JP2023540291A - 選択的異方性金属エッチング - Google Patents
選択的異方性金属エッチング Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023540291A JP2023540291A JP2023514393A JP2023514393A JP2023540291A JP 2023540291 A JP2023540291 A JP 2023540291A JP 2023514393 A JP2023514393 A JP 2023514393A JP 2023514393 A JP2023514393 A JP 2023514393A JP 2023540291 A JP2023540291 A JP 2023540291A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- containing layer
- metal
- plasma
- substrate
- sccm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 176
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 176
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 182
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 169
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 161
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 110
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 28
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 73
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 52
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical group [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 31
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 30
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 209
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 149
- 230000008569 process Effects 0.000 description 99
- 241000894007 species Species 0.000 description 34
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 description 31
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 23
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 14
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 12
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 11
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 10
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 10
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 10
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 8
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 7
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 6
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 6
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 ruthenium Chemical compound 0.000 description 6
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000237074 Centris Species 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical compound FCF RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000013529 heat transfer fluid Substances 0.000 description 1
- 210000001624 hip Anatomy 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32139—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/48—Data lines or contacts therefor
- H10B12/482—Bit lines
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
基板をパターニングする方法が提供される。該方法は、金属含有層の表面を塩素含有ガス前駆体及び酸素含有ガス前駆体のプラズマ放出物に曝露することにより、処理チャンバの処理領域に位置づけられた基板上に形成された金属含有層の表面を改質して、金属含有層の改質された表面を形成することを含む。該方法は、不活性ガス前駆体のプラズマ放出物を金属含有層の改質された表面に誘導するステップをさらに含む。不活性ガス前駆体のプラズマ放出物は、基板を保持する基板支持体にバイアス電圧を印加することによって誘導される。該方法は、金属含有層の改質された表面を不活性ガス前駆体のプラズマ放出物で異方性エッチングして、金属含有層に第1の側壁を有する第1の凹部を形成することをさらに含む。【選択図】図2
Description
本開示の実装形態は、概して、半導体デバイス及び半導体デバイス製造に関する。より詳細には、本開示の実装形態は、半導体デバイスに用いられる導電性材料の選択的異方性エッチングの方法に関する。
半導体デバイスの製造は、所望のサイズ及び間隔を有する1つ以上の材料を形成(例えば、パターニング)することを含む。例えば、導電性材料は、アクセス線(例えば、ワード線)、ディジット線(例えば、センス線、ビット線)、導電性コンタクト、及び導電性トレースなどの導電線へとパターン化されうる。他の特徴部をパターン化して、例えば、メモリセルの選択デバイス、メモリストレージ素子、及び半導体デバイスの他の構成要素を形成することができる。
半導体デバイスの特徴部のサイズが縮小し続けるにつれて、所望の限界寸法を有する特徴部のパターンを形成することがますます困難になっている。加えて、半導体デバイスの複雑さが増すにつれて、パターン化される材料を含むスタック構造は、より大きい厚さ(例えば、高さ)を示しうる。さらには、半導体デバイスの複雑さの増加に伴い、パターニングの回数が増えるにつれて、半導体デバイスの所望の数の特徴部のパターニングを容易にするために、フォトレジスト材料及びハードマスク材料などのマスク材料の寸法(例えば、高さ)又はアスペクト比(構造の高さと幅の比として定義される)が増加されうる。しかしながら、マスク材料の高さ及び/又はアスペクト比が増加するにつれて、マスクを通して形成された材料は、側壁粗さ、線幅粗さ(LWR)、又はそれらの組合せの望ましくない増加を示す可能性がある。加えて、導電性材料の現在のエッチングプロセスは、しばしば、導電性材料を横方向にエッチングし、側壁の粗さとLWRを悪化させる。さらには、用いられる導電性材料(金属)が、ルテニウムなどのデバイスの温度及び熱収支内で粒子を成長させる粒子成長金属である場合、側壁粗さ及びLWRをもたらす、金属の弱い粒界に沿った横方向のエッチングについてのさらなる傾向が存在する。
したがって、導電性材料をエッチングする改善された方法が必要とされている。
本開示の実装形態は、概して、半導体デバイス及び半導体デバイス製造に関する。より詳細には、本開示の実装形態は、半導体デバイスに用いられる導電性材料の選択的異方性エッチングの方法に関する。
一態様では、基板をパターニングする方法が提供される。該方法は、処理チャンバの処理領域に位置づけられた基板上に形成された金属含有層の表面を、塩素含有ガス前駆体及び酸素含有ガス前駆体に曝露することにより、金属含有層の表面を改質して、金属含有層の改質された表面を形成することを含む。該方法は、基板を保持する基板支持体にバイアス電圧を印加することによって、不活性ガス前駆体のプラズマ放出物を金属含有層の改質された表面に誘導するステップをさらに含む。該方法は、金属含有層の改質された表面を不活性ガス前駆体のプラズマ放出物で異方性エッチングして、金属含有層内に第1の側壁を有する第1の凹部を形成することをさらに含み、ここで、不活性ガス前駆体のプラズマ放出物は、金属含有層の改質された表面を改質されていない部分と比較して選択的にエッチングする。
実装形態は、次のうちの1つ以上を含む。不活性ガス前駆体はアルゴンである。金属含有層は、ルテニウム(Ru)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、及びロジウムからなる群の1つ以上を含む。金属含有層の改質された表面を異方性エッチングすることにより、ビット線金属含有層を含む特徴部が形成される。塩素含有ガス前駆体は、約10sccmから約50sccmの流量で処理領域内へと流れ、酸素含有ガス前駆体は、約100sccmから約150sccmの流量で処理領域内へと流れる。金属含有層の表面を改質して、金属含有層の改質された表面を異方性エッチングする間の処理領域内の圧力は、約20mTorr以下に維持される。不活性ガス前駆体のプラズマ放出物を金属含有層の改質された表面に誘導するバイアス電圧は、約150ワット以下である。該方法は、少なくとも1回の追加のサイクルで繰り返される。処理チャンバ静電チャック(ESC)の温度は、摂氏約50度以下に維持される。金属含有層の表面の改質は、金属含有層の表面をエッチングすることなく行われる。金属含有層の表面を改質する前に、不活性ガスイオンが金属含有層の表面に注入される。第1の凹部は、パッシベーションガスとエッチャントガスとを含むエッチャントガス混合物に曝露され、金属含有層から追加の金属を除去する。該方法は、エッチャントガス混合物のプラズマを形成すること、パッシベーションガスのプラズマ放出物で第1の凹部の第1の側壁をパッシベーションすること、及びエッチャントガスのプラズマ放出物で第1の凹部を異方性エッチングして、第1の側壁と位置合わせされた金属含有層の第2の側壁を伴って第1の凹部を深めることをさらに含む。パッシベーションガスは、窒素(N2)、二酸化硫黄(SO2)、又はそれらの組合せから選択される。エッチャントガスは、酸素(O2)及び塩素(Cl2)を含む。
別の態様では、基板をパターニングする方法が提供される。該方法は、処理チャンバの処理領域に位置づけられた基板上に形成された金属含有層の表面を、N2及びSO2から選択されるパッシベーションガスとO2及びCl2を含むエッチャントガスとを含むエッチャントガス混合物に曝露することを含む。該方法は、エッチャントガス混合物のプラズマで金属含有層を異方性エッチングすることをさらに含む。
