JP2024004050A - 基板処理装置、基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の破損や欠落を処理槽毎に判断する。【解決手段】基板処理方法は、基板処理装置を制御する方法であって、基板処理装置は、複数の基板が浸漬されて複数の基板を一括して処理する処理液を貯留する処理槽；および、複数の基板を一括して保持する機能を有する機構であって、複数の基板を処理液から取り出す第１機能と、複数の基板を処理液へ浸漬する第２機能と、を有する基板保持機構を含む。当該方法は、第１機能を発揮するときに基板保持機構にかかる負荷に基づいて、処理槽を用いた処理における複数の基板の欠損の有無を判定する。【選択図】図９

Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

下記の特許文献１，２では、複数の基板に対して一括して処理を実行するバッチ式の基板処理装置が提案されている。特許文献１，２において、基板処理装置は処理液を貯留する処理槽を含む。処理槽に貯留された処理液へ複数の基板を浸漬させることにより、複数の基板に対する一括した処理が行われる。

特許文献１では、複数の処理を受ける前の基板の重量および当該複数の処理を受けた後の基板の重量を測定し、両者の差が比較値と比較される。特許文献２では、基板処理装置の内部を監視するために撮像部（カメラ）が設けられる。処理槽の内部を鉛直上方からカメラが撮像し、その撮像画像に基づいて処理槽の内部の基板片の有無が判定される。

特開平１０－３１３０３８号公報 米国特許出願公開第２００７／０１７７７８８号明細書

処理液へ複数の基板を浸漬するに際して、複数の基板を一括して保持する機能を有する機構（以下「基板保持機構」と称される）が利用される。基板保持機構は複数の基板を処理液に浸漬し、処理液から取り出される。処理液によって一括して処理された複数の基板は他の機構によって基板保持機構から他所へ移動される。基板保持機構から移動された複数の基板における破損や欠落の有無を判断することが望まれる。

特許文献１においては、基板が複数の処理槽における処理を受ける前後での重量差が、比較値よりも大きいかに基づいて、当該有無が判断される。しかしこの技術は、処理槽毎の破損や欠落の判断を行うことには適さない。

特許文献２においては、撮像画像は処理液の液面による反射光の影響を受ける。この影響は処理槽の内部の基板片の有無について誤判断を招く要因となる。

そこで、本開示は、処理液の液面による反射光の影響を低減し、基板の破損や欠落を処理槽毎に判断する技術を提供することを目的とする。

第１の態様に係る基板処理方法は、基板処理装置を制御する方法であって、前記基板処理装置は、複数の基板が浸漬されて前記複数の基板を一括して処理する処理液を貯留する処理槽；および、前記複数の基板を一括して保持する機能を有する機構であって、前記複数の基板を前記処理液から取り出す第１機能と、前記複数の基板を前記処理液へ浸漬する第２機能と、を有する基板保持機構を含む。前記方法は、前記第１機能を発揮するときに前記基板保持機構にかかる負荷に基づいて、前記処理槽を用いた処理における前記複数の基板の欠損の有無を判定する。

第２の態様に係る基板処理方法は、第１の態様に係る基板処理方法であって、前記基板保持機構が前記処理液に前記複数の基板を浸漬する前に前記基板保持機構にかかる負荷の値である第１値と、前記第１機能を発揮するときに前記基板保持機構にかかる負荷の値である第２値との相違に基づいて、前記有無を判定する。

第３の態様に係る基板処理方法は、第２の態様に係る基板処理方法であって、前記第２値と、前記第２値の基準となる値である基準値との相違に基づいて、前記有無を判定する。

第４の態様に係る基板処理方法は、第３の態様に係る基板処理方法であって、前記処理液による処理を既に受け、かつ欠損がないと判定された複数の基板についての前記第２値が、前記基準値として採用される。

第５の態様に係る基板処理方法は、第１の態様から第４の態様に係る基板処理方法であって、前記複数の基板が前記処理液から取り出された後の、前記基板保持機構の所定の位置における前記負荷に基づいて、前記有無を判定する。

第６の態様に係る基板処理方法は、第５の態様に係る基板処理方法であって、前記負荷に、前記所定の位置において前記基板保持機構に与えられる駆動トルクが採用される。

第７の態様に係る基板処理方法は、第５の態様に係る基板処理方法であって、前記負荷に、前記所定の位置において前記基板保持機構にかかる重量が採用される。

第８の態様に係る基板処理方法は、第１の態様から第４の態様に係る基板処理方法であって、前記基板保持機構によって前記複数の基板が第１の位置から、前記第１の位置よりも前記処理液から離れた第２の位置へ引き上げられる時間帯における前記負荷の経時的な値に基づいて、前記有無を判定する。

第９の態様に係る基板処理方法は、第８の態様に係る基板処理方法であって、前記負荷に、前記時間帯において前記基板保持機構に与えられる駆動トルクが採用される。

第１０の態様に係る基板処理方法は、第８の態様に係る基板処理方法であって、前記負荷に、前記時間帯において前記基板保持機構にかかる重量が採用される。

第１１の態様に係る基板処理方法は、第１の態様に係る基板処理方法であって、前記負荷の経時的な値を、前記処理液による処理を既に受けかつ欠損がないと判定された複数の基板についての前記負荷の経時的な値に基づいた学習用データセットから生成された学習済みモデルに入力して、前記有無の判定が行われる。

第１２の態様に係る基板処理装置は、複数の基板が浸漬されて前記複数の基板を一括して処理する処理液を貯留する処理槽；前記複数の基板を一括して保持する機構であって、前記複数の基板を前記処理液から取り出す第１機能と、前記複数の基板を前記処理液へ浸漬する第２機能と、を有する基板保持機構；および、前記第１機能を発揮するときに前記基板保持機構にかかる負荷の値である値に基づいて、前記処理槽を用いた処理における前記複数の基板の欠損の有無を判定する判定部を備える。

本開示にかかる基板処理方法、および基板処理装置によれば、基板の破損や欠落が処理槽毎に判断される。処理槽を撮像する必要がなく、処理液の液面による反射光の影響も小さい。

実施の形態にかかる基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。 受け渡しカセットおよび複数の処理部を示す側面図である。 搬送機構の構成を例示する側面図である。 処理槽が貯留する処理液への基板の浸漬および当該処理液からの基板の取り出しを示す側面図である。 処理槽が貯留する処理液への基板の浸漬および当該処理液からの基板の取り出しを示す側面図である。 第１浸漬処理を示すフローチャートである。 ロードセルが配置される位置を示す側面図である。 制御部とその周辺との接続関係を例示するブロック図である。 第１判定処理を示すフローチャートである。 第２判定処理を示すフローチャートである。 駆動トルクの経時的な値を模式的に示す図である。 第２浸漬処理を示すフローチャートである。 第３判定処理を示すフローチャートである。 学習処理を示すフローチャートである。 学習済みモデルの生成を示す模式図である。 第４判定処理を示すフローチャートである。 制御部と外部装置との接続関係を例示するブロック図である。

以下、添付される図面の参照を伴って実施の形態が説明される。なお、図面は概略的に示され、説明の便宜のために適宜、構成の省略、または、構成の簡略化がなされる、図面に示される構成の大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されてはおらず、適宜に変更され得る。

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号が付されて図示され、それらの名称と機能とについては同様である。したがって、それらについての詳細な説明は、重複を避けるために省略される場合がある。

以下に記載される説明において、「第１」または「第２」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられ、これらの序数によって生じ得る順序に限定されはしない。

相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表す。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表す。

形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表す。

一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現が用いられる場合、該表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。

「連結」という表現は、特に断らない限り、２つの要素が接している状態のほか、２つの要素が他の要素を挟んで離れている状態も含む表現である。

「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現が用いられる場合、該表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣのうち任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣの全てを含む。

