CN117222965A - 用于存储器的轻度休眠模式 - Google Patents

Abstract

描述用于存储器的轻度休眠模式的方法、系统及装置。存储器系统可包含易失性存储器及非易失性存储器且可经配置以根据第一操作模式(例如，与相对较高功耗相关联)、轻度休眠模式(例如与比所述第一模式减少的功耗相关联的第二模式)及完全休眠模式(例如与比所述轻度休眠模式减少的功耗相关联的第三操作模式)操作。当根据所述轻度休眠模式操作时，所述存储器系统可相对于所述完全休眠模式在所述易失性存储器中保存更多数据，其可避免与可结合进入及退出所述完全休眠模式发生的所述易失性存储器与非易失性存储器之间的数据传送相关的至少一些功耗。

Description

用于存储器的轻度休眠模式

技术领域

下文大体上涉及用于存储器的一或多个系统且更具体来说，涉及用于存储器的轻度休眠模式。

背景技术

存储器装置广泛用于存储例如计算机、用户装置、无线通信装置、照相机、数字显示器及类似者的各种电子装置中的信息。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可被编程为两个支持状态中的一者，通常对应于逻辑1或逻辑0。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个可能状态，其中的任一者可由存储器单元存储。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程到对应状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、3维交叉点存储器(3D交叉点)、或非(NOR)及与非(NAND)存储器装置等。存储器装置可为易失性或非易失性的。易失性存储器单元(例如DRAM单元)会随时间失去其编程状态，除非其由外部电源周期性刷新。非易失性存储器单元(例如NAND存储器单元)可长时间保存其编程状态，即使不存在外部电源。

附图说明

图1说明根据本文中所公开的实例的支持存储器的轻度休眠模式的系统的实例。

图2说明根据本文中所公开的实例的支持存储器的轻度休眠模式的过程流程的实例。

图3展示根据本文中所公开的实例的支持存储器的轻度休眠模式的存储器系统的框图。

图4展示根据本文中所公开的实例的支持存储器的轻度休眠模式的主机系统的框图。

图5及6展示说明根据本文中所公开的实例的支持存储器的轻度休眠模式的一或若干方法的流程图。

具体实施方式

存储器系统可进入与减少功耗(例如，与第一或正常操作模式相比)相关联的完全休眠模式(例如H8操作模式)。在完全休眠模式期间，存储器系统可减少供应到存储器系统处的易失性存储器(例如随机存取存储器(RAM))的功率以在进入休眠模式之前完全不保存或仅保存由易失性存储器存储的数据的一小部分。即，在进入休眠模式之前或以其它方式结合进入休眠模式，存储器系统可将由易失性存储器存储的大部分或全部数据从易失性存储器传送到非易失性存储器(例如与非(NAND)存储器)。在退出休眠模式(例如，且返回到第一或正常操作模式)之后，存储器系统可将此数据中的一些或全部从非易失性存储器传回到易失性存储器。

在一些实例中，存储器系统可在相对较短时段内进入休眠模式。然而，与进入及退出休眠模式相关的一些操作可与高功耗相关联。例如，如上文描述，将数据从易失性存储器传送到非易失性存储器(例如，在进入休眠模式之前)及将数据从非易失性存储器传回到易失性存储器(例如，基于退出休眠模式)要增加存储器系统的功耗。因此，与在较长时段内保持休眠模式相比，在短时段内以休眠模式操作存储器系统会给存储器系统带来低效功率使用。

为了提高功率效率，本文中所描述的存储器系统可另外支持轻度休眠模式(例如，除完全休眠模式之外)，且如果存储器系统在相对较短时段内进入休眠模式，那么存储器系统可转变为轻度休眠模式。例如，主机系统可确定即将到来的休眠模式的持续时间是否超过阈值持续时间。如果休眠模式的持续时间超过阈值持续时间，那么主机系统可向存储器系统传达进入完全休眠操作模式的命令。另外，如果休眠模式的持续时间小于阈值持续时间，那么主机系统可向存储器系统传达进入轻度休眠操作模式的命令。

在一些情况中，与进入及退出轻度休眠模式相关联的操作可比与进入及退出完全休眠模式相关联的操作消耗更少功率。例如，结合进入及退出轻度休眠模式，与完全休眠模式相比，存储器系统可在易失性存储器与非易失性存储器之间传送更少数据。在一些情况中，结合进入及退出轻度休眠模式，存储器系统可在易失性存储器与非易失性存储器之间不传送数据。因此，与进入及退出完全休眠操作模式相比，存储器系统可使用更少功率来进入及退出轻度休眠操作模式。然而，由于在轻度休眠模式期间使比完全休眠模式更多的易失性存储器维持主动(例如，通电)状态，存储器系统在轻度休眠模式下操作时要比在完全休眠模式下操作消耗更多功率。因此，在一些情况中，在轻度休眠模式下操作存储器系统是否比在完全休眠模式下操作存储器系统更省电要取决于存储器系统处于休眠模式多久。例如，在相对较短时段内以轻度休眠模式操作存储器系统可比在短时段内以完全休眠模式操作存储器系统提高存储器系统的功率效率。

首先在参考图1的系统的上下文中描述本公开的特征。接着在参考图2的过程流程图的上下文中描述本公开的特征。通过参考图3到6的与用于存储器的轻度休眠模式相关的设备图及流程图进一步说明且在所述设备图及流程图的上下文中描述本公开的这些及其它特征。

图1说明根据本文中所公开的实例的支持存储器的轻度休眠模式的系统100的实例。系统100包含与存储器系统110耦合的主机系统105。

存储器系统110可为或包含任何装置或装置集合，其中装置或装置集合包含至少一个存储器阵列。例如，存储器系统110可为或包含通用快闪存储(UFS)装置、嵌入式多媒体控制器(eMMC)装置、快闪装置、通用串行总线(USB)快闪装置、安全数字(SD)卡、固态硬盘(SSD)、硬盘驱动器(HDD)、双列直插式存储器模块(DIMM)、小外型DIMM(SO-DIMM)或非易失性DIMM(NVDIMM)及其它可能。

系统100可包含于计算装置中，例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、交通工具(例如飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、物联网(IoT)启用装置、嵌入式计算机(例如，包含于交通工具、工业装备或联网商业装置中的嵌入式计算机)或包含存储器及处理装置的任何其它计算装置。

系统100可包含主机系统105，其可与存储器系统110耦合。在一些实例中，此耦合可包含与主机系统控制器106的接口，主机系统控制器106可为经配置以致使主机系统105根据本文中所描述的实例执行各种操作的控制器或控制组件的实例。主机系统105可包含一或多个装置且在一些情况中，可包含处理器芯片组及由处理器芯片组执行的软件堆叠。例如，主机系统105可包含经配置用于与存储器系统110或其中的装置通信的应用程序。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存(例如在主机系统105本地或包含于主机系统105中的存储器)、存储器控制器(例如NVDIMM控制器)及存储协议控制器(例如外围组件互连快速(PCIe)控制器、串行高级技术附接(SATA)控制器)。例如，主机系统105可使用存储器系统110将数据写入到存储器系统110及从存储器系统110读取数据。尽管图1中展示一个存储器系统110，但主机系统105可与任何数量的存储器系统110耦合。

主机系统105可经由至少一个物理主机接口与存储器系统110耦合。在一些情况中，主机系统105及存储器系统110可经配置以使用相关联协议经由物理主机接口通信(例如，在存储器系统110与主机系统105之间交换或以其它方式传达控制、地址、数据及其它信号)。物理主机接口的实例可包含(但不限于)SATA接口、UFS接口、eMMC接口、PCIe接口、USB接口、光纤通道接口、小型计算机系统接口(SCSI)、串行附接SCSI(SAS)、双倍数据速率(DDR)接口、DIMM接口(例如支持DDR的DIMM插槽接口)、开放式NAND快闪接口(ONFI)及低功率双倍数据速率(LPDDR)接口。在一些实例中，一或多个此类接口可包含于或以其它方式支持于主机系统105的主机系统控制器106与存储器系统110的存储器系统控制器115之间。在一些实例中，主机系统105可经由用于包含于存储器系统110中的每一存储器装置130的相应物理主机接口或经由用于包含于存储器系统110中的每一类型的存储器装置130的相应物理主机接口来与存储器系统110耦合(例如，主机系统控制器106可与存储器系统控制器115耦合)。

