JP2024018453A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体装置と樹脂との密着性を確保することができる新たな技術を提案する。【解決手段】 半導体装置は、上から見たときに四角形であり、表面と、表面の反対側に位置する裏面と、表面及び裏面を接続する４つの側面と、を有する半導体基板を備える。各側面は、半導体基板の表面の周縁が伸びる方向に沿って凸部と凹部が交互に繰り返し出現する段差部を有している。【選択図】図４

Description

本明細書に開示の技術は、半導体装置及びその製造方法に関する。

特許文献１には、表面と、裏面と、表面及び裏面を接続する側面と、を有する半導体基板を備える半導体装置が開示されている。この半導体基板の側面には、半導体基板の表面の周縁が伸びる方向に沿って改質層が設けられている。改質層は、レーザの照射により結晶が改質された結晶欠陥の層である。この半導体装置では、改質層によってパッケージ樹脂に対する密着性が向上する。

特開２０１９－５７５７９号公報

本明細書では、特許文献１とは異なる手法により、半導体装置と樹脂との密着性を確保することができる新たな技術を提案する。

本明細書が開示する半導体装置は、上から見たときに四角形であり、表面（１２ａ）と、前記表面の反対側に位置する裏面（１２ｂ）と、前記表面及び前記裏面を接続する４つの側面（１２ｃ）と、を有する半導体基板（１２）を備える。前記各側面は、前記半導体基板の前記表面の周縁が伸びる方向に沿って凸部（３０ａ）と凹部（３０ｂ）が交互に繰り返し出現する段差部（３０）を有している。

この半導体装置では、半導体基板の各側面に、半導体基板の表面の周縁が伸びる方向に沿って凸部と凹部が繰り返される段差部が設けられている。このため、側面の表面積が増大し、例えば、半導体装置を樹脂により封止するときには、段差部に入り込んだ樹脂が、アンカーとして機能する。これにより、封止後の半導体装置と樹脂との間の剥離が抑制される。このように、上記の半導体装置では、半導体基板の各側面の段差部により、樹脂との密着性を確保することができる。

本明細書が開示する半導体装置の製造方法は、六方晶の結晶構造を有する半導体ウェハ（２）の第１表面（２ａ）に形成された金属層（４０、１４０）の表面（４０ａ、１４０ａ）に、前記半導体ウェハを複数の四角形領域に区画するように延びる分割予定線（４）に沿って押圧部材（６０、１６０）を押し当てることにより、前記半導体ウェハに前記分割予定線に沿うとともに前記半導体ウェハの厚み方向に伸びるクラック（５）を形成する工程と、前記クラックを形成する前記工程の後に、前記第１表面の反対側に位置する前記半導体ウェハの第２表面（２ｂ）に、前記分割予定線に沿って分割部材（６２）を押し当てることにより、前記クラックを起点として前記半導体ウェハと前記金属層を分割する工程、を備える。前記分割予定線が、前記半導体ウェハの｛１１－２０｝面もしくは｛１－１００｝面とは異なる方向に沿って伸びている。なお、本明細書でいう｛１１－２０｝面は、結晶の対称性により等価な全ての面（１１－２０）、（－１－１２０）、（１－２１０）、（－１２－１０）、（－２１１０）、（２－１－１０）を含む面を意味している。また、本明細書でいう｛１－１００｝面は、結晶の対称性により等価な全ての面（１－１００）、（－１１００）、（０－１１０）、（０１－１０）、（１０－１０）、（－１０１０）を含む面を意味している。

この製造方法では、半導体ウェハの第１表面に金属層を形成した後に、分割予定線に沿って、第１表面側から金属層の表面に押圧部材を押し当てる。押圧部材を押し当てることにより、第１表面側にクラックが形成される。その後、分割予定線に沿って第２表面側から分割部材を半導体ウェハに押し当てる。これにより、クラックを起点として、クラックを介して隣接する領域を引き離す方向に力が加わる。その結果、クラックが半導体ウェハの厚み方向に伸展する。このとき、半導体ウェハが、クラックを起点として結晶面でへき開することにより、半導体ウェハが分割される。また、金属層に対してもクラックを跨いで隣接する領域を引き離す方向に力が加わり、金属層も分割される。

