WO2024004621A1 - 基板処理装置、基板処理方法 - Google Patents

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WO2024004621A1
WO2024004621A1 PCT/JP2023/021830 JP2023021830W WO2024004621A1 WO 2024004621 A1 WO2024004621 A1 WO 2024004621A1 JP 2023021830 W JP2023021830 W JP 2023021830W WO 2024004621 A1 WO2024004621 A1 WO 2024004621A1
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WO
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processing
substrate
substrates
value
load
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PCT/JP2023/021830
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English (en)
French (fr)
Inventor
哲弥 柴田
Original Assignee
株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス filed Critical 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
  • Patent Documents 1 and 2 below propose batch-type substrate processing apparatuses that process multiple substrates at once.
  • the substrate processing apparatus includes a processing tank that stores a processing liquid. By immersing a plurality of substrates in a processing liquid stored in a processing tank, processing is performed on a plurality of substrates at once.
  • Patent Document 1 the weight of the substrate before undergoing multiple treatments and the weight of the substrate after undergoing the multiple treatments are measured, and the difference between the two is compared with a comparison value.
  • an imaging unit (camera) is provided to monitor the inside of the substrate processing apparatus. A camera images the inside of the processing tank from vertically above, and the presence or absence of a substrate piece inside the processing tank is determined based on the captured image.
  • a mechanism that has a function of holding a plurality of substrates all at once is used.
  • the substrate holding mechanism immerses a plurality of substrates in a processing liquid and takes them out from the processing liquid.
  • a plurality of substrates that have been collectively processed with the processing liquid are moved from the substrate holding mechanism to another location by another mechanism. It is desirable to determine whether or not a plurality of substrates that have been moved from a substrate holding mechanism are damaged or missing.
  • Patent Document 1 the presence or absence is determined based on whether the weight difference before and after the substrate is processed in a plurality of processing tanks is larger than a comparison value.
  • this technique is not suitable for determining damage or missing parts for each treatment tank.
  • the captured image is affected by light reflected by the surface of the processing liquid. This influence causes a misjudgment as to the presence or absence of a piece of substrate inside the processing tank.
  • a substrate processing method is a method of controlling a substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus stores a processing liquid in which a plurality of substrates are immersed to collectively process the plurality of substrates. a processing tank; and a mechanism having a function of holding the plurality of substrates all at once, the mechanism having a first function of taking out the plurality of substrates from the processing liquid, and a first function of immersing the plurality of substrates in the processing liquid. It includes a substrate holding mechanism having two functions. The method determines whether or not the plurality of substrates are damaged during processing using the processing tank, based on a load applied to the substrate holding mechanism when performing the first function.
  • a substrate processing method is the substrate processing method according to the first aspect, wherein the substrate holding mechanism reduces the load applied to the substrate holding mechanism before immersing the plurality of substrates in the processing liquid. The presence or absence is determined based on the difference between a first value, which is a value, and a second value, which is a value of a load applied to the substrate holding mechanism when performing the first function.
  • the substrate processing method according to the third aspect is the substrate processing method according to the second aspect, in which, based on the difference between the second value and a reference value that is a reference value for the second value, The presence or absence of the above is determined.
  • the substrate processing method according to a fourth aspect is the substrate processing method according to the third aspect, wherein the second value is determined for a plurality of substrates that have already been treated with the treatment liquid and are determined to have no defects. is adopted as the reference value.
  • a substrate processing method is a substrate processing method according to any of the first to fourth aspects, in which a predetermined position of the substrate holding mechanism is set after the plurality of substrates are taken out from the processing liquid. The presence or absence is determined based on the load at the position.
  • the substrate processing method according to the sixth aspect is the substrate processing method according to the fifth aspect, in which a driving torque applied to the substrate holding mechanism at the predetermined position is used as the load.
  • the substrate processing method according to the seventh aspect is the substrate processing method according to the fifth aspect, in which the load is a weight applied to the substrate holding mechanism at the predetermined position.
  • the substrate processing method according to the ninth aspect is the substrate processing method according to the eighth aspect, in which a driving torque applied to the substrate holding mechanism during the time period is used as the load.
  • the substrate processing method according to the tenth aspect is the substrate processing method according to the eighth aspect, in which the weight applied to the substrate holding mechanism during the time period is adopted as the load.
  • a substrate processing method is a substrate processing method according to any one of the first to tenth aspects, in which the value of the load over time is determined by determining the value of the load over time for a substrate that has already been treated with the treatment liquid.
  • the presence/absence determination is performed by inputting the input to a learned model generated from a learning data set based on the load values over time for a plurality of boards determined to have no defects.
  • a substrate processing apparatus includes: a processing tank in which a plurality of substrates are immersed and a processing liquid for processing the plurality of substrates at once; a mechanism for holding the plurality of substrates at once; , a substrate holding mechanism having a first function of taking out the plurality of substrates from the processing liquid, and a second function of immersing the plurality of substrates in the processing liquid; A determination unit is provided that determines whether or not the plurality of substrates are damaged during processing using the processing tank, based on a value that is a value of the load applied to the substrate holding mechanism.
  • damage or missing substrates are determined for each processing tank. There is no need to image the processing tank, and the influence of reflected light from the surface of the processing liquid is small.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing an example of the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 3 is a side view showing a delivery cassette and a plurality of processing units. It is a side view which illustrates the structure of a conveyance mechanism.
  • FIG. 3 is a side view showing immersion of a substrate in a processing liquid stored in a processing tank and removal of the substrate from the processing liquid.
  • FIG. 3 is a side view showing immersion of a substrate in a processing liquid stored in a processing tank and removal of the substrate from the processing liquid.
  • It is a flowchart which shows a 1st immersion process. It is a side view showing the position where a load cell is arranged.
  • FIG. 3 is a side view showing a delivery cassette and a plurality of processing units. It is a side view which illustrates the structure of a conveyance mechanism.
  • FIG. 3 is a side view showing immersion of a substrate in a processing liquid stored in a processing tank and removal of the substrate
  • FIG. 2 is a block diagram illustrating a connection relationship between a control unit and its surroundings. It is a flowchart which shows a 1st determination process. It is a flowchart which shows a 2nd determination process.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing the value of driving torque over time. It is a flowchart which shows a 2nd immersion process. It is a flowchart which shows a 3rd determination process. 3 is a flowchart showing learning processing.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing generation of a trained model. It is a flowchart which shows a 4th determination process.
  • FIG. 2 is a block diagram illustrating a connection relationship between a control unit and an external device.
  • the expression does not only represent the shape strictly geometrically, but also has the same effect. It also represents shapes with, for example, unevenness or chamfering, as long as the shape can be obtained.
  • connection includes not only a state in which two elements are in contact, but also a state in which two elements are separated with another element in between.
  • the expression includes only A, only B, only C, any two of A, B, and C, and A, B and C.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing an example of the configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment.
  • the XY plane represents a horizontal plane.
  • the Z axis represents a vertical axis, and more specifically, the Z direction is a vertically upward direction.
  • the -X direction is the opposite direction to the X direction
  • the -Y direction is the opposite direction to the Y direction
  • the -Z direction is the opposite direction to the Z direction.
  • the substrate processing apparatus 1 is a batch processing apparatus that processes a plurality of substrates W at once.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a mounting section 2 , a robot 4 , an attitude changing mechanism 5 , a pusher 6 , a transport mechanism 8 , a processing unit 10 , a delivery cassette 11 , and a control section 9 .
  • the control unit 9 can, for example, control the operation of the substrate processing apparatus 1 in an integrated manner.
  • the control unit 9 includes, for example, a calculation unit, a memory, a storage unit, and the like.
  • the calculation unit includes, for example, one or more central processing units (CPUs). The calculation unit will be explained later as calculation unit 901.
  • the memory is composed of a volatile storage medium such as a RAM (Random Access Memory), for example.
  • the storage unit is configured of a non-volatile storage medium such as a hard disk drive (HDD) or a solid state drive (SSD).
  • the storage unit can store, for example, programs and various information.
  • the calculation unit can realize various functions by, for example, reading and executing a program stored in the storage unit.
  • the RAM is used, for example, as a workspace and stores temporarily generated or acquired information.
  • the memory and storage section will be described later as storage section 902.
  • FIG. 2 is a side view of the processing unit 10 and the delivery cassette 11 as viewed along the -X direction.
  • the loading section 2 and the process space 3 are partitioned by a partition wall (not shown) equipped with a shutter that can be opened and closed.
  • the shutter is opened and closed under the control of the control section 9, and spatially separates the mounting section 2 and the process space 3, or allows them to communicate with each other.
  • unprocessed substrates W are carried into the process space 3 from the storage container F, and processed substrates W are carried out into the storage container F.
  • the loading and unloading of the substrates W between the process space 3 and the storage container F is performed by the robot 4.
  • the robot 4 is configured to be freely rotatable within a horizontal plane.
  • the robot 4 transfers a plurality of substrates W between the attitude changing mechanism 5 and the storage device F with the shutter open. The transfer is schematically indicated by a white arrow.
  • the processing unit 10 is placed on the opposite side of the robot 4 with respect to the attitude changing mechanism 5 (on the ⁇ X direction side in the figure).
  • the transport mechanism 8 is arranged on the side opposite to the attitude changing mechanism 5 with respect to the processing unit 10 (on the ⁇ X direction side in the figure).
  • the pusher 6 is arranged between the attitude changing mechanism 5 and the transport mechanism 8.
  • the pusher 6 transfers a plurality of substrates W in an upright posture between the posture changing mechanism 5 and a stage 12, which will be described later.
  • FIG. 3 is a side view illustrating the configuration of the transport mechanism 8.
  • the transport mechanism 8 includes a pair of arms 81. Depending on the positions of the pair of arms 81, it is possible to switch between holding a plurality of substrates W together and releasing the holding. Each arm 81 swings around a horizontal axis in a direction in which its lower edges approach each other, and collectively holds a plurality of substrates W therebetween. Each arm 81 swings around the horizontal axis in a direction in which the lower edges thereof separate from each other, and the holding of the plurality of substrates W is released.
  • the transport mechanism 8 includes a rod 83 and a pair of connecting parts 82.
  • One connecting portion 82 connects one end of a rod 83 to one arm 81 .
  • the other connecting portion 82 connects the other end of the rod 83 with the other arm 81 .
  • the pair of arms 81 is supported by the connecting portion 82 at both ends of the rod 83 and swings as described above.
  • the substrate W can be transferred between the attitude changing mechanism 5 and the arm 81 via the pusher 6.
  • the pusher 6 transfers the substrate W to and from the transport mechanism 8 via the stage 12 that moves up and down in the transfer cassette 11.
  • the stage 12 that remains positioned above after the substrate W has already been transported to the processing section 105 is illustrated by a solid line.
  • the stage 12 located on the lower side is illustrated by a chain line.
  • the processing unit 10 has elevators 40a, 40b, and 40c.
  • a lifter 20a is attached to the elevator 40a.
  • a lifter 20b is attached to the elevator 40b.
  • a lifter 20c is attached to the elevator 40c. All of the lifters 20a, 20b, and 20c function as a substrate holding mechanism that holds a plurality of substrates W.
  • the name lifter 20 will be used to indicate the lifters 20a, 20b, and 20c without distinguishing them. There may be cases.
  • elevator 40 when there is no need to distinguish between the elevators 40a, 40b, and 40c, for example, in the explanation of common functions, the elevators 40a, 40b, and 40c will be referred to as elevator 40 without distinction. may be adopted.
  • the elevator 40a and the lifter 20a are movable along both the Y direction and the -Y direction between the processing sections 103 and 104, and are positioned at processing positions corresponding to the processing sections 103 and 104.
  • the elevator 40a and the lifter 20a are used for processing the substrates W in the processing sections 103 and 104.
  • the elevator 40b and the lifter 20b are movable along both the Y direction and the -Y direction between the processing sections 101 and 102, and are positioned at processing positions corresponding to the processing sections 101 and 102.
  • the elevator 40b and the lifter 20b are used for processing the substrates W in the processing sections 101 and 102.
  • the elevator 40c and the lifter 20c are used for processing the substrate W in the processing section 105.
  • the substrate W is processed using, for example, a chemical liquid as a processing liquid.
  • a chemical liquid as a processing liquid.
  • rinsing of the chemical solution on the substrate W hereinafter referred to as "washing" is performed.
  • drying processing is performed.
  • the processing section 101 includes processing tanks 101a and 101b.
  • the processing section 103 includes processing tanks 103a and 103b.
  • the processing tanks 101a, 101b, 103a, and 103b are open toward the Z direction.
  • a predetermined chemical solution for collectively processing a plurality of substrates W is stored in the processing tanks 101a and 103a.
  • a circulation pipe 101c is provided in the processing tank 101a.
  • the circulation pipe 101c is a path through which the chemical liquid stored in the processing tank 101a is circulated by, for example, a pump (not shown).
  • a circulation pipe 103c is provided in the processing tank 103a.
  • the circulation pipe 103c is a path through which the chemical liquid stored in the processing tank 103a is circulated by, for example, a pump (not shown).