存储器系统110可包含存储器系统控制器115及一或多个存储器装置130。存储器装置130可包含任何类型的存储器单元(例如非易失性存储器单元、易失性存储器单元或其任何组合)的一或多个存储器阵列。尽管图1的实例中展示两个存储器装置130-a及130-b，但存储器系统110可包含任何数量的存储器装置130。此外，如果存储器系统110包含多于一个存储器装置130，那么存储器系统110内的不同存储器装置130可包含相同或不同类型的存储器单元。

存储器系统控制器115可与主机系统105耦合及通信(例如，经由物理主机接口)且可为经配置以致使存储器系统110根据本文中所描述的实例执行各种操作的控制器或控制组件的实例。存储器系统控制器115还可与存储器装置130耦合及通信以执行例如在存储器装置130处读取数据、写入数据、擦除数据或刷新数据的操作以及其它此类操作，其可统称为存取操作。在一些情况中，存储器系统控制器115可从主机系统105接收命令且与一或多个存储器装置130通信以执行此类命令(例如，在一或多个存储器装置130内的存储器阵列处)。例如，存储器系统控制器115可从主机系统105接收命令或操作且可将命令或操作转换为指令或适当命令以实现存储器装置130的期望存取。在一些情况中，存储器系统控制器115可与主机系统105及一或多个存储器装置130交换数据(例如，响应于或以其它方式相关联于来自主机系统105的命令)。例如，存储器系统控制器115可将与存储器装置130相关联的响应(例如数据分组或其它信号)转换为用于主机系统105的对应信号。

存储器系统控制器115可经配置用于与存储器装置130相关联的其它操作。例如，存储器系统控制器115可执行或管理操作，例如磨损均衡操作、废弃项目收集操作、错误控制操作(例如错误检测操作或错误校正操作)、加密操作、高速缓存操作、媒体管理操作、后台刷新、健康监测等及与来自主机系统105的命令相关联的逻辑地址(例如逻辑块地址(LBA))与存储器装置130内的存储器单元相关联的物理地址(例如物理块地址)之间的地址转译。

存储器系统控制器115可包含硬件，例如一或多个集成电路或离散组件、缓冲存储器或其组合。硬件可包含具有专用(例如硬编码)逻辑以执行本文中归于存储器系统控制器115的操作的电路系统。存储器系统控制器115可为或包含微控制器、专用逻辑电路系统(例如现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP))或任何其它合适处理器或处理电路系统。

存储器系统控制器115还可包含本地存储器120。在一些情况中，本地存储器120可包含只读存储器(ROM)或其它存储器，其可存储可由存储器系统控制器115执行以执行本文中归于存储器系统控制器115的功能的操作代码(例如可执行指令)。在一些情况中，本地存储器120可另外或替代地包含静态随机存取存储器(SRAM)或其它存储器，其可由存储器系统控制器115用于例如与本文中归于存储器系统控制器115的功能相关的内部存储或计算。另外或替代地，本地存储器120可用作存储器系统控制器115的高速缓存。例如，数据可在从存储器装置130读取或写入到存储器装置130时存储于本地存储器120中，且数据可根据高速缓存策略在本地存储器120内用于随后由主机系统105检索或操纵(例如更新)(例如，相对于存储器装置130减少延时)。另外或替代地，本地存储器120可包含随机存取存储器(RAM)。本地存储器120或其一部分可为本文中所描述的易失性存储器的实例。

存储器装置130可包含非易失性存储器(例如一或多个非易失性存储单元阵列)。例如，存储器装置130可包含NAND(例如NAND快闪)存储器、ROM、相变存储器(PCM)、自选择存储器、其它硫属化物基存储器、铁电RAM(FeRAM)、磁RAM(MRAM)、NOR(例如NOR快闪)存储器、自旋转移力矩(STT)-MRAM、导电桥接RAM(CBRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、氧化物基RRAM(OxRAM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或其任何组合。另外或替代地，存储器装置130可包含易失性存储器(例如一或多个易失性存储单元阵列)。例如，存储器装置130可包含RAM存储器单元，例如动态RAM(DRAM)存储器单元及同步DRAM(SDRAM)存储器单元。因此，一或多个存储器装置130(或其一部分)可为本文中所描述的非易失性存储器的实例。另外或替代地，一或多个存储器装置130(或其一部分)可为本文中所描述的易失性存储器的实例。例如，一或多个存储器装置130或其一部分可为非易失性存储器，且一或多个其它存储器装置130或其一部分可为易失性存储器。

在一些实例中，存储器装置130可包含(例如，在同一裸片上或在同一封装内)本地控制器135，其可对相应存储器装置130的一或多个存储器单元执行操作。本地控制器135可与存储器系统控制器115一起操作或可执行本文中归于存储器系统控制器115的一或多个功能。例如，如图1中所说明，存储器装置130-a可包含本地控制器135-a且存储器装置130-b可包含本地控制器135-b。

在一些情况中，存储器装置130可为或包含NAND装置(例如NAND快闪装置)。存储器装置130可为或包含存储器裸片160。例如，在一些情况中，存储器装置130可为包含一或多个裸片160的封装。在一些实例中，裸片160可为从晶片切割的一片电子级半导体(例如从硅晶片切割的硅裸片)。每一裸片160可包含一或多个平面165，且每一平面165可包含一组相应块170，其中每一块170可包含一组相应页175，且每一页175可包含一组存储器单元。

在一些情况中，NAND存储器装置130可包含经配置以各自存储一个位信息的存储器单元，其可称为单电平单元(SLC)。另外或替代地，NAND存储器装置130可包含经配置以各自存储多个位信息的存储器单元，其可在经配置以各自存储两个位信息时称为多电平单元(MLC)，在经配置以各自存储三个位信息时称为三电平单元(TLC)，在经配置以各自存储四个位信息时称为四电平单元(QLC)，或更一般地称为多电平存储器单元。多电平存储器单元可相对于SLC存储器单元提供更大存储密度，但在一些情况中，可涉及更窄读取或写入裕度或更大复杂性用于支持电路系统。

在一些情况中，平面165可指代块170的群组，且在一些情况中，并发操作可发生于不同平面165内。例如，可对不同块170内的存储器单元执行并发操作，只要不同块170在不同平面165中。在一些情况中，在不同平面165中执行并发操作可能受到一或多个限制，例如对在其相应平面165内具有相同页地址的不同页175内的存储器单元执行相同操作(例如，与命令解码、页地址解码电路系统或在平面165之间共享其它电路系统相关)。

在一些情况中，块170可包含组织成行(页175)及列(例如串，未展示)的存储器单元。例如，同一页175中的存储器单元可共享共同字线(例如，与共同字线耦合)，且同一串中的存储器单元可共享共同数字线(其可替代地称为位线)(例如，与共同数字线耦合)。

针对一些NAND架构，存储器单元可以第一粒度级(例如页粒度级)读取及编程(例如写入)，但可以第二粒度级(例如块粒度级)擦除。即，页175可为可独立编程或读取(例如，作为单个编程或读取操作的部分并发编程或读取)的存储器的最小单位(例如存储器单元组)，且块170可为可独立擦除(例如，作为单个擦除操作的部分并发擦除)的存储器的最小单位(例如存储器单元组)。此外，在一些情况中，NAND存储器单元要在其可用新数据重写之前擦除。因此，例如，在一些情况中，用过页175直到包含页175的整个块170被擦除才更新。

在一些情况中，存储器系统控制器115或本地控制器135可对存储器装置130执行操作(例如，作为一或多个媒体管理算法的部分)，例如磨损均衡、后台刷新、废弃项目收集、擦洗、块扫描、健康监测或其它或其任何组合。例如，在存储器装置130内，块170可具有含有有效数据的一些页175及含有无效数据的一些页175。为了避免等待块170中的所有页175具有无效数据以便擦除及再用块170，可调用称为“废弃项目收集”的算法来允许块170被擦除及释放为自由块用于后续写入操作。废弃项目收集可指代一组媒体管理操作，其包含(例如)选择含有有效及无效数据的块170、选择块中含有有效数据的页175、将有效数据从选定页175复制到新位置(例如另一块170中的自由页175)、将先前选定页175中的数据标记为无效及擦除选定块170。因此，可增加已被擦除的块170的数量，使得更多块170可用于存储后续数据(例如随后从主机系统105接收的数据)。