六方晶の結晶構造では、結晶面の一つである｛１１－２０｝面が、複数の結晶格子に亘って途切れることなく直線的に伸びている。このため、仮に分割予定線が｛１１－２０｝面に一致する方向に沿って伸びている場合、押圧部材を半導体ウェハに押し当てると、クラックが｛１１－２０｝面に沿って形成される。上述の通り、半導体ウェハが分割されるときには、半導体ウェハがクラックを起点として、結晶面に沿ってへき開する。このため、｛１１－２０｝面に一致する分割予定線に沿って分割部材を半導体ウェハに押し当てると、半導体ウェハが｛１１－２０｝面に沿って直線的に分割され得る。この場合、分割後の半導体ウェハの側面（分割面）の少なくとも１つが｛１１－２０｝面となり、当該分割面が滑らかな平坦面となる。

これに対して、上記の製造方法では、分割予定線が、半導体ウェハの｛１１－２０｝面とは異なる方向に沿って伸びている。このため、押圧部材を半導体ウェハに押し当てたときに、クラックが｛１１－２０｝面とは異なる方向に沿って形成される。したがって、クラックを起点として半導体ウェハが分割されるときには、分割後の半導体ウェハの側面に複数の凸部及び複数の凹部を有する段差部が形成され、段差部の形成によって側面の表面積が増大する。

このように、上記の製造方法では、クラックが｛１１－２０｝面とは異なる方向に沿って形成されるので、分割後の半導体ウェハの側面に段差部が形成される。このため、例えば、この製造方法により製造された半導体装置を樹脂により封止するときには、段差部に入り込んだ樹脂が、アンカーとして機能する。これにより、封止後の半導体装置と樹脂との間の剥離が抑制される。このように、上記の製造方法により製造された半導体装置では、その側面に段差部が形成されるため、樹脂との密着性を確保することができる。

なお、上述した説明では、分割予定線が｛１１－２０｝面とは異なる方向に伸びている場合を例に挙げたが、分割予定線が｛１－１００｝面とは異なる方向に伸びている場合についても同様に、分割後の半導体ウェハの側面に段差部が形成される。

実施例１の半導体装置の側面図。 実施例１の半導体装置を上から見た図。 ＳｉＣの結晶構造を説明するための図。 実施例１の半導体装置の半導体基板のへき開によって段差部が形成された二つの側面の交差辺近傍の部分拡大図。 半導体ウェハの平面図。 実施例１の金属形成工程を説明するための図。 実施例１のクラック形成工程を説明するための図。 実施例１の分割工程を説明するための図。 分割予定線が伸びる方向を説明するための図。 分割工程により分割された半導体ウェハの分割面を示す光学顕微鏡写真。 個片化された複数の半導体装置を示す図。 実施例２の半導体装置を下から見た図。 実施例２の半導体装置を製造するための押圧部材の斜視図。 実施例２のクラック形成工程を説明するための図。

本明細書が開示する一例の半導体装置では、前記半導体基板の前記裏面に金属層が設けられていてもよい。前記金属層は、前記裏面の外周縁に沿って間隔を空けて設けられた複数の切り欠き部を有してもよい。前記複数の切り欠き部では、前記裏面が露出していてもよい。

このような構成では、金属層に、半導体基板の裏面の外周縁に沿って複数の切り欠き部が設けられている。このため、半導体装置を樹脂により封止するときに、樹脂が切り欠き部にも入り込む。これにより、樹脂が、切り欠き部内においてもアンカーとして機能する。したがって、半導体装置と樹脂との密着性をより確保することができる。

本明細書が開示する一例の半導体装置では、前記各側面は、少なくとも一部がへき開面であってもよい。

本明細書が開示する一例の製造方法では、前記クラックを形成する工程では、前記分割予定線に沿って前記金属層に前記押圧部材を押し当てることにより、前記金属層に、前記分割予定線に沿って間隔を空けて配列されているとともに前記半導体ウェハの前記第１表面まで達する複数の穴を形成してもよい。

