JP2023536488A - 新規な化合物、それを含むコーティング組成物、それを含む有機発光素子およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

本発明は、化学式１で表される化合物、前記化学式１で表される化合物を含むコーティング組成物、それを用いた有機発光素子、およびその製造方法に関する。

Description

本発明は、２０２０年１０月０８日付にて韓国特許庁に提出された韓国特許第１０－２０２０－０１３０３３８号の出願日の利益を主張し、その内容のすべては本発明に含まれる。
本発明は、新規な化合物、前記化合物を含むコーティング組成物、前記コーティング組成物を用いて形成された有機発光素子およびその製造方法に関する。
有機発光現象は、特定の有機分子の内部プロセスによって電流が可視光に切り替わる例の一つである。有機発光現象の原理は次のとおりである。アノードとカソードの間に有機物層を配置させたときに、両電極間に電流を流すと、カソードとアノードからそれぞれ電子と正孔が有機物層に注入される。有機物層に注入された電子と正孔は、再結合してエキシトン（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成し、このエキシトンが再び底の状態に落ちて光が出る。この原理を利用する有機発光素子は、一般にカソードとアノードおよびその間に位置する有機物層、たとえば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層、電子輸送層から構成されることができる。
従来には、有機発光素子を製造するために、蒸着工程を主に使用してきた。しかし、蒸着工程で有機発光素子を製造する際、材料の損失が多く発生するという問題点と大面積の素子を製造することが難しいという問題点があり、これを解決するために、溶液工程を用いた素子が開発されつつある。
したがって、溶液工程用材料の開発が求められている。
本発明は、新規化合物および／またはそれを含む有機発光素子を提供することを目的とする。
本発明の一実施形態は、下記化学式１で表される化合物を提供する。
前記化学式１において、
Ｙｚ１およびＹｚ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合、Ｏ、Ｓ、ＣＲａＲｂまたはＳｉＲｃＲｄであり、Ｙｚ１およびＹｚ２のいずれか一つが直接結合であると、残りの１つはＯ、Ｓ、ＣＲａＲｂまたはＳｉＲｃＲｄであり、
Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；置換または非置換のアルキル基；置換または非置換のアリール基；置換または非置換のヘテロアリール基であるか、隣接した基と結合して置換または非置換の環を形成し、
Ｃｙ１およびＣｙ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、置換または非置換のベンゼン環；または置換または非置換のナフタレン環であり、
Ｌｚ１～Ｌｚ３は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合；または置換または非置換のアリーレン基であり、
Ｌｚ１１およびＬｚ１２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合；置換または非置換のアルキレン基；または置換または非置換のアリーレン基であり、
Ｘｚ１およびＸｚ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、硬化性基であり、
Ｒｚ１およびＲｚ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換または非置換のアルキル基；置換または非置換のアルコキシ基；置換または非置換のアリール基；または置換または非置換のヘテロアリール基であり、
Ｒｚ３およびＲｚ４は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；置換または非置換のアルキル基；置換または非置換のアルコキシ基；置換または非置換のアリール基；または置換または非置換のヘテロアリール基であり、
ｌｚ１～ｌｚ３はそれぞれ０または１であり、
ｎ１およびｎ２はそれぞれ０～７の整数であり、ｎ１およびｎ２がそれぞれ２以上の場合、２以上の括弧内の置換基は互いに同一または異なり、
ｎ３およびｎ４はそれぞれ０～４の整数であり、ｎ３およびｎ４がそれぞれ２以上の場合、２以上の括弧内の置換基は互いに同一または異なり、
ｍ１およびｍ２はそれぞれ１～５の整数であり、ｍ１およびｍ２がそれぞれ２以上の場合、２以上の括弧内の置換基は互いに同一または異なり、
ｍ１＋ｎ３は５以下であり、ｍ２＋ｎ４は５以下である。
本発明の他の一実施形態は、前記化合物を含むコーティング組成物を提供する。
本発明の他の一実施形態はまた、第１の電極；第２の電極；および前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられる少なくとも１層の有機物層を含み、前記少なくとも１層の有機物層のうち少なくとも１層は、上述のコーティング組成物またはその硬化物を含む有機発光素子を提供する。
最後に、本発明の他の一実施形態は、第１の電極を準備する段階；前記第１の電極上に１層以上の有機物層を形成する段階；および前記１層以上の有機物層上に第２の電極を形成する段階を含み、前記１層以上の有機物層を形成する段階は、前記コーティング組成物を用いて１層以上の有機物層を形成する段階を含むものである、有機発光素子の製造方法を提供する。
本発明の化学式１の化合物は、有機発光素子の有機物層の材料として用いることができ、低い駆動電圧、優れた発光効率および／または寿命特性を有する素子を得ることができ、溶液工程が可能で、素子の大面積化が可能である。
本発明の一実施形態によれば、前記化学式１の化合物は、分子内に１つの窒素原子とともに、フルオレンおよび３環以上の環基を含むことで、有機溶媒に対する溶解性に優れ、ＨＯＭＯエネルギー準位が深く形成されるため、正孔の移動が円滑になり、素子の寿命が向上する。
また、本発明の化学式１で表される化合物は、２以上のフルオロ基（－Ｆ）が置換されることにより、正孔注入層と正孔輸送層との間の界面特性を改善し、フルオロ基が置換されたフェニル基の安定性を高めて素子特性を改善する効果がある。
図１は、本発明の一実施形態による有機発光素子の一例を図示したものである。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の一実施形態は、下記化学式１で表される化合物を提供する。
前記化学式１において、
Ｙｚ１およびＹｚ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合、Ｏ、Ｓ、ＣＲａＲｂまたはＳｉＲｃＲｄであり、Ｙｚ１およびＹｚ２のいずれか一つが直接結合であると、残りの１つはＯ、Ｓ、ＣＲａＲｂまたはＳｉＲｃＲｄであり、
Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；置換または非置換のアルキル基；置換または非置換のアリール基；置換または非置換のヘテロアリール基であるか、隣接した基と結合して置換または非置換の環を形成し、
Ｃｙ１およびＣｙ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、置換または非置換のベンゼン環；または置換または非置換のナフタレン環であり、
Ｌｚ１～Ｌｚ３は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合；または置換または非置換のアリーレン基であり、
Ｌｚ１１およびＬｚ１２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合；置換または非置換のアルキレン基；または置換または非置換のアリーレン基であり、
Ｘｚ１およびＸｚ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、硬化性基であり、
Ｒｚ１およびＲｚ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換または非置換のアルキル基；置換または非置換のアルコキシ基；置換または非置換のアリール基；または置換または非置換のヘテロアリール基であり、
Ｒｚ３およびＲｚ４は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；置換または非置換のアルキル基；置換または非置換のアルコキシ基；置換または非置換のアリール基；または置換または非置換のヘテロアリール基であり、
ｌｚ１～ｌｚ３はそれぞれ０または１であり、
ｎ１およびｎ２はそれぞれ０～７の整数であり、ｎ１およびｎ２がそれぞれ２以上の場合、２以上の括弧内の置換基は互いに同一または異なり、
ｎ３およびｎ４はそれぞれ０～４の整数であり、ｎ３およびｎ４がそれぞれ２以上の場合、２以上の括弧内の置換基は互いに同一または異なり、
ｍ１およびｍ２はそれぞれ１～５の整数であり、ｍ１およびｍ２がそれぞれ２以上の場合、２以上の括弧内の置換基は互いに同一または異なり、
ｍ１＋ｎ３は５以下であり、ｍ２＋ｎ４は５以下である。
本発明の一実施形態による前記化学式１の化合物は、硬化性基およびハロゲン基（具体的にはフルオロ基）が導入されたフルオレン基が結合したアミン基を含み、さらに、３環以上の環基を一緒に含むことにより、当該位置にラジカル形成を抑制して化合物の安定性が高まり、高いＨＯＭＯ（ｈｉｇｈｅｓｔ ｏｃｃｕｐｉｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位値および優れた正孔移動度（Ｈｏｌｅ－ｍｏｂｉｌｉｔｙ）を有する。これにより、前記化学式１の化合物が有機発光素子内の正孔注入層に含まれる場合、正孔注入層から正孔輸送層への正孔注入を容易にし、長寿命の特徴を有する有機発光素子を得ることができるという利点がある。
本発明において、ある部材（層）が他の部材（層）「上」に位置していると言うとき、これはある部材（層）が他の部材に接している場合だけでなく、両部材（層）の間に他の部材（層）が存在する場合も含む。
本発明において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。
本発明において「硬化性基」とは、光硬化性基または熱硬化性基を意味し、熱および／または光に暴露することにより、化合物間に架橋を起こす反応性置換基を意味し得る。架橋は、熱処理または光照射によって、炭素－炭素多重結合または環状構造が分解して生成されたラジカルが連結されることで生成されることができる。
以下、本発明の置換基について詳細に説明する。
本発明において、－－－－－および
は、それぞれ異なる置換基または結合部に結合される部位を意味する。
本発明において、前記「置換」という用語は、化合物の炭素原子に結合された水素原子が他の置換基に変わることを意味し、置換される位置は、水素原子が置換される位置、すなわち置換基が置換可能な位置であれば限定されず、２以上置換される場合、２以上の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
本発明において「置換または非置換の」という用語は、重水素、ハロゲン基、ニトリル基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリール基およびヘテロアリール基からなる群から選択された少なくとも１つの置換基で置換または非置換されるか、前記例示した置換基のうち、２以上の置換基が連結された置換基で置換または非置換されたことを意味する。例えば、「２以上の置換基が連結された置換基」は、ビフェニル基であってもよい。すなわち、ビフェニル基はアリール基であってもよく、２つのフェニル基が連結された置換基と解釈されてもよい。
また、本発明において「置換または非置換の」という用語は、重水素、ハロゲン基、ニトリル基、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数３～３０のシクロアルキル基、炭素数１～２０のアルコキシ基、炭素数６～６０アリール基および炭素数２～６０のヘテロアリール基からなる群から選択された１つ以上の置換基で置換または非置換されるか、前記例示した置換基のうち２以上の置換基が連結された置換基で置換または非置換されたことを意味する。
本発明において、ハロゲン基は、フルオロ基（－Ｆ）、クロロ基（－Ｃｌ）、ブロモ基（－Ｂｒ）またはヨード基（－Ｉ）である。
本発明において、前記アルキル基は、直鎖または分岐鎖であってもよく、炭素数は特に限定されないが、１～２０であってもよい。他の実施形態によれば、前記アルキル基の炭素数は１～１０である。前記アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基などが挙げられるが、これらに限定されない。
本発明において、シクロアルキル基は、特に限定されないが、炭素数３～６０であってもよく、一実施形態によれば、前記シクロアルキル基の炭素数は３～３０である。また他の一実施形態によれば、前記シクロアルキル基の炭素数は３～２０である。前記シクロアルキル基の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明において、前記アルコキシ基は、直鎖または分岐鎖であり得る。前記アルコキシ基の炭素数は特に限定されないが、炭素数１～２０であってもよい。前記アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基、ｎ－オクチルオキシ基、ｎ－ノニルオキシ基、ｎ－デシルオキシ基などであってもよいが、これに限定されない。
本発明において、前記アリール基は特に限定されないが、炭素数６～６０であってもよく、単環式アリール基または多環式アリール基であってもよい。一実施形態によれば、前記アリール基の炭素数は６～３０である。一実施形態によれば、前記アリール基の炭素数は６～２０である。前記アリール基は、単環式アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などであってもよいが、これに限定されない。前記多環式アリール基としては、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、ピレニル基、フェリレニル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニル基などが挙げられるが、これらに限定されない。
本発明において、フルオレニル基は置換されてもよく、２つの置換基が互いに結合してスピロ構造を形成してもよい。
前記フルオレニル基が置換される場合、
などのスピロフルオレニル基、
（９，９－ジメチルフルオレニル基）、および
（９，９－ジフェニルフルオレニル基）などの置換されたフルオレニル基になり得る。ただし、これに限定されるものではない。
本発明において、ヘテロアリール基は、異種原子であり、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、ＳｉおよびＳｅのうち少なくとも１つを含む芳香族環基であり、炭素数は特に限定されないが、炭素数２～６０であってもよい。一実施形態によれば、前記ヘテロアリール基の炭素数は２～３０である。前記ヘテロアリール基の例としては、ピリジン基、ピロール基、ピリミジン基、ピリダジン基、フラン基、チオフェン基、ベンゾチオフェン基、ベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基、ジベンゾフラン基などがあるが、これらに限定されるものではない。
本発明において、前記アリーレン基は２価であることを除いて、前述のアリール基に関する説明が適用される。
本発明において、「隣接した」基は、当該置換基が置換された原子と直接連結された原子に置換された置換基、当該置換基に立体構造的に最も近い位置にある置換基、または当該置換基が置換された原子に置換された他の置換基を意味することができる。例えば、ベンゼン環においてオルト（ｏｒｔｈｏ）位置で置換された２つの置換基および脂肪族環で同じ炭素に置換された２つの置換基は、互いに「隣接した」基と解釈され得る。本発明の化学式１において、ＲａおよびＲｂは隣接した基であってもよく、ＲｃおよびＲｄは隣接した基であってもよい。
本発明において、互いに結合して形成される置換または非置換の環において、「環」は炭化水素環；またはヘテロ環を意味する。前記炭化水素環は、芳香族、脂肪族または芳香族と脂肪族の縮合環であってもよい。前記ヘテロ環は二価であることを除いて、前記ヘテロ環に関する説明が適用されてもよい。
本発明において、芳香族炭化水素環は２価であることを除いては、前述のアリール基に関する説明が適用されてもよい。
本発明において、脂肪族炭化水素環は２価であることを除いては、前述のシクロアルキル基に関する説明が適用されてもよい。
