記憶可能であることを示す書き込みコマンド、またはメモリデバイス１１０がメモリダイ１６０内に記憶されたあるデータをシステム１００のコンポーネント（たとえば、プロセッサ１２０）に提供可能であることを示す読み出しコマンドを受信することがある。いくつかの場合、デバイスメモリコントローラ１５５は、本明細書においてメモリダイ１６０のローカルメモリコントローラ１６５に関連して説明されるメモリデバイス１１０の動作を制御し得る。デバイスメモリコントローラ１５５および／またはローカルメモリコントローラ１６５内に含まれるコンポーネントの実施例としては、外部メモリコントローラ１０５から受信された信号を復調するための受信機、信号を変調して外部メモリコントローラ１０５に送信するためのデコーダ、論理、デコーダ、増幅器、フィルタなどがあり得る。
ローカルメモリコントローラ１６５（たとえば、メモリダイ１６０にとってローカルである）は、メモリダイ１６０の動作を制御するように構成されてよい。また、ローカルメモリコントローラ１６５は、デバイスメモリコントローラ１５５と通信する（たとえば、データおよび／またはコマンドを受信および送信する）ように構成されてよい。ローカルメモリコントローラ１６５は、本明細書において説明されるメモリデバイス１１０の動作を制御するためにデバイスメモリコントローラ１５５をサポートし得る。いくつかの場合、メモリデバイス１１０は、デバイスメモリコントローラ１５５を含まず、ローカルメモリコントローラ１６５または外部メモリコントローラ１０５が、本明細書において説明される様々な機能を実行することがある。したがって、ローカルメモリコントローラ１６５は、デバイスメモリコントローラ１５５と通信するように構成されてもよいし、他のローカルメモリコントローラ１６５と通信するように構成されてもよいし、外部メモリコントローラ１０５またはプロセッサ１２０と直接的に通信するように構成されてもよい。
外部メモリコントローラ１０５は、システム１００のコンポーネント（たとえば、プロセッサ１２０）とメモリデバイス１１０との間での情報、データ、および／またはコマンドの通信を可能にするように構成されてよい。外部メモリコントローラ１０５は、システム１００のコンポーネントがメモリデバイスの動作の詳細を知る必要がないことがあるように、システム１００のコンポーネントとメモリデバイス１１０との間の連絡役として機能してよい。システム１００のコンポーネントは、外部メモリコントローラ１０５が満足する要求（たとえば、読み出しコマンドまたは書き込みコマンド）を外部メモリコントローラ１０５に提示してよい。外部メモリコントローラ１０５は、システム１００のコンポーネントとメモリデバイス１１０との間の通信を変換または翻訳してよい。いくつかの場合、外部メモリコントローラ１０５は、共通（ソース）システムクロック信号を生成するシステムクロックを含んでよい。いくつかの場合、外部メモリコントローラ１０５は、共通（ソース）データクロック信号を生成する共通データクロックを含んでよい。
いくつかの場合、外部メモリコントローラ１０５もしくはシステム１００の他のコンポーネント、または本明細書において説明されるその機能は、プロセッサ１２０によって実装され得る。たとえば、外部メモリコントローラ１０５は、プロセッサ１２０もしくはシステム１００の他のコンポーネントによって実装される、ハードウェア、ファームウェア、もしくはソフトウェア、またはそれらの何らかの組み合わせであってよい。外部メモリコントローラ１０５は、メモリデバイス１１０の外部にあると示されているが、いくつかの場合、外部メモリコントローラ１０５、または本明細書において説明されるその機能は、メモリデバイス１１０によって実装されてよい。たとえば、外部メモリコントローラ１０５は、デバイスメモリコントローラ１５５または１つもしくは複数のローカルメモリコントローラ１６５によって実装される、ハードウェア、ファームウェア、もしくはソフトウェア、またはそれらの何らかの組み合わせであってよい。いくつかの場合、外部メモリコントローラ１０５は、外部メモリコントローラ１０５の部分がプロセッサ１２０によって実装され、他の部分はデバイスメモリコントローラ１５５またはローカルメモリコントローラ１６５によって実装されるように、プロセッサ１２０およびメモリデバイス１１０にわたって分散されてよい。同様に、いくつかの場合、本明細書においてデバイスメモリコントローラ１５５またはローカルメモリコントローラ１６５に帰される１つまたは複数の機能は、いくつかの場合、外部メモリコントローラ１０５によって実行されてよい（プロセッサ１２０とは別個である、またはプロセッサ１２０に含まれる、のどちらかである）。
システム１００のコンポーネントは、複数のチャネル１１５を使用して情報をメモリデバイス１１０と交換し得る。いくつかの実施例では、チャネル１１５は、外部メモリコントローラ１０５とメモリデバイス１１０との間の通信を可能にしてよい。各チャネル１１５は、システム１００のコンポーネントと関連付けられた端子間に１つまたは複数の信号経路または伝送媒体（たとえば、導体）を含んでよい。たとえば、チャネル１１５は、外部メモリコントローラ１０５にある１つまたは複数のピンまたはパッドとメモリデバイス１１０にある１つまたは複数のピンまたはパッドとを含む第１の端子を含んでよい。ピンは、システム１００のデバイスの導電性入力点または出力点の実施例であってよく、ピンは、チャネルの一部として機能するように構成されてよい。いくつかの場合、端子のピンまたはパッドは、チャネル１１５の信号経路への一部であってよい。追加の信号経路は、システム１００のコンポーネント内の信号をルーティングするためにチャネルの端子と結合されてよい。たとえば、メモリデバイス１１０は、チャネル１１５の端子からメモリデバイス１１０の様々なコンポーネント（たとえば、デバイスメモリコントローラ１５５、メモリダイ１６０、ローカルメモリコントローラ１６５、メモリアレイ１７０）に信号をルーティングする信号経路（たとえば、メモリデバイス１１０またはメモリダイ１６０の内部にあるなどのそのコンポーネントの内部にある信号経路）を含んでよい。
チャネル１１５（ならびに関連付けられた信号経路および端子）は、特定のタイプの情報を通信することに専用であってよい。いくつかの場合、チャネル１１５は、集約されたチャネルであってよく、したがって、複数の個々のチャネルを含んでよい。たとえば、データチャネル１９０は、×４（たとえば、４つの信号経路を含む）、×８（たとえば、８つの信号経路を含む）、×１６（１６の信号経路を含む）などであってよい。チャネル上で通信された信号は、ダブルデータレート（ＤＤＲ）タイミング方式を使用してよい。たとえば、信号のいくつかのシンボルは、クロック信号の立ち上がりエッジ上に登録されてよく、信号の他のシンボルは、クロック信号の立ち下りエッジ上に登録されてよい。チャネル上で通信された信号は、シングルデータレート（ＳＤＲ）シグナリングを使用してよい。たとえば、信号の１つのシンボルは、クロックサイクルごとに登録されてよい。
いくつかの場合、チャネル１１５は、１つまたは複数のコマンドおよびアドレス（ＣＡ）チャネル１８６を含んでよい。ＣＡチャネル１８６は、コマンド（たとえば、アドレス情報）と関連付けられた制御情報を含むコマンドを外部メモリコントローラ１０５とメモリデバイス１１０との間で通信するように構成されてよい。たとえば、ＣＡチャネル１８６は、所望のデータのアドレスをもつ読み出しコマンドを含んでよい。いくつかの場合、ＣＡチャネル１８６は、立ち上がりクロック信号エッジおよび／または立ち下がりクロック信号エッジ上に登録されてよい。いくつかの場合、ＣＡチャネル１８６は、アドレスおよびコマンドデータを復号するために任意の量の信号経路（たとえば、８つまたは９つの信号経路）を含んでよい。
いくつかの場合、チャネル１１５は、１つまたは複数のクロック信号（ＣＫ）チャネル１８８を含んでよい。ＣＫチャネル１８８は、外部メモリコントローラ１０５とメモリデバイス１１０との間で１つまたは複数の共通クロック信号を通信するように構成されてよい。各クロック信号は、高状態と低状態との間で振動し、外部メモリコントローラ１０５とメモリデバイス１１０の行為を協調させるように構成されてよい。いくつかの場合、クロック信号は、差動出力（たとえば、ＣＫ＿ｔ信号およびＣＫ＿ｃ信号）であってよく、ＣＫチャネル１８８の信号経路は、それに応じて構成されてよい。いくつかの場合、クロック信号は、シングルエンドであってよい。ＣＫチャネル１８８は、任意の量の信号経路を含んでよい。いくつかの場合、クロック信号ＣＫ（たとえば、ＣＫ＿ｔ信号およびＣＫ＿ｃ信号）は、コマンドおよびアドレス動作のためのタイミング基準をメモリデバイス１１０に、または他のシステム規模の動作をメモリデバイス１１０に提供することがある。したがって、クロック信号ＣＫは、制御クロック信号ＣＫ、コマンドクロック信号ＣＫ、またはシステムクロック信号ＣＫと様々に呼ばれることがある。システムクロック信号ＣＫは、システムクロックによって生成されてよく、システムクロックは、１つまたは複数のハードウェアコンポーネント（たとえば、発振器、水晶、論理ゲート、トランジスタなど）を含んでよい。
いくつかの場合、チャネル１１５は、１つまたは複数のデータ（ＤＱ）チャネル１９０を含んでよい。データチャネル１９０は、外部メモリコントローラ１０５とメモリデバイス１１０との間でデータおよび／または制御情報を通信するように構成されてよい。たとえば、データチャネル１９０は、メモリデバイス１１０に書き込まれることになる情報（たとえば、双方向性）またはメモリデバイス１１０から読み出される情報を通信してよい。
いくつかの場合、チャネル１１５は、他の目的に専用であってよい１つまたは複数の他のチャネル１９２を含んでよい。これらの他のチャネル１９２は、任意の量の信号経路を含んでよい。
チャネル１１５は、様々な異なるアーキテクチャを使用して外部メモリコントローラ１０５をメモリデバイス１１０と結合してよい。様々なアーキテクチャの例としては、バス、ポイントツーポイント接続、クロスバー、シリコンインタポーザなどの高密度インタポーザ、もしくは有機基板内に形成されたチャネル、またはそれらの何らかの組み合わせがあり得る。たとえば、いくつかの場合、信号経路は、シリコンインタポーザまたはガラスインタポーザなどの高密度インタポーザを少なくとも部分的に含んでよい。
チャネル１１５上で通信される信号は、様々な異なる変調方式を使用して変調されてよい。いくつかの場合、２値シンボル（または２値レベル）変調方式は、外部メモリコントローラ１０５とメモリデバイス１１０との間で通信された信号を変調するために使用されることがある。２値シンボル変調方式は、Ｍ－ａｒｙ変調方式の実施例であってよく、ここで、Ｍは２に等しい。２値シンボル変調方式の各シンボルは、デジタルデータの１ビットを表すように構成されてよい（たとえば、シンボルは、論理１または論理０を表してよい）。２値シンボル変調方式の実施例としては、限定するものではないが、非ゼロ復帰（ＮＲＺ）、ユニポーラ符号化、バイポーラ符号化、マンチェスタ符号化、２つのシンボル（たとえば、ＰＡＭ２）を有するパルス振幅変調（ＰＡＭ）、および／またはその他がある。
メモリデバイス１１０の態様は、異なる階層レベル（たとえば、ダイレベル、グループレベル、バンクレベルなど）に割り当てられてもよいし、そうであると考えられてもよい。１つまたは複数のコマンドに基づいて、メモリデバイス１１０は、まとめて、または互いから独立して、のどちらかで、メモリデバイス１１０の異なる態様を、低電力モードにまたはこれから切り換えてよい。たとえば、メモリデバイス１１０は、メモリバンクを低電力モードに切り換えるコマンドを受信することがあり、メモリデバイスは、そのメモリバンクに専用の回路を非活動化することがある。別の実施例として、メモリデバイス１１０は、バンクグループを第１のモード（たとえば、アイドルモード）から低電力モードに切り換えるコマンドを受信することがあり、メモリデバイス１１０は、バンクグループ内の個々のメモリバンクに専用のバンクレベル回路とともに、そのバンクグループに専用の（バンクグループ内のすべてのメモリバンクによって共有される）グループレベル回路を非活動化することがある。さらに別の実施例として、メモリデバイス１１０は、メモリダイ１６０を第１のモード（たとえば、アイドルモード）から低電力モードに切り換えるコマンドを受信することがあり、メモリデバイス１１０は、メモリダイ１６０内の各バンクグループのためのグループレベル回路および各メモリバンクのためのバンクレベル回路とともに、そのメモリダイ１６０内のすべてのメモリバンクによって（と、したがって、すべてのバンクグループによって）共有されるダイレベル回路を非活動化することがある。したがって、示された階層レベルにおける示されたエンティティのための電源切断コマンド（代替的に、低電力モードのための進入（ｅｎｔｅｒ）コマンドと呼ばれることがある）に関して、メモリデバイス１１０は、示されたエンティティのための示された階層レベルにおける回路を非活動化することがあり（たとえば、示されたバンクグループのためのグループレベル回路を非活動化することがあり）、示されたエンティティ内のエンティティのための任意の下位階層レベルにおける回路を非活動化することもある（たとえば、示されたバンクグループ内のバンクのためのバンクレベル回路を非活動化することがある）。
同様に、示された階層レベルにおける示されたエンティティのためのいくつかの電源投入（パワーアップ）コマンド（代替的に、低電力モードのための退出（ｅｘｉｔ）コマンドと呼ばれることがある）に関して、メモリデバイス１１０は、示されたエンティティのための示された階層レベルにおける回路を活動化することがあり（たとえば、示されたバンクグループのためのグループレベル回路を活動化することがあり）、示されたエンティティ内のエンティティのための任意の下位階層レベルにおける回路を活動化することもある（たとえば、示されたバンクグループ内のバンクのためのバンクレベル回路を活動化することがある）。
追加的または代替的に、メモリデバイスは、示された階層レベルにおける示されたエンティティのための以前の電源切断（パワーダウン）コマンドに関する取り消しコマンド（代替的に、削除コマンドと呼ばれることがある）を受信することがあり、その場合、メモリデバイス１１０は、示されたエンティティ内のエンティティのための任意の下位階層レベルとともに、示されるエンティティを、以前の電源切断コマンドが受信された時間におけるそれぞれの動作モードに回復させることがある。
いくつかの場合、メモリデバイス１１０は、下位レベルエンティティ（たとえば、バンクまたはバンクグループ）が１つまたは複数の低電力モードで動作しているかどうかを追跡することがあり、上位レベルエンティティ内の下位レベルエンティティのすべてが低電力モードで個々に動作している場合、上位階層レベル（たとえば、グループレベル回路またはダイレベル回路）で回路を自動的に非活動化することがある。たとえば、メモリデバイス１１０は、第１のバンクグループのすべてのメモリバンクが低電力モードで動作していると決定することがあり、メモリデバイス１１０は、第１のバンクグループのためのグループレベル回路を非活動化することがある。別の実施例として、メモリデバイス１１０は、第１のメモリダイ１６０のメモリバンク（またはバンクグループ）のすべてが低電力モードで動作していると決定することがあり、メモリデバイス１１０は、第１のメモリダイ１６０のためのダイレベル回路とともに、グループレベル回路（まだ非活動化されていない場合）を非活動化することがある。いくつかの場合、メモリデバイス１１０は、自動遷移またはコマンド遷移によってエンティティが低電力モードにされているかどうかをさらに追跡することがあり、以前の電源切断コマンドのための取り消しコマンドに応答して、メモリデバイス１１０は、コマンド遷移のみを逆転させる（巻き返す、元に戻す、取り消す）ことがある－すなわち、取り消しコマンドの範囲内のエンティティが、自動遷移の結果として低電力モードである場合、メモリデバイス１１０は、そのエンティティに対する取り消しコマンドを無視することがある。
図２は、本明細書で開示される実施例によるメモリダイ２００の実施例を示す。メモリダイ２００は、図１を参照して説明されるメモリダイ１６０の実施例であってよい。いくつかの場合、メモリダイ２００は、メモリチップ、メモリデバイス、または電子メモリ装置と呼ばれることがある。メモリダイ２００は、異なる論理状態を記憶するようにプログラム可能な１つまたは複数のメモリセル２０５を含んでよい。各メモリセル２０５は、２つまたはそれ以上の状態を記憶するようにプログラム可能であってよい。たとえば、メモリセル２０５は、一度に１ビットの情報（たとえば、論理０または論理１）を記憶するように構成されてよい。いくつかの場合、単一のメモリセル２０５（たとえば、マルチレベルメモリセル）は、一度に１ビットより多くの情報（たとえば、論理００、論理０１、論理１０、または論理１１）を記憶するように構成されてよい。
メモリセル２０５は、デジタルデータを表す状態（たとえば、分極状態または誘電電荷）を記憶し得る。ＦｅＲＡＭアーキテクチャでは、メモリセル２０５は、プログラム可能な状態を表す電荷および／または分極を記憶するための強誘電体材料を含むキャパシタを含み得る。ＤＲＡＭアーキテクチャでは、メモリセル２０５は、プログラム可能な状態を表す電荷を記憶するための誘電材料を含むキャパシタを含み得る。
読み出しおよび書き込みなどの動作は、ワード線２１０、ディジット線２１５、および／またはプレート線２２０などのアクセス線を活動化または選択することによって、メモリセル２０５上で実行し得る。いくつかの場合、ディジット線２１５はビット線とも呼ばれることがある。アクセス線、ワード線、ディジット線、プレート線、またはそれらの類似物への言及は、理解または動作の損失なしに交換可能である。ワード線２１０、ディジット線２１５、またはプレート線２２０を活動化または選択することは、それぞれの線に電圧を印加することを含んでよい。
メモリダイ２００は、格子状パターンに配置されたアクセス線（たとえば、ワード線２１０、ディジット線２１５、およびプレート線２２０）を含んでよい。メモリセル２０５は、ワード線２１０、ディジット線２１５、および／またはプレート線２２０の交点に位置決めされてよい。ワード線２１０、ディジット線２１５、およびプレート線２２０をバイアスすること（たとえば、ワード線２１０、ディジット線２１５、またはプレート線２２０に電圧を印加すること）によって、それらの交点で単一のメモリセル２０５にアクセスし得る。
メモリセル２０５にアクセスすることは、行デコーダ２２５、列デコーダ２３０、およびプレートドライバ２３５を介して制御されてよい。たとえば、行デコーダ２２５は、ローカルメモリコントローラ２６５から行アドレスを受信し、受信した行アドレスに基づいてワード線２１０を活動化してよい。列デコーダ２３０は、ローカルメモリコントローラ２６５から列アドレスを受信し、受信した列アドレスに基づいてディジット線２１５を活動化する。プレートドライバ２３５は、ローカルメモリコントローラ２６５からプレートアドレスを受信することができ、受信したプレートアドレスに基づいてプレート線２２０を活動化する。たとえば、メモリダイ２００は、ＷＬ＿１からＷＬ＿Ｍと標示された複数のワード線２１０、ＤＬ＿１からＤＬ＿Ｎと標示された複数のディジット線２１５、およびＰＬ＿１からＰＬ＿Ｐと標示された複数のプレート線を含むことができ、ここで、Ｍ、Ｎ、およびＰはメモリアレイのサイズに依存する。したがって、ワード線２１０、ディジット線２１５、およびプレート線２２０、たとえば、ＷＬ＿１、ＤＬ＿３、およびＰＬ＿１を活動化することによって、それらの交点でメモリセル２０５にアクセスすることができる。２次元または３次元のいずれの構成においても、ワード線２１０とディジット線２１５の交点は、メモリセル２０５のアドレスと呼ばれることがある。いくつかの場合、ワード線２１０、ディジット線２１５、およびプレート線２２０の交点は、メモリセル２０５のアドレスと呼ばれることがある。
