JP2024015537A - 放射線撮像装置、放射線撮像システムおよび放射線撮像装置の制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 リセット動作に起因する段差状のアーチファクトを低減する。【解決手段】 複数の画素に電荷を蓄積する蓄積動作中において駆動信号を行ごとに印加することにより前記複数の画素における電荷を行ごとにリセットする第１のリセット動作と、照射された放射線に基づく電荷を前記複数の画素に蓄積する第１の蓄積動作と、前記複数の画素から照射された放射線に応じた画像情報の出力を行う第１の読出動作と、前記複数の画素に電荷を蓄積する蓄積動作中において駆動信号を行ごとに印加することにより前記複数の画素における電荷を行ごとにリセットする第２のリセット動作と、前記画像情報のオフセット補正に用いるための電荷を蓄積する第２の蓄積動作と、オフセット画像情報の出力を行う第２の読出動作と、をこの順に前記検出部に行わせる制御部と、を有し、前記制御部は、前記第１のリセット動作の時間が前記第２のリセット動作の時間よりも長くなるように制御する。【選択図】 図１

Description

本発明は、放射線撮像装置、放射線撮像システムおよび放射線撮像装置の制御方法に関する。

現在、Ｘ線による医療画像診断や非破壊検査に用いる撮影装置として、半導体材料によって形成された平面検出器（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ、以下ＦＰＤと略す）を用いた放射線撮像装置が普及している。このような放射線撮像装置は、例えば医療画像診断においては、一般撮影のような静止画撮影や、透視撮影のような動画撮影のデジタル撮像装置として用いられている。このような撮像装置では、Ｘ線発生装置とＦＰＤの同期を行う構成が一般的であるが、ＦＰＤとＸ線発生装置との接続が必要であり、設置場所が制限されるという課題がある。

これに対して、特許文献１には、Ｘ線発生装置とＦＰＤの同期を行うことなく、ＦＰＤが有する各画素に接続されたバイアス線に流れる電流により、放射線の照射開始などを検出する技術が開示されている。具体的には、画素を順次走査することでリセット動作を行い、放射線の照射を検知したら、リセット動作を停止させ、蓄積動作へ移行する。放射線の照射が終了したら、順次画素の走査を行い、画像データの読出動作を行う。

また、特許文献１には、画像データの読出動作の後で、放射線が照射されない状態でリセット動作から読出動作までを同様に行い、オフセット補正データを読み出す技術が開示されている。

特開２０１１－２４９８９１号公報

変換素子の暗電流成分が時間的に変動する場合、特許文献１の技術では、放射線を検知した行の前後で生じる段差状のアーチファクトを補正できずに画質が低下する場合があることを本発明者らは見出した。特に、リセット動作を、インタレースと呼ばれる走査方向に隣接しない行、たとえば偶数行と奇数行を分けて走査する方式の場合、段差状のアーチファクトがより顕著となる場合がある。

上記の課題は、行列状に配置され、放射線を電荷に変換して画素出力値を出力する複数の画素を含む検出部と、前記複数の画素に電荷を蓄積する蓄積動作中において駆動信号を行ごとに印加することにより前記複数の画素における電荷を行ごとにリセットする第１のリセット動作と、照射された放射線に基づく電荷を前記複数の画素に蓄積する第１の蓄積動作と、前記複数の画素から照射された放射線に応じた画像情報の出力を行う第１の読出動作と、前記複数の画素に電荷を蓄積する蓄積動作中において駆動信号を行ごとに印加することにより前記複数の画素における電荷を行ごとにリセットする第２のリセット動作と、前記画像情報のオフセット補正に用いるための電荷を蓄積する第２の蓄積動作と、オフセット画像情報の出力を行う第２の読出動作と、をこの順に前記検出部に行わせる制御部と、を有し、前記制御部は、前記前記第１のリセット動作の時間よりも前記第２のリセット動作の時間が長くなるように、前記第２のリセット動作を前記検出部に行わせることを特徴とする放射線撮像装置により解決される。

本発明の少なくとも一つの実施形態により、リセット動作に起因するアーチファクトを低減し、良好な画質の放射線画像を得ることができる。

第１の実施形態に係る放射線撮像システムの構成例を示す図である。 第１の実施形態に係る放射線撮像装置の構成例を示す図である。 第１の実施形態に係る放射線撮像装置の動作を示すフローチャートである。 第１の実施形態に係る放射線撮像装置の駆動タイミングを示す図である。 第１の実施形態に係る放射線撮像装置の駆動タイミングを示す図である。 第１の実施形態に係る放射線撮像装置の補正メカニズムを示す図である。 第１の実施形態に係る放射線撮像装置の補正メカニズムを示す図である。

（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態による放射線撮像システムの構成例を示すブロック図である。放射線は、放射線崩壊によって放出される粒子（光子を含む）の作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギーを有するビーム、例えばＸ線や粒子線、宇宙線なども、含まれるものとする。以下、放射線がＸ線である例を説明する。

放射線撮像システムは、Ｘ線発生装置２０１、制御手段２０２、Ｘ線検知手段２０３、駆動手段２０４、読出し手段２０５、平面型検出器２０６、演算手段２０８、補正手段２０９及び表示手段（又はコンピュータ）２１０を有する。制御手段２０２は、Ｘ線検知手段２０３、駆動手段２０４及び読出し手段２０５を制御する。駆動手段２０４は、平面型検出器２０６を駆動する。

Ｘ線発生装置（放射線発生装置）２０１は、被写体を介して、平面型検出器２０６及びＸ線検知手段２０３にＸ線（放射線）を照射する。平面型検出器２０６は、Ｘ列×Ｙ行の行列状に配置された複数の画素を有し、各画素は被写体を透過したＸ線を電荷に変換して蓄積し、その蓄積した電荷を画素出力値として出力する。Ｘ線検知手段２０３は、Ｘ線の照射開始及び照射終了を検知し、Ｘ線の照射信号を制御手段２０２に出力する。

平面型検出器２０６は、Ｘ線検知手段２０３がＸ線の照射開始を検知すると、Ｘ線に応じた電荷の蓄積を開始し、Ｘ線検知手段２０３がＸ線の照射終了を検知すると、その蓄積した電荷に応じた画素出力値を読出し手段２０５に出力する。すると、読出し手段２０５は、Ｘ列×Ｙ行の画素のＸ線照射に応じた画像情報を出力する。