このような構成では、分割予定線に沿って半導体ウェハに押圧部材を押し当てたときに、間隔を空けて配列された穴に沿って金属層が分割される。このため、分割後には、半導体ウェハの第１表面が、その外周縁に沿って間隔を空けて露出することとなる。すなわち、分割後の金属層には、その外周縁に沿って間隔を空けて設けられた複数の切り欠き部が形成される。このため、この製造方法により製造された半導体装置を樹脂により封止するときには、樹脂が切り欠き部にも入り込む。これにより、樹脂が、切り欠き部内においてもアンカーとして機能する。したがって、半導体装置と樹脂との密着性をより確保することができる。

（実施例１）
以下、図面を参照して、実施例１の半導体装置１０について説明する。図１に示すように、半導体装置１０は、半導体基板１２と、金属層４０を備えている。半導体基板１２は、表面１２ａと、表面１２ａの反対側に位置する裏面１２ｂと、表面１２ａと裏面１２ｂとを接続する側面１２ｃを有している。図２に示すように、半導体基板１２は、上から見たときに、四角形の形状を有している。図示されていないが、半導体基板１２には、トランジスタやダイオード等の機能を有する半導体素子が形成されている。半導体基板１２は、ＳｉＣ（炭化シリコン）により構成されている。なお、半導体基板１２は、ＧａＮ（窒化ガリウム）等の他の半導体材料によって構成されていてもよい。

半導体基板１２は、図３に示す六方晶の結晶構造を有している。図３に示すように、半導体基板１２は、複数の結晶面（（１１－２０）面等）を有している。図示していないが、図３の紙面に平行な面が（０００１）面である。本実施例では、半導体基板１２の表面１２ａが（０００１）面である。図１及び図４に示すように、半導体基板１２の各側面１２ｃには、段差部３０が形成されている。図４に示すように、段差部３０は、半導体基板１２の表面１２ａの周縁が伸びる方向（半導体基板１２を上から見たときに側面１２ｃが伸びる方向）に沿って繰り返し出現する凸部３０ａ及び凹部３０ｂを有している。各凸部３０ａ及び各凹部３０ｂは、半導体基板１２の厚み方向に沿って線状に伸びている。複数の凸部３０ａ及び複数の凹部３０ｂにより半導体基板１２の各側面１２ｃ（図４では仮想線により示す）が構成されている。凸部３０ａ及び凹部３０ｂを構成する各面は、図３に示す結晶面のいずれかに一致している。すなわち、各側面１２ｃは、半導体基板１２の複数の結晶面を含んでいる。図１に示すように、段差部３０は、半導体基板１２の厚み方向において、半導体基板１２の表面１２ａから裏面１２ｂに達しない位置まで形成されている。段差部３０が形成されていない部分の半導体基板１２の厚みは、特に限定されないが、例えば、約１０μｍである。

図１に示すように、金属層４０は、半導体基板１２の裏面１２ｂに設けられている。金属層４０を構成する材料は特に限定されないが、金属層４０は、例えば、チタン、ニッケル及び金を積層した多層膜である。金属層４０は、半導体基板１２の裏面１２ｂの略全域に設けられている。金属層４０は、半導体装置１０の電極として機能する。なお、図示していないが、半導体基板１２の表面１２ａに電極が設けられていてもよい。

本実施例の半導体装置１０は、例えば、半導体モジュールを製造するために、樹脂により封止されることがある。本実施例の半導体装置１０では、半導体基板１２の各側面１２ｃに、半導体基板１２の表面１２ａの周縁が伸びる方向に沿って凸部３０ａと凹部３０ｂが繰り返される段差部３０が設けられている。このため、半導体装置１０を樹脂により封止するときに、樹脂が、段差部３０（凹部３０ｂ）に入り込むことでアンカーとして機能する。これにより、封止後の半導体装置１０と樹脂との間の剥離が抑制される。このように、本実施例の半導体装置１０では、半導体基板１２の各側面１２ｃの段差部３０により、樹脂との密着性を確保することができる。