メモリセル２０５は、キャパシタ２４０などの論理記憶コンポーネントと、スイッチングコンポーネント２４５とを含んでよい。キャパシタ２４０は、強誘電体キャパシタの実施例であってよい。キャパシタ２４０の第１のノードはスイッチングコンポーネント２４５と結合されてよく、キャパシタ２４０の第２のノードはプレート線２２０と結合されてよい。スイッチングコンポーネント２４５は、トランジスタまたは２つのコンポーネント間の電子通信を選択的に確立もしくは確立解除する他の任意のタイプのスイッチデバイスの実施例であってよい。
メモリセル２０５を選択または選択解除することは、スイッチングコンポーネント２４５を活動化または非活動化することによって達成され得る。キャパシタ２４０は、スイッチングコンポーネント２４５を使用してディジット線２１５と電子通信し得る。たとえば、キャパシタ２４０は、スイッチングコンポーネント２４５が非活動化されたとき、ディジット線２１５から絶縁されることがあり、キャパシタ２４０は、スイッチングコンポーネント２４５が活動化されたとき、ディジット線２１５と結合されることがある。いくつかの場合、スイッチングコンポーネント２４５はトランジスタを含み、その動作は、電圧をトランジスタゲートに印加することによって制御され、トランジスタゲートとトランジスタソースとの間の電圧差は、トランジスタの閾値電圧よりも大きいまたは小さい。いくつかの場合、スイッチングコンポーネント２４５は、ｐ型トランジスタであってもよいし、ｎ型トランジスタであってもよい。ワード線２１０は、スイッチングコンポーネント２４５のゲートと電子通信することができ、電圧がワード線２１０に印加されたことに基づいてスイッチングコンポーネント２４５を活動化／非活動化し得る。
ワード線２１０は、メモリセル２０５上でアクセス動作を実行するために使用されるメモリセル２０５と電子通信する導電線であってよい。いくつかのアーキテクチャにおいて、ワード線２１０は、メモリセル２０５のスイッチングコンポーネント２４５のゲートと電子通信することができ、メモリセルのスイッチングコンポーネント２４５を制御するように構成されてよい。いくつかのアーキテクチャにおいて、ワード線２１０は、メモリセル２０５のキャパシタのノードと電子通信することができ、メモリセル２０５は、スイッチングコンポーネントを含まないことがある。
ディジット線２１５は、メモリセル２０５を感知コンポーネント２５０と接続する導電線であってよい。いくつかのアーキテクチャにおいて、メモリセル２０５は、アクセス動作の一部の間に、ディジット線２１５と選択的に結合され得る。たとえば、ワード線２１０、およびメモリセル２０５のスイッチングコンポーネント２４５は、メモリセル２０５のキャパシタ２４０をディジット線２１５と、選択されて結合および／または絶縁するように構成されてよい。いくつかのアーキテクチャにおいて、メモリセル２０５は、ディジット線２１５と電子通信する（たとえば、常時）ことがある。
プレート線２２０は、メモリセル２０５上でアクセス動作を実行するために使用されるメモリセル２０５と電子通信する導電線であってよい。プレート線２２０は、キャパシタ２４０のノード（たとえば、セル底部）と電子通信することができる。プレート線２２０は、メモリセル２０５のアクセス動作中にキャパシタ２４０をバイアスするためにディジット線２１５と協働するように構成されてよい。
感知コンポーネント２５０は、メモリセル２０５のキャパシタ２４０上に貯蔵された状態（たとえば、分極状態または電荷）を決定し、検出された状態に基づいてメモリセル２０５の論理状態を決定するように構成され得る。メモリセル２０５によって貯蔵された電荷は、いくつかの場合、極端に小さい可能性がある。したがって、感知コンポーネント２５０は、メモリセル２０５の信号出力を増幅するための、１つまたは複数の感知増幅器を含んでよい。感知増幅器は、読み出し動作の間に、ディジット線２１５の電荷における微細な変化を検出することができ、検出された電荷に基づいて、論理０または論理１のいずれかに対応して信号を生成することができる。読み出し動作中、メモリセル２０５のキャパシタ２４０は、その対応するディジット線２１５に信号を出力する（たとえば、電荷を放電する）ことができる。信号は、ディジット線２１５の電圧を変化させることができる。感知コンポーネント２５０は、ディジット線２１５上のメモリセル２０５から受信された信号を基準信号２５５（たとえば、基準電圧）と比較するように構成されてよい。感知コンポーネント２５０は、この比較に基づいて、メモリセル２０５の貯蔵された状態を決定することができる。たとえば、２値シグナリングでは、ディジット線２１５が、基準信号２５５よりも高い電圧を有する場合、感知コンポーネント２５０は、メモリセル２０５の貯蔵された状態が論理１であることを決定することができ、ディジット線２１５が、基準信号２５５よりも低い電圧を有する場合、感知コンポーネント２５０は、メモリセル２０５の貯蔵された状態が論理０であることを決定することができる。感知コンポーネント２５０は、信号における差を検出および増幅するための様々なトランジスタまたは増幅器を含むことができる。メモリセル２０５の検出された論理状態は、感知コンポーネント２５０の出力として（たとえば、入力／出力２６０に）提供されてよく、検出された論理状態を、デバイスメモリコントローラ１５５などのメモリダイ２００を含むメモリデバイス１１０の別のコンポーネントに（たとえば、直接的に、またはローカルメモリコントローラ２６５を使用して）示してよい。いくつかの場合、感知コンポーネント２５０は、行デコーダ２２５、列デコーダ２３０、および／またはプレートドライバ２３５と電子通信することができる。
ローカルメモリコントローラ２６５は、様々なコンポーネント（たとえば、行デコーダ２２５、列デコーダ２３０、プレートドライバ２３５、および感知コンポーネント２５０）を介して、メモリセル２０５の動作を制御し得る。ローカルメモリコントローラ２６５は、図１を参照して説明されるローカルメモリコントローラ１６５の実施例であってよい。いくつかの場合、行デコーダ２２５、列デコーダ２３０、およびプレートドライバ２３５、および感知コンポーネント２５０のうちの１つまたは複数を、ローカルメモリコントローラ２６５と共同配置することができる。ローカルメモリコントローラ２６５は、１つまたは複数のコマンドおよび／またはデータを外部メモリコントローラ１０５（または図１を参照して説明されるデバイスメモリコントローラ１５５）から受信し、このコマンドおよび／またはデータを、メモリダイ２００によって使用可能な情報に変換し、メモリダイ２００上で１つまたは複数の動作を実行し、１つまたは複数の動作を実行したことに応答してデータをメモリダイ２００から外部メモリコントローラ１０５（またはデバイスメモリコントローラ１５５）に通信するように構成されてよい。ローカルメモリコントローラ２６５は、ターゲットワード線２１０、ターゲットディジット線２１５、およびターゲットプレート線２２０を活動化するために、行アドレス信号、列アドレス信号、および／またはプレート線アドレス信号を生成し得る。ローカルメモリコントローラ２６５はまた、メモリダイ２００の動作中に使用される様々な電圧または電流を生成および制御し得る。一般に、本明細書で考察する印加される電圧または電流の振幅、形状、または持続時間は、調節または変更されてよく、メモリダイ２００を動作する際に考察される様々な動作について、異なる可能性がある。
いくつかの場合、ローカルメモリコントローラ２６５は、メモリダイ２００の１つまたは複数のメモリセル２０５上で書き込み動作（たとえば、プログラミング動作）を実行するように構成されることがある。書き込み動作の間、メモリダイ２００のメモリセル２０５は、望ましい論理状態を記憶するようにプログラミングされてよい。いくつかの場合、単一の書き込み動作の間に、複数のメモリセル２０５がプログラミングされ得る。ローカルメモリコントローラ２６５は、書き込み動作を実行するためのターゲットメモリセル２０５を識別し得る。ローカルメモリコントローラ２６５は、ターゲットメモリセル２０５（たとえば、ターゲットメモリセル２０５のアドレス）と電子通信する、ターゲットワード線２１０、ターゲットディジット線２１５、および／またはターゲットプレート線２２０を識別することができる。ローカルメモリコントローラ２６５は、ターゲットメモリセル２０５にアクセスするために、ターゲットワード線２１０、ターゲットディジット線２１５、および／またはターゲットプレート線２２０を活動化する（たとえば、ワード線２１０、ディジット線２１５、またはプレート線２２０に電圧を印加する）ことができる。ローカルメモリコントローラ２６５は、メモリセル２０５のキャパシタ２４０に特定の状態を記憶するために、書き込み動作中にディジット線２１５に特定の信号（たとえば、電圧）を、プレート線２２０に特定の信号（たとえば、電圧）を印加し得、特定の状態は、所望の論理状態を示す。
いくつかの場合、ローカルメモリコントローラ２６５は、メモリダイ２００の１つまたは複数のメモリセル２０５上で読み出し動作（たとえば、感知動作）を実行するように構成され得る。読み出し動作の間、メモリダイ２００のメモリセル２０５に記憶される論理状態が決定されてよい。いくつかの場合、単一の読み出し動作の間に複数のメモリセル２０５が感知され得る。ローカルメモリコントローラ２６５は、読み出し動作を実行するためのターゲットメモリセル２０５を識別することができる。ローカルメモリコントローラ２６５は、ターゲットメモリセル２０５（たとえば、ターゲットメモリセル２０５のアドレス）と電子通信する、ターゲットワード線２１０、ターゲットディジット線２１５、および／またはターゲットプレート線２２０を識別することができる。ローカルメモリコントローラ２６５は、ターゲットメモリセル２０５にアクセスするために、ターゲットワード線２１０、ターゲットディジット線２１５、および／またはターゲットプレート線２２０を活動化する（たとえば、ワード線２１０、ディジット線２１５、またはプレート線２２０に電圧を印加する）ことができる。ターゲットメモリセル２０５は、アクセス線をバイアスしたことに応答して、感知コンポーネント２５０に信号を転送し得る。感知コンポーネント２５０は、信号を増幅し得る。ローカルメモリコントローラ２６５は、感知コンポーネント２５０を発動し（たとえば、感知コンポーネントをラッチし）、それによって、メモリセル２０５から受信した信号を基準信号２５５と比較することができる。その比較に基づいて、感知コンポーネント２５０は、メモリセル２０５上に記憶される論理状態を決定することができる。ローカルメモリコントローラ２６５は、メモリセル２０５上に記憶された論理状態を、読み出し動作の一部として外部メモリコントローラ１０５（またはデバイスメモリコントローラ）に通信することができる。
いくつかのメモリアーキテクチャでは、メモリセル２０５にアクセスすることは、メモリセル２０５に記憶される論理状態を劣化または破壊させ得る。たとえば、強誘電体メモリセル上で実行される読み出し動作は、強誘電体キャパシタに記憶される論理状態を破壊させ得る。別の実施例では、ＤＲＡＭアーキテクチャにおいて実行される読み出し動作は、ターゲットメモリセルのキャパシタを部分的または完全に放電させてよい。ローカルメモリコントローラ２６５は、メモリセルをその元の論理状態に戻すために、再書き込み動作またはリフレッシュ動作を実行することができる。ローカルメモリコントローラ２６５は、読み出し動作の後でターゲットメモリセルに論理状態を再度書き込むことができる。いくつかの場合、再書き込み動作は、読み出し動作の一部として考えられ得る。追加的に、ワード線２１０などの単一のアクセス線を活動化することは、そのアクセス線と電子通信するいくつかのメモリセルに記憶される状態を乱すことがある。したがって、再書き込み動作またはリフレッシュ動作は、アクセスされていない可能性のある１つまたは複数のメモリセル上で実行され得る。
メモリダイ２００内の異なるエンティティは、図３を参照することを含めて、本明細書において説明されるように、異なる階層レベルを含むアーキテクチャに従って編成されてよい。さらに、メモリダイ２００を含むメモリデバイス１１０は、本明細書において説明されるように、異なる電力モードコマンド（たとえば、電源切断（パワーダウン）コマンド、電源投入（パワーアップ）コマンド、取り消しコマンド）および関連する電力モード情報（たとえば、動作モードまたは自動遷移に関連する状態情報）に従って、異なるエンティティを動作させることができる。
図３は、本明細書で開示される実施例による、メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理をサポートするメモリダイアーキテクチャ３００の実施例を示す。メモリダイ３０５のみが示されているが、メモリデバイスは、本明細書における教示による、任意の上位階層レベルに基づいて独立して動作してもよいしまとめて動作してもよい任意の数のメモリダイ３０５を含んでよいことが理解されるべきである。メモリダイ３０５は、図１および図２を参照して説明されるメモリダイ１６０、２００の実施例であってよい。
メモリダイ３０５は、複数の階層レベルを含む階層アーキテクチャに従って編成されてよい。階層レベルは、異なるコンポーネントの機能的依存および共有回路に基づいてよい。
第１の階層レベルの一実施例は、バンクレベルであってよい。各メモリバンク３２０は、メモリバンク３２０を動作させるための（たとえば、メモリバンク３２０に対するアクセス動作を実行するための）専用回路を含んでもよいし、これと結合されてもよいし、これと関連付けられてもよく、任意の２つのメモリバンク３２０に共通でない（これらによって共有されない）回路は、バンクレベル回路と呼ばれることがある。
第２の階層レベルの一実施例はグループレベルであってよく、これは、バンクレベルよりも高い階層レベルと考えられ得る。たとえば、いくつかの回路は、複数のメモリバンク３２０によって（たとえば、メモリダイ３０５内のエリアを保存するために）共有されることがある。２つ以上のメモリバンク３２０によって共有されるがメモリダイ３０５内のすべてのメモリバンク３２０によっては共有されない回路は、グループレベル回路と呼ばれることがあり、グループレベル回路３１５の同じセットを共有するメモリバンク３２０は、バンクグループ３１０と呼ばれることがある。グループレベル回路３１５のセット内の回路は、それぞれのバンクグループ３１０内のすべてのメモリバンク３２０と（たとえば、選択的に）結合されてよいまたは結合可能であってよい。たとえば、グループレベル回路３１５－ａのセット内の回路は、メモリバンク０～３の各々と結合されてもよいし、メモリバンク０～３のうちの任意の１つまたは複数と選択的に結合可能であってもよい。グループレベル回路の実施例は、電荷ポンプまたは誤り訂正符号（ＥＣＣ）コンポーネントを含んでよい。
第３の階層レベルの一実施例はダイレベルであってよく、これは、グループレベルよりも高い階層レベルと考えられ得る。たとえば、いくつかの回路は、メモリダイ３０５内のすべてのメモリバンク３２０（と、したがって、すべてのバンクグループ３１０）によって共有されてよい。メモリダイ３０５内のすべてのメモリバンク３２０によって共有される回路は、ダイレベル回路と呼ばれることがある。したがって、各メモリダイ３０５は、ダイレベル回路３０７のセットを含んでよい。ダイレベル回路の実施例としては、ヒューズアレイまたはコマンドデコーダ（たとえば、ユーザコマンドのための）があり得る。
他の階層レベル－ダイレベルよりも高いレベル（たとえば、マルチダイデバイスの場合）、バンクレベルよりも低いレベル（たとえば、メモリバンク３２０の部分の場合）、または中間のレベルなど－が存在してよいが、バンクレベル、グループレベル、およびダイレベルは、例示的な低い階層レベル、中間階層レベル、および高い階層レベルとして働き得るので、本明細書における実施例は、例示的にわかりやすくするため、バンクレベル、グループレベル、およびダイレベルに関して説明され得る。一般に、第１の階層レベルにおいてエンティティによって共有される任意の回路は、第１の階層レベルよりも高い第２の階層レベルにあると考えられ得る。
メモリバンク３２０がアイドルモードで動作しているとき、メモリバンク３２０のための専用回路は、第１の量の電力を消費し得る。たとえば、アイドルモードでは、メモリバンク３２０は、活動化（ＡＣＴ）コマンドがその後メモリバンク３２０のために受信される場合（その場合、メモリデバイスは、メモリバンク３２０をアクティブモードに切り換えてよく、これは、第２の、より大きい量の電力消費量に対応し得る）、これらのコンポーネントがメモリバンク３２０のメモリセルに対してアクセス動作を実行する準備ができているように、準備された（たとえば、プリチャージされた）状態でメモリバンク３２０のいくつかの態様を維持する（たとえば、線ドライバにアクセスする、線デコーダ、感知コンポーネントなどにアクセスする）ことがある。したがって、アイドルモードで動作しているとき、メモリバンク３２０のための専用バンクレベル回路は、第１の量の電流を引き込み、したがって、第１の量の電力を消費し得る。
メモリバンク３２０はまた、メモリバンク３２０において電流消費量を減少させる１つまたは複数のバンクレベル低電力モードをサポートし得る。いくつかの場合、メモリデバイス（たとえば、外部メモリコントローラ１０５、デバイスメモリコントローラ１５５、またはローカルメモリコントローラ１６５などのメモリコントローラ）は、メモリバンク３２０を、他のメモリバンク３２０のモードを動作させることから独立して１つまたは複数のバンクレベル低電力モードにおよびこれから切り換えることがある。バンクレベル低電力モードは、電流の量としたがってメモリバンク３２０による電力消費量が、メモリバンクがアイドルモードであるときよりも低い、任意の動作モードであってよい。メモリバンク３２０をバンクレベル低電力モードに切り換えることは、メモリバンク３２０のための専用回路の１つまたは複数のコンポーネントを非活動化または電源切断することを含んでよい。メモリバンク３２０をバンクレベル低電力モードからターゲットモード（たとえば、アイドルモード、あまり深くない低電力モード）に切り換えることは、まだ活動化されていないメモリバンク３２０のためのいくつかまたはすべてのバンクレベル回路を活動化することを含んでよい。