Ｘ線検知手段２０３は、時間ＴＸ及びＴＥを演算手段２０８に出力する。時間ＴＸは、図４に示すように、バイアス電圧印加開始時刻からＸ線照射開始検知時刻までの時間である。時間ＴＥは、図４に示すように、バイアス電圧印加開始時刻からＸ線照射終了検知時刻までの時間である。駆動手段２０４は、図４に示すように、Ｘ線照射開始時にリセット動作（空読み）を停止した行ＲＸを演算手段２０８に出力する。

演算手段２０８は、バイアス電圧印加開始時刻からＸ線照射開始検知時刻までの時間ＴＸ、バイアス電圧印加開始時刻からＸ線照射終了検知時刻までの時間ＴＥ及びリセット動作（空読み）を停止した行ＲＸを制御手段２０２に出力する。

制御手段２０２は、演算手段２０８からの情報をもとに、リセット動作を繰り返し、蓄積動作を行う制御をする。その後、蓄積した電荷に応じた画素出力値を読出し手段２０５に出力する。すると、読出し手段２０５は、Ｘ列×Ｙ行の画素のＸ線照射を含まないオフセット画像情報を出力する。補正手段２０９は、Ｘ線照射に応じた画像情報からＸ線照射を含まないオフセット画像情報を減算することにより、画像情報の補正を行う。

表示手段（又はコンピュータ）２１０は、補正手段２０９により補正された画像情報を表示（又は処理）する。ここで、表示手段（又はコンピュータ）２１０は、キーボートやタッチパネル等の種々の入力デバイスを有していてもよい。

図２は、図１の放射線撮像装置１０における駆動手段２０４、読出し手段２０５、及び平面型検出器２０６のより詳細な構成の例を示す図である。平面型検出器２０６は、垂直駆動回路１１４、検出部１１２及びバイアス電源部１０３を有する。読出し手段２０５は、読出し回路１１３、出力バッファアンプ１０９及びアナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換器１１０を有する。

平面型検出器２０６は、放射線を検出する素子である画素１００を２次元行列状に配置したセンサであり、放射線を検出して画像情報を出力する。図２では、説明の簡便化のために、３行×３列の画素１００を有する検出部１１２の例を示す。しかしながら、実際の平面型検出器２０６はより多画素であり、例えば１７インチの場合、約２８００行×約２８００列の画素を有している。

検出部１１２は、行列状に配置された複数の画素１００を有する。それぞれの画素１００は、放射線又は光を電荷に変換する変換素子Ｓ１１～Ｓ３３と、変換素子Ｓ１１～Ｓ３３の電荷に応じた電気信号を出力するスイッチ素子Ｔ１１～Ｔ３３とを有し、画素出力値を出力する。

変換素子Ｓ１１～Ｓ３３は、間接型の変換素子又は直接型の変換素子であり、照射された放射線を電荷に変換する。間接型の変換素子Ｓ１１～Ｓ３３は、放射線を光に変換する波長変換体と、その光を電荷に変換する光電変換素子とを有する。直接型の変換素子Ｓ１１～Ｓ３３は、放射線を直接電荷に変換する。照射された光を電荷に変換する光電変換素子としては、ガラス基板等の絶縁性基板上に配置されアモルファスシリコンを主材料とするＭＩＳ型フォトダイオードを用いることができる。また、光電変換素子は、ＰＩＮ型フォトダイオードでもよい。

スイッチ素子Ｔ１１～Ｔ３３は、制御端子と２つの主端子を有するトランジスタであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が好ましい。変換素子Ｓ１１～Ｓ３３は、それぞれ、一方の電極がスイッチ素子Ｔ１１～Ｔ３３の２つの主端子の一方に電気的に接続され、他方の電極が共通のバイアス線Ｂｓを介してバイアス電源部１０３と電気的に接続される。

１行目の複数のスイッチ素子Ｔ１１～Ｔ１３は、それらの制御端子が１行目の駆動線Ｒ１に共通に電気的に接続される。２行目の複数のスイッチ素子Ｔ２１～Ｔ２３は、それらの制御端子が２行目の駆動線Ｒ２に共通に電気的に接続される。３行目の複数のスイッチ素子Ｔ３１～Ｔ３３は、それらの制御端子が３行目の駆動線Ｒ３に共通に電気的に接続される。

垂直駆動回路１１４は、例えばシフトレジスタであり、駆動線Ｒ１～Ｒ３を介して、駆動信号をスイッチ素子Ｔ１１～Ｔ３３に供給することにより、スイッチ素子Ｔ１１～Ｔ３３の導通状態を行単位で制御する。

１列目の複数のスイッチ素子Ｔ１１～Ｔ３１は、それぞれ、一方の主端子が変換素子Ｓ１１～Ｓ３１に接続され、他方の主端子が１列目の信号線Ｓｉｇ１に電気的に接続されている。１列目のスイッチ素子Ｔ１１～Ｔ３１が導通状態である間に、１列目の変換素子Ｓ１１～Ｓ３１の電荷に応じた電気信号が、信号線Ｓｉｇ１を介して読出し回路１１３に出力される。

２列目の複数のスイッチ素子Ｔ１２～Ｔ３２は、それぞれ、一方の主端子が変換素子Ｓ１２～Ｓ３２に接続され、他方の主端子が２列目の信号線Ｓｉｇ２に電気的に接続されている。２列目のスイッチ素子Ｔ１２～Ｔ３２が導通状態である間に、２列目の変換素子Ｓ１２～Ｓ３２の電荷に応じた電気信号が、信号線Ｓｉｇ２を介して読出し回路１１３に出力される。

３列目の複数のスイッチ素子Ｔ１３～Ｔ３３は、それぞれ、一方の主端子が変換素子Ｓ１３～Ｓ３３に接続され、他方の主端子が３列目の信号線Ｓｉｇ３に電気的に接続されている。３列目のスイッチ素子Ｔ１３～Ｔ３３が導通状態である間に、３列目の変換素子Ｓ１３～Ｓ３３の電荷に応じた電気信号が、信号線Ｓｉｇ３を介して読出し回路１１３に出力される。列方向に複数配列された信号線Ｓｉｇ１～Ｓｉｇ３は、複数の画素１００から出力された電気信号を並列に読出し回路１１３に出力する。

読出し回路１１３は、信号線Ｓｉｇ１～Ｓｉｇ３の電気信号をそれぞれ増幅する増幅回路１０６を信号線Ｓｉｇ１～Ｓｉｇ３毎に設けている。各増幅回路１０６は、積分アンプ１０５と、可変ゲインアンプ１０４と、サンプルホールド回路１０７とを有する。