＜基板処理装置の構成の概要＞
図１は、実施の形態にかかる基板処理装置１の構成の一例を概略的に示す平面図である。以下の各図における方向を統一的に示すために、図１に示すように右手系のＸＹＺ直交座標軸が設定される。ここでＸＹ平面が水平面を表す。また、Ｚ軸が鉛直軸を表し、より詳しくはＺ方向が鉛直上方向である。－Ｘ方向はＸ方向と反対の方向であり、－Ｙ方向はＹ方向と反対の方向であり、－Ｚ方向はＺ方向と反対の方向である。

基板処理装置１は複数の基板Ｗに対して一括して処理を行うバッチ式の処理装置である。基板処理装置１は、載置部２と、ロボット４と、姿勢変換機構５と、プッシャ６と、搬送機構８と、処理ユニット１０と、受け渡しカセット１１と、制御部９とを備える。

制御部９は、例えば、基板処理装置１の動作を統括して制御することができる。制御部９は、例えば、演算部、メモリおよび記憶部等を有する。演算部は、例えば、１つ以上の中央演算ユニット（Central Processing Unit：ＣＰＵ）等で構成される。当該演算部は後に演算部９０１として説明される。

メモリは、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）等の揮発性の記憶媒体で構成される。記憶部は、例えば、ハードディスクドライブ（Hard Disk Drive：ＨＤＤ）またはソリッドステートドライブ（Solid State Drive：ＳＳＤ）等の不揮発性の記憶媒体で構成される。記憶部は、例えば、プログラムおよび各種情報等を記憶することができる。演算部は、例えば、記憶部に記憶されたプログラムを読み込んで実行することで、各種の機能を実現することができる。このとき、ＲＡＭは、例えば、ワークスペースとして使用され、一時的に生成もしくは取得される情報等を記憶する。メモリおよび記憶部は、後に記憶部９０２として説明される。

制御部９で実現される機能的構成の少なくとも一部は、例えば、専用の電子回路等のハードウェアで実現されてもよい。

載置部２は収納器Ｆが載置される機能を有する。収納器Ｆは複数の基板Ｗを収納する機能を有する。収納器Ｆは、未処理の基板Ｗを収納した状態で載置部２に載置されたり、処理済の基板Ｗを収納するために空の状態で載置部２に載置されたりする。収納器Ｆの例としては、水平姿勢の複数枚（たとえば２５枚）の基板ＷをＺ方向に積層した状態で収納可能に構成されたＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を挙げることができる。

プロセス空間３は載置部２に対してＹ方向側で隣接する。プロセス空間３内には、ロボット４、姿勢変換機構５、プッシャ６、搬送機構８、処理ユニット１０、受け渡しカセット１１が配置されている。

図２は処理ユニット１０および受け渡しカセット１１を－Ｘ方向に沿って見た側面図である。

載置部２とプロセス空間３とは、開閉自在なシャッタを装備する隔壁（図示省略）により区画される。当該シャッタは、制御部９の制御によって開閉され、載置部２とプロセス空間３とを空間的に分離したり、相互に連通させたりする。載置部２とプロセス空間３とが連通する状態で、収納器Ｆからプロセス空間３へと未処理の基板Ｗが搬入されたり、処理済の基板Ｗが収納器Ｆへと搬出されたりする。

プロセス空間３と収納器Ｆとの間での基板Ｗの搬入および搬出は、ロボット４によって行われる。ロボット４は水平面内で旋回自在に構成されている。ロボット４は、シャッタが開いた状態で、姿勢変換機構５と収納器Ｆとの間で複数枚の基板Ｗを受け渡しする。当該受け渡しは模式的に白抜き矢印で示される。

姿勢変換機構５は、ロボット４を介して収納器Ｆから基板Ｗを受け取った後、複数枚の基板Ｗの姿勢を水平姿勢から起立姿勢へと変換する。姿勢変換機構５は、ロボット４を介して収納器Ｆに基板Ｗを受け渡す前に、複数枚の基板Ｗの姿勢を起立姿勢から水平姿勢へと変換する。

処理ユニット１０は姿勢変換機構５に関してロボット４とは反対側（同図中の－Ｘ方向側）に配置される。搬送機構８は処理ユニット１０に関して姿勢変換機構５とは反対側（同図中の－Ｘ方向側）に配置される。

処理ユニット１０は一方向（同図中の－Ｙ方向）にこの順に並んで配置される処理部１０１，１０２，１０３，１０４，１０５を含む。搬送機構８は、プッシャ６に対向した位置（以下「待機位置」という）から処理部１０１，１０２，１０３，１０４，１０５が配列された方向およびその反対方向に沿って、水平方向に移動可能である。

プッシャ６は、姿勢変換機構５と搬送機構８との間に配置される。プッシャ６は、姿勢変換機構５と後述されるステージ１２との間で起立姿勢の複数枚の基板Ｗを受け渡しする。

図３は搬送機構８の構成を例示する側面図である。搬送機構８は一対のアーム８１を備える。この一対のアーム８１の位置によって、複数の基板Ｗの一括された保持と当該保持の解除とを切り替えることができる。各アーム８１は、その下縁が互いに接近する方向に水平軸周りに揺動して、複数の基板Ｗを一括して挟んで保持する。各アーム８１は、その下縁が互いに離れる方向に水平軸周りで揺動して、複数の基板Ｗの保持が解除される。

例えば搬送機構８は棒８３と一対の連結部８２とを備える。一方の連結部８２は棒８３の一方の端を一方のアーム８１と連結する。他方の連結部８２は棒８３の他方の端を他方のアーム８１と連結する。連結部８２により、一対のアーム８１は棒８３の両端において支持されつつ、上述の様に揺動する。

搬送機構８はＹ方向および－Ｙ方向のいずれに沿っても移動可能であるので、一対のアーム８１は処理部１０１，１０２，１０３，１０４，１０５の各々に対向した位置（以下「処理位置」とも称される）および待機位置に位置決めされる。

図２においては搬送機構８が処理部１０４に対向した位置にある場合が実線で示される。図２においては搬送機構８が待機位置にある場合、処理部１０１，１０３，１０４，１０５に対向した位置にある場合が鎖線で示される。

待機位置では、プッシャ６を介して姿勢変換機構５とアーム８１との間での基板Ｗの受け渡しが可能である。

プッシャ６は受け渡しカセット１１において上下するステージ１２を介して搬送機構８との間で基板Ｗを受け渡しする。

図２においては既に基板Ｗが処理部１０５に搬送された後の、上側に位置したままのステージ１２が実線で例示される。下側に位置したステージ１２が鎖線で例示される。

処理ユニット１０は昇降器４０ａ，４０ｂ，４０ｃを有する。昇降器４０ａにはリフタ２０ａが取り付けられる。昇降器４０ｂにはリフタ２０ｂが取り付けられる。昇降器４０ｃにはリフタ２０ｃが取り付けられる。リフタ２０ａ，２０ｂ，２０ｃのいずれもが、複数の基板Ｗを保持する基板保持機構として機能する。

以降の説明において、リフタ２０ａ，２０ｂ，２０ｃ同士を互いに区別する必要が無い場合、例えば共通する機能についての説明においては、リフタ２０ａ，２０ｂ，２０ｃを区別せずに示す名称としてリフタ２０が採用される場合がある。

以降の説明において、昇降器４０ａ，４０ｂ，４０ｃ同士を互いに区別する必要が無い場合、例えば共通する機能についての説明においては、昇降器４０ａ，４０ｂ，４０ｃを区別せずに示す名称として昇降器４０が採用される場合がある。

昇降器４０ａおよびリフタ２０ａは、処理部１０３，１０４の間でＹ方向および－Ｙ方向のいずれに沿っても移動可能であり、処理部１０３，１０４に対応する処理位置へと位置決めされる。昇降器４０ａおよびリフタ２０ａは、処理部１０３，１０４における基板Ｗの処理に利用される。