本発明において、「エネルギー準位」はエネルギーの大きさを意味するものである。したがって、エネルギー準位は、該当エネルギー値の絶対値を意味すると解釈される。例えば、エネルギー準位が深いとは、真空準位からマイナス方向へと絶対値が大きくなることを意味する。
本発明において、ＨＯＭＯ（ｈｉｇｈｅｓｔ ｏｃｃｕｐｉｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ）とは、電子が結合に参加できる領域で最もエネルギーの高い領域にある分子軌道関数（最高占有分子オービタル）を意味し、ＬＵＭＯ（ｌｏｗｅｓｔ ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ）とは、電子が反結合領域のうち最もエネルギーの低い領域にある分子軌道関数（最低非占有分子オービタル）を意味し、ＨＯＭＯエネルギー準位とは、真空準位からＨＯＭＯまでの距離を意味する。なお、ＬＵＭＯエネルギー準位とは、真空準位からＬＵＭＯまでの距離を意味する。
本発明の一実施形態によれば、前記化学式１の化合物は、適切な有機溶媒に対して溶解性を有する化合物が好ましい。
また、本発明の一実施形態による化合物の場合、溶液塗布法により有機発光素子を製造することができ、素子の大面積化が可能である。
本発明の一実施形態によれば、前記化学式１は下記の化学式２で表される。
前記化学式２において、
Ｌｚ１～Ｌｚ３、Ｌｚ１１、Ｌｚ１２、Ｘｚ１、Ｘｚ２、Ｒｚ１～Ｒｚ４、Ｙｚ１、Ｙｚ２、Ｃｙ１、Ｃｙ２、ｌｚ１～ｌｚ３、ｎ１～ｎ４、ｍ１およびｍ２の定義は化学式１と同じである。
本発明の一実施形態によれば、前記Ｌｚ１～Ｌｚ３は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合；または置換または非置換の炭素数６～３０のアリーレン基である。
また他の一実施形態によれば、前記Ｌｚ１～Ｌｚ３は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合；置換または非置換のフェニレン基；または置換または非置換のナフチレン基である。
また他の一実施形態によれば、前記Ｌｚ１およびＬｚ２は直接結合である。
また他の一実施形態によれば、前記Ｌｚ３は直接結合；置換または非置換のフェニレン基；または置換または非置換のナフチレン基である。
本発明の一実施形態によれば、前記化学式１は、下記の化学式３～５のいずれかで表される。
前記化学式３～５において、
Ｌｚ１１、Ｌｚ１２、Ｘｚ１、Ｘｚ２、Ｒｚ１～Ｒｚ４、Ｃｙ１、Ｃｙ２、Ｙｚ１、Ｙｚ２、ｎ１～ｎ４、ｍ１およびｍ２の定義は化学式１と同様であり、
Ｒｚ２１およびＲｚ２２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換または非置換のアルキル基；置換または非置換のアルコキシ基；置換または非置換のアリール基；または置換または非置換のヘテロアリール基であり、
ｍ２１は０～４の整数であり、ｍ２２は０～６の整数であり、ｍ２１およびｍ２２がそれぞれ２以上の整数である場合、２以上の括弧内の置換基は互いに同一または異なる。
本発明の一実施形態によれば、前記ｍ１およびｍ２はそれぞれ１～５の整数である。
本発明の一実施形態によれば、前記ｎ３およびｎ４はそれぞれ０または１である。
本発明の一実施形態によれば、前記
は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、下記構造のいずれであってもよく、
は結合位置を意味する。
本発明の一実施形態によれば、前記Ｌｚ１１およびＬｚ１２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合；置換または非置換の炭素数１～２０のアルキレン基；または置換または非置換の炭素数６～３０のアリーレン基である。
他の一実施形態によれば、前記Ｌｚ１１およびＬｚ１２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合；置換または非置換のブチレン基；または置換または非置換のフェニレン基である。
本発明の一実施形態によれば、前記Ｘｚ１およびＸｚ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、硬化性基である。
本発明の一実施形態によれば、前記硬化性基は、以下の構造からなる群から選択されるいずれか一つである。
前記構造において、――――は結合される位置を意味する。
本発明の一実施形態によれば、Ｙｚ１およびＹｚ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合、Ｏ、Ｓ、ＣＲａＲｂまたはＳｉＲｃＲｄである。
本発明の一実施形態によれば、Ｙｚ１およびＹｚ２のいずれか一つが直接結合であると、残りの１つはＯ、Ｓ、ＣＲａＲｂまたはＳｉＲｃＲｄである。
本発明の一実施形態によれば、Ｙｚ１およびＹｚ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合、Ｏ、Ｓ、ＣＲａＲｂまたはＳｉＲｃＲｄであり、Ｙｚ１およびＹｚ２のいずれか一つが直接結合であると、残りの１つはＯ、Ｓ、ＣＲａＲｂまたはＳｉＲｃＲｄである。
本発明の一実施形態によれば、Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；置換または非置換のアルキル基；置換または非置換のアリール基；置換または非置換のヘテロアリール基であるか、隣接した基と結合して置換または非置換の環を形成する。
本発明の一実施形態によれば、Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；置換または非置換の炭素数１～３０のアルキル基；置換または非置換の炭素数６～３０のアリール基；あるいは、置換または非置換の炭素数２～３０のヘテロアリール基であるか、隣接した基と結合して置換または非置換の炭素数２～３０の環を形成する。
本発明の一実施形態によれば、Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；置換または非置換の炭素数１～１０のアルキル基；または置換または非置換の炭素数６～１０のアリール基であるか、隣接した基と結合して置換または非置換の炭素数６～３０のフルオレン環；あるいは、置換または非置換の炭素数２～３０のヘテロ環を形成する。
本発明の一実施形態によれば、Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；置換または非置換の炭素数１～１０のアルキル基；またはハロゲン基で置換または非置換の炭素数６～１０のアリール基であるか、隣接した基と結合して置換または非置換の炭素数６～３０のフルオレン環；あるいは、置換または非置換の炭素数２～３０のヘテロ環を形成する。
本発明の一実施形態によれば、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、およびＲｄは互いに同一または異なり、それぞれ独立して、置換または非置換のメチル基；あるいは、置換または非置換のフェニル基であるか、隣接した基と結合して置換または非置換のフルオレン環；あるいは、置換または非置換のキサンテン環を形成する。
本発明の一実施形態によれば、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、およびＲｄは互いに同一または異なり、それぞれ独立して、置換または非置換のメチル基；またはハロゲン基で置換または非置換のフェニル基であるか、隣接した基と結合して置換または非置換のフルオレン環；あるいは、置換または非置換のキサンテン環を形成する。
本発明の一実施形態によれば、前記Ｃｙ１およびＣｙ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、置換または非置換のベンゼン環；または置換または非置換のナフタレン環である。
本発明の一実施形態によれば、前記Ｃｙ１およびＣｙ２のいずれかが置換または非置換のベンゼン環である場合、残りの１つは置換または非置換のベンゼン環；または置換または非置換のナフタレン環である。
本発明の一実施形態によれば、前記Ｃｙ１およびＣｙ２のいずれかが置換または非置換のナフタレン環である場合、残りの１つは置換または非置換のベンゼン環である。
本発明の一実施形態によれば、前記Ｃｙ１およびＣｙ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、置換または非置換のベンゼン環；または置換または非置換のナフタレン環であり、前記Ｃｙ１およびＣｙ２のうち少なくとも１つは置換または非置換のベンゼン環である。
本発明の一実施形態によれば、前記Ｃｙ１およびＣｙ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、下記の構造からなる群から選択されるいずれかである。
前記構成において、――――は結合される位置を意味し、
Ｒｚ１１～Ｒｚ１３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換または非置換のアルキル基；置換または非置換のアルコキシ基；置換または非置換のアリール基；または置換または非置換のヘテロアリール基であり、
ｍ１１は０～４の整数であり、ｍ１２およびｍ１３はそれぞれ０～６の整数であり、ｍ１１～ｍ１３がそれぞれ２以上の整数である場合、２以上の括弧内の置換基は互いに同一または異なる。
本発明の一実施形態によれば、前記Ｒｚ１１～Ｒｚ１３は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換または非置換の炭素数１～２０のアルキル基；置換または非置換の炭素数１～２０のアルコキシ基；置換または非置換の炭素数６～３０のアリール基；または置換または非置換の炭素数２～３０のヘテロアリール基である。
他の一実施形態によれば、前記Ｒｚ１１～Ｒｚ１３は水素または重水素である。
他の一実施形態によれば、前記Ｒｚ１１～Ｒｚ１３は水素である。
本発明の一実施形態によれば、前記ｍ１１～ｍ１３はそれぞれ０または１である。
本発明の一実施形態によれば、前記Ｒｚ１およびＲｚ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換または非置換の炭素数１～２０のアルキル基；置換または非置換の炭素数１～２０のアルコキシ基；置換または非置換の炭素数６～３０のアリール基；または置換または非置換の炭素数２～３０のヘテロアリール基である。
他の一実施形態によれば、前記Ｒｚ１およびＲｚ２は水素または重水素である。
他の一実施形態によれば、前記Ｒｚ１およびＲｚ２は水素である。
本発明の一実施形態によれば、前記Ｒｚ３およびＲｚ４は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；置換または非置換の炭素数１～２０のアルキル基；置換または非置換の炭素数１～２０のアルコキシ基；置換または非置換の炭素数６～３０のアリール基；または置換または非置換の炭素数２～３０のヘテロアリール基である。
他の一実施形態によれば、前記Ｒｚ３およびＲｚ４は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；炭素数１～２０のアルキル基；または炭素数６～３０のアリール基である。
他の一実施形態によれば、前記Ｒｚ３およびＲｚ４は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；置換または非置換のメチル基；または置換または非置換のフェニル基である。
他の一実施形態によれば、前記Ｒｚ３およびＲｚ４は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；メチル基；またはフェニル基である。
本発明の一実施形態によれば、前記ｎ１およびｎ２はそれぞれ０または１である。
本発明の一実施形態によれば、前記Ｒｚ２１およびＲｚ２２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換または非置換の炭素数１～２０のアルキル基；置換または非置換の炭素数１～２０のアルコキシ基；置換または非置換の炭素数６～３０のアリール基；または置換または非置換の炭素数２～３０のヘテロアリール基である。
他の一実施形態によれば、前記Ｒｚ２１およびＲｚ２２は水素または重水素である。
他の一実施形態によれば、前記Ｒｚ２１およびＲｚ２２は水素である。
本発明の一実施形態によれば、前記化学式１は、以下の化合物からなる群から選択されるいずれかである。
本発明の一実施形態による化学式１の化合物は、下記反応式１のようにコア構造が製造されてもよい。また、置換基は当技術分野で知られている方法によって結合されてもよく、置換基の種類、位置または数は当技術分野で知られている技術に従って変更されてもよい。
前記反応はアミン置換反応であり、パラジウム触媒と塩基の存在下で行うことが好ましく、アミン置換反応のための反応基は当技術分野で知られているように変更することができる。
前記反応式１における置換基は、前記化学式１の置換基の定義と同じである。
以下では、前述の化合物を含むコーティング組成物について詳細に説明する。
本発明の一実施形態によれば、前記コーティング組成物は前記化学式１の化合物および溶媒を含む。
本発明の一実施形態によれば、前記コーティング組成物は液状であってもよい。
本発明の一実施形態によれば、前記溶媒は、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、１，２－ジクロロエタン、１，１，２－トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼンなどの塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレンなどの芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ－ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｎ－ヘプタン、ｎ－オクタン、ｎ－ノナン、ｎ－デカンなどの脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン（Ｉｓｏｐｈｏｒｏｎｅ）、テトラロン（Ｔｅｔｒａｌｏｎｅ）、デカロン（Ｄｅｃａｌｏｎｅ）、アセチルアセトン（Ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎｅ）などのケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセロソルブアセテートなどのエステル系溶媒；エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２－ヘキサンジオールなどの多価アルコールおよびその誘導体；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノールなどのアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶媒；およびＮ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドなどのアミド系溶媒；テトラリンなどの溶媒が例示されるが、本発明の一実施形態による化学式１の化合物を溶解または分散させることができる溶媒であればよく、これらを限定しない。
本発明の一実施形態によれば、前記溶媒は、１種単独で用いてもよいし、または２種以上の溶媒を混合して使用してもよい。
本発明の一実施形態によれば、前記コーティング組成物は、ｐドーピング物質をさらに含まない。
本発明の一実施形態によれば、前記コーティング組成物は、ｐドーピング物質をさらに含む。
本発明において、前記ｐドーピング物質とは、ホスト物質をｐ半導体特性を有するようにする物質を意味する。ｐ半導体特性とは、ＨＯＭＯ（ｈｉｇｈｅｓｔ ｏｃｃｕｐｉｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位で正孔の注入を受けるか、輸送する特性、すなわち正孔の導電度の大きい物質の特性を意味する。
前記ｐドーピング物質は、以下の構造のいずれか一つであってもよいが、これに限定されない。
本発明の一実施形態によれば、前記ｐドーピング物質の含量は、前記化学式１の化合物を基準に０重量％～５０重量％；または１０重量％～３０重量％である。
本発明の一実施形態によれば、前記化学式１の化合物および前記ｐドーピング物質の重量比は９：１～１：９である。好ましい一実施例として、前記化学式１の化合物および前記ｐドーピング物質の重量比は９：１～７：３である。具体的な一例として、前記化学式１の化合物および前記ｐドーピング物質の重量比は８：２である。