次に、半導体装置１０の製造方法について説明する。まず、図５に示す半導体ウェハ２を準備する。半導体ウェハ２には、複数の素子領域３がマトリクス状に形成されている。図５では、各素子領域３を実線により模式的に示している。説明の便宜上、隣り合う素子領域３の間の境界であって、後に半導体ウェハ２を個々の素子領域３に分割する際の分割線を分割予定線４と称する。すなわち、分割予定線４は、半導体ウェハ２を複数の四角形領域に区画するように延びている。分割予定線４は、実際に半導体ウェハ２の上に記された線ではなく、仮想的な線である。分割予定線４は、目視できるように、実際に半導体ウェハ２の上に描かれた線や溝であってもよい。各素子領域３には、トランジスタやダイオード等の機能を有する半導体素子が形成されている。半導体ウェハ２は、ＳｉＣ（炭化シリコン）により構成されている。なお、半導体ウェハ２は、ＧａＮ（窒化ガリウム）等の他の半導体材料によって構成されていてもよい。図６等に示すように、半導体ウェハ２は、第１表面２ａと、第１表面２ａの裏側に位置する第２表面２ｂを有している。なお、後述するが、分割予定線４は、半導体ウェハ２の｛１１－２０｝面とは異なる方向に沿って伸びている。

（金属層形成工程）
図５に示す半導体ウェハ２に対して、図６に示す金属層形成工程を実施する。金属層形成工程では、半導体ウェハ２の第１表面２ａに金属層４０を形成する。金属層４０は、チタン、ニッケル及び金を積層した多層膜である。金属層４０は、第１表面２ａの略全域を覆うように形成される。すなわち、金属層４０は、複数の素子領域３に跨るように第１表面２ａ上に形成される。金属層４０は、完成した半導体装置の電極として機能する。

（クラック形成工程）
次に、図７に示すクラック形成工程を実施する。クラック形成工程では、半導体ウェハ２の第１表面２ａ側から、金属層４０の表面４０ａに対して、スクライビングホイール６０を押し当てることにより、半導体ウェハ２にクラック５を伴うスクライブラインを形成する。スクライビングホイール６０は、円板状（円環状）の部材であり、支持装置（不図示）に回転可能に軸支されている。ここでは、スクライビングホイール６０を金属層４０の表面４０ａに押し当てながら、分割予定線４に沿って移動（走査）させる。スクライビングホイール６０は、分割予定線４に沿って移動する際に、路面上を転がるタイヤのように金属層４０の表面４０ａ上を転がる（転動する）。スクライビングホイール６０は、周縁部分が鋭くなっており、金属層４０の表面４０ａに分割予定線４に沿って、金属層４０が塑性変形したライン（スクライブライン）を形成する。表面４０ａがスクライビングホイール６０により押圧されると、半導体ウェハ２の内部には、金属層４０を介して第１表面２ａの表層の領域に圧縮応力が生じる。スクライビングホイール６０による押圧箇所にはスクライブライン（すなわち、溝）が形成される一方で、圧縮応力が生じた領域の直下では、半導体ウェハ２の内部に引張応力が生じる。引張応力は、圧縮応力が生じる領域の直下において、半導体ウェハ２の第１表面２ａに沿って、分割予定線４から離れる方向に生じる。この引張応力により、半導体ウェハ２の内部に、半導体ウェハ２の厚み方向に伸びるクラック５が形成される。ここでは、スクライビングホイール６０を、表面４０ａに押し当てながら、分割予定線４に沿って移動させることにより、隣り合う素子領域３の境界に沿うとともに、半導体ウェハ２の厚み方向に伸びるように、クラック５が形成される。クラック５は、半導体ウェハ２の第１表面２ａの表層近傍に形成される。スクライビングホイール６０が「押圧部材」の一例である。