実装形態は、次のうちの1つ以上を含みうる。該方法は、金属含有層の表面をエッチャントガス混合物に曝露する前に、金属含有層の表面を塩素含有ガス前駆体及び酸素含有ガス前駆体のプラズマ放出物に曝露することにより、金属含有層の表面を改質して、金属含有層の改質された表面を形成することをさらに含む。エッチャントガス混合物のプラズマで金属含有層を異方性エッチングすることにより、金属含有層の改質された表面が除去される。
さらに別の態様では、基板をパターニングする方法が提供される。該方法は、処理チャンバの処理領域に位置づけられた基板上に形成されたルテニウム含有層の表面をエッチャントガス混合物に曝露することを含む。エッチャントガス混合物は、50-200sccmのO2;10-100sccmのCl2;100-300sccmのアルゴン;及び、5-100sccmのN2又は10-30sccmのSO2を含む。該方法は、基板を摂氏約20度から摂氏約40度の温度で維持すること、及びエッチャントガス混合物のプラズマを約10mTorrから約20MTorrの圧力で維持することを含む、ルテニウム含有層をエッチャントガス混合物のプラズマで異方性エッチングすることをさらに含む。
実装形態は、次のうちの1つ以上を含みうる。ルテニウム含有層を異方性エッチングすることにより、ビット線ルテニウム含有層を含む特徴部が形成される。
さらに別の態様では、非一時的なコンピュータ可読媒体は、プロセッサによって実行されると、プロセスに、上記装置及び/又は方法の動作を実施させる命令を記憶する。
本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、その幾つかが添付の図面に示されている実装形態を参照することによって、上に簡単に要約した実装形態のより詳細な説明を得ることができる。しかしながら、本開示は他の等しく有効な実装形態も許容しうるため、添付の図面は、単に本開示の典型的な実装形態を示しているだけであり、したがって、本発明の範囲を限定すると見なされるべきではないことに留意されたい。
理解を容易にするため、可能な場合には、図面に共通する同一の要素を示すために同一の参照番号が用いられる。一実装形態の要素及び特徴は、さらなる記述がなくとも、他の実装形態に有益に組み込まれうることが想定されている。
以下の開示では、導電性特徴部のエッチングについて説明する。本開示のさまざまな実装形態の完全な理解を提供するために、ある特定の詳細が以下の説明及び図1~7Eに記載されている。しばしばエッチングに関連する、よく知られている構造及びシステムを説明する他の詳細は、さまざまな実装形態の説明を不必要に曖昧にすることを避けるために、以下の開示では説明しない。加えて、本明細書に記載される装置の説明は例示的なものであり、本明細書に記載される実装形態の範囲を制限するものとして理解又は解釈されるべきではない。
図に示されている詳細、動作、寸法、角度、及び他の特徴部の多くは、特定の実装形態の単なる例示である。したがって、他の実装形態は、本開示の主旨又は範囲から逸脱することなく、他の詳細、構成要素、寸法、角度、及び特徴を有することができる。加えて、本開示のさらなる実装形態は、以下に説明する幾つかの詳細がなくとも、実施することができる。
本開示の実装形態は、導電性特徴部を含む半導体デバイスに用いられる導電性材料の選択的異方性エッチングの方法、並びに例えばビット線スタックなど、抵抗及び表面粗さが低減された導電性特徴部を形成する方法、並びに抵抗及びビット線表面粗さが低減されたビット線スタックを形成する方法に関する。本開示の1つ以上の実装形態は、ノードを縮小する必要があるにもかかわらず、抵抗率の減少の問題に有利に対処する。幾つかの実装形態では、ビット線の抵抗率は、ビット線金属の表面粗さを低減することによって低減する。本開示の幾つかの実装形態は、改善された粗さ、制御された異方性エッチング、ハードマスク材料に対する改善された選択性、及び改善されたウエハ間及びウエハ内の均一性のうちの1つ以上を有利に提供する。
現在の従来のエッチングプロセスは、通常、粒界に沿って金属材料をエッチングし、これにより、側壁が粗くなる可能性がある。層ごとにエッチングする現在の原子層エッチングプロセスは、多くの場合、方向性を欠いている。この方向性の欠如は、垂直側壁の横方向のエッチングをもたらす可能性があり、これにより、重要な寸法が減少し、側壁の粗さが悪化し、ビット線の長さなどの構造に沿った欠陥が発生する。本明細書に記載される実装形態は、現在知られているエッチング技法に存在する横方向のエッチングを低減し、したがって、抵抗率が低下した滑らかな側壁を提供する。
本明細書に記載される実装形態を実施することができる特定の装置は限定しないが、米国カリフォルニア州サンタクララ所在のApplied Materials,Inc.社が販売するSYM3(登録商標)エッチングシステムで実装形態を実施することは特に有益である。さらに、他の利用可能なエッチングシステムも本明細書に記載される実装形態から利益を得ることができる。
本明細書で用いられる「基板」とは、製造プロセス中にその上に膜処理が行われる、材料の表面、又は表面若しくは材料の一部を指す。例えば、処理が実施されうる基板表面は、用途に応じて、ケイ素、酸化ケイ素、ストレインドシリコン、シリコンオンインシュレータ(SOI)、炭素をドープした酸化ケイ素、アモルファスシリコン、ドープされたケイ素、ドープされたアモルファスシリコン、ポリシリコン、ドープされたポリシリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガラス、サファイアなどの材料、並びに、金属、金属窒化物、金属合金、及び他の導電性材料などの他の任意の材料を含む。基板には、半導体ウエハが含まれるが、これに限定されない。基板自体の表面に直接膜処理することに加えて、本開示では、開示された任意の膜処理工程は、以下により詳細に開示されるように、基板上に形成された下層にも行うことができ、「基板表面」という用語は、文脈が示すように、こうした下層を含むことが意図されている。したがって、例えば、膜/層又は部分的な膜/層が基板表面上に堆積されている場合には、新たに堆積された膜/層の露出面が基板表面となる。
基板は、シリコンウエハ、例えば、その上に堆積された誘電体、導電体、又は半導体材料などの材料の1つ以上の層を有するウエハを含む、200-mmのウエハ、300-mmのウエハ、又は450-mmのウエハでありうる。パターン化された基板は、ビア又はコンタクト孔などの「特徴部」を有することができ、これらは、1つ以上の狭い及び/又は凹んだ開口部、特徴部内のくびれ、及び高アスペクト比によって特徴付けることができる。特徴部は、上述の層の1つ以上に形成することができる。特徴部の一例は、半導体基板又は基板上の層における孔又はビアである。別の例は、基板又は層のトレンチである。幾つかの実装形態では、特徴部は、バリア層又は接着層などの下層を有することができる。下層の非限定的な例には、誘電体層及び導電層、例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、及び金属層が含まれる。
幾つかの実装形態では、開示される実装形態を実施することによって製造される基板のタイプは、開示された実施形態を実施する前の基板上の特徴部のアスペクト比に依存しうる。アスペクト比は、特徴部の深さを特徴部の限界寸法(幅/直径など)と比較したものである。幾つかの実装形態では、基板上の特徴部は、少なくとも約2:1、少なくとも約3:1、少なくとも約4:1、少なくとも約6:1、少なくとも約10:1、又はそれより高いアスペクト比を有することができる。特徴部はまた、開口部、例えば、約5nmから500nmの間、例えば約25nmから約300nmの間の開口径又は線幅に近い寸法を有することができる。DRAM用途の一例では、特徴部は、約10nmから約30nmの線間隔で約10nmから約40nmの線幅(例えば、20nmの間隔で24nmの線幅;30nmの間隔で35nmの線幅;又は、6nmの間隔で12nmの線幅)を有する。
本開示の1つ以上の実装形態は、概して、ビット線構造及び/又はゲートスタックに実装することができるように、薄膜耐火性金属(例えば、ルテニウム)から形成された1つ以上の低抵抗率の特徴部を含む構造を提供する。幾つかの実装形態は、ビット線スタックを形成する方法を含む。一例として、本開示の実装形態に従って形成されるビット線構造は、DRAMタイプの集積回路などのメモリタイプの半導体デバイスでありうる。
図1は、材料層のパターニング、並びにプラズマ処理チャンバ100内の基板300上に配置された材料層の形成に適した、プラズマ処理チャンバ100の一例の簡略な断面図である。プラズマ処理チャンバ100は、本明細書に記載されるエッチングプロセスの実施に適している。本開示から恩恵を受けるように適合させることができるプラズマ処理チャンバ100の一例は、米国カリフォルニア州サンタクララ所在のApplied Materials,Inc.社から入手可能なCENTRIS(登録商標)SYM3(登録商標)処理チャンバである。他の製造業者からのものを含む他のプロセスチャンバも、本開示の実施形態を実施するために適合されうることが企図されている。
プラズマ処理チャンバ100は、その中に画成された処理容積101を有するチャンバ本体105を含む。チャンバ本体105は側壁112及び底部118を有し、これらは接地126に接続される。側壁112は、該側壁112を保護し、プラズマ処理チャンバ100のメンテナンスサイクル間の時間を延長するためのライナ115を有する。チャンバ本体105及びプラズマ処理チャンバ100の関連する構成要素の寸法は限定されず、その中で処理される基板300のサイズよりも、比例して大きくなりうる。ワークピースのサイズの例としては、とりわけ、直径200mm、直径250mm、直径300mm、及び直径450mmが挙げられる。
チャンバ本体105は、処理容積101を取り囲むようにチャンバリッドアセンブリ110を支持する。チャンバ本体105は、アルミニウム又は他の適切な材料から製造することができる。基板アクセスポート113は、チャンバ本体105の側壁112を貫通して形成され、プラズマ処理チャンバ100の内外への基板300の移送を容易にする。基板アクセスポート113は、移送チャンバ及び/又は基板処理システムの他のチャンバ(図示せず)に連結することができる。
ポンピングポート145は、チャンバ本体105内に画成され、処理容積101に接続される。ポンピングデバイス(図示せず)は、ポンピングポート145を介して処理容積101に連結されて、排気し、処理容積101の圧力を制御する。ポンピングデバイスは、1つ以上のポンプ及びスロットルバルブを含みうる。
ガスパネル160は、ガスライン167によってチャンバ本体105に連結され、処理ガスを処理容積101に供給する。ガスパネル160は、1つ以上の処理ガス源161、162、163、164を含むことができ、必要に応じて、不活性ガス、非反応性ガス、及び反応性ガスをさらに含むことができる。ガスパネル160が供給しうる処理ガスの例には、O2、H2O、H2O2、O3、N2O、NO2を含む酸素含有ガス;Cl2、HCl、HF、F2、Br2、HCl、HBr、hSF6、NF3を含むハロゲン含有ガス;窒素(N2)及び二酸化硫黄(SO2)を含むパッシベーションガス;並びに、アルゴン、ヘリウムを含む不活性ガスが含まれるが、これらに限定されない。さらに、処理ガスは、窒素、塩素、フッ素、酸素、及び水素含有ガス、とりわけ、BCl3、C2F4、C4F8、C4F6、CHF3、CH2F2、CH3F、NF3、NH3、CO2、SO2、CO、N2、NO2、N2O、及びH2などを含みうる。
バルブ166は、ガスパネル160からのソース161、162、163、164からの処理ガスの流れを制御し、システムコントローラ165によって管理される。ガスパネル160からチャンバ本体105に供給されるガスの流れは、ガスの組合せを含みうる。