存储器系统110可经配置以在一或多个不同操作模式下操作，每一操作模式与不同功耗量相关联。例如，存储器系统110可在与正常功耗相关联的第一操作模式下操作。另外，存储器系统110可经配置以在一或多个低功率模式下操作，低功率模式可替代地称为休眠模式(例如完全休眠模式、轻度休眠模式)。当在低功率模式下操作存储器系统110时，存储器系统110可比第一操作模式消耗更少功率。即，如果在较低功率模式下操作存储器系统110，那么存储器系统110可根据比与第一操作模式相关联的功率状态消耗更少功率的功率状态来操作存储器装置130中的一或多者(及在一些情况中本地存储器120)。在一个实例中，如果在较低功率模式下操作，那么存储器系统110可降低与存储器装置130相关联的时钟速率以减少由存储器装置130消耗的功率。另外或替代地，如果在较低功率模式下操作，那么存储器系统110可减少供应到存储器装置130中的一或多者的功率。

当在较低功率模式下操作存储器系统110时，主机系统105可另外对系统100执行主机系统105在存储器系统110在第一模式下操作时无法执行的一或多个操作。例如，当存储器系统110在较低功率模式下操作时，主机系统105可更新与主机系统105与存储器系统110之间的通信相关联的时钟速率或频率(例如与存储器系统控制器115相关联的时钟)。在一些情况中，当存储器系统110根据第一操作模式(例如，与正常功耗相关联)操作时，主机系统105无法更新时钟速率。

存储器系统110可支持多于一个较低功率模式。例如，存储器系统110能够在轻度休眠模式(例如，与比第一操作模式更低的功耗相关联)或完全休眠模式(例如，与比轻度休眠模式更低的功耗相关联)下操作。在一些情况中，为了根据轻度休眠模式来操作存储器系统110，存储器系统110可根据与在第一操作模式期间相同的功率状态来操作易失性存储器(例如包含易失性存储器单元的存储器装置130、包含易失性存储器单元的本地存储器120)。另外，存储器系统110可根据比根据第一操作模式操作非易失性存储器消耗更少功率的功率状态来操作非易失性存储器(例如包含非易失性存储器单元的存储器装置130)。为了根据完全休眠模式操作存储器系统110，存储器系统110可根据比根据第一操作模式操作易失性及非易失性存储器消耗更少功率的相关功率状态来操作易失性及非易失性存储器。

当在根据轻度休眠操作模式操作时，存储器系统110可比完全休眠模式在存储器系统110处的易失性存储器中保存相对较多数据。例如，如果存储器系统110在轻度休眠模式期间根据与第一操作模式期间相同的功率状态来操作存储器系统110的易失性存储器(例如，且维持对易失性存储器的功率供应)，那么易失性存储器可继续存储先前存储于易失性存储器中的所有数据。

当根据完全休眠操作模式操作时，存储器系统110可在易失性存储器中保存比轻度休眠模式更少的数据。即，因为存储器系统110在完全休眠模式期间根据比在第一操作模式及轻度休眠模式期间消耗更少功率的功率状态来操作存储器系统110的易失性存储器，所以易失性存储器可不在易失性存储器中保存那么多数据。因此，结合进入完全休眠模式，存储器系统110可将存储于易失性存储器中的一些或全部数据传送到非易失性存储器。另外，在退出完全休眠模式(例如，且返回到在第一操作模式下操作)之后，存储器系统110可将与易失性存储器相关联的数据中的一些或全部(例如，其结合进入完全休眠模式从易失性存储器传送)传回到易失性存储器。在一些情况中，存储器系统110可在完全休眠模式下操作时保存易失性存储器的一小部分。此处，存储器系统110可避免在完全休眠模式期间将与易失性存储器的所述部分相关联的数据传输到非易失性存储器。

在一些情况中，主机系统105可确定将存储器系统110转变为较低功率模式(例如完全休眠模式、轻度休眠模式)。在向存储器系统110传输命令以从第一操作模式转变为较低功率模式之前，主机系统105可选择较低功率模式(例如，来自至少包含完全休眠模式及轻度休眠模式的一组较低功率模式)。在一些情况中，主机系统105可基于根据较低功率模式操作存储器系统110的时段来选择较低功率模式。例如，如果主机系统105确定用于操作存储器系统110的时段小于阈值持续时间，那么主机系统105可选择轻度休眠模式。另外，如果主机系统105确定用于操作存储器系统110的时段大于阈值持续时间，那么主机系统105可选择完全休眠模式。

主机系统105可向存储器系统110传输进入较低功率模式的命令且存储器系统110可根据所指示较低功率模式来调整存储器装置130中的一或多者的功率状态。在时段之后，主机系统105可向存储器系统110传输退出较低功率模式的命令且存储器系统110接着可更新存储器装置130中的一或多者的功率状态以根据第一操作模式操作。在一些例子中(例如，在存储器系统110退出完全休眠模式的情况中)，存储器系统110可另外基于退出完全休眠模式来将数据从非易失性存储器传送到易失性存储器。

系统100可包含支持存储器的轻度休眠模式的任何数量的非暂时性计算机可读媒体。例如，主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130可包含或可以其它方式存取存储指令(例如固件)的一或多个非暂时性计算机可读媒体用于执行本文中归于主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130的功能。例如，此类指令在由主机系统105(例如主机系统控制器106)、存储器系统控制器115或存储器装置130(例如本地控制器135)执行时可致使主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130执行本文中所描述的一或多个相关联功能。

图2说明根据本文中所公开的实例的支持存储器的轻度休眠模式的过程流程200的实例。过程流程200可实施参考图1所描述的一或多个方面。例如，主机系统105-a及存储器系统110-a可分别为主机系统105及存储器系统110的实例。即，存储器系统110-a可包含参考图1所描述的易失性及非易失性存储器。例如，易失性存储器可为RAM或其它易失性存储器且在一些情况中可包含于参考图1所描述的本地存储器120中。作为另一实例，非易失性存储器可为NAND或其它非易失性存储器且在一些情况中可包含于参考图1所描述的一或多个存储器装置130中。过程流程200可说明根据第一操作模式(例如正常或全功率操作模式)、轻度休眠模式及完全休眠模式操作存储器系统110-a的方面。

在205处，存储器系统110可根据第一操作模式操作。第一操作模式可为与本文中所描述的轻度休眠模式或休眠模式不同的任何模式。例如，第一操作模式可为默认(例如正常或主动)操作模式，且在一些情况中，第一操作模式可不是低功率模式。存储器系统110根据第一操作模式操作可包含根据第一功率状态(例如，与易失性存储器的正常(例如，主动)操作相关联)操作易失性存储器及根据第二功率状态(例如，与非易失性存储器的正常(例如，主动)操作相关联)操作非易失性存储器。

在210处，主机系统105-a可确定在一时段内将存储器系统110-a转变为较低功率模式(例如休眠模式或轻度休眠模式)。例如，主机系统105-a可确定在相对较长时段内将存储器系统110-a转变为较低功率模式(例如，节省存储器系统110的功率)。或替代地，主机系统105-a可确定在相对较短时段内将存储器系统110-a转变为较低功率模式(例如，在存储器系统110-a处执行主机系统105-a在存储器系统110根据第一操作模式操作时无法执行的一或多个操作)。作为一个实例，主机系统105-a可确定在相对较短时段内将存储器系统110-a转变为较低功率模式以便更新与存储器系统110-a相关联或与主机系统105-a及存储器系统110-a两者相关联的时钟频率(例如为主机系统105-a与存储器系统110-a之间的通信提供参考时序的时钟信号)。

在215处，基于在210处确定将存储器系统转变为较低功率操作模式，主机系统105-a可从一组低功率模式选择较低功率模式。所述一组低功率模式可至少包含完全休眠模式及轻度休眠模式。在一些情况中，主机系统105-a可基于其中存储器系统将处于较低功率模式的时段的持续时间来选择较低功率模式。例如，主机系统105-a可比较用于在较低功率模式下操作存储器系统110-a的时段与阈值持续时间(例如预配置或预定义阈值持续时间、动态配置持续时间)。如果用于根据较低功率模式操作存储器系统110-a的时段小于阈值持续时间(例如，未能满足阈值持续时间)，那么主机系统105-a可选择轻度休眠模式且前进到220。且如果用于根据较低功率模式操作存储器系统110-a的时段大于阈值持续时间(例如，满足阈值持续期间)，那么主机系统105-a可选择完全休眠模式且前进到235。