本発明の一実施形態によれば、前記ｐドーピング物質の含量は、前記コーティング組成物の全固形分含量を基準に０～３０重量％を含む。
本発明の一実施形態によれば、前記ｐドーピング物質の含量は、前記コーティング組成物の全固形分含量を基準に１～３０重量％を含むことが好ましい。
本発明の他の実施形態によれば、前記コーティング組成物は、光硬化性基および／または熱硬化性基を含む単分子；あるいは、熱によるポリマー形成が可能な末端基を含む単分子をさらに含む。前記のように光硬化性基および／または熱硬化性基を含む単分子；あるいは、熱によるポリマー形成が可能な末端基を含む単分子の分子量は、３，０００ｇ／ｍｏｌ以下の化合物であってもよいが、これに限定されない。
前記光硬化性基および／または熱硬化性基を含む単分子；あるいは、熱によるポリマー形成が可能な末端基を含む単分子は、フェニル、ビフェニル、フルオレン、ナフタレンなどのアリール；アリールアミン；あるいは、フルオレンに光硬化性基および／または熱硬化性基または熱によるポリマー形成が可能な末端基が置換された単分子を意味し得る。
本発明の一実施形態によれば、前記コーティング組成物の粘度は、常温で２ｃＰ～１５ｃＰである。前記粘度を満たすと、素子の製造が容易である。具体的には、有機発光素子内に有機物層を形成する際に均一な膜を形成することができる。
本発明の一実施形態によれば、前記コーティング組成物は、熱処理または光処理によって硬化された状態であり、これを前記コーティング組成物の硬化物という。
本発明の一実施形態は、前記化学式１の化合物；または、前記化学式１の化合物を含むコーティング組成物またはその硬化物を含む有機発光素子を提供する。
本発明の一実施形態は、前記コーティング組成物またはその硬化物を用いて形成された有機発光素子を提供する。
本発明の一実施形態は、第１の電極；第２の電極；および前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた少なくとも１層の有機物層を含む有機発光素子であって、前記少なくとも１層の有機物層のうち１層以上は、前述のコーティング組成物またはその硬化物を含むものである有機発光素子を提供する。このとき、前記コーティング組成物の硬化物は、前記コーティング組成物が熱処理または光処理によって硬化された状態である。
以下では、上述した有機発光素子に含まれる有機物層の種類を具体的に説明する。
本発明の一実施形態によれば、前記有機発光素子は１層の有機物層を含み、前記有機物層は前記化学式１の化合物を含む。一例として、前記化学式１の化合物を含む有機物層は発光層である。
本発明の他の実施形態によれば、前記有機発光素子は２層以上の有機物層を含み、前記２層以上の有機物層は前記化学式１の化合物を含む。例えば、前記２層以上の有機物層のうちいずれか１つの有機物層は、前記化学式１の化合物を含み、残りの１層以上の有機物層をさらに含む。一実施形態による前記残りの１層以上の有機物層は、前記化学式１の化合物を含まない。他の一実施形態による前記残りの１層以上の有機物層は、前記化学式１の化合物をさらに含む。ただし、前記の例に限定されるものではない。
前記２層以上の有機物層は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入および輸送層、電子遮断層、発光層、正孔遮断層、電子輸送層、電子注入層、電子注入および輸送層等からなる群から選択される２層またはそれ以上の層を含む。このとき、正孔注入および輸送層は、正孔注入と正孔輸送を同時にする層を意味し、電子注入および輸送層は、電子注入と電子輸送を同時にする層を意味する。しかしながら、前記群を構成する有機物層は一例に過ぎず、前記の例に限定されるものではない。また、前記２層以上の有機物層は、必要に応じて、同じ役割を果たす層を２層以上含んでもよい。一例による有機発光素子は、第１の正孔注入層および第２の正孔注入層を含む。ただし、前記の例に限定されるものではない。
本発明の一実施形態によれば、前記有機物層は発光層を含む。一例として、前記発光層は、前記化学式１の化合物を含む。具体的な一例として、前記発光層は、前記化学式１の化合物を発光層のホストとして含む。具体的な他の一例として、前記発光層は、前記化学式１の化合物を発光層のドーパントとして含む。
本発明の一実施形態によれば、前記有機物層は、正孔注入および輸送層、正孔注入層または正孔輸送層を含む。一例として、前記正孔注入および輸送層、前記正孔注入層または前記正孔輸送層は、前記化学式１の化合物を含む。
本発明の一実施形態によれば、前記有機物層は正孔注入層を含む。一例として、前記正孔注入層は、前記化学式１の化合物を含む。
本発明の一実施形態によれば、前記有機物層は、電子遮断層、正孔遮断層、電子輸送層、電子注入層、電子注入および輸送層からなる群から選択される少なくとも１層の層をさらに含む。一例として、前記電子遮断層、前記正孔遮断層、前記電子輸送層、前記電子注入層、前記電子注入および輸送層からなる群から選択される１層以上の層は、前記化学式１の化合物、前記コーティング組成物またはその硬化物を含む。他の一例として、前記電子遮断層、前記正孔遮断層、前記電子輸送層、前記電子注入層、前記電子注入および輸送層からなる群から選択される１層以上の層は、前記化学式１の化合物、前記コーティング組成物またはその硬化物を含まない。
本発明の一実施形態は、第１の電極；第２の電極；および前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた１層以上の有機物層を含み、
前記有機物層は、発光層および正孔注入層を含み、
前記正孔注入層は、前記化学式１の化合物、前記コーティング組成物またはその硬化物を含む有機発光素子を提供する。
以下では、前記有機物層およびそれを含む有機発光素子の積層構造について具体的に説明する。
本発明の一実施形態による有機発光素子の有機物層は単層構造である。例えば、前記単層構造の有機物層は、有機発光素子の第１の電極および第２の電極の間に設けられ、前記有機物層は前記化学式１の化合物を含む。具体的な一実施形態によれば、前記単層構造からなる有機物層は発光層であり、このとき前記発光層は、前記化学式１の化合物を含む。
本発明の他の実施形態による有機発光素子の有機物層は、２層以上の有機物層が積層された多層構造である。例えば、前記多層構造の有機物層は、前記有機発光素子の第１の電極および第２の電極の間に設けられる。
本発明の一実施形態によれば、前記多層構造の有機物層は、発光層および発光層以外の有機物層を含む。一例として、前記発光層は第１の電極および第２の電極の間に設けられ、前記発光層以外の有機物層は、第１の電極および発光層の間に設けられる。他の一例として、前記発光層は、第１の電極および第２の電極の間に設けられ、前記発光層以外の有機物層は、発光層および第２の電極の間に設けられる。また他の一例として、前記発光層は、第１の電極および第２の電極の間に設けられ、前記発光層以外のいずれかの有機物層は、第１の電極および発光層の間に設けられ、前記発光層以外の他の有機物層は、発光層および第２の電極の間に設けられる。ただし、前記構成は例示に過ぎず、前記構成に限定されるものではない。また、前記発光層以外の有機物層は、例えば、正孔注入および輸送層、正孔注入層、正孔輸送層、電子遮断層、正孔遮断層、電子輸送層、電子注入層、電子注入および輸送層等からなる群から選択される１層以上の層であってもよいが、これに限定されない。
一般に、有機発光素子において、正孔注入層、正孔輸送層または電子遮断層は、アノードおよび発光層の間に設けられる。具体的な例として、正孔注入層は、アノードの上部に設けられ、正孔輸送層は正孔注入層の上部に設けられ、電子遮断層は正孔注入層の上部に設けられるが、前記の例に限定されない。
また、一般に有機発光素子において、電子注入層、電子輸送層または正孔遮断層は、カソードおよび発光層の間に設けられる。具体的な例として、正孔遮断層は発光層の上部に設けられ、電子輸送層は正孔遮断層の上部に設けられ、電子注入層は電子輸送層の上部に設けられるが、前記の例に限定されない。
本発明の一実施形態による有機発光素子に含まれる多層構造の有機物層は、正孔注入および輸送層、正孔注入層、正孔輸送層、電子遮断層、正孔遮断層、電子輸送層、電子注入層および電子注入および輸送層からなる群から選択される少なくとも１層の層；および発光層を含み、前記発光層は第１の電極および第２の電極の間に設けられ、前記第１の電極は前記第１の電極および前記発光層の間に設けられ、前記１層以上の層は前記化学式１の化合物を含む。
本発明の一実施形態による有機発光素子の構造が図１に示されている。図１には、基板１０１上に第１の電極２０１、正孔注入層３０１、正孔輸送層４０１、発光層５０１、電子輸送および注入層６０１および第２の電極７０１が順次積層された有機発光素子の構造が例示されている。前記図１の正孔注入層３０１および／または正孔輸送層４０１は、前記化学式１の化合物；あるいは、前記化学式１の化合物を含むコーティング組成物またはその硬化物を含むか、前記コーティング組成物を使用して形成されてもよい。このとき、前記図１の正孔注入層３０１および／または正孔輸送層４０１が前記コーティング組成物を用いて形成されることができることは、有機物層の具体的な内容、その材料および製造方法にて後述する。なお、前記図１は、本発明の一実施形態による有機発光素子を例示したものであり、これに限定されるものではない。
前記のように、単層または多層構造の有機物層を有する有機発光素子は、例えば、以下のような積層構造を有することができるが、これに限定されるものではない。
（１）アノード／正孔輸送層／発光層／カソード
（２）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／カソード
（３）アノード／正孔注入層／正孔バッファ層／正孔輸送層／発光層／カソード
（４）アノード／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／カソード
（５）アノード／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
（６）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／カソード
（７）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
（８）アノード／正孔注入層／正孔バッファ層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／カソード
（９）アノード／正孔注入層／正孔バッファ層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
（１０）アノード／正孔輸送層／電子遮断層／発光層／電子輸送層／カソード
（１１）アノード／正孔輸送層／電子遮断層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
（１２）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／電子遮断層／発光層／電子輸送層／カソード
（１３）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／電子遮断層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
（１４）アノード／正孔輸送層／発光層／正孔遮断層／電子輸送層／カソード
（１５）アノード／正孔輸送層／発光層／正孔遮断層／電子輸送層／電子注入層／カソード
（１６）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔遮断層／電子輸送層／カソード
（１７）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔遮断層／電子輸送層／電子注入層／カソード
（１８）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔遮断層／電子輸送層／電子注入層／カソード／カプセル
（１９）アノード／正孔注入層／第１の正孔輸送層／第２の正孔輸送層／発光層／正孔遮断層／電子輸送層／電子注入層／カソード／カプセル
本発明の一実施形態によれば、前記第１の電極はアノードであり、第２の電極はカソードである。
本発明の他の実施形態によれば、前記第１の電極はカソードであり、第２の電極はアノードである。
本発明の一実施形態によれば、前記有機発光素子は、基板上にアノード、１層以上の有機物層およびカソードが順次積層された構造（ｎｏｒｍａｌ ｔｙｐｅ）の有機発光素子であってもよい。
本発明の他の実施形態によれば、前記有機発光素子は、基板上にカソード、１層以上の有機物層およびアノードが順次積層された逆方向構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｔｙｐｅ）の有機発光素子であってもよい。
以下では、上述した有機物層の具体的な内容、その材料および製造方法について説明する。ただし、本発明の有機発光素子は、有機物層が前述の化合物を含むことを除いては、当技術分野で知られている材料および方法で製造されてもよい。
本発明の一実施形態による有機発光素子は、有機物層の少なくとも１層が前記化学式１の化合物を含むコーティング組成物を用いて形成される。これを除いては、当技術分野で知られている材料と方法で製造されてもよい。
例えば、本発明の有機発光素子は、基板上にアノード、有機物層およびカソードを順次積層することにより製造してもよい。このとき、スパッタリング法（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）や電子ビーム蒸発法（ｅ－ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のようなＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて、基板上に金属または導電性を有する金属酸化物またはそれらの合金を蒸着してアノードを形成し、その上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層、電子輸送層、正孔輸送および注入層ならびに、電子輸送および注入層のうち１層以上を含む有機物層溶液工程、蒸着工程等を通じて形成した後、その上にカソードとして使用できる物質を蒸着させることによって製造され得る。このような方法の他にも、基板上にカソード物質から有機物層、アノード物質を順次蒸着して有機発光素子を作製してもよい。
本発明の一実施形態はまた、前記コーティング組成物を用いて形成された有機発光素子の製造方法を提供する。
具体的には、本発明の一実施形態によれば、第１の電極を準備する段階；前記第１の電極上に１層以上の有機物層を形成する段階；および前記１層以上の有機物層上に第２の電極を形成する段階を含み、前記１層以上の有機物層を形成する段階は、前記コーティング組成物を用いて有機物層を形成する段階を含む。
本発明の一実施形態によれば、前記コーティング組成物を用いて１層以上の有機物層を形成する段階は、スピンコーティング方法を用いる。
本発明の他の実施形態によれば、前記コーティング組成物を用いて少なくとも１層の有機物層を形成する段階は、印刷法を使用する。
本発明の一実施形態によれば、前記印刷法は、例えば、インクジェットプリンティング、ノズルプリンティング、オフセットプリンティング、転写プリンティング、またはスクリーンプリンティングなどがあるが、前記の印刷方法に限定されない。
本発明の一実施形態によるコーティング組成物は、構造的な特性によって溶液工程が適しており、印刷法によって形成することができるため、素子の製造時に時間およびコストなど経済的効果がある。
本発明の一実施形態によれば、前記コーティング組成物を用いて少なくとも１層の有機物層を形成する段階は、前記コーティング組成物をコーティングする段階；および前記コーティングされたコーティング組成物を熱処理または光処理する段階を含む。
本発明の一実施形態によれば、前記コーティング組成物を用いて少なくとも１層の有機物層を形成する段階は、前記第１の電極または少なくとも１層の有機物層上にコーティング組成物をコーティングする段階；および前記コーティングされたコーティング組成物を熱処理または光処理する段階を含む。
本発明の一実施形態によれば、前記熱処理する段階は、熱処理を介して行われることができ、熱処理する段階における熱処理温度は８５℃～２５０℃であり、一実施形態によれば１００℃～２５０℃であり、他の一実施形態において、１５０℃～２５０℃であってもよい。
本発明の一実施形態によれば、前記熱処理する段階における熱処理時間は１分～２時間であり、一実施形態によれば１分～１時間であり、他の一実施形態において、１０分～１時間であってもよい。好ましい一例として、前記熱処理する段階における熱処理時間は２０分～４０分である。