複数の低電力モードがメモリバンク３２０に関してサポートされる場合、バンクレベル低電力モードの各々は、異なる量の非活動化された回路に、またはメモリバンク３２０のための異なる量の電流および電力消費量に対応し得る。たとえば、メモリバンク３２０を第１のバンクレベル低電力モードに切り換えることは、メモリバンク３２０のための第１の量のバンクレベル回路を非活動化することを含んでよく、メモリバンク３２０を第２のバンクレベル低電力モードに切り換えることは、メモリバンク３２０のためのより大きい量のバンクレベル回路を非活動化することを含んでよい。第２のバンクレベル低電力モードは、第１のバンクレベル低電力モードよりも深い低電力モードと呼ばれることがある。任意の数のバンクレベル低電力モードは、メモリバンク３２０に対してサポートされてよく、各々は、漸進的に大きくなる量の、メモリバンク３２０のための非活動化されたバンクレベル回路に対応し、各々は、漸進的に小さくなる、メモリバンク３２０のための電力消費量に対応する。いくつかの場合、各低電力モードは、漸進的に大きくなる量の、メモリバンク３２０が低電力モードを出てアイドルモードに切り換わる時間にも対応することがあり、この時間は、起動時間または退出時間と呼ばれることがある。
グループレベルでは、バンクグループ３１０の少なくとも１つのメモリバンク３２０がアイドルモード、アクティブモード、または他の非低電力モードで動作しているとき、グループレベル回路３１５の対応するセットは、メモリバンク３２０のための動作をサポートするために活動化され、したがって、関連付けられた量の電流および電力を消費することがある。バンクグループ３１０はまた、任意の数のグループレベル低電力モードをサポートし得るが、バンクグループ３１０をグループレベル低電力モードに切り換えることは、グループレベル回路３１５の対応するセット内の回路の対応する量（たとえば、いくつかまたはすべて）を非活動化することを含んでよい。したがって、複数のグループレベル低電力モードがサポートされる場合、複数のバンクレベル低電力モードに関して説明されるのと同様に、各々は、グループレベル回路３１５の対応するセットのための漸進的に大きくなる量の非活動化されたグループレベル回路に対応することができ、各々は、バンクグループ３１０のための漸進的に小さくなる電力消費量に対応することができる。いくつかの場合、バンクグループ３１０をグループレベル低電力モードに切り換えることは、対応するメモリバンク３２０が各々まだバンクレベル低電力モードでない場合、－何らかの量のグループレベル回路３１５を非活動化することとともに－バンクグループ３１０内のすべてのメモリバンク３２０をバンクレベル低電力モード（たとえば、メモリバンク３２０によってサポートされる最も深いバンクレベル低電力モード）に切り換えることを含んでよい。いくつかの場合、バンクグループ３１０をグループレベル低電力モードから切り換えることは、－何らかの量のグループレベル回路３１５を非活動化することとともに－バンクグループ３１０内のすべてのメモリバンク３２０をアイドルモードに切り換えることを含んでよい。
ダイレベルでは、メモリダイ３０５の少なくとも１つのメモリバンク３２０（と、したがって、少なくとも１つのバンクグループ３１０）がアイドルモード、アクティブモード、または他の非低電力モードで動作しているとき、ダイレベル回路３０７の対応するセットは、１つまたは複数のメモリバンク３２０のための動作をサポートするために活動化され、したがって、関連付けられた量の電流および電力を消費することがある。しかしながら、バンクレベルおよびグループレベルに関して説明されたのと同様に、ダイレベル回路のセットは、任意の数のダイレベル低電力モードをサポートすることができる。メモリダイ３０５をダイレベル低電力モードに切り換えることは、ダイレベル回路３０７の対応するセット内の対応する量（たとえば、いくつかまたはすべて）の回路を非活動化することを含んでよい。したがって、複数のダイレベル低電力モードがサポートされる場合、複数のバンクレベル低電力モードに関して説明されるのと同様に、各々は、メモリダイ３０５のための漸進的に大きくなる量の非活動化されたダイレベル回路に対応することがあり、各々は、メモリダイ３０５のための漸進的に小さくなる電力消費量に対応することがある。いくつかの場合、メモリダイ３０５をダイレベル低電力モードに切り換えることは、バンクグループ３１０およびメモリバンク３２０が各々、まだそのような低電力モードでない場合、－何らかの量のダイレベル回路３０７を非活動化することとともに－メモリダイ３０５内のすべてのバンクグループ３１０をグループレベル低電力モード（たとえば、バンクグループ３１０によってサポートされる最も深いグループレベル低電力モード）に切り換えることと、したがって、メモリダイ３０５内のすべてのメモリバンク３２０もバンクレベル低電力モード（たとえば、メモリバンク３２０によってサポートされる最も深いバンクレベル低電力モード）に切り換えることを含んでよい。いくつかの場合、メモリダイ３０５をダイレベル低電力モードから切り換えることは、－何らかの量のダイレベル回路３０７を非活動化することとともに－メモリダイ３０５内のすべてのメモリバンク３２０をアイドルモードに切り換えることと、メモリダイ３０５内のグループレベル回路３１５のすべてのセットを活動化することとを含んでよい。
図４は、本明細書で開示される実施例による、メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理をサポートする状態図４００の実施例を示す。状態図４００の態様は、図１～図３を参照して説明されるメモリデバイス１１０、メモリダイ１６０、メモリダイ２００、またはメモリダイアーキテクチャ３００によって実装されてよい。状態図４００は、どのようにメモリデバイスの部分（たとえば、メモリバンク、バンクグループ、メモリダイなど）が、アイドルモード４０５および１つまたは複数の低電力モードを含む異なる動作モード間を切り換え得るかの実施例を示す。いくつかの場合、状態図４００に示される動作モード間の遷移は、メモリデバイスによって受信され得る１つまたは複数のコマンドに応答して発生することがある。
メモリデバイスは、所与の階層レベルにおけるエンティティを、同じ階層レベルにある他のエンティティの動作モードに必ずしも影響を与えなくても階層レベルのための異なる動作モードにおよびこれから独立して切り換えるように構成されてよい。たとえば、メモリデバイスは、（ｉ）他のメモリバンク３２０の動作モードに影響を与えることなく、メモリバンク３２０を異なる動作モードにおよびこれから切り換え、（ｉｉ）他のバンクグループ３１０の動作モードに影響を与えることなく、バンクグループ３１０を異なる動作モードにおよびこれから切り換え、（ｉｉｉ）（マルチダイデバイス内で）他のメモリダイ３０５の動作モードに影響を与えることなく、メモリダイ３０５を異なる動作モードにおよびこれから切り換えるように構成されてよい。
図４に示されるように、アイドルモード４０５は、任意の数の階層レベルに適用可能であるアイドルモードを広く表し得る。メモリバンク３２０がアイドルモード４０５であるとき、１つまたは複数のバンクレベル低電力モード４１０において非活動化しているバンクレベル回路が活動化され得る。バンクグループ３１０がアイドルモード４０５であるとき、１つまたは複数のグループレベル低電力モード４１５において非活動化しているグループレベル回路が活動化され得る。メモリダイがアイドルモード４０５であるとき、１つまたは複数のダイレベル低電力モード４２０において非活動化しているダイレベル回路が活動化され得る。
遷移４２５は、アイドルモード４０５とバンクレベル低電力モード４１０との間のメモリバンク３２０のための遷移を表し得る。いくつかの場合、遷移４２５は、ターゲットメモリバンク３２０に特有の電源切断（パワーダウン）コマンドおよび電源投入（パワーアップ）コマンド（代替的に、進入コマンドおよび退出コマンドと呼ばれることがある）に応答して発生することがある。たとえば、バンクレベル電源切断コマンドは、ＥｎｔｅｒＰｏｗｅｒＤｏｗｎＹＢａｎｋＸコマンドとして示されることがあり、ここで、Ｘはターゲットメモリバンク３２０のインデックス、アドレス、または他の識別子であってよく、Ｙは、ターゲットバンクレベル低電力モードのインデックスまたは他の識別子であってよい。したがって、１つのバンクレベル低電力モードのみがサポートされる場合、Ｙは不必要であることがある。
ＥｎｔｅｒＰｏｗｅｒＤｏｗｎＹＢａｎｋＸコマンドに応答して、メモリデバイスは、他の任意のメモリバンク３２０の、またはグループレベル回路３１５もしくはダイレベル回路３０７の任意のセットの動作モードを変えることなく、（たとえば、対応するバンクレベル回路のいくつかもしくはすべてを非活動化することによって、またはメモリバンク３２０Ｘによる電力消費量を低減することによって）メモリバンク３２０Ｘをバンクレベル低電力モードＹに切り換えることができる。
同様に、バンクレベル電源投入コマンドは、ＥｘｉｔＰｏｗｅｒＤｏｗｎＢａｎｋＸコマンドと示されることがある。ＥｘｉｔＰｏｗｅｒＤｏｗｎＢａｎｋＸコマンドに応答して、メモリデバイスは、他の任意のメモリバンク３２０の動作モードを変えることなく、（たとえば、対応するバンクレベル回路のいくつかもしくはすべてを活動化することによって、またはメモリバンク３２０Ｘによる電力消費量を増加させることによって）メモリバンク３２０Ｘをアイドルモード４０５に切り換えることができる。
メモリバンク３２０Ｘを含むバンクグループ３１０がグループレベル低電力モードである場合、メモリデバイスは、ＥｘｉｔＰｏｗｅｒＤｏｗｎＢａｎｋＸコマンドに応答して、（たとえば、グループレベル回路３１５の対応するセットを活動化することによって）バンクグループ３１０もアイドルモード４０５に切り換えることがあるが、メモリデバイスは、他の任意のバンクグループ３１０の動作モードを変えないことがある。同様に、メモリバンクＸを含むメモリダイ３０５がダイレベル低電力モードである場合、メモリデバイスは、ＥｘｉｔＰｏｗｅｒＤｏｗｎＢａｎｋＸコマンドに応答して、（たとえば、ダイレベル回路３０７の対応するセットを活動化することによって）メモリダイ３０５もアイドルモード４０５に切り換えることがあるが、メモリデバイスは、他の任意のメモリダイ３０５の動作モードを変えないことがある。メモリバンク３２０Ｘを含むバンクグループ３１０またはメモリダイ３０５がすでにアイドルモード４０５である場合、メモリデバイスは、ＥｘｉｔＰｏｗｅｒＤｏｗｎＢａｎｋＸコマンドに応答してバンクグループ３１０またはメモリダイ３０５の動作モードを変えないことがある。
図４の実施例は、２つのバンクレベル低電力モード４１０（バンクＰＤ－１（Ｙ＝１）およびバンクＰＤ－２（Ｙ＝２））を示す。第１のバンクレベル低電力モード４１０－ａで動作している間、メモリバンク３２０は、アイドルモード４０５で動作しているときよりも小さい電力を消費することができる。第２のバンクレベル低電力モード４１０－ｂで動作している間、メモリバンク３２０は、第１のバンクレベル低電力モード４１０－ａで動作しているときよりも小さい電力を消費することができる（たとえば、より多くのバンクレベル回路が非活動化され得る）。図４には２つのバンクレベル低電力モードが示されているが、任意の数のバンクレベル低電力モードが可能であることが理解されるべきである。
遷移４３０は、アイドルモード４０５とグループレベル低電力モード４１５との間のバンクグループ３１０のための遷移を表し得る。いくつかの場合、遷移４３０は、ターゲットバンクグループ３１０に特有の電源切断コマンドおよび電源投入コマンドに応答して発生することがある。たとえば、グループレベル電源切断コマンドは、ＥｎｔｅｒＰｏｗｅｒＤｏｗｎＹＢａｎｋＧｒｏｕｐＸコマンドとして示されることがあり、ここで、Ｘはターゲットバンクグループ３１０のインデックス、アドレス、または他の識別子であってよく、Ｙは、ターゲットグループレベル低電力モードのインデックスまたは他の識別子であってよい。したがって、１つのグループレベル低電力モードのみがサポートされる場合、Ｙは不必要であることがある。
ＥｎｔｅｒＰｏｗｅｒＤｏｗｎＹＢａｎｋＧｒｏｕｐＸコマンドに応答して、メモリデバイスは、他の任意のバンクグループ３１０の、または任意のダイレベル回路３０７の動作モードを変えることなく、（たとえば、グループレベル回路３１５のセットのうちのいくつかもしくはすべてを非活動化することによって、またはグループレベル回路３１５の対応するセットによる電力消費量を低減することによって）バンクグループ３１０Ｘをグループレベル低電力モードＹに切り換えることがある。
バンクグループ３１０Ｘ内の任意のメモリバンク３２０がまだバンクレベル低電力モードでない場合、メモリデバイスは、ＥｎｔｅｒＰｏｗｅｒＤｏｗｎＹＢａｎｋＧｒｏｕｐＸコマンドに応答して、そのようなメモリバンク３２０をバンクレベル低電力モード（たとえば、最も深いサポートされるバンクレベル低電力モード）に切り換えることができる。したがって、ＥｎｔｅｒＰｏｗｅｒＤｏｗｎＹＢａｎｋＧｒｏｕｐＸコマンドに応答して、バンクグループ３１０Ｘ内の１つまたは複数のメモリバンク３２０は、アイドルモード４０５から、またはあまり深くないバンクレベル低電力モードから（たとえば、バンクＰＤ－１からバンクＰＤ－２に）切り換えられ得る。
同様に、バンクレベル電源投入コマンドは、ＥｘｉｔＰｏｗｅｒＤｏｗｎＢａｎｋＧｒｏｕｐＸコマンドと示されることがある。ＥｘｉｔＰｏｗｅｒＤｏｗｎＢａｎｋＧｒｏｕｐＸコマンドに応答して、メモリデバイスは、他の任意のバンクグループ３１０の動作モードを変えることなく、（たとえば、グループレベル回路３１５の対応するセットのうちのいくつかもしくはすべてを活動化することによって、または、グループレベル回路３１５の対応するセットによる電力消費量を増加させることによって）バンクグループ３１０Ｘをアイドルモード４０５に切り換えることができる。メモリデバイスは、バンクグループ３１０Ｘに含まれるすべてのメモリバンク３２０をアイドルモード４０５に切り換えることもできる。
メモリバンクＸを含むメモリダイ３０５がダイレベル低電力モードである場合、メモリデバイスは、ＥｘｉｔＰｏｗｅｒＤｏｗｎＢａｎｋＸコマンドに応答して、（たとえば、ダイレベル回路３０７の対応するセットを活動化することによって）メモリダイ３０５もアイドルモード４０５に切り換えることがあるが、メモリデバイスは、他の任意のメモリダイ３０５の動作モードを変えないことがある。メモリバンク３２０Ｘを含むメモリダイ３０５がすでにアイドルモード４０５である場合、メモリデバイスは、ＥｘｉｔＰｏｗｅｒＤｏｗｎＢａｎｋＸコマンドに応答してメモリダイ３０５の動作モードを変えないことがある。
図４の実施例は、１つのグループレベル低電力モード４１５（バンクグループＰＤ－１（Ｙ＝１））を示す。グループレベル低電力モード４１５で動作している間、バンクグループ３１０は、アイドルモード４０５で動作しているときよりも小さい電力を消費することがある。図４には１つのグループレベル低電力モードが示されているが、任意の数のグループレレベル低電力モードが可能であることが理解されるべきである。
遷移４３５は、アイドルモード４０５とダイレベル低電力モード４２０との間のメモリダイ３０５のための遷移を表し得る。いくつかの場合、遷移４３５は、ターゲットメモリダイ３０５に特有の電源切断コマンドおよび電源投入コマンドに応答して発生することがある。たとえば、ダイレベル電源切断コマンドは、ＥｎｔｅｒＰｏｗｅｒＤｏｗｎＹＤｉｅＸコマンドとして示されることがあり、ここで、Ｘはターゲットメモリダイ３０５のインデックス、アドレス、または他の識別子であってよく、Ｙは、ターゲットダイレベル低電力モードのインデックスまたは他の識別子であってよい。したがって、Ｘは、メモリデバイスが１つのメモリダイ３０５のみを含む場合、不必要であることがあり、Ｙは、１つのグループレベル低電力モードのみがサポートされる場合、不必要であることがある。
ＥｎｔｅｒＰｏｗｅｒＤｏｗｎＹＤｉｅＸコマンドに応答して、メモリデバイスは、他の任意のメモリダイ３０５の動作モードを変えることなく、（たとえば、ダイレベル回路３０７のセットのうちのいくつかもしくはすべてを非活動化することによって、またはダイレベル回路３０７の対応するセットによる電力消費量を低減することによって）メモリダイ３０５Ｘをダイレベル低電力モードＹに切り換えることがある。
メモリダイ３０５Ｘ内の任意のメモリバンク３２０またはバンクグループ３１０がまだ、ダイレベル低電力モードＹと関連付けられたバンクレベル低電力モードまたはグループレベル低電力モードでない場合、メモリデバイスは、ＥｎｔｅｒＰｏｗｅｒＤｏｗｎＹＤｉｅＸコマンドに応答して、そのようなメモリバンク３２０またはバンクグループ３１０を、関連付けられたバンクレベル低電力モードまたはグループレベル低電力モード（たとえば、最も深いサポートされるバンクレベル低電力モードまたはグループレベル低電力モード）に切り換えることができる。したがって、メモリダイ３０５Ｘ内の１つまたは複数のメモリバンク３２０またはバンクグループ３１０は、ＥｎｔｅｒＰｏｗｅｒＤｏｗｎＹＤｉｅＸコマンドに応答して、アイドルモード４０５から、またはあまり深くないバンクレベル低電力モードもしくはグループレベル低電力モードから切り換えられ得る。
同様に、ダイレベル電源投入コマンドは、ＥｘｉｔＰｏｗｅｒＤｏｗｎＤｉｅＸコマンドと示されることがある。ＥｘｉｔＰｏｗｅｒＤｏｗｎＤｉｅＸコマンドに応答して、メモリデバイスは、他の任意のメモリダイ３０５の動作モードを変えることなく、（たとえば、ダイレベル回路３０７の対応するセットのうちのいくつかもしくはすべてを活動化することによって、または、ダイレベル回路３０７の対応するセットによる電力消費量を増加させることによって）メモリダイ３０５Ｘをアイドルモード４０５に切り換えることができる。メモリデバイスは、メモリダイ３０５Ｘに含まれるすべてのメモリバンク３２０（と、したがって、すべてのバンクグループ３１０）をアイドルモード４０５に切り換えることもできる。
図４の実施例は、２つのダイレベル低電力モード４２０（ダイＰＤ－１（Ｙ＝１）およびダイＰＤ－２（Ｙ＝２））を示す。第１のダイレベル低電力モード４２０－ａで動作している間、メモリダイ３０５は、アイドルモード４０５で動作しているときよりも小さい電力を消費することができる。第２のダイレベル低電力モード４２０－ｂで動作している間、メモリダイ３０５は、第１のダイレベル低電力モード４２０－ａで動作しているときよりも小さい電力を消費することができる（たとえば、より多くのダイレベル回路が非活動化され得る）。図４には２つのダイレベル低電力モードが示されているが、任意の数のダイレベル低電力モードが可能であることが理解されるべきである。
したがって、一般に、下位階層レベルにおけるエンティティを電源切断するコマンドは、その下位階層レベルにおける他のエンティティまたは上位階層レベルにおける他のエンティティに影響を与えないことができる。そして、下位階層レベルにおけるエンティティを電源投入するコマンドは、同様に、その下位階層レベルにおける他のエンティティに影響を与えないことができるが、上位階層レベルにおけるエンティティを、まだ活動化されていない場合に活動化させ（たとえば、アイドルモード４０５にさせ）得る。
また、一般に、上位階層レベルにおけるエンティティを電源切断するコマンドは、その上位階層レベルにおける他のエンティティに影響を与えないことができるが、下位階層レベルにおけるエンティティを非活動化させ（たとえば、対応する低電力モードにさせ）得る。そして、上位階層レベルにおけるエンティティを電源投入するコマンドは、その上位階層レベルにおける他のエンティティに影響を与えないことができるが、下位階層レベルにおけるエンティティを活動化させ（たとえば、アイドルモード４０５にさせ）得る。