阈值持续时间可经配置使得如果存储器系统110-a在小于阈值持续时间时根据轻度休眠模式操作，那么存储器系统110-a可在轻度休眠模式下操作时消耗更少功率(例如，与在完全休眠模式下操作相比)。另外，如果存储器系统110-a在大于阈值持续时间时根据完全休眠模式操作，那么存储器系统110-a可在完全休眠模式下操作时消耗更少功率(例如，与在轻度休眠模式下操作相比)。例如，存储器系统110-a进入及退出轻度休眠模式可比存储器系统110-a进入及退出完全休眠模式消耗更少功率(例如，由于在进入不同休眠模式时从易失性存储器传送到非易失性存储器的数据量差、在退出不同休眠模式时从非易失性存储器传送到易失性存储的数据量差或两者)。然而，当根据完全休眠模式操作存储器系统110-a时，存储器系统110-a可比根据轻度休眠模式操作存储器系统110-a消耗更少功率(例如，由于在不同休眠模式下保存于易失性存储器中的数据量差)。因此，轻度休眠模式可在较短时段内比完全休眠模式更省电，且完全休眠模式可在较长时段内比轻度休眠模式更省电。

220处的操作可对应于其中主机系统105-a在215处选择轻度休眠模式的情况。例如，在225处，可通过主机系统105-a将进入轻度休眠模式的命令传输到存储器系统110-a。在一些情况中，主机系统105-a可经由相异类型的命令(例如，相对于使存储器系统110-a进入完全休眠模式的不同类型的命令)传输进入轻度休眠模式的命令。替代地，使存储器系统110-a进入轻度休眠模式的命令可与使存储器系统110-a进入完全休眠模式的命令具有相同命令类型，但所述类型的命令的字段内的消息可指示存储器系统110-a将响应于命令而进入轻度休眠操作模式(或存储器系统110-a将根据215处的选择来进入完全休眠操作模式)。

在230处，存储器系统110-a可进入轻度休眠模式。例如，存储器系统110-a可根据与第一操作模式期间相同的功率状态来操作易失性存储器。另外，存储器系统110-a可根据比根据第一操作模式操作非易失性存储器消耗更少功率的功率状态来操作非易失性存储器。例如，存储器系统110可结合进入轻度休眠模式来避免将任何数据从易失性存储器传送到非易失性存储器。当在轻度休眠模式下操作(例如，包含数据刷新操作)时，存储器系统110可使易失性存储器维持完全通电状态。替代地，存储器系统100可结合进入轻度休眠模式将一些数据从易失性存储器传送到非易失性存储器，但数据数量比结合进入完全休眠模式时更少。或作为另一实例，存储器系统110可在轻休眠模式下操作时使易失性存储器的一些部分断电，但比在完全休眠模式下操作时的部分更小(例如，当在轻度休眠模式下操作时，存储器系统可比在完全休眠模式下操作时使易失性存储器的更大部分维持通电状态)。可存储于易失性存储器中(且因此可在存储器系统110-a在轻度休眠模式下操作时保存于易失性存储器中)的数据的实例可包含由主机系统105-a写入或可供主机系统105-a读取的数据、用于存储器系统110-a内的一或多个控制器(例如用于存储器系统控制器115)的可执行指令(例如固件)或两者以及其它可能类型的数据。在230处进入轻度休眠模式之后，存储器系统110-a可根据轻度休眠操作模式操作，直到接收到退出轻度休眠模式的命令(例如，在255处)。

235处的操作可对应于其中主机系统105-a在215处选择完全休眠模式的情况。例如，在240处，可通过主机系统105-a将进入完全休眠模式的命令传输到存储器系统110-a。在一些情况中，主机系统105-a可经由相异类型的命令(例如，相对于使存储器系统110-a进入轻度休眠模式的不同类型的命令)传输进入完全休眠模式的命令。替代地，使存储器系统110-a进入完全休眠模式的命令可与使存储器系统110-a进入轻度休眠模式的命令具有相同命令类型，但所述类型的命令的字段内的消息可指示存储器系统110-a将响应于命令而进入完全休眠操作模式(与所述字段内的不同消息相比，其可指示存储器系统110-a将进入轻度休眠操作模式)。

在245处，至少一些数据可从存储器系统110-a的易失性存储器传送到存储器系统110-a的非易失性存储器。例如，存储器系统110-a可在完全休眠模式期间传送存储于易失性存储器中的不保存数据(例如，未接收足够功率供应来通过刷新操作维持数据存储)。在一些实例中，与进入轻度休眠模式(例如，如230处所描述)相比，存储器系统110-a可将更多数据从易失性存储器传送到非易失性存储器作为进入完全休眠模式的部分。在一些实例中，将数据从易失性存储器传送到非易失性存储器可导致与进入(例如，转变为)完全休眠模式相关联的比进入(例如，转变为)轻度休眠模式更多的功耗(例如，经由电流尖峰、功率尖峰或两者)。

在250处，存储器系统110-a可进入完全休眠模式。例如，存储器系统110-a可根据比根据第一操作模式操作易失性及非易失性存储器消耗更少功率的功率状态来分别操作易失性及非易失性存储器。例如，在一些情况中，非易失性存储器可在完全休眠模式下与在轻度休眠模式下相同操作，但易失性存储器可在完全休眠模式下以相对于轻度休眠模式更低的功率状态操作。例如，当在轻度休眠模式下操作时，与在完全休眠模式下操作相比，存储器系统可使易失性存储器的更大部分维持通电状态，可在易失性存储器中保存(例如，存储)更多数据，或两者。在250处进入完全休眠模式之后，存储器系统110-a可根据完全休眠操作模式操作，直到接收到退出轻度休眠模式的命令(例如，在255处)。当根据完全休眠模式操作存储器系统110-a时，存储器系统110-a可比根据轻度休眠模式操作存储器系统110-a消耗更少功率。

在一些实例中，当存储器系统110-a在较低功率模式(例如轻度休眠模式或完全休眠模式)下操作时，主机系统105-a、存储器系统110-a、另一系统或装置或其任何组合可执行一或多个操作(例如配置程序)。例如，当存储器系统110-a在较低功率模式下操作时，主机系统105-a可改变时钟信号的频率。时钟信号可与存储器系统110-a、主机系统105-a或两者相关联。在一些实例中，主机系统105-a可通过执行动态电压及频率缩放(DVFS)(例如，经由devfreq参数)来改变时钟频率(例如与用于存储器系统110-a与主机系统105-a之间的通信的时序相关联的接口时钟)。然而，应理解，改变时钟频率仅为主机系统105-a、存储器系统110-a、另一系统或装置或其任何组合在存储器系统110-a在较低功率模式下操作时可执行的一或多个操作的实例操作。主机系统105-a可出于任何原因在210处确定将存储器系统110-a转变为较低功率模式且可在存储器系统110-a在较低功率模式下操作时执行任何数量或类型的操作。

在255处，可通过主机系统105-a(例如，在时段之后)将退出较低功率操作模式(或替代地，进入第一操作模式或与操作较低功率模式相异的一些其它操作模式)的命令传输到存储器系统110-a。响应于在255处接收命令，存储器系统110-a可根据第一操作模式操作(例如，可退出较低功率模式)。

例如，如果存储器系统110-a退出轻度休眠模式(例如，如220处所描述)，那么主机系统105-a可在255处传输使存储器系统110-a退出轻度休眠模式的命令。为了退出轻度休眠模式，存储器系统110-a可将非易失性存储器的功率状态调整为与第一操作模式相关联的功率状态(例如，通过增加非易失性存储器的功耗)。在一些情况中，退出轻度休眠模式可不涉及对易失性存储器的功率状态的任何调整。在一些其它情况中，退出轻度休眠模式可不涉及增加供应到易失性存储器的功率量，但比结合退出完全休眠模式的程度要小。

在存储器系统110-a退出完全休眠模式(例如，如235处所描述)的实例中，主机系统105-a可在255处传输使存储器系统110-a退出完全休眠模式的命令。为了退出完全休眠模式，存储器系统110-a可将易失性及非易失性存储器的功率状态调整为与第一操作模式相关联的功率状态(例如，通过增加易失性及非易失性存储器的功耗)。

响应于在255处接收命令，存储器系统110-a可在260处结合退出进入较低功率模式将先前从易失性存储转走(例如，从易失性存储器传送到非易失性存储器)的任何数据中的一些或全部从非易失性存储器传送到易失性存储器。在一些情况中，如果存储器系统110-a退出轻度休眠模式，那么先前可能没有数据结合进入轻度休眠模式而转走且因此在260处可能没有数据要传送。在一些其它情况中，如果先前可能已结合进入轻度休眠模式而转走一些数据，那么一些数据可在260处传送，但比结合退出完全休眠模式的数据数量更少。