前記コーティング組成物を用いて形成された１層以上の有機物層を形成する段階で前記熱処理または光処理段階を含む場合には、コーティング組成物に含まれた複数の前記化合物が架橋を形成して薄膜化された構造が含まれた有機物層を提供することができる。このとき、前記コーティング組成物を用いて形成された有機物層の表面上に他の層を積層する際、溶媒によって溶解されたり、形態学的に影響されたり、分解されることを防止することができる。
従って、前記コーティング組成物を用いて形成された有機物層が熱処理または光処理の段階を含んで形成された場合には、溶媒に対する抵抗性が増加して溶液蒸着および架橋方法を繰り返し行って多層を形成することができ、安定性が増加して素子の寿命特性を向上させることができる。
以下では、上述したアノード、カソードおよび具体的な有機物層の材料について詳細に説明する。
前記アノード物質としては、通常、有機物層への正孔の注入が円滑になるように、仕事関数の大きい物質が好ましい。例えば、バナジウム、クロム、銅、亜鉛、金のような金属またはそれらの合金；酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）のような金属酸化物；ＺｎＯ：ＡｌまたはＳｎＯ２：Ｓｂなどの金属と酸化物の組み合わせ；ポリ（３－メチルチオフェン）、ポリ［３，４－（エチレン－１，２－ジオキシ）チオフェン］（ＰＥＤＯＴ）、ポリピロールおよびポリアニリンなどの導電性高分子などがあるが、これらに限定されない。
前記カソード物質としては、通常、有機物層への電子の注入が容易になるように、仕事関数の小さい物質であることが好ましい。例えば、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、錫、および鉛のような金属またはそれらの合金；ＬｉＦ／ＡｌまたはＬｉＯ２／Ａｌなどの多層構造物質などがあるが、これらに限定されるものではない。
前記発光層は、ホスト材料および／またはドーパント材料を含んでもよい。
前記ホスト材料としては、縮合芳香族環誘導体またはヘテロ環含有化合物などがある。具体的に、縮合芳香族環誘導体としては、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、ナフタレン誘導体、ペンタセン誘導体、フェナントレン化合物、フルオランテン化合物などがあり、ヘテロ環含有化合物としては、ジベンゾフラン誘導体、ラダー型フラン化合物、ピリミジン誘導体などがあるが、これらに限定されない。
本発明の一実施形態によれば、前記ホスト材料としては、上述したホスト材料の中から選択される２以上のホスト材料を混合して使用してもよい。一例として、アントラセン誘導体およびピレン誘導体を１：９９～９９：１の重量比で混合して使用してもよい。より具体的な一例として、アントラセン誘導体およびピレン誘導体を９２：８の重量比で混合して使用してもよい。
前記ドーパント材料としては、芳香族アミン誘導体、スチリルアミン化合物、ホウ素錯体、フルオランテン化合物、金属錯体などがある。具体的には、芳香族アミン誘導体としては、置換または非置換のアリールアミン基を有する縮合芳香族環誘導体として、アリールアミン基を有するピレン、アントラセン、クリセン、ペリフランテンなどがある。また、スチリルアミン化合物は、置換または非置換のアリールアミンに少なくとも１つのアリールビニル基が置換されている化合物であり、アリール基、シリル基、アルキル基、シクロアルキル基およびアリールアミン基からなる群から１または２以上選択される置換基が置換または非置換される。具体的には、スチリルアミン、スチリルジアミン、スチリルトリアミン、スチリルテトラアミンなどがあるが、これらに限定されない。また、金属錯体としては、イリジウム錯体、白金錯体などがあるが、これらに限定されない。
前記正孔注入層は、電極から正孔を受け取る層である。正孔注入物質は、正孔を輸送する能力を有し、アノードから正孔受け取り効果および発光層または発光材料に対して優れた正孔注入効果を有するものが好ましい。また、発光層で生成されたエキシトンの電子注入層または電子注入材料への移動を防止できる能力に優れた物質が好ましい。また、薄膜形成能力に優れた物質が好ましい。また、正孔注入物質のＨＯＭＯがアノード物質の仕事関数と周辺有機物層のＨＯＭＯの間であることが好ましい。正孔注入物質の具体例としては、金属ポルフィリン（ｐｏｒｐｈｙｒｉｎ）、オリゴチオフェン、アリールアミン系の有機物；ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン系の有機物；キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）系の有機物；ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）系の有機物；アントラキノン、ポリアニリンなどのポリチオフェン系列の導電性高分子などがあるが、これに限定されるものではない。本発明の一実施形態によれば、前記正孔注入物質は、前記化学式１の化合物；または、前記化学式１の化合物を含むコーティング組成物またはその硬化物である。
前記正孔輸送層は、正孔注入層から正孔を受け取って発光層まで正孔を輸送する層であり、単層または２層以上の多層構造であってもよい。正孔輸送物質としては、アノードや正孔注入層から正孔を受け取って発光層に移すことのできる物質で、正孔に対する移動性の大きい物質が好ましい。本発明では、正孔輸送物質として前述した化学式１の化合物が含まれてもよい。また、必要に応じて前記化学式１の化合物以外に他の正孔輸送物質をさらに含んでもよい。これに対する具体例としては、アリールアミン系の有機物、カルバゾール系化合物、導電性高分子、および共役部分と非共役部分が一緒にあるブロック共重合体等があるが、これに限定されるものではない。本発明の一実施形態によれば、前記正孔輸送物質は前記化学式１の化合物；または、前記化学式１の化合物を含むコーティング組成物またはその硬化物である。
前記電子輸送層は、電子注入層から電子を受け取り、発光層まで電子を輸送する層である。電子輸送物質としては、カソードから電子の注入をうまく受けて発光層に移すことができる物質であり、電子に対する移動性の大きい物質が好適である。具体例としては、８－ヒドロキシキノリンのＡｌ錯体；Ａｌｑ３を含む錯体；有機ラジカル化合物；ヒドロキシフラボン－金属錯体などがあるが、これらに限定されるものではない。電子輸送層は、従来技術に従って使用されたように、任意の所望のカソード物質と共に使用してもよい。特に、適切なカソード物質は、低い仕事関数を有し、アルミニウム層または銀層が後次ぐ通常の物質である。具体的には、セシウム、バリウム、カルシウム、イッテルビウムおよびサマリウムなどがあり、それぞれの場合、アルミニウム層またはシルバー層が後次ぐ。
前記電子注入層は、電極から電子を受け取る層である。電子注入物質としては、電子を輸送する能力に優れ、カソードからの電子受取効果、発光層または発光材料に対して優れた電子注入効果を有するものが好ましい。また、発光層で生成されたエキシトンが正孔注入層に移動することを防止し、薄膜形成能力に優れた物質が好ましい。具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントロンなどとそれらの誘導体、金属錯体化合物および含窒素五員環誘導体などがあるが、これらに限定されない。前記金属錯体化合物としては、８－ヒドロキシキノリナトリチウム、ビス（８－ヒドロキシキノリナト）亜鉛、ビス（８－ヒドロキシキノリナト）銅、ビス（８－ヒドロキシキノリナト）マンガン、トリス（８－ヒドロキシキノリナト）アルミニウム、トリス（２－メチル－８－ヒドロキシキノリナト）アルミニウム、トリス（８－ヒドロキシキノリナト）ガリウム、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］）キノリナト）ベリリウム、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）亜鉛、ビス（２－メチル－８－キノリナト）クロロガリウム、ビス（２－メチル－８－キノリナト）（ｏ－クレゾラト）ガリウム、ビス（２－メチル－８－キノリナト）（１－ナフトラト）アルミニウム、ビス（２－メチル－８－キノリナト）（２－ナフトラト）ガリウムなどがあるが、これに限定されない。
前記電子遮断層は、電子注入層から注入された電子が発光層を通過して正孔注入層に進入するのを防ぎ、素子の寿命または効率を向上させることができる層である。前記電子遮断層は、前記発光層と正孔注入層との間に、または前記発光層と正孔注入および正孔輸送を同時に行う層との間に、前述の化学式２の化合物を用いて形成されてもよい。また、必要に応じて、前記化学式２の化合物以外に、他の公知の電子遮断物質をさらに含んでもよい。
前記正孔遮断層は、正孔のカソードに到達することを阻止する層であり、一般に電子注入層と同じ条件で形成され得る。前記正孔遮断層物質としては、具体的には、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、アルミニウム錯体（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｃｏｍｐｌｅｘ）などがあるが、これらに限定されるものではない。
前記正孔注入および輸送層は、上述した正孔注入層および正孔輸送層の材料を含んでもよい。
前記電子注入および輸送層は、上述した電子注入層および電子輸送層の材料を含んでもよい。
前記有機発光素子が複数の有機物層を含む場合、前記有機物層は同じ物質または異なる物質で形成されてもよい。
本発明に係る有機発光素子は、使用される材料に応じて、前面発光型、後面発光型、または両面発光型であってもよい。
本発明の一実施形態は、前記化学式１の化合物；あるいは、前記化学式１の化合物を含むコーティング組成物またはその硬化物を含むか、前記コーティング組成物を用いて形成された有機物層を含む有機発光素子を含む電子装置を提供する。
前記電子装置は、半導体素子の層間絶縁膜、カラーフィルタ、ブラックマトリックス、オーバーコート、カラムスペーサ、パッシベーション膜、バッファコート膜、多層プリント基板用絶縁膜、フレキシブル銅被覆板のカバーコート、バッファコート膜、多層プリント基板用絶縁膜、ソルダーレジスト膜、ＯＬＥＤの絶縁膜、液晶表示素子の薄膜トランジスタの保護膜、有機ＥＬ素子の電極保護膜および半導体保護膜、ＯＬＥＤ絶縁膜、ＬＣＤ絶縁膜、半導体絶縁膜、太陽光モジュール、タッチパネル、ディスプレイパネルなどのディスプレイ装置等を全て含むものであってもよいが、これに限定されるものではない。
以下、本発明を具体的に説明するために、実施例を挙げて詳細に説明する。しかしながら、本発明に係る実施形態は、様々な他の形態に変更することができ、本発明の範囲は以下に説明する実施形態に限定されるものと解釈されてはならない。本発明の実施形態は、当技術分野において平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
＜製造例＞
＜製造例１．化合物１の製造＞
１）中間体１－１の合成
１－ブロモ－４－フルオロベンゼン［１－ｂｒｏｍｏ－４－ｆｌｕｏｒｏｂｅｎｚｅｎｅ］（２７．９ｍＬ、２５５ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ、以下、ＴＨＦという）（５００ｍＬ）に入れた。窒素置換した後、－７８℃に冷却した。ｎ－ＢｕＬｉ（２．５Ｍ Ｈｅｘ）（９６ｍＬ、２４０ｍｍｏｌ）をドロッピングファンネル（ｄｒｏｐｐｉｎｇ ｆｕｎｎｅｌ）に入れた後、反応混合物にゆっくりと投入した。－７８℃で３０分間撹拌した。２－ブロモフルオレン［２－ｂｒｏｍｏｆｌｕｏｒｅｎｏｎｅ］（３８．９ｇ、１５０ｍｍｏｌ）を投入した。ゆっくりと常温に上げながら一晩撹拌した。蒸留水を投入して反応を終結した後、酢酸エチルと水で抽出した。有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥させ、濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去し、次の反応に用いた。
２）中間体１－２の合成
中間体１－１（~５３ｇ、１５０ｍｍｏｌ）、ｐｈｅｎｏｌ（７０．６ｇ、７５０ｍｍｏｌ）を丸底フラスコ（ＲＢＦ、以下、ＲＢＦという）に入れた。ＣＨ３ＳＯ３Ｈ（２１４ｍＬ）を入れた後、６０℃で４時間撹拌した。氷水を投入した後、酢酸エチルと水で抽出した。有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥させ、濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ジクロロメタン（Ｄｉｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈａｎｅ）／ヘプタン（Ｈｅｐｔａｎｅ）条件で結晶化して中間体１－２を４０．６ｇ確保した。
３）中間体１－３の合成
中間体１－２（４０ｇ、９２．７ｍｍｏｌ）、４－ニトロベンズアルデヒド［４－ｎｉｔｒｏｂｅｎｚａｌｄｅｈｙｄｅ］（２１．２ｇ、１３９ｍｍｏｌ）、Ｃｕ（ＯＡｃ）２（８４２ｍｇ、４．６４ｍｍｏｌ）、Ｃｓ２ＣＯ３（４５．３ｇ、１３９ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ、以下、ＤＭＦという）（３１０ｍＬ）を加え、１００℃で４時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／Ｈｅｐｔａｎｅ条件で結晶化して中間体１－３を３８．７ｇ確保した。
４）中間体１－４の合成
ＣＨ３ＰＰｈ３Ｂｒ（５１．６ｇ、１４４．６ｍｍｏｌ）、カリウムtert-ブトキシド［ＫＯｔＢｕ］（１６．２ｇ、１４４．６ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ（２１７ｍＬ）をＲＢＦに入れた後、０℃に冷却した。中間体１－３（３８．７ｇ、７２．３ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（１４４ｍＬ）に溶解した溶液を反応混合物に投入した。常温に昇温し、１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して中間体１－４を３３．７ｇ確保した。
５）化合物１の合成
４－アミノジベンゾフラン［４－ａｍｉｎｏｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎ］（５１３ｍｇ、２．８ｍｍｏｌ）、中間体１－４（３．１ｇ、５．７４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２（７２ｍｇ、０．１４ｍｍｏｌ）とＮａＯｔＢｕ（１．０８ｇ、１１．２ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、トルエン（１４ｍＬ）を入れ、９０℃で１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して化合物１を２．９ｇ確保した。化合物の合成は、ＬＣ－ＭＳとＮＭＲによって確認した。ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝１０８８
化合物１のＮＭＲ測定値：１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ８．０７（ｄｄ，１Ｈ）、７．９２（ｄ，１Ｈ）、７．８２（ｄｄ，４Ｈ）、７．４６（ｄｄ，４Ｈ）、７．３９－７．２４（ｍ，１０Ｈ）、７．２１（ｄｄ，１Ｈ）、７．１０（ｍ，２Ｈ）、６．９７－６．８３（ｍ，１８Ｈ）、６．７２（ｄｄ，２Ｈ）、６．６５（ｄ，４Ｈ）、５．７５（ｄ，２Ｈ）、５．２１（ｄ，２Ｈ）
＜製造例２．化合物２の製造＞
３－アミノジベンゾフラン［３－ａｍｉｎｏｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎ］（５１３ｍｇ、２．８ｍｍｏｌ）、中間体１－４（３．１ｇ、５．７４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２（７２ｍｇ、０．１４ｍｍｏｌ）とＮａＯｔＢｕ（１．０８ｇ、１１．２ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、トルエン（１４ｍＬ）を加え、９０℃で１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して化合物２を２．５ｇ確保した。化合物の合成は、ＬＣ－ＭＳとＮＭＲによって確認した。ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝１０８８