昇降器４０ｂおよびリフタ２０ｂは、処理部１０１，１０２の間でＹ方向および－Ｙ方向のいずれに沿っても移動可能であり、処理部１０１，１０２に対応する処理位置へと位置決めされる。昇降器４０ｂおよびリフタ２０ｂは、処理部１０１，１０２における基板Ｗの処理に利用される。

昇降器４０ｃおよびリフタ２０ｃは、処理部１０５における基板Ｗの処理に利用される。

処理部１０１，１０３においては、例えば処理液たる薬液による基板Ｗの処理が行われる。処理部１０２，１０４においては、例えば基板Ｗ上の薬液のすすぎ（以下では「洗滌」と表現される）が行われる。処理部１０５においては、例えば乾燥処理が行われる。

処理部１０１は処理槽１０１ａ，１０１ｂを含む。処理部１０３は処理槽１０３ａ，１０３ｂを含む。処理槽１０１ａ，１０１ｂ，１０３ａ，１０３ｂはＺ方向に向けて開口する。処理槽１０１ａ，１０３ａには、複数の基板Ｗを一括して処理する所定の薬液が貯留される。

処理槽１０１ａには循環配管１０１ｃが設けられる。循環配管１０１ｃは処理槽１０１ａに貯留される薬液が例えばポンプ（不図示）によって循環する経路である。処理槽１０３ａには循環配管１０３ｃが設けられる。循環配管１０３ｃは処理槽１０３ａに貯留される薬液が例えばポンプ（不図示）によって循環する経路である。

処理槽１０１ｂは処理槽１０１ａを囲み、処理槽１０１ａからの薬液のオーバーフローを受ける。処理槽１０３ｂは処理槽１０３ａを囲み、処理槽１０３ａからの薬液のオーバーフローを受ける。

処理槽１０１ａが貯留する薬液へ浸漬された基板Ｗは当該薬液による処理を受ける。処理槽１０３ａが貯留する薬液へ浸漬された基板Ｗは当該薬液による処理を受ける。当該薬液が処理槽１０１ａ，１０３ａ同士で異なるか否かは不問である。例えば処理槽１０１ａ，１０３ａは「ＣＨＢ(CHemical Bath)」とも称される。

処理部１０２は処理槽１０２ａを含む。処理部１０４は処理槽１０４ａを含む。処理槽１０２ａ，１０４ａはＺ方向に向けて開口する。例えば処理槽１０２ａ，１０４ａは「ＯＮＢ（ONe Bath）」とも称される。処理槽１０２ａには、処理槽１０１ａに貯留される薬液を基板Ｗから洗滌する処理液たるリンス液（たとえば純水）が貯留される。処理槽１０４ａには、処理槽１０３ａに貯留される薬液を基板Ｗから洗滌する処理液たるリンス液（たとえば純水）が貯留される。処理槽１０２ａが貯留するリンス液へ浸漬された基板Ｗは当該リンス液により洗滌される。処理槽１０４ａが貯留するリンス液へ浸漬された基板Ｗは当該リンス液により洗滌される。

処理槽１０２ａには循環配管１０２ｃが設けられる。循環配管１０２ｃは処理槽１０２ａに貯留されるリンス液が例えばポンプ（不図示）によって循環する経路である。処理槽１０４ａには循環配管１０４ｃが設けられる。循環配管１０４ｃは処理槽１０４ａに貯留されるリンス液が例えばポンプ（不図示）によって循環する経路である。

処理部１０５は、例えば減圧雰囲気中で有機溶剤、例えばイソプロピルアルコールを、基板Ｗに供給することによって基板Ｗを乾燥させる。処理部１０５は処理槽１０５ａを含む。処理槽１０５ａは例えばイソプロピルアルコールを貯留する。処理槽１０５ａには循環配管１０５ｃが設けられる。循環配管１０５ｃは処理槽１０５ａに貯留される有機溶剤が例えばポンプ（不図示）によって循環する経路である。

処理槽１０３ａ，１０４ａに貯留される処理液に対する基板Ｗの浸漬および取り出しは、昇降器４０ａおよびリフタ２０ａによって実現される。昇降器４０ａは、リフタ２０ａを処理槽１０３ａに貯留された薬液に浸漬する機能と、リフタ２０ａを当該薬液から取り出す機能と、リフタ２０ａを処理槽１０４ａに貯留されたリンス液に浸漬する機能と、リフタ２０ａを当該リンス液から取り出す機能とを有する。

処理槽１０１ａ，１０２ａに貯留される処理液に対する基板Ｗの浸漬および取り出しは、昇降器４０ｂおよびリフタ２０ｂによって実現される。昇降器４０ｂはリフタ２０ｂを処理槽１０１ａに貯留された薬液に浸漬する機能と、リフタ２０ｂを当該薬液から取り出す機能と、リフタ２０ｂを処理槽１０２ａに貯留されたリンス液に浸漬する機能と、リフタ２０ｂを当該リンス液から取り出す機能とを有する。

処理部１０５に対する基板Ｗの投入および取り出しは、搬送機構８、昇降器４０ｃおよびリフタ２０ｃによって実現される。

リフタ２０ａは、昇降器４０ａによってＺ方向へ上昇して処理槽１０３ｂ，１０４ａよりも上方に位置する状態で、搬送機構８との間で複数の基板Ｗが受け渡しされる。リフタ２０ｂは、昇降器４０ｂによってＺ方向へ上昇して処理槽１０１ｂ，１０２ａよりも上方に位置する状態で、搬送機構８との間で複数の基板Ｗが受け渡しされる。リフタ２０ｃは、昇降器４０ｃによってＺ方向へ上昇して処理部１０５よりも上方に位置する状態で、搬送機構８との間で複数の基板Ｗが受け渡しされる。

具体的には例えば当該状態において搬送機構８が処理位置に移動してリフタ２０ｃ，２０ｂ，２０ａのいずれかとＸ方向に沿って並び、上述の保持および解除によって当該受け渡しが実行される。

図２においては基板Ｗを保持するリフタ２０ｃが処理部１０５において処理槽１０５ａよりも上方（Ｚ方向側）に位置する場合、基板Ｗを保持するリフタ２０ａが処理部１０４において処理槽１０４ａよりも上方に位置する場合、リフタ２０ｂが処理槽１０１ａよりも上方に位置する場合が、いずれも実線で例示される。搬送機構８は鎖線で例示されるように、処理槽１０５ａの近くまで下方へ移動可能である。

図２においては、基板Ｗを保持するリフタ２０ａが処理部１０４において処理槽１０４ａ中のリンス液に浸漬される位置にある場合、リフタ２０ａが基板Ｗを保持せずに処理槽１０３ｂよりも上方に位置する場合、リフタ２０ｂが基板Ｗを保持せずに処理槽１０２ａよりも上方に位置する場合が、いずれも鎖線で例示される。リフタ２０ａが処理槽１０３ａ中の薬液に浸漬される位置にある場合、リフタ２０ｂが処理槽１０２ａ中のリンス液に浸漬される位置にある場合、リフタ２０ｂが処理槽１０１ａ中の薬液に浸漬される位置にある場合、リフタ２０ｃが処理槽１０５ａ内に位置する場合は、いずれも図示が省略される。

図４は－Ｘ方向に沿って見た、処理槽１０４ａが貯留する処理液への基板Ｗの浸漬および当該処理液からの基板Ｗの取り出しを示す側面図である。図５はＹ方向に沿って見た、処理槽１０４ａが貯留する処理液への基板Ｗの浸漬および当該処理液からの基板Ｗの取り出しを示す側面図である。