チャンバリッドアセンブリ110はノズル114を含みうる。ノズル114は、処理ガスをガスパネル160のソース161、162、164、163から処理容積101に導入するための1つ以上のポートを有する。処理ガスがプラズマ処理チャンバ100内に導入された後、ガスが励起されてプラズマが形成される。1つ以上のインダクタコイルなどのアンテナ148が、プラズマ処理チャンバ100に隣接して提供されうる。アンテナ電源142は、処理ガスにRFエネルギーなどのエネルギーを誘導結合する整合回路141を介してアンテナ148に給電し、処理ガスから形成されるプラズマをプラズマ処理チャンバ100の処理容積101内に維持することができる。アンテナ電源142に代えて又はそれに加えて、基板300の下方及び/又は基板300の上方の処理電極は、処理ガスにRF電力を容量結合して、処理容積101内にプラズマを維持するために用いることができる。アンテナ電源142の動作は、プラズマ処理チャンバ100内の他の構成要素の動作も制御するシステムコントローラ165などのコントローラによって制御することができる。
基板支持ペデスタル135は、処理中に基板300を支持するための処理容積101内に配置されうる。基板支持ペデスタル135は、処理中に基板300を保持するための静電チャック(ESC)122を含みうる。ESC122は、静電引力を使用して、基板300を基板支持ペデスタル135に保持する。ESC122は、整合回路124と一体化されたRF電源125によって給電される。ESC122は、誘電体内に埋め込まれた電極121を含む。電極121は、RF電源125に連結され、処理容積101内の処理ガスによって形成されたプラズマイオンをESC122及びその上に位置づけられた基板300へと引き寄せるバイアスを提供する。RF電源125は、基板300の処理中にオンとオフを繰り返すか、又はパルスを発することができる。ESC122は、該ESC122の保守ライフサイクルを延長するために、ESC122の側壁をプラズマに引き寄せられにくくする目的でアイソレータ128を有する。加えて、基板支持ペデスタル135は、プラズマガスから基板支持ペデスタル135の側壁を保護し、プラズマ処理チャンバ100の保守間隔を延長するために、カソードライナ136を有することができる。
さらには、電極121は電源150に連結される。電源150は、約200ボルトから約2000ボルトのチャッキング電圧を電極121に供給する。電源150はまた、基板300をチャッキング及びデチャッキングするためにDC電流を電極121に誘導することによって電極121の動作を制御するためのシステムコントローラを含むことができる。
ESC122は、基板を加熱するために内部に配置され、電源(図示せず)に接続されたヒータを含むことができ、一方、ESC122を支持する冷却ベース129は、ESC122及びその上に配置された基板300の温度を維持するように伝熱流体を循環させるための導管を含むことができる。ESC122は、基板300上に製造されるデバイスの熱収支に所望される温度範囲で機能するように構成される。例えば、ESC122は、基板300を摂氏約25度から摂氏約150度の温度に維持するように構成されうる。
冷却ベース129は、基板300の温度の制御を支援するように提供される。プロセスドリフト及び時間を軽減するために、基板300の温度は、基板300がプラズマ処理チャンバ100内にある間ずっと、冷却ベース129によってほぼ一定に維持されうる。一実装形態では、基板300の温度は、エッチングプロセスの間中、摂氏約25度から摂氏約150度に維持される。
カバーリング130は、ESC122上に基板支持ペデスタル135の周囲に沿って配置される。カバーリング130は、プラズマ処理チャンバ100内のプラズマ環境から基板支持ペデスタル135の上面を遮蔽しつつ、基板300の露出した上面の所望の部分にエッチングガスを封じ込めるように構成される。リフトピン(図示せず)は、基板支持ペデスタル135を通って選択的に移動し、基板300を基板支持ペデスタル135の上方へと持ち上げて、移送ロボット(図示せず)又は他の適切な移送機構による基板300へのアクセスを容易にする。
システムコントローラ165を利用して、処理シーケンスを制御し、ガスパネル160からプラズマ処理チャンバ100へのガス流及び他の処理パラメータを調整することができる。ソフトウェアルーチンは、CPUによって実行されると、プロセスが本開示に従って実行されるように、プラズマ処理チャンバ100を制御する特定用途のコンピュータ(コントローラ)へとCPUを変換する。ソフトウェアルーチンはまた、プラズマ処理チャンバ100と一緒に配置された第2のコントローラ(図示せず)によって格納及び/又は実行することもできる。
図2は、本明細書に開示される態様による基板に特徴部をエッチングする方法200のフローチャートを示している。図3A-3Gは、本明細書に開示される態様によるエッチングプロセスのさまざまな段階を示している。方法200及び図3A-3Gは、金属含有層内の高アスペクト比の特徴部をエッチングする文脈で説明されているが、方法200は、他のタイプの基板内の他の特徴部をエッチングするために使用することができるものと理解されたい。概して、方法200は、DRAM、フラッシュメモリ、及びロジックデバイスのHARコンタクトマスク開口プロセス、並びにHAR線/空間パターン(例えば、ゲートライン、ビット線、相互接続線のエッチング用)に適用可能である。例えば、DRAM用途では、ビット線を形成するために線/空間エッチングされる。
方法200は、基板を提供することによる動作210から開始する。基板は、図1に示される基板300でありうる。基板300は、その上に配置された膜スタック302を含む。図3Aに示される実装形態では、膜スタック302は、その上にハードマスク層312が配置された金属含有層310を含む。ハードマスク層312のない膜スタック302(すなわち、金属含有層310のみ)もまた、方法200に従って処理することができる。さらに、膜スタック302は追加の層を含んでいてもよい。例えば、幾つかのDRAM用途では、膜スタック302は、キャップ材料、バリア材料、及び/又はフォトレジスト材料をさらに含むことができる。幾つかの実装形態では、金属含有層310は、メモリ製造のための通常の熱収支(例えば、摂氏900度で5分間)で粒子を成長させる、ルテニウムなどの粒子成長金属層を含むか、本質的にそれらからなるか、又はそれらからなる。幾つかの実装形態では、金属含有層310は、ルテニウム(Ru)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、又はロジウム(Rh)のうちの1つ以上を含む。一例では、金属含有層310は、ルテニウムを含むか、本質的にルテニウムからなるか、又はルテニウムからなる。本明細書で用いられる場合、「本質的にルテニウムからなる」という用語は、金属含有層310のルテニウム又は成分が、金属含有層310の約95%、98%、又は99%以上であることを意味する。一例では、金属含有層310はビット線金属層である。ビット線金属層は、ルテニウムを含むか、本質的にルテニウムからなるか、又はルテニウムからなりうる。幾つかの実装形態では、ハードマスク層312は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、又は炭窒化ケイ素のうちの1つ以上を含む。一例では、ハードマスク層312は、窒化ケイ素を含むか、又は窒化ケイ素からなる。一例では、金属含有層310はルテニウム層であり、ハードマスク層312は窒化ケイ素ハードマスク層である。
図3Aに示される実装形態では、金属含有層310はブランケット層であり、ハードマスク層312は、貫通して形成された開口部又は開孔314を有するパターン化されたハードマスクである。ハードマスク層312の堆積に続いて、ハードマスク層312をパターン化し、ハードマスク層312を貫通する開孔314を形成するために、一般に知られているフォトリソグラフィ及びエッチングプロセスを使用することができる。次いで、方法200を進めるために、基板300を処理領域に提供することができる。
しかしながら、図3Bの実装形態に示されるように、金属含有層310は、少なくとも、その中に形成された、又は部分的に形成された第1の特徴部320を有することができる。少なくとも1つの第1の特徴部320は、金属含有層310の上面322から金属含有層310の底面324に向かって特徴部の深さに延在することができる。少なくとも1つの第1の特徴部320は、第1の側壁326a及び第2の側壁326bによって画成された幅を有する。少なくとも1つの第1の特徴部320は、金属含有層310の上面322から第1の特徴部320の底面328に向かって特徴部の深さに延在することができる。
動作220では、金属含有層310の露出面を改質するために、任意選択的なプレアモルファス化処理プロセスが実施される。プレアモルファス化処理は、基板300をイオンドーピング/注入プロセスに曝露することを含みうる。一実装形態では、ドーパント種を注入するためにビームライン注入技法が用いられる。別の実装形態では、プラズマドーピング(PLAD)技法などのコンフォーマルドーピング技法を使用して、ドーパント種を注入することができる。
動作220のプレアモルファス化処理プロセスが実施されない実装形態では、以下により詳細に説明する動作230の改質プロセスは、プレアモルファス化処理なしに、金属含有層310上に直接実施することができる。
幾つかの実装形態では、動作220のイオンドーピング/注入プロセスは、形成されたドーパントを用いて、金属含有層310の第1の特徴部320の底面328を含むある特定の位置にある、特定の膜/表面特性をドープ、コーティング、処理、注入、挿入、又は改質するために実施され、金属含有層310にドープ領域332を形成する。イオンドーピング/注入プロセスは、ドープされたドーパントを用いて金属含有層310上の膜/表面特性を改質するために、入射イオンを利用して、ドープされた領域332を形成する。所望のタイプの原子(例えば、不活性種)を含むイオンは、所望の濃度で金属含有層310にドープすることができる。金属含有層310にドープされたイオンは、金属含有層310の膜/表面特性を改質することができ、これにより、金属含有層310の格子構造、結晶度、結合構造、又は膜密度に影響を与え、これらを改善又は変更して、ドープされた領域332を形成することができる。動作220のイオンドーピング/注入プロセスは、典型的には、金属含有層310をスパッタリング又は実質的にスパッタリングすることなく、金属含有層310の表面を改質するために実施される。
イオンドーピング/注入プロセスに適したイオン種は、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、及びキセノンなどの不活性前駆体材料から生成することができる。一実装形態では、ドーパント又は不活性種は、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、又はそれらの組合せから選択される。
幾つかの実装形態では、プレアモルファス化処理プロセスのドーピング/注入プロセスは、イオン330を金属含有層310内のある深さまで注入して、第1の特徴部320の底面328下に延在するドープされた領域332を形成する、ドーピング/注入プロセスを含む。イオン330は、イオンのタイプ及びサイズ、並びにイオン330にエネルギーを与えるために利用される電力及びバイアスに応じて、さまざまな深さまで金属含有層310に浸透する。イオン330の種は、ドープされた領域332のエッチング選択性を高めるように調整することができる。理論に拘束されるものではないが、ドープされた領域332内では、動作220で注入されたイオンが金属格子構造内に損傷した原子結合を生成し、ドープされた領域332によって画成された材料がドープされた領域332に沿って分離されやすくなると考えられる。一例では、ドープされた領域332は、第1の特徴部320の底面328の下方約100Åなど、約10Åから約2,000Å形成されうる。
動作220中、幾つかの処理パラメータを制御することができる。イオン投与量及び注入エネルギーの選択は、利用されるドーパントのタイプ、金属含有層310として利用される材料のタイプ、及び金属含有層310の所望の改質に依存しうる。動作220中の基板温度は、摂氏約5度から摂氏約80度、例えば摂氏約40度から摂氏約50度に制御することができる。動作220中の全体的なチャンバ圧力は、約1mTorrから約50mTorr、例えば、約10mTorrから約30mTorr;又は、約10mTorrから約約15mTorrでありうる。