いくつかの場合、メモリデバイスは、ある階層レベルにおけるエンティティを、その階層レベルのための異なる低電力モード間で（たとえば、あまり深くない低電力モードからより深い低電力モードに、またはその逆に）直接的に切り換えることをサポートすることができ、モード間で直接的に切り換えることは、そのエンティティまたはその中のいずれの下位レベルエンティティも遷移の一部としてアイドルモード４０５になることがないことを意味する。そのようなレベル内の電力モードの変更は、レベル内電源切断変更コマンドと呼ばれることがある。
たとえば、メモリデバイスは、バンクレベル内電源切断変更コマンド４４０に応答して、メモリバンク３２０を第１のバンクレベル低電力モード４１０－ａから第２のバンクレベル低電力モード４１０－ｂに（またはその逆に）切り換えることができ、バンクレベル内電源切断変更コマンド４４０は、メモリバンク３２０及びターゲットバンクレベル低電力モード４１０を示す標識を含んでよい。別の実施例として、メモリデバイスは、グループレベル内電源切断変更コマンドに応答して、バンクグループ３１０を第１のグループレベル低電力モード４１５から第２のグループレベル低電力モード４１５（図４には示されていない）に（またはその逆に）切り換えることができ、グループレベル内電源切断変更コマンドは、バンクグループ３１０及びターゲットグループレベル低電力モード４１５を示す標識を含んでよい。さらに別の実施例として、メモリデバイスは、ダイレベル内電源切断変更コマンド４４５に応答して、メモリダイ３０５を第１のダイレベル低電力モード４２０－ａから第２のダイレベル低電力モード４２０－ｂに（またはその逆に）切り換えることができ、ダイレベル内電源切断変更コマンド４４５は、メモリダイ３０５及びターゲットダイレベル低電力モード４２０を示す標識を含んでよい。
階層レベルにおけるエンティティを、その階層レベルのための異なる低電力モード間で直接的に切り換えるとき、同じ階層レベルにおける他のエンティティならびに他の階層レベルにおけるエンティティは、影響を与えられないことがあり、それぞれの動作モードのままであることがある。たとえば、メモリバンク３２０を異なるバンクレベル低電力モード４１０間で切り換えるとき、他のメモリバンク３２０の動作モードに対するまたはバンクグループ３１０もしくはメモリダイ３０５の動作モードに対する影響がないことがある。
いくつかの場合、メモリデバイスは、中間（たとえば、アイドル）状態を通過することなく、下位階層レベルのエンティティのみを対応する低電力モードにすることから、少なくとも１つの上位レベルのエンティティをも対応する低電力モードにすることに切り換えること －これは、下位階層レベル低電力モードから上位階層レベル低電力モードにメモリデバイスを切り換えることと考えられ得る－ もサポートすることがある。
遷移４５０は、下位階層レベル低電力モードから上位階層レベル低電力モードへの直接的な（たとえば、遷移の一部としてアイドルモード４０５に入ることなく）メモリデバイスのための遷移を表し得る。遷移４５０は、上位階層レベルと関連付けられた電源切断コマンドに応答して発生し得る。たとえば、上記で説明されたように、ＥｎｔｅｒＰｏｗｅｒＤｏｗｎＹＢａｎｋＧｒｏｕｐＸコマンドに応答して、グループレベルにある回路（たとえば、示されたバンクグループ３１０に対応するグループレベル回路３１５のセット）が電源切断され（たとえば、少なくとも部分的に非活動化され）得るだけでなく、バンクグループ３１０内のメモリバンク３２０も、動作モードを変更する（たとえば、最も深いサポートされるバンクレベル電力モードに切り換える）ことができる。同様に、また上記で説明されたように、ＥｎｔｅｒＰｏｗｅｒＤｏｗｎＹＤｉｅＸコマンドに応答して、ダイレベルにある回路（たとえば、示されたメモリダイ３０５に対応するダイレベル回路３０７のセット）が電源切断され（たとえば、少なくとも部分的に非活動化され）得るだけでなく、メモリダイ３０５内のメモリバンク３２０およびバンクグループ３１０も、動作モードを変更する（たとえば、最も深いサポートされるバンクレベル電力モードおよびグループレベル電力モードに切り換える）ことができる。
図５は、本明細書で開示される実施例による、メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理をサポートする状態図５００の別の実施例を示す。状態図５００は、状態図４００に対応し得るが、遷移４３０、４３５、４５０は、視覚的わかりやすさを失うことなく他のタイプの遷移が示され得るように、示されていない。状態図４００および５００のいくつかまたはすべての態様が、本明細書における教示による任意の組み合わせで組み合わされてよいことが理解されるべきである。
たとえば、状態図５００は、取り消しコマンド（代替的に、削除コマンドと呼ばれることがある）に応答した遷移を表し得る遷移５５０と５５５とを含む。取り消しコマンドは、メモリデバイス内のターゲットエンティティ（たとえば、バンクグループ３１０）と関連付けられてよい（たとえば、それを示す標識を含んでよい）。取り消しコマンドに応答して、メモリデバイスは、ターゲットエンティティをアイドルモード４０５に切り換えることができ（たとえば、ターゲットエンティティのための回路を活動化することができ）、ターゲットエンティティのための最新の電源切断コマンドが受信された時点で、そのエンティティ内の任意の下位レベルエンティティをそれぞれの動作モードに切り換えることができる。たとえば、バンクグループ３１０のための取り消しコマンドに応答して、メモリデバイスは、バンクグループ３１０のためのグループレベル回路３１５のセットを活動化することができ、バンクグループ３１０のための最新のＥｎｔｅｒＰｏｗｅｒＤｏｗｎＹＢａｎｋＧｒｏｕｐＸコマンドが受信された時点で、バンクグループ３１０の各メモリバンク３２０をそのそれぞれの動作モードに回復させることができる。したがって、上位階層レベルエンティティのための電源投入コマンドは、その中の各下位レベルエンティティをアイドルモード４０５に遷移させることができるが、上位階層レベルエンティティのための取り消しコマンドは、その中の各下位レベルエンティティをそれぞれの以前の動作モードに遷移させることができる（これは、偶然アイドルモード４０５であることがあるが、下位レベル電源切断モードであることもある）。
取り消しコマンドをサポートするために、メモリデバイスは、メモリデバイス内の異なる階層レベルにおける異なるエンティティのそれぞれの状態を示す状態情報（１つまたは複数の状態変数）を維持することができる。メモリデバイスは、１つまたは複数のレジスタ（たとえば、モードレジスタ、ステータスレジスタ、または他のレジスタ）に状態情報を維持することができ、コマンドが異なるエンティティに対して受信されると、状態情報を更新することができる。メモリデバイスがターゲットエンティティのための取り消しコマンドを受信したとき、メモリデバイスは、ターゲットエンティティ内の任意の下位レベルエンティティのそれぞれの以前の動作モードを決定するために状態情報を調べることができる。表１は、状態変数の実施例と、したがって、メモリデバイス内の異なる階層レベルにおける異なるエンティティに関する状態情報を示す。
Figure 2024023553000002
各階層レベルに対して、メモリデバイスは、符号化方式を使用して、状態変数の一意の組み合わせを、その階層レベルのためのアイドルモードとともに、その階層レベルにおける各低電力モードに割り当てることができる。たとえば、バンクレベルでは、メモリベースは、第１の論理値（００）をアイドルモード４０５に、第２の論理値（０１）を第１のバンクレベル低電力モード４１０－ａに、第３の論理値（１０）を第２のバンクレベル低電力モード４１０－ｂに割り当てることがある。別の実施例として、グループレベルの場合、メモリデバイスは、第１の論理値（０）をアイドルモード４０５に、第２の論理値（１）をグループレベル低電力モード４１５に割り当てることがある。さらに別の実施例として、ダイレベルの場合、メモリデバイスは、第１の論理値（００）をアイドルモード４０５に、第２の論理値（０１）を第１のダイレベル低電力モード４２０－ａに、第３の論理値（１０）を第２のダイレベル低電力モード４２０－ｂに割り当てることがある。
いくつかの場合、メモリデバイスは、優先順位を各階層レベルに割り当てることがある。たとえば、メモリデバイスは、下位階層レベルに関する状態情報よりも上位階層レベルに関する状態情報を優先することがある－たとえば、メモリダイ３０５に関する状態情報は、メモリダイ内のバンクグループ３１０に関する状態情報よりも優先されることがあり、メモリダイ内のバンクグループ３１０に関する状態情報は、バンクグループ３１０内のメモリバンク３２０に関する状態情報よりも優先されることがある。メモリデバイスは、エンティティを含む（よりも優先する）任意の上位レベルエンティティに関する状態情報とともに、エンティティに関する状態情報（状態変数）に基づいて、メモリデバイス内のエンティティの動作モードを決定することがある。さらに、メモリデバイスは、エンティティに関連のあるコマンドを受信することに応答してエンティティに関する状態情報を更新し（たとえば、上書きし）得るので、メモリデバイスは、異なる階層レベルに関する状態情報に割り当てられた優先順位に従って、異なる階層レベルのためのコマンドを優先することがある。
表１は、どのようにメモリデバイスが状態情報を利用して異なる階層レベルにおける異なるエンティティの動作モードを管理し得るかの例示的な実施例を提供する。表１は、１つのメモリダイ３０５に関する、メモリダイ３０５Ｘ内の１つのバンクグループ３１０Ｘに関する、およびバンクグループ３１０Ｘ内の１つのメモリバンク３２０Ｘに関する状態情報を示しているが、メモリデバイスは、任意の数のメモリダイ３０５、バンクグループ３１０、メモリバンク３２０、または任意の数の階層レベルにおける他のエンティティに関する状態情報を含み、これを維持してよいことが理解されるべきである。
メモリダイ３０５Ｘに関する状態変数が（１０）であるとき、メモリデバイスは、メモリダイ３０５Ｘが第２のダイレベル低電力モード４２０－ｂであると決定することができる。したがって、メモリデバイスは、第２のダイレベル低電力モード４２０－ｂでメモリダイ３０５Ｘを動作させることができ、状態変数（表１では「－」と示され、これは、「関心がない（ｄｏｎ’ｔ ｃａｒｅ）」ことを示し得る）に関係なく、それぞれの最も深いサポートされる低電力モードでメモリダイ３０５Ｘ内のすべてのエンティティを動作させることができる。したがって、メモリデバイスは、バンクグループ３１０Ｘをグループレベル低電力モード４１５で、メモリバンク３２０Ｘを第２のバンク低電力モード４１０－ｂで動作させることができる。
メモリダイ３０５Ｘに関する状態変数が（０１）であるとき、メモリデバイスは、メモリダイ３０５Ｘが第１のダイレベル低電力モード４２０－ａであると決定することがある。したがって、メモリデバイスは、第１のダイレベル低電力モード４２０－ａでメモリダイ３０５Ｘを動作させることができ、状態変数に関係なく、それぞれの最も深いサポートされる低電力モードでメモリダイ３０５Ｘ内のすべてのエンティティを動作させることができる。したがって、メモリデバイスは、バンクグループ３１０Ｘをグループレベル低電力モード４１５で、メモリバンク３２０Ｘを第２のバンク低電力モード４１０－ｂで動作させることができる。
一般に、上位階層レベルにあるエンティティが低電力モードであるとき、メモリデバイスは、下位レベルエンティティによってサポートされる低電力モードに従って、下位階層レベルにある、その中の任意のエンティティを動作させることができる。いくつかの場合（たとえば、電力節約を最大にするために）、下位階層レベルにおけるその中のエンティティは、下位レベルエンティティによってサポートされる最も深い低電力モードに従って動作され得る。他の場合には（たとえば、起動時間を最小にするために）、下位階層レベルにおけるその中のエンティティは、最も早い起動時間（たとえば、下位レベルエンティティによってサポートされる最も浅い低電力モード）を有する下位レベルエンティティによってサポートされる電力モードに従って、動作され得る。上位レベルエンティティが電源切断されることに基づいて下位レベルエンティティが入ることができる低電力モードは、下位レベルエンティティによってサポートされる任意の低電力モードであってよく、さらに、静的に構成されてもよいし、動的に構成されてもよいことが理解されるべきである。
メモリダイ３０５Ｘに関する状態変数が（００）であるとき、メモリデバイスは、メモリダイ３０５Ｘがアイドルモード４０５である（たとえば、ダイレベル回路３０７の対応するセット内のすべての回路が活動化される）と決定することがある。したがって、メモリデバイスは、メモリダイ３０５Ｘをアイドルモード４０５で動作させることができ、メモリダイ３０５Ｘ内のバンクグループ３１０に関するグループレベル状態情報を評価することができる。したがって、一般に、上位階層レベルにおけるエンティティがアイドルモードであるとき、エンティティに関する状態情報は、どのようにメモリデバイスがその中の下位レベルエンティティを動作させるかに影響を与えないことがある。
メモリダイ３０５Ｘに関する状態変数が（００）であり、バンクグループ３１０Ｘに関する状態変数が（１）であるとき、メモリデバイスは、メモリダイ３０５Ｘがアイドルモード４０５であり、バンクグループ３１０Ｘがグループレベル低電力モード４１５であると決定することができる。したがって、メモリデバイスは、状態変数に関係なく、バンクグループ３１０Ｘをグループレベル低電力モード４１５で動作させることができ、バンクグループ３１０Ｘ内のすべてのエンティティをそれぞれの最も深いサポートされる低電力モードで動作させることができる。したがって、メモリデバイスは、メモリバンク３２０Ｘを第２のバンク低電力モード４１０－ｂで動作させることができる。
メモリダイ３０５Ｘに関する状態変数が（００）であり、バンクグループ３１０Ｘに関する状態変数が（０）であるとき、メモリデバイスは、メモリダイ３０５Ｘとバンクグループ３１０Ｘは両方ともアイドルモード４０５である（たとえば、ダイレベル回路３０７の対応するセットおよびグループレベル回路３１５の対応するセット内のすべての回路が活動化される）と決定することができる。したがって、メモリデバイスは、メモリバンク３２０Ｘに関する状態変数に従って－メモリバンク３２０Ｘに関する状態変数が（１０）である場合は第２のバンクレベル低電力モード４１０－ｂで、メモリバンク３２０Ｘに関する状態変数が（０１）である場合は第１のバンクレベル低電力モード４１０－ａで、メモリバンク３２０Ｘに関する状態変数が（００）である場合はアイドルモード４０５で－メモリバンク３２０Ｘを動作させることができる。したがって、一般に、上位階層レベルにおけるすべての関連のあるエンティティがアイドルモードであるとき、メモリデバイスは、下位レベルエンティティに関する状態情報によって示される動作モードに従って、その中の下位レベルエンティティを動作させることができる。
メモリデバイスが、エンティティＸを動作モードＹにする電源切断コマンド（たとえば、ＥｎｔｅｒＰｏｗｅｒＤｏｗｎＹＤｉｅＸコマンド、ＥｎｔｅｒＰｏｗｅｒＤｏｗｎＹＢａｎｋＧｒｏｕｐＸコマンド、またはＥｎｔｅｒＰｏｗｅｒＤｏｗｎＹＢａｎｋＸコマンド）を受信したとき、メモリデバイスは、動作モードＹと関連付けられた状態変数を反映するためにエンティティＸによって記憶された状態情報を更新することができ、対応する状態情報に基づいて、メモリデバイスおよびその中のエンティティを動作させることができる。
いくつかの場合、メモリデバイスがエンティティＸのための取り消しコマンドを受信したとき、メモリデバイスは、エンティティＸをアイドルモード４０５に切り換えることができ（たとえば、対応する階層レベルにおけるエンティティＸのための回路を活動化することができ）、エンティティＸ内の任意の下位レベルエンティティに関する状態情報を調べることができ、それぞれの状態情報に従って、そのような下位レベルエンティティを動作させることができる。メモリデバイスが、上位レベルエンティティのための電源切断コマンドに応答して変更されない下位レベル状態情報を維持する場合、そのような下位レベルエンティティに関する状態情報は、エンティティＸのための最新の電源切断コマンドが受信された時点での、そのような下位レベルエンティティのそれぞれの動作モードを反映する。したがって、それぞれの状態情報に従ってそのような下位レベルエンティティを動作させることによって、メモリデバイスは、そのような下位レベルエンティティを、エンティティＸのための最新の電源切断コマンドが受信された時点でのそれぞれの動作モードで動作させる。
たとえば、図５を参照すると、取り消しコマンドがバンクグループ３１０Ｘに関して受信されたとき、メモリデバイスは、メモリバンク３２０に関する状態情報に応じて、グループレベル回路３１５の対応するセットを活動化してもよいし、バンクグループ３１０Ｘ内のメモリバンク３２０を第２のバンクレベル低電力モード４１０－ｂからアイドルモード４０５に（遷移５５０－ｃによって示されるように）、第１のバンクレベル低電力モード４１０－ａに（遷移５５０－ｂによって示されるように）切り換えてよいし、メモリバンク３２０を（遷移５５０－ａによって示されるように）第２のバンクレベル低電力モード４１０－ｂで維持してもよい。バンクグループ３１０Ｘ内の異なるメモリバンク３２０が異なる対応する状態変数を有する場合、メモリバンク３２０は、取り消しコマンドに応答して異なるバンクレベル動作モードに切り換えられてよい。
別の実施例として、図５を参照すると、取り消しコマンドがメモリダイ３０５Ｘに関して受信されたとき、メモリダイ３０５Ｘが第１のダイレベル低電力モード４２０－ａまたは第２のダイレベル低電力モード４２０－ｂのどちらかであるとき、メモリデバイスは、ダイレベル回路３０７の対応するセットを活動化することができる。また、対応する状態変数が（１）であるメモリダイ３０５Ｘ内の任意のバンクグループ３１０の場合、メモリデバイスは、遷移５５５－ａおよび５５５－ｂに示されるように、バンクグループ３１０をグループレベル低電力モード４１５に切り換えることができる（たとえば、グループレベル回路３１５の対応するセットを非活動化されると維持することができる、その中の任意のメモリバンク３２０を第２のバンクレベル低電力モード４１０－ｂで維持することができる）。代替的に、対応する状態変数が（０）であるメモリダイ３０５Ｘ内の任意のバンクグループ３１０の場合、メモリデバイスは、メモリバンク３２０に関する状態情報に応じて、バンクグループ３１０Ｘ内のメモリバンク３２０を第２のバンクレベル低電力モード４１０－ｂからアイドルモード４０５に（遷移５５０－ｄおよび５５０－ｆによって示されるように）、第１のバンクレベル低電力モード４１０－ａに（遷移５５０－ｅおよび５５０－ｆによって示されるように）切り換えてもよいし、メモリバンク３２０を第２のバンクレベル低電力モード４１０－ｂで維持してもよい（遷移５５０－ｃおよび５５５－ｆによって示されるように）。