（分割工程）
次に、図８に示す分割工程を実施する。図８では、第２表面２ｂを上にして半導体ウェハ２が描かれていることに留意されたい。分割工程では、分割予定線４（クラック形成工程で形成されたクラック５）に沿ってブレイクプレート６２を押し当て、分割予定線４に沿って（素子領域３の境界に沿って）半導体ウェハ２を分割する。ここでは、半導体ウェハ２の第２表面２ｂにブレイクプレート６２を押し当てる。ブレイクプレート６２は、板状の部材であり、下端（第２表面２ｂに押し当てられる端縁）部分が稜線状（鋭い刃状）になっているが、半導体ウェハ２を切削することなく、押し付けられるだけである。

ブレイクプレート６２を第２表面２ｂに押し当てると、半導体ウェハ２が撓む。ここで、クラック５は、半導体ウェハ２の第１表面２ａ側に形成されている。このため、半導体ウェハ２に第２表面２ｂ側からブレイクプレート６２を押し当てると、押し当てられた部分（ライン）を軸として半導体ウェハ２が撓み、第１表面２ａ側ではクラック５に対して分割位置に隣接する２つの素子領域３を引き離す方向に力が加わる。また、上述したように、クラック５の周囲には引張応力が印加されている。このため、第２表面２ｂにブレイクプレート６２を押し当てると、クラック５が半導体ウェハ２の厚み方向に伸展し、クラック５を起点として、半導体ウェハ２が結晶面に沿ってへき開する。これにより、半導体ウェハ２が分割される。すなわち、半導体ウェハ２の分割面（図１等に示す側面１２ｃ）はへき開面となる。また、金属層４０は、半導体ウェハ２の第１表面２ａ上に形成されているので、金属層４０に対しても分割位置に隣接する２つの素子領域３を引き離す方向に力が加わり、金属層４０が引き離されるように変形して分割予定線４に沿って分割される。ブレイクプレート６２は、「分割部材」の一例である。

ここで、本実施例では、半導体ウェハ２が、六方晶の結晶構造を有している。図９に示すように、六方晶の結晶構造では、結晶面の一つである｛１１－２０｝面（図９では、（１１－２０）面及び（－１－１２０）面を図示）が、複数の結晶格子に亘って途切れることなく直線的に伸びている。このため、仮に分割予定線４が｛１１－２０｝面に一致する方向に沿って伸びている場合、スクライビングホイール６０を半導体ウェハ２に押し当てると、クラック５が｛１１－２０｝面に沿って形成される。上述したように、半導体ウェハ２が分割されるときには、半導体ウェハ２がクラック５を起点として、結晶面に沿ってへき開する。このため、｛１１－２０｝面に一致する分割予定線４に沿ってブレイクプレート６２を半導体ウェハ２に押し当てると、半導体ウェハ２が｛１１－２０｝面に沿って直線的に分割され得る。この場合、分割後の半導体ウェハ２の側面（分割面）の少なくとも１つが｛１１－２０｝面となり、当該分割面が滑らかな平坦面となる。

これに対して、本実施例の製造方法では、図９に示すように、分割予定線４が半導体ウェハ２の｛１１－２０｝面とは異なる方向（｛１１－２０｝面から角度θだけ傾斜する方向）に沿って伸びている。このため、スクライビングホイール６０を半導体ウェハ２に押し当てたときに、クラック５が｛１１－２０｝面とは異なる方向に沿って（分割予定線４に沿って）形成される。したがって、クラック５を起点として半導体ウェハ２が分割されるときには、半導体ウェハ２が、複数の結晶面が露出するようにジグザグにへき開する。その結果、分割後の半導体ウェハ２の側面（分割面）には、複数の結晶面により構成される複数の凸部及び複数の凹部を有する段差部（図４に示す段差部３０）が形成される。図１０は、上述した分割工程により分割された半導体ウェハ２の分割面を示す光学顕微鏡写真である。図１０に示すように、図１０の左右方向に沿って、凸部３０ａと凹部３０ｂが繰り返し出現する段差部３０が形成されていることがわかる。