  • the processing tank 101b surrounds the processing tank 101a and receives overflow of the chemical solution from the processing tank 101a.
  • the processing tank 103b surrounds the processing tank 103a and receives overflow of the chemical solution from the processing tank 103a.
  • the substrate W immersed in the chemical solution stored in the processing tank 101a is processed by the chemical solution.
  • the substrate W immersed in the chemical solution stored in the processing tank 103a is processed by the chemical solution. It does not matter whether the chemical solution is different between the processing tanks 101a and 103a.
  • the processing tanks 101a and 103a are also called "CHB (CHemical Bath)".
  • the processing section 102 includes a processing tank 102a.
  • the processing section 104 includes a processing tank 104a.
  • the processing tanks 102a and 104a are open toward the Z direction.
  • the processing tanks 102a and 104a are also referred to as "ONB (ONe Bath)."
  • the processing tank 102a stores a rinsing liquid (for example, pure water), which is a processing liquid for cleaning the substrate W from the chemical solution stored in the processing tank 101a.
  • the processing tank 104a stores a rinsing liquid (for example, pure water), which is a processing liquid for cleaning the substrate W from the chemical solution stored in the processing tank 103a.
  • the substrate W immersed in the rinsing liquid stored in the processing tank 102a is cleaned by the rinsing liquid.
  • the substrate W immersed in the rinsing liquid stored in the processing tank 104a is cleaned by the rinsing liquid.
  • a circulation pipe 102c is provided in the processing tank 102a.
  • the circulation pipe 102c is a path through which the rinsing liquid stored in the processing tank 102a is circulated by, for example, a pump (not shown).
  • a circulation pipe 104c is provided in the processing tank 104a.
  • the circulation pipe 104c is a path through which the rinsing liquid stored in the processing tank 104a is circulated by, for example, a pump (not shown).
  • the processing unit 105 dries the substrate W by supplying an organic solvent such as isopropyl alcohol to the substrate W in, for example, a reduced pressure atmosphere.
  • the processing section 105 includes a processing tank 105a.
  • the processing tank 105a stores, for example, isopropyl alcohol.
  • a circulation pipe 105c is provided in the processing tank 105a.
  • the circulation pipe 105c is a path through which the organic solvent stored in the processing tank 105a is circulated by, for example, a pump (not shown).
  • the elevator 40a has a function of immersing the lifter 20a in the chemical liquid stored in the processing tank 103a, a function of taking out the lifter 20a from the chemical liquid, and a function of immersing the lifter 20a in the rinsing liquid stored in the processing tank 104a. It has a function of taking out the lifter 20a from the rinsing liquid.
  • the elevator 40b has the functions of immersing the lifter 20b in the chemical liquid stored in the processing tank 101a, taking out the lifter 20b from the chemical liquid, immersing the lifter 20b in the rinsing liquid stored in the processing tank 102a, and 20b from the rinsing liquid.
  • the loading and unloading of the substrate W into and out of the processing section 105 is realized by the transport mechanism 8, the elevator 40c, and the lifter 20c.
  • a plurality of substrates W are transferred between the lifter 20a and the transport mechanism 8 while the lifter 20a is raised in the Z direction by the elevator 40a and positioned above the processing tanks 103b and 104a.
  • a plurality of substrates W are transferred between the lifter 20b and the transport mechanism 8 while the lifter 20b is raised in the Z direction by the elevator 40b and positioned above the processing tanks 101b and 102a.
  • the lifter 20c is raised in the Z direction by the elevator 40c and positioned above the processing section 105, and a plurality of substrates W are delivered to and from the transport mechanism 8.
  • the transport mechanism 8 moves to the processing position and lines up with one of the lifters 20c, 20b, and 20a along the X direction, and the transfer is performed by the above-mentioned holding and release.
  • FIG. 4 is a side view illustrating the immersion of the substrate W into the processing liquid stored in the processing tank 104a and the removal of the substrate W from the processing liquid, as seen along the -X direction.
  • FIG. 5 is a side view, viewed along the Y direction, showing immersion of the substrate W in the processing liquid stored in the processing tank 104a and removal of the substrate W from the processing liquid.
  • the elevator 40a is omitted in FIGS. 2 and 4. 4 and 5, a case is illustrated in which the rinsing liquid Q is stored in the processing tank 104a.
  • FIGS. 4 and 5 the state in which the substrate W is immersed in the rinsing liquid Q together with the lifter 20a is shown using a dashed line.
  • FIGS. 4 and 5 the state where the substrate W is taken out from the rinsing liquid Q together with the lifter 20a is shown using a solid line without distinguishing whether it is before or after immersion.
  • a two-dot chain line schematically shows a transition between a state in which the substrate W is removed from the rinsing liquid Q together with the lifter 20a and a state in which the substrate W is immersed in the rinsing liquid Q.
  • the lifter 20a includes a plurality of rods 21 and a plate 22.
  • the lifter 20a includes three rods 21.
  • Each of the rods 21 supports a plurality of substrates W at intervals.
  • each bar 21 is provided with 25 grooves spaced apart from each other in the X direction, although not explicitly shown in the figure.
  • the plate 22 extends perpendicularly to the X direction, for example.
  • the ends of any of the rods 21 (for example, the ends in the -X direction) are connected to the plate 22.
  • the lifter 20a has the function of holding a plurality of substrates W.
  • the lifters 20b and 20c are also configured similarly to the lifter 20a, and have the function of holding a plurality of substrates W.
  • the elevator 40a includes a support piece 41, a lifting guide 42, a motor 43, and a servo amplifier 44.
  • the support piece 41 supports the plate 22 of the lifter 20a from the ⁇ X direction side.
  • the lifting guide 42 guides the lifting and lowering of the support piece 41, specifically, the movement of the support piece 41 in the Z direction and the movement of the support piece 41 in the -Z direction.
  • the elevating guide 42 includes a ball screw connected to the rotating shaft of the motor 43, and a rod (both not shown) that has a tap drilled therein to fit into the ball screw and is connected to the plate 22.
  • the motor 43 is driven by a servo amplifier 44 under the control of the control unit 9 to move the support piece 41 up and down.
  • the control unit 9 controls the motor 43 via the servo amplifier 44 to move the lifter 20a to a predetermined position.
  • the motor 43 is a servo motor.
  • the servo amplifier 44 not only drives the motor 43 upon receiving a rotation instruction from the control section 9, but also transmits information regarding the vertical position of the support piece 41 and, in turn, the vertical position of the lifter 20a, from the motor 43 to the control section 9.
  • the elevators 40b and 40c are also configured similarly to the elevator 40a, and lifters 20b and 20c are raised and lowered to move them to predetermined positions, respectively.
  • the processing tank 100 is a name that does not distinguish between the processing tanks 101a, 102a, 103a, and 104a.
  • the processing tank 100 stores a processing liquid in which a plurality of substrates W are immersed and which processes the plurality of substrates W at once.
  • the processing liquid is the above-mentioned chemical solution.
  • the processing liquid is the above-mentioned rinsing chemical liquid.
  • the lifter 20 is a mechanism that has the function of collectively holding a plurality of substrates W, and functions as a substrate holding mechanism.
  • the substrate holding mechanism has a first function of taking out the substrate W from the processing liquid and a second function of immersing the substrate W into the processing liquid.
  • the presence or absence of defects in the substrate W during processing using the processing tank 100 is determined based on the load applied to the substrate holding mechanism when performing the first function.
  • Specific examples of when the lifter 20 performs the first function include the above-mentioned steps (v), (viii), (xiv), and (xvii).
  • FIG. 6 is a flowchart showing a process group employed in the process of immersing the substrate W in a processing liquid and taking it out from the process liquid (hereinafter also simply referred to as "immersion process").
  • the process group includes steps S11, S12, S13, S14, S15, S51, S52, and S53.
  • an immersion process that employs such a process group is shown as a "first immersion process.”
  • Step S11 is a step of placing the substrate W on the lifter 20.
  • step S11 corresponds to the above-mentioned steps (iii) and (xii). Such placement is performed by the transport mechanism 8.
  • step S11 is omitted.
  • step S12 is a step of immersing the substrate W into the processing liquid stored in the processing tank 100.
  • Step S12 corresponds to the second function, and corresponds to the above-mentioned steps (iv), (vii), (xiii), and (xvi).
  • Step S13 is a process of securing the time necessary for processing the substrate W in the processing tank 100.
  • step S13 it is determined whether a predetermined time has elapsed since step S12 was executed. If the determination is negative, that is, if a predetermined time has not passed since step S12 was executed, step S13 is repeatedly executed. If the determination is affirmative, that is, if a predetermined time has elapsed since step S12 was executed, step S14 is executed.
  • Step S14 is a step of pulling up the substrate W from the processing tank 100. By such lifting, the substrate W is taken out from the processing liquid stored in the processing tank 100.
  • Step S14 corresponds to the first function, and corresponds to the above-mentioned steps (v), (viii), (xiv), and (xvii).
  • the elevator 40 moving up and down.
  • the combination of the elevator 40a and the lifter 20a can be regarded as a substrate holding mechanism
  • the combination of the elevator 40b and the lifter 20b can be regarded as a substrate holding mechanism.
  • step S14 After step S14 is executed, steps S52 and S53, which will be described later, are further executed, and then step S15 is executed.
  • step S53 can be omitted, and the frame representing step S53 is indicated by a broken line.
  • Step S15 is a process of moving the substrate W from the lifter 20. More specifically, step S15 is a step of transferring the substrate W from the lifter 20 to the transport mechanism 8. Step S15 corresponds to steps (x) and (xix) described above. Such delivery is performed by the transport mechanism 8. When the processing tank 100 corresponds to the processing tanks 101a and 103a, step S15 is omitted.
  • Step S51 is executed before step S12 is executed. Step S51 is executed while the lifter 20 is holding the substrate W.
  • step S11 is executed, and then step S51 is executed.
  • step S51 is executed after the lifter 20b is positioned above the processing tank 102a in step (vi).
  • step S51 is executed after the lifter 20a is positioned above the processing tank 104a in step (xv).
  • Step S52 is executed after step S14 is executed and before step S15 is executed. Step S52 is executed while the lifter 20 is holding the substrate W.
  • Steps S51 and S52 are both steps of measuring the load applied to the lifter 20 (hereinafter also referred to as "load on the lifter 20").
  • load on the lifter 20 the load value measured in step S51 will be explained as a first value
  • load value measured in step S52 will be explained as a second value.
  • step S52 the load on the lifter 20 that holds the substrate W taken out in step S14 is measured, so the second value can be said to be the load applied to the substrate holding mechanism when performing the first function.
  • step S51 the load before the substrate W is immersed in the processing liquid in step S12 is measured, so the first value can be said to be the load applied to the substrate holding mechanism before the substrate W is immersed.
  • Steps S51 and S52 are executed, for example, when the lifter 20 is at its highest position. Alternatively, either one or both of steps S51 and S52 may be performed in a situation where the substrate W is not immersed in the processing liquid. For example, step S51 may be executed at a position where the lifter 20 is on its way down until the substrate W is immersed in the processing liquid. Step S52 may be performed at a position where the lifter 20 is in the middle of being raised after the substrate W is taken out from the processing liquid.
  • the load at a predetermined position of the lifter 20 after the substrate W is taken out from the processing liquid can be adopted as the second value.
  • a motor 43 is driven by a servo amplifier 44, and the elevator 40 is raised and lowered by the motor 43.
  • the lifter 20 can be moved to a predetermined position by a servo amplifier 44 under the control of the control section 9.
  • step S12 is executed in the first immersion process, the premise that step S12 is executed is that there is no defect in the substrate W that is immersed in the processing liquid.
  • step S51 can be omitted and the reference value can be adopted as the first value.
  • the reference value is a value that serves as a reference for the second value.
  • the load applied to the lifter 20 when a plurality of substrates W without defects is held by the lifter 20 is measured or assumed in advance, and the value of the load is adopted as the reference value of the second value, and furthermore, as the above-mentioned first value. can do.
  • FIG. 7 is a side view showing the position where the load cell 50 is arranged.
  • the load cell 50 is provided between the support piece 41 and the lifter 20.
  • the load cell 50 measures the weight applied to the lifter 20.
  • the weight reflects the load placed on the lifter 20.
  • the above-mentioned first value and second value can be obtained using the information about the weight obtained from the load cell 50.
  • the load may be evaluated using a measurement value other than weight, and in that case, the load cell 50 is not necessary. From this point of view, the load cell 50 is omitted in FIG. 5.
  • FIG. 8 is a block diagram illustrating the connection relationship between the control unit 9 and its surroundings when the load cell 50 is provided.
  • the control unit 9 includes a calculation unit 901, a storage unit 902, and an input/output interface 903.
  • the input/output interface 903 exchanges information with the servo amplifier 44, load cell 50, and transport mechanism 8.
  • the input/output interface 903 also exchanges information with other components such as the elevators 40a, 40b, 40c, the robot 4, the posture changing mechanism 5, the pusher 6, and other components of the substrate processing apparatus 1. Such exchange is omitted in FIG.