積分アンプ１０５は、信号線Ｓｉｇ１～Ｓｉｇ３の電気信号を増幅する。可変ゲインアンプ１０４は、積分アンプ１０５からの電気信号を可変ゲインで増幅する。サンプルホールド回路１０７は、可変ゲインアンプ１０４で増幅された電気信号をサンプルしホールドする。積分アンプ１０５は、信号線Ｓｉｇ１～Ｓｉｇ３の電気信号を増幅して出力する演算増幅器１２１と、積分容量１２２と、リセットスイッチ１２３とを有する。

積分アンプ１０５は、積分容量１２２の値を変えることにより、ゲイン（増幅率）を変更することが可能である。各列の演算増幅器１２１は、それぞれ、反転入力端子が信号線Ｓｉｇ１～Ｓｉｇ３に接続され、正転入力端子が基準電圧Ｖｒｅｆの基準電源部１１１に接続され、出力端子が増幅された電気信号を出力する。

基準電源部１１１は、各演算増幅器１２１の正転入力端子に基準電圧Ｖｒｅｆを供給する。積分容量１２２は、演算増幅器１２１の反転入力端子と出力端子の間に配置される。サンプルホールド回路１０７は、制御信号ＳＨのサンプリングスイッチ１２４と、サンプリング容量１２５とを有する。また、読出し回路１１３は、各列のスイッチ１２６と、マルチプレクサ１０８とを有する。

マルチプレクサ１０８は、各列のスイッチ１２６を順次導通状態することにより、各増幅回路１０６から並列に出力される電気信号を順次、出力バッファアンプ１０９にシリアル信号として出力する。出力バッファアンプ１０９は、電気信号をインピーダンス変換して出力する。アナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換器１１０は、出力バッファアンプ１０９から出力されたアナログ電気信号をデジタル電気信号に変換し、画像情報として図１の補正手段２０９に出力する。

バイアス電源部１０３は、電流－電圧変換回路１１５及びＡ／Ｄ変換器１２７を有する。電流－電圧変換回路１１５は、バイアス線Ｂｓにバイアス電圧Ｖｓを供給しつつ、バイアス線Ｂｓに流れる電流を電圧に変換し、Ａ／Ｄ変換器１２７に出力する。Ａ／Ｄ変換器１２７は、電流情報を有するアナログ電圧値を、電流情報を有するデジタル電圧値に変換して出力する。図１のＸ線検知手段２０３は、Ａ／Ｄ変換器１２７が出力する電流情報を用いてＸ線の照射開始及び照射終了を検知する。

垂直駆動回路１１４は、図１の駆動手段２０４から入力された制御信号Ｄ－ＣＬＫ，ＯＥ，ＤＩＯに応じて、スイッチ素子Ｔ１１～Ｔ３３を導通状態にする導通電圧と非道通状態とする非導通電圧を有する駆動信号を、各駆動線Ｒ１～Ｒ３に出力する。これにより、垂直駆動回路１１４は、スイッチ素子Ｔ１１～Ｔ３３の導通状態及び非導通状態を制御し、検出部１１２を駆動する。

制御信号Ｄ－ＣＬＫは、垂直駆動回路１１４として用いられるシフトレジスタのシフトクロックである。制御信号ＤＩＯは、垂直駆動回路１１４のシフトレジスタの転送パルスである。制御信号ＯＥは、垂直駆動回路１１４のシフトレジスタの出力イネーブル信号である。以上により、垂直駆動回路１１４は、駆動の時間と走査方向を設定する。

また、駆動手段２０４は、制御信号ＲＣ、制御信号ＳＨ、及び制御信号ＣＬＫを読出し回路１１３に出力することによって、読出し回路１１３の各構成要素の動作を制御する。制御信号ＲＣは、積分アンプ１０５のリセットスイッチ１２３の動作を制御するための信号である。制御信号ＳＨは、サンプルホールド回路１０７のサンプリングスイッチ１２４を制御するための信号である。制御信号ＣＬＫは、マルチプレクサ１０８の動作を制御するためのクロック信号である。

図３は図１の放射線撮像システムの制御方法を示すフローチャートであり、図４はその制御方法のタイミングチャートである。ステップＳ３０１では、平面検出器２０６の製品型番を判別する。ステップＳ３０２では、電流－電圧変換回路１１５は、図４に示すように、バイアス線Ｂｓにバイアス電圧Ｖｓの印加を開始する。

次に、ステップＳ３０３では、制御手段２０２は、Ｘ線の照射が開始されたか否かを判定する。Ｘ線検知手段２０３は、Ａ／Ｄ変換器１２７が出力する電流情報（照射されるＸ線に応じた電気信号）が閾値以上になった場合に、Ｘ線照射信号を制御手段２０２に出力する。制御手段２０２は、Ｘ線照射信号が入力された場合にはＸ線の照射が開始されたと判断し、Ｘ線照射信号が入力されない場合にはＸ線の照射が開始されていないと判断する。Ｘ線の照射が開始された場合にはステップＳ３０５に進み、Ｘ線の照射が開始されていない場合にはステップＳ３０４に進む。

ステップＳ３０４では、検出部１１２は、制御手段２０２の制御により、図４に示すように、駆動線Ｒ１～Ｒ１４を導通電圧にし、スイッチ素子Ｔ１１～Ｔ３３等を導通状態にする。これにより、暗電流の電荷蓄積により生じた変換素子Ｓ１１～Ｓ３３等の電荷をリセットするリセット動作が行われる。その後、ステップＳ３０３に戻る。検出部１１２は、Ｘ線の照射前に、暗電流によって生じた変換素子Ｓ１１～Ｓ３３等の電荷のリセットを行うリセット動作を繰り返し行う。

ステップＳ３０４のリセット動作（空読み）では、例えば、図４に示すように、インタレースのリセット動作が行われる。まず、偶数行の画素１００の駆動線Ｒ２，Ｒ４，Ｒ６，・・・，Ｒ１４が順次導通電圧になり、偶数行の画素１００のスイッチ素子Ｔ２１，Ｔ４１等が順次導通状態になり、偶数行の画素１００の変換素子Ｓ２１，Ｓ４１等の電荷がリセットされる。

次に、奇数行の画素１００の駆動線Ｒ１，Ｒ３，Ｒ５，・・・，Ｒ１３が順次導通電圧になり、奇数行の画素１００のスイッチ素子Ｔ１１，Ｔ３１等が順次導通状態になり、奇数行の画素１００の変換素子Ｓ１１，Ｓ３１等の電荷がリセットされる。上記の偶数行のリセットと奇数行のリセットとの組みの動作は、Ｘ線開始が検知されるまで、繰り返し行われる。