在265处，存储器系统110可恢复根据第一操作模式操作。

过程流程200的方面可由控制器及其它组件实施。另外或替代地，过程流程200的方面可实施为存储于存储器中的指令(例如存储于与主机系统105-a、存储器系统110-a或两者耦合的存储器中的固件)。例如，指令在由控制器(例如主机系统控制器106、本地控制器135、本地控制器145或组合)执行时可致使控制器执行过程流程200的操作。

图3展示根据本文中所公开的实例的支持存储器的轻度休眠模式的存储器系统320的框图300。存储器系统320可为参考图1到2所描述的存储器系统的方面的实例。存储器系统320或其各种组件可为用于执行本文中所描述的存储器的轻度休眠模式的各个方面的构件的实例。例如，存储器系统320可包含模式管理器325、命令组件330、数据传送管理器335、时钟组件340或其任何组合。这些组件中的每一者可直接或间接彼此通信(例如，经由一或多个总线)。

模式管理器325可经配置为或以其它方式支持用于根据第一操作模式操作存储器系统320的构件，其中根据第一操作模式操作存储器系统320包含根据第一功率状态操作存储器系统内的易失性存储器及根据第二功率状态操作存储器系统内的非易失性存储器。命令组件330可经配置为或以其它方式支持用于在根据第一操作模式操作存储器系统320时接收使存储器系统320进入第二操作模式的命令的构件。模式管理器325可经配置为或以其它方式支持用于响应于命令而根据第二操作模式操作存储器系统320的构件，其中根据第二操作模式操作存储器系统320包含根据第一功率状态操作易失性存储器及根据第三功率状态操作非易失性存储器，第三功率状态对应于比第二功率状态更低的功耗。

在一些实例中，命令组件330可经配置为或以其它方式支持用于在根据第一操作模式操作存储器系统320时接收使存储器系统320进入第三操作模式的第二命令的构件，其中根据第三操作模式操作存储器系统320包含根据对应于比第一功率状态更低的功耗的第四功率状态来操作易失性存储器及根据第三功率状态来操作非易失性存储器。模式管理器325可经配置为或以其它方式支持用于根据第三操作模式操作存储器系统320的构件。

在一些实例中，数据传送管理器335可经配置为或以其它方式支持用于响应于使存储器系统320进入第三操作模式的第二命令而将比响应于使存储器系统320进入第二操作模式的命令更多的数据从易失性存储器传送到非易失性存储器的构件。

在一些实例中，数据传送管理器335可经配置为或以其它方式支持用于响应于使存储器系统320进入第二操作模式的命令而避免将任何数据从易失性存储器传送到非易失性存储器的构件。

在一些实例中，数据传送管理器335可经配置为或以其它方式支持用于在根据第二操作模式操作存储器系统320时将比根据第三操作模式操作存储器系统320更多的数据存储于易失性存储器中的构件。

在一些实例中，在根据第二操作模式操作存储器系统320时存储于易失性存储器中的数据可包含与存储器系统的主机装置相关联的数据、存储器系统内控制器的可执行指令或其任何组合。

在一些实例中，命令组件330可经配置为或以其它方式支持用于在根据第二操作模式操作存储器系统320时接收使存储器系统320退出第二操作模式的第三命令的构件。在一些实例中，命令组件330可经配置为或以其它方式支持用于在根据第三操作模式操作存储器系统320时接收使存储器系统320退出第三操作模式的第四命令的构件。在一些实例中，数据传送管理器335可经配置为或以其它方式支持用于响应于使存储器系统320退出第三操作模式的第四命令而将比响应于使存储器系统320退出第二操作模式的第三命令更多的数据从非易失性存储器传送到易失性存储器的构件。

在一些实例中，模式管理器325可经配置为或以其它方式支持用于在根据第二操作模式操作存储器系统320之后根据第一操作模式操作存储器系统320的构件。在一些实例中，数据传送管理器335可经配置为或以其它方式支持用于避免在第一时间与第二时间之间在易失性存储器与非易失性存储器之间传送任何数据的构件，第一时间在开始根据第二操作模式操作存储器系统320之前，且第二时间在根据第二操作模式操作存储器系统320之后。

时钟组件340可包含、管理、监测或以其它方式相关联于一或多个时钟，其中存储器系统320的操作可基于与一或多个时钟相关联的一或多个时钟信号(例如，具有基于与一或多个时钟相关联的一或多个时钟信号的时序)。在一些实例中，在接收使存储器系统320进入第二操作模式的命令之前，与存储器系统320相关联(例如，与时钟组件340相关联)的时钟信号可具有第一频率。在一些实例中，在接收使存储器系统320进入第二操作模式的命令之后，时钟信号可具有第二频率。

在一些实例中，易失性存储器可包含随机存取存储器。在一些实例中，非易失性存储器可包含NAND存储器。

图4展示根据本文中所公开的实例的支持存储器的轻度休眠模式的主机系统420的框图400。主机系统420可为参考图1到2所描述的主机系统的方面的实例。主机系统420或其各种组件可为用于执行本文中所描述的存储器的轻度休眠模式的各个方面的构件的实例。例如，主机系统420可包含模式管理器425、模式选择组件430、命令组件435、时钟管理器440或其任何组合。这些组件中的每一者可直接或间接彼此通信(例如，经由一或多个总线)。

模式管理器425可经配置为或以其它方式支持用于确定在一时段内将存储器系统从第一操作模式转变为对应于比第一操作模式更低的存储器系统功耗的第二操作模式的构件。模式选择组件430可经配置为或以其它方式支持用于至少部分基于确定转变存储器系统、至少部分基于时段是否满足阈值持续时间或两者来从与存储器系统相关联的一组低功率模式选择第二操作模式的构件。所述一组低功率模式可包含对应于比第一操作模式更低的存储器系统功耗的第一低功率模式及对应于比第一低功率模式更低的存储器系统功耗的第二低功率模式。命令组件435可经配置以或以其它方式支持用于向存储器系统传输使存储器系统进入第二操作模式的命令的构件。

在一些实例中，模式选择组件430可经配置为或以其它方式支持用于至少部分基于时段未能满足阈值持续时间来选择第一低功率模式作为第二操作模式的构件。如果选择第二低功率模式作为第二操作模式，那么使存储器系统进入第二操作模式的命令可为使存储器系统进入第一低功率模式的命令。

在一些实例中，模式选择组件430可经配置为或以其它方式支持用于至少部分基于时段满足阈值持续时间来选择第二低功率模式作为第二操作模式的构件。如果选择第二低功率模式作为第二操作模式，那么使存储器系统进入第二操作模式的命令可为使存储器系统进入第二低功率模式的命令。

在一些实例中，命令组件435可经配置为或以其它方式支持用于在时段之后传输使存储器系统退出第二操作模式的第二命令的构件。

在一些实例中，时钟管理器440可经配置为或以其它方式支持用于在时段期间更新与存储器系统相关联的时钟速率的构件，其中在时段内确定存储器系统转变为第二操作模式可至少部分基于确定更新时钟速率。

图5展示说明根据本文中所公开的实例的支持存储器的轻度休眠模式的方法500的流程图。方法500的操作可由本文中所描述的存储器系统或其组件实施。例如，方法500的操作可由参考图1到3所描述的存储器系统执行。在一些实例中，存储器系统可执行一组指令以控制装置的功能元件执行所描述功能。另外或替代地，存储器系统可使用专用硬件来执行所描述功能的方面。

在505处，方法可包含根据第一操作模式操作存储器系统，其中根据第一操作模式操作存储器系统包含根据第一功率状态操作存储器系统内的易失性存储器及根据第二功率状态操作存储器系统内的非易失性存储器。操作505可根据本文中所公开的实例执行。在一些实例中，操作505的方面可由参考图3所描述的模式管理器325执行。

在510处，方法可包含在根据第一操作模式操作存储器系统时接收使存储器系统进入第二操作模式的命令。操作510可根据本文中所公开的实例执行。在一些实例中，操作510的方面可由参考图3所描述的命令组件330执行。

在515处，方法可包含响应于命令而根据第二操作模式操作存储器系统，其中根据第二操作模式操作存储器系统包含根据第一功率状态操作易失性存储器及根据第三功率状态操作非易失性存储器，第三功率状态对应于比第二功率状态更低的功耗。操作515可根据本文中所公开的实例执行。在一些实例中，操作515的方面可由参考图3所描述的模式管理器325执行。