動作220の任意選択的なプレアモルファス化処理は、方法200の他の動作とは異なるチャンバ内で実施することができる。例えば、基板300は、イオン注入チャンバなど、プラズマ処理チャンバ100とは異なるチャンバ内に配置される。
方法200は、動作230へと続き、ここで基板300は、吸着及び/又は化学吸着によって基板の表面を改質するための改質プロセスに曝露される。基板300は、図1に示されるプラズマ処理チャンバ100内の基板支持ペデスタル135などの基板支持ペデスタル上に位置づけることができる。改質プロセスは、金属含有層310をハロゲン化物及び酸素含有化学物質と接触させることを含みうる。ハロゲン化物及び酸素含有化学物質は、ガス、プラズマ、又は反応核種の形態をとることができる。改質プロセスは、金属含有層310を、該金属含有層への吸着又は化学吸着によって金属含有層の表面に接着するハロゲン化物及び酸素含有ガス又はガス混合物と接触させることを含みうる。改質プロセスは、金属含有層310をハロゲン化物及び酸素含有プラズマの放出物と接触させることを含みうる。酸素含有ガス、ハロゲン含有ガス、又はそれらの混合物を処理領域内へと流して、インシトゥでプラズマを形成するか、又は遠隔プラズマ領域内へと流してプラズマ放出物を生成することができる。プラズマ放出物は、基板300の第1の特徴部320の露出面と相互作用するために、処理領域内へと流すことができる。例えば、図3Cに示されるように、プラズマ放出物は、側壁326a、326b、及び底面328上に薄い反応性表面層340を形成する。本明細書の文脈において、「反応(reacting又はreaction)」とは、物質が分解するか、他の物質と結合するか、又は構成要素を他の物質と交換する、変化又は変換を指す。したがって、「化学吸着(chemisorbing又はchemisorption)」とは、別の物質の表面に(物質を)取り込み、化学的に結合することを指す、特定のタイプの反応(reacting又はreaction)であることが認識されよう。
幾つかの実装形態では、動作230で実施される改質プロセスは、エネルギー源の存在下で基板300を改質ガス混合物に曝露することを含む。改質ガス混合物は、酸素含有ガス、ハロゲン含有ガス、及び任意選択的に不活性ガスを含む。酸素含有ガスは、O2、H2O、H2O2、O3、N2O、NO2、又はそれらの組合せから選択することができる。一例では、酸素含有ガスは、O2、O3、又はそれらの組合せから選択される。理論に拘束されるものではないが、酸素がルテニウムと反応して、エッチング副生成物を形成し、これが処理チャンバから容易に排出されうると考えられている。ハロゲン含有ガスは、ハロゲン、Cl2、HCl、HF、F2、Br2、HCl、HBr、SF6、NF3、又はそれらの組合せから選択することができる。一例では、ハロゲン含有ガスはCl2である。不活性ガスは、アルゴン、ヘリウム、キセノン、クリプトン、窒素、又はそれらの組合せを含みうる。一例では、酸素含有ガスはO2であり、ハロゲン含有ガスはCl2である。動作230は、除去又はエッチングされる金属含有層310の表面材料の改質が、基板300上に存在する他の表面材料よりも優先されるように実施される。理論に拘束されるものではないが、動作230は、改質されていない表面よりも容易に除去される厚さを有する薄い反応性表面層340を形成すると考えられる。例えば、金属層がルテニウムである一実装形態では、Cl2及びO2のプラズマ種が露出したルテニウム表面と共有結合を形成する(例えば、Ru→RuO2-RuO2Clx→RuO4+Cl2)。
幾つかの実装形態では、改質ガス混合物に基づくプラズマは、動作230中に生成されうる。改質ガス混合物をベースとしたプラズマから生成される種は、基板を収容する処理チャンバ内でプラズマを形成することによってインシトゥで生成することができ、又は遠隔プラズマ発生器などの基板を収容しない処理チャンバ内で遠隔的に生成し、基板を収容する処理チャンバに供給することができる。幾つかの実装形態では、プラズマは、誘導結合プラズマ又は容量結合プラズマ又はマイクロ波プラズマでありうる。誘導結合プラズマの電力は、約300Wなど、約50Wから約2000Wに設定することができる。電力は、基板の直接プラズマエッチングが生じないように十分に低いレベルに設定することができる。
幾つかの実装形態では、酸素及びハロゲン含有ガスから形成されたイオンに約500ワット未満の低RFバイアス電力を印加して、低エネルギーで基板に衝突させる。低RFバイアス電力は、基板の露出面上での改質ガス化学物質の化学吸着を可能にしつつ、改質ガス混合物による基板の表面の自然エッチングを低減させる。一例では、バイアスRF電力は、約10ワットから約500ワット、例えば、約10ワットから約200ワット、例えば約50ワットから100ワットで維持される。
一例では、動作230中、300mmの基板では、酸素含有ガスは、約10sccmから約200sccm、例えば約100sccmから約150sccmの速度で処理領域内へと流れうる。ハロゲン含有ガスは、約10sccmから約50sccm、例えば約30sccmから約50sccmの速度で処理領域内へと流れうる。ソースRF電力は、約0ボルトから約500ボルトのRF電圧において、約50ワットから約2,000ワット、例えば約200ワットから約300ワットで維持することができる。バイアスRF電力は、約0ボルトから約500ボルト、例えば、約50ボルトから約250ボルト、例えば200ボルト未満のRF電圧において、約10ワットから約500ワット、例えば約100ワットから約200ワットで維持することができる。動作230中の基板温度は、摂氏約5度から摂氏約80度、例えば摂氏約40度から摂氏約50度に制御することができる。動作230中の全体的なチャンバ圧力は、約1mTorrから約50mTorr、例えば、約10mTorrから約30mTorr;又は、約10mTorrから約20mTorrでありうる。
幾つかの実装形態では、動作230の改質プロセスの後にパージを実施することができる。パージ動作中、表面に結合していない酸素及び塩素種が処理チャンバから除去される。これは、化学吸着層を除去することなく、処理チャンバをパージ及び/又は排気して、吸着されていない改質化学物質を除去することによって行うことができる。塩素及び酸素をベースとしたプラズマで生成された種は、プラズマを停止し、残りの種を崩壊させ、任意選択的にチャンバのパージ及び/又は排気と組み合わせることにより、除去することができる。パージは、N2、Ar、Ne、He、又はそれらの組合せなどの任意の不活性ガスを使用して行うことができる。
方法200は動作240へと続き、ここで、基板300は、図3Dに示されるように、基板300の表面の改質された部分を選択的にエッチング又は除去するために、プラズマ又はイオン衝撃ガスなどの除去ガスに曝露される。除去ガス又はイオン衝撃ガスは、不活性ガスプラズマでありうる。不活性ガスは、アルゴン、ネオン、クリプトン、ヘリウム、又はそれらの組合せから選択される。一例では、不活性ガスはアルゴンである。一例では、不活性ガスプラズマは、基板300を含む処理領域内にプラズマを形成することによって、インサイチュで生成される。別の例では、不活性ガスプラズマは遠隔で生成され、基板を収容する処理チャンバに供給することができる。幾つかの実装形態では、プラズマは、誘導結合プラズマ又は容量結合プラズマ又はマイクロ波プラズマでありうる。
動作240は、第1の特徴部320の底面328などの水平面からの改質部分の除去が、第1の特徴部320の側壁326a、326bなどの垂直面からの改質部分の除去よりも優先されるように実施される。動作240中の幾つかの実装形態では、基板300をエッチングするために、基板300にイオンフラックス350を照射する。イオンフラックス350は、金属含有層310の改質された部分の除去を促進するための指向性エネルギー伝達を提供する。一例では、イオンフラックスは、第1の特徴部320の側壁326a、326bの露出が低減するように異方性である。イオンフラックス350は、図3Dに示されるように第1の特徴部320の底面328などの水平面に衝突し、図3Eに示されるように、第1の特徴部320を第2の底面352まで下方に延在する側壁326a、326bと比較して、第1の特徴部320の底面328から改質された部分を選択的に除去する。動作220が実施される幾つかの実装形態では、ドープされた領域332もまた、動作240中に選択的にエッチング又は除去することができる。
一例では、イオンフラックス350は、低周波RF源電力を使用して、前述の不活性ガスのいずれかから生成することができる。イオンフラックス350は、低いイオンエネルギーを有する、1つ以上のタイプの原子又は分子の不活性種でありうる。適切なイオン種の例としては、イオンフラックス350のエネルギーレベルを低下させるために非常に低いプラズマバイアスを提供することができるように低いイオン化ポテンシャルを有する、ヘリウムイオン、ネオンイオン、キセノンイオン、アルゴンイオン、又はそれらの組合せが挙げられる。一例では、不活性ガスはアルゴンであり、プラズマ活性化は処理領域でアルゴンイオンを生成し、これが基板300の改質された部分に衝撃を与え、方向性エッチングする。
動作240中、イオンを基板300の水平面の方に向けるために、基板300にもバイアスが印加される。バイアスは、約50ワットから約1500ワット、例えば、約50ワットから約250ワット;又は、約50ワットから約100ワットの電力を使用して生成することができる。
一例では、動作240中、300mmの基板では、アルゴンガスは、約10sccmから約400sccm、例えば、約100sccmから150sccmの速度でプラズマリアクタ内へと流れうる。ソースRF電力は、約0ボルトから約500ボルトのRF電圧において、約50ワットから約200ワット、例えば約100ワットから約150ワットで維持することができる。バイアスRF電力は、約0ボルトから約500ボルト、例えば約50ボルト及び約250ボルト、例えば200ボルト未満のRF電圧において、約50ワットから約300ワット、例えば約100ワットから約150ワットで維持することができる。動作240中の基板温度は、摂氏約5度から摂氏約80度、例えば摂氏約40度から摂氏約50度に制御することができる。動作240中の全体的なチャンバ圧力は、約1mTorrから約50mTorr、例えば、約10mTorrから約30mTorr;又は、約10mTorrから約20mTorrでありうる。
理論に拘束されるものではないが、金属含有層310にイオンフラックスを衝突させることにより、アルゴンを使用して指向性エネルギー移動が生じ、改質された部分の「エッチング」又は除去が促進されると考えられる。動作240のエッチングは、除去される部分が金属膜内の分子成分の寸法程度であることから、原子層エッチング又は分子レベルエッチング(MLE)とみなすことができる。
幾つかの実装形態では、動作240の選択的エッチングの後にパージを実施することができる。パージ動作中、処理チャンバからプラズマ種が除去される。これは、処理チャンバをパージ及び/又は排気して、残留プラズマ種及びエッチング副生成物を除去することによって行うことができる。生成されたプラズマ種は、プラズマを停止し、残りの種を崩壊させることによって除去することができ、任意選択的にチャンバのパージ及び/又は排気と組み合わせることができる。パージは、N2、Ar、Ne、He、又はそれらの組合せなどの任意の不活性ガスを使用して行うことができる。
幾つかの実装形態では、動作220から240は、金属層の目標エッチング深さを達成するために、注入、その後の改質、及びその後の金属層のエッチングのサイクルで繰り返し実行又は循環されてもよい。幾つかの実装形態では、動作230及び240は、金属含有層310の目標エッチング深さを達成するために、改質、及びその後の金属層のエッチングのサイクルで繰り返し実行又は循環されてもよい。一例では、基板300の上面370が図3Gに示されるように露出されるまで、動作220、230、及び240のうちの少なくとも1つが繰り返される。