  • the storage unit 902 stores various information.
  • the calculation unit 901 performs calculations using the information stored in the storage unit 902 and the data information input from the input/output interface 903, or both.
  • the load cell 50 provides data indicating the measured first value and second value to the calculation unit 901 via the input/output interface 903. Based on the difference between the first value and the second value, the calculation unit 901 determines whether or not there is a defect in the substrate W during processing using the processing tank 100. If the value obtained by subtracting the second value from the first value is larger than the predetermined range, it is estimated that the substrate W itself or a part thereof remains in the processing tank 100. When it is estimated that there is the remaining substrate, it is reasonable to determine that the substrate W pulled up from the processing tank 100 has a defect. Determination of the presence or absence of defects in the lifted substrate W is directly connected to determination of the presence or absence of defects in the substrate W during processing using the processing tank 100 that stores the processing liquid from which the substrate W has been taken out.
  • a part of the processing liquid may adhere to the lifter 20 in step S14.
  • This part (hereinafter tentatively referred to as "liquid taken out") affects the second value.
  • the weight of the liquid to be taken out depends on, for example, the type of processing liquid, the hydrophilicity or hydrophobicity of the surface of the substrate W, the number of substrates W held by the lifter 20, and the time period during which the substrates W are immersed in the processing liquid.
  • the time interval from step S14 to step S52 also influences the second value. From this viewpoint, the presence or absence of a defect is determined based on whether the difference between the first value and the second value is within a predetermined range.
  • FIG. 9 is a flowchart showing a process group of the first determination process, which is an example of the above-mentioned determination.
  • the process group includes steps S101, S102, and S103.
  • the first determination process is executed by the control unit 9, for example.
  • the control unit 9 functions as a determination unit that performs the above-mentioned determination.
  • Step S101 is a step of determining whether the difference between the first value and the second value is within a predetermined range. The judgment becomes negative when there is a large difference in the load applied to the lifter 20 before and after immersion in the processing liquid. If the determination in step S101 is negative, it is determined in step S102 that the lifted substrate W has a defect, and the first determination process ends.
  • step S101 If the determination in step S101 is affirmative, it is determined in step S103 that there is no defect in the lifted substrate W, and the first determination process ends.
  • the first determination process it is determined whether or not there is a defect in the lifted substrate W, and therefore, it is determined whether or not there is a defect in the substrate W in the process using the processing liquid in which the lifted substrate W is immersed. Ru.
  • the load on the lifter 20 is evaluated before and after immersion in the treatment liquid. Therefore, damage or missing substrates W are determined for each processing tank 100. Further, there is no need to image the processing tank 100, and the influence of reflected light from the surface of the processing liquid is small.
  • the above determination is performed for each substrate W (hereinafter referred to as "lot") that is collectively processed in the same processing tank 100. Therefore, there is no need to refer to the results of other lots as will be described later.
  • the load applied to the lifter 20 is evaluated using, for example, the driving torque applied to the lifter 20 from the motor 43 instead of or in addition to the weight applied to the lifter 20.
  • the drive torque is reflected in the value of the current that the servo amplifier 44 supplies to the motor 43.
  • the value of this current is given to the calculation unit 901 via the input/output interface 903 and used in calculation of the load in the calculation unit 901. If the weight applied to the lifter 20 is not used for load evaluation, the load cell 50 may be omitted.
  • FIG. 6 shows step S53 in the first immersion process. Step S53 is executed after step S52 is executed. The execution of step S53 does not matter before or after the execution of step S15.
  • the current lot is a preceding lot for a plurality of substrates W (hereinafter referred to as "following lot") that are to be processed in the same processing tank 100 following the current lot.
  • Storing the second value in step S53 is preparation for the stored second value to be adopted as the first value in the subsequent lot.
  • the second value is stored in the storage unit 902.
  • FIG. 10 is a flowchart showing a process group of the second determination process, which is an example of determining the presence or absence of defects in the lifted substrate W.
  • the process group includes steps S201, S202, S203, and S204.
  • the second determination process is executed by the control unit 9, for example.
  • the control unit 9 functions as a determination unit that performs the above-mentioned determination.
  • Step S201 is a process of determining whether there is a defect in the immersion process of the preceding lot.
  • the determination may be made using, for example, the result of the first determination process, the result of the second determination process for another substrate W, or the presence or absence of defects visually observed. If the determination is positive, there was a defect in the immersion process of the preceding lot, so the second value stored for the preceding lot is not appropriate as the reference value for the second value of the current lot. In this case, the second determination process ends.
  • step S202 is executed.
  • Step S202 is a step of determining whether the difference between the second value of the preceding lot and the second value of the current lot is within a predetermined range.
  • Step S202 can be said to be a step in which a second value for a preceding lot with no defects is used instead of the first value in step S101 of the first determination process.
  • step S202 determines whether there is no defect in the lifted substrate W, similarly to step S103 of the first determination process. If the determination result in step S202 is negative, it is determined in step S203 that the lifted substrate W has a defect, similarly to step S102 of the first determination process.
  • the second determination process also determines whether the substrate W is damaged or missing for each processing tank 100. Further, there is no need to image the processing tank 100, and the influence of reflected light from the surface of the processing liquid is small.
  • the value of the load over time during the time period in which the substrate W is lifted from the first position to the second position is used. It's okay.
  • the substrate W is lifted by the lifter 20 from the position where it is immersed in the processing liquid (hereinafter referred to as the "low position") to the delivery position to the transport mechanism 8 or the highest position of the lifter 20 (hereinafter referred to as the "high position").
  • the presence or absence of defects in the substrate W may be determined based on the value of the load over time (hereinafter tentatively referred to as "load history").
  • the weight applied to the lifter 20 may be adopted, or the driving torque (hereinafter simply referred to as “torque”) may be adopted.
  • torque the driving torque
  • a temporal value of torque in the relevant time period hereinafter tentatively referred to as “torque history”.
  • FIG. 11 is a diagram schematically showing a load history 71 as a torque load.
  • time is plotted on the horizontal axis
  • torque is plotted on the vertical axis.
  • the lifter 20 Before time ts, the lifter 20 is in a low position, and after time te, the lifter 20 is in a high position. The lifter 20 rises from time ts to time te.
  • Graph T1 shows the torque history when the substrate W has no defects.
  • Graph T2 shows the torque history when the substrate W has a defect.
  • Graph T0 shows the torque history at a high position when the defect in substrate W is larger than that illustrated in graph T2.
  • graph T2 shows a smaller torque than graph T1.
  • graph T0 shows a smaller torque than graph T2.
  • determining the presence or absence of a defect by comparing graph T1 (or graph T0) and graph T2 is to determine the torque indicated by graph T2 at the high position as the first value in the first determination process (see FIG. 9). This can be said to be equivalent to adopting .
  • FIG. 12 is a flowchart showing a group of steps employed in the second immersion treatment.
  • the process group includes steps S11, S12, S13, S14, S15, S54, S55, and S56.
  • the second immersion process is a immersion process that is employed when determining the presence or absence of defects using the load history 71.
  • steps S11, S12, S13, S14, and S15 and the order in which they are executed are the same as the first immersion process (see FIG. 6).
  • step S54 is executed.
  • measurement of the load on the lifter 20, such as torque is started. After this, the load on the lifter 20 continues to be measured, and the value of the load over time continues to be measured until step S55, which will be described later, is executed.
  • step S14 When load measurement is started in step S54, step S14 is executed. Upon completion of step S14, step S55 is executed. In step S55, the measurement of the load on the lifter 20, for example, the torque, is completed.
  • step S56 When the load measurement is completed in step S55, step S56 is executed. Step S56 stores the load history 71 as the load on the lifter 20 from execution of step S54 to execution of step S55.
  • the load history 71 is stored in the storage unit 902, for example.
  • step S15 is executed.
  • steps S11 and S15 are omitted is the same as the first immersion process.
  • FIG. 13 is a flowchart showing a process group of the third determination process, which is an example of determining whether there is a defect in the lifted substrate W.
  • the process group includes steps S301, S302, S303, and S304.
  • the third determination process is executed by the control unit 9, for example.
  • the control unit 9 functions as a determination unit that performs the above-mentioned determination.
  • step S301 is a process of determining whether or not there is a defect in the immersion process of the preceding lot. The judgment is made using, for example, the results of the first judgment process, the results of the second judgment process, the results of the third judgment process that uses the presence or absence of defects in the preceding lot, or the results of visual inspection of defects. It is done using presence/absence.
  • the load history 71 stored for the preceding lot is not appropriate for comparison with the load history 71 of the current lot. In this case, the third determination process ends.
  • the load history 71 for the preceding lot will be explained as the load history 71f.
  • step S302 is executed.
  • step S302 it is determined whether the difference between the load history 71f of the preceding lot and the load history 71 of the current lot is within a predetermined range. It can be said that step S302 is a step in which the load history is used instead of the second value in step S202 in the second determination process.
  • step S302 If the determination result in step S302 is positive, it is determined in step S304 that there is no defect in the lifted substrate W, similarly to step S103 of the first determination process and step S204 of the second determination process. If the determination result in step S302 is negative, it is determined in step S303 that the lifted substrate W has a defect, similarly to step S102 of the first determination process and step S203 of the second determination process.
  • the third determination process also determines whether the substrate W is damaged or missing for each processing tank 100. Further, there is no need to image the processing tank 100, and the influence of reflected light from the surface of the processing liquid is small.
  • FIG. 14 is a flowchart showing the process steps employed in the learning process.
  • the process group includes steps S61, S62, and S63 that are executed in this order.
  • Step S61 is a step of generating a learning data set 73. Specifically, a learning data set 73 is generated based on the load history group 70 for the preceding lots that are determined to have no defects.
  • FIG. 15 is a schematic diagram showing the generation of the learned model 72.
  • the load history group 70 is composed of a plurality of load histories 71(1), 71(2), . . . , 71(n).
  • Each of the load histories 71(1), 71(2), . . . , 71(n) is the load history 71f for a preceding lot with no defects.
  • the load histories 71(1), 71(2), . . . , 71(n) are all torque histories.
  • the load history group 70 is given to the calculation unit 901 via the input/output interface 903 and stored in the storage unit 902, for example. If the load histories 71(1), 71(2), . . . , 71(n) are torque histories, these are information on the current input from the servo amplifier 44, for example.
  • the calculation unit 901 generates a learning data set 73 using the load history group 70 and stores it in the storage unit 902, for example.
  • the load history group 70 itself may be employed as the learning data set 73.
  • Step S62 is a step of generating a learned model 72.
  • the calculation unit 901 generates the learned model 72 using the learning data set 73 generated in step S61 or in which the load history group 70 itself is adopted.
  • the learned model 72 is generated from a learning data set 73 based on a load history group 70 that is a load value over time for a plurality of substrates W that have already been treated with a treatment liquid and are determined to have no defects. It can be said that
  • Step S63 is a process of storing the learned model 72.
  • the trained model 72 generated in step S62 is stored in the storage unit 902, for example.
  • FIG. 16 is a flowchart showing a process group of the fourth determination process, which is an example of determining whether there is a defect in the lifted substrate W.
  • the process group includes steps S401, S402, S403, and S404.
  • the fourth determination process is executed by the control unit 9, for example.
  • the control unit 9 functions as a determination unit that performs the above-mentioned determination.
  • Step S401 is a step of inputting the load history 71 of the current lot to the learned model 72.
  • the load history 71 of the current lot is illustrated as a load history 71(k) (k ⁇ 1, 2, . . . , n). If the load history 71(k) is a torque history, these are information on the current input from the servo amplifier 44, for example.
  • the load history 71(k) is given to the calculation unit 901 via the input/output interface 903.
  • the learned model 72 is input to the calculation unit 901 from the storage unit 902 .
  • the load history 71(k) is input to the learned model 72.
  • Step S402 is a step of making a judgment based on the learned model 72.
  • the calculation unit 901 refers to the learned model 72 and determines whether the load history 71(k) is normal or abnormal.
  • step S402 If the determination result in step S402 is "normal", it can be said that the learned model 72 was generated from the load history 71f for the preceding lot in which there was no loss, and therefore it is determined that there is no loss in the current lot. . That is, in this case, in step S404, it is determined that there is no defect in the lifted substrate W, as in step S103 of the first determination process, step S204 of the second determination process, and step S304 of the third determination process. Ru.
  • step S403 the lifted substrate is It is determined that W is defective.
  • the load history 71 which is the value of the load over time, is input to the learned model 72, and the presence or absence of defects in the substrate W is determined.
  • the fourth determination process also determines whether the substrate W is damaged or missing for each processing tank 100. Further, there is no need to image the processing tank 100, and the influence of reflected light from the surface of the processing liquid is small.
  • the load history 71(k) may be added to the load history group 70 for use in generating the learned model 72 for the subsequent lot.
  • FIG. 17 is a block diagram showing another example of generating the learned model 72.
  • FIG. 17 illustrates the connection relationship between the control unit 9 and the external device 60.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a communication section 51 .