在一些实例中，本文中所描述的设备可执行例如方法500的一或若干方法。设备可包含用于以下的特征、电路系统、逻辑、构件或指令(例如存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：根据第一操作模式操作存储器系统，其中根据第一操作模式操作存储器系统包含根据第一功率状态操作存储器系统内的易失性存储器及根据第二功率状态操作存储器系统内的非易失性存储器；当根据第一操作模式操作存储器系统时，接收使存储器系统进入第二操作模式的命令；及响应于命令而根据第二操作模式操作存储器系统，其中根据第二操作模式操作存储器系统包含根据第一功率状态操作易失性存储器及根据第三功率状态操作非易失性存储器，第三功率状态对应于比第二功率状更低的功耗。

本文中所描述的方法500及设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：当根据第一操作模式操作存储器系统时，接收使存储器系统进入第三操作模式的第二命令，其中根据第三操作模式操作存储器系统包含根据对应于比第一功率状态更低的功耗的第四功率状态来操作易失性存储器及根据第三功率状态操作非易失性存储器。

本文中所描述的方法500及设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：响应于使存储器系统进入第三操作模式的第二命令而将比响应于使存储器系统进入第二操作模式的命令更多的数据从易失性存储器传送到非易失性存储器。

本文中所描述的方法500及设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：响应于使存储器系统进入第二操作模式的命令而避免将任何数据从易失性存储器传送到非易失性存储器。

本文中所描述的方法500及设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：当根据第二操作模式操作存储器系统时，将比根据第三操作模式操作存储器系统时更多的数据存储于易失性存储器中。

在本文中所描述的方法500及设备的一些实例中，在根据第二操作模式操作存储器系统时存储于易失性存储器中的数据可包含与存储器系统的主机装置相关联的数据、存储器系统内控制器的可执行指令或其任何组合。

本文中所描述的方法500及设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：当根据第二操作模式操作存储器系统时，接收使存储器系统退出第二操作模式的第三命令；当根据第三操作模式操作存储器系统时，接收使存储器系统退出第三操作模式的第四命令；及响应于使存储器系统退出第三操作模式的第四命令而将比响应于使存储器系统退出第二操作模式的第三命令更多的数据从非易失性存储器传送到易失性存储器。

本文中所描述的方法500及设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：在根据第二操作模式操作存储器系统之后根据第一操作模式操作存储器系统；及避免在第一时间与第二时间之间在易失性存储器与非易失性存储器之间传送任何数据，第一时间在开始根据第二操作模式操作存储器系统之前，且第二时间在根据第二操作模式操作存储器系统之后。

在本文中所描述的方法500及设备的一些实例中，在接收使存储器系统进入第二操作模式的命令之前，与存储器系统相关联的时钟信号可具有第一频率，且在接收使存储器系统进入第二操作模式的命令之后，时钟信号可具有第二频率。

在本文中所描述的方法500及设备的一些实例中，易失性存储器可为随机存取存储器且非易失性存储可为NAND存储器。

图6展示说明根据本文中所公开的实例的支持存储器的轻度休眠模式的方法600的流程图。方法600的操作可由本文中所描述的主机系统或其组件实施。例如，方法600的操作可由参考图1到2及4所描述的主机系统执行。在一些实例中，主机系统可执行一组指令以控制装置的功能元件执行所描述功能。另外或替代地，主机系统可使用专用硬件来执行所描述功能的方面。

在605处，方法可包含确定在一时段内将存储器系统从第一操作模式转变为对应于比第一操作模式更低的存储器系统功耗的第二操作模式。操作605可根据本文中所公开的实例执行。在一些实例中，操作605的方面可由参考图4所描述的模式管理器425执行。

在610处，方法可包含至少部分基于时段是否满足阈值持续时间而从与存储器系统相关联的一组低功率模式选择第二操作模式，所述一组低功率模式包含对应于比第一操作模式更低的存储器系统功耗的第一低功率模式及对应于比第一低功率模式更低的存储器系统功耗的第二低功率模式。操作610可根据本文中所公开的实例执行。在一些实例中，操作610的方面可由参考图4所描述的模式选择组件430执行。

在615处，方法可包含向存储器系统传输使存储器系统进入第二操作模式的命令。操作615可根据本文中所公开的实例执行。在一些实例中，操作615的方面可由参考图4所描述的命令组件435执行。

在一些实例中，本文中所描述的设备可执行例如方法600的一或若干方法。设备可包含用于以下的特征、电路系统、逻辑、构件或指令(例如存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：确定在一时段内将存储器系统从第一操作模式转变为对应于比第一操作模式更低的存储器系统功耗的第二操作模式；至少部分基于时段是否满足阈值持续时间而从与存储器系统相关联的一组低功率模式选择第二操作模式，所述一组低功率模式包含对应于比第一操作模式更低的存储器系统功耗的第一低功率模式及对应于比第一低功率模式更低的存储器系统功耗的第二低功率模式；及向存储器系统传输使存储器系统进入第二操作模式的命令。

本文中所描述的方法600及设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：至少部分基于时段未能满足阈值持续时间来选择第一低功率模式作为第二操作模式，其中使存储器系统进入第二操作模式的命令可为使存储器系统输入第一低功率模式的命令。

本文中所描述的方法600及设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：至少部分基于时段满足阈值持续时间来选择第二低功率模式作为第二操作模式，其中使存储器系统进入第二操作模式的命令可为使存储器系统进入第二低功率模式的命令。

本文中所描述的方法600及设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：在时段之后，传输使存储器系统退出第二操作模式的第二命令。

本文中所描述的方法600及设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：在时段期间，更新与存储器系统相关联的时钟速率，其中确定在时段内将存储器系统转变为第二操作模式可至少部分基于确定更新时钟速率。

应注意，上述方法描述可能实施方案，且操作及步骤可经重新布置或以其它方式修改，且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自方法中的两者或更多者的部分。

描述一种设备。所述设备可包含易失性存储器、非易失性存储及与所述易失性存储器及所述非易失性存储器耦合的控制器。所述控制器可经配置以致使所述设备：根据第一操作模式操作所述设备，其中根据所述第一操作模式操作所述设备包括根据第一功率状态操作所述易失性存储器及根据第二功率状态操作所述非易失性存储器；当根据所述第一操作模式操作所述设备时，接收使所述设备进入第二操作模式的命令；及响应于所述命令而根据所述第二操作模式操作所述设备，其中根据所述第二操作模式操作所述设备包括根据所述第一功率状态操作所述易失性存储器及根据第三功率状态操作所述非易失性存储器，所述第三功率状态对应于比所述第二功率状态更低的功耗。

在所述设备的一些实例中，所述控制器可进一步经配置以致使所述设备在根据所述第一操作模式操作所述设备时接收使所述设备进入第三操作模式的第二命令，其中根据所述第三操作模式操作所述设备包括根据对应于比所述第一功率状态更低的功耗的第四功率状态来操作所述易失性存储器及根据所述第三功率状态操作所述非易失性存储器。

在所述设备的一些实例中，所述控制器可进一步经配置以致使所述设备响应于使所述设备进入所述第三操作模式的所述第二命令而将比响应于使所述设备进入所述第二操作模式的所述命令更多的数据从所述易失性存储器传送到所述非易失性存储器。

在所述设备的一些实例中，所述控制器可进一步经配置以致使所述设备响应于使所述设备进入所述第二操作模式的所述命令而避免将任何数据从所述易失性存储器传送到所述非易失性存储器。

在所述设备的一些实例中，所述控制器可进一步经配置以致使所述设备在根据所述第二操作模式操作所述设备时将比根据所述第三操作模式操作所述设备时更多的数据存储于所述易失性存储器中。

在所述设备的一些实例中，所述控制器经配置以致使所述设备在根据所述第二操作模式操作所述设备时存储于所述易失性存储器中的所述数据包括与所述设备的主机装置相关联的数据、所述控制器的可执行指令或其任何组合。

在所述设备的一些实例中，所述控制器可进一步经配置以致使所述设备：当根据所述第二操作模式操作所述设备时，接收使所述设备退出所述第二操作模式的第三命令；当根据所述第三操作模式操作所述设备时，接收使所述设备退出所述第三操作模式的第四命令；及响应于使所述设备退出所述第三操作模式的所述第四命令，将比响应于使所述设备退出所述第二操作模式的所述第三命令更多的数据从所述非易失性存储器传送到所述易失性存储器。