図示の煩雑を避けるため、図２および図４において昇降器４０ａは省かれている。図４および図５においては処理槽１０４ａにリンス液Ｑが貯留される場合が例示される。

図４および図５において、基板Ｗがリフタ２０ａと共にリンス液Ｑへ浸漬された状態は、一点鎖線を用いて示される。図４および図５において、基板Ｗがリフタ２０ａと共にリンス液Ｑから取り出されている状態は、浸漬の前であるか後であるかが区別されることなく、実線を用いて示される。図４において二点鎖線は、基板Ｗがリフタ２０ａと共にリンス液Ｑから取り出されている状態と、リンス液Ｑに浸漬されている状態との間の遷移を模式的に示す。

リフタ２０ａは複数の棒２１と板２２とを含む。例えばリフタ２０ａは３本の棒２１を含む。棒２１の各々は複数の基板Ｗを間隔を空けて支持する。例えば棒２１の各々には、図において明示されないが、Ｘ方句において相互に離れた２５個の溝が設けられる。

板２２は例えばＸ方向に対して垂直に広がる。いずれの棒２１の端（例えば－Ｘ方向の端）も、板２２に連結される。複数の棒２１および板２２を含むことにより、リフタ２０ａは複数の基板Ｗを保持する機能を担う。リフタ２０ｂ，２０ｃもリフタ２０ａと同様に構成され、複数の基板Ｗを保持する機能を担う。

図５を参照して、昇降器４０ａは支持片４１、昇降ガイド４２、モータ４３、サーボアンプ４４を含む。

支持片４１はリフタ２０ａの板２２を、－Ｘ方向側から支持する。昇降ガイド４２は支持片４１の昇降、具体的にはＺ方向への支持片４１の移動および－Ｚ方向への支持片４１の移動を案内する。例えば昇降ガイド４２は、モータ４３の回転軸に連結されたボールねじと、当該ボールねじに嵌まるタップが掘られ、かつ板２２が連結された棒（いずれも不図示）を有する。モータ４３は制御部９の制御の下でサーボアンプ４４によって駆動され、支持片４１を昇降させる。制御部９はサーボアンプ４４を介してモータ４３を制御してリフタ２０ａを所定の位置へ移動させる。

例えばモータ４３はサーボモータである。サーボアンプ４４は制御部９から回転する指示を受けてモータ４３を駆動する他、支持片４１の上下位置、ひいてはリフタ２０ａの上下位置に関する情報をモータ４３から制御部９へ伝達する。

昇降器４０ｂ，４０ｃも昇降器４０ａと同様に構成され、それぞれリフタ２０ｂ，２０ｃを昇降させて所定の位置に移動させる。

＜リフタと搬送機構との間での基板の受け渡し＞
基板Ｗが処理部１０１，１０２，１０３，１０４，１０５における処理を受ける流れは、下記のように区分される工程で例示される：
(i)プッシャ６が搬送機構８へ基板Ｗを受け渡す；
(ii)搬送機構８が処理部１０１に対する処理位置までＹ方向へ移動する；
(iii)昇降器４０ｂによって処理槽１０１ａの上方に位置したリフタ２０ｂへ、搬送機構８から基板Ｗが受け渡される；
(iv)昇降器４０ｂがリフタ２０ｂを降ろし、リフタ２０ｂおよびこれに保持される基板Ｗを、処理槽１０１ａが貯留する薬液へ浸漬する；
(v)昇降器４０ｂがリフタ２０ｂを上昇させ、リフタ２０ｂおよびこれに保持される基板Ｗを、処理槽１０１ａが貯留する薬液から取り出す；
(vi)昇降器４０ｂが処理部１０２に対する処理位置まで－Ｙ方向へ移動する；
(vii)昇降器４０ｂがリフタ２０ｂを降ろし、リフタ２０ｂおよびこれに保持される基板Ｗを、処理槽１０２ａが貯留するリンス液へ浸漬する；
(viii)昇降器４０ｂがリフタ２０ｂを上昇させ、リフタ２０ｂおよびこれに保持される基板Ｗを、処理槽１０２ａが貯留するリンス液から取り出す；
(ix)搬送機構８が処理部１０２に対する処理位置まで移動する；
(x)昇降器４０ｂによって処理槽１０２ａの上方に位置したリフタ２０ｂから、搬送機構８へ、基板Ｗが受け渡される；
(xi)搬送機構８が処理部１０３に対する処理位置まで－Ｙ方向へ移動する；
(xii)昇降器４０ａによって処理槽１０３ａの上方に位置したリフタ２０ａへ、搬送機構８から基板Ｗが受け渡される；
(xiii)昇降器４０ａがリフタ２０ａを降ろし、リフタ２０ａおよびこれに保持される基板Ｗを、処理槽１０３ａが貯留する薬液へ浸漬する；
(xiv)昇降器４０ａがリフタ２０ａを上昇させ、リフタ２０ａおよびこれに保持される基板Ｗを、処理槽１０３ａが貯留する薬液から取り出す；
(xv)昇降器４０ａが処理部１０４に対する処理位置まで－Ｙ方向へ移動する；
(xvi)昇降器４０ａがリフタ２０ａを降ろし、リフタ２０ａおよびこれに保持される基板Ｗを、処理槽１０４ａが貯留するリンス液Ｑへ浸漬する；
(xvii)昇降器４０ａがリフタ２０ａを上昇させ、リフタ２０ａおよびこれに保持される基板Ｗを、リンス液Ｑから取り出す；
(xviii)搬送機構８が処理部１０４に対する処理位置まで移動する；
(xix)昇降器４０ａによって処理槽１０４ａの上方に位置したリフタ２０ａから、搬送機構８へ、基板Ｗが受け渡される；
(xx)搬送機構８が処理部１０５に対する処理位置まで－Ｙ方向へ移動する；
(xxi)昇降器４０ｃによって処理部１０５の上方に位置したリフタ２０ｃへ、搬送機構８から基板Ｗが受け渡される；
(xxii)リフタ２０ｃが基板Ｗを処理部１０５に投入し、基板Ｗを乾燥させる。

＜基板の欠損の有無の判定＞
本実施の形態では、処理槽１００を用いた処理における基板Ｗの欠損の有無を判定する技術が説明される。処理槽１００は処理槽１０１ａ，１０２ａ，１０３ａ，１０４ａを区別せずに示す名称である。

上述の説明から、処理槽１００は、複数の基板Ｗが浸漬されて複数の基板Ｗを一括して処理する処理液を貯留するということができる。処理槽１００が処理槽１０１ａ，１０３ａに該当するときには処理液は上述の薬液である。処理槽１００が処理槽１０２ａ，１０４ａに該当するときには処理液は上述のリンス薬液である。

リフタ２０は、複数の基板Ｗを一括して保持する機能を有する機構であり、基板保持機構として機能する。当該基板保持機構は基板Ｗを処理液から取り出す第１機能と、基板Ｗを処理液へ浸漬する第２機能とを有する。

本実施の形態では、第１機能を発揮するときに基板保持機構にかかる負荷に基づいて、処理槽１００を用いた処理における基板Ｗの欠損の有無が判定される。リフタ２０が第１機能を発揮するときの具体例としては、例えば上述の工程(v)、(viii)、(xiv)、(xvii)が該当する。

＜同一ロットの基板Ｗの処理前後に基づく判定＞
図６は基板Ｗを処理液に浸漬し、処理液から取り出す処理（以下では単に「浸漬処理」とも称される）に採用される工程群を示すフローチャートである。当該工程群はステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４，Ｓ１５，Ｓ５１，Ｓ５２，Ｓ５３を有する。図６ではかかる工程群を採用する浸漬処理が「第１浸漬処理」として示される。