したがって、取り消し（削除）コマンドに応答して、メモリデバイスは、メモリデバイスとともに下位レベルエンティティがそれぞれの以前の動作モードに従って動作されるように、デバイスを１つまたは複数の上位階層レベル低電力モードから削除すると概念化され得る。したがって、取り消し（削除）コマンドの影響は、コマンドによってターゲットとされる上位レベルエンティティ内の各下位レベルエンティティに関する状態情報に依存し得る。
図６は、本明細書で開示される実施例による、メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理をサポートする状態図６００の別の実施例を示す。状態図６００の態様は、図１～図５を参照して説明されるメモリデバイス１１０、メモリダイ１６０、メモリダイ２００、メモリダイアーキテクチャ３００、状態図４００、または状態図５００によって実装されてよい。状態図６００は、上位レベルエンティティ内の少なくとも閾値数（たとえば、すべて）の下位レベルエンティティが対応する低電力モードを動作させている（たとえば、これに個々に切り換えられている）ときにメモリデバイスが上位階層レベルにあるエンティティを自動的に低電力モードに切り換える（したがって、デバイスの観点からより深い低電力モードにデバイスをより深く電源切断する）実施例を示す。
たとえば、メモリデバイスは、バンクグループ３１０内のすべてのメモリバンク３２０がバンクレベル低電力モード４１０で個々に動作していると決定することができ、メモリデバイスは、バンクグループ３１０をグループレベル低電力モード４１５に自動的に（たとえば、追加のグループレベルコマンドを受信することなく）切り換えることができる（たとえば、バンクグループ３１０のためのグループレベル回路３１５のセットのうちのいくつかまたはすべてを非活動化することができる、まだ最も深いバンクレベル低電力モード４１０でないバンクグループ３１０内の任意のメモリバンク３２０を最も深いバンクレベル低電力モード４１０に遷移させることができる）。
図６では、バンクレベル低電力モード４１０とグループレベル低電力モード４１５との間の「および」で示される遷移は、自動遷移の実施例である。「および」ブロックは、バンクグループ３１０内の閾値量（たとえば、すべて）のメモリバンク３２０がバンクレベル低電力モード４１０で個々に動作しているときに自動遷移を始めるように構成された論理演算および関連回路（たとえば、１つもしくは複数のＡＮＤゲート、またはカウンタおよび比較器回路）を表し得る。
別の実施例として、メモリデバイスは、メモリダイ３０５内のすべてのバンクグループ３１０がグループレベル低電力モード４１５で個々に動作していると決定することができ、メモリデバイスは、メモリダイ３０５をダイレベル低電力モード４２０に自動的に（たとえば、追加のダイレベルコマンドを受信することなく）切り換えることができる（たとえば、メモリダイ３０５のためのダイレベル回路３０７のセットのうちのいくつかまたはすべてを非活動化することができる、まだ最も深いグループレベル低電力モード４１５でないメモリダイ３０５内の任意のバンクグループ３１０を最も深いグループレベル低電力モード４１５に遷移させることができる）。図６では、グループレベル低電力モード４１５とダイレベル低電力モード４２０との間の「および」で示される遷移は、そのような遷移の実施例である。
図６に示されるように、個々のメモリバンク３２０は、バンクレベル電源切断および電源投入（進入／退出）コマンド６２５に応答して、アイドルモード４０５と１つまたは複数のサポートされるバンクレベル低電力モード４１０との間で遷移することができる。同様に、個々のバンクグループは、グループレベル電源切断および電源投入（進入／退出）コマンド６３０に応答して、アイドルモード４０５と１つまたは複数のサポートされるグループレベル低電力モード４１５との間で遷移することができ、個々のメモリダイ３０５は、ダイレベル電源切断および電源投入（進入／退出）コマンド６３５に応答して、アイドルモード４０５と１つまたは複数のサポートされるダイレベル低電力モード４２０との間で遷移することができる。したがって、一般に、電源切断および電源投入コマンドは、任意の階層レベルにある個々のエンティティに関して受信されることがあり、これは、たとえば、図４を参照して説明されたように、その階層レベルにあるエンティティを、下位階層レベルまたは上位階層レベルにある関連エンティティとともに、動作モード間で遷移させることができる。追加的に、自動遷移は、その中のすべての下位レベルエンティティが低電力モードであることに基づいて、上位レベルエンティティに関して発生することがある。
いくつかの場合、メモリデバイスは、上位レベル低電力モードをサポートすることがあるが、上位レベル電源切断および電源投入コマンドをサポートする必要はない。たとえば、メモリデバイスは、バンクレベル進入／退出コマンド６２５をサポートすることがあるが、グループレベル進入／退出コマンド６３０またはダイレベル進入／退出コマンド６３５はサポートしないことがある。そのような場合、メモリデバイスは、それにもかかわらず、グループレベル低電力モード４１５をサポートすることがあり、バンクグループは、バンクグループ３１０のすべてのメモリバンク３２０のためのバンクレベル電源切断（進入）コマンド６２５を受信することに基づいて、グループレベル低電力モード４１５に切り換えられることがある。同様に、メモリデバイスは、それにもかかわらず、ダイレベル低電力モード４２０をサポートすることがあり、メモリダイ３０５は、メモリダイ３０５のすべてのバンクグループ３１０内のすべてのメモリバンク３２０のためのバンクレベル電源切断（進入）コマンド６２５を受信することに基づいて、ダイレベル低電力モード４２０に切り換えられることがある。その後、上位レベルエンティティは、その中の下位レベルエンティティのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、活動化される（アイドルモード４０５に切り換えられる）ことがある。
いくつかのメモリデバイスは、本明細書において説明される取り消し（削除）コマンドとともに、（たとえば、図６を参照して説明されるように）自動遷移をサポートすることができる。そのような場合、取り消しコマンドは、自動的に発生する任意の遷移に対する影響がないことがある（たとえば、これを元に戻さないことがある）。たとえば、バンクグループ３１０がグループレベル低電力モード４１５に切り換えられる場合、その後で受信されるバンクグループ３１０のための取り消しコマンドは影響を与えないことがあり、バンクグループ３１０は、グループレベル低電力モード４１５で維持されることがある（バンクグループ３１０内のメモリバンク３２０も各々、バンクレベル低電力モード４１０で維持されることがある）。
いくつかの場合、自動遷移を介して入られた低電力モードとコマンド遷移を介して入られた低電力モードを区別することをサポートするために（たとえば、取り消しコマンドに応答したコマンド遷移のみを削除することをサポートするために）、メモリデバイスは、エンティティの現在の動作モードの標識だけでなく現在の動作モードがコマンド遷移を介して入られたかまたは自動遷移を介して入られたかも記憶するために、追加の状態情報（たとえば、追加の状態変数）を維持することがある。メモリデバイスは、１つまたは複数のレジスタ（たとえば、モードレジスタ、ステータスレジスタ）または他の記憶装置に状態情報を記憶することができる。表２は、そのような状態情報の実施例を表し得る。
Figure 2024023553000003
表２の例は、１つのバンクレベル低電力モード４１０、１つのグループレベル低電力モード４１５、および１つのダイレベル低電力モード４２０をサポートするメモリデバイスに関するものであってよい。各エンティティ（たとえば、各メモリバンク３２０、バンクグループ３１０、またはメモリダイ３０５）に対して、メモリデバイスは、エンティティの動作モードを示す１つの動作モード変数を記憶することができる。たとえば、（０）という動作モード変数は、エンティティに関するアイドルモード４０５を示すことができ、（１）という動作モード変数は、エンティティに関する低電力モードを示すことができる。複数の低電力モードがエンティティの階層レベルでサポートされる場合、メモリデバイスは、エンティティの動作モードを示すために複数の動作モード変数を記憶することができる。
最も低い階層レベルにない各エンティティ（たとえば、各バンクグループ３１０または各メモリダイ３０５）の場合、メモリデバイスは、エンティティに関する動作モード変数の値（と、したがって、動作モード）がコマンドの結果であるかまたは自動遷移の結果であるかを示す追加の遷移変数も記憶することができる。たとえば、（０）という遷移変数値は、エンティティのための動作モードがコマンドの結果であったことを示すことができ、（１）という遷移変数値は、エンティティのための動作モードが自動遷移の結果であったことを示すことができる。
表２は、結果として生じる各エンティティのための動作モードとともに、１つのメモリダイ３０５Ｘ、メモリダイ３０５Ｘ内の１つのバンクグループ３１０Ｘ、およびバンクグループ３１０Ｘ内の１つのメモリバンク３２０Ｘのための状態情報可能性を示すことができる。表２では、２つの状態変数をもつ列の場合、右端の状態変数は動作モード変数とすることができ、左端の状態変数は遷移変数とすることができる。
下位レベルエンティティは、すべての対応する上位レベルエンティティがアイドルモードである場合、その状態変数に従って動作され得る。したがって、たとえば、メモリダイ３０５Ｘおよびバンクグループ３１０Ｘに関する状態変数がすべてゼロであるとき、メモリバンク３２０Ｘは、メモリバンク３２０Ｘに関する動作モード変数によって示される動作モードであることがある。
上位レベルエンティティがコマンド低電力モード（０１）であるとき、下位レベルエンティティに関する状態変数に関係なく、その中の下位レベルエンティティに関する状態変数が維持され得るが、その中の任意の下位レベルエンティティは、対応する低電力モードである。したがって、たとえば、バンクグループ３１０Ｘに関する状態変数が（０１）であるとき、メモリバンク３２０Ｘに関する状態変数は、メモリバンク３２０Ｘの動作モードを決定する目的で「－」（関心がない）であるが、維持され、バンクグループ３１０Ｘのための取り消しコマンドの場合にメモリバンク３２０Ｘが遷移することになる動作モードに命じ（決定するために使用され）てよい。
上位レベルエンティティが、自動遷移により低電力モードであるとき、その上位レベルエンティティに関する動作モード変数は「関心がない」であることがあり、その中の任意の下位レベルエンティティに関する動作モード変数は、定義により、エンティティのためのより低い電力モード（たとえば、複数の低電力モードがエンティティに関してサポートされる場合、そのエンティティのための最も深いサポートされる低電力モード）と関連付けられる。したがって、たとえば、メモリダイ３０５Ｘに関する状態変数が（１－）であるとき、バンクグループ３１０Ｘおよびメモリバンク３２０Ｘに関する状態変数はそれぞれ（０１）および（１）であってもよいし、それぞれ（１１）および（１）であってもよく、メモリダイ３０５Ｘのための取り消しコマンドは、メモリダイ３０５Ｘ、バンクグループ３１０Ｘ、またはメモリバンク３２０Ｘのいずれの動作モードを変えない。
図７は、本明細書で開示される実施例による、メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理をサポートするメモリデバイス７０５のブロック図７００を示す。メモリデバイス７０５は、図１～図６を参照して説明されるメモリデバイスの態様の実施例であってよい。メモリデバイス７０５は、コマンドマネージャ７１０と、バンクモードマネージャ７１５と、バンクグループモードマネージャ７２０と、ダイモードマネージャ７２５と、状態情報マネージャ７３０とを含んでよい。これらのモジュールの各々は、直接的または間接的に、（たとえば、１つまたは複数のバスを介して）互いと通信してよい。
いくつかの実施例では、バンクモードマネージャ７１５は、メモリデバイス内の第１のメモリバンクを第１のモードで、メモリデバイス内の第２のメモリバンクを第２のモードで動作させることができる。コマンドマネージャ７１０は、第１のメモリバンクを第１のモードで、第２のメモリバンクを第２のモードで動作させている間に、メモリデバイスにおいて、第１のメモリバンクのための電源切断コマンドを受信することができる。バンクモードマネージャ７１５は、コマンドマネージャ７１０が第１のメモリバンクのための電源切断コマンドを受信することに基づいて、第２のメモリバンクを第２のモードで維持しながら、第１のメモリバンクを第１のモードから第１の低電力モードに切り換えることができ、第１の低電力モードは、第１のモードよりも小さい、第１のメモリバンクによる電力消費量に対応する。
いくつかの実施例では、第１のメモリバンクを第１のモードから第１の低電力モードに切り換えることは、第１のメモリバンクに専用の回路を非活動化することを含んでよい。
いくつかの実施例では、コマンドマネージャ７１０は、第１のメモリバンクを第１の低電力モードで動作させている間に、メモリデバイスにおいて、第１のメモリバンクのための第２の電源切断コマンドを受信することができる。バンクモードマネージャ７１５は、コマンドマネージャ７１０が第１のメモリバンクのための第２の電源切断コマンドを受信することに基づいて、第１のメモリバンクを第１の低電力モードから第２の低電力モードに切り換えることができ、第２の低電力モードは、第１のメモリバンクによる、第１の低電力モードとは異なる量の電力消費量に対応する。
いくつかの実施例では、第１のメモリバンクを第１の低電力モードから第２の低電力モードに切り換えることは、第１のメモリバンクに専用の追加の回路を非活動化することを含んでよい。いくつかの実施例では、第１のメモリバンクを第１の低電力モードから第２の低電力モードに切り換えることは、第１のメモリバンクに専用の非活動化された回路の一部分を活動化することを含んでよい。
いくつかの実施例では、コマンドマネージャ７１０は、第１のメモリバンクを第１の低電力モードで動作させている間に、メモリデバイスにおいて、第１のメモリバンクのための電源切断コマンドを受信することができる。バンクモードマネージャ７１５は、コマンドマネージャ７１０が第１のメモリバンクのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、第１のメモリバンクを第１の低電力モードからアイドルモードに切り換えることができ、アイドルモードは、第１のメモリバンクによる、第１の低電力モードよりも多い電力消費量に対応する。バンクグループモードマネージャ７２０は、コマンドマネージャ７１０が第１のメモリバンクのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、第１のメモリバンクおよびメモリデバイスの少なくとも１つの他のメモリバンクによって共有される回路を活動化することができる。
いくつかの実施例では、バンクグループモードマネージャ７２０は、メモリデバイス内のメモリバンクの第１のグループを第１のモードで、メモリデバイス内のメモリバンクの第２のグループを第２のモードで動作させることができ、回路の第１のセットは第１のグループのメモリバンクによって共有され、回路の第２のセットは第２のグループのメモリバンクによって共有される。コマンドマネージャ７１０は、メモリバンクの第１のグループを第１のモードで、メモリバンクの第２のグループを第２のモードで動作させている間に、メモリデバイスにおいて、メモリバンクの第１のグループのための電源切断コマンドを受信することができる。バンクグループモードマネージャ７２０は、コマンドマネージャ７１０がメモリバンクの第１のグループのための電源切断コマンドを受信することに基づいて、回路の第１のセットを非活動化することができ、バンクモードマネージャ７１５は、メモリバンクの第２のグループを第２のモードで維持することができる。
いくつかの実施例では、メモリバンクの第１のグループの各メモリバンクは、１つまたは複数の低電力モードのセットをサポートし、バンクモードマネージャ７１５は、コマンドマネージャ７１０がメモリバンクの第１のグループのための電源切断コマンドを受信することに基づいて、第１のグループの各メモリバンクをセットの第１の低電力モードに切り換えることができる。いくつかの実施例では、セットの各低電力モードは、それぞれの電力消費量レベルに対応し、第１の低電力モードは、セットの各他の低電力モードよりも低い電力消費量レベルに対応する。
いくつかの実施例では、第１のグループの各メモリバンクを第１の低電力モードに切り換えることは、第１のグループの各メモリバンクのための専用回路のそれぞれのセットを非活動化することを含んでよい。
いくつかの実施例では、コマンドマネージャ７１０は、回路の第１のセットを非活動化した後、第１のグループの第１のメモリバンクのための電源投入コマンドを受信することができる。バンクグループモードマネージャ７２０は、コマンドマネージャ７１０が第１のメモリバンクのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、回路の第１のセットを活動化することができる。バンクモードマネージャ７１５は、コマンドマネージャ７１０が第１のメモリバンクのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、第１のグループの第２のメモリバンクを第１の低電力モードで維持しながら、第１のメモリバンクをアイドルモードに切り換えることができる。
いくつかの実施例では、コマンドマネージャ７１０は、回路の第１のセットを非活動化した後、メモリバンクの第１のグループのための電源投入コマンドを受信することができる。バンクグループモードマネージャ７２０は、コマンドマネージャ７１０がメモリバンクの第１のグループのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、回路の第１のセットを活動化することができる。バンクモードマネージャ７１５は、コマンドマネージャ７１０がメモリバンクの第１のメモリグループのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、第１のグループの各メモリバンクをアイドルモードに切り換えることができる。
いくつかの実施例では、ダイモードマネージャ７２５は、コマンドマネージャ７１０がメモリバンクの第１のグループのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、第１のグループのメモリバンクと第２のグループのメモリバンクによって共有される回路の第３のセットを活動化することができる。
いくつかの実施例では、コマンドマネージャ７１０は、回路の第１のセットを非活動化した後、メモリバンクの第１のグループとメモリバンクの第２のグループとを含むメモリダイのための電源投入コマンドを受信することができる。バンクグループモードマネージャ７２０は、コマンドマネージャ７１０がメモリダイのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、回路の第１のセットおよび回路の第２のセットを活動化することができる。ダイモードマネージャ７２５は、コマンドマネージャ７１０がメモリダイのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、第１のグループのメモリバンクと第２のグループのメモリバンクによって共有される回路の第３のセットを活動化することができる。バンクモードマネージャ７１５は、コマンドマネージャ７１０がメモリダイのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、第１のグループの各メモリバンクおよび第２のグループの各メモリバンクをアイドルモードに切り換えることができる。