在所述设备的一些实例中，所述控制器可进一步经配置以致使所述设备：在根据所述第二操作模式操作所述设备之后根据所述第一操作模式操作所述设备；及避免在第一时间与第二时间之间在所述易失性存储器与所述非易失性存储器之间传送任何数据，所述第一时间在开始根据所述第二操作模式操作所述设备之前，且所述第二时间在根据所述第二操作模式操作所述设备之后。

在所述设备的一些实例中，所述易失性存储器可为随机存取存储器(例如SRAM或DRAM)且所述非易失性存储器可为NAND存储器。

在一些实例中，所述设备可为存储器系统。

描述另一种设备。所述设备可包含经配置以与存储器系统耦合的控制器，其中所述控制器经配置以致使所述设备：确定在一时段内将所述存储器系统从第一操作模式转变为对应于比所述第一操作模式更低的所述存储器系统功耗的第二操作模式；至少部分基于所述时段是否满足阈值持续时间而从与所述存储器系统相关联的一组低功率模式选择所述第二操作模式，所述一组低功率模式包括对应于比所述第一操作模式更低的所述存储器系统功耗的第一低功率模式及对应于比所述第一低功率模式更低的所述存储器系统功耗的第二低功率模式；及向所述存储器系统传输使所述存储器系统进入所述第二操作模式的命令。

在所述设备的一些实例中，所述控制器可进一步经配置以致使所述设备响应于所述时段未能满足所述阈值持续时间而选择所述第一低功率模式作为所述第二操作模式。

在所述设备的一些实例中，所述控制器可进一步经配置以致使所述设备响应于所述时段满足所述阈值持续时间而选择所述第二低功率模式作为所述第二操作模式。

在所述设备的一些实例中，所述控制器可进一步经配置以致使所述设备在所述时段之后传输使所述存储器系统退出所述第二操作模式的第二命令。

在所述设备的一些实例中，所述控制器可进一步经配置以致使所述设备至少部分基于确定更新与所述存储器系统相关联的时钟速率来确定在所述时段内将所述存储器系统转变为所述第二操作模式及在所述时段期间更新所述时钟速率。

本文中所描述的信息及信号可使用各种不同科技及技术中的任一者来表示。例如，可贯穿上文描述引用的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及芯片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合表示。一些图式可将信号说明为单个信号；然而，信号可表示信号的总线，其中总线可具有各种位宽度。

术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”及“耦合”可指代支持组件之间的信号流动的组件之间的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持组件之间的信号流动的任何导电路径，那么可认为组件彼此电子通信(或导电接触、连接或耦合)。在任何给定时间，基于包含经连接组件的装置的操作，彼此电子通信(或导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路径可为开路或闭路。经连接组件之间的导电路径可为组件之间的直接导电路径，或经连接组件之间的导电路径可为可包含中间组件(例如开关、晶体管或其它组件)的间接导电路径。在一些实例中，经连接组件之间的信号流动可例如使用一或多个中间组件(例如开关或晶体管)来中断一段时间。

术语“耦合”指代从组件之间的开路关系(其中信号目前不能通过导电路径来传送于组件之间)转变为组件之间的闭路关系(其中信号能够通过导电路径来传送于组件之间)的条件。如果例如控制器的组件将其它组件耦合在一起，那么组件引发允许信号通过先前不允许信号流动的导电路径来流动于其它组件之间的改变。

术语“隔离”指代其中信号目前无法在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，那么其彼此隔离。例如，如果定位于两个组件之间的开关打开，那么由开关分离的组件彼此隔离。如果控制器隔离两个组件，那么控制器引起阻止信号使用先前允许信号流动的导电路径来流动于组件之间的改变。

术语“如果”、“当...时”、“基于”或“至少部分基于”可互换使用。在一些实例中，如果术语“如果”、“当...时”、“基于”或“至少部分基于”用于描述条件动作、条件过程或过程的部分之间的连接，那么术语可互换。

术语“响应于”可指代一个条件或动作至少部分(如果不是完全)由于先前条件或动作而发生。例如，可执行第一条件或动作且第二条件或动作可至少部分由于先前条件或动作发生而发生(无论是直接在第一条件或动作之后还是在第一条件或动作之后发生的一或多个其它中间条件或动作之后)。

另外，术语“直接地响应于”或“直接响应于”可指代一个条件或动作直接由于先前条件或动作而发生。在一些实例中，可执行第一条件或动作且第二条件或动作可直接由于先前条件或动作发生而发生，与是否发生其它条件或动作无关。在一些实例中，可执行第一条件或动作且第二条件或动作可直接由于先前条件或动作发生而发生，使得在较早条件或动作与第二条件或动作之间不发生其它中间条件或动作或在较早条件或动作与第二条件或动作之间发生有限数量的一或多个中间步骤或动作。除非另有规定，否则本文中描述为“基于”、“至少部分基于”或“响应于”某个其它步骤、动作、事件或条件而执行的任何条件或动作可另外或替代地(例如，在替代实例中)“直接响应于”或“直接地响应于”此其它动作或条件而执行。

本文中所论述的装置(包含存储器阵列)可形成于半导体衬底(例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等)上。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在一些其它实例中，衬底可为绝缘体上硅(SOI)衬底(例如玻璃上硅(SOG)或蓝宝石上硅(SOP))或另一衬底上半导体材料外延层。可通过使用各种化学物种(包含(但不限于)磷、硼或砷)进行掺杂来控制衬底或衬底子区域的导电性。掺杂可在衬底的初始形成或生长期间通过离子植入或通过任何其它掺杂方法来执行。

本文中所论述的切换组件或晶体管可表示场效晶体管(FET)且包括包含源极、漏极及栅极的三端子装置。端子可通过导电材料(例如金属)连接到其它电子元件。源极及漏极可导电且可包括重度掺杂(例如简并)半导体区域。源极及漏极可由轻度掺杂半导体区域或沟道分离。如果沟道是n型(即，多数载子是电子)，那么FET可称为n型FET。如果沟道是p型(即，多数载子是空穴)，那么FET可称为p型FET。沟道可由绝缘栅极氧化物封盖。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。例如，将正电压或负电压分别施加到n型FET或p型FET可导致沟道变为导电。如果将大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极，那么晶体管可“接通”或“激活”。如果将小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极，那么晶体管可“关断”或“撤销激活”。

本文中所阐述的描述结合附图来描述实例配置且不表示可实施或在权利要求书的范围内的全部实例。本文中所使用的术语“示范性”意味着“充当实例、例子或说明”而非“优选”或“优于其它实例”。详细描述包含具体细节以提供所描述技术的理解。然而，可在不具有这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些例子中，以框图形式展示众所周知结构及装置以免模糊所描述实例的概念。

在附图中，类似组件或特征可具有相同参考标记。此外，可通过使参考标记后接连字符及区分类似组件的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果说明书中仅使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任一者，不考虑第二参考标记。

可在硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合中实施本文中所描述的功能。如果在由处理器执行的软件中实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体传输。其它实例及实施方案是在本公开及所附权利要求书的范围内。例如，由于软件的性质，可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬接线或这些中的任一者的组合来实施上述功能。实施功能的特征还可物理定位于各种位置处，包含经分布使得在不同物理位置处实施功能的部分。

例如，可使用经设计以执行本文中所描述的功能的通用处理器、DSP、ASIC、FPGA或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行结合本公开所描述的各种说明块及组件。通用处理器可为微处理器，但在替代例中，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器可实施为计算装置的组合(例如DSP及微处理器的组合、多个微处理器、结合DSP核心的一或多个微处理器或任何其它此配置)。

如本文中(包含在权利要求书中)所使用，项目列表(例如以例如“…中的至少一者”或“…中的一或多者”的短语开头的项目列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得(例如)A、B或C中的至少一者的列表意味着A或B或C或AB或AC或BC或ABC(即，A及B及C)。此外，如本文中所使用，短语“基于”不应理解为参考一组封闭条件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件A”的示范性步骤可基于条件A及条件B两者。换句话说，如本文中所使用，短语“基于”应以与短语“至少部分基于”相同的方式解释。