Ｘ線照射開始の検知後、ステップＳ３０５では、駆動手段２０４は、Ｘ線検知行ＲＸを記憶する。Ｘ線検知行ＲＸは、Ｘ線照射の開始によりリセット動作（空読み）を停止した行ＲＸを示し、図４の場合には駆動線Ｒ４に対応する４行目である。

次に、ステップＳ３０６では、駆動手段２０４は、制御手段２０２を介して、Ｘ線検知手段２０３から時間ＴＸを入力し、時間ＴＸを記憶する。時間ＴＸは、図４に示すように、バイアス電圧印加開始時刻からＸ線照射開始検知時刻までの時間である。

次に、ステップＳ３０７は、制御手段２０２は、Ｘ線の照射が終了したか否かを判定する。Ｘ線検知手段２０３は、Ａ／Ｄ変換器１２７が出力する電流情報（照射されるＸ線に応じた電気信号）が閾値未満になった場合に、Ｘ線照射信号の出力を停止する。また、Ｘ線検知手段２０３は、Ｘ線照射開始の検知時刻から所定時間（Ｘ線照射期間）経過後に、Ｘ線照射信号の出力を停止してもよい。

制御手段２０２は、Ｘ線照射信号の入力が停止された場合にはＸ線の照射が終了したと判断し、Ｘ線照射信号が入力されている場合にはＸ線の照射が終了していないと判断する。Ｘ線の照射が終了した場合にはステップＳ３０９に進み、Ｘ線の照射が終了していない場合にはステップＳ３０８に進む。ステップＳ３０８では、検出部１１２は、制御手段２０２の制御により、電荷の蓄積動作を行う。その後、ステップＳ３０７に戻る。

電荷の蓄積動作は、図４に示すように、全ての駆動線Ｒ１～Ｒ１４を非導通電圧にし、全ての画素１００のスイッチ素子Ｔ１１～Ｔ３３等を非導通状態にして、Ｘ線の照射に応じた電荷を変換素子Ｓ１１～Ｓ３３等に蓄積する動作である。Ｘ線の照射が終了するまで、変換素子Ｓ１１～Ｓ３３等において電荷の蓄積動作が行われる。

Ｘ線照射終了の検知後、ステップＳ３０９では、駆動手段２０４は、制御手段２０２を介して、Ｘ線検知手段２０３から時間ＴＥを入力し、時間ＴＥを記憶する。時間ＴＥは、図４に示すように、バイアス電圧印加開始時刻からＸ線照射終了時刻までの時間である。

次に、ステップＳ３１０では、検出部１１２は、制御手段２０２の制御により、Ｘ線の照射に応じた電荷を読み出す読出動作５０２を行う。読出動作５０２では、駆動線Ｒ１～Ｒ１４が順次、導通電圧のパルスになり、スイッチ素子Ｓ１１～Ｓ３３等が行単位で順次、導通状態になり、先頭行の画素１００から最終行の画素１００まで行単位で順番に信号線Ｓｉｇ１～Ｓｉｇ３等に電気信号が出力される。Ａ／Ｄ変換器１１０は、先頭行から最終行までの画素１００のＸ線照射に応じた画像情報を出力する。

次に、ステップＳ３１１では、段差補正用蓄積動作ＥＷ１とＥＷ２の時間を決定する。具体的には、バイアス電圧印加開始時刻からＸ線照射開始検知時刻までの時間ＴＸ、バイアス電圧印加開始時刻からＸ線照射終了検知時刻までの時間ＴＥから、Ｘ線撮影時にそれぞれの画素１００に含まれる暗電流成分に応じて決定する。

なお、段差補正用蓄積動作ＥＷ１とＥＷ２は、ステップ３０８のＸ線画像用蓄積動作とステップ３１７のオフセット補正画像用蓄積動作と同じ動作を行うが、段差補正用に意図して時間を追加するための蓄積動作である。バイアス電圧印加開始時刻からＸ線照射開始検知時刻までの時間ＴＸのみで、段差補正用蓄積動作ＥＷ１とＥＷ２の時間を決定する場合は、ステップ３０６と３０７の間に行うこともできる。

次に、ステップ３１２では、ステップＳ３０４のリセット動作（空読み）と同様にインタレースのリセット動作が行われる。まず、偶数行の画素１００の駆動線Ｒ２，Ｒ４，Ｒ６，・・・，Ｒ１４が順次導通電圧になり、偶数行の画素１００のスイッチ素子Ｔ２１，Ｔ４１等が順次導通状態になり、偶数行の画素１００の変換素子Ｓ２１，Ｓ４１等の電荷がリセットされる。

次に、奇数行の画素１００の駆動線Ｒ１，Ｒ３，Ｒ５，・・・，Ｒ１３が順次導通電圧になり、奇数行の画素１００のスイッチ素子Ｔ１１，Ｔ３１等が順次導通状態になり、奇数行の画素１００の変換素子Ｓ１１，Ｓ３１等の電荷がリセットされる。このとき、リセット動作（空読み）を停止した行ＲＸが偶数であるときは、偶数行のリセット動作を全駆動線だけ実施してステップ３１２を終了する。

リセット動作（空読み）を停止した行ＲＸが奇数であるときは、奇数行のリセット動作を全駆動線だけ実施してステップ３１２を終了する。それまでの偶数行と奇数行のリセット動作（空読み）の繰り返し回数は０回以上から任意で設定できる。

次に、ステップ３１３では、ステップＳ３１１で決定した段差補正用蓄積動作ＥＷ１だけ、検出部１１２は、制御手段２０２の制御により、電荷の蓄積動作を行う。電荷の蓄積動作は、図４に示すように、全ての駆動線Ｒ１～Ｒ１４を非導通電圧にし、全ての画素１００のスイッチ素子Ｔ１１～Ｔ３３等を非導通状態にして、Ｘ線の照射に応じた電荷を変換素子Ｓ１１～Ｓ３３等に蓄積する動作である。

次に、ステップ３１４では、ステップＳ３０４と同様にリセット動作（空読み）が行われる。リセット動作（空読み）を停止した行ＲＸが偶数であるときは、奇数行のリセット動作を全駆動線だけ実施してステップ３１４を終了する。リセット動作（空読み）を停止した行ＲＸが奇数であるときは、偶数行のリセット動作を全駆動線だけ実施してステップ３１４を終了する。