化合物２のＮＭＲ測定値：１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ８．１１（ｓ，１Ｈ）、８．０７（ｄｄ，１Ｈ）、７．８５（ｄ，１Ｈ）、７．８２（ｄｄ，４Ｈ）、７．４６（ｄｄ，４Ｈ）、７．３９－７．２０（ｍ，１０Ｈ）、７．０８（ｍ，２Ｈ）、６．９７－６．８３（ｍ，１８Ｈ）、６．７２（ｄｄ，２Ｈ）、６．６５（ｄ，４Ｈ）、５．７５（ｄ，２Ｈ）、５．２１（ｄ，２Ｈ）
＜製造例３．化合物３の製造＞
２－アミノ－９，９－ジメチルフルオレン［２－ａｍｉｎｏ－９，９－ｄｉｍｅｔｈｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ］（５８６ｍｇ、２．８ｍｍｏｌ）、中間体１－４（３．１ｇ、５．７４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２（７２ｍｇ）、０．１４ｍｍｏｌ）とＮａＯｔＢｕ（１．０８ｇ、１１．２ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、トルエン（１４ｍＬ）を加え、９０℃で１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して化合物３を２．６ｇ確保した。化合物の合成は、ＬＣ－ＭＳとＮＭＲによって確認した。ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝１１１４
化合物３のＮＭＲ測定値：１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ７．９５（ｄｄ，１Ｈ）、７．９０（ｄｄ，１Ｈ）、７．８４（ｄｄ，４Ｈ）、７．４６（ｄｄ，４Ｈ）、７．３９－７．２０（ｍ，１１Ｈ）、７．０８（ｍ，２Ｈ）、６．９７－６．８３（ｍ，１８Ｈ）、６．７２（ｄｄ，２Ｈ）、６．６５（ｄ，４Ｈ）、５．７５（ｄ，２Ｈ）、５．２１（ｄ，２Ｈ）、１．６８（ｓ，６Ｈ）
＜製造例４．化合物４の製造＞
１）中間体４－１の製造
中間体１－２（４５ｇ、１０４ｍｍｏｌ）、フェニルトリプルイミド（８１．８ｇ、２２９ｍｍｏｌ）とＤＭＡＰ（４－ジメチルアミロピリジン）（２．５４ｇ、２１ｍｍｏｌ）を丸底フラスコに入れた。ジクロロメタン（４１６ｍＬ）とトリエチルアミン（３７．７ｍＬ、２７０ｍｍｏｌ）を加え、常温で１時間撹拌した。ジクロロメタンと３％ＨＣｌ水溶液で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。ジクロロメタン／ヘプタン条件で結晶化して中間体４－１（５２．５ｇ）を製造した。
３）中間体４－２の製造
中間体４－１（５２．２ｇ、９２．７ｍｍｏｌ）、カリウムビニルトリフルオロボレート（２７．３ｇ、２０４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２（３．４ｇ、４．６ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＣＯ３（５１．２ｇ、９７１ｍｍｏｌ）を丸底フラスコに入れた。窒素置換した後、ＴＨＦ（３７１ｍＬ）とＨ２Ｏ（９３ｍＬ）を投入し、９０℃で４時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して中間体４－２（３４ｇ）を製造した。
５）化合物４の製造
４－アミノジベンゾフラン［４－ａｍｉｎｏｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎ］（５１３ｍｇ、２．８ｍｍｏｌ）、中間体４－２（２．５３ｇ、５．７４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２（７２ｍｇ、０．１４ｍｍｏｌ）とＮａＯｔＢｕ（１．０８ｇ、１．ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、トルエン（１４ｍＬ）を加え、９０℃で１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して化合物４を２．０ｇ確保した。化合物の合成は、ＬＣ－ＭＳとＮＭＲによって確認した。ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝９０４
化合物４のＮＭＲ測定値：１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ－ｄ６）δ８．０７（ｄｄ，１Ｈ）、７．９２（ｄ，１Ｈ）、７．６３（ｄｄ，４Ｈ）、７．３９－７．２４（ｍ，１０Ｈ）、７．２１（ｄｄ，１Ｈ）、７．１０（ｍ，２Ｈ）、６．９７－６．８３（ｍ，１８Ｈ）、６．７２（ｄｄ，２Ｈ）、５．７５（ｄ，２Ｈ）、５．２１（ｄ，２Ｈ）
＜製造例５．化合物５の製造＞
２－アミノ－９，９－ジメチルフルオレン［２－ａｍｉｎｏ－９，９－ｄｉｍｅｔｈｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ］（５８６ｍｇ、２．８ｍｍｏｌ）、中間体４‐２（２．５３ｇ、５．７４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２（７２ｍｇ、０．１４ｍｍｏｌ）とＮａＯｔＢｕ（１．０８ｇ、１１．２ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、トルエン（１４ｍＬ）を加え、９０℃で１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して化合物５を２．１ｇ確保した。化合物の合成は、ＬＣ－ＭＳとＮＭＲによって確認した。ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝９３０
化合物５のＮＭＲ測定値：１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ－ｄ６）δ７．９５（ｄｄ，１Ｈ）、７．９０（ｄｄ，１Ｈ）、７．８４（ｄｄ，４Ｈ）、７．３９－７．２０（ｍ，１１Ｈ）、７．０８（ｍ，２Ｈ）、６．９７－６．８３（ｍ，１８Ｈ）、６．７２（ｄｄ，２Ｈ）、５．７５（ｄ，２Ｈ）、５．２１（ｄ，２Ｈ）、１．６８（ｓ，６Ｈ）
＜製造例６．化合物６の製造＞
１）中間体６－１の製造
中間体４‐１（１１．３ｇ、２０ｍｍｏｌ）、４－ビニルフェニルボロン酸（６．５１ｇ、４４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（１．１６ｇ、１ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＣＯ３（１１ｇ、８０ｍｍｏｌ）を丸底フラスコに入れた。その後窒素置換した後、ＴＨＦ（６４ｍＬ）とＨ２Ｏ（１６ｍＬ）を投入した。９０℃で４時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して中間体６－１（７ｇ）を製造した。
２）化合物６の製造
４－アミノジベンゾフラン［４－ａｍｉｎｏｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎ］（５１３ｍｇ、２．８ｍｍｏｌ）、中間体６－１（２．９７ｇ、５．７４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２（７２ｍｇ、０．１４ｍｍｏｌ）とＮａＯｔＢｕ（１．０８ｇ、１１．２ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、トルエン（１４ｍＬ）を加え、９０℃で１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して化合物６を２．８ｇ確保した。化合物の合成は、ＬＣ－ＭＳとＮＭＲによって確認した。ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝１０５６
化合物６のＮＭＲ測定値：１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ－ｄ６）δ８．０７（ｄｄ，１Ｈ）、７．９２（ｄ，１Ｈ）、７．６３（ｄｄ，４Ｈ）、７．６３－７．５０（ｍ，１２Ｈ）、７．４０－７．２７（ｍ，１７Ｈ）、６．９７－６．８０（ｍ，１０Ｈ）、６．７２（ｄｄ，２Ｈ）、５．７５（ｄ，２Ｈ）、５．２１（ｄ，２Ｈ）
＜製造例７．化合物７の製造＞
１）中間体７－１の合成
１－ブロモ－２，６－ジフルオロベンゼン［１－ｂｒｏｍｏ－２，６－ｄｉｆｌｕｏｒｏｂｅｎｚｅｎｅ］（２９．４ｍＬ、２５５ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（５００ｍＬ）に入れる。窒素置換した後、－７８℃に冷却した。ｎ－ＢｕＬｉ（２．５Ｍ Ｈｅｘ）（９６ｍＬ、２４０ｍｍｏｌ）をｄｒｏｐｐｉｎｇ ｆｕｎｎｅｌに入れた後、反応混合物にゆっくりと投入した。－７８℃で３０分間撹拌した。２－ブロモフルオレノン［２－ｂｒｏｍｏｆｌｕｏｒｅｎｏｎｅ］（３８．９ｇ、１５０ｍｍｏｌ）を投入し、ゆっくりと常温に上げながら一晩撹拌した。蒸留水を投入して反応を終結した後、酢酸エチルと水で抽出した。有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥させ、濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去し、次の反応に用いた。
２）中間体７－２の合成
中間体７－１（５６ｇ、１５０ｍｍｏｌ）、フェノール［ｐｈｅｎｏｌ］（７０．６ｇ、７５０ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。ＣＨ３ＳＯ３Ｈ（２１４ｍＬ）を入れた後、６０℃で４時間撹拌した。氷水を投入した後、酢酸エチルと水で抽出した。有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥させ、濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／Ｈｅｐｔａｎｅ条件で結晶化して中間体７－２を４５．２ｇ確保した。
３）中間体７－３の合成
中間体７－２（４５．２ｇ、１００ｍｍｏｌ）、４－ニトロベンズアルデヒド［４－ｎｉｔｒｏｂｅｎｚａｌｄｅｈｙｄｅ］（２２．８ｇ、１５０ｍｍｏｌ）、Ｃｕ（ＯＡｃ）２（９０８ｍｇ、５ｍｍｏｌ）、Ｃｓ２ＣＯ３（４８．９ｇ、１５０ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。ＤＭＦ（３３３ｍＬ）を加え、１００℃で４時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／Ｈｅｐｔａｎｅ条件で結晶化して中間体７－３を３９．８ｇ確保した。
４）中間体７－４の合成
ＣＨ３ＰＰｈ３Ｂｒ（５１．４ｇ、１４４ｍｍｏｌ）、ＫＯｔＢｕ（１６．２ｇ、１４４ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ（２１６ｍＬ）をＲＢＦに入れた後、０℃に冷却した。中間体７－３（３９．８ｇ、７２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（１４４ｍＬ）に溶解した溶液を反応混合物に投入し、常温に昇温しながら１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して中間体７－４を３４．８ｇ確保した。
５）化合物７の合成
４－アミノジベンゾフラン［４－ａｍｉｎｏｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎ］（５１３ｍｇ、２．８ｍｍｏｌ）、中間体７－４（３．２ｇ、５．７４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２（７２ｍｇ、０．１４ｍｍｏｌ）とＮａＯｔＢｕ（１．０８ｇ、１１．２ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、トルエン（１４ｍＬ）を加え、９０℃で１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して化合物７を２．７ｇ確保した。化合物の合成は、ＬＣ－ＭＳとＮＭＲによって確認した。ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝１１２４
化合物７のＮＭＲ測定値：１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ８．０４（ｄｄ，１Ｈ）、７．９０（ｄ，１Ｈ）、７．７８（ｄｄ，４Ｈ）、７．４８－７．４１（ｍ，６Ｈ）、７．３４（ｔ，２Ｈ）、７．２８－７．１８（ｍ，８Ｈ）、７．１４－７．０５（ｍ，５Ｈ）、６．９７（ｄｄ，４Ｈ）、６．８８－６．８１（ｍ，８Ｈ）、６．７２（ｄｄ，２Ｈ）、６．６０（ｄｄ，４Ｈ）、５．７４（ｄ，２Ｈ）、５．２１（ｄ，２Ｈ）
＜製造例８．化合物８の製造＞
２－アミノ－９，９－ジメチルフルオレン［２－ａｍｉｎｏ－９，９－ｄｉｍｅｔｈｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ］（５８６ｍｇ、２．８ｍｍｏｌ）、中間体７－４（３．２ｇ、５．７４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２（７２ｍｇ、０．１４ｍｍｏｌ）とＮａＯｔＢｕ（１．０８ｇ、１１．２ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、トルエン（１４ｍＬ）を加え、９０℃で１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して化合物８を２．１ｇ確保した。化合物の合成は、ＬＣ－ＭＳとＮＭＲによって確認した。ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝１１５０
化合物８のＮＭＲ測定値：１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ７．９５（ｄｄ，１Ｈ）、７．９０（ｄｄ，１Ｈ）、７．８４（ｄｄ，４Ｈ）、７．４６（ｄｄ，４Ｈ）、７．３９－７．２０（ｍ，１１Ｈ）、７．０８（ｍ，２Ｈ）、６．９７－６．８５（ｍ，１６Ｈ）、６．７３（ｄｄ，２Ｈ）、６．６０（ｄｄ，４Ｈ）、５．７５（ｄ，２Ｈ）、５．２１（ｄ，２Ｈ）、１．６８（ｓ，６Ｈ）
＜製造例９．化合物９の製造＞
１）中間体９－１の合成
１－ブロモ－２，３，４，５－テトラフルオロベンゼン［１－ｂｒｏｍｏ－２，３，４，５－ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｅｎｚｅｎｅ］（３１．８ｍＬ、２５５ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（５００ｍＬ）に入れ、窒素置換後、－７８℃に冷却した。ｎ－ＢｕＬｉ（２．５Ｍ Ｈｅｘ）（９６ｍＬ、２４０ｍｍｏｌ）をｄｒｏｐｐｉｎｇ ｆｕｎｎｅｌに入れた後、反応混合物にゆっくり投入し、－７８℃で３０分間撹拌した。２－ブロモフルオレノン［２－ｂｒｏｍｏｆｌｕｏｒｅｎｏｎｅ］（３８．９ｇ、１５０ｍｍｏｌ）を投入した。ゆっくりと常温に上げながら一晩撹拌した。蒸留水を投入して反応を終結した後、酢酸エチルと水で抽出した。有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥させ、濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去し、次の反応に用いた。
２）中間体９－２の合成
中間体９－１（６４．１ｇ、１５０ｍｍｏｌ）、フェノール［ｐｈｅｎｏｌ］（７０．６ｇ、７５０ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。ＣＨ３ＳＯ３Ｈ（２１４ｍＬ）を入れた後、６０℃で４時間撹拌した。氷水を投入した後、酢酸エチルと水で抽出した。有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥させ、濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／Ｈｅｐｔａｎｅ条件で結晶化して中間体９－２を５２．８ｇ確保した。
３）中間体９－３の合成
中間体９－２（５０．３ｇ、１００ｍｍｏｌ）、４－ニトロベンズアルデヒド［４－ｎｉｔｒｏｂｅｎｚａｌｄｅｈｙｄｅ］（２２．８ｇ、１５０ｍｍｏｌ）、Ｃｕ（ＯＡｃ）２（９０８ｍｇ、５ｍｍｏｌ）、Ｃｓ２ＣＯ３（４８．９ｇ、１５０ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。ＤＭＦ（３３３ｍＬ）を加え、１００℃で４時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／Ｈｅｐｔａｎｅ条件で結晶化して中間体９－３を４８．６ｇ確保した。