  • the substrate processing apparatus 1 can communicate with an external device 60 using the communication section 51 .
  • the external device 60 is, for example, a management device that manages the substrate processing apparatus 1 from the outside.
  • the external device 60 includes a control section 601, a learning model generation section 602, a storage section 603, and a communication section 604.
  • a control unit 601 controls operations of a learning model generation unit 602, a storage unit 603, and a communication unit 604.
  • the communication unit 604 and the communication unit 51 can communicate with each other.
  • the external device 60 can communicate with the substrate processing apparatus 1 using the communication unit 604.
  • Communication between the communication units 51 and 604 may be wired communication or wireless communication including via a communication network.
  • the load history group 70 is stored in the storage unit 603 from the calculation unit 901 via the communication units 51 and 604.
  • the learning model generation unit 602 generates a learning data set 73 using the load history group 70, and further generates a learned model 72.
  • the trained model 72 is stored in the storage unit 603.
  • steps S61 and S62 are executed by the learning model generation unit 602.
  • the trained model 72 is provided from the storage unit 603 to the calculation unit 901 via the communication units 604 and 51, and is subjected to the fourth determination process.
  • lifter 20, or lifter 20 and elevator 40 can be understood as a substrate holding mechanism.
  • a case has been described in which the presence or absence of defects in the substrate W is determined for each processing tank 100 using the load applied to the substrate holding mechanism.
  • the presence or absence of defects in the substrate W may be determined for each processing tank 100 using the load applied to the transport mechanism 8.
  • the control unit 9 stores, for each processing tank 100, the load applied to the transport mechanism 8 when holding a substrate W with no defects, and the load is adopted as a reference value.
  • the load on the transport mechanism 8 is measured in the same manner as in step S52 (see FIG. 6), and the measured load is compared with a reference value to determine the presence or absence of defects for each processing tank 100.
  • the load is the weight applied to the transport mechanism 8.
  • the load cell 50 that measures the weight is provided, for example, at a connecting portion 82 included in the transport mechanism 8.
  • the load applied to the transport mechanism 8 that holds the substrates W of the preceding lot is measured for each processing tank 100.
  • step S202 it is determined whether or not the difference between the measured value for the preceding lot and the measured value for the current lot is within a predetermined range regarding the common processing tank 100. The determination is made in the same manner as in step S202. Thereby, the presence or absence of defects is determined for each processing tank 100.
  • the value of the load applied to the transport mechanism 8 over time is measured for each processing tank 100. This value over time is used in place of the load history 71, 71f in the third determination process (see FIG. 13), and the presence or absence of defects is determined for each processing tank 100.
  • a learned model is generated for each processing tank 100 using the value of the load applied to the transport mechanism 8 over time. Using the learned model, the presence or absence of defects is determined for each processing tank 100 in the same manner as the fourth determination process (see FIG. 16).
  • Substrate processing apparatus 9 Control unit 20, 20a, 20b, 20c Lifter (substrate holding mechanism) 40, 40a, 40b Elevator (substrate holding mechanism) 70 Load history group 71 Load history 72 Learned model 73 Learning data set 100, 101a, 102a, 103a, 104a Processing tank Q Rinse liquid (processing liquid) W board

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Abstract

基板の破損や欠落を処理槽毎に判断する。基板処理方法は、基板処理装置を制御する方法であって、基板処理装置は、複数の基板が浸漬されて複数の基板を一括して処理する処理液を貯留する処理槽；および、複数の基板を一括して保持する機能を有する機構であって、複数の基板を処理液から取り出す第１機能と、複数の基板を処理液へ浸漬する第２機能と、を有する基板保持機構を含む。当該方法は、第１機能を発揮するときに基板保持機構にかかる負荷に基づいて、処理槽を用いた処理における複数の基板の欠損の有無を判定する。

Description

基板処理装置、基板処理方法
　本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
　下記の特許文献１，２では、複数の基板に対して一括して処理を実行するバッチ式の基板処理装置が提案されている。特許文献１，２において、基板処理装置は処理液を貯留する処理槽を含む。処理槽に貯留された処理液へ複数の基板を浸漬させることにより、複数の基板に対する一括した処理が行われる。
　特許文献１では、複数の処理を受ける前の基板の重量および当該複数の処理を受けた後の基板の重量を測定し、両者の差が比較値と比較される。特許文献２では、基板処理装置の内部を監視するために撮像部（カメラ）が設けられる。処理槽の内部を鉛直上方からカメラが撮像し、その撮像画像に基づいて処理槽の内部の基板片の有無が判定される。
特開平１０－３１３０３８号公報 米国特許出願公開第２００７／０１７７７８８号明細書
　処理液へ複数の基板を浸漬するに際して、複数の基板を一括して保持する機能を有する機構（以下「基板保持機構」と称される）が利用される。基板保持機構は複数の基板を処理液に浸漬し、処理液から取り出される。処理液によって一括して処理された複数の基板は他の機構によって基板保持機構から他所へ移動される。基板保持機構から移動された複数の基板における破損や欠落の有無を判断することが望まれる。
　特許文献１においては、基板が複数の処理槽における処理を受ける前後での重量差が、比較値よりも大きいかに基づいて、当該有無が判断される。しかしこの技術は、処理槽毎の破損や欠落の判断を行うことには適さない。
　特許文献２においては、撮像画像は処理液の液面による反射光の影響を受ける。この影響は処理槽の内部の基板片の有無について誤判断を招く要因となる。
　そこで、本開示は、処理液の液面による反射光の影響を低減し、基板の破損や欠落を処理槽毎に判断する技術を提供することを目的とする。
　第１の態様に係る基板処理方法は、基板処理装置を制御する方法であって、前記基板処理装置は、複数の基板が浸漬されて前記複数の基板を一括して処理する処理液を貯留する処理槽；および、前記複数の基板を一括して保持する機能を有する機構であって、前記複数の基板を前記処理液から取り出す第１機能と、前記複数の基板を前記処理液へ浸漬する第２機能と、を有する基板保持機構を含む。前記方法は、前記第１機能を発揮するときに前記基板保持機構にかかる負荷に基づいて、前記処理槽を用いた処理における前記複数の基板の欠損の有無を判定する。
　第２の態様に係る基板処理方法は、第１の態様に係る基板処理方法であって、前記基板保持機構が前記処理液に前記複数の基板を浸漬する前に前記基板保持機構にかかる負荷の値である第１値と、前記第１機能を発揮するときに前記基板保持機構にかかる負荷の値である第２値との相違に基づいて、前記有無を判定する。
　第３の態様に係る基板処理方法は、第２の態様に係る基板処理方法であって、前記第２値と、前記第２値の基準となる値である基準値との相違に基づいて、前記有無を判定する。
　第４の態様に係る基板処理方法は、第３の態様に係る基板処理方法であって、前記処理液による処理を既に受け、かつ欠損がないと判定された複数の基板についての前記第２値が、前記基準値として採用される。
　第５の態様に係る基板処理方法は、第１の態様から第４の態様に係る基板処理方法であって、前記複数の基板が前記処理液から取り出された後の、前記基板保持機構の所定の位置における前記負荷に基づいて、前記有無を判定する。
　第６の態様に係る基板処理方法は、第５の態様に係る基板処理方法であって、前記負荷に、前記所定の位置において前記基板保持機構に与えられる駆動トルクが採用される。
　第７の態様に係る基板処理方法は、第５の態様に係る基板処理方法であって、前記負荷に、前記所定の位置において前記基板保持機構にかかる重量が採用される。
　第８の態様に係る基板処理方法は、第１の態様から第４の態様に係る基板処理方法であって、前記基板保持機構によって前記複数の基板が第１の位置から、前記第１の位置よりも前記処理液から離れた第２の位置へ引き上げられる時間帯における前記負荷の経時的な値に基づいて、前記有無を判定する。