いくつかの実施例では、状態情報マネージャ７３０は、コマンドマネージャ７１０がメモリバンクの第１のグループのための電源切断コマンドを受信することに基づいて、第１のグループの各メモリバンクのためのそれぞれの動作モードを示す状態変数を記憶および更新することができる。コマンドマネージャ７１０は、回路の第１のセットを非活動化した後、メモリバンクの第１のグループのための取り消しコマンドであって、メモリバンクの第１のグループのための電源切断コマンドを逆転させる取り消しコマンドを受信することができる。バンクモードマネージャ７１５は、コマンドマネージャ７１０が取り消しコマンドを受信することに基づいて、記憶された状態変数にアクセスすることができ、バンクモードマネージャ７１５は、記憶された状態変数にアクセスすることに基づいて、第１のグループの各メモリバンクをそれぞれの動作モードに切り換えることができる。
いくつかの実施例では、バンクグループモードマネージャ７２０は、コマンドマネージャ７１０が取り消しコマンドを受信することに基づいて、回路の第１のセットを活動化することができる。いくつかの実施例では、ダイモードマネージャ７２５は、コマンドマネージャ７１０が取り消しコマンドを受信することに基づいて、第１のグループのメモリバンクと第２のグループのメモリバンクによって共有される回路の第３のセットを活動化することができる。
いくつかの実施例では、バンクグループモードマネージャ７２０は、メモリバンクの第１のグループをそれぞれの第１のモードで、メモリバンクの第２のグループをそれぞれの第２のモードで動作させることができ、メモリバンクの第１のグループとメモリバンクの第２のグループは両方とも、メモリダイに含まれる。コマンドマネージャ７１０は、メモリバンクの第１のグループをそれぞれの第１のモードで、メモリバンクの第２のグループをそれぞれの第２のモードで動作させている間に、メモリダイのための電源切断コマンドを受信することができる。バンクモードマネージャ７１５は、コマンドマネージャ７１０がメモリダイのための電源切断コマンドを受信することに基づいて、第１のグループの各メモリバンクおよび第２のグループの各メモリバンクを、それぞれの第１のモードまたはそれぞれの第２のモードのうちの少なくとも１つよりも低い電力消費量レベルに対応する低電力モードに切り換えることができる。バンクグループモードマネージャ７２０は、コマンドマネージャ７１０がメモリダイのための電源切断コマンドを受信することに基づいて、メモリバンクの第１のグループとメモリバンクの第２のグループによって共有される回路のセットを非活動化することができる。
いくつかの実施例では、コマンドマネージャ７１０は、メモリバンクの第１のグループとメモリバンクの第２のグループによって共有される回路のセットが非活動化されている間に、メモリバンクの第１のグループのための電源投入コマンドを受信することができる。バンクモードマネージャ７１５は、メモリバンクの第１のグループのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、第２のグループの各メモリバンクを低電力モードで維持しながら、第１のグループの各メモリバンクを低電力モードからアイドルモードに切り換えることができる。バンクグループモードマネージャ７２０は、メモリバンクの第１のグループのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、第２のグループのメモリバンクによって共有される回路の第３のセットを非活動化されると維持しながら、第１のグループのメモリバンクによって共有される回路の第２のセットを活動化することができる。ダイモードマネージャ７２５は、メモリバンクの第１のグループのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、メモリバンクの第１のグループとメモリバンクの第２のグループによって共有される回路のセットを活動化することができる。
いくつかの実施例では、コマンドマネージャ７１０は、メモリバンクの第１のグループとメモリバンクの第２のグループによって共有される回路のセットが非活動化されている間に、メモリバンクの第１のグループの第１のメモリバンクのための電源投入コマンドを受信することができる。バンクモードマネージャ７１５は、コマンドマネージャ７１０が第１のメモリバンクのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、第１のグループの各他のメモリバンクおよび第２のグループの各メモリバンクを低電力モードで維持しながら、第１のメモリバンクを低電力モードからアイドルモードに切り換えることができる。バンクグループモードマネージャ７２０は、コマンドマネージャ７１０が第１のメモリバンクのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、第２のグループのメモリバンクによって共有される回路の第３のセットを非活動化されると維持しながら、第１のグループのメモリバンクによって共有される回路の第２のセットを活動化することができる。ダイモードマネージャ７２５は、コマンドマネージャ７１０が第１のメモリバンクのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、メモリバンクの第１のグループとメモリバンクの第２のグループによって共有される回路のセットを活動化することができる。
いくつかの実施例では、バンクグループモードマネージャ７２０は、メモリデバイス内のメモリバンクのグループ内のすべてのメモリバンクによって共有される回路のセットを動作させることができる。バンクグループモードマネージャ７２０は、グループ内のある量のメモリバンクが低電力モードで動作していると決定することができ、この低電力モードは、グループ内の各メモリバンクによってサポートされる第２のモードよりも低い電力消費量レベルと関連付けられる。バンクグループモードマネージャ７２０は、グループ内のそのある量のメモリバンクが低電力モードで動作していると決定することに基づいて、メモリバンクのグループによって共有される回路のセットを非活動化することができる。
いくつかの実施例では、グループ内のそのある量のメモリバンクが低電力モードで動作していると決定することは、グループ内のすべてのメモリバンクが低電力モードで動作していると決定することを含んでよい。
いくつかの実施例では、メモリデバイスはメモリバンクのグループのセットを含み、メモリデバイスは、メモリバンクのグループの各々のために、メモリバンクのグループ内のすべてのメモリバンクによって共有される回路のそれぞれのセットをセットに含む。ダイモードマネージャ７２５は、メモリバンクのグループのセット内のすべてのメモリバンクによって共有される回路のセットを動作させることができる。ダイモードマネージャ７２５は、回路のそれぞれのセットが、少なくともセット内のある量のメモリバンクのグループに対して非活動化されると決定することができる。ダイモードマネージャ７２５は、回路のそれぞれのセットがセット内の少なくともそのある量のメモリバンクのグループに対して非活動化されると決定することに基づいて、メモリバンクのグループのセット内のすべてのメモリバンクによって共有される回路のセットを非活動化することができる。いくつかの実施例では、回路のそれぞれのセットがセット内の少なくともそのある量のメモリバンクのグループに対して非活動化されると決定することは、回路のそれぞれのセットがセット内のメモリバンクのすべてのグループに対して非活動化されると決定することを含んでよい。
いくつかの実施例では、メモリバンクのグループのセットは、メモリデバイス内のメモリダイに含まれるメモリバンクのすべてのグループを含む。
いくつかの実施例では、ダイモードマネージャ７２５は、メモリデバイスのダイ内のすべてのメモリバンクによって共有される回路のセットを動作させることができる。ダイモードマネージャ７２５は、ダイ内のすべてのメモリバンクが低電力モードで動作していると決定することができる。ダイモードマネージャ７２５は、メモリデバイスのダイ内のすべてのメモリバンクが低電力モードで動作していると決定することに基づいて、ダイ内のすべてのメモリバンクによって共有される回路のセットを非活動化することができる。
いくつかの実施例では、低電力モードで動作することは、第２のモードに対応する電力消費量レベルよりも低いそれぞれの電力消費量レベルに各々が対応する低電力モードのセットのいずれかで動作することを含む。いくつかの実施例では、第２のモードは、アイドルモードを含む。
いくつかの実施例では、状態情報マネージャ７３０は、グループ内のそのある量のメモリバンクが低電力モードで動作していることを決定することに基づいて、メモリバンクのグループによって共有される回路のセットが非活動化されたという標識を記憶することができる。コマンドマネージャ７１０は、メモリバンクのグループによって共有される回路のセットを非活動化した後、メモリバンクのグループのための取り消しコマンドであって、メモリバンクのグループのための以前の電源切断コマンドを逆転させる取り消しコマンドを受信することができる。ダイモードマネージャ７２５は、取り消しコマンドを受信することに基づいて、記憶された標識にアクセスすることができ、ダイモードマネージャ７２５は、記憶された標識に基づいて、メモリバンクのグループによって共有される回路のセットを非活動化されると維持することができる。
図８は、本開示の態様による、メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理をサポートする１つまたは複数の方法８００を示すフローチャートを示す。方法８００の動作は、本明細書で説明するメモリデバイスまたはそのコンポーネントによって実施可能である。たとえば、方法８００の動作は、図７を参照して説明されるメモリデバイスによって実行されてよい。いくつかの実施例では、メモリデバイスは、説明された機能を実行するために、メモリデバイスの機能要素を制御するための命令のセットを実行することができる。追加的または代替的に、メモリデバイスは、特定用途向けハードウェアを使用して、説明される機能の態様を実行することができる。
８０５では、メモリデバイスは、メモリデバイス内の第１のメモリバンクを第１のモードで、メモリデバイス内の第２のメモリバンクを第２のモードで動作させることができる。８０５の動作は、本明細書で説明する方法に従って実行され得る。いくつかの実施例では、８０５の動作の態様は、図７を参照しながら説明するようなバンクモードマネージャによって実行されてよい。
８１０では、メモリデバイスは、第１のメモリバンクを第１のモードで、第２のメモリバンクを第２のモードで動作させている間に、メモリデバイスにおいて、第１のメモリバンクのための電源切断コマンドを受信することができる。８１０の動作は、本明細書で説明する方法に従って実行され得る。いくつかの実施例では、８１０の動作の態様は、図７を参照しながら説明するようなコマンドマネージャによって実行されてよい。
８１５では、メモリデバイスは、第１のメモリバンクのための電源切断コマンドを受信することに基づいて、第２のメモリバンクを第２のモードで維持しながら、第１のメモリバンクを第１のモードから第１の低電力モードに切り換えることができ、第１の低電力モードは、第１のモードよりも少ない、第１のメモリバンクによる電力消費量に対応する。８１５の動作は、本明細書で説明する方法に従って実行され得る。いくつかの実施例では、８１５の動作の態様は、図７を参照しながら説明するようなバンクモードマネージャによって実行されてよい。
いくつかの実施例では、本明細書で説明される装置は、方法８００などの１つまたは複数の方法を実行することができる。装置は、メモリデバイス内の第１のメモリバンクを第１のモードで、メモリデバイス内の第２のメモリバンクを第２のモードで動作させることと、第１のメモリバンクを第１のモードで、第２のメモリバンクを第２のモードで動作させている間に、メモリデバイスにおいて、第１のメモリバンクのための電源切断コマンドを受信することと、第１のメモリバンクのための電源切断コマンドを受信することに基づいて、第２のメモリバンクを第２のモードで維持しながら、第１のメモリバンクを第１のモードから第１の低電力モードに切り換えることであって、第１の低電力モードは、第１のモードよりも少ない、第１のメモリバンクによる電力消費量に対応する、切り換えることのための特徴、手段、または命令（たとえば、プロセッサによって実行可能な命令を記憶する非一時的なコンピュータ可読媒体）を含んでよい。
方法８００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例では、第１のメモリバンクを第１のモードから第１の低電力モードに切り換えることは、第１のメモリバンクに専用の回路を非活動化することを含んでよい。
方法８００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例は、第１のメモリバンクを第１の低電力モードで動作させている間に、メモリデバイスにおいて、第１のメモリバンクのための第２の電源切断コマンドを受信することと、第１のメモリバンクのための第２の電源切断コマンドを受信することに基づいて、第１のメモリバンクを第１の低電力モードから第２の低電力モードに切り換えることであって、第２の電力モードは、第１の低電力モードとは異なる量の、第１のメモリバンクによる電力消費量に対応する、切り換えることのための動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでよい。
方法８００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例では、第１のメモリバンクを第１の低電力モードから第２の低電力モードに切り換えることは、第１のメモリバンクに専用の追加の回路を非活動化することを含んでもよいし、第１のメモリバンクに専用の非活動化された回路の一部分を活動化することを含んでもよい。
方法８００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例は、第１のメモリバンクを第１の低電力モードで動作させている間に、メモリデバイスにおいて、第１のメモリバンクのための電源投入コマンドを受信することと、第１のメモリバンクのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、第１のメモリバンクを第１の低電力モードからアイドルモードに切り換えることであって、アイドルモードは、第１の低電力モードよりも多い、第１のメモリバンクによる電力消費量に対応する、切り換えることのための動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでよい。
方法８００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例は、第１のメモリバンクのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、メモリデバイスの第１のメモリバンクと少なくとも１つの他のメモリバンクによって共有される回路を活動化するための動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでよい。
図９は、本開示の態様による、メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理をサポートする１つまたは複数の方法９００を示すフローチャートを示す。方法９００の動作は、本明細書で説明するメモリデバイスまたはそのコンポーネントによって実施可能である。たとえば、方法９００の動作は、図７を参照して説明されるメモリデバイスによって実行されてよい。いくつかの実施例では、メモリデバイスは、説明された機能を実行するために、メモリデバイスの機能要素を制御するための命令のセットを実行することができる。追加的または代替的に、メモリデバイスは、特定用途向けハードウェアを使用して、説明される機能の態様を実行することができる。
９０５では、メモリデバイスは、メモリデバイス内のメモリバンクの第１のグループを第１のモードで、メモリデバイス内のメモリバンクの第２のグループを第２のモードで動作させることができ、回路の第１のセットは、第１のグループのメモリバンクによって共有され、回路の第２のセットは、第２のグループのメモリバンクによって共有される。９０５の動作は、本明細書で説明する方法に従って実行され得る。いくつかの実施例では、９０５の動作の態様は、図７を参照しながら説明するようなバンクモードマネージャによって実行されてよい。
９１０では、メモリデバイスは、メモリバンクの第１のグループを第１のモードで、メモリバンクの第２のグループを第２のモードで動作させている間に、メモリデバイスにおいて、メモリバンクの第１のグループのための電源切断コマンドを受信することができる。９１０の動作は、本明細書で説明する方法に従って実行され得る。いくつかの実施例では、９１０の動作の態様は、図７を参照しながら説明するようなコマンドマネージャによって実行されてよい。
９１５では、メモリデバイスは、メモリバンクの第１のグループのための電源切断コマンドを受信することに基づいて、メモリバンクの第２のグループを第２のモードで維持しながら回路の第１のセットを非活動化することができる。９１５の動作は、本明細書で説明する方法に従って実行され得る。いくつかの実施例では、９１５の動作の態様は、図７を参照しながら説明するようなバンクグループモードマネージャまたはバンクモードマネージャによって実行されてよい。
いくつかの実施例では、本明細書で説明される装置は、方法９００などの１つまたは複数の方法を実行することができる。装置は、メモリデバイス内のメモリバンクの第１のグループを第１のモードで、前記メモリデバイス内のメモリバンクの第２のグループを第２のモードで動作させることであって、回路の第１のセットは、第１のグループのメモリバンクによって共有され、回路の第２のセットは、第２のグループのメモリバンクによって共有される、動作させることと、メモリバンクの第１のグループを第１のモードで、メモリバンクの第２のグループを第２のモードで動作させている間に、メモリデバイスにおいて、メモリバンクの第１のグループのための電源切断コマンドを受信することと、メモリバンクの第１のグループのための電源切断コマンドを受信することに基づいて、メモリバンクの第２のグループを第２のモードで維持しながら回路の第１のセットを非活動化することとのための特徴、手段、または命令（たとえば、プロセッサによって実行可能な命令を記憶する非一時的なコンピュータ可読媒体）を含んでよい。