４）中間体９－４の合成
ＣＨ３ＰＰｈ３Ｂｒ（５１．４ｇ、１４４ｍｍｏｌ）、ＫＯｔＢｕ（１６．２ｇ、１４４ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ（２１６ｍＬ）をＲＢＦに入れた後、０℃に冷却した。中間体９－３（４３．７ｇ、７２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（１４４ｍＬ）に溶解した溶液を反応混合物に投入し、常温に昇温しながら１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して中間体９－４を３１ｇ確保した。
５）化合物９の合成
３－アミノジベンゾフラン［３－ａｍｉｎｏｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎ］（５１３ｍｇ、２．８ｍｍｏｌ）、中間体９－４（３．５ｇ、５．７４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２（７２ｍｇ、０．１４ｍｍｏｌ）とＮａＯｔＢｕ（１．０８ｇ、１１．２ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、トルエン（１４ｍＬ）を入れ、９０℃で１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して化合物９を２．３ｇ確保した。化合物の合成は、ＬＣ－ＭＳとＮＭＲによって確認した。ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝１２３２
化合物９のＮＭＲ測定値：１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ８．０４（ｄｄ，１Ｈ）、７．９０（ｄ，１Ｈ）、７．７８（ｄｄ，４Ｈ）、７．４８－７．４１（ｍ，６Ｈ）、７．３４（ｔ，２Ｈ）、７．２８－７．１８（ｍ，８Ｈ）、７．１４－７．０５（ｍ，５Ｈ）、６．９７－６．８８（ｍ，６Ｈ）、６．７２（ｄｄ，２Ｈ）、６．６０（ｄｄ，４Ｈ）、５．７４（ｄ，２Ｈ）、５．２１（ｄ，２Ｈ）
＜製造例１０．化合物１０の製造＞
２－アミノ－９，９ージメチルフルオレン［２－ａｍｉｎｏ－９，９－ｄｉｍｅｔｈｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ］（５８６ｍｇ、２．８ｍｍｏｌ）、中間体９－４（３．５ｇ、５．７４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２（７２ｍｇ、０．１４ｍｍｏｌ）とナトリウムtert-ブトキシド［ＮａＯｔＢｕ］（１．０８ｇ、１１．２ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、トルエン（１４ｍＬ）を加え、９０℃で１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して化合物１０を２．１ｇ確保した。化合物の合成は、ＬＣ－ＭＳとＮＭＲによって確認した。ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝１２５８
化合物１０のＮＭＲ測定値：１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ－ｄ６）δ７．９５（ｄｄ，１Ｈ）、７．９０（ｄｄ，１Ｈ）、７．８２（ｄｄ，４Ｈ）、７．４６（ｄｄ，４Ｈ）、７．３９－７．２０（ｍ，１１Ｈ）、７．０８（ｍ，２Ｈ）、６．９０－６．８３（ｍ，１０Ｈ）、６．７２（ｄｄ，２Ｈ）、６．６４（ｄ，４Ｈ）、５．７５（ｄ，２Ｈ）、５．２１（ｄ，２Ｈ）、１．６８（ｓ，６Ｈ）
＜製造例１１．化合物１１の製造＞
１）中間体１１－１の合成
５－ブロモ－２－フルオロベンゼン［５－ｂｒｏｍｏ－２－ｆｌｕｏｒｏｂｅｎｚｅｎｅ］（３１．７ｍＬ、２５５ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（５００ｍＬ）に入れ、窒素置換した後、－７８℃に冷却した。ｎ－ＢｕＬｉ（２．５Ｍ Ｈｅｘ）（９６ｍＬ、２４０ｍｍｏｌ）をｄｒｏｐｐｉｎｇ ｆｕｎｎｅｌに入れた後、反応混合物にゆっくり投入し、－７８℃で３０分間撹拌した。２－ブロモフルオレノン［２－ｂｒｏｍｏｆｌｕｏｒｅｎｏｎｅ］（３８．９ｇ、１５０ｍｍｏｌ）を投入した。ゆっくりと常温に上げながら一晩撹拌した。蒸留水を投入して反応を終結した後、酢酸エチルと水で抽出した。有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥させ、濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去し、中間体１１－１を確保して次の反応に用いた。
２）中間体１１－２の合成
中間体１１－１（５５．４ｇ、１５０ｍｍｏｌ）、フェノール［ｐｈｅｎｏｌ］（７０．６ｇ、７５０ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。ＣＨ３ＳＯ３Ｈ（２１４ｍＬ）を加えた後、６０℃で４時間撹拌した。氷水を投入した後、酢酸エチルと水で抽出した。有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥させ、濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／Ｈｅｐｔａｎｅ条件で結晶化して中間体１１－２を４４．８ｇ確保した。
３）中間体１１－３の合成
中間体１１－２（４４．５ｇ、１００ｍｍｏｌ）、４－ニトロベンズアルデヒド［４－ｎｉｔｒｏｂｅｎｚａｌｄｅｈｙｄｅ］（２２．８ｇ、１５０ｍｍｏｌ）、Ｃｕ（ＯＡｃ）２（９０８ｍｇ、５ｍｍｏｌ）、Ｃｓ２ＣＯ３（４８．９ｇ、１５０ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。ＤＭＦ（３３３ｍＬ）を加え、１００℃で４時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／Ｈｅｐｔａｎｅ条件で結晶化して中間体１１－３を４５ｇ確保した。
４）中間体１１－４の合成
ＣＨ３ＰＰｈ３Ｂｒ（５１．４ｇ、１４４ｍｍｏｌ）、ＫＯｔＢｕ（１６．２ｇ、１４４ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ（２１６ｍＬ）をＲＢＦに入れた後、０℃に冷却した。中間体１１－３（３９．６ｇ、７２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（１４４ｍＬ）に溶解した溶液を反応混合物に投入し、常温に昇温し、１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して中間体１１－４を３５．９ｇ確保した。
５）化合物１１の合成
４－アミノジベンゾフラン［４－ａｍｉｎｏｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎ］（５１３ｍｇ、２．８ｍｍｏｌ）、中間体１１－４（３．１４ｇ、５．７４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２（７２ｍｇ、０．１４ｍｍｏｌ）とＮａＯｔＢｕ（１．０８ｇ、１１．２ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、トルエン（１４ｍＬ）を加え、９０℃で１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して化合物１１を２．６ｇ確保した。化合物の合成は、ＬＣ－ＭＳとＮＭＲによって確認した。ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝１１１６
化合物１１のＮＭＲ測定値：１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ－ｄ６）８．０７（ｄｄ，１Ｈ）、７．９２（ｄ，１Ｈ）、７．８２（ｄｄ，４Ｈ）、７．４６（ｄｄ，４Ｈ）、７．３９－７．２４（ｍ，１０Ｈ）、７．２１（ｄｄ，１Ｈ）、７．１０（ｍ，２Ｈ）、６．９７－６．８３（ｍ，１６Ｈ）、６．７２（ｄｄ，２Ｈ）、６．６５（ｄ，４Ｈ）、５．７５（ｄ，２Ｈ）、５．２１（ｄ，２Ｈ）、２．３１（ｓ，６Ｈ）
＜製造例１２．化合物１２の製造＞
（１）中間体１２－１の合成
４－ブロモジベンゾフラン［４－ｂｒｏｍｏｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎ］（２．４７ｇ、１０ｍｍｏｌ）、４－アミノフェニルボロン酸［４－ａｍｉｎｏｐｈｅｎｙｌｂｏｒｏｎｉｃ ａｃｉｄ］（１．６４ｇ、１２ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（５７８ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ））とＫ２ＣＯ３（４．１５ｇ、３０ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、ＴＨＦ（２５ｍＬ）と水（２５ｍＬ）を加え、１００℃で４時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／Ｈｅｐｔａｎｅ条件で結晶化して中間体１２－１を２．１ｇ確保した。
（２）化合物１２の合成
中間体１２－１（６４８ｍｇ、２．５ｍｍｏｌ）、中間体１－４（２．８ｇ、５．２５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２（６４ｍｇ、０．１２５ｍｍｏｌ）とＮａＯｔＢｕ（９６１ｍｇ、１０ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換後、トルエン（１２．５ｍＬ）を加え、９０℃で１時間攪拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥した後、濾過した。ろ液を真空回転濃縮器で乾燥し、有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して、化合物１２を２ｇ確保した。化合物の合成はＬＣ－ＭＳとＮＭＲにより確認した。ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝１１６４
化合物１２のＮＭＲ測定値：１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ－ｄ６）δ８．０２（ｄｄ，１Ｈ）、７．９１（ｄ，１Ｈ）、７．７９（ｄｄ，４Ｈ）、７．４６（ｄｄ，４Ｈ）、７．４２－７．２２（ｍ，１４Ｈ）、７．２１（ｄｄ，１Ｈ）、７．１０（ｍ，２Ｈ）、６．９７－６．８３（ｍ，１８Ｈ）、６．７２（ｄｄ，２Ｈ）、６．６５（ｄ，４Ｈ）、５．７５（ｄ，２Ｈ）、５．２１（ｄ，２Ｈ）
＜製造例１３．化合物１３の製造法＞
（１）中間体１３－１の合成
３－ブロモジベンゾフラン［３－ｂｒｏｍｏｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎ］（２．４７ｇ、１０ｍｍｏｌ）、４－アミノフェニルボロン酸［４－ａｍｉｎｏｐｈｅｎｙｌｂｏｒｏｎｉｃ ａｃｉｄ］（１．６４ｇ、１２ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（５７８ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）とＫ２ＣＯ３（４．１５ｇ、３０ｍｍｏｌ）をＲＢＦに加えた。窒素置換後、ＴＨＦ（２５ｍＬ）と水（２５ｍＬ）を加え、１００℃で４時間攪拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥した後、濾過した。ろ液を真空回転濃縮器で乾燥し、有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／Ｈｅｐｔａｎｅ条件で結晶化して、中間体１３－１を２．２ｇ確保した。
（２）化合物１３の合成
中間体１３－１（６４８ｍｇ、２．５ｍｍｏｌ）、中間体１－４（２．８ｇ、５．２５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２（６４ｍｇ、０．１２５ｍｍｏｌ）とＮａＯｔＢｕ（９６１ｍｇ、１０ｍｍｏｌ）をＲＢＦに加えた。窒素置換後、トルエン（１２．５ｍＬ）を加え、９０℃で１時間攪拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥した後、濾過した。ろ液を真空回転濃縮器で乾燥し、有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して、化合物１３を２．２ｇ確保した。化合物の合成はＬＣ－ＭＳとＮＭＲにより確認した。ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝１１６４
化合物１３のＮＭＲ測定値：１Ｈ ＮＭＲ（５００ｍＨｚ、ＤＭＳＯ－ｄ６）δ８．０５（ｓ，１Ｈ）、８．００（ｄｄ，１Ｈ）、７．８５（ｄ，１Ｈ）、７．８０（ｄｄ，４Ｈ）、７．４６（ｄｄ，４Ｈ）、７．３９－７．２０（ｍ，１４Ｈ）、７．０８（ｍ，２Ｈ）、６．９７－６．８３（ｍ，１８Ｈ）、６．７２（ｄｄ，２Ｈ）、６．６５（ｄ，４Ｈ）、５．７５（ｄ，２Ｈ）、５．２１（ｄ，２Ｈ）
＜製造例１４．化合物１４の製造法＞
（１）中間体１４－１の合成
１－ブロモジベンゾフラン［１－ｂｒｏｍｏｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎ］（２．４７ｇ、１０ｍｍｏｌ）、４－アミノフェニルボロン酸［４－ａｍｉｎｏｐｈｅｎｙｌｂｏｒｏｎｉｃ ａｃｉｄ］（１．６４ｇ、１２ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（５７８ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）とＫ２ＣＯ３（４．１５ｇ、３０ｍｍｏｌ）をＲＢＦに加えた。窒素置換後、ＴＨＦ（２５ｍＬ）と水（２５ｍＬ）を加え、１００℃で４時間攪拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥した後、濾過した。ろ液を真空回転濃縮器で乾燥し、有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／Ｈｅｐｔａｎｅ条件で結晶化して、中間体１４－１を２．１ｇ確保した。
（２）化合物１４の合成
中間体１４－１（６４８ｍｇ、２．５ｍｍｏｌ）、中間体１－４（２．８ｇ、５．２５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２（６４ｍｇ、０．１２５ｍｍｏｌ）とＮａＯｔＢｕ（９６１ｍｇ、１０ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換後、トルエン（１２．５ｍＬ）を加え、９０℃で１時間攪拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥した後、濾過した。ろ液を真空回転濃縮器で乾燥し、有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して、化合物１４を２．１ｇ確保した。化合物の合成はＬＣ－ＭＳとＮＭＲにより確認した。ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝１１６４
化合物１４のＮＭＲ測定値：１Ｈ ＮＭＲ（５００ｍＨｚ、ＤＭＳＯ－ｄ６）δ８．０５（ｄｄ，１Ｈ）、７．９２（ｄ，１Ｈ）、７．７９（ｄｄ，４Ｈ）、７．４６（ｄｄ，４Ｈ）、７．４２－７．２２（ｍ，１４Ｈ）、７．２１（ｄｄ，１Ｈ）、７．１０（ｍ，２Ｈ）、６．９７－６．８３（ｍ，１８Ｈ）、６．７２（ｄｄ，２Ｈ）、６．６５（ｄ，４Ｈ）、５．７５（ｄ，２Ｈ）、５．２１（ｄ，２Ｈ）
＜製造例１５．化合物１５の製造法＞
（１）中間体１５－１の合成
２－ブロモスピロ［フルオレン－９，９’－キサンテン］ ［２－Ｂｒｏｍｏｓｐｉｒｏ［ｆｌｕｏｒｅｎｅ－９，９’－ｘａｎｔｈｅｎｅ］］（４．１１ｇ、１０ｍｍｏｌ）、３－アミノフェニルボロン酸［３－ａｍｉｎｏｐｈｅｎｙｌｂｏｒｏｎｉｃ ａｃｉｄ］（１．６４ｇ、１２ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（５７８ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）とＫ２ＣＯ３（４．１５ｇ、３０ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、ＴＨＦ（２５ｍＬ）と水（２５ｍＬ）を加え、１００℃で４時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／Ｈｅｐｔａｎｅ条件で結晶化して中間体１５－１を３．５ｇ確保した。