　第９の態様に係る基板処理方法は、第８の態様に係る基板処理方法であって、前記負荷に、前記時間帯において前記基板保持機構に与えられる駆動トルクが採用される。
　第１０の態様に係る基板処理方法は、第８の態様に係る基板処理方法であって、前記負荷に、前記時間帯において前記基板保持機構にかかる重量が採用される。
　第１１の態様に係る基板処理方法は、第１の態様から第１０の態様のいずれかに係る基板処理方法であって、前記負荷の経時的な値を、前記処理液による処理を既に受けかつ欠損がないと判定された複数の基板についての前記負荷の経時的な値に基づいた学習用データセットから生成された学習済みモデルに入力して、前記有無の判定が行われる。
　第１２の態様に係る基板処理装置は、複数の基板が浸漬されて前記複数の基板を一括して処理する処理液を貯留する処理槽；前記複数の基板を一括して保持する機構であって、前記複数の基板を前記処理液から取り出す第１機能と、前記複数の基板を前記処理液へ浸漬する第２機能と、を有する基板保持機構；および、前記第１機能を発揮するときに前記基板保持機構にかかる負荷の値である値に基づいて、前記処理槽を用いた処理における前記複数の基板の欠損の有無を判定する判定部を備える。
　本開示にかかる基板処理方法、および基板処理装置によれば、基板の破損や欠落が処理槽毎に判断される。処理槽を撮像する必要がなく、処理液の液面による反射光の影響も小さい。
実施の形態にかかる基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。 受け渡しカセットおよび複数の処理部を示す側面図である。 搬送機構の構成を例示する側面図である。 処理槽が貯留する処理液への基板の浸漬および当該処理液からの基板の取り出しを示す側面図である。 処理槽が貯留する処理液への基板の浸漬および当該処理液からの基板の取り出しを示す側面図である。 第１浸漬処理を示すフローチャートである。 ロードセルが配置される位置を示す側面図である。 制御部とその周辺との接続関係を例示するブロック図である。 第１判定処理を示すフローチャートである。 第２判定処理を示すフローチャートである。 駆動トルクの経時的な値を模式的に示す図である。 第２浸漬処理を示すフローチャートである。 第３判定処理を示すフローチャートである。 学習処理を示すフローチャートである。 学習済みモデルの生成を示す模式図である。 第４判定処理を示すフローチャートである。 制御部と外部装置との接続関係を例示するブロック図である。
　以下、添付される図面の参照を伴って実施の形態が説明される。なお、図面は概略的に示され、説明の便宜のために適宜、構成の省略、または、構成の簡略化がなされる、図面に示される構成の大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されてはおらず、適宜に変更され得る。
　また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号が付されて図示され、それらの名称と機能とについては同様である。したがって、それらについての詳細な説明は、重複を避けるために省略される場合がある。
　以下に記載される説明において、「第１」または「第２」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられ、これらの序数によって生じ得る順序に限定されはしない。
　相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表す。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表す。
　形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表す。
　一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現が用いられる場合、該表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。
　「連結」という表現は、特に断らない限り、２つの要素が接している状態のほか、２つの要素が他の要素を挟んで離れている状態も含む表現である。
　「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現が用いられる場合、該表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣのうち任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣの全てを含む。
　＜基板処理装置の構成の概要＞
　図１は、実施の形態にかかる基板処理装置１の構成の一例を概略的に示す平面図である。以下の各図における方向を統一的に示すために、図１に示すように右手系のＸＹＺ直交座標軸が設定される。ここでＸＹ平面が水平面を表す。また、Ｚ軸が鉛直軸を表し、より詳しくはＺ方向が鉛直上方向である。－Ｘ方向はＸ方向と反対の方向であり、－Ｙ方向はＹ方向と反対の方向であり、－Ｚ方向はＺ方向と反対の方向である。
　基板処理装置１は複数の基板Ｗに対して一括して処理を行うバッチ式の処理装置である。基板処理装置１は、載置部２と、ロボット４と、姿勢変換機構５と、プッシャ６と、搬送機構８と、処理ユニット１０と、受け渡しカセット１１と、制御部９とを備える。
　制御部９は、例えば、基板処理装置１の動作を統括して制御することができる。制御部９は、例えば、演算部、メモリおよび記憶部等を有する。演算部は、例えば、１つ以上の中央演算ユニット（Central Processing Unit：ＣＰＵ）等で構成される。当該演算部は後に演算部９０１として説明される。
　メモリは、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）等の揮発性の記憶媒体で構成される。記憶部は、例えば、ハードディスクドライブ（Hard Disk Drive：ＨＤＤ）またはソリッドステートドライブ（Solid State Drive：ＳＳＤ）等の不揮発性の記憶媒体で構成される。記憶部は、例えば、プログラムおよび各種情報等を記憶することができる。演算部は、例えば、記憶部に記憶されたプログラムを読み込んで実行することで、各種の機能を実現することができる。このとき、ＲＡＭは、例えば、ワークスペースとして使用され、一時的に生成もしくは取得される情報等を記憶する。メモリおよび記憶部は、後に記憶部９０２として説明される。
　制御部９で実現される機能的構成の少なくとも一部は、例えば、専用の電子回路等のハードウェアで実現されてもよい。
　載置部２は収納器Ｆが載置される機能を有する。収納器Ｆは複数の基板Ｗを収納する機能を有する。収納器Ｆは、未処理の基板Ｗを収納した状態で載置部２に載置されたり、処理済の基板Ｗを収納するために空の状態で載置部２に載置されたりする。収納器Ｆの例としては、水平姿勢の複数枚（たとえば２５枚）の基板ＷをＺ方向に積層した状態で収納可能に構成されたＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を挙げることができる。
　プロセス空間３は載置部２に対してＹ方向側で隣接する。プロセス空間３内には、ロボット４、姿勢変換機構５、プッシャ６、搬送機構８、処理ユニット１０、受け渡しカセット１１が配置されている。
　図２は処理ユニット１０および受け渡しカセット１１を－Ｘ方向に沿って見た側面図である。
　載置部２とプロセス空間３とは、開閉自在なシャッタを装備する隔壁（図示省略）により区画される。当該シャッタは、制御部９の制御によって開閉され、載置部２とプロセス空間３とを空間的に分離したり、相互に連通させたりする。載置部２とプロセス空間３とが連通する状態で、収納器Ｆからプロセス空間３へと未処理の基板Ｗが搬入されたり、処理済の基板Ｗが収納器Ｆへと搬出されたりする。
　プロセス空間３と収納器Ｆとの間での基板Ｗの搬入および搬出は、ロボット４によって行われる。ロボット４は水平面内で旋回自在に構成されている。ロボット４は、シャッタが開いた状態で、姿勢変換機構５と収納器Ｆとの間で複数枚の基板Ｗを受け渡しする。当該受け渡しは模式的に白抜き矢印で示される。
　姿勢変換機構５は、ロボット４を介して収納器Ｆから基板Ｗを受け取った後、複数枚の基板Ｗの姿勢を水平姿勢から起立姿勢へと変換する。姿勢変換機構５は、ロボット４を介して収納器Ｆに基板Ｗを受け渡す前に、複数枚の基板Ｗの姿勢を起立姿勢から水平姿勢へと変換する。
　処理ユニット１０は姿勢変換機構５に関してロボット４とは反対側（同図中の－Ｘ方向側）に配置される。搬送機構８は処理ユニット１０に関して姿勢変換機構５とは反対側（同図中の－Ｘ方向側）に配置される。
　処理ユニット１０は一方向（同図中の－Ｙ方向）にこの順に並んで配置される処理部１０１，１０２，１０３，１０４，１０５を含む。搬送機構８は、プッシャ６に対向した位置（以下「待機位置」という）から処理部１０１，１０２，１０３，１０４，１０５が配列された方向およびその反対方向に沿って、水平方向に移動可能である。
　プッシャ６は、姿勢変換機構５と搬送機構８との間に配置される。プッシャ６は、姿勢変換機構５と後述されるステージ１２との間で起立姿勢の複数枚の基板Ｗを受け渡しする。
　図３は搬送機構８の構成を例示する側面図である。搬送機構８は一対のアーム８１を備える。この一対のアーム８１の位置によって、複数の基板Ｗの一括された保持と当該保持の解除とを切り替えることができる。各アーム８１は、その下縁が互いに接近する方向に水平軸周りに揺動して、複数の基板Ｗを一括して挟んで保持する。各アーム８１は、その下縁が互いに離れる方向に水平軸周りで揺動して、複数の基板Ｗの保持が解除される。
　例えば搬送機構８は棒８３と一対の連結部８２とを備える。一方の連結部８２は棒８３の一方の端を一方のアーム８１と連結する。他方の連結部８２は棒８３の他方の端を他方のアーム８１と連結する。連結部８２により、一対のアーム８１は棒８３の両端において支持されつつ、上述の様に揺動する。
　搬送機構８はＹ方向および－Ｙ方向のいずれに沿っても移動可能であるので、一対のアーム８１は処理部１０１，１０２，１０３，１０４，１０５の各々に対向した位置（以下「処理位置」とも称される）および待機位置に位置決めされる。
　図２においては搬送機構８が処理部１０４に対向した位置にある場合が実線で示される。図２においては搬送機構８が待機位置にある場合、処理部１０１，１０３，１０４，１０５に対向した位置にある場合が鎖線で示される。
　待機位置では、プッシャ６を介して姿勢変換機構５とアーム８１との間での基板Ｗの受け渡しが可能である。
　プッシャ６は受け渡しカセット１１において上下するステージ１２を介して搬送機構８との間で基板Ｗを受け渡しする。
　図２においては既に基板Ｗが処理部１０５に搬送された後の、上側に位置したままのステージ１２が実線で例示される。下側に位置したステージ１２が鎖線で例示される。
　処理ユニット１０は昇降器４０ａ，４０ｂ，４０ｃを有する。昇降器４０ａにはリフタ２０ａが取り付けられる。昇降器４０ｂにはリフタ２０ｂが取り付けられる。昇降器４０ｃにはリフタ２０ｃが取り付けられる。リフタ２０ａ，２０ｂ，２０ｃのいずれもが、複数の基板Ｗを保持する基板保持機構として機能する。
　以降の説明において、リフタ２０ａ，２０ｂ，２０ｃ同士を互いに区別する必要が無い場合、例えば共通する機能についての説明においては、リフタ２０ａ，２０ｂ，２０ｃを区別せずに示す名称としてリフタ２０が採用される場合がある。
　以降の説明において、昇降器４０ａ，４０ｂ，４０ｃ同士を互いに区別する必要が無い場合、例えば共通する機能についての説明においては、昇降器４０ａ，４０ｂ，４０ｃを区別せずに示す名称として昇降器４０が採用される場合がある。
　昇降器４０ａおよびリフタ２０ａは、処理部１０３，１０４の間でＹ方向および－Ｙ方向のいずれに沿っても移動可能であり、処理部１０３，１０４に対応する処理位置へと位置決めされる。昇降器４０ａおよびリフタ２０ａは、処理部１０３，１０４における基板Ｗの処理に利用される。
　昇降器４０ｂおよびリフタ２０ｂは、処理部１０１，１０２の間でＹ方向および－Ｙ方向のいずれに沿っても移動可能であり、処理部１０１，１０２に対応する処理位置へと位置決めされる。昇降器４０ｂおよびリフタ２０ｂは、処理部１０１，１０２における基板Ｗの処理に利用される。
　昇降器４０ｃおよびリフタ２０ｃは、処理部１０５における基板Ｗの処理に利用される。
　処理部１０１，１０３においては、例えば処理液たる薬液による基板Ｗの処理が行われる。処理部１０２，１０４においては、例えば基板Ｗ上の薬液のすすぎ（以下では「洗滌」と表現される）が行われる。処理部１０５においては、例えば乾燥処理が行われる。
　処理部１０１は処理槽１０１ａ，１０１ｂを含む。処理部１０３は処理槽１０３ａ，１０３ｂを含む。処理槽１０１ａ，１０１ｂ，１０３ａ，１０３ｂはＺ方向に向けて開口する。処理槽１０１ａ，１０３ａには、複数の基板Ｗを一括して処理する所定の薬液が貯留される。
　処理槽１０１ａには循環配管１０１ｃが設けられる。循環配管１０１ｃは処理槽１０１ａに貯留される薬液が例えばポンプ（不図示）によって循環する経路である。処理槽１０３ａには循環配管１０３ｃが設けられる。循環配管１０３ｃは処理槽１０３ａに貯留される薬液が例えばポンプ（不図示）によって循環する経路である。
　処理槽１０１ｂは処理槽１０１ａを囲み、処理槽１０１ａからの薬液のオーバーフローを受ける。処理槽１０３ｂは処理槽１０３ａを囲み、処理槽１０３ａからの薬液のオーバーフローを受ける。
　処理槽１０１ａが貯留する薬液へ浸漬された基板Ｗは当該薬液による処理を受ける。処理槽１０３ａが貯留する薬液へ浸漬された基板Ｗは当該薬液による処理を受ける。当該薬液が処理槽１０１ａ，１０３ａ同士で異なるか否かは不問である。例えば処理槽１０１ａ，１０３ａは「ＣＨＢ(CHemical Bath)」とも称される。