ステップＳ１１はリフタ２０へ基板Ｗを載置する工程である。処理槽１００が処理槽１０１ａ，１０３ａに該当するときには、ステップＳ１１は上述の工程(iii)(xii)に相当する。かかる載置は搬送機構８によって実行される。処理槽１００が処理槽１０２ａ，１０４ａに該当するときには、ステップＳ１１は省略される。

ステップＳ１１が実行された後、後述されるステップＳ５１が更に実行されてから、ステップＳ１２が実行される。ステップＳ１２は処理槽１００が貯留する処理液へ、基板Ｗを浸漬する工程である。ステップＳ１２は第２機能に相当し、上述の工程(iv)、(vii)、(xiii)、(xvi)に相当する。

ステップＳ１３は、処理槽１００における基板Ｗの処理に必要な時間を確保する工程である。ステップＳ１３においては、ステップＳ１２が実行されてから所定時間が経過したか否が判断される。当該判断が否定的であれば、つまりステップＳ１２が実行されてから所定時間が経過していなければステップＳ１３が繰り返し実行される。当該判断が肯定的であれば、つまりステップＳ１２が実行されてから所定時間が経過したときには、ステップＳ１４が実行される。

ステップＳ１４は処理槽１００から基板Ｗを引き上げる工程である。かかる引き上げによって、処理槽１００が貯留する処理液から基板Ｗが取り出される。ステップＳ１４は第１機能に相当し、上述の工程(v)、(viii)、(xiv)、(xvii)に相当する。

上述された処理液への基板Ｗの浸漬と、処理液からの基板Ｗの取り出しとは、昇降器４０が昇降することによって実現される。この観点から、昇降器４０ａとリフタ２０ａとの組み合わせを基板保持機構として捉えることができ、昇降器４０ｂとリフタ２０ｂとの組み合わせを基板保持機構として捉えることができる。

ステップＳ１４が実行された後、後述されるステップＳ５２，Ｓ５３が更に実行されてから、ステップＳ１５が実行される。但しステップＳ５３は省略可能であり、ステップＳ５３を表す枠は破線で示される。

ステップＳ１５はリフタ２０から基板Ｗを移動する工程である。ステップＳ１５は、より具体的には、基板Ｗをリフタ２０から搬送機構８へ受け渡す工程である。ステップＳ１５は上述の工程(x)、(xix)に相当する。かかる受け渡しは搬送機構８によって実行される。処理槽１００が処理槽１０１ａ，１０３ａに該当するときには、ステップＳ１５は省略される。

ステップＳ５１はステップＳ１２が実行される前に実行される。ステップＳ５１はリフタ２０が基板Ｗを保持している状態で実行される。処理槽１００が処理槽１０１ａ，１０３ａに該当するときには、ステップＳ１１が実行されてからステップＳ５１が実行される。処理槽１００が処理槽１０２ａに該当するときには、工程(vi)によってリフタ２０ｂが処理槽１０２ａの上方に位置した後にステップＳ５１が実行される。処理槽１００が処理槽１０４ａに該当するときには、工程(xv)によってリフタ２０ａが処理槽１０４ａの上方に位置した後にステップＳ５１が実行される。

ステップＳ５２はステップＳ１４が実行された後、ステップＳ１５が実行される前に実行される。ステップＳ５２はリフタ２０が基板Ｗを保持している状態で実行される。

ステップＳ５１，Ｓ５２はいずれもリフタ２０にかかる負荷（以下「リフタ２０の負荷」とも称される）を測定する工程である。以下ではステップＳ５１で測定される負荷の値が第１値として説明され、ステップＳ５２で測定される負荷の値が第２値として説明される。

ステップＳ５２では、ステップＳ１４によって取り出された基板Ｗを保持するリフタ２０の負荷が測定されるので、第２値は第１機能を発揮するときに基板保持機構にかかる負荷といえる。

ステップＳ５１では、基板ＷがステップＳ１２によって処理液に浸漬される前の負荷が測定されるので第１値は基板Ｗを浸漬する前に基板保持機構にかかる負荷といえる。

ステップＳ５１，Ｓ５２は、例えばリフタ２０がその最高の位置にあるときに実行される。あるいはステップＳ５１，Ｓ５２のいずれか一方または両方が、基板Ｗが処理液に浸漬されない状況で実行されてもよい。例えばステップＳ５１は、基板Ｗが処理液に浸漬される迄にリフタ２０が下降する途中の位置で実行されてもよい。ステップＳ５２は、基板Ｗが処理液から取り出されてから、リフタ２０が上昇する途中の位置で実行されてもよい。

例えば、基板Ｗが処理液から取り出された後の、リフタ２０の所定の位置における負荷を第２値として採用することができる。サーボアンプ４４によってモータ４３が駆動され、モータ４３によって昇降器４０が昇降する。リフタ２０は制御部９の制御の下、サーボアンプ４４によって所定の位置へ移動可能である。

＜第１値の変形＞
例えば、第１浸漬処理において、ステップＳ１２が実行される前提として、処理液に浸漬される基板Ｗには欠損がないという前提が採用される。かかる前提が採用される場合、ステップＳ５１を省略し、第１値として基準値を採用することができる。当該基準値は第２値の基準となる値である。例えば欠損がない複数の基板Ｗがリフタ２０に保持されているときにリフタ２０にかかる負荷を予め測定もしくは想定し、当該負荷の値を第２値の基準値、ひいては上述の第１値として採用することができる。

＜重量による負荷の評価＞
基板保持機構にかかる負荷は、リフタ２０にかかる重量によって評価することができる。図７はロードセル５０が配置される位置を示す側面図である。ロードセル５０は支持片４１とリフタ２０との間に設けられる。ロードセル５０はリフタ２０にかかる重量を測定する。当該重量はリフタ２０にかかる負荷を反映する。ロードセル５０から得られる重量についての情報を用いて、上述の第１値および第２値を得ることができる。

後述されるように、重量以外の測定値によって負荷が評価される場合もあり、その場合にはロードセル５０は不要である。かかる観点から、図５においてロードセル５０は省略される。

図８はロードセル５０が設けられた場合の、制御部９とその周辺との接続関係を例示するブロック図である。制御部９は演算部９０１、記憶部９０２、入出力インターフェース９０３を備える。

入出力インターフェース９０３は、サーボアンプ４４、ロードセル５０、搬送機構８との間での情報の授受を行う。入出力インターフェース９０３は他の構成要素、例えば昇降器４０ａ，４０ｂ，４０ｃ、ロボット４、姿勢変換機構５、プッシャ６、その他の基板処理装置１の構成要素との間でも情報の授受を行うが、かかる授受は図８では省略される。

記憶部９０２は種々の情報を記憶する。演算部９０１は記憶部９０２に記憶される情報および入出力インターフェース９０３から入力されるデータの情報または両方を用いた演算を行う。

ロードセル５０は測定された第１値、第２値を示すデータを、入出力インターフェース９０３を介して演算部９０１に与える。演算部９０１は第１値と第２値との相違に基づいて、処理槽１００を用いた処理における基板Ｗの欠損の有無を判定する。第１値から第２値を減じた値が所定範囲を超えて大きければ、基板Ｗそれ自体、あるいはその一部が処理槽１００に残置すると推定される。当該残置があると推定されたとき、処理槽１００から引き上げられた基板Ｗには欠損があると判定することは妥当である。引き上げられた基板Ｗの欠損の有無の判定は、基板Ｗが取り出された処理液を貯留する処理槽１００を用いた処理における基板Ｗの欠損の有無の判定に直結する。

ステップＳ１４において処理液の一部がリフタ２０に付着する場合もあり得る。当該一部（以下「持ち出し液」と仮称）は第２値に影響を与える。持ち出し液の重量は、例えば処理液の種類、基板Ｗの表面の親水性あるいは疎水性、リフタ２０に保持される基板Ｗの枚数、処理液に浸漬される時間に依存する。例えば持ち出し液がリフタ２０から蒸発、滴下することで、ステップＳ１４からステップＳ５２までの時間間隔も第２値に影響する。かかる観点から、第１値と第２値との相違が所定範囲内にあるか否かによって欠損の有無が判定される。