次に、ステップ３１５では、ステップＳ３１１で決定した段差補正用蓄積動作ＥＷ２だけ、検出部１１２は、制御手段２０２の制御により、電荷の蓄積動作を行う。電荷の蓄積動作は、図４に示すように、全ての駆動線Ｒ１～Ｒ１４を非導通電圧にし、全ての画素１００のスイッチ素子Ｔ１１～Ｔ３３等を非導通状態にして、Ｘ線の照射に応じた電荷を変換素子Ｓ１１～Ｓ３３等に蓄積する動作である。

次に、ステップ３１６では、リセット動作（空読み）を停止した行ＲＸが偶数であるときは、偶数行のリセット動作を、リセット動作（空読み）を停止した行ＲＸまで実施してステップ３１６を終了する。リセット動作（空読み）を停止した行ＲＸが奇数であるときは、奇数行のリセット動作を、リセット動作（空読み）を停止した行ＲＸまで実施してステップ３１６を終了する。

次に、ステップ３１７では、バイアス電圧印加開始時刻からＸ線照射終了検知時刻までの時間ＴＥから、バイアス電圧印加開始時刻からＸ線照射開始検知時刻までの時間ＴＸまでの時間を減算した時間だけ電荷の蓄積動作を行う。

電荷の蓄積動作は、図４に示すように、全ての駆動線Ｒ１～Ｒ１４を非導通電圧にし、全ての画素１００のスイッチ素子Ｔ１１～Ｔ３３等を非導通状態にして、Ｘ線の照射に応じた電荷を変換素子Ｓ１１～Ｓ３３等に蓄積する動作である。

次に、ステップＳ３１８では、検出部１１２は、制御手段２０２の制御により、Ｘ線の照射を含まない電荷を読み出す読出動作５０２を行う。読出動作５０２では、駆動線Ｒ１～Ｒ１４が順次、導通電圧のパルスになり、スイッチ素子Ｓ１１～Ｓ３３等が行単位で順次、導通状態になり、先頭行の画素１００から最終行の画素１００まで行単位で順番に信号線Ｓｉｇ１～Ｓｉｇ３等に電気信号が出力される。Ａ／Ｄ変換器１１０は、先頭行から最終行までの画素１００からＸ線照射を含まない画像情報を出力する。

次に、行方向に生じる偶奇数行の段差状（縞状）のアーチファクトを低減するメカニズムを説明する。図５は、バイアス電圧印加後の放射線撮像システムの駆動タイミング図である。制御手段２０２は、放射線の照射開始が検知されるまでの間、第一の群の走査行と第二の群の走査行を繰り返し走査する、すなわちインタレースでのリセット動作５０５を行う。

Ｘ線検知手段２０３により放射線の照射開始が検知されると、制御手段２０２は、走査中のリセット動作を停止させ、放射線の照射終了までの期間は放射線画像用蓄積動作５０６を行い、続けて放射線画像の読出動作５０７を行う。その後、第一の群の走査行と第二の群の走査行を繰り返し走査するインタレースでのリセット動作５０８を再度行う。放射線の照射を検知した群の検知した行まで走査した上で走査を停止し、オフセット画像用蓄積動作５０９を行い、続けてオフセット補正画像の読出動作５１０を行い、オフセット補正画像を読み出す。

図５では、Ｘ線照射の開始によりリセット動作５０５を停止した行ＲＸは、駆動線Ｒ４に対応する４行目でＸ線を検知した場合を示している。リセット動作５０５、放射線画像用蓄積動作５０６、放射線画像の読出動作５０７における、奇数行Ｒ３の電荷蓄積時間には、暗電流成分５０１が生じる。リセット動作５０８、オフセット画像用蓄積動作５０９、オフセット画像の読出動作５１０における、奇数行Ｒ３の電荷蓄積時間には、暗電流成分５０３が生じる。

リセット動作５０５、放射線画像用蓄積動作５０６、放射線画像の読出動作５０７における、偶数行Ｒ４の電荷蓄積時間には、暗電流成分５０２が生じる。リセット動作５０８、オフセット画像用蓄積動作５０９、オフセット画像の読出動作５１０における、偶数行Ｒ４の電荷蓄積時間には、暗電流成分５０４が生じる。

このとき、図５に示すように、放射線画像の奇数行Ｒ３に含まれる暗電流成分５０１と、オフセット補正画像の奇数行Ｒ３に含まれる暗電流成分５０３は同じにならない。放射線画像の偶数行Ｒ４に含まれる暗電流成分５０２と、オフセット補正画像の偶数行Ｒ４に含まれる暗電流成分５０４も同じにならない。

結果として、Ｘ線照射を含む画像情報からＸ線照射を含まない画像情報を減算したオフセット補正後画像でも、奇数行Ｒ３と偶数行Ｒ４の暗電流成分はキャンセルしきれず、残存暗電流成分が残ってしまう。このＲ３とＲ４の残存暗電流成分の差分が原因で、放射線画像には段差状のアーチファクトが発生する。

そこで図６に示すように、放射線画像の読出動作後のリセット動作において、第一の群の走査と第二の群の走査期間中に、第一の群のリセット動作後に蓄積動作６０５、第二の群のリセット動作後に蓄積動作６０６の少なくとも何れかの任意の蓄積時間を加える。その後、図５と同様に、放射線の照射を検知した群の検知した行まで走査した上で走査を停止し、オフセット補正画像用蓄積動作を行い、オフセット補正画像用蓄積動作後に、オフセット補正画像を読み出す。
すなわち、放射線画像の読出動作後のリセット動作の開始から終了までの間に、さらに任意の蓄積時間を加えることで、放射線画像の読出動作後のリセット動作の時間が、放射線画像の読出動作前のリセット動作の時間よりも長くなるようにする。このようにすれば、放射線画像に含まれる暗電流成分と、オフセット補正画像に含まれる暗電流成分を合わせることができるので、放射線画像に発生するアーチファクトを低減することができる。

任意の時間の段差補正用蓄積動作６０６により、オフセット補正画像の奇数行Ｒ３に含まれる暗電流成分６０３が増加する。結果、Ｘ線照射を含む画像情報からＸ線照射を含まない画像情報を減算したオフセット補正後画像において、奇数行Ｒ３と偶数行Ｒ４の暗電流成分の差分が小さくなり、段差が改善する。

図７は、バイアス電圧印加後の放射線撮像装置１０の駆動タイミングを示す図である。図６と同様に、放射線画像の読出動作後のリセット動作において、第一の群の走査と第二の群の走査期間中に、第一の群と第二の群の少なくとも何れかに任意の時間の段差補正用の蓄積動作７０５、７０６を加え走査を行う。以下、図７が図６と異なる点を説明する。