　処理部１０２は処理槽１０２ａを含む。処理部１０４は処理槽１０４ａを含む。処理槽１０２ａ，１０４ａはＺ方向に向けて開口する。例えば処理槽１０２ａ，１０４ａは「ＯＮＢ（ONe Bath）」とも称される。処理槽１０２ａには、処理槽１０１ａに貯留される薬液を基板Ｗから洗滌する処理液たるリンス液（たとえば純水）が貯留される。処理槽１０４ａには、処理槽１０３ａに貯留される薬液を基板Ｗから洗滌する処理液たるリンス液（たとえば純水）が貯留される。処理槽１０２ａが貯留するリンス液へ浸漬された基板Ｗは当該リンス液により洗滌される。処理槽１０４ａが貯留するリンス液へ浸漬された基板Ｗは当該リンス液により洗滌される。
　処理槽１０２ａには循環配管１０２ｃが設けられる。循環配管１０２ｃは処理槽１０２ａに貯留されるリンス液が例えばポンプ（不図示）によって循環する経路である。処理槽１０４ａには循環配管１０４ｃが設けられる。循環配管１０４ｃは処理槽１０４ａに貯留されるリンス液が例えばポンプ（不図示）によって循環する経路である。
　処理部１０５は、例えば減圧雰囲気中で有機溶剤、例えばイソプロピルアルコールを、基板Ｗに供給することによって基板Ｗを乾燥させる。処理部１０５は処理槽１０５ａを含む。処理槽１０５ａは例えばイソプロピルアルコールを貯留する。処理槽１０５ａには循環配管１０５ｃが設けられる。循環配管１０５ｃは処理槽１０５ａに貯留される有機溶剤が例えばポンプ（不図示）によって循環する経路である。
　処理槽１０３ａ，１０４ａに貯留される処理液に対する基板Ｗの浸漬および取り出しは、昇降器４０ａおよびリフタ２０ａによって実現される。昇降器４０ａは、リフタ２０ａを処理槽１０３ａに貯留された薬液に浸漬する機能と、リフタ２０ａを当該薬液から取り出す機能と、リフタ２０ａを処理槽１０４ａに貯留されたリンス液に浸漬する機能と、リフタ２０ａを当該リンス液から取り出す機能とを有する。
　処理槽１０１ａ，１０２ａに貯留される処理液に対する基板Ｗの浸漬および取り出しは、昇降器４０ｂおよびリフタ２０ｂによって実現される。昇降器４０ｂはリフタ２０ｂを処理槽１０１ａに貯留された薬液に浸漬する機能と、リフタ２０ｂを当該薬液から取り出す機能と、リフタ２０ｂを処理槽１０２ａに貯留されたリンス液に浸漬する機能と、リフタ２０ｂを当該リンス液から取り出す機能とを有する。
　処理部１０５に対する基板Ｗの投入および取り出しは、搬送機構８、昇降器４０ｃおよびリフタ２０ｃによって実現される。
　リフタ２０ａは、昇降器４０ａによってＺ方向へ上昇して処理槽１０３ｂ，１０４ａよりも上方に位置する状態で、搬送機構８との間で複数の基板Ｗが受け渡しされる。リフタ２０ｂは、昇降器４０ｂによってＺ方向へ上昇して処理槽１０１ｂ，１０２ａよりも上方に位置する状態で、搬送機構８との間で複数の基板Ｗが受け渡しされる。リフタ２０ｃは、昇降器４０ｃによってＺ方向へ上昇して処理部１０５よりも上方に位置する状態で、搬送機構８との間で複数の基板Ｗが受け渡しされる。
　具体的には例えば当該状態において搬送機構８が処理位置に移動してリフタ２０ｃ，２０ｂ，２０ａのいずれかとＸ方向に沿って並び、上述の保持および解除によって当該受け渡しが実行される。
　図２においては基板Ｗを保持するリフタ２０ｃが処理部１０５において処理槽１０５ａよりも上方（Ｚ方向側）に位置する場合、基板Ｗを保持するリフタ２０ａが処理部１０４において処理槽１０４ａよりも上方に位置する場合、リフタ２０ｂが処理槽１０１ａよりも上方に位置する場合が、いずれも実線で例示される。搬送機構８は鎖線で例示されるように、処理槽１０５ａの近くまで下方へ移動可能である。
　図２においては、基板Ｗを保持するリフタ２０ａが処理部１０４において処理槽１０４ａ中のリンス液に浸漬される位置にある場合、リフタ２０ａが基板Ｗを保持せずに処理槽１０３ｂよりも上方に位置する場合、リフタ２０ｂが基板Ｗを保持せずに処理槽１０２ａよりも上方に位置する場合が、いずれも鎖線で例示される。リフタ２０ａが処理槽１０３ａ中の薬液に浸漬される位置にある場合、リフタ２０ｂが処理槽１０２ａ中のリンス液に浸漬される位置にある場合、リフタ２０ｂが処理槽１０１ａ中の薬液に浸漬される位置にある場合、リフタ２０ｃが処理槽１０５ａ内に位置する場合は、いずれも図示が省略される。
　図４は－Ｘ方向に沿って見た、処理槽１０４ａが貯留する処理液への基板Ｗの浸漬および当該処理液からの基板Ｗの取り出しを示す側面図である。図５はＹ方向に沿って見た、処理槽１０４ａが貯留する処理液への基板Ｗの浸漬および当該処理液からの基板Ｗの取り出しを示す側面図である。
　図示の煩雑を避けるため、図２および図４において昇降器４０ａは省かれている。図４および図５においては処理槽１０４ａにリンス液Ｑが貯留される場合が例示される。
　図４および図５において、基板Ｗがリフタ２０ａと共にリンス液Ｑへ浸漬された状態は、一点鎖線を用いて示される。図４および図５において、基板Ｗがリフタ２０ａと共にリンス液Ｑから取り出されている状態は、浸漬の前であるか後であるかが区別されることなく、実線を用いて示される。図４において二点鎖線は、基板Ｗがリフタ２０ａと共にリンス液Ｑから取り出されている状態と、リンス液Ｑに浸漬されている状態との間の遷移を模式的に示す。
　リフタ２０ａは複数の棒２１と板２２とを含む。例えばリフタ２０ａは３本の棒２１を含む。棒２１の各々は複数の基板Ｗを間隔を空けて支持する。例えば棒２１の各々には、図において明示されないが、Ｘ方句において相互に離れた２５個の溝が設けられる。
　板２２は例えばＸ方向に対して垂直に広がる。いずれの棒２１の端（例えば－Ｘ方向の端）も、板２２に連結される。複数の棒２１および板２２を含むことにより、リフタ２０ａは複数の基板Ｗを保持する機能を担う。リフタ２０ｂ，２０ｃもリフタ２０ａと同様に構成され、複数の基板Ｗを保持する機能を担う。
　図５を参照して、昇降器４０ａは支持片４１、昇降ガイド４２、モータ４３、サーボアンプ４４を含む。
　支持片４１はリフタ２０ａの板２２を、－Ｘ方向側から支持する。昇降ガイド４２は支持片４１の昇降、具体的にはＺ方向への支持片４１の移動および－Ｚ方向への支持片４１の移動を案内する。例えば昇降ガイド４２は、モータ４３の回転軸に連結されたボールねじと、当該ボールねじに嵌まるタップが掘られ、かつ板２２が連結された棒（いずれも不図示）を有する。モータ４３は制御部９の制御の下でサーボアンプ４４によって駆動され、支持片４１を昇降させる。制御部９はサーボアンプ４４を介してモータ４３を制御してリフタ２０ａを所定の位置へ移動させる。
　例えばモータ４３はサーボモータである。サーボアンプ４４は制御部９から回転する指示を受けてモータ４３を駆動する他、支持片４１の上下位置、ひいてはリフタ２０ａの上下位置に関する情報をモータ４３から制御部９へ伝達する。
　昇降器４０ｂ，４０ｃも昇降器４０ａと同様に構成され、それぞれリフタ２０ｂ，２０ｃを昇降させて所定の位置に移動させる。
　＜リフタと搬送機構との間での基板の受け渡し＞
　基板Ｗが処理部１０１，１０２，１０３，１０４，１０５における処理を受ける流れは、下記のように区分される工程で例示される：
(i)プッシャ６が搬送機構８へ基板Ｗを受け渡す；
(ii)搬送機構８が処理部１０１に対する処理位置までＹ方向へ移動する；
(iii)昇降器４０ｂによって処理槽１０１ａの上方に位置したリフタ２０ｂへ、搬送機構８から基板Ｗが受け渡される；
(iv)昇降器４０ｂがリフタ２０ｂを降ろし、リフタ２０ｂおよびこれに保持される基板Ｗを、処理槽１０１ａが貯留する薬液へ浸漬する；
(v)昇降器４０ｂがリフタ２０ｂを上昇させ、リフタ２０ｂおよびこれに保持される基板Ｗを、処理槽１０１ａが貯留する薬液から取り出す；
(vi)昇降器４０ｂが処理部１０２に対する処理位置まで－Ｙ方向へ移動する；
(vii)昇降器４０ｂがリフタ２０ｂを降ろし、リフタ２０ｂおよびこれに保持される基板Ｗを、処理槽１０２ａが貯留するリンス液へ浸漬する；
(viii)昇降器４０ｂがリフタ２０ｂを上昇させ、リフタ２０ｂおよびこれに保持される基板Ｗを、処理槽１０２ａが貯留するリンス液から取り出す；
(ix)搬送機構８が処理部１０２に対する処理位置まで移動する；
(x)昇降器４０ｂによって処理槽１０２ａの上方に位置したリフタ２０ｂから、搬送機構８へ、基板Ｗが受け渡される；
(xi)搬送機構８が処理部１０３に対する処理位置まで－Ｙ方向へ移動する；
(xii)昇降器４０ａによって処理槽１０３ａの上方に位置したリフタ２０ａへ、搬送機構８から基板Ｗが受け渡される；
(xiii)昇降器４０ａがリフタ２０ａを降ろし、リフタ２０ａおよびこれに保持される基板Ｗを、処理槽１０３ａが貯留する薬液へ浸漬する；
(xiv)昇降器４０ａがリフタ２０ａを上昇させ、リフタ２０ａおよびこれに保持される基板Ｗを、処理槽１０３ａが貯留する薬液から取り出す；
(xv)昇降器４０ａが処理部１０４に対する処理位置まで－Ｙ方向へ移動する；
(xvi)昇降器４０ａがリフタ２０ａを降ろし、リフタ２０ａおよびこれに保持される基板Ｗを、処理槽１０４ａが貯留するリンス液Ｑへ浸漬する；
(xvii)昇降器４０ａがリフタ２０ａを上昇させ、リフタ２０ａおよびこれに保持される基板Ｗを、リンス液Ｑから取り出す；
(xviii)搬送機構８が処理部１０４に対する処理位置まで移動する；
(xix)昇降器４０ａによって処理槽１０４ａの上方に位置したリフタ２０ａから、搬送機構８へ、基板Ｗが受け渡される；
(xx)搬送機構８が処理部１０５に対する処理位置まで－Ｙ方向へ移動する；
(xxi)昇降器４０ｃによって処理部１０５の上方に位置したリフタ２０ｃへ、搬送機構８から基板Ｗが受け渡される；
(xxii)リフタ２０ｃが基板Ｗを処理部１０５に投入し、基板Ｗを乾燥させる。
　＜基板の欠損の有無の判定＞
　本実施の形態では、処理槽１００を用いた処理における基板Ｗの欠損の有無を判定する技術が説明される。処理槽１００は処理槽１０１ａ，１０２ａ，１０３ａ，１０４ａを区別せずに示す名称である。
　上述の説明から、処理槽１００は、複数の基板Ｗが浸漬されて複数の基板Ｗを一括して処理する処理液を貯留するということができる。処理槽１００が処理槽１０１ａ，１０３ａに該当するときには処理液は上述の薬液である。処理槽１００が処理槽１０２ａ，１０４ａに該当するときには処理液は上述のリンス薬液である。
　リフタ２０は、複数の基板Ｗを一括して保持する機能を有する機構であり、基板保持機構として機能する。当該基板保持機構は基板Ｗを処理液から取り出す第１機能と、基板Ｗを処理液へ浸漬する第２機能とを有する。
　本実施の形態では、第１機能を発揮するときに基板保持機構にかかる負荷に基づいて、処理槽１００を用いた処理における基板Ｗの欠損の有無が判定される。リフタ２０が第１機能を発揮するときの具体例としては、例えば上述の工程(v)、(viii)、(xiv)、(xvii)が該当する。
　＜同一ロットの基板Ｗの処理前後に基づく判定＞
　図６は基板Ｗを処理液に浸漬し、処理液から取り出す処理（以下では単に「浸漬処理」とも称される）に採用される工程群を示すフローチャートである。当該工程群はステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４，Ｓ１５，Ｓ５１，Ｓ５２，Ｓ５３を有する。図６ではかかる工程群を採用する浸漬処理が「第１浸漬処理」として示される。
　ステップＳ１１はリフタ２０へ基板Ｗを載置する工程である。処理槽１００が処理槽１０１ａ，１０３ａに該当するときには、ステップＳ１１は上述の工程(iii)(xii)に相当する。かかる載置は搬送機構８によって実行される。処理槽１００が処理槽１０２ａ，１０４ａに該当するときには、ステップＳ１１は省略される。
　ステップＳ１１が実行された後、後述されるステップＳ５１が更に実行されてから、ステップＳ１２が実行される。ステップＳ１２は処理槽１００が貯留する処理液へ、基板Ｗを浸漬する工程である。ステップＳ１２は第２機能に相当し、上述の工程(iv)、(vii)、(xiii)、(xvi)に相当する。
　ステップＳ１３は、処理槽１００における基板Ｗの処理に必要な時間を確保する工程である。ステップＳ１３においては、ステップＳ１２が実行されてから所定時間が経過したか否が判断される。当該判断が否定的であれば、つまりステップＳ１２が実行されてから所定時間が経過していなければステップＳ１３が繰り返し実行される。当該判断が肯定的であれば、つまりステップＳ１２が実行されてから所定時間が経過したときには、ステップＳ１４が実行される。
　ステップＳ１４は処理槽１００から基板Ｗを引き上げる工程である。かかる引き上げによって、処理槽１００が貯留する処理液から基板Ｗが取り出される。ステップＳ１４は第１機能に相当し、上述の工程(v)、(viii)、(xiv)、(xvii)に相当する。
　上述された処理液への基板Ｗの浸漬と、処理液からの基板Ｗの取り出しとは、昇降器４０が昇降することによって実現される。この観点から、昇降器４０ａとリフタ２０ａとの組み合わせを基板保持機構として捉えることができ、昇降器４０ｂとリフタ２０ｂとの組み合わせを基板保持機構として捉えることができる。
　ステップＳ１４が実行された後、後述されるステップＳ５２，Ｓ５３が更に実行されてから、ステップＳ１５が実行される。但しステップＳ５３は省略可能であり、ステップＳ５３を表す枠は破線で示される。
　ステップＳ１５はリフタ２０から基板Ｗを移動する工程である。ステップＳ１５は、より具体的には、基板Ｗをリフタ２０から搬送機構８へ受け渡す工程である。ステップＳ１５は上述の工程(x)、(xix)に相当する。かかる受け渡しは搬送機構８によって実行される。処理槽１００が処理槽１０１ａ，１０３ａに該当するときには、ステップＳ１５は省略される。
　ステップＳ５１はステップＳ１２が実行される前に実行される。ステップＳ５１はリフタ２０が基板Ｗを保持している状態で実行される。処理槽１００が処理槽１０１ａ，１０３ａに該当するときには、ステップＳ１１が実行されてからステップＳ５１が実行される。処理槽１００が処理槽１０２ａに該当するときには、工程(vi)によってリフタ２０ｂが処理槽１０２ａの上方に位置した後にステップＳ５１が実行される。処理槽１００が処理槽１０４ａに該当するときには、工程(xv)によってリフタ２０ａが処理槽１０４ａの上方に位置した後にステップＳ５１が実行される。