（２）化合物１５の合成
中間体１５－１（１．０６ｇ、２．５ｍｍｏｌ）、中間体１－４（２．８ｇ、５．２５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２（６４ｍｇ、０．１２５ｍｍｏｌ）とＮａＯｔＢｕ（９６１ｍｇ、１０ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、トルエン（１２．５ｍＬ）を加え、９０℃で１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して化合物１５を２．３ｇ確保した。化合物の合成は、ＬＣ－ＭＳとＮＭＲによって確認した。ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝１３２８
化合物１５のＮＭＲ測定値：１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ－ｄ６）δ８．０５（ｄｄ，１Ｈ）、７．９４（ｄ，１Ｈ）、７．７５（ｄｄ，４Ｈ）、７．４６（ｄｄ，４Ｈ）、７．４２－７．２２（ｍ，１６Ｈ）、７．１５（ｄｄ，１Ｈ）、７．１０（ｍ，２Ｈ）、７．０１－６．８０（ｍ，２４Ｈ）、６．７２（ｄｄ，２Ｈ）、６．６５（ｄ，４Ｈ）、５．７５（ｄ，２Ｈ）、５．２１（ｄ，２Ｈ）
＜製造例１６．化合物１６の製造＞
スピロ［フルオレン－９，９’－キサンテン］－２’－アミン［ｓｐｉｒｏ［ｆｌｕｏｒｅｎｅ－９，９’－ｘａｎｔｈｅｎ］－２’－ａｍｉｎｅ］（８６９ｍｇ、２．５ｍｍｏｌ）、中間体１－４（２．８ｇ、５．２５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２（６４ｍｇ、０．１２５ｍｍｏｌ）とＮａＯｔＢｕ（９６１ｍｇ、１０ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、トルエン（１２．５ｍＬ）を加え、９０℃で１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して化合物１６を２．１ｇ確保した。化合物の合成は、ＬＣ－ＭＳとＮＭＲによって確認した。ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝１２５２
化合物１６のＮＭＲ測定値：１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ－ｄ６）δ８．０３（ｄｄ，１Ｈ）、７．９２（ｄ，１Ｈ）、７．７４（ｄｄ，４Ｈ）、７．４５（ｄｄ，４Ｈ）、７．４２－７．２２（ｍ，１２Ｈ）、７．１５（ｄｄ，１Ｈ）、７．１０（ｍ，２Ｈ）、７．０１－６．８０（ｍ，２４Ｈ）、６．７２（ｄｄ，２Ｈ）、６．６５（ｄ，４Ｈ）、５．７５（ｄ，２Ｈ）、５．２１（ｄ，２Ｈ）
＜製造例１７．化合物１７の製造＞
９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン－２－アミン［９，９－Ｄｉｍｅｔｈｙｌ－９Ｈ－ｘａｎｔｈｅｎ－２－ａｍｉｎｅ］（５６３ｍｇ、２．５ｍｍｏｌ）、中間体１－４（２．８ｇ、５．２５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２（６４ｍｇ、０．１２５ｍｍｏｌ）とＮａＯｔＢｕ（９６１ｍｇ、１０ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、トルエン（１２．５ｍＬ）を加え、９０℃で１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して化合物１７を１．７ｇ確保した。化合物の合成は、ＬＣ－ＭＳとＮＭＲによって確認した。ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝１１３０
化合物１７のＮＭＲ測定値：１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ－ｄ６）δ８．０２（ｄｄ，１Ｈ）、７．９４（ｄｄ，１Ｈ）、７．８５（ｄｄ，４Ｈ）、７．４６（ｄｄ，４Ｈ）、７．３９－７．２０（ｍ，１１Ｈ）、７．０８（ｍ，２Ｈ）、６．９７－６．８３（ｍ，１８Ｈ）、６．７２（ｄｄ，２Ｈ）、６．６５（ｄ，４Ｈ）、５．７５（ｄ，２Ｈ）、５．２１（ｄ，２Ｈ）、１．６９（ｓ，６Ｈ）
＜製造例１８．化合物１８の製造＞
（１）中間体１８－１の合成
２’－ブロモスピロ［フルオレン－９，９’－キサンテン］［２’－Ｂｒｏｍｏｓｐｉｒｏ［ｆｌｕｏｒｅｎｅ－９，９’－ｘａｎｔｈｅｎｅ］（４．１１ｇ、１０ｍｍｏｌ）、３－アミノフェニルボロン酸［３－ａｍｉｎｏｐｈｅｎｙｌｂｏｒｏｎｉｃ ａｃｉｄ］（１．６４ｇ、１２ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（５７８ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）とＫ２ＣＯ３（４．１５ｇ、３０ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、ＴＨＦ（２５ｍＬ）と水（２５ｍＬ）を加え、１００℃で４時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／Ｈｅｐｔａｎｅ条件で結晶化して中間体１８－１を３．０ｇ確保した。
（２）化合物１８の合成
中間体１８－１（１．０６ｇ、２．５ｍｍｏｌ）、中間体１－４（２．８ｇ、５．２５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２（６４ｍｇ、０．１２５ｍｍｏｌ）とＮａＯｔＢｕ（９６１ｍｇ、１０ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、トルエン（１２．５ｍＬ）を加え、９０℃で１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して化合物１８を２．４ｇ確保した。化合物の合成は、ＬＣ－ＭＳとＮＭＲによって確認した。ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝１３２８
化合物１８のＮＭＲ測定値：１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ－ｄ６）δ８．０４（ｄｄ，１Ｈ）、７．９３（ｄ，１Ｈ）、７．７４（ｄｄ，４Ｈ）、７．４６（ｄｄ，４Ｈ）、７．４２－７．２２（ｍ，１６Ｈ）、７．１５（ｄｄ，１Ｈ）、７．１０（ｍ，２Ｈ）、７．０１－６．８０（ｍ，２４Ｈ）、６．７２（ｄｄ，２Ｈ）、６．６５（ｄ，４Ｈ）、５．７５（ｄ，２Ｈ）、５．２１（ｄ，２Ｈ）
＜製造例１９．化合物１９の製造＞
（１）中間体１９－１の合成
２－ブロモ－９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン［２－Ｂｒｏｍｏ－９，９－ｄｉｍｅｔｈｙｌ－９Ｈ－ｘａｎｔｈｅｎｅ］（４．１１ｇ、１０ｍｍｏｌ）、３－アミノフェニルボロン酸［３－ａｍｉｎｏｐｈｅｎｙｌｂｏｒｏｎｉｃ ａｃｉｄ］（１．６４ｇ、１２ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（５７８ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）とＫ２ＣＯ３（４．１５ｇ、３０ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、ＴＨＦ（２５ｍＬ）と水（２５ｍＬ）を加え、１００℃で４時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／Ｈｅｐｔａｎｅ条件で結晶化して中間体１９－１を２．３ｇ確保した。
（２）化合物１９の合成
中間体１９－１（７５３ｍｇ、２．５ｍｍｏｌ）、中間体１－４（２．８ｇ、５．２５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２（６４ｍｇ、０．１２５ｍｍｏｌ）とＮａＯｔＢｕ（９６１ｍｇ、１０ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、トルエン（１２．５ｍＬ）を加え、９０℃で１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して化合物１９を２．２ｇ確保した。化合物の合成は、ＬＣ－ＭＳとＮＭＲによって確認した。ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝１２０６
化合物１９のＮＭＲ測定値：１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ－ｄ６）δ８．０２（ｄｄ，１Ｈ）、７．９５（ｄｄ，１Ｈ）、７．８０（ｄｄ，４Ｈ）、７．４６（ｄｄ，４Ｈ）、７．４０－７．２０（ｍ，１５Ｈ）、７．０８（ｍ，２Ｈ）、６．９７－６．８３（ｍ，１８Ｈ）、６．７２（ｄｄ，２Ｈ）、６．６５（ｄ，４Ｈ）、５．７５（ｄ，２Ｈ）、５．２１（ｄ，２Ｈ）、１．６９（ｓ，６Ｈ）
＜製造例２０．化合物２０の製造＞
２－アミノジベンゾフラン［２－ａｍｉｎｏｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎ］（５１３ｍｇ、２．８ｍｍｏｌ）、中間体１－４（３．１ｇ、５．７４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２（７２ｍｇ、０．１４ｍｍｏｌ）とＮａＯｔＢｕ（１．０８ｇ、１１．２ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、トルエン（１４ｍＬ）を加え、９０℃で１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して化合物２０を２．２ｇ確保した。化合物の合成は、ＬＣ－ＭＳとＮＭＲによって確認した。ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝１０８８
化合物２０のＮＭＲ測定値：１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ－ｄ６）δ８．００（ｄ，１Ｈ）、７．９２（ｄ，１Ｈ）、７．８３（ｄ，４Ｈ）、７．５０（ｍ，１Ｈ）、７．４４－７．２８（ｍ，１０Ｈ）、７．２８（ｔ，２Ｈ）、７．１８（ｄｄ，１Ｈ）、７．１３（ｍ，２Ｈ）、７．０８－６．９７（ｍ，１５Ｈ）、６．９２（ｄ，４Ｈ）、６．８４（ｔ，４Ｈ）、６．６８（ｄｄ，２Ｈ）、５．７１（ｄ，２Ｈ）、５．１９（ｄ，２Ｈ）
＜製造例２１．化合物２１の製造＞
１－アミノジベンゾフラン［１－ａｍｉｎｏｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎ］（５１３ｍｇ、２．８ｍｍｏｌ）、中間体１－４（３．１ｇ、５．７４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２（７２ｍｇ、０．１４ｍｍｏｌ）とＮａＯｔＢｕ（１．０８ｇ、１１．２ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、トルエン（１４ｍＬ）を加え、９０℃で１時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／ＥｔＯＨ条件で結晶化して化合物２１を２．４ｇ確保した。化合物の合成は、ＬＣ－ＭＳとＮＭＲによって確認した。ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝１０８８
化合物２１のＮＭＲ測定値：１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ－ｄ６）δ７．７７（ｍ，４Ｈ）、７．５７（ｍ，２Ｈ）、７．５１－７．４６（ｍ，５Ｈ）、７．３６－７．２９（ｍ，５Ｈ）、７．２４（ｔ，２Ｈ）、７．０３－６．６８（ｍ，２９Ｈ）、５．７４（ｄ，２Ｈ）、５．２０（ｄ，２Ｈ）
＜素子例＞
＜実施例１＞
ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）が１，５００Åの厚さで薄膜コーティングされたガラス基板を、洗剤を溶かした蒸留水に入れ、超音波で洗浄した。この時、洗剤としてはフィッシャー社（Ｆｉｓｃｈｅｒ Ｃｏ．）の製品を使用し、蒸留水としてはミリポア社（Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ Ｃｏ．）の製品のフィルター（Ｆｉｌｔｅｒ）で２次にかけてろ過されたた蒸留水を使用した。ＩＴＯを３０分間洗浄した後、蒸留水で２回繰り返して超音波洗浄を１０分間進行した。蒸留水洗浄が終わった後、イソプロピル、アセトンの溶剤で超音波洗浄をして乾燥させた後、前記基板を５分間洗浄した後、グローブボックスで基板を輸送させた。
ＩＴＯ透明電極上に先に製造例１で製造した化合物１および下記化合物Ｇを８：２の重量比で含む２ｗｔ％シクロヘキサノンインクをＩＴＯ表面上にスピンコーティングし、２２０℃で３０分間熱処理して４００Å厚さの正孔注入層を形成した。
前記正孔注入層上に下記の化合物Ａの２ｗｔ％トルエンインクをスピンコーティングし、１２０℃で１０分間熱処理して２００Å厚さの正孔輸送層を形成した。前記正孔輸送層上に下記の化合物Ｂと化合物Ｃを９２：８の重量比で真空蒸着して２００Å厚さの発光層を形成した。前記発光層上に下記の化合物Ｄを真空蒸着して３５０Å厚さの電子注入および輸送層を形成した。前記電子注入および輸送層上に順次１０Å厚さでＬｉＦと１０００Å厚さでアルミニウムを蒸着してカソードを形成した。
前記の過程で有機物の蒸着速度は０．４～０．７Å／ｓｅｃを維持し、カソードのリチウムフルオリドは０．３Å／ｓｅｃ、アルミニウムは２Å／ｓｅｃの蒸着速度を維持し、蒸着時の真空度は２×１０－７～５×１０－８ｔｏｒｒを維持した。
＜実施例２～２１＞
正孔注入層の製造時、前記化合物１の代わりに下記の表１に記載の化合物を用いたことを除いては、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
＜比較実験例１～４＞
正孔注入層の製造時に、前記化合物１の代わりに下記の表１に記載のように、下記の化合物ＣＥ１～ＣＥ４のうちいずれか１つの化合物を用いたことを除いては、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
前記実験例および比較実験例で製造した有機発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で駆動電圧、外部量子効率（ｅｘｔｅｒｎａｌ ｑｕａｎｔｕｍ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）、輝度および寿命を測定した結果を下記の表１に示した。前記外部量子効率は、（放出された光子数）／（注入された電荷運搬体数）で求めた。Ｔ９５は、輝度が初期輝度（５００ｎｉｔ）から９５％に減少するのにかかる時間（ｈｒ）を意味する。
前記の表１に示されたように、本発明に係る化学式１で表される化合物を正孔注入層のホストとして用いた本実施例に係る有機発光素子は、比較実験例に比べて駆動電圧が大きく低下し、寿命が大きく向上することが確認できた。
また、実施例における有機発光素子のほとんどが、比較実験例の有機発光素子と比較して効率および輝度が増加することが示された。これにより分子内に導入されたフルオロ基（－Ｆ）により膜、界面特性が改善され、ＨＯＭＯレベルの変化により正孔移動度と正孔／電子のバランスが改善されることにより、有機発光素子の性能が改善されることが確認できた。
１０１ ・・・基板
２０１ ・・・第１の電極
３０１ ・・・正孔注入層
４０１ ・・・正孔輸送層
５０１ ・・・発光層
６０１ ・・・電子注入および輸送層
７０１ ・・・第２の電極
前記化学式１において、
Ｙｚ１およびＹｚ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合、Ｏ、Ｓ、ＣＲａＲｂまたはＳｉＲｃＲｄであり、Ｙｚ１およびＹｚ２のいずれか一つが直接結合であると、残りの１つはＯ、Ｓ、ＣＲａＲｂまたはＳｉＲｃＲｄであり、
Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；置換または非置換のアルキル基；置換または非置換のアリール基；置換または非置換のヘテロアリール基であるか、隣接した基と結合して置換または非置換の環を形成し、