動作250では、基板300がパッシベーションガスとエッチャントガスとを含むエッチャントガス混合物に曝露されて、選択的にパッシベーションされ、金属含有層310から追加の金属がエッチングされる、任意選択的なパッシベーション及びエッチングプロセスが実施される。動作250は、側壁326a、326bがパッシベーションされ、一方、第1の特徴部320の第2の底面352から追加の金属が除去されて、滑らかな側壁エッチングプロファイルを維持しつつ、側壁372a、372b(集合的に372)を有する第2の特徴部371が形成されるように行われる。図3Fに示されるように、第2の特徴部の側壁372a、372bは、第1の特徴部320の側壁326a、326bと実質的に位置合わせされる。パッシベーションガスは、主に、側壁パッシベーション機能を果たし、金属含有層310のエッチングプロファイルのアンダーカット及び反りを低減する。パッシベーションガスは、窒素(N2)、二酸化硫黄(SO2)、又はそれらの組合せから選択される。エッチャントガスは酸素(O2)及び塩素(Cl2)を含む。エッチャントガスは、不活性ガスをさらに含むことができる。不活性ガスは、アルゴン、ネオン、クリプトン、ヘリウム、又はそれらの組合せから選択される。一実装形態では、エッチャントガス混合物は、O2、Cl2、N2、及びArを含む。一例では、エッチャントガス混合物は、50-200sccmのO2、10-100sccmのCl2、5-100sccmのN2、及び100-300sccmのアルゴンを含むか、本質的にそれらからなるか、又はそれらからなる。ここで用いられる場合、「本質的に~からなる」という用語は、エッチングガス混合物の列挙された成分が、総エッチャントガス混合物の約95%、98%、又は99%以上であることを意味する。別の実装形態では、エッチャントガス混合物は、O2、Cl2、SO2、及びArを含む。一例では、エッチャントガス混合物は、50-200sccmのO2、10-100sccmのCl2、10-30sccmのSO2、及び100-300sccmのアルゴンを含むか、本質的にそれらからなるか、又はそれらからなる。
プラズマは、エッチャントガス混合物から形成される。一例では、エッチャントプラズマは、基板300を含む処理領域内にプラズマを形成することによってインサイチュで生成される。別の例では、エッチャントガスプラズマは遠隔で生成され、基板300を含むプロセス処理領域に供給することができる。幾つかの実装形態では、プラズマは、誘導結合プラズマ、容量結合プラズマ、又はマイクロ波プラズマでありうる。
パッシベーションガスのプラズマ放出物は、第1の側壁326a及び第2の側壁326b(集合的に326)の露出面をパッシベーション層360へと変換する。パッシベーション層360の形成は、第1の側壁326a及び第2の側壁326bの側壁プロファイルを損なうことなく、基板のエッチングを可能にする。パッシベーション層360は、該パッシベーション層360が金属含有層310の一部の変換の結果であるという点で堆積材料とは区別される。したがって、パッシベーション層360は、単に金属含有層310の側壁326a、326b上に堆積されるのではなく、側壁326a、326bの表面層が反応で消費されて、パッシベーション層360を形成する。パッシベーション層360は金属含有層310の層から変換されるため、実装形態では、動作250は、第1の特徴部320の側壁326a、326bに沿って、金属含有層310の一部を変換する。したがって、金属含有層310の薄い表面層のみがパッシベーション層360へと変換され、パッシベーション層の厚さを制限し、それによって、第2の特徴部371が後でエッチングされるときに、第1の特徴部320の側壁326a、326bとその後に形成される第2の特徴部371の側壁372a、372b(集合的に372)との間の段差の形成が回避される。第2の特徴部の側壁372a、372bは、第1の特徴部320の側壁326a、326bと実質的に位置合わせされる。一例では、第1の側壁326a及び第2の側壁326b上の金属含有層310の表面層の約3Åから約15Åが、パッシベーション層360へと変換される。別の例では、パッシベーション層360は50Å未満である。さらに別の例では、パッシベーション層360は、基板の自然酸化物の厚さ以下の厚さを有する。さらに別の例では、金属含有層310がルテニウムの場合、パッシベーション層360は約10Åから約20Åである。
パッシベーション層360は、金属含有層310の酸化物又は窒化物でありうる。一実装形態では、パッシベーション酸化物は、酸化プラズマで第1の特徴部320を等方的に酸化することによって形成することができる。弱酸化プラズマは、適切な厚さのパッシベーション層を形成する。一実装形態では、弱酸化プラズマは、低分圧の二酸化硫黄(SO2)ガス又は低分圧の酸素(O2)ガスを含みうる。一例では、酸化プラズマは、100sccm未満のO2又はSO2、例えば、約10sccmから約30sccmのO2を含む。別の実装形態では、第1の側壁326a及び第2の側壁326b上の基板300の金属含有層310の表面を金属含有層310の窒化物へと変換するために、窒素(N2)などの窒素源が処理領域に供給される。一例では、窒化プラズマは、100sccm未満のN2、例えば、約10sccmから約30sccmのN2を含む。
幾つかの実装形態では、動作250中の処理圧力は低く、金属含有層310のアンダーカット及び反りを低減する。幾つかの実装形態では、処理圧力は50mTorr以下(例えば、約10mTorrから約50mTorr)である。幾つかの実装形態では、処理圧力は40mTorr以下(例えば、約10mTorrから約40mTorr)である。幾つかの実装形態では、処理圧力は30mTorr以下(例えば、約10mTorrから約30mTorr)である。幾つかの実装形態では、処理圧力は20mTorr以下(例えば、約10mTorrから約20mTorr)である。一例では、50-200sccmのO2、10-100sccmのCl2、10-100sccmのN2、及び100-300sccmのアルゴンを含むエッチャントガス混合物のプラズマは、20mTorr以下の圧力で維持される。別のこのような例では、50-200sccmのO2、10-100sccmのCl2、10-100sccmのSO2、及び100-300sccmのアルゴンを含むエッチャントガス混合物のプラズマは、20mTorr以下の圧力で維持される。
さらなる実装形態では、基板は、動作250中、摂氏約5度から摂氏約80度、より具体的には摂氏約20度から摂氏約50度の温度で維持される。これらの低い処理温度は、金属含有層310のエッチングプロファイルを大幅に改善する(例えば、反りを減らす)ことが分かっている。幾つかの実装形態では、基板は摂氏約30度から摂氏40度の温度で維持される。幾つかの実装形態では、基板は摂氏約40度から摂氏50度の温度で維持される。一例では、50-200sccmのO2、10-100sccmのCl2、10-100sccmのN2、及び100-300sccmのアルゴンを含むエッチャントガス混合物のプラズマは、動作250中、基板が摂氏約30度から摂氏約40度である間、20mTorr以下の圧力で維持される。別の例では、50-200sccmのO2、10-100sccmのCl2、10-100sccmのN2、及び100-300sccmのアルゴンを含むエッチャントガス混合物のプラズマは、動作250中、基板が摂氏約30度から摂氏約40度である間、20mTorr以下の圧力で維持される。
幾つかの実装形態では、2MHZ、60MHz、又は162MHzで動作する少なくとも1つのRF発生器は、動作250中、金属含有層310のエッチングの間、エッチングガス混合物をプラズマへと励起する。RFエネルギーは、CW(連続波)であるか、又は10-100KHzのパルス周波数でパルス化されたものでありうる。2つ以上のRFエネルギー源(発生器)を使用する実装形態では、1つのRF発生器がパルス化(単一)されるか、又は複数のRF発生器がパルス化(同期)されてもよい。2MHz及び60MHzの下部(バイアス)電源と162MHzの上部(ソース)電源の両方を含む一実装形態では、2MHzの発生器は、CW、単一パルスモード、又は同期パルスモードで0-1,000ワットを出力するように動作させることができ、一方、60MHzの発生器は、CW、単一パルス、又は同期パルスモードで0-3,000ワットを出力するように動作する。さらなる実装形態では、2MHz及び60MHzの両方が0ワットを超える電力を出力する。さらなる実装形態では、162MHzのソース電力は、CW、単一パルスモード、又は同期パルスモードで、0-2500ワットで動作する。
幾つかの実装形態では、ソースRF電力は、約0ボルトから約500ボルトのRF電圧において、約1000ワットから約3000ワット、例えば約1500ワットから約2000ワットで維持することができる。バイアスRF電力は、約0ボルトから約500ボルト、例えば約50ボルト及び約250ボルト、例えば200ボルト未満のRF電圧において、約50ワットから約300ワット、例えば約100ワットから約150ワットで維持することができる。
幾つかの実装形態では、動作250のエッチング後に、パージを実施することができる。パージ動作中、プラズマ種が処理チャンバから除去される。これは、処理チャンバをパージ及び/又は排気して、残留プラズマ種及びエッチング副生成物を除去することによって行うことができる。生成されたプラズマ種は、プラズマを停止し、残りの種を崩壊させることによって除去することができ、任意選択的にチャンバのパージ及び/又は排気と組み合わせることができる。パージは、N2、Ar、Ne、He、又はそれらの組合せなどの任意の不活性ガスを使用して行うことができる。
幾つかの実装形態では、動作220から250は、金属層の目標エッチング深さを達成するために、注入、その後の改質、その後の金属層の選択的エッチング、並びにその後のパッシベーション及びエッチングのサイクルで繰り返し実行又は循環されてもよい。幾つかの実装形態では、動作230、240、及び250は、金属含有層310の目標エッチング深さを達成するために、改質、及びその後の金属層のエッチングのサイクルで繰り返し実行又は循環されてもよい。一例では、基板300の上面370が図3Gに示されるように露出されるまで、動作220、230、及び240のうちの少なくとも1つが繰り返される。
図4は、本明細書に開示される態様による基板に特徴部をエッチングする別の方法400のフローチャートを示している。図5A-5Cは、本明細書に開示される態様によるエッチングプロセスのさまざまな段階を示している。方法400及び図5A-5Cは、金属含有層内の高アスペクト比の特徴部をエッチングする文脈で説明されているが、方法400は、他のタイプの基板内の他の特徴部をエッチングするために使用することができるものと理解されたい。概して、方法400は、DRAM、フラッシュメモリ、及びロジックデバイスのHARコンタクトマスク開口プロセス、並びにHAR線/空間パターン(例えば、ゲートライン、ビット線、相互接続線のエッチング用)に適用可能である。例えば、DRAM用途では、ビット線を形成するために線/空間エッチングされる。
方法400は、図1に示されるプラズマ処理チャンバ100などのチャンバに基板をロードすることによる動作410から開始する。基板は基板300でありうる。一例では、基板300は、該基板300の温度を制御するように動作可能な基板支持ペデスタル135などの基板支持ペデスタル上に位置づけられる。基板300については上述している。
図5Aに示される実装形態では、金属含有層310はブランケット層であり、ハードマスク層312は、貫通して形成された開口部又は開孔314を有するパターン化されたハードマスクである。ハードマスク層312の堆積に続いて、該ハードマスク層312をパターン化し、開孔314を形成するために、一般に知られているフォトリソグラフィ及びエッチングプロセスを使用することができる。次いで、方法400を進めるために、基板300を処理領域に提供することができる。
図5Bに示される幾つかの実装形態では、金属含有層310は、少なくとも、その中に形成された、又は部分的に形成された第1の凹部520を有しうる。一実装形態では、金属含有層310は、プラズマエッチングプロセスに曝露されて第1の凹部520を形成する。プラズマエッチングプロセスは、本明細書に記載されるプラズマエッチングプロセスのいずれかなど、任意の好適なプラズマエッチングプロセスでありうる。第1の凹部520は、金属含有層310の上面322から金属含有層310の底面324に向かって特徴部の深さに延在しうる。第1の凹部520は、パターン化されたハードマスク層312と位置合わせされた第1の側壁526a及び第2の側壁526b(集合的に526)によって画成される幅を有する。第1の凹部520は、金属含有層310の上面322から第1の凹部520の底面528まで特徴部の深さに延在しうる。