方法９００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例では、メモリバンクの第１のグループの各メモリバンクは、１つまたは複数の低電力モードのセットをサポートすることができる。方法９００および本明細書において説明される装置は、メモリバンクの第１のグループのための電源切断コマンドを受信することに基づいて、第１のグループの各メモリバンクをセットの第１の低電力モードに切り換えるための動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでよい。
方法９００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例では、第１のグループの各メモリバンクを第１の低電力モードに切り換えることは、第１のグループの各メモリバンクのための専用回路のそれぞれのセットを非活動化することを含んでよい。
方法９００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例では、セットの各低電力モードはそれぞれの電力消費量レベルに対応し、第１の低電力モードは、セットの各他の低電力モードよりも低い電力消費量レベルに対応する。
方法９００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例は、回路の第１のセットを非活動化した後、第１のグループの第１のメモリバンクのための電源投入コマンドを受信することと、第１のメモリバンクのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、回路の第１のセットを活動化することと、第１のメモリバンクのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、第１のグループの第２のメモリバンクを第１の低電力モードで維持しながら、第１のメモリバンクをアイドルモードに切り換えることとのための動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでよい。
方法９００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例は、回路の第１のセットを非活動化した後、メモリバンクの第１のグループのための電源投入コマンドを受信することと、メモリバンクの第１のグループのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、回路の第１のセットを活動化することと、メモリバンクの第１のメモリグループのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、第１のグループの各メモリバンクをアイドルモードに切り換えることとのための動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでよい。
方法９００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例は、メモリバンクの第１のグループのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、第１のグループのメモリバンクと第２のグループのメモリバンクによって共有され得る回路の第３のセットを活動化するための動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでよい。
方法９００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例は、回路の第１のセットを非活動化した後、メモリバンクの第１のグループとメモリバンクの第２のグループとを含むメモリダイのための電源投入コマンドを受信することと、メモリダイのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、回路の第１のセットおよび回路の第２のセットを活動化することと、メモリバンクの第１のグループのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、第１のグループのメモリバンクと第２のグループのメモリバンクによって共有され得る回路の第３のセットを活動化することと、メモリダイのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、第１のグループの各メモリバンクおよび第２のグループの各メモリバンクをアイドルモードに切り換えることとのための動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでよい。
方法９００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例は、メモリバンクの第１のグループのための電源切断コマンドを受信することに基づいて、第１のグループの各メモリバンクのためのそれぞれの動作モードを示す状態変数を記憶および更新することと、回路の第１のセットを非活動化した後、メモリバンクの第１のグループのための取り消しコマンドであって、メモリバンクの第１のグループのための電源切断コマンドを逆転させる取り消しコマンドを受信することと、取り消しコマンドを受信することに基づいて、記憶された状態変数にアクセスすることと、記憶された状態変数にアクセスすることに基づいて、第１のグループの各メモリバンクをそれぞれの動作モードに切り換えることのための動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでよい。
方法９００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例は、取り消しコマンドを受信することに基づいて回路の第１のセットを活動化するための動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでよい。
方法９００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例は、取り消しコマンドを受信することに基づいて、第１のグループのメモリバンクと第２のグループのメモリバンクによって共有され得る回路の第３のセットを活動化するための動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでよい。
図１０は、本開示の態様による、メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理をサポートする１つまたは複数の方法１０００を示すフローチャートを示す。方法１０００の動作は、本明細書で説明するメモリデバイスまたはそのコンポーネントによって実施可能である。たとえば、方法１０００の動作は、図７を参照して説明されるメモリデバイスによって実行されてよい。いくつかの実施例では、メモリデバイスは、説明された機能を実行するために、メモリデバイスの機能要素を制御するための命令のセットを実行することができる。追加的または代替的に、メモリデバイスは、特定用途向けハードウェアを使用して、説明される機能の態様を実行することができる。
１００５では、メモリデバイスは、メモリバンクの第１のグループをそれぞれの第１のモードで、メモリバンクの第２のグループをそれぞれの第２のモードで動作させることができ、メモリバンクの第１のグループとメモリバンクの第２のグループは両方とも、メモリダイに含まれる。１００５の動作は、本明細書で説明する方法に従って実行され得る。いくつかの実施例では、１００５の動作の態様は、図７を参照しながら説明するようなバンクモードマネージャによって実行されてよい。
１０１０では、メモリデバイスは、メモリバンクの第１のグループをそれぞれの第１のモードで、メモリバンクの第２のグループをそれぞれの第２のモードで動作させている間に、メモリダイのための電源切断コマンドを受信することができる。１０１０の動作は、本明細書で説明する方法に従って実行され得る。いくつかの実施例では、１０１０の動作の態様は、図７を参照しながら説明するようなコマンドマネージャによって実行されてよい。
１０１５では、メモリデバイスは、メモリダイのための電源切断コマンドを受信することに基づいて、第１のグループの各メモリバンクおよび第２のグループの各メモリバンクを、それぞれの第１のモードまたはそれぞれの第２のモードのうちの少なくとも１つよりも低い電力消費量レベルに対応する低電力モードに切り換えることができる。１０１５の動作は、本明細書で説明する方法に従って実行され得る。いくつかの実施例では、１０１５の動作の態様は、図７を参照しながら説明するようなバンクモードマネージャによって実行されてよい。
１０２０では、メモリデバイスは、メモリダイのための電源切断コマンドを受信することに基づいて、メモリバンクの第１のグループとメモリバンクの第２のグループによって共有される回路のセットを非活動化することができる。１０２０の動作は、本明細書で説明する方法に従って実行され得る。いくつかの実施例では、１０２０の動作の態様は、図７を参照しながら説明するようなダイモードマネージャによって実行されてよい。
いくつかの実施例では、本明細書で説明される装置は、方法１０００などの１つまたは複数の方法を実行することができる。装置は、メモリバンクの第１のグループをそれぞれの第１のモードで、メモリバンクの第２のグループをそれぞれの第２のモードで動作させることであって、メモリバンクの第１のグループとメモリバンクの第２のグループは両方ともメモリダイに含まれる、動作させることと、メモリバンクの第１のグループをそれぞれの第１のモードで、メモリバンクの第２のグループをそれぞれの第２のモードで動作させている間に、メモリダイのための電源切断コマンドを受信することと、メモリダイのための電源切断コマンドを受信することに基づいて、第１のグループの各メモリバンクおよび第２のグループの各メモリバンクを、それぞれの第１のモードまたはそれぞれの第２のモードのうちの少なくとも１つよりも低い電力消費量レベルに対応する低電力モードに切り換えることと、メモリダイのための電源切断コマンドを受信することに基づいて、メモリバンクの第１のグループとメモリバンクの第２のグループによって共有される回路のセットを非活動化することとのための特徴、手段、または命令（たとえば、プロセッサによって実行可能な命令を記憶する非一時的なコンピュータ可読媒体）を含んでよい。
方法１０００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例は、メモリバンクの第１のグループとメモリバンクの第２のグループによって共有される回路のセットが非活動化され得る間、メモリバンクの第１のグループのための電源投入コマンドを受信することと、メモリバンクの第１のグループのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、第２のグループの各メモリバンクを低電力モードで維持しながら、第１のグループの各メモリバンクを低電力モードからアイドルモードに切り換えることと、メモリバンクの第１のグループのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、第２のグループのメモリバンクによって共有される回路の第３のセットを非活動化されたままに維持しながら、第１のグループのメモリバンクによって共有される回路の第２のセットを活動化することと、メモリバンクの第１のグループのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、メモリバンクの第１のグループとメモリバンクの第２のグループによって共有される回路のセットを活動化することとのための動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでよい。
方法１０００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例は、メモリバンクの第１のグループとメモリバンクの第２のグループによって共有される回路のセットが非活動化され得る間、メモリバンクの第１のグループの第１のメモリバンクのための電源投入コマンドを受信することと、第１のメモリバンクのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、第１のグループの各他のメモリバンクおよび第２のグループの各メモリバンクを低電力モードで維持しながら、第１のメモリバンクを低電力モードからアイドルモードに切り換えることと、第１のメモリバンクのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、第２のグループのメモリバンクによって共有される回路の第３のセットを非活動化されると維持しながら、第１のグループのメモリバンクによって共有される回路の第２のセットを活動化することと、第１のメモリバンクのための電源投入コマンドを受信することに基づいて、メモリバンクの第１のグループとメモリバンクの第２のグループによって共有される回路のセットを活動化することとのための動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでよい。
図１１は、本開示の態様による、メモリデバイスのためのアーキテクチャベースの電力管理をサポートする１つまたは複数の方法１１００を示すフローチャートを示す。方法１１００の動作は、本明細書で説明するメモリデバイスまたはそのコンポーネントによって実施可能である。たとえば、方法１１００の動作は、図７を参照して説明されるメモリデバイスによって実行されてよい。いくつかの実施例では、メモリデバイスは、説明された機能を実行するために、メモリデバイスの機能要素を制御するための命令のセットを実行することができる。追加的または代替的に、メモリデバイスは、特定用途向けハードウェアを使用して、説明される機能の態様を実行することができる。
１１０５では、メモリデバイスは、メモリデバイス内のメモリバンクのグループ内のすべてのメモリバンクによって共有される回路のセットを動作させることができる。１１０５の動作は、本明細書で説明する方法に従って実行され得る。いくつかの実施例では、１１０５の動作の態様は、図７を参照しながら説明するようなバンクグループモードマネージャによって実行されてよい。
１１１０では、メモリデバイスは、グループ内のある量のメモリバンクが低電力モードで動作していると決定することができ、低電力モードは、グループ内の各メモリバンクによってサポートされる第２のモードよりも低い電力消費量レベルと関連付けられる。１１１０の動作は、本明細書で説明する方法に従って実行され得る。いくつかの実施例では、１１１０の動作の態様は、図７を参照しながら説明するようなバンクグループモードマネージャによって実行されてよい。
１１１５では、メモリデバイスは、グループ内のそのある量のメモリバンクが低電力モードで動作していると決定することに基づいて、メモリバンクのグループによって共有される回路のセットを非活動化することができる。１１１５の動作は、本明細書で説明する方法に従って実行され得る。いくつかの実施例では、１１１５の動作の態様は、図７を参照しながら説明するようなバンクグループモードマネージャによって実行されてよい。
いくつかの実施例では、本明細書で説明される装置は、方法１１００などの１つまたは複数の方法を実行することができる。装置は、メモリデバイス内のメモリバンクのグループ内のすべてのメモリバンクによって共有される回路のセットを動作させることと、グループ内のある量のメモリバンクが低電力モードで動作していると決定することであって、低電力モードは、グループ内の各メモリバンクによってサポートされる第２のモードよりも低い電力消費量レベルと関連付けられる、決定することと、グループ内のそのある量のメモリバンクが低電力モードで動作していると決定することに基づいて、メモリバンクのグループによって共有される回路のセットを非活動化することとのための特徴、手段、または命令（たとえば、プロセッサによって実行可能な命令を記憶する非一時的なコンピュータ可読媒体）を含んでよい。
方法１１００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例では、グループ内のそのある量のメモリバンクが低電力モードで動作していると決定することは、グループ内のすべてのメモリバンクが低電力モードで動作していると決定することを含んでよい。
方法１１００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例は、メモリバンクのグループのセット内のすべてのメモリバンクによって共有される回路のセットを動作させることと、回路のそれぞれのセットが、少なくともセット内のある量のメモリバンクのグループに対して非活動化されると決定することと、回路のそれぞれのセットがセット内の少なくともそのある量のメモリバンクのグループに対して非活動化されると決定することに基づいて、メモリバンクのグループのセット内のすべてのメモリバンクによって共有される回路のセットを非活動化することとのための動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでよい。
方法１１００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例では、回路のそれぞれのセットがセット内の少なくともある量のメモリバンクのグループに対して非活動化されると決定することは、回路のそれぞれのセットがセット内のメモリバンクのすべてのグループに対して非活動化されると決定することを含んでよい。
方法１１００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例では、メモリバンクのグループのセットは、メモリデバイス内のメモリダイに含まれるメモリバンクのすべてのグループを含む。
方法１１００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例は、メモリデバイスのダイ内のすべてのメモリバンクによって共有される回路のセットを動作させることと、ダイ内のすべてのメモリバンクが低電力モードで動作していると決定することと、メモリデバイスのダイ内のすべてのメモリバンクが低電力モードで動作していると決定することに基づいて、ダイ内のすべてのメモリバンクによって共有される回路のセットを非活動化することとのための動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでよい。
方法１１００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例では、低電力モードで動作することは、第２のモードに対応する電力消費量レベルよりも低くてよいそれぞれの消費量レベルに各々が対応する低電力モードのセットのいずれかで動作することを含んでよい。
方法１１００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例では、第２のモードはアイドルモードである。