Ｃｙ１およびＣｙ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、置換または非置換のベンゼン環；または置換または非置換のナフタレン環であり、
Ｌｚ１～Ｌｚ３は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合；または置換または非置換のアリーレン基であり、
Ｌｚ１１およびＬｚ１２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合；置換または非置換のアルキレン基；または置換または非置換のアリーレン基であり、
Ｘｚ１およびＸｚ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、硬化性基であり、
Ｒｚ１およびＲｚ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換または非置換のアルキル基；置換または非置換のアルコキシ基；置換または非置換のアリール基；または置換または非置換のヘテロアリール基であり、
Ｒｚ３およびＲｚ４は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；置換または非置換のアルキル基；置換または非置換のアルコキシ基；置換または非置換のアリール基；または置換または非置換のヘテロアリール基であり、
ｌｚ１～ｌｚ３はそれぞれ０または１であり、
ｎ１およびｎ２はそれぞれ０～７の整数であり、ｎ１およびｎ２がそれぞれ２以上の場合、２以上の括弧内の置換基は互いに同一または異なり、
ｎ３およびｎ４はそれぞれ０～４の整数であり、ｎ３およびｎ４がそれぞれ２以上の場合、２以上の括弧内の置換基は互いに同一または異なり、
ｍ１およびｍ２はそれぞれ独立に１～５の整数であり、
ｍ１＋ｎ３は５以下であり、ｍ２＋ｎ４は５以下である。
前記化学式１において、
Ｙｚ１およびＹｚ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合、Ｏ、Ｓ、ＣＲａＲｂまたはＳｉＲｃＲｄであり、Ｙｚ１およびＹｚ２のいずれか一つが直接結合であると、残りの１つはＯ、Ｓ、ＣＲａＲｂまたはＳｉＲｃＲｄであり、
Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；置換または非置換のアルキル基；置換または非置換のアリール基；置換または非置換のヘテロアリール基であるか、隣接した基と結合して置換または非置換の環を形成し、
Ｃｙ１およびＣｙ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、置換または非置換のベンゼン環；または置換または非置換のナフタレン環であり、
Ｌｚ１～Ｌｚ３は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合；または置換または非置換のアリーレン基であり、
Ｌｚ１１およびＬｚ１２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合；置換または非置換のアルキレン基；または置換または非置換のアリーレン基であり、
Ｘｚ１およびＸｚ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、硬化性基であり、
Ｒｚ１およびＲｚ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換または非置換のアルキル基；置換または非置換のアルコキシ基；置換または非置換のアリール基；または置換または非置換のヘテロアリール基であり、
Ｒｚ３およびＲｚ４は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；置換または非置換のアルキル基；置換または非置換のアルコキシ基；置換または非置換のアリール基；または置換または非置換のヘテロアリール基であり、
ｌｚ１～ｌｚ３はそれぞれ０または１であり、
ｎ１およびｎ２はそれぞれ０～７の整数であり、ｎ１およびｎ２がそれぞれ２以上の場合、２以上の括弧内の置換基は互いに同一または異なり、
ｎ３およびｎ４はそれぞれ０～４の整数であり、ｎ３およびｎ４がそれぞれ２以上の場合、２以上の括弧内の置換基は互いに同一または異なり、
ｍ１およびｍ２はそれぞれ独立に１～５の整数であり、
ｍ１＋ｎ３は５以下であり、ｍ２＋ｎ４は５以下である。
前記電子装置は、半導体素子の層間絶縁膜、カラーフィルタ、ブラックマトリックス、オーバーコート、カラムスペーサ、パッシベーション膜、バッファコート膜、多層プリント基板用絶縁膜、フレキシブル銅被覆板のカバーコート、多層プリント基板用絶縁膜、ソルダーレジスト膜、ＯＬＥＤの絶縁膜、液晶表示素子の薄膜トランジスタの保護膜、有機ＥＬ素子の電極保護膜および半導体保護膜、ＯＬＥＤ絶縁膜、ＬＣＤ絶縁膜、半導体絶縁膜、太陽光モジュール、タッチパネル、ディスプレイパネルなどのディスプレイ装置等を全て含むものであってもよいが、これに限定されるものではない。
１－ブロモ－２，３，４，５，６－ペンタフルオロベンゼン［１－ｂｒｏｍｏ－２，３，４，５，６－ｐｅｎｔａｆｌｕｏｒｏｂｅｎｚｅｎｅ］（３１．８ｍＬ、２５５ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（５００ｍＬ）に入れ、窒素置換後、－７８℃に冷却した。ｎ－ＢｕＬｉ（２．５Ｍ Ｈｅｘ）（９６ｍＬ、２４０ｍｍｏｌ）をｄｒｏｐｐｉｎｇ ｆｕｎｎｅｌに入れた後、反応混合物にゆっくり投入し、－７８℃で３０分間撹拌した。２－ブロモフルオレノン［２－ｂｒｏｍｏｆｌｕｏｒｅｎｏｎｅ］（３８．９ｇ、１５０ｍｍｏｌ）を投入した。ゆっくりと常温に上げながら一晩撹拌した。蒸留水を投入して反応を終結した後、酢酸エチルと水で抽出した。有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥させ、濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去し、次の反応に用いた。
５－ブロモ－２－フルオロメチルベンゼン［５－ｂｒｏｍｏ－２－ｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚｅｎｅ］（３１．７ｍＬ、２５５ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（５００ｍＬ）に入れ、窒素置換した後、－７８℃に冷却した。ｎ－ＢｕＬｉ（２．５Ｍ Ｈｅｘ）（９６ｍＬ、２４０ｍｍｏｌ）をｄｒｏｐｐｉｎｇ ｆｕｎｎｅｌに入れた後、反応混合物にゆっくり投入し、－７８℃で３０分間撹拌した。２－ブロモフルオレノン［２－ｂｒｏｍｏｆｌｕｏｒｅｎｏｎｅ］（３８．９ｇ、１５０ｍｍｏｌ）を投入した。ゆっくりと常温に上げながら一晩撹拌した。蒸留水を投入して反応を終結した後、酢酸エチルと水で抽出した。有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥させ、濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去し、中間体１１－１を確保して次の反応に用いた。
＜製造例１９．化合物１９の製造＞
（１）中間体１９－１の合成
２－ブロモ－９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン［２－Ｂｒｏｍｏ－９，９－ｄｉｍｅｔｈｙｌ－９Ｈ－ｘａｎｔｈｅｎｅ］（４．１１ｇ、１０ｍｍｏｌ）、４－アミノフェニルボロン酸［４－ａｍｉｎｏｐｈｅｎｙｌｂｏｒｏｎｉｃ ａｃｉｄ］（１．６４ｇ、１２ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（５７８ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）とＫ２ＣＯ３（４．１５ｇ、３０ｍｍｏｌ）をＲＢＦに入れた。窒素置換した後、ＴＨＦ（２５ｍＬ）と水（２５ｍＬ）を加え、１００℃で４時間撹拌した。酢酸エチルと水で抽出し、有機層を集めた後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層を乾燥後濾過した。濾液を真空回転濃縮器で乾燥して有機溶媒を除去した。カラム精製後、ＤＣＭ／Ｈｅｐｔａｎｅ条件で結晶化して中間体１９－１を２．３ｇ確保した。
前記の過程で有機物の蒸着速度は０．４～０．７Å／ｓｅｃを維持し、カソードのリチウムフルオリドは０．３Å／ｓｅｃ、アルミニウムは２Å／ｓｅｃの蒸着速度を維持し、蒸着時の真空度は５×１０ －８ ～２×１０ －７ ｔｏｒｒを維持した。

Claims (13)

  1. 下記の化学式１で表される化合物：
    前記化学式１において、
    Ｙｚ１およびＹｚ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合、Ｏ、Ｓ、ＣＲａＲｂまたはＳｉＲｃＲｄであり、Ｙｚ１およびＹｚ２のいずれか一つが直接結合であると、残りの１つはＯ、Ｓ、ＣＲａＲｂまたはＳｉＲｃＲｄであり、
    Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；置換または非置換のアルキル基；置換または非置換のアリール基；置換または非置換のヘテロアリール基であるか、隣接した基と結合して置換または非置換の環を形成し、
    Ｃｙ１およびＣｙ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、置換または非置換のベンゼン環；または置換または非置換のナフタレン環であり、
    Ｌｚ１～Ｌｚ３は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合；または置換または非置換のアリーレン基であり、
    Ｌｚ１１およびＬｚ１２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合；置換または非置換のアルキレン基；または置換または非置換のアリーレン基であり、
    Ｘｚ１およびＸｚ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、硬化性基であり、
    Ｒｚ１およびＲｚ２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換または非置換のアルキル基；置換または非置換のアルコキシ基；置換または非置換のアリール基；または置換または非置換のヘテロアリール基であり、
    Ｒｚ３およびＲｚ４は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；置換または非置換のアルキル基；置換または非置換のアルコキシ基；置換または非置換のアリール基；または置換または非置換のヘテロアリール基であり、
    ｌｚ１～ｌｚ３はそれぞれ０または１であり、
    ｎ１およびｎ２はそれぞれ０～７の整数であり、ｎ１およびｎ２がそれぞれ２以上の場合、２以上の括弧内の置換基は互いに同一または異なり、
    ｎ３およびｎ４はそれぞれ０～４の整数であり、ｎ３およびｎ４がそれぞれ２以上の場合、２以上の括弧内の置換基は互いに同一または異なり、
    ｍ１およびｍ２はそれぞれ１～５の整数であり、ｍ１およびｍ２がそれぞれ２以上の場合、２以上の括弧内の置換基は互いに同一または異なり、
    ｍ１＋ｎ３は５以下であり、ｍ２＋ｎ４は５以下である。
  2. 前記硬化性基は、下記の構造からなる群から選ばれるいずれか一つである、請求項１に記載の化合物：
    前記構造において、――――は、前記化学式１と結合する位置を意味する。
  3. 前記化学式１は、下記の化学式２で表されるものである、請求項１に記載の化合物：
    前記化学式２において、
    Ｌｚ１～Ｌｚ３、Ｌｚ１１、Ｌｚ１２、Ｘｚ１、Ｘｚ２、Ｒｚ１～Ｒｚ４、Ｙｚ１、Ｙｚ２、Ｃｙ１、Ｃｙ２、ｌｚ１～ｌｚ３、ｎ１～ｎ４、ｍ１およびｍ２の定義は、前記化学式１と同様である。
  4. 前記化学式１は、下記の化学式３～式５のいずれかで表されるものである、請求項１に記載の化合物：
    前記化学式３～５において、
    Ｌｚ１１、Ｌｚ１２、Ｘｚ１、Ｘｚ２、Ｒｚ１～Ｒｚ４、Ｃｙ１、Ｃｙ２、Ｙｚ１、Ｙｚ２、ｎ１～ｎ４、ｍ１およびｍ２の定義は化学式１と同様であり、
    Ｒｚ２１およびＲｚ２２は互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換または非置換のアルキル基；置換または非置換のアルコキシ基；置換または非置換のアリール基；または置換または非置換のヘテロアリール基であり、
    ｍ２１は０～４の整数であり、ｍ２２は０～６の整数であり、ｍ２１およびｍ２２がそれぞれ２以上の整数である場合、２以上の括弧内の置換基は互いに同一または異なる。
  5. 前記Ｃｙ１およびＣｙ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、下記の構造のいずれか一つで表される、請求項１に記載の化合物：
    前記構成において、――――は結合位置を意味し、
    Ｒｚ１１～Ｒｚ１３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換または非置換のアルキル基；置換または非置換のアルコキシ基；置換または非置換のアリール基；または置換または非置換のヘテロアリール基であり、
    ｍ１１は０～４の整数であり、
    ｍ１２およびｍ１３はそれぞれ０～６の整数であり、ｍ１１～ｍ１３がそれぞれ２以上の整数である場合、２以上の括弧内の置換基は互いに同一または異なる。
  6. Ｌｚ１１およびＬｚ１２が互いに同一または異なり、それぞれが独立して直接結合；置換または非置換の炭素数１～２０のアルキレン基；または、置換または非置換の炭素数６～３０のアリーレン基である、請求項１に記載の化合物。
  7. Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、置換または非置換のメチル基；または置換または非置換のフェニル基であるか、隣接した基と結合して置換または非置換のフルオレン環；または、置換または非置換のキサンテン環を形成するものである、請求項１に記載の化合物。
  8. 前記化学式１の化合物は、以下の化合物からなる群から選択されるいずれかである、請求項１に記載の化合物：
  9. 請求項１～８のいずれか一項に記載の化合物を含むコーティング組成物。
  10. 第１の電極；
    第２の電極；および
    前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられる少なくとも１層の有機物層を含み、
    前記１層以上の有機物層の少なくとも１層は、請求項９に記載のコーティング組成物またはその硬化物を含むものである、有機発光素子。
  11. 前記コーティング組成物またはその硬化物を含む有機物層は、正孔輸送層または正孔注入層である、請求項１０に記載の有機発光素子。
  12. 第１の電極を準備する段階；
    前記第１の電極上に１層以上の有機物層を形成する段階；および
    前記１層以上の有機物層上に第２の電極を形成する段階を含み、
    前記１層以上の有機物層を形成する段階は、請求項９に記載のコーティング組成物を用いて有機物層を形成する段階を含むものである、有機発光素子の製造方法。
  13. 前記コーティング組成物を用いて有機物層を形成する段階は、
    前記第１の電極または１層以上の有機物層上に前記コーティング組成物をコーティングする段階；および
    前記コーティングされたコーティング組成物を熱処理または光処理する段階を含むものである、請求項１２に記載の有機発光素子の製造方法。
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KR101463298B1 (ko) 2011-04-01 2014-11-20 주식회사 엘지화학 새로운 유기 발광 소자 재료 및 이를 이용한 유기 발광 소자
CN105733562B (zh) * 2016-03-25 2019-03-05 石家庄诚志永华显示材料有限公司 一系列芴衍生物发光材料
KR102154386B1 (ko) * 2017-06-16 2020-09-09 주식회사 엘지화학 화합물, 이를 포함하는 코팅 조성물, 이를 이용한 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
KR102555233B1 (ko) * 2017-12-29 2023-07-14 주식회사 동진쎄미켐 신규 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
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