任意選択的に、方法400は動作420へと続き、ここで基板300は、吸着及び/又は化学吸着によって基板の表面を改質するための改質プロセスに曝露される。動作420は、本明細書に記載される動作230と同様に実施することができる。改質は、金属含有層310を、ハロゲン化物及び酸素含有プラズマの放出物と接触させることを含みうる。酸素含有ガス、ハロゲン含有ガス、又はそれらの混合物を処理領域内へと流して、インシトゥでプラズマを形成するか、又は遠隔プラズマ領域内へと流してプラズマ放出物を生成することができる。プラズマ放出物を処理領域内へと流して、基板300の第1の凹部520の露出面と相互作用させることができる。例えば、図5Bに示されるように、プラズマ放出物は、側壁526a、526b、及び底面528上に薄い反応性表面層540を形成する。
幾つかの実装形態では、動作420の改質プロセスの後にパージを実施することができる。パージ動作中、表面に結合していない酸素及び塩素種が処理チャンバから除去される。これは、化学吸着層を除去することなく、処理チャンバをパージ及び/又は排気して、吸着されていない改質化学物質を除去することによって行うことができる。塩素及び酸素をベースとしたプラズマで生成された種は、プラズマを停止し、残りの種を崩壊させ、任意選択的にチャンバのパージ及び/又は排気と組み合わせることにより、除去することができる。パージは、N2、Ar、Ne、He、又はそれらの組合せなどの任意の不活性ガスを使用して行うことができる。
該方法は動作430に続く。動作430では、基板300がパッシベーションガスとエッチャントガスとを含むエッチャントガス混合物に曝露されて、選択的にパッシベーションされ、金属含有層310から追加の金属がエッチングされ、第1の凹部520が深くなる、パッシベーション及びエッチングプロセスが実施される。動作430は、本明細書に記載される動作250と同様に実施することができる。動作430は、側壁526a、526bがパッシベーションされ、一方、底面528から追加の金属が除去されて、滑らかな側壁エッチングプロファイルを維持しつつ、側壁572a、572bを有する第2の特徴部571が形成されるように行われる。図5Cに示されるように、第2の特徴部の側壁572a、572bは、第1の特徴部320の側壁326a、326bと実質的に位置合わせされる。
幾つかの実装形態では、動作430のエッチング後にパージを実施することができる。パージ動作中、プラズマ種が処理チャンバから除去される。これは、処理チャンバをパージ及び/又は排気して、残留プラズマ種及びエッチング副生成物を除去することによって行うことができる。生成されたプラズマ種は、プラズマを停止し、残りの種を崩壊させることによって除去することができ、任意選択的にチャンバのパージ及び/又は排気と組み合わせることができる。パージは、N2、Ar、Ne、He、又はそれらの組合せなどの任意の不活性ガスを使用して行うことができる。
幾つかの実装形態では、動作420及び430は、金属含有層の目標エッチング深さを達成するために、改質と、その後のパッシベーション及びエッチングのサイクルで繰り返し実行又は循環されてもよい。基板300の上面570が図5Dに示されるように露出されるまで、一例では、動作420及び430のうちの少なくとも一方が繰り返される。
図6は、本明細書に開示される態様による基板に特徴部をエッチングする別の方法600のフローチャートを示している。図7A-7Eは、本明細書に開示される態様によるエッチングプロセスのさまざまな段階を示している。方法600及び図7A-7Eは、金属含有層内の高アスペクト比の特徴部をエッチングする文脈で説明されているが、方法600は、他のタイプの基板内の他の特徴部をエッチングするために使用することができるものと理解されたい。概して、方法600は、DRAM、フラッシュメモリ、及びロジックデバイスのHARコンタクトマスク開口プロセス、並びにHAR線/空間パターン(例えば、ゲートライン、ビット線、相互接続線のエッチング用)に適用可能である。例えば、DRAM用途では、ビット線を形成するために線/空間エッチングされる。
方法600は、上述のように基板を提供することによる動作610から開始する。基板は、上述の基板300でありうる。図7Aに示される実装形態では、金属含有層310はブランケット層であり、ハードマスク層312は、貫通して形成された開口部又は開孔314を有するパターン化されたハードマスクである。幾つかの実装形態では、図7Bに示されるように、金属含有層310は、少なくとも、その中に形成された、又は部分的に形成された第1の凹部720を有することができる。
動作620では、金属含有層310の露出面を改質するために、任意選択的なプレアモルファス化処理プロセスが実施される。プレアモルファス化処理は、動作220と同様に行うことができる。
動作620のプレアモルファス化処理プロセスが実施されない実装形態では、以下により詳細に説明する動作630のパッシベーション処理は、プレアモルファス化処理なしに、金属含有層310上に直接実施することができる。
動作630では、金属含有層310の露出面をパッシベーションするために、基板300がパッシベーションガスに曝露されるパッシベーション処理が実施される。動作630は、側壁726a、726bがパッシベーション層760でパッシベーションされるように実施される。パッシベーションガスは、窒素(N2)、二酸化硫黄(SO2)、又はそれらの組合せから選択される。一例では、パッシベーションガス混合物は、5-100sccmのN2を含むか、本質的にそれからなるか、又はそれからなる。ここで用いられる場合、「本質的に~からなる」という用語は、パッシベーションガス混合物の列挙された成分が、総パッシベーションガス混合物の約95%、98%、又は99%以上であることを意味する。別の実装形態では、パッシベーションガス混合物はSO2を含む。一例では、パッシベーションガス混合物は、10-30sccmのSO2を含むか、本質的にそれからなるか、又はそれからなる。
プラズマはパッシベーションガス混合物から形成される。一例では、パッシベーションガスプラズマは、基板300を含む処理領域内にプラズマを形成することによって、インサイチュで生成される。別の例では、パッシベーションガスプラズマは遠隔で生成され、基板300を含む処理領域に供給することができる。幾つかの実装形態では、プラズマは、誘導結合プラズマ、容量結合プラズマ、又はマイクロ波プラズマでありうる。
パッシベーションガスのプラズマ放出物は、第1の側壁726a及び第2の側壁726bの露出面をパッシベーション層760へと変換する。パッシベーション層760の形成は、第1の側壁726a及び第2の側壁726bの側壁プロファイルを損なうことなく、基板のエッチングを可能にする。パッシベーション層760は、該パッシベーション層760が金属含有層310の一部の変換の結果であるという点で堆積材料とは区別される。したがって、パッシベーション層760は、単に金属含有層310の側壁726a、726b上に堆積されるのではなく、側壁726a、726bの表面層が反応で消費されて、パッシベーション層760を形成する。パッシベーション層760は金属含有層310の層から変換されるため、実装形態では、動作630は、第1の凹部720の側壁726a、726bに沿って、金属含有層310の一部を変換する。したがって、金属含有層310の薄い表面層のみがパッシベーション層760へと変換され、パッシベーション層の厚さを制限し、それによって、第2の凹部771が図7Eに示されるように後でエッチングされるときに、第1の凹部720の側壁726a、726bとその後に形成される第2の凹部771の側壁772a、772b(集合的に772)との間の段差の形成が回避される。図7Eに示されるように、第2の特徴部の側壁772a、772bは、第1の凹部720の側壁726a、726b(集合的に726)と実質的に位置合わせされる。一例では、第1の側壁726a及び第2の側壁726b上の金属含有層310の表面層の約3Åから約15Åが、パッシベーション層760へと変換される。別の例では、パッシベーション層760は50Å未満である。さらに別の例では、パッシベーション層760は、基板の自然酸化物の厚さ以下の厚さを有する。さらに別の例では、金属含有層310がルテニウムの場合、パッシベーション層760は、約10Åから約20Åの厚さを有する。
パッシベーション層760は、金属含有層310の酸化物又は窒化物でありうる。一実装形態では、パッシベーション酸化物は、酸化プラズマで第1の凹部720を等方的に酸化することによって形成することができる。弱酸化プラズマは、適切な厚さのパッシベーション層を形成する。一実装形態では、弱酸化プラズマは、低分圧の二酸化硫黄(SO2)ガス又は低分圧の酸素(O2)ガスを含みうる。一例では、酸化プラズマは、100sccm未満のO2又はSO2、例えば、約10sccmから約30sccmのO2を含む。別の実装形態では、第1の側壁326a及び第2の側壁326b上の基板300の金属含有層310の表面を金属含有層310の窒化物へと変換するために、窒素(N2)などの窒素源が処理領域に供給される。一例では、窒化プラズマは、100sccm未満のN2、例えば、約10sccmから約30sccmのN2を含む。
幾つかの実装形態では、動作630中の処理圧力は低く、金属含有層310のアンダーカット及び反りを低減する。幾つかの実装形態では、処理圧力は50mTorr以下(例えば、約10mTorrから約50mTorr)である。幾つかの実装形態では、処理圧力は40mTorr以下(例えば、約10mTorrから約40mTorr)である。幾つかの実装形態では、処理圧力は30mTorr以下(例えば、約10mTorrから約30mTorr)である。幾つかの実装形態では、処理圧力は20mTorr以下(例えば、約10mTorrから約20mTorr)である。一例では、50-200sccmのN2を含むパッシベーションガスのプラズマが、10mTorr以下の圧力で維持される。別のこのような例では、10-100sccmのSO2を含むパッシベーションガス混合物のプラズマが、10mTorr以下の圧力で維持される。
さらなる実装形態では、基板は、動作630中、摂氏約5度から摂氏約80度、より具体的には摂氏約20度から摂氏約50度の温度で維持される。これらの低い処理温度は、金属含有層310のエッチングプロファイルを大幅に改善する(例えば、反りを減らす)ことが分かっている。幾つかの実装形態では、基板は摂氏約30度から摂氏40度の温度で維持される。幾つかの実装形態では、基板は摂氏約40度から摂氏50度の温度で維持される。一例では、10-100sccmのN2を含むパッシベーションガス混合物のプラズマは、動作630中、基板が摂氏約30度から摂氏約40度である間、10mTorr以下の圧力で維持される。別の例では、10-100sccmのN2を含むパッシベーションガス混合物のプラズマは、動作630中、基板が摂氏約30度から摂氏約40度である間、10mTorr以下の圧力で維持される。
幾つかの実装形態では、2MHZ、60MHz、又は162MHzで動作する少なくとも1つのRF発生器は、動作630中、金属含有層310のパッシベーションの間、パッシベーションガス混合物をプラズマへと励起する。RFエネルギーは、CW(連続波)であるか、又は10-100KHzのパルス周波数でパルス化されたものでありうる。2つ以上のRFエネルギー源(発生器)を使用する実装形態では、1つのRF発生器がパルス化(単一)されるか、又は複数のRF発生器がパルス化(同期)されてもよい。2MHzの発生器を含む一実装形態では、CW、単一パルスモード、又は同期パルスモーで0-1,000ワット(例えば、150ワット)を出力するように動作しうる。