　ステップＳ５２はステップＳ１４が実行された後、ステップＳ１５が実行される前に実行される。ステップＳ５２はリフタ２０が基板Ｗを保持している状態で実行される。
　ステップＳ５１，Ｓ５２はいずれもリフタ２０にかかる負荷（以下「リフタ２０の負荷」とも称される）を測定する工程である。以下ではステップＳ５１で測定される負荷の値が第１値として説明され、ステップＳ５２で測定される負荷の値が第２値として説明される。
　ステップＳ５２では、ステップＳ１４によって取り出された基板Ｗを保持するリフタ２０の負荷が測定されるので、第２値は第１機能を発揮するときに基板保持機構にかかる負荷といえる。
　ステップＳ５１では、基板ＷがステップＳ１２によって処理液に浸漬される前の負荷が測定されるので第１値は基板Ｗを浸漬する前に基板保持機構にかかる負荷といえる。
　ステップＳ５１，Ｓ５２は、例えばリフタ２０がその最高の位置にあるときに実行される。あるいはステップＳ５１，Ｓ５２のいずれか一方または両方が、基板Ｗが処理液に浸漬されない状況で実行されてもよい。例えばステップＳ５１は、基板Ｗが処理液に浸漬される迄にリフタ２０が下降する途中の位置で実行されてもよい。ステップＳ５２は、基板Ｗが処理液から取り出されてから、リフタ２０が上昇する途中の位置で実行されてもよい。
　例えば、基板Ｗが処理液から取り出された後の、リフタ２０の所定の位置における負荷を第２値として採用することができる。サーボアンプ４４によってモータ４３が駆動され、モータ４３によって昇降器４０が昇降する。リフタ２０は制御部９の制御の下、サーボアンプ４４によって所定の位置へ移動可能である。
　＜第１値の変形＞
　例えば、第１浸漬処理において、ステップＳ１２が実行される前提として、処理液に浸漬される基板Ｗには欠損がないという前提が採用される。かかる前提が採用される場合、ステップＳ５１を省略し、第１値として基準値を採用することができる。当該基準値は第２値の基準となる値である。例えば欠損がない複数の基板Ｗがリフタ２０に保持されているときにリフタ２０にかかる負荷を予め測定もしくは想定し、当該負荷の値を第２値の基準値、ひいては上述の第１値として採用することができる。
　＜重量による負荷の評価＞
　基板保持機構にかかる負荷は、リフタ２０にかかる重量によって評価することができる。図７はロードセル５０が配置される位置を示す側面図である。ロードセル５０は支持片４１とリフタ２０との間に設けられる。ロードセル５０はリフタ２０にかかる重量を測定する。当該重量はリフタ２０にかかる負荷を反映する。ロードセル５０から得られる重量についての情報を用いて、上述の第１値および第２値を得ることができる。
　後述されるように、重量以外の測定値によって負荷が評価される場合もあり、その場合にはロードセル５０は不要である。かかる観点から、図５においてロードセル５０は省略される。
　図８はロードセル５０が設けられた場合の、制御部９とその周辺との接続関係を例示するブロック図である。制御部９は演算部９０１、記憶部９０２、入出力インターフェース９０３を備える。
　入出力インターフェース９０３は、サーボアンプ４４、ロードセル５０、搬送機構８との間での情報の授受を行う。入出力インターフェース９０３は他の構成要素、例えば昇降器４０ａ，４０ｂ，４０ｃ、ロボット４、姿勢変換機構５、プッシャ６、その他の基板処理装置１の構成要素との間でも情報の授受を行うが、かかる授受は図８では省略される。
　記憶部９０２は種々の情報を記憶する。演算部９０１は記憶部９０２に記憶される情報および入出力インターフェース９０３から入力されるデータの情報または両方を用いた演算を行う。
　ロードセル５０は測定された第１値、第２値を示すデータを、入出力インターフェース９０３を介して演算部９０１に与える。演算部９０１は第１値と第２値との相違に基づいて、処理槽１００を用いた処理における基板Ｗの欠損の有無を判定する。第１値から第２値を減じた値が所定範囲を超えて大きければ、基板Ｗそれ自体、あるいはその一部が処理槽１００に残置すると推定される。当該残置があると推定されたとき、処理槽１００から引き上げられた基板Ｗには欠損があると判定することは妥当である。引き上げられた基板Ｗの欠損の有無の判定は、基板Ｗが取り出された処理液を貯留する処理槽１００を用いた処理における基板Ｗの欠損の有無の判定に直結する。
　ステップＳ１４において処理液の一部がリフタ２０に付着する場合もあり得る。当該一部（以下「持ち出し液」と仮称）は第２値に影響を与える。持ち出し液の重量は、例えば処理液の種類、基板Ｗの表面の親水性あるいは疎水性、リフタ２０に保持される基板Ｗの枚数、処理液に浸漬される時間に依存する。例えば持ち出し液がリフタ２０から蒸発、滴下することで、ステップＳ１４からステップＳ５２までの時間間隔も第２値に影響する。かかる観点から、第１値と第２値との相違が所定範囲内にあるか否かによって欠損の有無が判定される。
　図９は上述の判定の一例である、第１判定処理の工程群を示すフローチャートである。当該工程群はステップＳ１０１，Ｓ１０２，Ｓ１０３を備える。第１判定処理は例えば制御部９において実行される。制御部９は上述の判定を行う判定部として機能する。
　ステップＳ１０１は、第１値と第２値との相違が所定範囲内にあるかを判断する工程である。当該判断が否定的となるのは、処理液への浸漬の前後においてリフタ２０にかかる負荷に大きな相違があるときである。ステップＳ１０１の判断が否定的であればステップＳ１０２において、引き上げられた基板Ｗに欠損があると判定され、第１判定処理は終了する。
　当該判断が肯定的となるのは、処理液への浸漬の前後においてリフタ２０にかかる負荷に大きな相違がないときである。ステップＳ１０１の判断が肯定的であればステップＳ１０３において、引き上げられた基板Ｗに欠損がないと判定され、第１判定処理は終了する。
　第１判定処理により、引き上げられた基板Ｗに欠損があるか否かが判定され、従って、引き上げられた基板Ｗが浸漬された処理液を用いた処理における、基板Ｗの欠損の有無が判定される。
　第１判定処理によれば、リフタ２０の負荷が処理液の浸漬の前後で評価される。よって基板Ｗの破損や欠落が処理槽１００毎に判断される。また処理槽１００を撮像する必要がなく、処理液の液面による反射光の影響も小さい。
　第１判定処理によれば、同じ処理槽１００に一括して処理される基板Ｗ（以下「ロット」と称される）毎に上記判定が行われる。よって後述されるような、他のロットの結果を参照する必要はない。
　＜トルクによる負荷の推定＞
　リフタ２０にかかる負荷は、例えばリフタ２０にかかる重量に代えて、あるいは重量と共に、モータ４３からリフタ２０に与えられる駆動トルクを用いて評価される。当該駆動トルクは、サーボアンプ４４がモータ４３に供給する電流の値に反映される。かかる電流の値は入出力インターフェース９０３を介して演算部９０１に与えられ、演算部９０１における負荷の演算に用いられる。リフタ２０にかかる重量を負荷の評価に用いない場合には、ロードセル５０は省略されてもよい。
　＜異なるロットのデータを利用した判定＞
　ある処理槽１００における判定の対象とされる複数の基板Ｗ（以下「現行ロット」と仮称）に先行して、同じ処理槽１００における処理を既に受けた複数の基板Ｗ（以下「先行ロット」）のデータを利用する場合が、以下に説明される。
　例えば、上記「＜第１値の変形＞」で説明された、第１値として用いられる第２値の基準値として、欠損がなかった先行ロットにおける第２値を採用することができる。かかる採用には、先行ロットにおける第２値が記憶されて現行ロットにおける第２値と比較されることが望ましい。図６には、第１浸漬処理においてステップＳ５３が示される。ステップＳ５３はステップＳ５２の実行後に実行される。ステップＳ５３の実行はステップＳ１５の実行に対する前後を問わない。
　現行ロットは、現行ロットに続いて同じ処理槽１００における処理を受ける複数の基板Ｗ（以下「後行ロット」）に対しては、先行ロットとなる。ステップＳ５３において第２値を記憶することは、記憶された第２値が後行ロットにおける第１値として採用されるための準備である。例えば第２値は記憶部９０２に記憶される。
　図１０は、引き上げられた基板Ｗにおける欠損の有無を判定する一例である、第２判定処理の工程群を示すフローチャートである。当該工程群はステップＳ２０１，Ｓ２０２，Ｓ２０３，Ｓ２０４を備える。第２判定処理は、例えば制御部９によって実行される。制御部９は上述の判定を行う判定部として機能する。
　ステップＳ２０１は先行ロットの浸漬処理において欠損があるかを判断する工程である。当該判断は、例えば第１判定処理の判定の結果、他の基板Ｗに対する第２判定処理の結果、あるいは目視による欠損の有無、を用いて行われてもよい。当該判断が肯定的であれば、当該先行ロットの浸漬処理において欠損があったので、当該先行ロットについて記憶された第２値は、現行ロットの第２値の基準値として適切ではない。この場合には第２判定処理は終了する。
　ステップＳ２０１の判断が否定的であれば、当該先行ロットについて記憶された第２値が、現行ロットの第２値の基準値として採用される。具体的にはステップＳ２０２が実行される。ステップＳ２０２は、先行ロットの第２値と、現行ロットの第２値との相違が所定範囲内にあるかを判断する工程である。ステップＳ２０２は、第１判定処理のステップＳ１０１の第１値に代えて、欠損がなかった先行ロットについての第２値を採用した工程であるといえる。
　ステップＳ２０２の判断結果が肯定的であればステップＳ２０４において、第１判定処理のステップＳ１０３と同様に、引き上げられた基板Ｗには欠損がないと判定される。ステップＳ２０２の判断結果が否定的であればステップＳ２０３において、第１判定処理のステップＳ１０２と同様に、引き上げられた基板Ｗには欠損があると判定される。
　第２判定処理によっても、基板Ｗの破損や欠落が処理槽１００毎に判断される。また処理槽１００を撮像する必要がなく、処理液の液面による反射光の影響も小さい。
　＜負荷の履歴を用いた判定＞
　上述の負荷として、基板Ｗが第１の位置から、第２の位置（第２の位置は第１の位置よりも処理液から離れる）へ引き上げられる時間帯における負荷の経時的な値が用いられてもよい。例えばリフタ２０によって基板Ｗが、処理液に浸漬されている位置（以下「低位置」）から、搬送機構８への受け渡し位置あるいはリフタ２０の最高の位置（以下「高位置」）へ、引き上げられる時間帯における負荷の経時的な値（以下「負荷履歴」と仮称される）に基づいて、基板Ｗについての欠損の有無が判定されてもよい。
　当該負荷として、リフタ２０にかかる重量が採用されてもよいし、駆動トルク（以下では単に「トルク」と称される）が採用されてもよい。以下では主として、当該時間帯におけるトルクの経時的な値（以下「トルク履歴」と仮称される）が採用される場合について説明される。
　図１１はトルク負荷としての負荷履歴７１を模式的に示す図である。図１１において横軸に時間が採用され、縦軸にトルクが採用される。時刻ｔｓ以前においてリフタ２０は低位置にあり、時刻ｔｅ以降においてリフタ２０は高位置にある。時刻ｔｓから時刻ｔｅにおいてリフタ２０が上昇する。
　グラフＴ１は基板Ｗに欠損が生じていない場合のトルク履歴を示す。グラフＴ２は基板Ｗに欠損が生じている場合のトルク履歴を示す。グラフＴ０は、グラフＴ２に例示された場合よりも基板Ｗにおける欠損が大きい場合の、高位置におけるトルク履歴を示す。
　時刻ｔｓ以降においてグラフＴ２はグラフＴ１よりも小さいトルクを示す。高位置においてグラフＴ０はグラフＴ２よりも小さいトルクを示す。このようなトルクの相違は、基板Ｗに生じる欠損が大きいほど、リフタ２０が保持する基板Ｗの重量が小さいことを反映する。
　高位置において、グラフＴ１（またはグラフＴ０）とグラフＴ２との比較により、欠損の有無を判定することは、第１判定処理（図９参照）における第１値として高位置においてグラフＴ２が示すトルクを採用することに相当するといえる。
　先行ロットにおいてグラフＴ２が得られ、現行ロットにおいてグラフＴ１（またはグラフＴ０）が得られるときに、両者の比較により欠損の有無を判定することは、第２判定処理（図１０を参照）における先行ロットの第２値として、高位置においてグラフＴ２が示すトルクを採用することに相当するといえる。
　基板Ｗが引き上げられる時間帯は、例えば時刻ｔｓから時刻ｔｅに至る時間帯の一部または全部である。
　グラフＴ１，Ｔ２のいずれにおいても時刻ｔｓの直後からトルクは上昇し、極大値を示した後に低下してほぼ一定値をとる。このようなトルク履歴は、リフタ２０が基板Ｗを引き上げる際に所定の速度に至るまではトルクが上昇し、リフタ２０が所定の速度に到達した後はトルクが低下して所定の速度を維持するための一定値をとり、リフタ２０が停止に至るまで減速する際にはトルクが低下することを反映する。
　図１２は第２浸漬処理に採用される工程群を示すフローチャートである。当該工程群はステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４，Ｓ１５，Ｓ５４，Ｓ５５，Ｓ５６を有する。第２浸漬処理は、負荷履歴７１を用いた欠損の有無の判定を行う場合に採用される浸漬処理である。
　ステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４，Ｓ１５の内容およびその実行される順序は、第１浸漬処理（図６参照）と同様である。
　第２浸漬処理においてはステップＳ１３において肯定的な判断が得られてからステップＳ５４が実行される。ステップＳ５４において、リフタ２０の負荷、例えばトルクの測定が開始される。この後、後述されるステップＳ５５が実行されるまでリフタ２０の負荷は測定され続け、負荷の経時的な値が測定され続ける。
　ステップＳ５４によって負荷の測定が開始されると、ステップＳ１４が実行される。ステップＳ１４が終了するとステップＳ５５が実行される。ステップＳ５５において、リフタ２０の負荷、例えばトルクの測定が終了する。