任意の時間の段差補正用蓄積動作７０５により、オフセット補正画像の偶数行Ｒ６に含まれる暗電流成分７０５が増加する。結果、Ｘ線照射を含む画像情報からＸ線照射を含まない画像情報を減算したオフセット補正後画像の奇数行Ｒ５と偶数行Ｒ６の暗電流成分の差分が小さくなり、段差が改善する。

図７に示すように、Ｘ線照射の開始によりリセット動作５０５を停止した行ＲＸ（図７ではＲ４に相当）を境に、奇数行と偶数行の電荷蓄積時間の大小関係が逆転する。この特性から、段差補正用蓄積動作７０５と７０６は、第一の群の走査と第二の群の走査の双方の間に実施する。それぞれ段差補正用蓄積動作７０５は、行ＲＸよりも後の行の段差補正を行い、段差補正用蓄積動作７０６は、行ＲＸよりも前の行の段差補正を行う。

図７に示すように、放射線画像の奇数行のＲ５に含まれる暗電流成分７０２と、偶数行のＲ６に含まれる暗電流成分７０１は異なる。このため、段差補正用蓄積動作７０５、７０６の時間は必ずしも同じである必要はない。

なお、ここまでの説明においては、電荷蓄積時間の差が大きくアーチファクトが顕著に発生するインタレースでのリセット動作を例として記載しているが、この限りではない。例えば、リセット動作は図５におけるＲ１からＲ２、Ｒ３・・・と各行ごとに順次行うようにしてもよい。この場合においても、リセット動作５０５を停止した行の前後で電荷蓄積時間の差が発生するため、本実施形態の段差補正用蓄積動作によるアーチファクトの低減の効果を得ることができる。

（第２の実施形態）
検出部１１２では、Ｘ線が照射されていない期間でも暗電流が発生する。そのため、蓄積時間７０７が長いほど、暗電流成分７０１と７０２が大きくなる。蓄積時間７０７が短いほど、暗電流成分７０１と７０２が小さくなる。この特性から、制御手段２０２は、時間ＴＥから時間ＴＸまでの時間を減算した時間だけの蓄積時間７０７に応じて、段差補正用蓄積動作７０５と７０６の少なくとも一方の時間を制御する。

具体的には、蓄積時間７０７が長いほど、段差補正用蓄積動作７０５と７０６の少なくとも一方の時間を長くする。蓄積時間７０７が短いほど、段差補正用蓄積動作７０５と７０６の少なくとも一方の時間を短くする。上記制御によって、隣接する行同士の暗電流成分の差分を小さくして、段差を改善する。演算手段２０８は、縦軸を蓄積時間７０７、横軸を段差補正用蓄積動作７０５または７０６の時間としたテーブルをもち、蓄積時間７０７に応じて、段差補正用蓄積動作７０５または７０６の時間を制御可能である。

検出部１１２では、バイアス電圧印加開始時刻からＸ線照射開始検知時刻までの時間ＴＸに応じて、暗電流が変化する。具体的には、時間ＴＸが短ければ、暗電流の変化が急峻になり、隣接する行の暗電流成分の差分は大きくなる。時間ＴＸが長ければ、隣接する行の暗電流成分の差分は小さくなる。この特性から、バイアス電圧印加開始時刻からＸ線照射開始検知時刻までの時間ＴＸまでの時間に応じて、段差補正用蓄積動作７０５と７０６の少なくとも一方の時間を制御できる。

具体的には、バイアス電圧印加開始時刻からＸ線照射開始検知時刻までの時間ＴＸが短いほど、段差補正用蓄積動作７０５と７０６の少なくとも一方の時間を長くする。バイアス電圧印加開始時刻からＸ線照射開始検知時刻までの時間ＴＸが長いほど、段差補正用蓄積動作７０５と７０６の少なくとも一方の時間を短くする。上記制御によって、隣接する行同士の暗電流成分の差分を小さくして、段差を改善する。

演算手段２０８は、縦軸を時間ＴＸ、横軸を段差補正用蓄積動作７０５または７０６の時間としたテーブルをもち、時間ＴＸに応じて、段差補正用蓄積動作７０５または７０６の時間を制御可能である。

制御手段２０２は、環境温度をモニタする温度検出部をもっていてもよい。画素１００は、環境温度によっても、暗電流が変化する。例えば、環境温度が高ければ、暗電流の変化は急峻となり、環境温度が低ければ暗電流は緩やかに変化する。この特性から、環境温度に応じて、段差補正用蓄積動作７０５と７０６の少なくとも一方の時間を制御するとよい。

具体的には、環境温度が高ければ、低いときよりも段差補正用蓄積動作７０５と７０６の少なくとも一方の時間を長くするとよい。このような制御によって、隣接する行同士の暗電流成分の差分を小さくして、放射線画像におけるアーチファクトを低減することができる。

このとき、演算手段２０８は、縦軸を環境温度、横軸を段差補正用蓄積動作７０５または７０６の時間としたテーブルをもち、環境温度に応じて、段差補正用蓄積動作７０５または７０６の時間を制御するようにしてもよい。

また、平面検出器２０６のセンサの種類（サイズ、メーカ等の違い）によっても、同じ温度に対する暗電流成分は異なる。よって、例えば演算手段２０８などに、センサの種類を判別できる機能を持たせ、図３のＳ３０１のタイミングで平面検出器２０６のセンサの種類を判別してもよい。

このようにして得られた平面検出器２０６のセンサの種類ごとに、前記温度検出部がモニタする温度に応じて、段差補正用蓄積動作７０５または７０６の時間を制御してもよい。例えば、演算手段２０８は、センサの種類と、環境温度と、段差補正用蓄積動作と、をテーブルとして持ち、センサの種類および環境温度から、段差補正用蓄積動作を決定してもよい。

ここで、センサの種類を判別する機能は演算手段２０８以外が有していてもよいし、表示手段（又はコンピュータ）２１０が有する入力手段によってユーザがセンサの種類を入力するようにしてもよい。

なお、蓄積時間７０７または、バイアス電圧印加開始時刻からＸ線照射開始検知時刻までの時間ＴＸまたは、環境温度の少なくともひとつ以上の組み合わせで、段差補正用の蓄積動作７０５と７０６の少なくとも一方の時間を制御することもできる。

以上のように、演算手段２０８は、蓄積時間７０７、バイアス電圧印加開始時刻からＸ線照射開始検知時刻までの時間ＴＸ、環境温度、センサの種類から、段差補正用蓄積動作７０５または７０６の時間を制御することが可能である。このようにして段差補正用蓄積動作７０５または７０６の時間を決定することにより、リセット動作に起因するアーチファクトを低減し、良好な画質の放射線画像を得ることができる。