计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体及通信媒体两者，其包含促进计算机程序从一个位置传送到另一位置的任何媒体。非暂时性存储媒体可为可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。通过实例但不限于，非暂时性计算机可读媒体可包括RAM、ROM、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、光盘(CD)ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置或可用于携载或存储呈指令或数据结构形式的期望程序代码构件且可由通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。此外，任何连接适当地称为计算机可读媒体。例如，如果使用同轴电缆、光纤光缆、双绞线、数字用户线(DSL)或无线技术(例如红外线、无线电及微波)从网站、服务器或其它远程源传输软件，那么在媒体的定义中包含同轴电缆、光纤光缆、双绞线、DSL或无线技术(例如红外线、无线电及微波)。如本文中所使用，磁盘及光盘包含CD、激光光盘、光盘、数字多功能光盘(DVD)、软盘及蓝光光盘，其中磁盘通常磁性地复制数据，而光盘使用激光光学地复制数据。上文的组合也包含于计算机可读媒体的范围内。

提供本文中的描述来使所属领域的技术人员能够制造或使用本公开。所属领域的技术人员将明白对本公开的各种修改，且在不脱离本公开的范围的情况下，本文中所定义的一般原理可应用到其它变化。因此，本公开不限于本文中所描述的实例及设计，而应被给予与本文中所公开的原理及新颖特征一致的最广范围。

Claims (25)

1.一种设备，其包括：

易失性存储器；

非易失性存储器；及

控制器，其与所述易失性存储器及所述非易失性存储器耦合，所述控制器经配置以致使所述设备：

根据第一操作模式操作所述设备，其中根据所述第一操作模式操作所述设备包括根据第一功率状态操作所述易失性存储器及根据第二功率状态操作所述非易失性存储器；

当根据所述第一操作模式操作所述设备时，接收使所述设备进入第二操作模式的命令；及

响应于所述命令而根据所述第二操作模式操作所述设备，其中根据所述第二操作模式操作所述设备包括根据所述第一功率状态操作所述易失性存储器及根据第三功率状态操作所述非易失性存储器，所述第三功率状态对应于比所述第二功率状态更低的功耗。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：

当根据所述第一操作模式操作所述设备时，接收使所述设备进入第三操作模式的第二命令，其中根据所述第三操作模式操作所述设备包括根据对应于比所述第一功率状态更低的功耗的第四功率状态来操作所述易失性存储器及根据所述第三功率状态操作所述非易失性存储器。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：

响应于使所述设备进入所述第三操作模式的所述第二命令而将比响应于使所述设备进入所述第二操作模式的所述命令更多的数据从所述易失性存储器传送到所述非易失性存储器。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：

响应于使所述设备进入所述第二操作模式的所述命令而避免将任何数据从所述易失性存储器传送到所述非易失性存储器。

5.根据权利要求3所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：

当根据所述第二操作模式操作所述设备时，将比根据所述第三操作模式操作所述设备时更多的数据存储于所述易失性存储器中。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述控制器经配置以致使所述设备在根据所述第二操作模式操作所述设备时存储于所述易失性存储器中的所述数据包括与所述设备的主机装置相关联的数据、所述控制器的可执行指令或其任何组合。

7.根据权利要求2所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：

当根据所述第二操作模式操作所述设备时，接收使所述设备退出所述第二操作模式的第三命令；

当根据所述第三操作模式操作所述设备时，接收使所述设备退出所述第三操作模式的第四命令；

响应于使所述设备退出所述第三操作模式的所述第四命令而将比响应于使所述设备退出所述第二操作模式的所述第三命令更多的数据从所述非易失性存储器传送到所述易失性存储器。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：

在根据所述第二操作模式操作所述设备之后，根据所述第一操作模式操作所述设备；及

避免在第一时间与第二时间之间在所述易失性存储器与所述非易失性存储器之间传送任何数据，所述第一时间在开始根据所述第二操作模式操作所述设备之前，且所述第二时间在根据所述第二操作模式操作所述设备之后。

9.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述易失性存储器包括随机存取存储器；且

所述非易失性存储器包括NAND存储器。

10.一种设备，其包括：

控制器，其经配置以与存储器系统耦合，其中所述控制器经配置以致使所述设备：

确定在一时段内将所述存储器系统从第一操作模式转变为对应于比所述第一操作模式更低的所述存储器系统功耗的第二操作模式；

至少部分基于所述时段是否满足阈值持续时间而从与所述存储器系统相关联的一组低功率模式选择所述第二操作模式，所述一组低功率模式包括对应于比所述第一操作模式更低的所述存储器系统功耗的第一低功率模式及对应于比所述第一低功率模式更低的所述存储器系统功耗的第二低功率模式；及

向所述存储器系统传输使所述存储器系统进入所述第二操作模式的命令。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：

响应于所述时段未能满足所述阈值持续时间而选择所述第一低功率模式作为所述第二操作模式。

12.根据权利要求10所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：

响应于所述时段满足所述阈值持续时间而选择所述第二低功率模式作为所述第二操作模式。

13.根据权利要求10所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：

在所述时段之后，传输使所述存储器系统退出所述第二操作模式的第二命令。

14.根据权利要求10所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：

至少部分基于确定更新与所述存储器系统相关联的时钟速率来确定在所述时段内将所述存储器系统转变为所述第二操作模式；及

在所述时段期间更新所述时钟速率。

15.一种非暂时性计算机可读媒体，其存储包括指令的代码，所述指令在由电子装置的处理器执行时致使所述电子装置：

根据第一操作模式操作存储器系统，其中根据所述第一操作模式操作所述存储器系统包括根据第一功率状态操作易失性存储器及根据第二功率状态操作非易失性存储器；

当根据所述第一操作模式操作所述存储器系统时，接收使所述存储器系统进入第二操作模式的命令；及

响应于所述命令而根据所述第二操作模式操作所述存储器系统，其中根据所述第二操作模式操作所述存储器系统包括根据所述第一功率状态操作所述易失性存储器及根据第三功率状态操作所述非易失性存储器，所述第三功率状态对应于比所述第二功率状态更低的功耗。

16.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步致使所述电子装置：

当根据所述第一操作模式操作所述存储器系统时，接收使所述存储器系统进入第三操作模式的第二命令，其中根据所述第三操作模式操作所述存储器系统包括根据对应于比所述第一功率状态更低的功耗的第四功率状态来操作所述易失性存储器及根据所述第三功率状态操作所述非易失性存储器。

17.根据权利要求16所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步致使所述电子装置：

响应于使所述存储器系统进入所述第三操作模式的所述第二命令而将比响应于使所述存储器系统进入所述第二操作模式的所述命令更多的数据从所述易失性存储器传送到所述非易失性存储器。

18.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步致使所述电子装置：

响应于使所述存储器系统进入所述第二操作模式的所述命令而避免将任何数据从所述易失性存储器传送到所述非易失性存储器。

19.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步致使所述电子装置：

当根据所述第二操作模式操作所述存储器系统时，将比根据所述第三操作模式操作所述存储器系统时更多的数据存储于所述易失性存储器中。

20.根据权利要求16所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步致使所述电子装置：

当根据所述第二操作模式操作所述存储器系统时，接收使所述存储器系统退出所述第二操作模式的第三命令；

当根据所述第三操作模式操作所述存储器系统时，接收使所述存储器系统退出所述第三操作模式的第四命令；及

响应于使所述存储器系统退出所述第三操作模式的所述第四命令而将比响应于使所述存储器系统退出所述第二操作模式的所述第三命令更多的数据从所述非易失性存储器传送到所述易失性存储器。

21.一种非暂时性计算机可读媒体，其存储包括指令的代码，所述指令在由电子装置的处理器执行时致使所述电子装置：

确定在一时段内将存储器系统从第一操作模式转变为对应于比所述第一操作模式更低的所述存储器系统功耗的第二操作模式；

至少部分基于所述时段是否满足阈值持续时间而从与所述存储器系统相关联的一组低功率模式选择所述第二操作模式，所述一组低功率模式包括对应于比所述第一操作模式更低的所述存储器系统功耗的第一低功率模式及对应于比所述第一低功率模式更低的所述存储器系统功耗的第二低功率模式；及

向所述存储器系统传输使所述存储器系统进入所述第二操作模式的命令。

22.根据权利要求21所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步致使所述电子装置：

响应于所述时段未能满足所述阈值持续时间而选择所述第一低功率模式作为所述第二操作模式。

23.根据权利要求21所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步致使所述电子装置：

响应于所述时段满足所述阈值持续时间而选择所述第二低功率模式作为所述第二操作模式。

24.根据权利要求21所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步致使所述电子装置：

在所述时段之后，传输使所述存储器系统退出所述第二操作模式的第二命令。

25.根据权利要求21所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步致使所述电子装置：

至少部分基于确定更新与所述存储器系统相关联的时钟速率来确定在所述时段内将所述存储器系统转变为所述第二操作模式；及

在所述时段期间更新所述时钟速率。