分割工程では、上述のブレイクプレート６２を第２表面２ｂに押し当てる工程を、各分割予定線４に沿って繰り返し実施する。これにより、半導体ウェハ２と金属層４０を各素子領域３の境界に沿って分割することができる。これにより、図１１に示すように、半導体ウェハ２が複数の半導体装置１０に個片化される。これにより、金属層４０（電極）が形成された複数の半導体装置１０が完成する。なお、図１１では、段差部３０の図示を省略している。

以上に説明したように、本実施例の製造方法では、クラック５が｛１１－２０｝面とは異なる方向に沿って形成されるので、分割後の半導体ウェハ２の側面に段差部３０が形成される。このため、例えば、この製造方法により製造された半導体装置１０を樹脂により封止するときには、段差部３０に入り込んだ樹脂が、アンカーとして機能する。これにより、封止後の半導体装置１０と樹脂との間の剥離が抑制される。このように、本実施例の製造方法により製造された半導体装置１０では、その側面１２ｃに段差部３０が形成されるため、樹脂との密着性を確保することができる。

なお、本実施例の製造方法では、分割予定線４に沿ってクラック５が形成される。このため、分割工程において半導体ウェハ２を分割するときには、図１０に示すように、クラック５が形成されている深さ範囲Ｒには段差部３０が形成されず、当該範囲Ｒは略平坦な面となる。しかしながら、当該範囲Ｒの深さは、半導体ウェハ２の厚み全体に対して極めて小さいため、製造される半導体装置１０において、樹脂に対する密着性にはほとんど影響を与えない。

（実施例２）
実施例２の半導体装置１００では、金属層１４０の構成が実施例１と異なっている。実施例１では、金属層４０が、半導体基板１２の裏面１２ｂの略全域に設けられていた。本実施例では、図１２に示すように、金属層１４０が、半導体基板１２の裏面１２ｂの外周縁に沿って所定の間隔で設けられた複数の切り欠き部１４１を有している。各切り欠き部１４１では、半導体基板１２の裏面１２ｂが露出している。

本実施例では、金属層１４０に、半導体基板１２の裏面１２ｂの外周縁に沿って複数の切り欠き部１４１が設けられている。このため、半導体装置１００を樹脂により封止するときに、樹脂が切り欠き部１４１にも入り込む。これにより、樹脂が、切り欠き部１４１内においてもアンカーとして機能する。したがって、半導体装置１００と樹脂との密着性をより確保することができる。

次に、実施例２の半導体装置１００の製造方法について説明する。実施例２の製造方法では、実施例１と比較して、クラック形成工程が異なっている。その他の工程（金属層形成工程、分割工程等）については、実施例１と同様である。

実施例２では、図１３に示すスクライビングホイール１６０が使用される。スクライビングホイール１６０は、実施例１のスクライビングホイール６０と比較して、周縁部分の構成が異なっている。スクライビングホイール１６０の周縁部分は、スクライビングホイール１６０の回転軸方向から見て、波形状を有している。すなわち、周縁部分には、スクライビングホイール１６０の周方向に沿って複数の溝１６１が設けられ、スクライビングホイール１６０の外周を構成する稜線が断続的に存在している。

本実施例では、図１４に示すように、金属層１４０の表面１４０ａに対して、スクライビングホイール１６０を押し当てることにより、半導体ウェハ２にクラック５を形成する。スクライビングホイール１６０は、周縁部分が波形状を有している（複数の溝１６１が設けられている）ので、スクライビングホイール１６０を分割予定線４に沿って一定の荷重で移動（転動）させると、金属層１４０に対する押圧力が大きい領域と小さい領域とが、分割予定線４に沿って所定の間隔で繰り返し出現する。これにより、半導体ウェハ２には、分割予定線４に沿ってクラック５が形成される一方、金属層１４０には、スクライビングホイール１６０の外周に断続的に存在する稜線に対応して、分割予定線４に沿って間隔を空けて配列される穴１４２が形成される。ここでは、金属層１４０の表面１４０ａから半導体ウェハ２の第１表面２ａまで達する穴１４２が形成される荷重で、スクライビングホイール１６０を転動させる。すなわち、この工程では、各穴１４２の底部に半導体ウェハ２の第１表面２ａが露出する。その後、実施例１と同様に、分割工程を行うことにより、半導体ウェハ２が複数の半導体装置１００に個片化される。