（その他の実施形態）
本発明は、上述の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。

また、記録媒体は、フレキシブルディスク、光ディスク（例えばＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＯＭ）、光磁気ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリ（例えばＵＳＢメモリ）、ＲＯＭ等、種々の記録媒体を用いることができる。また、上述の機能を実施するプログラムを、ネットワークを介してダウンロードしてコンピュータにより実行するようにしてもよい。

また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上述の実施形態の機能が実現されるだけに限定するものではない。そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼働しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も含まれる。

さらに、記録媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれてもよい。そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述の機能が実現される場合も含まれる。

以上の実施形態に関し、発明の一側面および選択的な特徴として以下の付記を開示する。

（付記１）
行列状に配置され、放射線を電荷に変換して画素出力値を出力する複数の画素を含む検出部と、
前記複数の画素に電荷を蓄積する蓄積動作中において駆動信号を行ごとに印加することにより前記複数の画素における電荷をリセットする第１のリセット動作と、照射された放射線に基づく電荷を前記複数の画素に蓄積する第１の蓄積動作と、前記複数の画素から照射された放射線に応じた画像情報の出力を行う第１の読出動作と、前記複数の画素に電荷を蓄積する蓄積動作中において駆動信号を行ごとに印加することにより前記複数の画素における電荷を行ごとにリセットする第２のリセット動作と、前記画像情報のオフセット補正に用いるための電荷を蓄積する第２の蓄積動作と、オフセット画像情報の出力を行う第２の読出動作と、をこの順に前記検出部に行わせる制御部と、を有し、
前記制御部は、前記第１のリセット動作の時間よりも前記第２のリセット動作の時間が長くなるように、前記第２のリセット動作を前記検出部に行わせること
を特徴とする放射線撮像装置。

（付記２）
前記制御部は、前記第１のリセット動作および前記第２のリセット動作を、前記複数の画素のうちの第１の群と第２の群とを交互に走査するインタレース方式で前記検出部に行わせるようにしてもよい。

（付記３）
前記制御部は、前記第１のリセット動作の時間よりも前記第２のリセット動作の時間が長くなるように、前記第１のリセット動作における、前記第１の群の走査の間および前記第２の群の走査の間の両方で前記複数の画素に電荷を蓄積する第３の蓄積動作を行わせるようにしてもよい。

（付記４）
前記制御部は、前記第１の群の走査の間に行う前記第３の蓄積動作と、前記第２の群の走査の間に行う前記第３の蓄積動作と、のそれぞれの時間を制御するようにしてもよい。

（付記５）
前記制御部は、前記第１の群の走査の間に行う前記第３の蓄積動作と、前記第２の群の走査の間に行う前記第３の蓄積動作とで、時間が異なるように制御するようにしてもよい。

（付記６）
前記制御部は、前記第３の蓄積動作の時間を、前記第１の蓄積動作の時間に基づき制御するようにしてもよい。

（付記７）
前記制御部は、前記第１の蓄積動作の時間が短い場合の前記第３の蓄積動作の時間よりも、前記第１の蓄積動作の時間が長い場合の前記第３の蓄積動作の時間が長くなるように制御するようにしてもよい。

（付記８）
放射線の照射開始を検知する検知部を有し、
前記制御部は、前記第３の蓄積動作の時間を、前記複数の画素にバイアス電圧が印加されてから前記検知部が放射線の照射開始を検知するまでの時間に基づき制御するようにしてもよい。

（付記９）
前記制御部は、前記照射開始を検知するまでの時間が長い場合の前記第３の蓄積動作の時間よりも、前記照射開始を検知するまでの時間が短い場合の前記第３の蓄積動作の時間が長くなるように制御するようにしてもよい。

（付記１０）
前記放射線撮像装置の周囲の環境温度をモニタする温度検出部を有し、
前記制御部は、前記第３の蓄積動作の時間を、前記温度検出部がモニタする温度に基づき制御するようにしてもよい。

（付記１１）
前記制御部は、前記環境温度が低い場合の前記第３の蓄積動作の時間よりも、前記環境温度が高い場合の前記第３の蓄積動作の時間が長くなるように制御するようにしてもよい。

（付記１２）
前記制御部は、前記第３の蓄積動作の時間を、前記検出部の種類に応じて制御するようにしてもよい。

（付記１３）
付記１乃至１２のいずれか一項に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置により出力された前記画像情報を表示する画像表示手段と、
を有することを特徴とする放射線撮像システム。

（付記１４）
放射線を電荷に変換して画素出力値を出力する複数の画素が行列状に配置された検出部を有する放射線撮像装置の制御方法であって、
前記複数の画素に電荷を蓄積する蓄積動作中において駆動信号が行ごとに印加することにより前記複数の画素における電荷を行ごとにリセットする第１のリセット工程と、
照射された放射線に基づく電荷を前記複数の画素に蓄積する第１の蓄積工程と、
前記複数の画素から照射された放射線に応じた画像情報の出力を行う第１の読出し工程と、
前記複数の画素に電荷を蓄積する蓄積動作中において駆動信号を行ごとに印加することにより前記複数の画素における電荷を行ごとにリセットする第２のリセット工程と、
前記画像情報のオフセット補正に用いるための電荷を蓄積する第２の蓄積工程と、
オフセット画像情報の出力を行う第２の読出し工程と、をこの順に行い、
前記第１のリセット工程の時間よりも、前記第２のリセット工程の時間が長いことを特徴とする制御方法

（付記１５）
前記第１のリセット工程および前記第２のリセット工程を、前記複数の画素のうちの第１の群と第２の群とを交互に走査するインタレース方式で行ってもよい

（付記１６）
前記第１のリセット工程の時間よりも前記第２のリセット工程の時間が長くなるように、前記第１のリセット工程における、前記第１の群の走査の開始から終了までの間および前記第２の群の走査の開始から終了までの間の両方で、前記複数の画素に電荷を蓄積する第３の蓄積工程を行ってもよい。