図９は上述の判定の一例である、第１判定処理の工程群を示すフローチャートである。当該工程群はステップＳ１０１，Ｓ１０２，Ｓ１０３を備える。第１判定処理は例えば制御部９において実行される。制御部９は上述の判定を行う判定部として機能する。

ステップＳ１０１は、第１値と第２値との相違が所定範囲内にあるかを判断する工程である。当該判断が否定的となるのは、処理液への浸漬の前後においてリフタ２０にかかる負荷に大きな相違があるときである。ステップＳ１０１の判断が否定的であればステップＳ１０２において、引き上げられた基板Ｗに欠損があると判定され、第１判定処理は終了する。

当該判断が肯定的となるのは、処理液への浸漬の前後においてリフタ２０にかかる負荷に大きな相違がないときである。ステップＳ１０１の判断が肯定的であればステップＳ１０３において、引き上げられた基板Ｗに欠損がないと判定され、第１判定処理は終了する。

第１判定処理により、引き上げられた基板Ｗに欠損があるか否かが判定され、従って、引き上げられた基板Ｗが浸漬された処理液を用いた処理における、基板Ｗの欠損の有無が判定される。

第１判定処理によれば、リフタ２０の負荷が処理液の浸漬の前後で評価される。よって基板Ｗの破損や欠落が処理槽１００毎に判断される。また処理槽１００を撮像する必要がなく、処理液の液面による反射光の影響も小さい。

第１判定処理によれば、同じ処理槽１００に一括して処理される基板Ｗ（以下「ロット」と称される）毎に上記判定が行われる。よって後述されるような、他のロットの結果を参照する必要はない。

＜トルクによる負荷の推定＞
リフタ２０にかかる負荷は、例えばリフタ２０にかかる重量に代えて、あるいは重量と共に、モータ４３からリフタ２０に与えられる駆動トルクを用いて評価される。当該駆動トルクは、サーボアンプ４４がモータ４３に供給する電流の値に反映される。かかる電流の値は入出力インターフェース９０３を介して演算部９０１に与えられ、演算部９０１における負荷の演算に用いられる。リフタ２０にかかる重量を負荷の評価に用いない場合には、ロードセル５０は省略されてもよい。

＜異なるロットのデータを利用した判定＞
ある処理槽１００における判定の対象とされる複数の基板Ｗ（以下「現行ロット」と仮称）に先行して、同じ処理槽１００における処理を既に受けた複数の基板Ｗ（以下「先行ロット」）のデータを利用する場合が、以下に説明される。

例えば、上記「＜第１値の変形＞」で説明された、第１値として用いられる第２値の基準値として、欠損がなかった先行ロットにおける第２値を採用することができる。かかる採用には、先行ロットにおける第２値が記憶されて現行ロットにおける第２値と比較されることが望ましい。図６には、第１浸漬処理においてステップＳ５３が示される。ステップＳ５３はステップＳ５２の実行後に実行される。ステップＳ５３の実行はステップＳ１５の実行に対する前後を問わない。

現行ロットは、現行ロットに続いて同じ処理槽１００における処理を受ける複数の基板Ｗ（以下「後行ロット」）に対しては、先行ロットとなる。ステップＳ５３において第２値を記憶することは、記憶された第２値が後行ロットにおける第１値として採用されるための準備である。例えば第２値は記憶部９０２に記憶される。

図１０は、引き上げられた基板Ｗにおける欠損の有無を判定する一例である、第２判定処理の工程群を示すフローチャートである。当該工程群はステップＳ２０１，Ｓ２０２，Ｓ２０３，Ｓ２０４を備える。第２判定処理は、例えば制御部９によって実行される。制御部９は上述の判定を行う判定部として機能する。

ステップＳ２０１は先行ロットの浸漬処理において欠損があるかを判断する工程である。当該判断は、例えば第１判定処理の判定の結果、他の基板Ｗに対する第２判定処理の結果、あるいは目視による欠損の有無、を用いて行われてもよい。当該判断が肯定的であれば、当該先行ロットの浸漬処理において欠損があったので、当該先行ロットについて記憶された第２値は、現行ロットの第２値の基準値として適切ではない。この場合には第２判定処理は終了する。

ステップＳ２０１の判断が否定的であれば、当該先行ロットについて記憶された第２値が、現行ロットの第２値の基準値として採用される。具体的にはステップＳ２０２が実行される。ステップＳ２０２は、先行ロットの第２値と、現行ロットの第２値との相違が所定範囲内にあるかを判断する工程である。ステップＳ２０２は、第１判定処理のステップＳ１０１の第１値に代えて、欠損がなかった先行ロットについての第２値を採用した工程であるといえる。

ステップＳ２０２の判断結果が肯定的であればステップＳ２０４において、第１判定処理のステップＳ１０３と同様に、引き上げられた基板Ｗには欠損がないと判定される。ステップＳ２０２の判断結果が否定的であればステップＳ２０３において、第１判定処理のステップＳ１０２と同様に、引き上げられた基板Ｗには欠損があると判定される。

第２判定処理によっても、基板Ｗの破損や欠落が処理槽１００毎に判断される。また処理槽１００を撮像する必要がなく、処理液の液面による反射光の影響も小さい。

＜負荷の履歴を用いた判定＞
上述の負荷として、基板Ｗが第１の位置から、第２の位置（第２の位置は第１の位置よりも処理液から離れる）へ引き上げられる時間帯における負荷の経時的な値が用いられてもよい。例えばリフタ２０によって基板Ｗが、処理液に浸漬されている位置（以下「低位置」）から、搬送機構８への受け渡し位置あるいはリフタ２０の最高の位置（以下「高位置」）へ、引き上げられる時間帯における負荷の経時的な値（以下「負荷履歴」と仮称される）に基づいて、基板Ｗについての欠損の有無が判定されてもよい。

当該負荷として、リフタ２０にかかる重量が採用されてもよいし、駆動トルク（以下では単に「トルク」と称される）が採用されてもよい。以下では主として、当該時間帯におけるトルクの経時的な値（以下「トルク履歴」と仮称される）が採用される場合について説明される。

図１１はトルク負荷としての負荷履歴７１を模式的に示す図である。図１１において横軸に時間が採用され、縦軸にトルクが採用される。時刻ｔｓ以前においてリフタ２０は低位置にあり、時刻ｔｅ以降においてリフタ２０は高位置にある。時刻ｔｓから時刻ｔｅにおいてリフタ２０が上昇する。

グラフＴ１は基板Ｗに欠損が生じていない場合のトルク履歴を示す。グラフＴ２は基板Ｗに欠損が生じている場合のトルク履歴を示す。グラフＴ０は、グラフＴ２に例示された場合よりも基板Ｗにおける欠損が大きい場合の、高位置におけるトルク履歴を示す。

時刻ｔｓ以降においてグラフＴ２はグラフＴ１よりも小さいトルクを示す。高位置においてグラフＴ０はグラフＴ２よりも小さいトルクを示す。このようなトルクの相違は、基板Ｗに生じる欠損が大きいほど、リフタ２０が保持する基板Ｗの重量が小さいことを反映する。

高位置において、グラフＴ１（またはグラフＴ０）とグラフＴ２との比較により、欠損の有無を判定することは、第１判定処理（図９参照）における第１値として高位置においてグラフＴ２が示すトルクを採用することに相当するといえる。