方法１１００および本明細書において説明される装置のいくつかの実施例は、グループ内のある量のメモリバンクが低電力モードで動作していることを決定することに基づいて、メモリバンクのグループによって共有される回路のセットが非活動化されたという標識を記憶することと、メモリバンクのグループによって共有される回路のセットを非活動化した後、メモリバンクのグループのための取り消しコマンドであって、メモリバンクのグループのための以前の電源切断コマンドを逆転させる取り消しコマンドを受信することと、取り消しコマンドを受信することに基づいて、記憶された標識にアクセスすることと、記憶された標識に基づいて、メモリバンクのグループによって共有される回路のセットを非活動化されたままに維持することとのための動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでよい。
本明細書において説明された方法は可能な実施例であり、動作およびステップは並べ替えされてよいまたは他の方法で修正されてよく、他の実施例も可能であることに留意されたい。さらに、方法のうちの２つ以上からの部分が組み合わされてもよい。
装置が説明される。装置はメモリデバイスを含んでよく、このメモリデバイスは、各々がアイドルモードをサポートするメモリバンクのセットと、アイドルモードよりも低い電力消費量に対応する１つまたは複数の低電力モードのセットとを含んでよい。装置は、各々がセットのそれぞれのメモリバンクに特有である専用回路のセットと、各々がセットのメモリバンクのそれぞれのグループによって共有される共有回路のセットと、メモリバンクのセットと結合されたコントローラと、専用回路のセットと、共有回路のセットとをさらに含んでよい。コントローラは、装置に、メモリデバイスがメモリバンクに特有の電源切断コマンドを受信した後にセットのメモリバンクをセットの第１の低電力モードに切り換えさせるように構成されてよい。コントローラは、装置に、メモリバンクを含むメモリバンクのグループのすべてのメモリバンクをセットの第１の低電力モードに切り換えさせ、メモリデバイスがメモリバンクのグループに特有の電源切断コマンドを受信した後にメモリバンクのグループによって共有されるセットの共有回路のセットを非活動化させるようにさらに構成されてよい。
いくつかの実施例では、コントローラは、装置に、メモリデバイスがメモリバンクに特有の電源投入コマンドを受信した後にメモリバンクをアイドルモードに切り換えさせ、メモリバンクのグループのすべてのメモリバンクをアイドルモードに切り換えさせ、メモリデバイスがメモリバンクのグループに特有の電源投入コマンドを受信した後に共有回路のセットを活動化させるようにさらに構成されてよい。
いくつかの実施例では、コントローラは、装置に、メモリデバイスがメモリバンクに特有の電源投入コマンドを受信した後に共有回路のセットを活動化させるようにさらに構成されてよい。
装置のいくつかの実施例は、メモリバンクのセットのためのそれぞれの動作モードの標識および共有回路の複数のセットのうちのセットのためのそれぞれの活動化状態の標識を記憶するように構成された１つまたは複数のレジスタのセットを含んでよい。コントローラは、装置に、メモリデバイスがメモリバンクのグループに特有の電源切断コマンドを受信した後、それぞれの動作モードの標識およびそれぞれの活動化状態の標識を１つまたは複数のレジスタのセット内で維持させるようにさらに構成されてよい。コントローラは、装置に、メモリデバイスがメモリバンクのグループに特有の取り消しコマンドであって、メモリバンクのグループに特有の以前の電源切断コマンドを逆転させる取り消しコマンドを受信した後、レジスタのセットにアクセスすることに少なくとも部分的に基づいてそれぞれの動作モードおよびそれぞれの活動化状態を識別させ、メモリバンクのグループのすべてのメモリバンクをそれぞれの動作モードに切り換えさせ、それぞれの活動化状態に従って共有回路の複数のセットを動作させるようにさらに構成されてよい。
いくつかの実施例では、コントローラは、装置に、メモリバンクのグループのすべてのメモリバンクがセットの低電力モードであるかどうかを監視させ、メモリバンクのグループのすべてのメモリバンクが低電力モードであると識別することに基づいて、メモリバンクのグループによって共有される共有回路のセットを非活動化させるようにさらに構成されてよい。
いくつかの実施例は、メモリバンクのグループのすべてのメモリバンクが低電力モードであることを識別することに基づいて共有回路のセットが非活動化されたかどうかのそれぞれの標識を記憶するように構成された１つまたは複数のレジスタのセットであって、コントローラは、メモリデバイスが、メモリバンクのグループに特有の取り消しコマンドであって、メモリバンクのグループに特有の以前の電源切断コマンドを逆転させる取り消しコマンドを受信した後、装置に、レジスタのセットにアクセスすることに少なくとも部分的に基づいて、それぞれの標識を識別させ、それぞれの標識を識別することに少なくとも部分的に基づいて、共有回路のセットを非活動化されたままに維持させるようにさらに構成され得る、１つまたは複数のレジスタのセットをさらに含んでよい。
本明細書で説明される情報および信号は、様々な異なる技術および技法のうちのいずれかを使用して表されてよい。たとえば、上記の説明全体を通じて参照され得るデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁界もしくは磁性粒子、光場もしくは光学粒子、またはこれらの任意の組み合わせによって表され得る。いくつかの図面は、信号を単一の信号として示すことができるが、当業者であれば、信号は信号のバスを表すことができ、バスは様々なビット幅を有することができることを理解されよう。
「電子通信」、「導電接触」、「接続された」、および「結合された」という用語は、構成要素間の信号の流れをサポートする構成要素間の関係を指すことができる。構成要素は、いつでも構成要素間の信号の流れをサポートすることができる構成要素間の任意の導電経路が存在する場合、互いに電子通信している（あるいは、導電接触または接続または結合している）ものと見なされる。任意の所与の時点で、互いに電子通信している（あるいは、導電接触または接続または結合している）構成要素間の導電経路は、接続された構成要素を含むデバイスの動作に基づいて、開回路または閉回路とすることができる。接続された構成要素間の導電経路は、構成要素間の直接導電経路とすることができるか、あるいは、接続された構成要素間の導電経路は、スイッチ、トランジスタ、または他の構成要素などの、中間構成要素を含むことができる、間接的導電経路とすることができる。いくつかの場合、接続された構成要素間の信号の流れは、たとえば、スイッチまたはトランジスタなどの１つまたは複数の中間構成要素を使用して、一時的に中断することができる。
「結合」という用語は、信号が現在、導電経路を介して構成要素間で通信することができない、構成要素間の開回路関係から、信号が導電経路を介して構成要素間で通信可能である、構成要素間の閉回路関係へと、移動する状態を指す。コントローラなどの構成要素が他の構成要素をまとめて結合するとき、構成要素は、以前には信号が流れることができなかった導電経路を介して、信号が他の構成要素間を流れるようにすることができる変更を開始する。
「絶縁された」という用語は、信号が現在、構成要素間を流れることができない、構成要素間の関係を指す。構成要素間に開回路が存在する場合、構成要素は互いに絶縁される。たとえば、構成要素間に位置決めされたスイッチによって分離される２つの構成要素は、スイッチが開のとき、互いに絶縁される。コントローラが２つの構成要素を互いから絶縁するとき、コントローラは、以前は信号を流すことができた導電経路を使用して信号が構成要素間を流れないようにする変更に影響を与える。
本明細書で使用される「層」という用語は、幾何学的構造の層（ｓｔｒａｔｕｍ）またはシートを指す。各層は、３つの次元（たとえば、高さ、幅、および奥行き）を有してよく、表面の少なくとも一部分を覆ってよい。たとえば、層は、２つの次元が第３の次元よりも大きい３次元構造、たとえば、薄膜であってよい。層は、異なる要素、構成要素、および／または材料を含んでよい。いくつかの場合、１つの層は、２つ以上の副層から構成されてよい。添付の図のうちのいくつかでは、３次元層の２つの次元は、例示の目的で示される。
本明細書で使用されるとき、「電極」という用語は、電気導体を指してよく、いくつかの場合、メモリセルまたはメモリアレイの他のコンポーネントへの電気的接点として用いられることがある。電極は、トレース、ワイヤ、導電ライン、導電層、またはメモリアレイの要素もしくはコンポーネント間の導電経路を提供する同様のものを含んでよい。
本明細書で論じられるメモリアレイを含むデバイスは、シリコン、ゲルマニウム、シリコン・ゲルマニウム合金、ガリウムヒ素、窒化ガリウムなどの、半導体基板上に形成可能である。いくつかの場合、基板は半導体ウェーハである。他の場合には、基板は、シリコンオンガラス（ＳＯＧ）またはシリコンオンサファイア（ＳＯＳ）などのシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）基板であってもよいし、別の基板上の半導体材料のエピタキシャル層であってもよい。基板、または基板のサブ領域の導電性は、リン、ホウ素、またはヒ素を含むが限定されない様々な化学種を使用したドーピングを介して制御可能である。ドーピングは、基板の初期形成または成長の間に、イオン注入または任意の他のドーピング手段によって実行可能である。
本明細書で論じられるスイッチングコンポーネントまたはトランジスタは、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を表すことができ、ソース、ドレイン、およびゲートを含む３端子デバイスを含む。端子は、導電材料、たとえば金属を介して、他の電子素子に接続され得る。ソースおよびドレインは導電性であってよく、高濃度にドープされた、たとえば縮退半導体領域を含むことができる。ソースおよびドレインは、低濃度にドープされた半導体領域またはチャネルによって分離することができる。チャネルがｎ形（すなわち、多数のキャリアが電子である）の場合、ＦＥＴはｎ形ＦＥＴと呼ぶことができる。チャネルがｐ形（すなわち、多数のキャリアがホールである）の場合、ＦＥＴはｐ形ＦＥＴと呼ぶことができる。チャネルは絶縁ゲート酸化物によって覆うことができる。チャネルの導電性は、ゲートに電圧を印加することによって制御可能である。たとえば、ｎ形ＦＥＴまたはｐ形ＦＥＴにそれぞれ正の電圧または負の電圧を印加すると、結果としてチャネルは導電性となることができる。トランジスタは、トランジスタの閾値電圧より大きいかまたは閾値電圧に等しい電圧がトランジスタゲートに印加されるとき、「オン」となるかまたは「活動化」されることになる。トランジスタは、トランジスタの閾値電圧より小さい電圧がトランジスタゲートに印加されるとき、「オフ」となるかまたは「非活動化」されることになる。
本明細書で添付の図面に関連して記載される説明は、例示的構成を示すものであり、実施可能であるかまたは特許請求の範囲内であるすべての例を表すものではない。本明細書で使用される「例示的」という用語は、「例、インスタンス、または例示としての役割を果たす」ことを意味し、「好ましい」または「他の例よりも有利である」ことは意味していない。詳細な説明は、説明する技法を理解するための特定の詳細を含む。しかしながら、これらの技法は、これらの具体的な詳細なしに実施されてよい。いくつかの例では、説明する例の概念を不明瞭にするのを避けるために、周知の構造およびデバイスがブロック図の形で示される。
添付の図面では、同様の構成要素または機構は同じ参照ラベルを有することができる。さらに、同じタイプの様々な構成要素は、参照ラベルの後にダッシュと同様の構成要素の中で区別する第２のラベルとを付けることによって、区別することができる。明細書において第１の参照ラベルのみが使用される場合、説明は、第２の参照ラベルに関係なく、同じ第１の参照ラベルを有する同様の構成要素のうちの任意の１つに適用されてよい。
本明細書における開示と関係して説明されている様々な例示的なブロックおよびモジュールは、汎用のプロセッサ、ＤＳＰ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡもしくは他のプログラマブル論理デバイス、ディスクリートなゲートもしくはトランジスタ論理、ディスクリートなハードウェア構成要素、または本明細書に説明されている機能を実行するように設計されているこれらの任意の組み合わせにより、実装可能または実行可能であり得る。汎用プロセッサはマイクロプロセッサであってよいが、代替として、プロセッサは任意のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、または状態機械であってよい。プロセッサは、コンピューティングデバイスの組み合わせ（たとえば、ＤＳＰおよびマイクロプロセッサの組み合わせ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアに関連する１つまたは複数のマイクロプロセッサ、あるいは任意の他のこうした構成）として実施されてもよい。
本明細書で説明される機能は、ハードウェア、プロセッサによって実行されるソフトウェア、ファームウェア、またはそれらの任意の組み合わせで実施されてよい。プロセッサによって実行されるソフトウェア内で実施される場合、機能は、コンピュータ可読媒体上の１つまたは複数の命令またはコードとして、記憶または伝送することができる。他の例および実施例は、本開示および添付の特許請求の範囲に含まれる。たとえば、ソフトウェアの性質に起因して、説明された機能は、プロセッサ、ハードウェア、ファームウェア、ハードワイヤリング、またはこれらのうちの任意の組み合わせによって実行されるソフトウェアを使用して実施可能である。機能を実施する機構は、機能の一部が異なる物理的位置で実施されるように分散されることを含めて、様々な位置に物理的に位置してよい。また、特許請求の範囲を含む本明細書で使用される場合、項目のリスト（たとえば、「のうちの少なくとも１つ」または「１つまたは複数の」などの言い回しが前置きされる項目のリスト）で使用される「または」は、たとえば、Ａ、Ｂ、またはＣのうちの少なくとも１つのリストが、Ａ、またはＢ、またはＣ、またはＡＢ、またはＡＣ、またはＢＣ、またはＡＢＣ（すなわち、ＡおよびＢおよびＣ）を意味するような、包括的リストを示す。また、本明細書で使用される「基づく」という語句は、条件の閉集合を言い表すものと解釈されるべきではない。たとえば、「条件Ａに基づく」と説明される例示的なステップは、本開示の範囲を逸脱することなく、条件Ａと条件Ｂの両方に基づくことができる。言い換えれば、本明細書で使用されるとき、「基づく」という言い回しは、「少なくとも部分的に基づく」という言い回しと同じように解釈されるべきである。
コンピュータ可読媒体は、非一時的なコンピュータ記憶媒体と、コンピュータプログラムをある所から他の所へ移動させることを容易にする任意の媒体を含む通信媒体の、両方を含む。非一時的な記憶媒体は、汎用コンピュータまたは特定用途向けコンピュータによってアクセス可能な、任意の使用可能媒体であってよい。限定するものではないが、例として、非一時的なコンピュータ可読媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、電気的消去可能プログラム可能読み出し専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、コンパクトディスク（ＣＤ）ＲＯＭまたは他の光ディスクストレージ、磁気ディスクストレージ、または他の磁気ストレージデバイス、あるいは、命令またはデータ構造の形の望ましいプログラムコード手段を担持または記憶するために使用可能であり、汎用コンピュータまたは特定用途向けコンピュータ、あるいは汎用プロセッサまたは特定用途向けプロセッサによってアクセス可能である、任意の他の非一時的な媒体を含むことができる。また、任意の接続は、コンピュータ可読媒体と呼ばれるのが適切である。たとえば、ソフトウェアが、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、デジタル加入者回線（ＤＳＬ）、または、赤外線、無線、およびマイクロ波などの無線技術を使用して、ウェブサイト、サーバ、または他のリモートソースから伝送される場合、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、デジタル加入者回線（ＤＳＬ）、または、赤外線、無線、およびマイクロ波などの無線技術は、媒体の定義に含まれる。本明細書で使用されるディスク（ｄｉｓｋおよびｄｉｓｃ）は、ＣＤ、レーザディスク、光ディスク、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、フロッピーディスク、およびブルーレイディスクを含み、ディスク（ｄｉｓｋ）は通常、データを磁気的に再生するが、ディスク（ｄｉｓｃ）は、レーザによってデータを光学的に再生する。上記の組み合わせもコンピュータ可読媒体の範囲に含まれる。
本明細書における説明は、当業者が本開示を作成または使用できるようにするために提供される。本開示に対する様々な修正形態は当業者にとって明らかであり、本明細書で定義される一般原理は、本開示の範囲を逸脱することなく他の変形形態に適用され得る。したがって、本開示は、本明細書で説明される例および設計に限定されるものではなく、本明細書で開示される原理および新規な特徴と一致する最も広い範囲が認められるものである。
本発明の一態様に係る方法は、メモリデバイス内の第１のメモリバンクを第１のモードで動作させると共に、前記メモリデバイス内の第２のメモリバンクを第２のモードで動作させることと、前記メモリデバイスで、電源切断コマンドを受信することと、前記電源切断コマンドを受信したことに少なくとも部分的に基づいて、前記第２のメモリバンクを前記第２のモードから低電力モードへと切り換えることと、前記メモリデバイスで、電源投入コマンドを受信することと、前記電源投入コマンドを受信したことに少なくとも部分的に基づいて、前記第２のメモリバンクを前記低電力モードから前記第２のモードに切り換えることと、を含む。

Claims (1)

  1. メモリデバイス内の第１のメモリバンクを第１のモードで、前記メモリデバイス内の第２のメモリバンクを第２のモードで動作させることと、
    前記第１のメモリバンクを前記第１のモードで、前記第２のメモリバンクを前記第２のモードで動作させている間に、前記メモリデバイスにおいて、前記第１のメモリバンクのための電源切断コマンドを受信することと、
    前記第１のメモリバンクのための前記電源切断コマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、前記第２のメモリバンクを前記第２のモードで維持しながら、前記第１のメモリバンクを前記第１のモードから第１の低電力モードに切り換えることであって、前記第１の低電力モードが、前記第１のモードよりも少ない、前記第１のメモリバンクによる電力消費量に対応する、切り換えることと、
    を含む方法。

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