（付記１７）
コンピュータに付記１４乃至１６のいずれか一つに記載される制御方法の各工程を実行させるためのプログラム。

１０ 放射線撮像装置
１００ 画素
１１２ 検出部
２０２ 制御手段

（付記１４）
放射線を電荷に変換して画素出力値を出力する複数の画素が行列状に配置された検出部を有する放射線撮像装置の制御方法であって、
前記複数の画素に電荷を蓄積する蓄積動作中において駆動信号が行ごとに印加することにより前記複数の画素における電荷を行ごとにリセットする第１のリセット工程と、
照射された放射線に基づく電荷を前記複数の画素に蓄積する第１の蓄積工程と、
前記複数の画素から照射された放射線に応じた画像情報の出力を行う第１の読出し工程と、
前記複数の画素に電荷を蓄積する蓄積動作中において駆動信号を行ごとに印加することにより前記複数の画素における電荷を行ごとにリセットする第２のリセット工程と、
前記画像情報のオフセット補正に用いるための電荷を蓄積する第２の蓄積工程と、
オフセット画像情報の出力を行う第２の読出し工程と、をこの順に行い、
前記第１のリセット工程の時間よりも、前記第２のリセット工程の時間が長いことを特徴とする制御方法。

（付記１５）
前記第１のリセット工程および前記第２のリセット工程を、前記複数の画素のうちの第１の群と第２の群とを交互に走査するインタレース方式で行ってもよい。

Claims (17)

1. 行列状に配置され、放射線を電荷に変換して画素出力値を出力する複数の画素を含む検出部と、
   前記複数の画素に電荷を蓄積する蓄積動作中において駆動信号を行ごとに印加することにより前記複数の画素における電荷を行ごとにリセットする第１のリセット動作と、照射された放射線に基づく電荷を前記複数の画素に蓄積する第１の蓄積動作と、前記複数の画素から照射された放射線に応じた画像情報の出力を行う第１の読出動作と、前記複数の画素に電荷を蓄積する蓄積動作中において駆動信号を行ごとに印加することにより前記複数の画素における電荷を行ごとにリセットする第２のリセット動作と、前記画像情報のオフセット補正に用いるための電荷を蓄積する第２の蓄積動作と、オフセット画像情報の出力を行う第２の読出動作と、をこの順に前記検出部に行わせる制御部と、を有し、
   前記制御部は、前記第１のリセット動作の時間よりも前記第２のリセット動作の時間が長くなるように、前記第２のリセット動作を前記検出部に行わせること
   を特徴とする放射線撮像装置。
2. 前記制御部は、前記第１のリセット動作および前記第２のリセット動作を、前記複数の画素のうちの第１の群と第２の群とを交互に走査するインタレース方式で前記検出部に行わせることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
3. 前記制御部は、前記第１のリセット動作の時間よりも前記第２のリセット動作の時間が長くなるように、前記第１のリセット動作における、前記第１の群の走査の開始から終了までの間および前記第２の群の走査の開始から終了までの間の両方で、前記複数の画素に電荷を蓄積する第３の蓄積動作を行わせることを特徴とする請求項２に記載の放射線撮像装置。
4. 前記制御部は、前記第１の群の走査の間に行う前記第３の蓄積動作と、前記第２の群の走査の間に行う前記第３の蓄積動作と、のそれぞれの時間を制御することを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
5. 前記制御部は、前記第１の群の走査の間に行う前記第３の蓄積動作と、前記第２の群の走査の間に行う前記第３の蓄積動作とで、時間が異なるように制御することを特徴とする請求項４に記載の放射線撮像装置。
6. 前記制御部は、前記第３の蓄積動作の時間を、前記第１の蓄積動作の時間に基づき制御することを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
7. 前記制御部は、前記第１の蓄積動作の時間が短い場合の前記第３の蓄積動作の時間よりも、前記第１の蓄積動作の時間が長い場合の前記第３の蓄積動作の時間が長くなるように制御することを特徴とする請求項６に記載の放射線撮像装置。
8. 放射線の照射開始を検知する検知部を有し、
   前記制御部は、前記第３の蓄積動作の時間を、前記複数の画素にバイアス電圧が印加されてから前記検知部が放射線の照射開始を検知するまでの時間に基づき制御することを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
9. 前記制御部は、前記照射開始を検知するまでの時間が長い場合の前記第３の蓄積動作の時間よりも、前記照射開始を検知するまでの時間が短い場合の前記第３の蓄積動作の時間が長くなるように制御することを特徴とする請求項８に記載の放射線撮像装置。
10. 前記放射線撮像装置の周囲の環境温度をモニタする温度検出部を有し、
    前記制御部は、前記第３の蓄積動作の時間を、前記温度検出部がモニタする温度に基づき制御することを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
11. 前記制御部は、前記環境温度が低い場合の前記第３の蓄積動作の時間よりも、前記環境温度が高い場合の前記第３の蓄積動作の時間が長くなるように制御することを特徴とする請求項１０に記載の放射線撮像装置。
12. 前記制御部は、前記第３の蓄積動作の時間を、前記検出部の種類に応じて制御することを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
13. 請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の放射線撮像装置と、
    前記放射線撮像装置により出力された前記画像情報を表示する画像表示手段と、
    を有することを特徴とする放射線撮像システム。
14. 放射線を電荷に変換して画素出力値を出力する複数の画素が行列状に配置された検出部を有する放射線撮像装置の制御方法であって、
    前記複数の画素に電荷を蓄積する蓄積動作中において駆動信号を行ごとに印加することにより前記複数の画素における電荷を行ごとにリセットする第１のリセット工程と、
    照射された放射線に基づく電荷を前記複数の画素に蓄積する第１の蓄積工程と、
    前記複数の画素から照射された放射線に応じた画像情報の出力を行う第１の読出し工程と、
    前記複数の画素に電荷を蓄積する蓄積動作中において駆動信号を行ごとに印加することにより前記複数の画素における電荷を行ごとにリセットする第２のリセット工程と、
    前記画像情報のオフセット補正に用いるための電荷を蓄積する第２の蓄積工程と、
    オフセット画像情報の出力を行う第２の読出し工程と、をこの順に行い、
    前記第１のリセット工程の時間よりも、前記第２のリセット工程の時間が長い
    ことを特徴とする制御方法。
15. 前記第１のリセット工程および前記第２のリセット工程を、前記複数の画素のうちの第１の群と第２の群とを交互に走査するインタレース方式で行う
    ことを特徴とする請求項１４に記載の制御方法。
16. 前記第１のリセット工程の時間よりも前記第２のリセット工程の時間が長くなるように、前記第１のリセット工程における、前記第１の群の走査の開始から終了までの間および前記第２の群の走査の開始から終了までの間の両方で、前記複数の画素に電荷を蓄積する第３の蓄積工程を行う
    ことを特徴とする請求項１５に記載の制御方法。
17. コンピュータに請求項１４乃至１６のいずれか一項に記載される制御方法の各工程を実行させるためのプログラム。

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