先行ロットにおいてグラフＴ２が得られ、現行ロットにおいてグラフＴ１（またはグラフＴ０）が得られるときに、両者の比較により欠損の有無を判定することは、第２判定処理（図１０を参照）における先行ロットの第２値として、高位置においてグラフＴ２が示すトルクを採用することに相当するといえる。

基板Ｗが引き上げられる時間帯は、例えば時刻ｔｓから時刻ｔｅに至る時間帯の一部または全部である。

グラフＴ１，Ｔ２のいずれにおいても時刻ｔｓの直後からトルクは上昇し、極大値を示した後に低下してほぼ一定値をとる。このようなトルク履歴は、リフタ２０が基板Ｗを引き上げる際に所定の速度に至るまではトルクが上昇し、リフタ２０が所定の速度に到達した後はトルクが低下して所定の速度を維持するための一定値をとり、リフタ２０が停止に至るまで減速する際にはトルクが低下することを反映する。

図１２は第２浸漬処理に採用される工程群を示すフローチャートである。当該工程群はステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４，Ｓ１５，Ｓ５４，Ｓ５５，Ｓ５６を有する。第２浸漬処理は、負荷履歴７１を用いた欠損の有無の判定を行う場合に採用される浸漬処理である。

ステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４，Ｓ１５の内容およびその実行される順序は、第１浸漬処理（図６参照）と同様である。

第２浸漬処理においてはステップＳ１３において肯定的な判断が得られてからステップＳ５４が実行される。ステップＳ５４において、リフタ２０の負荷、例えばトルクの測定が開始される。この後、後述されるステップＳ５５が実行されるまでリフタ２０の負荷は測定され続け、負荷の経時的な値が測定され続ける。

ステップＳ５４によって負荷の測定が開始されると、ステップＳ１４が実行される。ステップＳ１４が終了するとステップＳ５５が実行される。ステップＳ５５において、リフタ２０の負荷、例えばトルクの測定が終了する。

ステップＳ５５によって負荷の測定が終了すると、ステップＳ５６が実行される。ステップＳ５６はステップＳ５４が実行されてからステップＳ５５が実行されるまでのリフタ２０の負荷として、負荷履歴７１を記憶する。負荷履歴７１は例えば記憶部９０２に記憶される。

ステップＳ５６が実行された後、ステップＳ１５が実行される。ステップＳ１１，Ｓ１５が省略される場合については第１浸漬処理と同様である。

図１３は引き上げられた基板Ｗにおける欠損の有無を判定する一例である、第３判定処理の工程群を示すフローチャートである。当該工程群はステップＳ３０１，Ｓ３０２，Ｓ３０３，Ｓ３０４を備える。第３判定処理は、例えば制御部９によって実行される。制御部９は上述の判定を行う判定部として機能する。

ステップＳ３０１は第２判定処理（図１０）のステップＳ２０１と同様に、先行ロットの浸漬処理において欠損があるか否かを判断する工程である。当該判断は、例えば第１判定処理の判定の結果、第２判定処理の結果、あるいは更に先行するロットにおける欠損の有無を用いた第３判定処理の結果を用いて行われ、あるいは目視による欠損の有無を用いて行われる。

当該判断が肯定的であれば、当該先行ロットの浸漬処理において欠損があったので、当該先行ロットについて記憶された負荷履歴７１は、現行ロットの負荷履歴７１との比較には適切ではない。この場合には第３判定処理は終了する。以下、先行ロットについての負荷履歴７１が負荷履歴７１ｆとして説明される。

Ｓ３０１の判断結果が否定的であれば、ステップＳ３０２が実行される。ステップＳ３０２は、先行ロットの負荷履歴７１ｆと現行ロットの負荷履歴７１との相違が所定範囲内にあるか否かが判断される。ステップＳ３０２は、第２判定処理におけるステップＳ２０２の第２値に代えて負荷履歴を採用した工程であるといえる。

ステップＳ３０２の判断結果が肯定的であればステップＳ３０４において、第１判定処理のステップＳ１０３、第２判定処理のステップＳ２０４と同様に、引き上げられた基板Ｗには欠損がないと判定される。ステップＳ３０２の判断結果が否定的であればステップＳ３０３において、第１判定処理のステップＳ１０２、第２判定処理のステップＳ２０３と同様に、引き上げられた基板Ｗには欠損があると判定される。

第３判定処理によっても、基板Ｗの破損や欠落が処理槽１００毎に判断される。また処理槽１００を撮像する必要がなく、処理液の液面による反射光の影響も小さい。

＜学習済みモデルを利用した判定＞
先行ロットの負荷履歴７１ｆから生成される学習済みモデルを用いて、引き上げられた基板Ｗにける欠損の有無を判定することができる。

図１４は学習処理に採用される工程軍を示すフローチャートである。当該工程群は、この順に実行されるステップＳ６１，Ｓ６２，Ｓ６３を有する。ステップＳ６１は学習用データセット７３を生成する工程である。具体的には欠損がないと判定された先行ロットについての負荷履歴群７０に基づいて、学習用データセット７３が生成される。

図１５は学習済みモデル７２の生成を示す模式図である。図１５に例示されるように、負荷履歴群７０は複数の負荷履歴７１（１），７１（２），…，７１（ｎ）で構成される。負荷履歴７１（１），７１（２），…，７１（ｎ）のいずれも、欠損がなかった先行ロットについての負荷履歴７１ｆである。例えば負荷履歴７１（１），７１（２），…，７１（ｎ）は何れもトルク履歴である。

負荷履歴群７０は入出力インターフェース９０３を介して演算部９０１に与えられ、例えば記憶部９０２に記憶される。負荷履歴７１（１），７１（２），…，７１（ｎ）がトルク履歴であれば、これらは例えばサーボアンプ４４から入力される電流の情報である。演算部９０１は負荷履歴群７０を用いて学習用データセット７３を生成し、例えば記憶部９０２に記憶する。学習用データセット７３として負荷履歴群７０それ自体が採用されてもよい。

ステップＳ６２は学習済みモデル７２を生成する工程である。例えば演算部９０１が、ステップＳ６１で生成された、あるいは負荷履歴群７０それ自体が採用された学習用データセット７３を用いて、学習済みモデル７２を生成する。学習済みモデル７２は、処理液による処理を既に受けかつ欠損がないと判定された複数の基板Ｗについての負荷の経時的な値である負荷履歴群７０に基づいた学習用データセット７３から生成される、といえる。

ステップＳ６３は学習済みモデル７２を記憶する工程である。ステップＳ６２で生成された学習済みモデル７２は、例えば記憶部９０２に記憶される。

図１６は、引き上げられた基板Ｗにおける欠損の有無を判定する一例である、第４判定処理の工程群を示すフローチャートである。当該工程群はステップＳ４０１，Ｓ４０２，Ｓ４０３，Ｓ４０４を備える。第４判定処理は、例えば制御部９によって実行される。制御部９は上述の判定を行う判定部として機能する。

ステップＳ４０１は学習済みモデル７２へ現行ロットの負荷履歴７１を入力する工程である。例えば図１５において現行ロットの負荷履歴７１が負荷履歴７１（ｋ）（但しｋ≠１，２，…，ｎ）として例示される。負荷履歴７１（ｋ）がトルク履歴であれば、これらは例えばサーボアンプ４４から入力される電流の情報である。

負荷履歴７１（ｋ）は入出力インターフェース９０３を介して演算部９０１に与えられる。演算部９０１には記憶部９０２から学習済みモデル７２が入力される。演算部９０１において、学習済みモデル７２へ負荷履歴７１（ｋ）が入力される。

ステップＳ４０２は学習済みモデル７２による判断を行う工程である。例えば演算部９０１が学習済みモデル７２に参照して負荷履歴７１（ｋ）が正常であるか異常であるかを判断する。