幾つかの実装形態では、動作630のパッシベーション処理の後にパージを実施することができる。パージ動作中、プラズマ種が処理チャンバから除去される。これは、処理チャンバをパージ及び/又は排気して、残留プラズマ種を除去することによって行うことができる。生成されたプラズマ種は、プラズマを停止し、窒素ガスの流れを継続することによって除去することができる。
方法600は、動作640へと続き、ここで基板300は、吸着及び/又は化学吸着によって基板の表面を改質するための改質プロセスに曝露される。改質プロセスは、金属含有層310をハロゲン化物及び酸素含有化学物質と接触させることを含みうる。ハロゲン化物及び酸素含有化学物質は、ガス、プラズマ、又は反応核種の形態をとることができる。改質プロセスは、金属含有層310を、該金属含有層への吸着又は化学吸着によって金属含有層の表面に接着するハロゲン化物及び酸素含有ガス又はガス混合物と接触させることを含みうる。改質プロセスは、金属含有層310をハロゲン化物及び酸素含有プラズマの放出物と接触させることを含みうる。酸素含有ガス、ハロゲン含有ガス、又はそれらの混合物を処理領域内へと流して、インシトゥでプラズマを形成するか、又は遠隔プラズマ領域内へと流してプラズマ放出物を生成することができる。プラズマ放出物を処理領域内へと流して、基板300の第1の凹部720の露出面と相互作用させることができる。例えば、図7Cに示されるように、プラズマ放出物は、側壁726a、726b、及び底面728上に薄い反応性表面層740を形成する。動作640の改質プロセスは、動作230の改質プロセスと同様に実施することができる。
幾つかの実装形態では、動作640の改質プロセスの後にパージを実施することができる。パージ動作中、表面に結合していない酸素及び塩素種が処理チャンバから除去される。これは、化学吸着層を除去することなく、処理チャンバをパージ及び/又は排気して、吸着されていない改質化学物質を除去することによって行うことができる。塩素及び酸素をベースとしたプラズマで生成された種は、プラズマを停止し、残りの種を崩壊させ、任意選択的にチャンバのパージ及び/又は排気と組み合わせることにより、除去することができる。パージは、N2、Ar、Ne、He、又はそれらの組合せなどの任意の不活性ガスを使用して行うことができる。
方法600は動作650へと続き、ここで、基板300は、図7Dに示されるように、基板300の表面の改質された部分を選択的にエッチング又は除去するために、プラズマ又はイオン衝撃ガスなどの除去ガスに曝露される。除去ガス又はイオン衝撃ガスは、不活性ガスプラズマでありうる。不活性ガスは、アルゴン、ネオン、クリプトン、ヘリウム、又はそれらの組合せから選択される。一例では、不活性ガスはアルゴンである。一例では、不活性ガスプラズマは、基板300を含む処理領域内にプラズマを形成することによって、インサイチュで生成される。別の例では、不活性ガスプラズマは遠隔で生成され、基板を収容する処理チャンバに供給することができる。幾つかの実装形態では、プラズマは、誘導結合プラズマ又は容量結合プラズマ又はマイクロ波プラズマでありうる。
動作650は、第1の凹部720の底面728などの水平面からの改質部分の除去が、第1の凹部720の側壁726a、726bなどの垂直面からの改質部分の除去よりも優先されるように実施される。動作650中の幾つかの実装形態では、基板300をエッチングするために、基板300にイオンフラックス750を照射する。イオンフラックス750は、金属含有層310の改質された部分の除去を促進するための指向性エネルギー伝達を提供する。一例では、イオンフラックス750は、第1の凹部720のパッシベーションされた側壁726a、726bの露出が低減するように、異方性である。イオンフラックス750は、図7Dに示されるように第1の凹部720の底面728などの水平面に衝突し、図7Eに示されるように、第1の凹部720を第2の底面752まで下方に延在する側壁726a、726bに対して、第1の凹部720の底面728から改質された部分を選択的に除去する。第2の底面752は、側壁772a、772bとともに第2の凹部771を画成する。
幾つかの実装形態では、動作630から650は、金属層の目標エッチング深さを達成するために、パッシベーション、その後の改質、及びその後の金属層のエッチングのサイクルで繰り返し実行又は循環されてもよい。一例では、動作630、640、及び650は、基板300の上面が露出するまで繰り返される。一例では、動作630、640、及び650は、20から30回繰り返される。
実装形態は、次の潜在的な利点の1つ以上を含みうる。本開示の1つ以上の実装形態は、ノードを縮小する必要があるにもかかわらず、抵抗率の減少の問題に有利に対処する。幾つかの実装形態では、形成されたビット線の抵抗率は、ビット線金属の表面粗さを低減することによって低減する。本開示の幾つかの実装形態は、改善された粗さ、制御された異方性エッチング、ハードマスク材料に対する改善された選択性、及び改善されたウエハ間及びウエハ内の均一性のうちの1つ以上を有利に提供する。さらに、表面粗さが減少することから、ビット線金属材料の選択は、金属の粒子成長特性によって制限されない。
本明細書に記載される実装形態及び機能的動作のすべては、デジタル電子回路として、又は、本明細書に開示された構造的手段及びその構造的等価物を含むコンピュータソフトウェア、ファームウェア、若しくはハードウェアとして、又はこれらの組合せとして実装することができる。本明細書に記載される実装形態は、1つ以上の非一時的コンピュータプログラム製品として、すなわちデータ処理装置(例えば、プログラム可能プロセッサ、コンピュータ、又は複数のプロセッサ若しくはコンピュータ)によって実行するための、又はデータ処理装置の動作を制御するための、機械可読記憶デバイス内で有形に具現化された1つ以上のコンピュータプログラムとして、実装することができる。
本明細書に記載される処理及び論理の流れは、1つ以上のコンピュータプログラムを実行して、入力データに対して動作し出力を生成することによって諸機能を実施する1つ以上のプログラム可能プロセッサによって実施することができる。プロセス及び論理の流れはまた、例えば、FPGA(フィールドプログラマブルゲートアレイ)又はASIC(特定用途向け集積回路)によって実行可能であり、また、装置も、FPGA又はASICとして実装可能である。
「データ処理装置」という用語は、プログラム可能なプロセッサ、コンピュータ、又は複数のプロセッサもしくはコンピュータを例として含む、データを処理するためのすべての装置、デバイス、及び機械を包含する。該装置は、ハードウェアに加えて、例えば、プロセッサファームウェア、プロトコルスタック、データベース管理システム、オペレーティングシステム、又はこれらの1つ以上の組合せを構成するコードなど、対象のコンピュータプログラムの実行環境を作り出すコードを含みうる。コンピュータプログラムの実行に適しているプロセッサには、例として、汎用及び専用の両方のマイクロプロセッサ、並びに任意の種類のデジタルコンピュータの任意の1つ以上のプロセッサが含まれる。
コンピュータプログラム命令及びデータを保存するのに適したコンピュータ可読媒体には、すべての形態の不揮発性メモリ、例えば、EPROM、EEPROM、及びフラッシュメモリデバイスなどの半導体メモリデバイスを例として含む、メディア及びメモリデバイス;例えば、内蔵ハードディスク又はリムーバブルディスクなどの磁気ディスク;光磁気ディスク;並びに、CD-ROM及びDVD-ROMディスクが含まれる。プロセッサ及びメモリは、専用ロジック回路で補完するか、又は専用ロジック回路に組み込むことができる。
本開示の要素又は本開示の実装形態の例示的態様を紹介する際の冠詞「a」、「an」、「the」及び「said」は、要素が1つ以上存在することを意味することを意図している。
「備える」、「含む」、及び「有する」という用語は、包含的であることを意図しており、列挙された要素以外にも追加的な要素が存在しうることを意味する。
以上の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく、本開示の他の実施形態及びさらなる実施形態が考案されてよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
Claims (20)
- 基板をパターニングする方法であって、
処理チャンバの処理領域に位置づけられた基板上に形成された金属含有層の表面を、塩素含有ガス前駆体及び酸素含有ガス前駆体に曝露させて、前記金属含有層の改質された表面を形成することにより、前記金属含有層の前記表面を改質すること;
前記基板を保持する基板支持体にバイアス電圧を印加することによって、不活性ガス前駆体のプラズマ放出物を前記金属含有層の前記改質された表面に誘導すること;及び
前記金属含有層の前記改質された表面を前記不活性ガス前駆体の前記プラズマ放出物で異方性エッチングして、前記金属含有層内に第1の側壁を有する第1の凹部を形成することであって、前記不活性ガス前駆体の前記プラズマ放出物が、前記金属含有層の前記改質された表面を改質されていない部分と比較して選択的にエッチングする、形成すること
を含む、方法。 - 前記不活性ガス前駆体がアルゴンである、請求項1に記載の方法。
- 前記金属含有層がルテニウムを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記金属含有層の前記改質された表面を異方性エッチングすることにより、ビット線金属含有層を含む特徴部が形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記塩素含有ガス前駆体が約10sccmから約50sccmの流量で前記処理領域内へと流れ、前記酸素含有ガス前駆体が約100sccmから約150sccmの流量で前記処理領域内へと流れる、請求項1に記載の方法。
- 前記金属含有層の前記表面を改質し、前記金属含有層の前記改質された表面を異方性エッチングする間、前記処理領域内の圧力が約20mTorr以下に維持される、請求項1に記載の方法。
- 前記不活性ガス前駆体の前記プラズマ放出物を前記金属含有層の前記改質された表面に誘導する前記バイアス電圧が、約150ワット以下である、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも1回の追加のサイクルで前記方法を繰り返すことをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記処理チャンバの温度が摂氏約50度以下に維持される、請求項1に記載の方法。
- 前記金属含有層の前記表面を改質することが、前記金属含有層の前記表面をエッチングすることなく行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記金属含有層の前記表面を改質する前に前記金属含有層の前記表面に不活性ガスイオンを注入すること
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第1の凹部をパッシベーションガスとエッチャントガスとを含むエッチャントガス混合物に曝露して、前記金属含有層から追加の金属を除去すること
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記エッチャントガス混合物のプラズマを形成すること;
前記パッシベーションガスのプラズマ放出物で、前記第1の凹部の前記第1の側壁をパッシベーションすること;及び
前記エッチャントガスのプラズマ放出物で前記第1の凹部を異方性エッチングして、前記第1の側壁と位置合わせされた前記金属含有層の第2の側壁を伴って前記第1の凹部を深めること
をさらに含む、請求項12に記載の方法。 - 前記パッシベーションガスが、窒素(N2)、二酸化硫黄(SO2)、又はそれらの組合せから選択される、請求項13に記載の方法。
- 前記エッチャントガスが、酸素(O2)及び塩素(Cl2)を含む、請求項14に記載の方法。
- 基板をパターニングする方法であって、
処理チャンバの処理領域に位置づけられた基板上に形成されたルテニウム含有層の表面を、N2及びSO2から選択されるパッシベーションガスとO2及びCl2を含むエッチャントガスとを含むエッチャントガス混合物に曝露すること;並びに
前記ルテニウム含有層を前記エッチャントガス混合物のプラズマで異方性エッチングすること