　ステップＳ５５によって負荷の測定が終了すると、ステップＳ５６が実行される。ステップＳ５６はステップＳ５４が実行されてからステップＳ５５が実行されるまでのリフタ２０の負荷として、負荷履歴７１を記憶する。負荷履歴７１は例えば記憶部９０２に記憶される。
　ステップＳ５６が実行された後、ステップＳ１５が実行される。ステップＳ１１，Ｓ１５が省略される場合については第１浸漬処理と同様である。
　図１３は引き上げられた基板Ｗにおける欠損の有無を判定する一例である、第３判定処理の工程群を示すフローチャートである。当該工程群はステップＳ３０１，Ｓ３０２，Ｓ３０３，Ｓ３０４を備える。第３判定処理は、例えば制御部９によって実行される。制御部９は上述の判定を行う判定部として機能する。
　ステップＳ３０１は第２判定処理（図１０）のステップＳ２０１と同様に、先行ロットの浸漬処理において欠損があるか否かを判断する工程である。当該判断は、例えば第１判定処理の判定の結果、第２判定処理の結果、あるいは更に先行するロットにおける欠損の有無を用いた第３判定処理の結果を用いて行われ、あるいは目視による欠損の有無を用いて行われる。
　当該判断が肯定的であれば、当該先行ロットの浸漬処理において欠損があったので、当該先行ロットについて記憶された負荷履歴７１は、現行ロットの負荷履歴７１との比較には適切ではない。この場合には第３判定処理は終了する。以下、先行ロットについての負荷履歴７１が負荷履歴７１ｆとして説明される。
　Ｓ３０１の判断結果が否定的であれば、ステップＳ３０２が実行される。ステップＳ３０２は、先行ロットの負荷履歴７１ｆと現行ロットの負荷履歴７１との相違が所定範囲内にあるか否かが判断される。ステップＳ３０２は、第２判定処理におけるステップＳ２０２の第２値に代えて負荷履歴を採用した工程であるといえる。
　ステップＳ３０２の判断結果が肯定的であればステップＳ３０４において、第１判定処理のステップＳ１０３、第２判定処理のステップＳ２０４と同様に、引き上げられた基板Ｗには欠損がないと判定される。ステップＳ３０２の判断結果が否定的であればステップＳ３０３において、第１判定処理のステップＳ１０２、第２判定処理のステップＳ２０３と同様に、引き上げられた基板Ｗには欠損があると判定される。
　第３判定処理によっても、基板Ｗの破損や欠落が処理槽１００毎に判断される。また処理槽１００を撮像する必要がなく、処理液の液面による反射光の影響も小さい。
　＜学習済みモデルを利用した判定＞
　先行ロットの負荷履歴７１ｆから生成される学習済みモデルを用いて、引き上げられた基板Ｗにける欠損の有無を判定することができる。
　図１４は学習処理に採用される工程軍を示すフローチャートである。当該工程群は、この順に実行されるステップＳ６１，Ｓ６２，Ｓ６３を有する。ステップＳ６１は学習用データセット７３を生成する工程である。具体的には欠損がないと判定された先行ロットについての負荷履歴群７０に基づいて、学習用データセット７３が生成される。
　図１５は学習済みモデル７２の生成を示す模式図である。図１５に例示されるように、負荷履歴群７０は複数の負荷履歴７１（１），７１（２），…，７１（ｎ）で構成される。負荷履歴７１（１），７１（２），…，７１（ｎ）のいずれも、欠損がなかった先行ロットについての負荷履歴７１ｆである。例えば負荷履歴７１（１），７１（２），…，７１（ｎ）は何れもトルク履歴である。
　負荷履歴群７０は入出力インターフェース９０３を介して演算部９０１に与えられ、例えば記憶部９０２に記憶される。負荷履歴７１（１），７１（２），…，７１（ｎ）がトルク履歴であれば、これらは例えばサーボアンプ４４から入力される電流の情報である。演算部９０１は負荷履歴群７０を用いて学習用データセット７３を生成し、例えば記憶部９０２に記憶する。学習用データセット７３として負荷履歴群７０それ自体が採用されてもよい。
　ステップＳ６２は学習済みモデル７２を生成する工程である。例えば演算部９０１が、ステップＳ６１で生成された、あるいは負荷履歴群７０それ自体が採用された学習用データセット７３を用いて、学習済みモデル７２を生成する。学習済みモデル７２は、処理液による処理を既に受けかつ欠損がないと判定された複数の基板Ｗについての負荷の経時的な値である負荷履歴群７０に基づいた学習用データセット７３から生成される、といえる。
　ステップＳ６３は学習済みモデル７２を記憶する工程である。ステップＳ６２で生成された学習済みモデル７２は、例えば記憶部９０２に記憶される。
　図１６は、引き上げられた基板Ｗにおける欠損の有無を判定する一例である、第４判定処理の工程群を示すフローチャートである。当該工程群はステップＳ４０１，Ｓ４０２，Ｓ４０３，Ｓ４０４を備える。第４判定処理は、例えば制御部９によって実行される。制御部９は上述の判定を行う判定部として機能する。
　ステップＳ４０１は学習済みモデル７２へ現行ロットの負荷履歴７１を入力する工程である。例えば図１５において現行ロットの負荷履歴７１が負荷履歴７１（ｋ）（但しｋ≠１，２，…，ｎ）として例示される。負荷履歴７１（ｋ）がトルク履歴であれば、これらは例えばサーボアンプ４４から入力される電流の情報である。
　負荷履歴７１（ｋ）は入出力インターフェース９０３を介して演算部９０１に与えられる。演算部９０１には記憶部９０２から学習済みモデル７２が入力される。演算部９０１において、学習済みモデル７２へ負荷履歴７１（ｋ）が入力される。
　ステップＳ４０２は学習済みモデル７２による判断を行う工程である。例えば演算部９０１が学習済みモデル７２に参照して負荷履歴７１（ｋ）が正常であるか異常であるかを判断する。
　ステップＳ４０２の判断結果が「正常」である場合には、学習済みモデル７２は欠損がなかった先行ロットについての負荷履歴７１ｆから生成されたことから、現行ロットにおいても欠損がないと判断されたといえる。つまりこの場合には、ステップＳ４０４において、第１判定処理のステップＳ１０３、第２判定処理のステップＳ２０４、第３判定処理のステップＳ３０４と同様に、引き上げられた基板Ｗには欠損がないと判定される。
　ステップＳ４０２の判断結果が「異常」である場合には、ステップＳ４０３において、第１判定処理のステップＳ１０２、第２判定処理のステップＳ２０３、第３判定処理のステップＳ３０３と同様に、引き上げられた基板Ｗには欠損があると判定される。
　第４判定処理は、学習済みモデル７２に、負荷の経時的な値である負荷履歴７１を入力して、基板Ｗの欠損の有無を判定する。第４判定処理によっても、基板Ｗの破損や欠落が処理槽１００毎に判断される。また処理槽１００を撮像する必要がなく、処理液の液面による反射光の影響も小さい。
　負荷履歴７１（ｋ）は後行ロットについての学習済みモデル７２の生成に供するため、負荷履歴群７０に追加されてもよい。
　＜学習済みモデルの生成の他例＞
　図１７は学習済みモデル７２の生成の他例を示すブロック図である。図１７は制御部９と外部装置６０との接続関係を例示する。この例では基板処理装置１は通信部５１を備える。基板処理装置１は通信部５１を用いて外部装置６０と相互に通信可能である。外部装置６０は例えば基板処理装置１をその外部から管理する管理装置である。
　外部装置６０は制御部６０１、学習モデル生成部６０２、記憶部６０３、通信部６０４を備える。制御部６０１は学習モデル生成部６０２、記憶部６０３、通信部６０４の動作を制御する。通信部６０４は通信部５１と相互に通信可能である。外部装置６０は通信部６０４を用いて基板処理装置１と相互に通信可能である。
　通信部５１，６０４同士の間での通信は有線通信であってもよいし、通信ネットワークを介する場合を含む無線通信であってもよい。
　この例では負荷履歴群７０が演算部９０１から通信部５１，６０４を介して記憶部６０３に記憶される。学習モデル生成部６０２は負荷履歴群７０を用いて学習用データセット７３を生成し、更に学習済みモデル７２を生成する。学習済みモデル７２は記憶部６０３に記憶される。この例ではステップＳ６１，Ｓ６２は学習モデル生成部６０２によって実行される。
　この例では学習済みモデル７２は記憶部６０３から通信部６０４，５１を介して演算部９０１に与えられ、第４判定処理に供される。
　＜変形＞
　上述の説明では、リフタ２０、またはリフタ２０および昇降器４０を基板保持機構として理解することができる。そして基板保持機構にかかる負荷を用いて、基板Ｗにおける欠損の有無が処理槽１００毎に判定される場合が説明された。
　但し、搬送機構８にかかる負荷を用いて、基板Ｗにおける欠損の有無が処理槽１００毎に判定されてもよい。例えば制御部９において処理槽１００毎に、欠損がない基板Ｗを保持するときに搬送機構８にかかる負荷を記憶し、当該負荷が基準値として採用される。ステップＳ５２（図６を参照）と同様にして搬送機構８の負荷を測定し、測定された負荷と基準値との比較を行って、処理槽１００毎に欠損の有無が判定される。
　例えば当該負荷は搬送機構８にかかる重量である。当該重量を測定するロードセル５０は、例えば搬送機構８が備える連結部８２において設けられる。
　あるいは例えば処理槽１００毎に先行ロットの基板Ｗを保持する搬送機構８にかかる負荷が測定される。ステップＳ２０２（図１０を参照）と同様にして、共通する処理槽１００に関し、先行ロットについての当該測定値と、現行ロットについての当該測定値との相違が所定範囲内にあるか否かが、ステップＳ２０２と同様に判断される。これにより処理槽１００毎に欠損の有無が判定される。
　あるいは例えば負荷履歴７１と同様にして、処理槽１００毎に搬送機構８にかかる負荷の経時的な値が測定される。この経時的な値が第３判定処理（図１３を参照）における負荷履歴７１，７１ｆに代えて採用されて、処理槽１００毎に欠損の有無が判定される。あるいは搬送機構８にかかる負荷の経時的な値を用いて処理槽１００毎に学習済みモデルが生成される。当該学習済みモデルを用いて、第４判定処理（図１６を参照）と同様にして、処理槽１００毎に欠損の有無が判定される。
　なお、上記各実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。
　１　基板処理装置
　９　制御部
　２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ　リフタ（基板保持機構）
　４０，４０ａ，４０ｂ　昇降器（基板保持機構）
　７０　負荷履歴群
　７１　負荷履歴
　７２　学習済みモデル
　７３　学習用データセット
　１００，１０１ａ，１０２ａ，１０３ａ，１０４ａ　処理槽
　Ｑ　リンス液（処理液）
　Ｗ　基板

Claims (12)

  1. 　複数の基板が浸漬されて前記複数の基板を一括して処理する処理液を貯留する処理槽；および
    　前記複数の基板を一括して保持する機能を有する機構であって、前記複数の基板を前記処理液から取り出す第１機能と、前記複数の基板を前記処理液へ浸漬する第２機能と、を有する基板保持機構；
    を含む基板処理装置を制御する方法であって、
    　前記第１機能を発揮するときに前記基板保持機構にかかる負荷に基づいて、前記処理槽を用いた処理における前記複数の基板の欠損の有無を判定する、基板処理方法。
  2. 　前記基板保持機構が前記処理液に前記複数の基板を浸漬する前に前記基板保持機構にかかる負荷の値である第１値と、前記第１機能を発揮するときに前記基板保持機構にかかる負荷の値である第２値との相違に基づいて、前記有無を判定する、請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 　前記第２値と、前記第２値の基準となる値である基準値との相違に基づいて、前記有無を判定する、請求項２に記載の基板処理方法。
  4. 　前記処理液による処理を既に受け、かつ欠損がないと判定された複数の基板についての前記第２値が、前記基準値として採用される、請求項３に記載の基板処理方法。
  5. 　前記複数の基板が前記処理液から取り出された後の、前記基板保持機構の所定の位置における前記負荷に基づいて、前記有無を判定する、請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
  6. 　前記負荷に、前記所定の位置において前記基板保持機構に与えられる駆動トルクが採用される、請求項５に記載の基板処理方法。
  7. 　前記負荷に、前記所定の位置において前記基板保持機構にかかる重量が採用される、請求項５に記載の基板処理方法。
  8. 　前記基板保持機構によって前記複数の基板が第１の位置から、前記第１の位置よりも前記処理液から離れた第２の位置へ引き上げられる時間帯における前記負荷の経時的な値に基づいて、前記有無を判定する、請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
  9. 　前記負荷に、前記時間帯において前記基板保持機構に与えられる駆動トルクが採用される、請求項８に記載の基板処理方法。
  10. 　前記負荷に、前記時間帯において前記基板保持機構にかかる重量が採用される、請求項８に記載の基板処理方法。
  11. 　前記負荷の経時的な値を、前記処理液による処理を既に受けかつ欠損がないと判定された複数の基板についての前記負荷の経時的な値に基づいた学習用データセットから生成された学習済みモデルに入力して、前記有無の判定が行われる、請求項１から請求項１０のいずれか一つに記載の基板処理方法。
  12. 　複数の基板が浸漬されて前記複数の基板を一括して処理する処理液を貯留する処理槽；
    　前記複数の基板を一括して保持する機構であって、前記複数の基板を前記処理液から取り出す第１機能と、前記複数の基板を前記処理液へ浸漬する第２機能と、を有する基板保持機構；および
    　前記第１機能を発揮するときに前記基板保持機構にかかる負荷の値である値に基づいて、前記処理槽を用いた処理における前記複数の基板の欠損の有無を判定する判定部
    を備える基板処理装置。
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