ステップＳ４０２の判断結果が「正常」である場合には、学習済みモデル７２は欠損がなかった先行ロットについての負荷履歴７１ｆから生成されたことから、現行ロットにおいても欠損がないと判断されたといえる。つまりこの場合には、ステップＳ４０４において、第１判定処理のステップＳ１０３、第２判定処理のステップＳ２０４、第３判定処理のステップＳ３０４と同様に、引き上げられた基板Ｗには欠損がないと判定される。

ステップＳ４０２の判断結果が「異常」である場合には、ステップＳ４０３において、第１判定処理のステップＳ１０２、第２判定処理のステップＳ２０３、第３判定処理のステップＳ３０３と同様に、引き上げられた基板Ｗには欠損があると判定される。

第４判定処理は、学習済みモデル７２に、負荷の経時的な値である負荷履歴７１を入力して、基板Ｗの欠損の有無を判定する。第４判定処理によっても、基板Ｗの破損や欠落が処理槽１００毎に判断される。また処理槽１００を撮像する必要がなく、処理液の液面による反射光の影響も小さい。

負荷履歴７１（ｋ）は後行ロットについての学習済みモデル７２の生成に供するため、負荷履歴群７０に追加されてもよい。

＜学習済みモデルの生成の他例＞
図１７は学習済みモデル７２の生成の他例を示すブロック図である。図１７は制御部９と外部装置６０との接続関係を例示する。この例では基板処理装置１は通信部５１を備える。基板処理装置１は通信部５１を用いて外部装置６０と相互に通信可能である。外部装置６０は例えば基板処理装置１をその外部から管理する管理装置である。

外部装置６０は制御部６０１、学習モデル生成部６０２、記憶部６０３、通信部６０４を備える。制御部６０１は学習モデル生成部６０２、記憶部６０３、通信部６０４の動作を制御する。通信部６０４は通信部５１と相互に通信可能である。外部装置６０は通信部６０４を用いて基板処理装置１と相互に通信可能である。

通信部５１，６０４同士の間での通信は有線通信であってもよいし、通信ネットワークを介する場合を含む無線通信であってもよい。

この例では負荷履歴群７０が演算部９０１から通信部５１，６０４を介して記憶部６０３に記憶される。学習モデル生成部６０２は負荷履歴群７０を用いて学習用データセット７３を生成し、更に学習済みモデル７２を生成する。学習済みモデル７２は記憶部６０３に記憶される。この例ではステップＳ６１，Ｓ６２は学習モデル生成部６０２によって実行される。

この例では学習済みモデル７２は記憶部６０３から通信部６０４，５１を介して演算部９０１に与えられ、第４判定処理に供される。

＜変形＞
上述の説明では、リフタ２０、またはリフタ２０および昇降器４０を基板保持機構として理解することができる。そして基板保持機構にかかる負荷を用いて、基板Ｗにおける欠損の有無が処理槽１００毎に判定される場合が説明された。

但し、搬送機構８にかかる負荷を用いて、基板Ｗにおける欠損の有無が処理槽１００毎に判定されてもよい。例えば制御部９において処理槽１００毎に、欠損がない基板Ｗを保持するときに搬送機構８にかかる負荷を記憶し、当該負荷が基準値として採用される。ステップＳ５２（図６を参照）と同様にして搬送機構８の負荷を測定し、測定された負荷と基準値との比較を行って、処理槽１００毎に欠損の有無が判定される。

例えば当該負荷は搬送機構８にかかる重量である。当該重量を測定するロードセル５０は、例えば搬送機構８が備える連結部８２において設けられる。

あるいは例えば処理槽１００毎に先行ロットの基板Ｗを保持する搬送機構８にかかる負荷が測定される。ステップＳ２０２（図１０を参照）と同様にして、共通する処理槽１００に関し、先行ロットについての当該測定値と、現行ロットについての当該測定値との相違が所定範囲内にあるか否かが、ステップＳ２０２と同様に判断される。これにより処理槽１００毎に欠損の有無が判定される。

あるいは例えば負荷履歴７１と同様にして、処理槽１００毎に搬送機構８にかかる負荷の経時的な値が測定される。この経時的な値が第３判定処理（図１３を参照）における負荷履歴７１，７１ｆに代えて採用されて、処理槽１００毎に欠損の有無が判定される。あるいは搬送機構８にかかる負荷の経時的な値を用いて処理槽１００毎に学習済みモデルが生成される。当該学習済みモデルを用いて、第４判定処理（図１６を参照）と同様にして、処理槽１００毎に欠損の有無が判定される。

なお、上記各実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。

１ 基板処理装置
９ 制御部
２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ リフタ（基板保持機構）
４０，４０ａ，４０ｂ 昇降器（基板保持機構）
７０ 負荷履歴群
７１ 負荷履歴
７２ 学習済みモデル
７３ 学習用データセット
１００，１０１ａ，１０２ａ，１０３ａ，１０４ａ 処理槽
Ｑ リンス液（処理液）
Ｗ 基板

Claims (12)

1. 複数の基板が浸漬されて前記複数の基板を一括して処理する処理液を貯留する処理槽；および
   前記複数の基板を一括して保持する機能を有する機構であって、前記複数の基板を前記処理液から取り出す第１機能と、前記複数の基板を前記処理液へ浸漬する第２機能と、を有する基板保持機構；
   を含む基板処理装置を制御する方法であって、
   前記第１機能を発揮するときに前記基板保持機構にかかる負荷に基づいて、前記処理槽を用いた処理における前記複数の基板の欠損の有無を判定する、基板処理方法。
2. 前記基板保持機構が前記処理液に前記複数の基板を浸漬する前に前記基板保持機構にかかる負荷の値である第１値と、前記第１機能を発揮するときに前記基板保持機構にかかる負荷の値である第２値との相違に基づいて、前記有無を判定する、請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記第２値と、前記第２値の基準となる値である基準値との相違に基づいて、前記有無を判定する、請求項２に記載の基板処理方法。
4. 前記処理液による処理を既に受け、かつ欠損がないと判定された複数の基板についての前記第２値が、前記基準値として採用される、請求項３に記載の基板処理方法。
5. 前記複数の基板が前記処理液から取り出された後の、前記基板保持機構の所定の位置における前記負荷に基づいて、前記有無を判定する、請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
6. 前記負荷に、前記所定の位置において前記基板保持機構に与えられる駆動トルクが採用される、請求項５に記載の基板処理方法。
7. 前記負荷に、前記所定の位置において前記基板保持機構にかかる重量が採用される、請求項５に記載の基板処理方法。
8. 前記基板保持機構によって前記複数の基板が第１の位置から、前記第１の位置よりも前記処理液から離れた第２の位置へ引き上げられる時間帯における前記負荷の経時的な値に基づいて、前記有無を判定する、請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
9. 前記負荷に、前記時間帯において前記基板保持機構に与えられる駆動トルクが採用される、請求項８に記載の基板処理方法。
10. 前記負荷に、前記時間帯において前記基板保持機構にかかる重量が採用される、請求項８に記載の基板処理方法。
11. 前記負荷の経時的な値を、前記処理液による処理を既に受けかつ欠損がないと判定された複数の基板についての前記負荷の経時的な値に基づいた学習用データセットから生成された学習済みモデルに入力して、前記有無の判定が行われる、請求項１に記載の基板処理方法。
12. 複数の基板が浸漬されて前記複数の基板を一括して処理する処理液を貯留する処理槽；
    前記複数の基板を一括して保持する機構であって、前記複数の基板を前記処理液から取り出す第１機能と、前記複数の基板を前記処理液へ浸漬する第２機能と、を有する基板保持機構；および
    前記第１機能を発揮するときに前記基板保持機構にかかる負荷の値である値に基づいて、前記処理槽を用いた処理における前記複数の基板の欠損の有無を判定する判定部
    を備える基板処理装置。

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