を含む、方法。 - 前記ルテニウム含有層の前記表面を前記エッチャントガス混合物に曝露する前に、前記ルテニウム含有層の表面を塩素含有ガス前駆体及び酸素含有ガス前駆体のプラズマ放出物に曝露することによって、前記ルテニウム含有層の前記表面を改質して、前記金属含有層の改質された表面を形成すること
をさらに含む、請求項16に記載の方法。 - 前記ルテニウム含有層を前記エッチャントガス混合物のプラズマで異方性エッチングすることにより、前記ルテニウム含有層の前記改質された表面が除去される、請求項17に記載の方法。
- 基板をパターニングする方法であって、
処理チャンバの処理領域に位置づけられた基板上に形成されたルテニウム含有層の表面を、
50-200sccmのO2;
10-100sccmのCl2;
100-300sccmのアルゴン;及び
5-100sccmのN2又は10-30sccmのSO2
を含むエッチャントガス混合物に曝露すること、並びに
前記ルテニウム含有層を前記エッチャントガス混合物のプラズマで異方性エッチングすることであって、
前記基板を摂氏約20度から摂氏約40度の温度で維持すること;及び
前記エッチャントガス混合物の前記プラズマを約10mTorrから約20MTorrの圧力で維持すること
を含む、異方性エッチングすること、
を含む、方法。 - 前記ルテニウム含有層を異方性エッチングすることにより、ビット線ルテニウム含有層を含む特徴部が形成される、請求項19に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202063074176P | 2020-09-03 | 2020-09-03 | |
US63/074,176 | 2020-09-03 | ||
PCT/US2021/043758 WO2022051045A1 (en) | 2020-09-03 | 2021-07-29 | Selective anisotropic metal etch |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023540291A true JP2023540291A (ja) | 2023-09-22 |
Family
ID=80358918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023514393A Pending JP2023540291A (ja) | 2020-09-03 | 2021-07-29 | 選択的異方性金属エッチング |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11658043B2 (ja) |
JP (1) | JP2023540291A (ja) |
KR (1) | KR20220030906A (ja) |
CN (1) | CN116034456A (ja) |
TW (1) | TW202226378A (ja) |
WO (1) | WO2022051045A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023220054A1 (en) * | 2022-05-13 | 2023-11-16 | Lam Research Corporation | Simultaneous dielectric etch with metal passivation |
CN117597766A (zh) * | 2022-06-15 | 2024-02-23 | 株式会社日立高新技术 | 等离子处理方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100362906B1 (ko) | 2000-04-22 | 2002-12-11 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 고체 표면, 기판 및 반도체 제조 장치의 처리 방법 및이들을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US8962224B2 (en) | 2012-08-13 | 2015-02-24 | Applied Materials, Inc. | Methods for controlling defects for extreme ultraviolet lithography (EUVL) photomask substrate |
US9633867B2 (en) | 2015-01-05 | 2017-04-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for anisotropic tungsten etching |
US9576811B2 (en) | 2015-01-12 | 2017-02-21 | Lam Research Corporation | Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch) |
TWI808473B (zh) | 2015-06-05 | 2023-07-11 | 美商蘭姆研究公司 | GaN及其他Ⅲ-Ⅴ族材料之原子層蝕刻 |
US9972504B2 (en) | 2015-08-07 | 2018-05-15 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching of tungsten for enhanced tungsten deposition fill |
US10096487B2 (en) | 2015-08-19 | 2018-10-09 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching of tungsten and other metals |
US9984858B2 (en) | 2015-09-04 | 2018-05-29 | Lam Research Corporation | ALE smoothness: in and outside semiconductor industry |
US10727073B2 (en) | 2016-02-04 | 2020-07-28 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching 3D structures: Si and SiGe and Ge smoothness on horizontal and vertical surfaces |
US9837312B1 (en) | 2016-07-22 | 2017-12-05 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching for enhanced bottom-up feature fill |
US10763083B2 (en) | 2017-10-06 | 2020-09-01 | Lam Research Corporation | High energy atomic layer etching |
JP7366918B2 (ja) | 2018-03-16 | 2023-10-23 | ラム リサーチ コーポレーション | 誘電体における高アスペクト比フィーチャのプラズマエッチング化学物質 |
WO2019190781A1 (en) | 2018-03-30 | 2019-10-03 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching and smoothing of refractory metals and other high surface binding energy materials |
US10515955B1 (en) | 2018-05-29 | 2019-12-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods of manufacturing transistor gate structures by local thinning of dummy gate stacks using an etch barrier |
-
2021
- 2021-07-29 WO PCT/US2021/043758 patent/WO2022051045A1/en active Application Filing
- 2021-07-29 US US17/389,119 patent/US11658043B2/en active Active
- 2021-07-29 CN CN202180054717.2A patent/CN116034456A/zh active Pending
- 2021-07-29 JP JP2023514393A patent/JP2023540291A/ja active Pending
- 2021-08-09 TW TW110129272A patent/TW202226378A/zh unknown
- 2021-09-01 KR KR1020210116301A patent/KR20220030906A/ko active Search and Examination
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022051045A1 (en) | 2022-03-10 |
CN116034456A (zh) | 2023-04-28 |
US20220068661A1 (en) | 2022-03-03 |
US11658043B2 (en) | 2023-05-23 |
KR20220030906A (ko) | 2022-03-11 |
TW202226378A (zh) | 2022-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10354888B2 (en) | Method and apparatus for anisotropic tungsten etching | |
KR102483741B1 (ko) | 진보된 패터닝 프로세스에서의 스페이서 퇴적 및 선택적 제거를 위한 장치 및 방법들 | |
US9287124B2 (en) | Method of etching a boron doped carbon hardmask | |
JP2019046994A (ja) | エッチング方法 | |
US11417537B2 (en) | Methods of etching metal-containing layers | |
JP2023540291A (ja) | 選択的異方性金属エッチング | |
TW202213505A (zh) | 蝕刻方法及電漿處理裝置 | |
US20220246440A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP3887123B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
KR20220022458A (ko) | 산소 펄싱을 이용하여 구조들을 에칭하기 위한 방법들 | |
US11658042B2 (en) | Methods for etching structures and smoothing sidewalls | |
US20230083577A1 (en) | Recessed metal etching methods | |
JP2023552977A (ja) | 半導体パターニングアプリケーションのための酸化スズおよび炭化スズ材料 | |
TW202249058A (zh) | 選擇性阻障金屬蝕刻 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230501 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240319 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240321 |