実施例２では、半導体ウェハ２にクラック５を形成するときに、金属層１４０に対して、分割予定線４に沿って間隔を空けて配列された複数の穴１４２を同時に形成する。したがって、分割予定線４に沿って半導体ウェハ２にブレイクプレート６２を押し当てたときに、間隔を空けて配列された穴１４２に沿って金属層１４０が分割される。このため、分割後には、半導体ウェハ２の第１表面２ａが、その外周縁に沿って間隔を空けて露出することとなる。すなわち、分割後の金属層１４０には、その外周縁に沿って間隔を空けて設けられた複数の切り欠き部（図１２の符号１４１）が形成される。このため、本実施例の製造方法により製造された半導体装置１００は、樹脂により封止するときに、樹脂が切り欠き部にも入り込む。これにより、樹脂が、切り欠き部内においてもアンカーとして機能する。したがって、半導体装置１００と樹脂との密着性をより確保することができる。

以上、実施形態について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独あるいは各種の組み合わせによって技術有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの１つの目的を達成すること自体で技術有用性を持つものである。

２：半導体ウェハ、２ａ：第１表面、２ｂ：第２表面、４：分割予定線、５：クラック、１０：半導体装置、１２：半導体基板、１２ａ：表面、１２ｂ：裏面、１２ｃ：側面、３０：段差部、３０ａ：凸部、３０ｂ：凹部、４０：金属層

Claims (5)

1. 上から見たときに四角形であり、表面（１２ａ）と、前記表面の反対側に位置する裏面（１２ｂ）と、前記表面及び前記裏面を接続する４つの側面（１２ｃ）と、を有する半導体基板（１２）を備え、
   前記各側面は、前記半導体基板の前記表面の周縁が伸びる方向に沿って凸部（３０ａ）と凹部（３０ｂ）が交互に繰り返し出現する段差部（３０）を有している、
   半導体装置（１０、１００）。
2. 前記半導体基板の前記裏面に金属層（１４０）が設けられており、
   前記金属層は、前記裏面の外周縁に沿って間隔を空けて設けられた複数の切り欠き部（１４１）を有しており、
   前記複数の切り欠き部では、前記裏面が露出している、請求項１に記載の半導体装置（１００）。
3. 前記各側面は、少なくとも一部がへき開面である、請求項１又は２に記載の半導体装置。
4. 六方晶の結晶構造を有する半導体ウェハ（２）の第１表面（２ａ）に形成された金属層（４０、１４０）の表面（４０ａ、１４０ａ）に、前記半導体ウェハを複数の四角形領域に区画するように延びる分割予定線（４）に沿って押圧部材（６０、１６０）を押し当てることにより、前記半導体ウェハに前記分割予定線に沿うとともに前記半導体ウェハの厚み方向に伸びるクラック（５）を形成する工程と、
   前記クラックを形成する前記工程の後に、前記第１表面の反対側に位置する前記半導体ウェハの第２表面（２ｂ）に、前記分割予定線に沿って分割部材（６２）を押し当てることにより、前記クラックを起点として前記半導体ウェハと前記金属層を分割する工程、
   を備え、
   前記分割予定線が、前記半導体ウェハの｛１１－２０｝面もしくは｛１－１００｝面とは異なる方向に沿って伸びている、
   製造方法。
5. 前記クラックを形成する前記工程では、前記分割予定線に沿って前記金属層（１４０）に前記押圧部材（１６０）を押し当てることにより、前記金属層に、前記分割予定線に沿って間隔を空けて配列されているとともに前記半導体ウェハの前記第１表面まで達する複数の穴（１４２）を形成する、請求項４に記載の製造方法。
   

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